Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи»

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи»"

Транскрипт

1 Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике для студентов всех форм обучения всех специальностей Екатеринбург 2006

2 УДК 53 (075.8) Составитель А.А.Повзнер Научный редактор профессор,д.ф.-м.н. Ф.А.Сидоренко ПОЛУПРОВОДНИКИ: Вопросы для программированного контроля по физике для студентов всех форм обучения всех специальностей /А.А.Повзнер. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, с. Приведены варианты тестов по разделу «Полупроводники», изучаемому в курсе общей физики. Тесты соответствуют действующей рабочей программе по физике. Подготовлено кафедрой физики. Рукопись редактирована и подготовлена к изданию с помощью электронных настольных издательских систем в Региональном Центре Новых Информационных Технологий УГТУ-УПИ ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет УПИ», 2006

3 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, Верно ли, что концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике одинаковы? 2... электропроводность полупроводника возрастает с температурой? 4... концентрация носителей заряда зависит от ширины запрещенной зоны? 8... при внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электрона из валентной зоны переходят в зону проводимости? 1.2. На рисунке изображены зависимости логарифмов удельной электропроводности собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с наибольшей шириной запрещенной зоны? 1.3. На какой вопрос о примесном полупроводнике Вы ответили "нет"? 1 Зависит ли электропроводность примесного полупроводника от температуры? 2 Заполнены ли донорные уровни в примесном полупроводнике n - типа при Т = ОК? 4 Заполнены ли акцепторные уровни в примесном полупроводнике р - типа при Т = ОК? 8 Изменяется ли электропроводность чистого полупроводника после введения донорных примесей? 1.4. Донорный уровень расположен на энергетическом расстоянии 0,05 эв от дна зоны проводимости примесного полупроводника n - типа. При какой наименьшей энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект? 1 0,05 эв. 2 0,10 эв. 4 0,025 эв. 8 0,15 эв.

4 1.5. В электрическую цепь включен полупроводниковый диод. Направления внешнего электрического поля E r указано стрелкой. Верно ли, что диод включен в запирающем направлении? 2... при включении внешнего поля E r ширина запирающего слоя l уменьшается? 4... электропроводность pn - слоя значительно меньше электропроводности контактирующих p - и n - полупроводников? 8... носители заряда (электроны и дырки) в pn - слое рекомбинируют (воссоединяются)? 1.6. Укажите значение удельного электросопротивления собственного полупроводника, если концентрация носителей тока n = 2, м -3, а подвижности электронов и дырок равны соответственно u е = 0,36 м 2 /В с, u з = 0,14 м 2 /В с 1 0,25 Ом м 2 0,50 Ом м 4 0, Ом м 8 0, Ом м Модуль заряда электронов и дырок е = 1, Кл. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

5 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, Верно ли, что удельное электросопротивление полупроводника уменьшается при увеличении температуры? 2... носителями заряда в собственном полупроводнике являются электроны и дырки? 4... логарифм электропроводности собственного полупроводника (lnσ) уменьшается при увеличении обратной температуры (1/Т) по 8... минимальная энергия фотонов, необходимая для возникновения внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике равна ширине запрещенной зоны? 2.2. На рисунке изображена зависимость логарифма электропроводности примесного полупроводника от обратной температуры. На каком участке графика проводимость полупроводника является собственной? 1 ab 2 bс 3 сd 2.3. Какое из приведенных ниже соотношений для концентраций электронов (N e ) и дырок (N p ) соответствует примесному полупроводнику с дырочной проводимостью? 1 N e > N p 2 N e >> N p 4 N p >> N e 8 N e = N p 2.4. На какие вопросы о p-n переходе Вы ответили "да"? 1 Можно ли утверждать, что p-n и n-p переходы обладают выпрямляющим действием? 2 Отличается ли концентрация носителей тока в p-n переходе от концентрации в контактирующих p- и n - полупроводниках? 4 Возникает ли отличное от нуля электрическое поле в p-n переходе? 8 Будет ли увеличиваться ширина p-n перехода l при включении внешнего электрического поля в пропускном (прямом) направлении?

6 2.5. Во сколько раз длина волны красной границы внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике с шириной зоны Е g отличается от ее значения в собственном полупроводнике с шириной зоны 4Е g? 1 В 4 раза больше. 2 В 4 раза меньше. 4 В 16 раз больше. 8 В 2 раза меньше. Укажите номер правильного ответа Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если логарифм отношения его электропроводности σ 1 при Т 1 = 100 К к его электропроводности σ 2 при Т 2 = 200 К равен -3 (ln σ 1 σ 2 = -3)? 1 16, Дж 2 8, Дж 4 16, Дж 8 8, Дж Укажите номер правильного ответа. Коэффициент Больцмана К б = 1, Дж/К. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

7 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, Укажите сумму номеров вопросов, на которые Вы ответили утвердительно. 1 Изменится ли электропроводность полупроводника после введения донорных примесей? 2 Изменяется ли концентрация носителей тока в полупроводнике при изменении температуры? 4 Зависит ли энергетическое расстояние между донорным примесным уровнем и дном зоны проводимости от температуры? 8 Запрещены ли акцепторные примесные уровни при Т = 0К? 3.2. На рисунке изображены зависимости логарифмов удельного электросопротивления собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с наименьшей шириной запрещенной зоны? 3.3. Какие элементы нужно ввести в кристаллическую решетку валентного кремния, чтобы получить полупроводник n - типа? 1 Пятивалентный мышьяк. 2 Трехвалентный индий. 4 Трехвалентный бор. 8 Пятивалентный фосфор. Укажите сумму номеров правильных ответов Верно ли, что в области p-n - перехода существует внутреннее электрическое поле? 2... электроны и дырки в области p-n - перехода рекомбинируют (воссоединяются)? 4... сопротивление p-n - перехода изменяется при изменении направления внешнего электрического поля? 8... концентрации дырок в контактирующих n -, p - полупроводниках и в области p-n - перехода разные?

8 3.5. На рисунке приведены вольт-амперные характеристики полупроводникового диода. Укажите номер графика, соответствующего характеристике диода находящегося при самой низкой температуре Укажите значение концентрации носителей тока в собственном полупроводнике, если его удельное электросопротивление ρ = 0,50 Ом 77 0м, а подвижность электронов и дырок равны соответственно u e = 0,36 м 2 /В с, u p = 0,14 м 2 /В c 1 2, м м , м м -3 Модуль заряда электронов и дырок e = 1, Кл. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

9 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, Укажите ошибочное утверждение. 1 Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости означает его переход из связанного состояния в свободное. 2 В собственном полупроводнике при абсолютном нуле температур отсутствуют носители электрического тока. 4 В кристаллической решетке собственного полупроводника отсутствуют примесные атомы. 8 Носителями заряда в зоне проводимости собственного полупроводника являются дырки На графике изображена зависимость логарифма электропроводности двух полупроводников, отличающихся концентрацией примеси, от обратной температуры. Верно ли, что энергии активации носителей в области собственной проводимости полупроводников не совпадают? 2... энергии активации носителей в области примесной проводимости полупроводников не совпадают? 4... энергетический интервал между валентной зоной и зоной проводимости (Е g ) в полупроводнике А больше, чем в полупроводнике В? 8... в области высоких температур примесные уровни истощаются? 4.3. Зависит ли концентрация носителей заряда в полупроводниках от температуры? 2... ширины запрещенной зоны? 4... ширины зоны проводимости? 8... ширины валентной зоны? На какие вопросы Вы ответили "нет"?

10 4.4. При увеличении температуры, концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике возросла в 20 раз, а подвижности электронов и дырок в 1,5 раза. Как изменилась удельная электропроводность полупроводника? 1 Возросла в 30 раз. 2 Уменьшилась в 30 раз. 4 Осталась неизменной. 8 Увеличилась в 60 раз В электрическую цепь включен полупроводниковый диод. Направление внешнего электрического поля E r указано стрелкой. Верно ли, что концентрация электронов в запирающем слое значительно меньше, чем в n - полупроводнике? 2... концентрация дырок в запирающем слое значительно меньше, чем в р - полупроводнике? 4... диод включен в пропускном направлении? 8... при включении внешнего поля E r ширина запирающего слоя l уменьшается? 4.6. Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если красная граница внутреннего фотоэффекта для данного полупроводника соответствует длине волны λ кр = м? 1 0, Дж. 2 0, Дж. 4 1, Дж. 8 0, Дж. Постоянная Планка h = 6, Дж с Скорость света в вакууме с = м/с. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

11 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Верно ли, что ширина запрещенной зоны в полупроводнике меньше, чем в диэлектрике? 2... число актов рекомбинации (воссоединения электронов и дырок) увеличивается с увеличением температуры? 4... электропроводность полупроводника уменьшается при увеличении концентрации носителей заряда? 8... электропроводность полупроводников растет с увеличением температуры? 5.2. На рисунке изображены зависимости логарифмов электропроводности от обратной температуры для двух примесных полупроводников. Укажите номер участка, которому соответствует собственная проводимость с максимальной шириной запрещенной зоны Зависит ли концентрация дырок в примесном полупроводнике р - типа от температуры? 2... величины энергетического интервала между акцепторным уровнем и валентной зоной? 4... ширины зоны проводимости? 8... ширины валентной зоны? На какие вопросы Вы ответили "да"? 5.4. Ниже приведены значения энергии активации четырех собственных полупроводников 1 Е g = 0,25 эв. 2 Е g = 0,50 эв. 4 Е g = 0,10 эв. 8 Е g = 0,15 эв. Какому из этих полупроводников соответствует максимальное значение длины волны красной границы внутреннего фотоэффекта? Укажите его номер.

12 5.5. Верно ли, что p-n переход обладает выпрямляющим действием? 2... концентрация носителей заряда в p-n переходе зависит от температуры? 4... внутреннее поле в p-n переходе направлено в сторону области p - полупроводника? 8... ширина области p-n перехода зависит от направления внешнего электрического поля? 5.6. Чему равна концентрация дырок в полупроводнике p - типа, если его удельное электросопротивление ρ = 0,50 Ом м, а подвижность дырок U p = 0,50 м 2 /В с? м , м м , м -3. Заряды дырок е = 1, Кл. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

13 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Верно ли, что удельная электропроводность полупроводника возрастает при увеличении температуры? 2... при внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости? 4... концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике увеличиваются с ростом температуры? 8... зона проводимости полупроводника при Т = ОК не заполнена электронами? 6.2. На рисунке изображена зависимость логарифма электропроводности полупроводника p - типа от обратной температуры. На каком участке графика основными носителями заряда являются дырки, а не электроны? 1 ab 2 bc 4 cd 6.3. Какое из приведенных ниже соотношений для концентраций электронов (n e ) и дырок (n p ) соответствует примесному полупроводнику n -типа? 1 n e >> n p 2 n 4p 7 > 0 n 4e 4 n 4e 0 = n 4p 0 8 n 4e 0 < n 4p 6.4. Во сколько раз длина волны красной границы внутреннего фотоэффекта λ 1 в собственном полупроводнике с энергией активации Е g1 = 0,75 эв отличается от ее значения λ 2 в собственном полупроводнике с Е g2 = 0,25 эв? 1 λ 1 = 3λ 2 2 λ 2 = 3λ 1 4 λ 1 = 6λ 2 8 λ 2 = 6λ 1

14 6.5. На рисунке приведены вольт-амперные характеристики полупроводникового диода. Какому графику соответствуют характеристики диода, находящегося при самой высокой температуре? 6.6. Чему равно удельное электросопротивление полупроводника p - типа, если концентрация дырок n p =2, м -3, а подвижность дырок u p =0,50м 2 /В с? 1 0,50 Ом м. 2 0, Ом м. 4 0,25 Ом м. 8 0, Ом м. Заряды дырок равны 1, Кл. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

15 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Укажите ошибочное утверждение. 1 Концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике растет с увеличением температуры. 2 При внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости. 4 Электропроводность полупроводника уменьшается с увеличением концентрации носителей заряда. 8 Электропроводность полупроводника зависит от ширины запрещенной зоны На рисунке приведены графики зависимости логарифмов удельной электропроводности двух собственных полупроводников. Какие из приведенных ниже утверждений правильны? 1 Энергия активации, определенная из графика II, больше чем по графику I. 2 Концентрация носителей заряда в полупроводнике, описанном графиком I, меньше чем в полупроводнике II. 4 Удельная электропроводность, определенная по графику II, больше чем по графику I во всем рассмотренном интервале температур. 8 Концентрация электронов и дырок в полупроводниках I и II зависят от их энергии активации Верно ли, что электропроводность примесного полупроводника увеличивается с температурой? 2... акцепторные уровни в полупроводнике p - типа при Т = ОК пусты? 4... донорные уровни в полупроводнике n - типа при Т = ОК заняты электронами? 8... концентрация электронов в полупроводнике n - типа больше концентрации дырок?

16 7.4. В электрическую цепь включен полупроводниковый диод. Направление внешнего электрического поля E r указано стрелкой. Верно ли, что диод включен в пропускном направлении? 2... концентрация носителей заряда в запирающем слое значительно меньше, чем в p - и n - области полупроводникового диода? 4... внешнее поле E r противоположно по направлению внутреннему полю в p-n переходе? 8... выпрямляющая способность p-n перехода зависит от температуры? На сколько вопросов Вы ответили "да, верно" Акцепторный уровень расположен на расстоянии 0,025 эв от потолка валентной зоны полупроводника p - типа. При какой минимальной энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект? 1 0,050 эв. 2 0,025 эв. 4 0,075 эв. 8 0,1 эв Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если логарифм отношения его электропроводности σ 1 при температуре Т 1 = 200 К к электропроводности σ 2 при Т 2 = 400 К равен -2 ( lnσ 1 σ 2 = 2)? 1 22, Дж. 2 11, Дж. 4 11, Дж. 8 22, Дж. Коэффициент Больцмана К Б = 1, Дж/К. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

17 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Укажите ошибочное утверждение. 1 Носителями тока в валентной зоне собственного полупроводника являются дырки. 2 Концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике совпадают. 4 Минимальная энергия, необходимая для рождения пары электрон - дырка в собственном полупроводнике равна половине ширины запрещенной зоны. 8 В собственном полупроводнике при абсолютном нуле температур отсутствуют носители электрического тока На рисунке изображены зависимости логарифмов удельной электропроводности собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с наименьшей шириной запрещенной зоны? 8.3. Зависит ли концентрация носителей тока в примесных полупроводниках от ширины валентной зоны и тоны проводимости? 2... энергетического расстояния между частично заполненным электронами донорным уровнем и зоной проводимости? 4... температуры? 8... энергетического расстояния между частично заполненным акцепторным уровнем и валентной зоной? На какие вопросы Вы ответили "да"? 8.4. Акцепторный уровень расположен на энергетическом расстоянии 0,05 эв от потолка валентной зоны примесного полупроводника p - типа. При какой наименьшей энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект? 1 0,050 эв. 2 0,025 эв. 4 0,100 эв. 8 0,150 эв.

18 8.5. Верно ли, что концентрация носителей тока в p-n переходе меньше, чем в контактирующих p - и n - полупроводниках? 2... p-n переход обладает выпрямляющим действием? 4... электроны и дырки в области p - n перехода рекомбинируют (воссоединяются)? 8... в области p-n перехода существует внутреннее электрическое поле? Укажите сумму их номеров* 8.6. Укажите значение концентрации дырок в полупроводнике с дырочной проводимостью, если его удельная электропроводность σ = 2 Ом -1 м -1, а подвижность дырок U з = 0,5 м 2 /В с. 1 2, м , м м м -3. Заряд дырок q p = 1, Кл. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

19 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г На какие вопросы Вы ответите "да"? 1 Зависит ли энергетическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости от температуры? 2 Заполнены ли энергетические состояния валентной зоны электронами при Т = ОК? 4 Увеличивается ли концентрация носителей тока в собственном полупроводнике с увеличением температуры? 8 Совпадают ли концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике? 9.2. Какой элемент нужно ввести в кристаллическую решетку четырехвалентного крепления, чтобы получить полупроводник p - типа? 1 Трехвалентный бор. 2 Пятивалентный мышьяк. 4 Четырехвалентный германий. 8 Пятивалентный фосфор На графике изображена зависимость логарифма электропроводности двух полупроводников с различной концентрацией донорной примеси от обратной температуры. Верно ли, что энергии активации носителей в области собственной проводимости полупроводников не совпадают? 2... энергетическая ширина запрещенной зоны в полупроводнике Б больше, чем в полупроводнике А? 4... на участках 1-2 и 3-4 основными носителями тока являются электроны, а не дырки? 8... энергетическое расстояние между донорным уровнем и дном зоны проводимости в полупроводнике Б меньше, чем в полупроводнике А? На какие вопросы Вы ответили "Да, верно"? Укажите сумму их номеров

20 9.4. Какому из графиков соответствует вольтамперной характеристике полупроводникового диода, находящегося при самой низкой температуре? 9.5. Верно ли, что ширина области p-n перехода зависит от направления внешнего электрического поля? 2... p-n переход обладает выпрямляющим действием? 4... внутреннее электрическое поле в p-n переходе направлено от p - к n - полупроводнику? 8... концентрация носителей заряда в p - n переходе зависит от температуры? Какое утверждение ошибочно? Укажите его номер Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если его красная граница внутреннего фотоэффекта соответствует длине волны λ кр = м? 1 0, Дж. 2 0, Дж. 4 0, Дж. 8 0, Дж. Постоянная Планка h = 6, Дж с Скорость света в вакууме с = м/с. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

21 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Верно ли, что носителями заряда в собственном полупроводнике являются электроны и дырки? 2... концентрация носителей заряда зависит от ширины запрещенной зоны? 4... минимальная энергия фотонов необходимая для возникновения внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике равна ширине запрещенной зоны? 8... удельная электропроводность полупроводника увеличивается с увеличением температуры? На графике изображены зависимости логарифмов удельного электросопротивления собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с наибольшей шириной запрещенной зоны? Какие утверждения Вы считаете верными? 1 Электропроводность примесного полупроводника n - типа растет с увеличением температуры. 2 При увеличении температуры акцепторные уровни в полупроводнике p - типа заполняются электронами. 4 Вблизи абсолютного нуля температур донорные уровни полупроводника n - типа заняты электронами. 8 Концентрации дырок и электронов в примесных полупроводниках всегда совпадают. Ответ запишите как сумму номеров правильных утверждений Акцепторный уровень расположен на энергетическом расстоянии 0,04 эв от потолка валентной зоны примесного полупроводника p - типа. При какой наименьшей энергии фотонов в нем возможен фотоэффект? 1 0,02 эв. 2 0,04 эв. 4 0,05 эв. 8 0,08 эв.

22 10.5. В электрическую цепь включен полупроводниковый диод. Направление внешнего электрического поля E r указано стрелкой. Верно ли, что диод включен в пропускном направлении? 2... направление внутреннего поля параллельно направлению внешнего? 4... носители заряда (электроны и дырки) внутри p-n слоя рекомбинируют (воссоединяются)? 8... при включении внешнего поля в направлении, указанном на рисунке, происходит уменьшение ширины запирающего слоя? Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если логарифм от отношения его электропроводностей σ 1 при температуре Т 1 = 200 К к электропроводности σ 2 при Т 2 = 400 К равен (-3/2) ( lnσ 1 σ 2 = 3 2 )? 1 8, Дж. 2 16, Дж. 4 16, Дж. 8 8, Дж. Коэффициент Больцмана К Б = 0 1, Дж/К. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

23 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Верно ли, что ширина запрещенной зоны в полупроводнике больше, чем в диэлектрике? 2... акцепторные уровни примесного полупроводника p - типа при Т = 0 не заполнены электронами? 4... при внутреннем фотоэффекте в полупроводнике n - типа электроны переходят с донорного уровня в зону проводимости? 8... концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике совпадают? На какие вопросы Вы ответили "Да, верно"? На рисунке приведены графики зависимости логарифмов удельной электропроводности двух собственных полупроводников. Укажите ошибочное утверждение, касающееся графиков. 1 Энергия активации, определенная из графика I, меньше, чем по графику II. 2 Удельное электросопротивление, определенное по графику II во всем рассмотренном на графике интервале температур больше удельного электросопротивления определенного по графику I. 4 Концентрация носителей тока в полупроводнике, описанном графиком I, растет с температурой быстрее, чем для полупроводника II. 8 Концентрации электронов и дырок в полупроводниках I и II зависят от их энергий активации Какое из приведенных ниже соотношений для концентраций электронов (n e ) и дырок (n p ) соответствует полупроводнику n - типа? 1 n e >> n p 2 n e = n p 4 n p > n e 8 n p >> n e Во сколько раз длина волны λ 1 красной границы внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике с энергией активации Е g1 = 0,25 эв отличается от ее значения λ 2 в собственном полупроводнике с E g2 = 0,50 эв? 1 λ 1 = 2λ 2 2 λ 2 = 2λ 1 4 λ 1 = λ 2 8 λ 1 = 4λ 2

24 11.5. На рисунке приведены вольт-амперные характеристики полупроводникового диода. Какому графику соответствуют характеристики диода, находящегося при самой низкой температуре? Чему равна концентрация электронов в полупроводнике n - типа, если его удельное электросопротивление ρ = 0,50 Ом м, а подвижность электронов u e = 0,25 м 2 /В с? м , м 3 4 2, м , м -3 Модуль заряда электрона е = 1, Кл. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

25 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г На какие вопросы Вы ответили "да"? 1 Совпадают ли концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике? 2 Увеличивается ли концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике с увеличением температуры? 4 Зависит ли энергетическая ширина запрещенной зоны в собственном полупроводнике от температуры? 8 Увеличивается ли концентрация электронов в зоне проводимости собственного полупроводника при внутреннем фотоэффекте? Ответ запишите, как сумму номеров вопросов, на которые Вы ответили утвердительно На рисунке изображены зависимости логарифмов удельного электросопротивления собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с максимальной концентрацией носителей тока? Какие элементы нужно ввести в кристаллическую решетку четырехвалентного кремния, чтобы получить полупроводник n - типа? 1 Пятивалентный фосфор. 2 Пятивалентный мышьяк. 4 Трехвалентный индий. 8 Трехвалентный бор. Укажите сумму номеров правильных ответов Донорный уровень расположен на энергетическом расстоянии 0,01 эв от дна зоны проводимости полупроводника n - типа. При какой минимальной энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект? 1 0,02 эв. 2 0,001 эв. 4 0,01 эв. 8 0,1 эв.

26 12.5. В электрическую цепь включен полупроводниковый диод. Направление внешнего электрического поля E r указано стрелкой. Верно ли, что при увеличении напряженности внешнего электрического поля происходит уменьшение ширины запирающего слоя l? 2... диод включен в пропускном направлении? 4... концентрация носителей заряда (электронов и дырок) в запирающем слое шириной l меньше, чем в p- и n - полупроводнике? 8... направление внешнего электрического поля E r противоположно направлению внутреннего поля в p-n переходе? Укажите значение подвижности дырок в примесном полупроводнике p - типа, если его удельное электросопротивление ρ = 0,50 Oм м, а концентрация дырок n p = 2, м ,5 м 2 /В с. 2 0,25 м 2 /В с м 2 /В с. 8 1,6 м 2 /В с. Заряды дырок принять равными 1, Кл. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

27 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Верно ли, что носителями тока в валентной зоне собственного полупроводника являются дырки, а в зоне проводимости электроны? 2... в собственном полупроводнике при абсолютном нуле температур отсутствуют носители электрического тока? 4... концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике равны? 8... минимальная энергия необходимая для образования пары электрон - дырка в собственном полупроводнике равна энергетической ширине запрещенной зоны? Зависит ли концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках от ширины валентной зоны? 2... температуры? 4... энергетического расстояния между частично заполненным акцепторным уровнем и валентной зоной? 8... ширины зоны проводимости? На какие вопросы Вы ответили "да"? На графике представлена зависимость логарифма электропроводности двух полупроводников, отличающихся концентрацией активной примеси, от обратной температуры. Верно ли, что энергетическая ширина запрещенной зоны в полупроводнике А больше, чем в полупроводнике В? 2... энергии активации носителей в области примесной проводимости не совпадают? 4... концентрация носителей тока в полупроводнике А больше, чем в полупроводнике В? 8... на участке 1-2 графика описывающего электропроводность полупроводника А примесные уровни истощены?

28 13.4. Какое из приведенных ниже соотношений для концентраций электронов (n e ) и дырок (n p ) соответствует полупроводнику n - типа? 1 n p > n e 2 n p = n e 4 n e >> n p 8 n p >> n e Верно ли, что электроны и дырки в области p-n - перехода рекомбинируют? 2... при включении внешнего электрического поля E r ширина p-n перехода l не изменяется? 4... электросопротивление p-n - перехода в диоде много больше, чем электросопротивление контактирующих p- и n- полупроводников? 8... p-n - переход обладает выпрямляющим действием? Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если его красная граница внутреннего фотоэффекта соответствует длине волны λ кр = 3, м? Дж Дж Дж Дж. Постоянная Планка h = 6, Дж с. Скорость света в вакууме с = м/с. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

29 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Верно ли, что концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике одинаковы? 2... удельная электропроводность полупроводника возрастает при увеличении температуры? 4... при внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны из валентной зоны переходят в зону проводимости? 8... концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике зависит от ширины запрещенной зоны? На рисунке изображена зависимость логарифма электропроводности полупроводника n - типа от обратной температуры. На каком участке графика основными носителями тока являются электроны, а концентрация дырок близка к нулю? 1 ab. 2 bc. 4 cd Какие элементы нужно ввести в кристаллическую решетку четырехвалентного германия, чтобы получить полупроводник p - типа? 1 Пятивалентный фосфор. 2 Трехвалентный индий. 4 Четырехвалентный кремний. 8 Трехвалентный бор. Укажите сумму номеров правильных ответов При увеличении температуры концентрация носителей заряда в собственном полупроводнике возрасла в 10 раз, а подвижности электронов и дырок в 1,3 раза. Как изменилась удельная электропроводность полупроводника? 1 Возрасла в 13 раз. 2 Уменьшилась в 13 раз. 4 Осталась неизменной. 5 Возрасла в 26 раз.

30 14.5. В электрическую цепь включен полупроводниковый диод. Направление внешнего поля E r указано стрелкой. Верно ли, что электропроводность запирающего слоя значительно меньше электропроводности областей p- и n - полупроводников? 2... при включении внешнего поля E r ширина запирающего слоя l уменьшается? 4... диод включен в запирающем направлении? 8... носители заряда (электроны и дырки) в запирающем слое рекомбинируют (воссоединяются)? Чему равна длина волны красной границы внутреннего фотоэффекта в собственном полупроводнике, если ширина зоны запрещенных энергий Е g = 0, Дж? м м м м. Постоянная Планка h = 6, Дж с. Скорость света в вакууме с = м/с. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.

31 ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике, 2006 г Верно ли, что электропроводность полупроводника уменьшается с уменьшением концентрации носителей заряда? 2... концентрация носителей заряда в полупроводнике увеличивается с увеличением температуры? 4... электропроводность собственных полупроводников увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны (Е g )? 8... Электропроводность полупроводника возрастает при уменьшении температуры? На рисунке изображены зависимости логарифмов удельного электросопротивления собственных полупроводников от обратной температуры. Какой из графиков соответствует полупроводнику с минимальной концентрацией носителей заряда? Верно ли, что электропроводность полупроводника увеличивается после введения в него акцепторных примесей? 2... акцепторные уровни в полупроводнике p - типа при Т = ОК пусты? 4... концентрация электронов в полупроводнике p - типа больше, чем концентрация дырок? 8... донорные уровни в полупроводнике n - типа при Т = ОК заняты электронами полностью?

32 15.4. На рисунке приведены вольт-амперные характеристики полупроводникового диода. Какому графику соответствуют характеристики диода, находящегося при самой высокой температуре? Акцепторный уровень расположен на энергетическом расстоянии 0,025эВ от потолка валентной зоны полупроводника p - типа. При какой минимальной энергии фотонов в нем возможен внутренний фотоэффект? 1 0,025 эв. 2 0,050 эв. 4 0,075 эв. 8 0,01 эв Чему равна ширина запрещенной зоны собственного полупроводника, если логарифм отношения его электросопротивления при Т 1 = 200 К(ρ 1 ) к его электросопротивлению при Т 2 = 400 К(ρ) ln( ρ 1 ρ 2 )? 1 11, Дж. 2 22, Дж. 4 22, Дж. 8 11, Дж. Коэффициент Больцмана К Б = 1, Дж/К. Составил А.А.Повзнер УГТУ-УПИ, 2006 г.


Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ 11 ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ Неметаллы отличаются от проводников наличием зоны запрещенных энергий g для электронов Структуры энергетических зон собственного полупроводника приведены на рис14 Состояния,

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи»

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ Тесты для программированного контроля к лабораторной

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников ПОЛУПРОВОДНИКИ Полупроводники твердые тела, у которых при T=0 валентная зона полностью заполнена и отделена от зоны проводимости узкой, по сравнению с диэлектриками, запрещенной зоной Полагается, что ширина

Подробнее

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода 1 Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода Студент: группа: Допуск Выполнение Защита Цель работы: изучение принципа

Подробнее

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник)

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Лекция 1 Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Одиночные атомы имеют отдельные уровни энергии электронов. При объединении их в кристаллическую

Подробнее

1. Электропроводность полупроводников. Общие сведения

1. Электропроводность полупроводников. Общие сведения Цель работы. Исследовать проводимости полупроводников с собственной и примесной проводимостью. Задача. 1. Определить вольт-амперную характеристику полупроводника и зависимость тока через полупроводник

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель и содержание работы Целью работы является изучение свойств полупроводникового диода. Содержание работы состоит

Подробнее

Система управления обучением

Система управления обучением 19.12.13, 0:58 Страница 3 из 12 Название кадра frame900501 ( 900501) На рисунке изображена форма одномерного потенциала для классического гармонического осциллятора. Выберите правильное выражение для энергии

Подробнее

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Теоретическое и экспериментальное изучение температурной зависимости проводимости полупроводников. ПРИБОРЫ

Подробнее

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ЛЕКЦИЯ 11 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ Механизмы электропроводности. Измерения электропроводности, объемная и поверхностная электропроводность. Эмиссия: термоэлектронная, автоэлектронная,

Подробнее

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет - УПИ

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет - УПИ Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет - УПИ СТАТИСТИКА ФЕРМИ-ДИРАКА. ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике для студентов

Подробнее

Лекция 7. Полупроводниковые материалы

Лекция 7. Полупроводниковые материалы Лекция 7. Полупроводниковые материалы Характеристика полупроводников Полупроводники наиболее распространенная в природе группа веществ. К ним относят химические элементы: бор (В), углерод (С), кремний

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Министерство образования и науки Российской Федерации Саратовский государственный технический университет ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Методические указания к выполнению лабораторной

Подробнее

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники Полупроводники занимают по электропроводности промежуточное положение между металлами (проводниками электрического тока) и диэлектриками.

Подробнее

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1 Вариант 1 1. Для простейшей кубической решетки изобразить плоскость (120). 2. Для кремния n-типа с концентрацией примеси N D = 1 10 24 м -3 (Т = 300 К) заряда, если к образцу кремния n-типа (N D = 1 10

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ Цель и содержание работы: Целью работы является изучение

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1. Время жизни носителей заряда 2. Дрейфовое движение

Подробнее

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон Содержание: 1. Происхождение энергетических зон в кристаллах 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон 4. Полупроводники с точки зрения зонной теории

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел.

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. 1 1. Энергетические зоны в кристаллах. 2. Зонная структура металлов, диэлектриков, и полупроводников. 3. Собственная проводимость полупроводников.

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра теоретической и экспериментальной физики

Подробнее

Направление «Электроника и наноэлектроника» Время выполнения задания 240 мин.

Направление «Электроника и наноэлектроника» Время выполнения задания 240 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача (5 баллов) Время выполнения задания 240 мин. Три одинаковых сопротивления соединены, как показано на рисунке. Определить сопротивление между точками А

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

Методические указания к лабораторной работе Ф-5А по курсу общей физики Под редакцией Л.К.Мартинсона МГТУ им.н.э.баумана, 2010

Методические указания к лабораторной работе Ф-5А по курсу общей физики Под редакцией Л.К.Мартинсона МГТУ им.н.э.баумана, 2010 Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана И. Н. Фетисов ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 Методические указания к лабораторной работе

Подробнее

Федеральное агентство по образованию. Кафедра физики. Физика

Федеральное агентство по образованию. Кафедра физики. Физика Федеральное агентство по образованию Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Кафедра физики Физика ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Выполнил

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучить вольтамперную характеристику (ВАХ) полупроводникового диода. ПРИБОРЫ И ПРИНАДЛЕЖНОСТИ Полупроводниковый диод; Миллиамперметр;

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов I. Физические основы полупроводниковой электроники 1. Виды электронных приборов Электронными называют приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике. В своем развитии

Подробнее

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник Собственный полупроводник Для изготовления полупроводников применяют в основном германий и кремний, а также некоторые соединения галлия, индия и пр. Для полупроводников характерен отрицательный температурный

Подробнее

Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники

Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники Электрический ток в вакууме. Вакуумный диод Если два электрода поместить в герметичный сосуд и удалить из сосуда воздух, то, как показывает опыт, электрический ток

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Подробнее

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2 Задача 1 Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс Электрическая цепь, изображенная на рисунке, содержит идеальный источник тока с ЭДС = 60В. Сопротивления резисторов: R 1 = R 2 =

Подробнее

Министерство образования Российской Федерации ГОУ ВПО УГТУ-УПИ. Кафедра физики

Министерство образования Российской Федерации ГОУ ВПО УГТУ-УПИ. Кафедра физики Министерство образования Российской Федерации ГОУ ВПО УГТУ-УПИ Кафедра физики ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ ПО ФИЗИКЕ ТЕМА: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА И АТОМНОГО ЯДРА МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И ЗАДАНИЯ АВТОРЫ:

Подробнее

Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Приборы и принадлежности: лабораторная панель «Полупроводниковый диод», источник питания постоянного тока GPS- 3030DD, вольтметр универсальный

Подробнее

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru Полупроводники Темы кодификатора ЕГЭ: полупроводники, собственная и примесная проводимость полупроводников. До сих пор, говоря о способности веществ проводить

Подробнее

И. Н. Фетисов ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ

И. Н. Фетисов ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ 1 Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана И. Н. Фетисов ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ Методические указания к выполнению лабораторной работе Ф-61 по курсу общей физики Под редакцией

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

Элементы физики твердого тела

Элементы физики твердого тела Новосибирский государственный технический университет Элементы физики твердого тела Кафедра прикладной и теоретической физики Суханов И.И. Предметный указатель Дискретные уровни энергии электрона в атоме

Подробнее

Екатеринбург 2006 Подготовлено кафедрой физики.

Екатеринбург 2006 Подготовлено кафедрой физики. Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» УДК 53 (075.8) Составители А.А.Повзнер, А.А.Сабирзянов, В.П.Левченко Научный редактор профессор, д.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора Цель работы: изучение фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Задача: 1) Снять семейство вольтамперных характеристик и с их помощью определить оптимальные сопротивления нагрузки; 2) Установить зависимость

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики

КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 290300, 290600, 290700, 290800, 291000, 240400,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 324. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 324. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 324. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Цель и содержание работы Целью работы является изучение явления внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Содержание работы состоит

Подробнее

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» Методические указания к лабораторной работе 6.3 ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Методические указания к лабораторной

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 Электропроводность полупроводниковых материалов Цель работы Изучение стандартных методов определения удельной электрической проводимости полупроводниковых материалов при различных

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

Электрический ток в газах и полупроводниках Урок физики в 10 классе

Электрический ток в газах и полупроводниках Урок физики в 10 классе Электрический ток в газах и полупроводниках Урок физики в 10 классе А. П. Лысый, учитель физики высшей категории СШ 16 г. Пинска Цели: систематизация знаний по теме «Электрический ток в газах и полупроводниках»,

Подробнее

СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики. Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках»

СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики. Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках» СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках» Выполнил Широков О.И гр.2120 Санкт-Петербург г.2013 1. Теоретическая часть Интересные

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 290300,

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

Электропроводность твердых тел А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1

Электропроводность твердых тел А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1 Электропроводность твердых тел 27.08.2013 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1 1. Классификация твердых тел по электропроводности R = (l / S); = 1 /. По электропроводности все твердые тела можно разделить на три

Подробнее

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 53 3943 Ф 503 ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО ФИЗИКЕ Методические

Подробнее

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ

Подробнее

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана Изучение свойств p-n-переходов Москва Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана 2009 Рецензент В. Н. Атаманов. Изучение свойств p-n-переходов

Подробнее

Лекция 3 Механические и электрические свойства

Лекция 3 Механические и электрические свойства Лекция 3 Механические и электрические свойства При использовании материалов в конкретных изделиях бывает трудно разделить физические и химические свойства материалов, поскольку любые особенности его участия

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ТОМСКИЙ ПОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» УТВЕРЖДАЮ Декан ЕНМФ Ю.И. Тюрин 008 г. ИССЛЕДОВАНИЕ

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА Методические указания к лабораторной

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Работа 40 Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны может быть найдена с помощью измерений электропроводности или постоянной Холла в зависимости от температуры, а также

Подробнее

Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана. И. Н. Фетисов

Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана. И. Н. Фетисов Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана И. Н. Фетисов ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ Методические указания к лабораторной работе

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э - 05 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ КРАТКОЕ ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э - 05 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ КРАТКОЕ ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э - 05 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ Цель работы: определение энергии активации и вида проводимости полупроводникового сопротивления

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет - УПИ

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет - УПИ Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет - УПИ ПОСТОЯННЫЙ ТОК Вопросы для программированного контроля по физике для студентов всех форм обучения всех

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА 1. Цель работы Целью работы является изучение физики явлений, происходящих на р-n-переходах - основных элементарных

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя.

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя. Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного Задача: 1. Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного

Подробнее

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный.

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. 1. Краткое теоретическое введение Различают три вида фотоэффекта:

Подробнее

Т.Н. Мельникова. Методические указания рассмотрены и рекомендованы методическим семинаром кафедры общей физики г.

Т.Н. Мельникова. Методические указания рассмотрены и рекомендованы методическим семинаром кафедры общей физики г. УДК 53 (076.5) Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Методические указания к выполнению лабораторной работы 2-05 по курсу «Общая физика» по теме «Электричество

Подробнее

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника»

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» 1 Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача 1 Время выполнения задания 180 мин. Дано: Е 1 =100 В; Е 2 =500 В; R 1 =1 ком; R 2 =4 ком; R 3 =5 ком; R 4 =500 Ом; R 5 =10 ком; R 6 =100 Ом; Найти показания

Подробнее

Глава. Электроны и дырки в полупроводниках.

Глава. Электроны и дырки в полупроводниках. Глава Электроны и дырки в полупроводниках Зонная структура полупроводников, диэлектриков Определим валентную зону как наивысшую энергетическую зону электронов в твердом теле, которая целиком заполнена

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: исследование электрофизических характеристик полупроводников методом эффекта Холла. 2.1 Теоретические сведения о полупроводниках

Подробнее

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ 1 Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ ПРОВЕРКА ФОРМУЛЫ ШОКЛИ ДЛЯ p-n-перехода И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ГЕРМАНИЯ Методические указания к выполнению

Подробнее

Каким типом проводимости обладает полупроводник, не содержащий примесей?

Каким типом проводимости обладает полупроводник, не содержащий примесей? Банк заданий "ФИЗИКА_10_МОДУЛЬ 8 _ЧАСТЬ 2_ электрический ток в различных средах". Задание 1 3.2.10.Электрический ток в полупроводниках В чем различие строения полупроводников и металлов? 3) 4) в металлах

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАФЕДРА ФИЗИКИ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАФЕДРА ФИЗИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА ФИЗИКИ Лабораторная работа 38 по разделу Электричество, постоянный ток и магнетизм Исследование униполярной

Подробнее

Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость.

Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость. Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость. П.1. Полупроводники. П.2. Примесный полупроводник П.3. Явление сверхпроводимости. П.4. Модель явления сверхпроводимости. П.5. Закономерности сверхпроводимости.

Подробнее

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики 2 возникает слой с особыми свойствами, который и называется p-n переходом или электронно-дырочным

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Методические указания к лабораторной

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тихоокеанский государственный университет»

Подробнее

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД Проводники, полупроводники, диэлектрики. Зонная энергетическая диаграмма У проводников большое количество свободных электронов, у диэлектриков валентные электроны

Подробнее

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. Термины и определения основных электрофизических параметров

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. Термины и определения основных электрофизических параметров ГОСТ 22622-77 УДК 001.4:621.315:006.354 Группа Е00 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ MКC 01.040.29 29.045 МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения основных электрофизических параметров Semiconductor

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА

ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА г. Днепропетровск 2011

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА Федеральное агентство железнодорожного транспорта Уральский государственный университет путей сообщения Кафедра «Электрические машины» Ю. В. Новоселов Г. Л. Штрапенин ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА Методические

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

Электромагнитная индукция. Уравнения Максвелла Вопросы для программированного контроля по физике

Электромагнитная индукция. Уравнения Максвелла Вопросы для программированного контроля по физике Федеральное агентство по образованию ОУ ВПО Уральский государственный технический университет-упи Электромагнитная индукция. Уравнения Максвелла Вопросы для программированного контроля по физике Екатеринбург

Подробнее