С.О. Зубович, Т.А. Сухова

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "С.О. Зубович, Т.А. Сухова"

Транскрипт

1 МИНИСТЕРСТО ОБРАЗОАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОАНИЯ «ОЛГОГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИЕРСИТЕТ» КАФЕДРА «ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА И МАТЕМАТИКА» С.О. Зубович, Т.А. Сухова ИЗУЧЕНИЕ ЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Методические указания олгоград 2015

2 УДК 53 (075.5) Р е ц е н з е н т : Канд. тех. наук, доцент А.Л. Суркаев Издается по решению редакционно-издательского совета олгоградского государственного технического университета С.О. Зубович, Изучение выпрямляющего действия электронно-дырочного перехода [Электронный ресурс]: методические указания / С.О. Зубович, Т.А. Сухова //Сборник «Методические указания» ыпуск 3.-Электрон. текстовые дан.(1файл:141kb) олжский: ПИ (филиал) ГОУПО олггту, Систем.требования:Windows 95 и выше; ПК с процессором 486+; CD-ROM. Методические указания содержат рекомендации к выполнению лабораторной работы, представленной в третьей части практикума кафедры «Прикладная физика и математика» олжского политехнического института. Предназначены для студентов всех форм обучения. олгоградский государственный технический университет, 2015 олжский политехнический институт, 2015

3 Лабораторная работа 353 ИЗУЧЕНИЕ ЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Цель работы: изучение свойств р-n-перехода, снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода и экспериментальная проверка выпрямляющих свойств диода Содержание работы. Зонная теория это раздел квантовой механики твердых тел, представляющий собой теорию валентного электрона, движущегося в периодическом поле кристаллической решетки. Энергетические зоны, значение энергии которых могут принимать электроны в кристалле называются разрешенными зонами. Разрешенные энергетические уровни разделены зонами запрещенных значений энергии, называются запрещенными зонами. Зонная теория позволила с единой точки зрения истолковывать существование металлов, диэлектриков и полупроводников, объясняя различие в их электрических свойствах из-за неодинаковых заполнений электронами разрешенных зон и ширины запрещенных зон. Разрешенные зоны в кристаллах подразделяются на валентные зоны и зоны проводимости. Разрешенная зона, возникающая из того уровня, на котором находятся валентные электроны, называется валентной зоной (рис.353.2). Энергетические уровни полностью свободные или частично занятые электронами называются зонами проводимости (рис.353.2). Движение электронов в зоне проводимости определяют электрическую проводимость кристаллической решетки. Рассмотрим металл с точки зрения зонной теории. Рис Зона проводимости Запрещенная зона алентная зона э Самая верхняя зона (рис.353.1), содержащая электроны, заполнена лишь частично, т.е. в ней есть вакантные уровни. Поэтому электрон, получив сколь угодно малую энергетическую добавку (например, за счет теплового движения 1 К соответствует энергии kt 10 4 э ) сможет преодолеть запрещенную зону, перейти на более высокий уровень и участвовать в проводимости. Такое твердое тело (металл) всегда будет проводником электрического тока. Твердое тело является проводником и в том случае, когда валентная зона перекрывается свободной зоной (рис.353.2), что, в конечном счете, 3

4 приводит к не полностью заполненной зоне. Это имеет место для щелочноземельных элементов (Mg, Ca, Zn). Диэлектрики тоже имеют валентную полностью заполненную зону и зону проводимости, но у них ширина запрещенной зоны весьма велика ΔE 5 20 э. При ( kt 0,0025 э и электроны не T = 300 К энергия теплового движения мала ) могут попасть в зону проводимости. Полупроводники это широкий класс веществ, характеризующийся значениями удельной электропроводности, промежуточными между удельной электропроводностью металлов и хороших диэлектриков. Характерной особенностью полупроводников, отличающей их от металлов, является возрастание электропроводности с ростом температуры. Различают собственные и примесные полупроводники. Собственными полупроводниками являются химические чистые полупроводники, а их проводимость называется собственной проводимостью (например ; Se). При Т = 0 К и при отсутствии других внешних факторов собственные полупроводники ведут себя как диэлектрики. При повышении температуры электроны с верхних уровней валентной зоны (рис.353.3) могут быть переброшены на нижние уровни зоны проводимости и при приложении разности потенциалов появляется электрический ток. II I Рис Рис Зона проводимости Область перекрытия алентная зона З.П ΔE запрещенная зона.з. Проводимость собственных полупроводников, обусловленная электронами, называется электронной проводимостью или проводимостью n типа. результате тепловых забросов электронов из зоны I в зону II в валентной зоне возникают вакантные места, получившие название дырки. о внешнем электрическом поле на освободившееся от электрона место (дырку) может переместится электрон с соседнего уровня, а дырка появится в том месте откуда ушел электрон. Такой процесс заполнения дырок электронами равносилен перемещению дырок в направлении, противоположном движению электрона, так как если бы дырка обладала положительным зарядом, равным заряду электрона. Проводимость собственных полупроводников обусловленная квазичастицами дырками, называется дырочной проводимостью или проводимостью р типа. Число электронов в зоне проводимости равно числу дырок в валентной зоне. Проводимость полупроводников всегда является возбужденной и появляется под действием внешних факторов. 4

5 5 Наибольшее техническое применение находят полупроводники с примесной проводимостью. Примесная проводимость возникает, если некоторые атомы полупроводника заменить в узлах кристаллической решетки атомами, валентность которых отличается на единицу от валентности основных атомов. На рисунке 353.4(а) условно изображена решетка германия с примесью пятивалентных атомов фосфора. Для образования ковалентной связи с соседями атому фосфора достаточно четырех электронов. Следовательно, пятый валентный электрон связан только со своим атомом. Энергия активации такого электрона Е g невелика ( Е g ~0,01 э). При небольшом повышении температуры электрон отщепляется от атома и становится свободным. Эти электроны и обуславливают перенос заряда при наложении внешнего электрического поля. Это полупроводник с электронной проводимостью (полупроводник n-типа). Образование свободного электрона в полупроводнике n-типа не сопровождается нарушением ковалентных связей, т.е. образованием дырки. полупроводниках с примесью, валентность которой на единицу больше валентности основных атомов, носителями тока являются электроны; возникает электронная примесная П П проводимость (n-типа). Такие полупроводники называются полупроводниками n типа. Примеси, являющиеся источником электронов, называются донорами, а энергетические уровни донорными уровнями. Примеси, захватывающие электроны из зоны валентности называются акцепторами, энергетические уровни акцепторными уровнями. Наличие примесных уровней в полупроводниках существенно меняет положение уровня Ферми E F (рис.353.5). F0 a) a) P Е g донорные уровни б) в) Рис Е а E уровень Ферми при 0 К. П б) в) Рис акцепторные уровни Таким образом, примесная проводимость обусловлена электронами в случае донорной примеси и дырками в случае акцепторной. Эти носители являются основными. Если в одну часть полупроводника ввести акцепторную примесь, а в другую донорную, то первая часть будет иметь дырочную (р-типа), а вторая электронную (n-типа) проводимость. Тонкий слой на границе ме- П E F

6 жду этими полупроводниками с разным типом примесной проводимости, называется электронно-дырочным переходом или просто р-n-переходом. Диффузия основных p - + n носителей из р- в n-область и наоборот приводит к рекомбинации (т.е. нейтрализации) электронов и дырок, е П вследствие чего пограничный слой оказывается Уровень Ферми сильно обедненным носителями тока и следовательно приобретает большое сопротивление. Протяженность этого Рис слоя см, т.е. намного превышает размеры атомов. Одновременно в граничном слое n-полупроводника, потерявшем часть своих электронов, образуется объемный положительный заряд ионизированных донорных атомов: в граничном слое р-полупроводника, получившем эти электроны, образуется объемный отрицательный заряд неподвижных атомов акцепторной примеси. Между этими слоями возникает контактная разность потенциалов 2 1, препятствующая дальнейшей диффузии основных носителей (рис.353.6). С точки зрения зонной теории основные носители диффундируют до тех пор, пока не произойдет выравнивание уровней Ферми Е F, расположенных соответственно в нижней и верхней половинах запрещенных зон у акцепторного (рис.353.5(в)) и донорного (рис.353.4(в)) полупроводников. Энергетические зоны при этом изгибаются (рис.353.6), образуя потенциальный барьер eδφ для основных носителей. состоянии равновесия некоторому количеству основных носителей удается преодолеть потенциальный барьер, вследствие чего через переход течет небольшой ток I осн. Этот ток компенсируется встречным током неосновных носителей I неосн. Неосновных носителей очень мало, но они легко скатываются с потенциального уступа. Равновесие устанавливается при такой высоте потенциального барьера, при которой оба тока компенсируют друг друга. Сопротивление р-n-перехода резко меняется при приложении к нему внешнего электрического поля. Если к р-n-переходу приложить напряжение U ист от внешнего источника тока таким образом, чтобы р- область заряжалась положительно относительно n-области (рис.353.7,б), то высота потенциального барьера (и его ширина х) уменьшится на eu ист. Это приведет к увеличению силы тока основных носителей I осн. Ток же неосновных носителей от высоты потенциального барьера не зависит и следовательно не изменится. результате через контакт идет ток (I осн I неосн ), направленный от р к n. Причем сила тока с увеличением напряжения экс- 6 Энергия электрона

7 поненциально возрастает. Такое направление поля (и тока) вызывается прямым или проводящим. Если же к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, как показано на рисунке 353.7(в), то высота потенциального барьера (и ширина его) увеличится, сопротивление контактного слоя резко возрастает. Сила тока I осн уменьшится при этом практически до нуля, так что через контакт будет течь лишь ток неосновных носителей. Такое направление поля (и тока) называется обратным или запирающим. Таким образом, элемент, содержащий р-n-переход, обладает односторонней проводимостью и называется полупроводниковым диодом. Прикладывая к такому элементу переменное по знаку напряжение, получают ток только одного направления. p I неосн n I осн + - p I неосн n I осн p I неосн n I осн + - а) б) в) х Е Э озникающее в кристалле полупроводника при прямом напряжении электрическое поле «поджимает» основные носители к границе между областями, вследствие чего ширина переходного слоя, обедненного носителями, сокращается. Соответственно уменьшается и сопротивление перехода, причем тем сильнее, чем больше напряжение. Таким образом, вольтамперная характеристика в пропускной области не является прямой (рис.353.8). Теперь приложим к кристаллу напряжение такого направления чтобы «+» был под- I ключен к n-области, а был подключен к p- Прямой области (обратное напряжение). Обратное напряжение приводит к повышению потенци- ток ального барьера и соответственному уменьшению тока основных носителей I осн U Обратный (рис.353.7(в)). озникающий при этом результирующий ток (называемый обратным) до- ток Рис вольно быстро достигает насыщения и становится равным I неосн. Таким образом, в направлении от n-области к р-области (которое называется обратным или 7 х Е Э Рис х Е Э

8 запорным) р-n-переход пропускает слабый ток, целиком обусловленный неосновными носителями. Лишь при очень большом обратном напряжении сила тока начинает резко возрастать, что обусловлено электрическим пробоем перехода. Каждый р-n-переход характеризуется своим предельным значением обратного напряжения, которое он способен выдержать без разрушения, Поле, возникающее в кристалле при наложении обратного напряжения, «оттягивает» основные носители от границы между областями, что приводит к возрастанию ширины переходного слоя, обедненного носителями. Соответственно увеличивается и сопротивление перехода. Следовательно, р-n-переход обладает в обратном направлении гораздо большим сопротивлением, чем в прямом. Из сказанного вытекает, что р-n-переход может быть использован для выпрямления переменного тока. Работа состоит из двух частей. первой части работы строится и анализируется вольтамперная характеристика (зависимость силы тока от напряжения) полупроводникового диода. о второй части изучается применение диодов для выпрямления переменного тока Описание лабораторной установки Для получения вольтамперной характеристики диод включается в электрическую цепь (рис.353.9). От стабилизированного источника питания напряжение подается на диод VD1 при измерении тока в прямом направлении или VD2 в обратном. Переход от прямого тока к обратному и наоборот осуществляется с помощью переключателя П: положение 1 соответствует прямому протеканию тока, положение 2 обратному. Напряжение в обоих случаях регулируется потенциометром R и измеряется вольтметром V. При прямом направлении тока в цепь включается миллиамперметр А при обратном микроамперметр А. Для всех измерений используются головки микроамперметров мка, рассчитанные на измерение токов до 100 ма в прямом, 100 мка в обратном направлениях и напряжений до 20. Подключение соответствующих шунтов и дополнительных сопротивлений в каждом исследовании осуществляется автоматически. П 1 2 ~220 R V VD1 VD2 БП Рис А 8

9 ыпрямляющее действие диода изучается по схеме, приведенной на рис Переменное напряжение со вторичной обмотки трансформатора блока питания подается на переключатель П, который подает переменное напряжение на осциллограф (положение 3) для наблюдения формы и амплитуды сигнала или подключает к схеме диод (положение 4) для изучения его выпрямляющих свойств. 3 П К 3 ~220 БП 4 К 1 К 2 С 1 С 2 Рис L R На вход Y осциллографа Конденсаторы С 1 и С 2, а также дроссель L образуют электрический фильтр, служащий для сглаживания пульсирующего напряжения. ключение их осуществляется соответственно тумблерами К 1, К 2, К Методика эксперимента. Подавая на диоды VD напряжение (рис ) и плавно меняя его потенциометром R, измеряют силу тока при различных значениях приложенного прямого, а затем обратного напряжений. По данным эксперимента строят график вольтамперной характеристики. Так как сопротивление р-n-перехода гораздо больше сопротивления остальной части цепи, то падение напряжения внешнего поля происходит в основном на р-n-переходе. Это обстоятельство позволяет рассчитать сопротивление р-n-перехода при различных значениях прямого и обратного напряжений и построить соответствующие графики зависимости сопротивления от напряжения. Поскольку вольтамперная характеристика нелинейная, то сопротивление рассчитывается по формуле R U I, (353.1) где U и I соответственно разности между двумя ближайшими измеренными значениями напряжений и силы токов. По данным эксперимента вычисляется также коэффициент выпрямления К как отношение силы тока I пр в прямом направлении к силе тока в обратном направлении I обр, отвечающее одной и той же разности потенциалов: I пр K при U пр U обр. (353.2) I обр 9

10 электрической цепи, схема которой приведена на рисунке , диод работает как выпрямитель и преобразует переменный ток в пульсирующий. ведение в электрическую цепь конденсаторов С 1 и С 2 приводит соответственно к уменьшению выпрямленного тока при зарядке конденсаторов и к увеличению тока при разрядке, т.е. к сглаживанию пульсации. Дроссельная катушка L также сглаживает пульсации переменной составляющей за счет явления самоиндукции, не изменяя постоянную составляющую общего тока Порядок выполнения работы Снятие вольтамперной характеристики 1. Переключатель П поставьте в положение 1, при этом амперметр работает в диапазоне ма, а вольтметр в диапазоне 0-1 (для установки 353Б 0-20 ). Потенциометр R выведите в крайнее левое положение. ключите прибор в сеть. 2. Потенциометром R плавно меняя напряжение в интервале от 0,1 до 0,6 (через 0,1 ) (для установки 353Б от 1 до 20 через 1 ), определите значения силы тока. Результаты измерений занесите в табл и Переключатель П поставьте в положение 2, при этом амперметр работает в диапазоне мка, а вольтметр (для установки 353Б 0-20 ). Плавно меняя напряжение, определите не менее 6 значений обратного тока. Результаты измерений занесите в таблицу и Потенциометр выведите в крайнее левое положение Проверка выпрямляющих свойств диода 1. Переключатель П поставьте в положение 3. ключите осциллограф, получите на экране осциллограмму переменного напряжения и зарисуйте. 2. ведите в цепь диод, для чего переключатель П переведите в положение 4. Зарисуйте преобразованный сигнал. 3. ведите в цепь конденсатор С 1, включив тумблер К 1 и зарисуйте осциллограмму. 4. ведите в цепь конденсатор С 2, включив тумблер К 2 и зарисуйте осциллограмму. 5. ведите в цепь катушку индуктивности L, включив тумблер К 3 и зарисуйте осциллограмму (качественный вид осциллограмм показан на рис ). 6. се переключатели верните в исходное положение. 10

11 U U 0 t U 0 U U 0 U U 0 U 0C1 t U U 0 U 0C1 U 0C2 U U 0 U 0C1 U 0C2 U 0L Рис t t t Обработка результатов измерений 1. Постройте по данным таблицы и график зависимости I = f(u). При построении графика силу тока и напряжение следует откладывать на одной координатной сетке, считая прямой ток и напряжение положительными, а обратный ток и напряжение отрицательными (масштаб для силы тока в прямом и обратном направлениях возьмите равный). 2. Проанализируйте характер зависимости I = f(u) и сделайте вывод, справедлив ли закон Ома для системы, содержащей р-n-переход. 3. Определите U и I разности между последующим и предыдущим значениями напряжений и токов и запишите в соответствующие столбцы таблицы и Рассчитайте сопротивление диода по формуле (353.1) и запишите в таблицы и Постройте графики зависимости R = f(u) для прямого и обратного напряжений и проанализируйте эти зависимости. 11

12 нешнее напряжение Прямое Обратное Таблица Параметры установки Цена деления вольтметра, /дел. Цена деления амперметра, А/дел. Таблица Зависимость силы тока и сопротивления p-n-перехода от прямого тока Напряжение U дел. Сила тока I ΔU, дел А ΔI, 10-3 А Сопротивление R,Ом Таблица Зависимость силы тока и сопротивления p-n-перехода от обратного тока Напряжение U дел. Сила тока I ΔU, дел А ΔI, 10-6 А Сопротивление R, Ом Контрольные вопросы 1. Чем отличаются по зонной теории полупроводники от металлов и диэлектриков? 2. Как объяснить увеличение проводимости полупроводников с повышением температуры? 3. Чем обусловлена проводимость собственных полупроводников? Объясните механизм собственной проводимости в полупроводниках с точки зрения теории твердого тела. 4. Где в собственном полупроводнике расположен уровень Ферми? Проведите соответствующие математические выкладки. 5. Что является «основными» и «неосновными» носителями тока в полупроводниках n- и р-типа? 6. чем причины возникновения контактной разности потенциалов? Объясните механизм образования контактной разности потенциалов в полупроводниках с точки зрения зонной теории твердого тела. 7. Объясните, как изменяется высота потенциального барьера при приложении внешнего прямого и обратного напряжений. 8. Как объяснить одностороннюю проводимость p-n-перехода? 9. Какова АХ p-n-перехода? Объясните возникновение прямого и обратного тока. 10. Какое направление в полупроводниковом диоде является пропускным для тока? Почему через полупроводниковый диод проходит ток (хотя и слабый) даже при запирающем напряжении? 11. Объясните принцип работы электрических фильтров. 12

13 Литература, рекомендуемая для обязательной проработки: [1], 78; [2], ; [3], 44.3, ЛИТЕРАТУРА 1. Савельев И.. Курс общей физики в 4-х томах. Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомоного ядра и элементарных частиц. М.: КноРус, Т с. 2. Трофимова Т.И. Курс физики. 20-е изд., стер. М.: Изд-во «Академия», с. 3. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Курс физики. 9-е изд., стер. М.: Изд-во «Академия», с. 13

14 У ч е б н о е и з д а н и е Сергей Олегович Зубович Татьяна Александровна Сухова ИЗУЧЕНИЕ ЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Методические указания в авторской редакции Темплан 2007 г., поз. 27. _ Лицензия ИД от г. Подписано в печать. Формат 60x84 1/16. Усл. печ. л. _1,16. Уч.-изд. л. _1,2 на магнитоносителе олгоградский государственный технический университет , г. олгоград, просп. им..и. Ленина 28. РПК Политехник олгоградского государственного технического университета , олгоград, ул. Советская, 35.


Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Выполнил

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» Методические указания к лабораторной работе 6.3 ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ

Подробнее

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя.

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя. Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного Задача: 1. Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного

Подробнее

А.Л. Суркаев, М.М. Кумыш

А.Л. Суркаев, М.М. Кумыш МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода 1 Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода Студент: группа: Допуск Выполнение Защита Цель работы: изучение принципа

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИОПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИОПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников ПОЛУПРОВОДНИКИ Полупроводники твердые тела, у которых при T=0 валентная зона полностью заполнена и отделена от зоны проводимости узкой, по сравнению с диэлектриками, запрещенной зоной Полагается, что ширина

Подробнее

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник)

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Лекция 1 Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Одиночные атомы имеют отдельные уровни энергии электронов. При объединении их в кристаллическую

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель и содержание работы Целью работы является изучение свойств полупроводникового диода. Содержание работы состоит

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОБОБЩЕННОГО ЗАКОНА ОМА И ИЗМЕРЕНИЕ ЭДС МЕТОДОМ КОМПЕНСАЦИИ

ИЗУЧЕНИЕ ОБОБЩЕННОГО ЗАКОНА ОМА И ИЗМЕРЕНИЕ ЭДС МЕТОДОМ КОМПЕНСАЦИИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Приборы и принадлежности: лабораторная панель «Полупроводниковый диод», источник питания постоянного тока GPS- 3030DD, вольтметр универсальный

Подробнее

Г.А. Рахманкулова, С.О. Зубович

Г.А. Рахманкулова, С.О. Зубович МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

А.Л. Суркаев, М.М. Кумыш

А.Л. Суркаев, М.М. Кумыш МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

С.О. Зубович, Т.А. Сухова

С.О. Зубович, Т.А. Сухова МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики. Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках»

СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики. Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках» СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках» Выполнил Широков О.И гр.2120 Санкт-Петербург г.2013 1. Теоретическая часть Интересные

Подробнее

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел.

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. 1 1. Энергетические зоны в кристаллах. 2. Зонная структура металлов, диэлектриков, и полупроводников. 3. Собственная проводимость полупроводников.

Подробнее

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучить вольтамперную характеристику (ВАХ) полупроводникового диода. ПРИБОРЫ И ПРИНАДЛЕЖНОСТИ Полупроводниковый диод; Миллиамперметр;

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. 1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. 1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. Цель работы: ознакомление со структурой и краткой зонной теорией полупроводников, теорией р-n перехода и изучение выпрямляющих свойств

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ИНДУКЦИИ

ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ИНДУКЦИИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана Изучение свойств p-n-переходов Москва Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана 2009 Рецензент В. Н. Атаманов. Изучение свойств p-n-переходов

Подробнее

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник Собственный полупроводник Для изготовления полупроводников применяют в основном германий и кремний, а также некоторые соединения галлия, индия и пр. Для полупроводников характерен отрицательный температурный

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА

ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА г. Днепропетровск 2011

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Лабораторная работа 2.19. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: знакомство с основами природы электропроводности полупроводников и механизмами возникновения в них электрического тока; знакомство

Подробнее

Т.А. Сухова, Г.А. Рахманкулова

Т.А. Сухова, Г.А. Рахманкулова МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1. Время жизни носителей заряда 2. Дрейфовое движение

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА 1. Цель работы Целью работы является изучение физики явлений, происходящих на р-n-переходах - основных элементарных

Подробнее

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики 2 возникает слой с особыми свойствами, который и называется p-n переходом или электронно-дырочным

Подробнее

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники Полупроводники занимают по электропроводности промежуточное положение между металлами (проводниками электрического тока) и диэлектриками.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ Цель и содержание работы: Целью работы является изучение

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАОТЫ ИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Целью работы является ознакомление с устройством, физикой явлений, способами включения и некоторыми характеристиками транзистора.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 290300,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра теоретической и экспериментальной физики

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Методические указания к лабораторной

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Министерство образования и науки Российской Федерации Саратовский государственный технический университет ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Методические указания к выполнению лабораторной

Подробнее

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Цель работы: исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и температурную зависимость прямого и обратного

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

Т.А. Сухова, С.О. Зубович ИЗУЧЕНИЕ ЭФФЕКТА КОМПТОНА

Т.А. Сухова, С.О. Зубович ИЗУЧЕНИЕ ЭФФЕКТА КОМПТОНА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

С.О. Зубович, М.М. Кумыш

С.О. Зубович, М.М. Кумыш МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора Цель работы: изучение фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Задача: 1) Снять семейство вольтамперных характеристик и с их помощью определить оптимальные сопротивления нагрузки; 2) Установить зависимость

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода

Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода ВСГУТУ. афедра «Физика». Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучение двух семейств характеристик: 1. f Б1 и f Б 2 2. f и f Б 1 ; Б 2 ; СПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ

Подробнее

где K y Энергию Ферми можно определять как энергию таких квантовых состояний, вероятность заполнения которых частицей равна 1/2. T=0 (0) E F 1 exp kt

где K y Энергию Ферми можно определять как энергию таких квантовых состояний, вероятность заполнения которых частицей равна 1/2. T=0 (0) E F 1 exp kt Энергия Ферми определяется как энергия электронов на высшем заполненном уровне n N f L L где n квантовое число наивысшего занятого энергетического уровня. n=n где N число электронов в объеме В основном

Подробнее

Элементы физики твердого тела

Элементы физики твердого тела Новосибирский государственный технический университет Элементы физики твердого тела Кафедра прикладной и теоретической физики Суханов И.И. Предметный указатель Дискретные уровни энергии электрона в атоме

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАФЕДРА ФИЗИКИ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАФЕДРА ФИЗИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА ФИЗИКИ Лабораторная работа 38 по разделу Электричество, постоянный ток и магнетизм Исследование униполярной

Подробнее

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ЛЕКЦИЯ 11 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ Механизмы электропроводности. Измерения электропроводности, объемная и поверхностная электропроводность. Эмиссия: термоэлектронная, автоэлектронная,

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники

Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники Электрический ток в вакууме. Вакуумный диод Если два электрода поместить в герметичный сосуд и удалить из сосуда воздух, то, как показывает опыт, электрический ток

Подробнее

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный.

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. 1. Краткое теоретическое введение Различают три вида фотоэффекта:

Подробнее

и определить основные параметры диодов Шоттки.

и определить основные параметры диодов Шоттки. 1. ВВЕДЕНИЕ Диод Шоттки это полупроводниковый прибор, свойства которого обусловлены выпрямляющим электрический ток переходом (контактом) металл/полупроводник. По сравнению с pn-переходом, сформированном

Подробнее

КОЛЕБАНИЯ В СИСТЕМЕ КОНСЕРВАТИВНЫХ И НЕКОНСЕРВАТИВНЫХ СИЛ

КОЛЕБАНИЯ В СИСТЕМЕ КОНСЕРВАТИВНЫХ И НЕКОНСЕРВАТИВНЫХ СИЛ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода.

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. 3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. Задачи. 1. Получение вольт-амперных характеристик кремневого и германиевого диодов,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики

КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 290300, 290600, 290700, 290800, 291000, 240400,

Подробнее

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Теоретическое и экспериментальное изучение температурной зависимости проводимости полупроводников. ПРИБОРЫ

Подробнее

Цель работы: изучение фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Задача: снять световую и семейство вольт-амперных характеристик фотосопротивления.

Цель работы: изучение фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Задача: снять световую и семейство вольт-амперных характеристик фотосопротивления. Цель работы: изучение отоэлектрических явлений в полупроводниках. 3 Задача: снять световую и семейство вольт-амперных характеристик отосопротивления. Приборы и принадлежности: отосопротивление, микроамперметр,

Подробнее

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи»

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике для студентов всех форм обучения всех

Подробнее

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД Проводники, полупроводники, диэлектрики. Зонная энергетическая диаграмма У проводников большое количество свободных электронов, у диэлектриков валентные электроны

Подробнее

Федеральное агентство по образованию. Кафедра физики. Физика

Федеральное агентство по образованию. Кафедра физики. Физика Федеральное агентство по образованию Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Кафедра физики Физика ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ

Подробнее

С.О. Зубович, Г.А. Рахманкулова

С.О. Зубович, Г.А. Рахманкулова МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода»

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода» Государственное образовательное учреждение Московский государственный технологический университет «СТАНКИН» Кафедра физики Лабораторная работа «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

С.О. Зубович, Г.А. Рахманкулова

С.О. Зубович, Г.А. Рахманкулова МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА А.М. Попов

Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА А.М. Попов Лабораторная работа.7. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА А.М. Попов Τ Цель работы: изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока ыщения

Подробнее

к изучению дисциплины

к изучению дисциплины МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ. С.Г.Камзолова ПОСОБИЕ к изучению дисциплины «Общая электротехника и электроника», раздел «Электронные приборы» Часть 1. для студентов

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОДНОФАЗНОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ

ИЗУЧЕНИЕ ОДНОФАЗНОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИЗУЧЕНИЕ ОДНОФАЗНОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ Методические указания по выполнению

Подробнее

А.Л. Суркаев, С.О. Зубович

А.Л. Суркаев, С.О. Зубович МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Лабораторная работа 2.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков.

Лабораторная работа 2.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков. Лабораторная работа.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков. 3 а U а Цель работы: изучение вольт-амперных характеристик вакуумного

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Методические указания к лабораторной

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 324. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 324. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 324. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Цель и содержание работы Целью работы является изучение явления внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Содержание работы состоит

Подробнее

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов I. Физические основы полупроводниковой электроники 1. Виды электронных приборов Электронными называют приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике. В своем развитии

Подробнее

М.М. Кумыш, А.Л. Суркаев

М.М. Кумыш, А.Л. Суркаев МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ЗВУКА В ВОЗДУХЕ МЕТОДОМ СТОЯЧЕЙ ВОЛНЫ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ЗВУКА В ВОЗДУХЕ МЕТОДОМ СТОЯЧЕЙ ВОЛНЫ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

1. Электропроводность полупроводников. Общие сведения

1. Электропроводность полупроводников. Общие сведения Цель работы. Исследовать проводимости полупроводников с собственной и примесной проводимостью. Задача. 1. Определить вольт-амперную характеристику полупроводника и зависимость тока через полупроводник

Подробнее

Ф-106 Изучение характеристик р-п перехода.

Ф-106 Изучение характеристик р-п перехода. 1 «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана» (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана Факультет «Фундаментальные науки»

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ЗАТУХАЮЩИХ МЕХАНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ

ИЗУЧЕНИЕ ЗАТУХАЮЩИХ МЕХАНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

С.О. Зубович, А.Л. Суркаев

С.О. Зубович, А.Л. Суркаев МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ГОСУДАРСТВЕННОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕС- СИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОЛГОГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

Подробнее

Лекция 7. Полупроводниковые материалы

Лекция 7. Полупроводниковые материалы Лекция 7. Полупроводниковые материалы Характеристика полупроводников Полупроводники наиболее распространенная в природе группа веществ. К ним относят химические элементы: бор (В), углерод (С), кремний

Подробнее

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru Полупроводники Темы кодификатора ЕГЭ: полупроводники, собственная и примесная проводимость полупроводников. До сих пор, говоря о способности веществ проводить

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тихоокеанский государственный университет»

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

ЦЕПИ С ВЫПРЯМИТЕЛЯМИ

ЦЕПИ С ВЫПРЯМИТЕЛЯМИ Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ПЕТРОЗАВОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ЦЕПИ С ВЫПРЯМИТЕЛЯМИ Методические указания

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ.

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики ИЗУЧЕНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Лабораторная работа 47 Методические указания

Подробнее

ОДНОФАЗНЫЕ ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА С R, L, C

ОДНОФАЗНЫЕ ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО ТОКА С R, L, C 3 МИНИСТЕРСТО ОБРАЗОАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ОЛГОГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИЕРСИТЕТ ОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ КАФЕДРА «АТОМАТИКА, ЭЛЕКТРОНИКА И ЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА» ОДНОФАЗНЫЕ ЦЕПИ

Подробнее

Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость.

Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость. Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость. П.1. Полупроводники. П.2. Примесный полупроводник П.3. Явление сверхпроводимости. П.4. Модель явления сверхпроводимости. П.5. Закономерности сверхпроводимости.

Подробнее