ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39"

Транскрипт

1 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей , , , , , , ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Казань 2007

2 УДК Составитель:Дериновский В.С. Под редакцией Алексеева В. В., Маклакова Л. И. Методические указания к лабораторным работам по физике для студентов специальностей , , , , , , , , Лабораторная работа 60. ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА" / Казанский государственный архитектурно-строительный университет. Составитель Дериновский В.С. Казань, 2006 г., 7 с. В работе приведена установка, на которой проводятся измерения Рис. 3 Рецензент: доцент Казанского государственного университета Казанский государственный архитектурно-строительный университет, 2007 г.

3 Известно, что существует три вида материалов: металлы, диэлектрики и полупроводники. Удельное сопротивление металлов лежит в интервале Ом м, 8 6 а у диэлектриков Ом м. Полупроводниками называют группу веществ, удельное сопротивление которых занимает промежуточное положение между металлами и диэлектриками. Их удельное сопротивление лежит в интервале от 10 5 до 10 8 Ом м и очень быстро, по экспоненциальному закону, уменьшается с повышением температуры. В то время, как удельное сопротивление металлов возрастает с повышением температуры. К полупроводникам относятся элементы IV, V и VI групп периодической системы элементов Менделеева. Примерами полупроводников являются кремний (), германий (Ge), мышьяк (As) и другие, а также их химические соединения, например, оксиды, сульфиды, селениды. ЭЛЕМЕНТЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЁРДЫХ ТЕЛ Электрические свойства твёрдых тел необходимо рассматривать с точки зрения зонной теории, основанной на принципах квантовой механики. Известно, что энергии, которыми обладают электроны в атоме, квантованы. Это означает, что они имеют дискретные (прерывистые) значения. Значения энергии, которыми могут обладать электроны, называют энергетическими уровнями или уровнями энергии. Энергия электрона в атоме в основном определяется энергией его взаимодействия с атомным ядром и кинетической энергией, обусловленной его движением вокруг ядра. Если энергия электрона изменяется, то говорят, что он перешёл с одного энергетического уровня на другой. Согласно принципу Паули, в атоме может быть только два электрона с одинаковыми энергиями. Другими словами, на каждом энергетическом уровне может находиться не более двух электронов. Что произойдёт, когда N атомов объединяются в кристалл? С точки зрения квантовой теории образуется единая система электронов, и к ней применим принцип Паули. Рассмотрим этот процесс на примере атома лития. Атом лития имеет три электрона: два электрона находятся на самом низком энергетическом уровне 1 и третий на следующем более высоком уровне 2 (рис. 1 в). При уменьшении расстояний между атомами (при их сближении) дополнительно возникает взаимодействие каждого элек- 3

4 трона с электронами и ядрами других атомов. Это приводит к тому, что энергия каждого электрона принимает N различных значений. Совокупность этих значений энергии называют энергетической зоной. В этом случае говорят, что уровень энергии расщепляется на N подуровней, образуя энергетическую зону. В случае двух ближайших к ядру электронов все образующиеся N подуровней энергии будут заняты электронами, поскольку самый низкий энергетический уровень в атоме полностью заполнен электронами. Поэтому образовавшаяся энергетическая зона 1 (рис. 1 а и б) будет полностью заполненной. На следующем уровне энергии в атоме находится один электрон, но, согласно принципу Паули, на нём может быть и второй электрон. Это приводит к тому, что половина нижних энергетических уровней зоны 2 занята электронами, а половина свободна, т.е. она является частично заполненной. Можно сказать, что она состоит из двух зон: свободной зоны и заполненной. Электронов с ещё более высокими энергиями в атоме лития нет, но в принципе они возможны при возбуждении атома. При образовании кристалла эти энергии образуют свою энергетическую зону, не занятую электронами, т.е. свободную зону 3. Из рис. 1 видно, что между зонами 1, 2 и 3 располагаются области энергий ΔW, которые электроны иметь не могут. Это так называемые запрещённые зоны. Другие упомянутые зоны называют разрешёнными. Разница в энергиях между соседними подуровнями в разрешённых зонах очень мала и лежит в пределах эв (1эВ = 1,6 10 Дж). Отметим, что описанное образование энергетических зон на примере лития, является общим и справедливо для любых кристаллов. W а) W б) W в) Свободная зона 3 3 ΔW Свободная Заполненная 2 2 ΔW Заполненная 1 1 Рис r0 r

5 Зонная теория твёрдых тел позволила с единой точки зрения истолковать свойства металлов, диэлектриков и полупроводников, объясняя различие в их электрических свойствах, во-первых, неодинаковым заполнением электронами разрешённых зон и, во-вторых, шириной запрещённых зон. Степень заполнения электронами энергетических уровней в зоне определяется заполнением соответствующего атомного уровня. Если, например, какой-то энергетический уровень атома полностью заполнен электронами, то образующаяся из него зона также полностью заполнена. Из незанятых уровней образуются свободные, а из частично заполненных частично заполненные зоны. Поэтому в дальнейшем будут рассматриваться только две эти энергетические зоны. На электрические свойства твёрдых тел в первую очередь влияют две верхние соседние разрешённые зоны, одна из которых свободная, а другая заполненная. Необходимо отметить, что нельзя путать энергетические зоны с пространственными зонами, т.е. с областями, в которых может находиться электрон. Энергетические зоны лишь указывают, какими энергиями может обладать электрон в атоме или кристалле. При этом о месте нахождения электрона в атоме или кристалле ничего не известно. ДЕЛЕНИЕ НА ПРОВОДНИКИ, ДИЭЛЕКТРИКИ И ПОЛУПРОВОДНИКИ Переходя к вопросу об электрических свойствах твёрдых тел, необходимо уяснить вопрос о трактовке квантовой теорией электрического тока. Известно, что электрический ток это упорядоченное движение электронов. Под действием электрического поля электроны приобретают дополнительную энергию, обусловленную кинетической энергией их упорядоченного движения. С точки зрения квантовой механики это означает, что электрон переходит с некоторого нижнего уровня энергии на более высокий уровень. Исходя из этого и оперируя введёнными зонами, легко понять различие между диэлектриками W Свободная зона ΔW» kt Заполненная зона что ток течёт (действительно кристалл лития хороший проводник). Отметим, что за электропроводность отвечают только валентные электроны, а электроны внутренних оболочек (для лития оболочка 1) участия в этом процессе не принимают. В диэлектрике свободная зона отделена от заполненной зоны запреa) б) W Рис. 2 Свободная зона ΔW ~ kt Заполненная зона и проводниками. Проводники это тела, у которых свободная зона следует сразу за заполненной зоной (рис. 1 а), как это имеет место в случае кристалла лития для зоны 2. Электроны под действием электрического поля легко переходят с нижних энергетических уровней на верхние уровни. Это означает, 5

6 щённой зоной, ширина ΔW которой значительно больше энергии kt теплового движения атомов (рис. 2 а). Энергии электрического поля не хватает на то, чтобы электрон перешёл из заполненной зоны в свободную зону. (Если приложить очень высокое напряжение, то электроны преодолеют эту зону, и произойдёт пробой диэлектрика). В полупроводниках запрещённая зона есть, но она не велика (рис. 2 б) и её ширина соизмерима с энергией теплового движения атомов (ΔW ~ kt). Тогда за счёт энергии теплового движения часть электронов из заполненной зоны переходит в свободную зону. При наличии электрического поля по полупроводнику потечёт ток, который, однако, значительно слабее тока в металлах. Собственная проводимость полупроводников. Различают собственные и примесные полупроводники. Собственными полупроводниками являются химически чистые полупроводники, а их проводимость называется собственной проводимостью. Рассмотрим механизм собственной проводимости на примере кремния, имеющего кристаллическую решётку, в которой каждый атом связан ковалентными связями с четырьмя ближайшими соседями. Упрощенная плоская схема расположения атомов в кристалле показана на рис. 3 а, где каждая двойными чёрточками обозначается химическая связь, осуществляемая двумя электронами. В принципе в таком кристалле нет свободных зарядов. Поэтому кремний должен быть диэлектриком, и при низкой температуре он действительно не проводит электрический ток. Однако тепловой энергии кт колебательного движения атома при комнатной температуре оказывается достаточно, чтобы разорвать некоторые валентные связи. В результате этого часть электронов отщепляется. Электроны становятся свободными, и полупроводник обретает способность проводить электрический ток. В месте разрыва связи, откуда ушёл электрон, образуется «дырка», которую может заполнить какой-то другой электрон. («Дырка» изображена на рисунке полым кружком, а электрон заполненным). Но этот последний электрон оставит на бывшем своём месте «дырку» В результате «дырка» так же, как и освободившийся электрон, будет двиа) гаться по кристаллу. Дырку можно рассматривать как положительный заряд, рав- ный заряду электрона по абсолютной величине, поскольку в месте, покинутом электроном, будет недостаток электрона. С точки зрения зонной теории, разрыв валентной связи и образование электронно- дырочной пары соответствует переходу б) электрона из заполненной зоны в свободную зону (рис. 3 б). Для такого перехода электрону необходимо затратить энергию, ΔW~кТ равную ширине запрещённой зоны ΔW. Появившийся свободный электрон соответствует занятому электронному уровню в свободной зоне, а появившейся «дырке» Рис. 3 6

7 вакантный уровень в заполненной зоне. Если внутри полупроводника создать электрическое поле, то в свободной зоне электроны будут переходить на более высокие уровни, а «дырки» (вакантные электронные уровни) в заполненной зоне на более низкие. Следовательно, собственная проводимость полупроводника обусловлена одновременно свободными электронами и «дырками». Поэтому её называют электронно-дырочной. Выясним зависимость электрического сопротивления от концентрации носителей и температуры. Из общих соображений очевидно, что сила тока I проводнике тем больше, чем больше носителей заряда, т.е. свободных электронов. Это означает, что сопротивление R проводника уменьшается с увеличением числа свободных электронов, так как по закону Ома R = U/I (напряжение U на проводнике при этом постоянно). Отсюда следует вывод, что удельное сопротивление ρ обратно пропорционально концентрации электронов проводимости п, т.е. ρ ~ 1/n. (Концентрацией электронов проводимости называется число свободных электронов, находящихся в единице объёма металла). Такая же зависимость проявляется и в полупроводниках. Однако у металлов п является постоянной величиной для данного вещества, а у полупроводников изменяется с температурой. Это изменение описывается распределением Больцмана, которое показывает распределение частиц по их энергиям. Так число электронов с W g e kt энергией Wg равно: n ~, где W g энергия, необходимая для разрыва химической связи, k постоянная Больцмана. Отсюда следует, что поскольку W g величина постоянная для данного типа полупроводника, то с ростом температуры Т концентрация электронов растёт и, следовательно, сопротивление kt уменьшается. С учётом этого получаем: ρ ~ e. С точки зрения зонной теории энергия разрыва химической связи W g равна энергии, необходимой для преодоления электроном запрещённой зоны шириной ΔW, т.е. W g = ΔW. Следовательно, удельное сопротивление полупроводника определяется выражением: W g ρ = A exp(δw/(2кt)), (1) где А постоянный коэффициент, зависящий от типа полупроводника. Число 2 в знаменателе показателя связано с тем, что в полупроводниках имеется два типа носителей тока: электроны и дырки. Таким образом, из выражения (1) следует, что удельное сопротивление полупроводника экспоненциально уменьшается с повышением температуры. Это свойство полупроводников отличает их от металлов, в которых удельное сопротивление возрастает с повышением температуры (ρ = ρ 0 αт, где ρ 0 удельное сопротивление проводников при 0 С, α температурный коэффициент удельного сопротивления). Примесная проводимость полупроводников. Проводимость полупроводников, обусловленная примесями, называется примесной проводимостью, а сами проводники примесными полупроводниками. Различают два типа полупроводников: п- и р-типа. 7

8 Полупроводники п-типа. Если в кристаллическую решётку четырёхвалентного полупроводника, например кремния, внедрить пятивалентный атом, например мышьяк, то для образования ковалентных связей с соседями ему надо четыре электрона. Пятый же электрон, вследствие теплового движения, может оторваться от атома. В результате этого атомы примеси превращаются в положительные ионы, и появляются свободные электроны, обусловливающие проводимость полупроводника (рис. 4 а). Такие примеси называются донорными, а а) W Свободная зона б) As + Донорный уровень Заполненная зона Рис. 4 сам полупроводник называют полупроводником n-типа (от слова negative отрицательный). Поскольку проводимость тока обусловлена электронами, то она называется электронной. В случае полупроводников, состоящих из четырёхвалентных атомов (, Ge, которые используются на практике), донорными примесями являются пятивалентные атомы V групп таблицы Менделеева: фосфор (P), мышьяк (As), сурьма (Sb). Наряду с электронной проводимостью, в примесном проводнике имеется и собственная проводимость, обусловленная электронами и дырками, возникшими за счёт разрыва валентной связи (см. рис. 3 а). Их называют неосновными носителями тока. Рассмотрим этот вопрос с точки зрения зонной теории. При внедрении атомов примеси в кристаллическую решётку полупроводника изменяется электри- а) W Свободная зона б) In Акцепторный уровень Заполненная зона Рис. 5 8

9 ческое поле, создаваемое атомами, находящимися в узлах кристаллической решётки. Это приводит к тому, что энергии электронов в полупроводнике изменяются. В результате этого в кристалле появляется новая область дозволенных значений энергии, значения которых близки к энергиям свободной энергетической зоны. Таким образом, энергетические уровни примеси располагаются вблизи свободной зоны (рис. 4 б). Поэтому электроны примеси легко переходят в свободную зону. За счёт этих переходов внутри этой зоны и появляется электрический ток. Полупроводник р-типа. Другая картина получается, если в решётку кристалла кремния ввести трёхвалентный элемент, например, индий. Атому индия с тремя валентными электронами не хватает одного электрона, чтобы обеспечить валентные связи с четырьмя соседними атомами кремния. Чтобы скомпенсировать недостающий электрон, атом индия похищает электрон у атома кремния. В результате этого образуются отрицательный ион индия (In ) и положительный ион кремния ( + ) (рис. 5). Ион кремния, в свою очередь, может похитить электрон у другого атома кремния. В результате этого «дырка» переместится из одного положения в другое, т.е. «дырка» диффундирует по кристаллу. В этом случае электропроводность полупроводника обусловливается «дырками». Они являются основными носителями тока. Наряду с основными носителями, имеются и неосновные носители (электроны), обусловленные разрывом химических связей атомов кремния за счёт тепловых колебаний атомов. Так как примесь индия принимает электроны от атомов кремния, то атомы примеси были названы акцепторами. С точки зрения зонной теории при внедрении атомов акцепторной примеси в кристаллическую решётку полупроводника также изменяется электрическое поле в полупроводнике. Это приводит к появлению в кристалле области дозволенных значений энергии, значения которых близки а) б) в) г) Рис. 6 к энергиям заполненной энергетической зоны. Таким образом, энергетические уровни примеси в этом случае расположены очень близко к верхней границе заполненной зоны (рис. 5 б). На акцепторный энергетический уровень из заполненной зоны может перейти электрон, а в заполненной зоне образуется «дырка», которая и движется по уровням заполненной зоны (рис. 6 а г). Поведение «дырки» аналогично поведению положительного заряда, поэтому такой полупроводник называют полупроводником p-типа (от слова positive положительный), а проводимость в этом случае называют дырочной. Атомами примеси, дающими полупроводники р-типа, являются элементы III группы таблицы Менделеева трёхвалентные индий (In), бор(b), алюминий (Al). Для ионизации примесных атомов требуется значительно меньшая энергия (0,01 0,1 эв), чем для ионизации собственных атомов (1 эв). Поэтому при ком- 9

10 натной температуре практически все атомы примеси ионизированы, и концентрация основных носителей тока становится равной концентрации примесных атомов. Она может во много раз превышать собственную концентрацию. Так, при введении всего лишь 0,0001% сурьмы в чистый кремний (один атом сурьмы на 10 6 атомов кремния) проводимость полупроводника возрастает в 10 3 раз, поскольку в чистом кремнии один носитель тока приходится на 10 9 атомов. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД Индий Кристалл кремния п-типа Индий Кристалл кремния п-типа Кристалл кремния р-типа Рис. 7 На основе полупроводников p- и n-типа создаются устройства, которые играют огромную роль в технике. Одним из таких устройств является полупроводниковый диод, представляющий собой два полупроводника n- и p-типа, находящихся в контакте (p n - переход). Такой переход нельзя осуществить просто механическим соединением двух полупроводников. Обычно области различной проводимости создают либо выращиванием кристаллов, либо при соответствующей обработке кристаллов. Например, на кристалл кремния n- типа накладывается индиевая таблетка. Эта система нагревается приблизительно до 500 С в вакууме или в атмосфере инертного газа. Атомы индия диффундируют в кремний n-типа на некоторую глубину, превращая его в кремний p-типа. Затем расплав медленно охлаждают. После кристаллизации расплава на его границе с кремнием n-типа образуется p n - переход (рис. 7). В результате контакта n и p-полупроводников электроны из n области диффундируют в p область, а «дырки» из области p переходят в n область. При этом электроны и «дырки», встречаясь, нейтрализуют друг друга (рекомбинируют). Вследствие такой диффузии на границе раздела полупроводников в n области возникает положительно заряженный слой ионов донорной примеси, а в р области слой отрицательно заряженных ионов акцепторной примеси. Такой двойной электрический слой, характеризуемый некоторой толщиной l, называют запирающим слоем (рис. 8 а), поскольку он создаёт электрическое поле напряжённостью Е np, которое препятствует движению электронов и «дырок» через границу раздела. Запи- 6 рающий слой, толщина которого l м, обусловливает электрическое сопротивление перехода протеканию электрического тока. Если к p n - переходу подключить внешний источник напряжения так, чтобы к n-полупроводнику был подключён минус, а к p-полупроводнику 10

11 б) п-типа E r внеш E r np n-типа р-типа E r np l l + + l р-типа п-типа а) E r внеш Е r np в) р-типа Условные обозначения: положительные ионы донорной примеси, отрицательные ионы акцепторной примеси, электроны, дырки Рис. 8 плюс (рис. 8 б), то основные носители электроны в n-области и «дырки» в p- области пойдут навстречу друг другу к границе перехода, если Е внеш > Е np. Толщина контактного слоя и его сопротивление уменьшаются. Поэтому электроны и «дырки» свободно проходят через переход. Ток при таком подключении диода течёт. Если изменить полярность источника (рис. 8 в), то внешнее электрическое поле будет направлено по полю запирающего слоя. Это приводит к увеличению толщины запирающего слоя и к росту его сопротивления. В этом случае ток будет обусловливаться только неосновными носителями (собственной проводимостью полупроводника), концентрация которых крайне мала. Поэтому можно считать, что ток через диод не проходит. Таким образом, диод обладает односторонней проводимостью. ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА На основе примесных полупроводников созданы устройства, являющиеся важными компонентами современных электронных приборов диоды, транзисторы и т.д. Их важным преимуществом являются высокая надёжность, большой срок службы и миниатюрность. В настоящее время на 1 см 2 кристалла удаётся разместить сотни тысяч таких элементов, в связи с чем и появились, например, персональные ЭВМ, размещающиеся на столе и обладающие огромными вычислительными возможностями. Рассмотрим принцип работы диодов. 11

12 U Полупроводниковый диод представляет собой p n - переход, причём р область полупроводника называется анодом, а n область катодом. На электрических схемах диод обозначается. В диоде за направление тока принимается направление движения дырок, поэтому ток в нём течёт от анода к катоду. Вольтамперной характеристикой (ВАХ) диода называется зависимость силы тока, протекающего через диод, от приложенного напряжения: I = f (U). (6) Эта характеристика имеет вид, изображённый на рис. 9. I При прямом включении p п- перехода (когда на p- область подаётся +, а на n-область ) он открыт и через него протекает ток основных носителей. Причём, чем больше приложенное прямое напряжение, тем больше величина прямого тока. Увеличение тока происходит в полном соответствии со статистикой Больцмана, так как основные носители приобретают от поля дополнительную энергию и становятся способными преодолеть потенциальный барьер, созданный ионами примесей. С другой стороны, рост тока указывает на резкое уменьшение электрического сопротивления перехода. В случае U обратного включения перехода (когда на р-область подаётся, а на n-область + ) переход закрыт для основных носителей тока и открыт для неосновных носителей Рис. 9 (дырок в n-области и электронов в p-области). Более того, приложенное электрическое поле является ускоряющим для этих носителей. Поскольку концентрация неосновных носителей невелика, то и ток неосновных носителей имеет небольшую величину (доли миллиампера) и слабо зависит от приложенного обратного напряжения. Следует заметить, что при больших величинах обратного напряжения ток через диод может резко увеличиться до больших значений, так как может наступить электрический пробой перехода, при котором валентные электроны будут вырываться полем из химических связей. Исследования показали, что зависимость тока через диод от приложенного напряжения и температуры описывается формулой Вагнера: I = I н [exp (eu/kt) 1]. (2) Здесь I н значение обратного тока неосновных носителей в состоянии насыщения, U приложенное напряжение, k постоянная Больцмана, T абсолютная температура, e заряд электрона. Из уравнения (2) видно, что ток экспоненциально возрастает в случае eu > kt, поэтому сопротивление диода должно уменьшаться также по экспоненциальному закону с линейным ростом U. Следовательно, полупроводниковый диод представляет собой нелинейное сопротивление в зависимости от при- 12

13 ложенного напряжения. Из уравнения (2), когда eu > kt и exp(eu/k T) >> 1, получаем, что I = I exp (eu/kt). (3) н Прологарифмируем уравнение (3): lg I = lg I + eu/kt. (4) н Из (4) видно, что зависимость lg I = f (U) представляет собой уравнение прямой типа y = ax + b, где b = lg I н ; a = e/kt, а х = U. Таким образом, если экспериментальные значения lg I в зависимости от приложенного к диоду напряжения лягут на прямую линию, то это будет экспериментальным доказательством справедливости наших теоретических рассмотрений. ЦЕЛЬ РАБОТЫ И ОПИСАНИЕ УСТАНОВКИ Целью работы является изучение принципа работы и вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Снятие этой характеристики (прямой и обратной ветви) осуществляется на экспериментальной установке, схема которой приведена на рис. 10. Лабораторная установка состоит из источника постоянного напряжения + и регулируемой величины; исследуемого полупроводникового диода типа Д9В и многопредельного измерителя тока (микроамперметра). Переключатель П 1, находящийся внутри источника напряжения, позволяет выбрать режим измерения: 1 прямая ветвь, 2 обратная ветвь. При этом источником вырабатываются на выходных клеммах заданные значения напряжения, которые подаются на анод диода: +0,9 +0,1 В для прямой ветви и 9 1 В для обратной ветви. Ток диода измеряется микроамперметром, пределы измерения которого могут изменяться переключателем, установленным на измерительном приборе. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ 1. Включите установку в сеть. 2. Поставьте переключатель П 1 в положение 1 прямая ветвь. 3. Переключая переключатель П 2, подавайте на анод диода положительные напряжения от +0,9 до +0,1 В и записывайте показания силы тока (при необходимости увеличивая или уменьшая чувствительность измерителя тока). 4. Поставьте переключатель П 1 в положение 2 обратная ветвь. 5. Переключая переключатель П 2, подавайте на анод диода отрицательные напряжения от 9 до 1 В, измеряя при этом ток диода микроамперметром. 13

14 6. Результаты измерений занесите в таблицы 1 и 2. По данным таблиц 1 и 2 постройте зависимость I = f (U) диода для прямой и обратной ветви. Таблица 1 U, В 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 a I, мка lg I R 7. Прологарифмируйте величины токов. Заполните таблицу Постройте зависимость lg I = f (U). Убедитесь, что эта зависимость имеет вид прямой. Таблица 2 U, В a I, мка 9. Определите в каждой точке на прямой ветви ВАХ диода значение его сопротивления по формуле закона Ома для участка цепи. R i = U i / I i Заполните таблицу Постройте график зависимости R= f (U) Убедитесь, что эта зависимость носит экспоненциальный характер. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ 1. Что такое проводники, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории. 2. Объясните механизм собственной и примесной проводимости полупроводников. 3. Чем обусловлены изменения проводимости полупроводников с изменением температуры и концентрации носителей тока. 4. Расскажите о явлениях, происходящих на р п - переходе. 5. Почему вольтамперная характеристика диода имеет экспоненциальную зависимость от приложенного напряжения? 6. Почему ток диода на обратной ветви незначительно зависит от обратного напряжения? 7. Объясните принцип работы лабораторной установки. 14

15 СХЕМА ЛАБОРАТОРНОЙ УСТАНОВКИ ДЛЯ СНЯТИЯ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Источник + и постоянного напряжения U +U Л «СЕТЬ» ~ 220 В «Обр» 2 1 «Прям» П 1 Регулируемый делитель напряжения U Выкл. +0,1 +0,2 +0,3 +0,4 +0,5 +0,6 +0,7 +0,8 (0 В) П 2 R ш5 120 ма П Rш ма R ш3 3 ма Д R ш2 300 мка R ш1 60 мка мка R Рис


Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Выполнил

Подробнее

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник)

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Лекция 1 Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Одиночные атомы имеют отдельные уровни энергии электронов. При объединении их в кристаллическую

Подробнее

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода 1 Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода Студент: группа: Допуск Выполнение Защита Цель работы: изучение принципа

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников ПОЛУПРОВОДНИКИ Полупроводники твердые тела, у которых при T=0 валентная зона полностью заполнена и отделена от зоны проводимости узкой, по сравнению с диэлектриками, запрещенной зоной Полагается, что ширина

Подробнее

КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики

КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 290300, 290600, 290700, 290800, 291000, 240400,

Подробнее

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники Полупроводники занимают по электропроводности промежуточное положение между металлами (проводниками электрического тока) и диэлектриками.

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники

Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники Лекция 4 Ток в вакууме. Полупроводники Электрический ток в вакууме. Вакуумный диод Если два электрода поместить в герметичный сосуд и удалить из сосуда воздух, то, как показывает опыт, электрический ток

Подробнее

Лекция 7. Полупроводниковые материалы

Лекция 7. Полупроводниковые материалы Лекция 7. Полупроводниковые материалы Характеристика полупроводников Полупроводники наиболее распространенная в природе группа веществ. К ним относят химические элементы: бор (В), углерод (С), кремний

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

Федеральное агентство по образованию. Кафедра физики. Физика

Федеральное агентство по образованию. Кафедра физики. Физика Федеральное агентство по образованию Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Кафедра физики Физика ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД Проводники, полупроводники, диэлектрики. Зонная энергетическая диаграмма У проводников большое количество свободных электронов, у диэлектриков валентные электроны

Подробнее

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон Содержание: 1. Происхождение энергетических зон в кристаллах 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон 4. Полупроводники с точки зрения зонной теории

Подробнее

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи»

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике для студентов всех форм обучения всех

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» Методические указания к лабораторной работе 6.3 ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ

Подробнее

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел.

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. 1 1. Энергетические зоны в кристаллах. 2. Зонная структура металлов, диэлектриков, и полупроводников. 3. Собственная проводимость полупроводников.

Подробнее

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ЛЕКЦИЯ 11 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ Механизмы электропроводности. Измерения электропроводности, объемная и поверхностная электропроводность. Эмиссия: термоэлектронная, автоэлектронная,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель и содержание работы Целью работы является изучение свойств полупроводникового диода. Содержание работы состоит

Подробнее

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru Полупроводники Темы кодификатора ЕГЭ: полупроводники, собственная и примесная проводимость полупроводников. До сих пор, говоря о способности веществ проводить

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Министерство образования и науки Российской Федерации Саратовский государственный технический университет ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Методические указания к выполнению лабораторной

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра теоретической и экспериментальной физики

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник Собственный полупроводник Для изготовления полупроводников применяют в основном германий и кремний, а также некоторые соединения галлия, индия и пр. Для полупроводников характерен отрицательный температурный

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Теоретическое и экспериментальное изучение температурной зависимости проводимости полупроводников. ПРИБОРЫ

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ Цель и содержание работы: Целью работы является изучение

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1. Время жизни носителей заряда 2. Дрейфовое движение

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики 2 возникает слой с особыми свойствами, который и называется p-n переходом или электронно-дырочным

Подробнее

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов I. Физические основы полупроводниковой электроники 1. Виды электронных приборов Электронными называют приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике. В своем развитии

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАФЕДРА ФИЗИКИ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАФЕДРА ФИЗИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА ФИЗИКИ Лабораторная работа 38 по разделу Электричество, постоянный ток и магнетизм Исследование униполярной

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

1. Электропроводность полупроводников. Общие сведения

1. Электропроводность полупроводников. Общие сведения Цель работы. Исследовать проводимости полупроводников с собственной и примесной проводимостью. Задача. 1. Определить вольт-амперную характеристику полупроводника и зависимость тока через полупроводник

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА

ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» ПРИЛОЖЕНИЕ К РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА г. Днепропетровск 2011

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Лабораторная работа 2.19. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: знакомство с основами природы электропроводности полупроводников и механизмами возникновения в них электрического тока; знакомство

Подробнее

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ЛЕКЦИЯ 10 ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ Образование энергетических зон. Заполнение энергетических зон электронами. Проводники, полупроводники и изоляторы. Движение

Подробнее

Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Приборы и принадлежности: лабораторная панель «Полупроводниковый диод», источник питания постоянного тока GPS- 3030DD, вольтметр универсальный

Подробнее

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ 11 ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ Неметаллы отличаются от проводников наличием зоны запрещенных энергий g для электронов Структуры энергетических зон собственного полупроводника приведены на рис14 Состояния,

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана Изучение свойств p-n-переходов Москва Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана 2009 Рецензент В. Н. Атаманов. Изучение свойств p-n-переходов

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя.

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя. Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного Задача: 1. Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА 1. Цель работы Целью работы является изучение физики явлений, происходящих на р-n-переходах - основных элементарных

Подробнее

где K y Энергию Ферми можно определять как энергию таких квантовых состояний, вероятность заполнения которых частицей равна 1/2. T=0 (0) E F 1 exp kt

где K y Энергию Ферми можно определять как энергию таких квантовых состояний, вероятность заполнения которых частицей равна 1/2. T=0 (0) E F 1 exp kt Энергия Ферми определяется как энергия электронов на высшем заполненном уровне n N f L L где n квантовое число наивысшего занятого энергетического уровня. n=n где N число электронов в объеме В основном

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Методические указания к лабораторной

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ.

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики ИЗУЧЕНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Лабораторная работа 47 Методические указания

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 3. Раздел VII. Физика твердого тела. 1. Энергетические зоны в кристаллах

ЛЕКЦИЯ 3. Раздел VII. Физика твердого тела. 1. Энергетические зоны в кристаллах ЛЕКЦИЯ Раздел VII. Физика твердого тела 1. Энергетические зоны в кристаллах Твердые тела представляют собой совокупность большого числа частиц (атомов, молекул, ионов и т.п.), которые участвуют в сильном

Подробнее

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения www.themegallery.com Тушминцева С.И. План: I. Понятие электроники II. Классификация веществ.

Подробнее

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучить вольтамперную характеристику (ВАХ) полупроводникового диода. ПРИБОРЫ И ПРИНАДЛЕЖНОСТИ Полупроводниковый диод; Миллиамперметр;

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Подробнее

Элементная база электронной аппаратуры Полупроводниковые компоненты

Элементная база электронной аппаратуры Полупроводниковые компоненты Элементная база электронной аппаратуры Полупроводниковые компоненты Электронные полупроводниковые приборы Электроника Первые электронные приборы электровакуумные лампы - электронные лампы (радиолампы).

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный.

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. 1. Краткое теоретическое введение Различают три вида фотоэффекта:

Подробнее

Исследование электропроводности полупроводников. Краткое теоретическое введение

Исследование электропроводности полупроводников. Краткое теоретическое введение 040002. Исследование электропроводности полупроводников. Цель работы: Определить сопротивление и его зависимость от температуры для полупроводникового материала. Установить тип материала и уровень его

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА Методические указания к лабораторной

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ Выполнил: Проверил: студент

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

Зонная теория кристаллов. Квантовая статистика.

Зонная теория кристаллов. Квантовая статистика. Зонная теория кристаллов Квантовая статистика Зонная теория Электрон, взаимодействующий с ядром атома, находится в потенциальной яме, поэтому энергетический спектр электрона в атоме дискретен Данное утверждение

Подробнее

к изучению дисциплины

к изучению дисциплины МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ. С.Г.Камзолова ПОСОБИЕ к изучению дисциплины «Общая электротехника и электроника», раздел «Электронные приборы» Часть 1. для студентов

Подробнее

Элементы физики твердого тела

Элементы физики твердого тела Новосибирский государственный технический университет Элементы физики твердого тела Кафедра прикладной и теоретической физики Суханов И.И. Предметный указатель Дискретные уровни энергии электрона в атоме

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э - 05 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ КРАТКОЕ ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э - 05 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ КРАТКОЕ ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Э - 05 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ Цель работы: определение энергии активации и вида проводимости полупроводникового сопротивления

Подробнее

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ

Подробнее

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора Цель работы: изучение фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Задача: 1) Снять семейство вольтамперных характеристик и с их помощью определить оптимальные сопротивления нагрузки; 2) Установить зависимость

Подробнее

S u. Пятаева И.Н. Бакулова Н.В. Страница 1 R 1

S u. Пятаева И.Н. Бакулова Н.В. Страница 1 R 1 Механизм проводимости тока в разных средах. Вне зависимости от среды, условиями возникновения тока являются: наличие зарядов, способных перемещаться при наличии электрического поля. наличие постоянно поддерживаемой

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода

Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода ВСГУТУ. афедра «Физика». Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучение двух семейств характеристик: 1. f Б1 и f Б 2 2. f и f Б 1 ; Б 2 ; СПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ

Подробнее

Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость.

Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость. Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость. П.1. Полупроводники. П.2. Примесный полупроводник П.3. Явление сверхпроводимости. П.4. Модель явления сверхпроводимости. П.5. Закономерности сверхпроводимости.

Подробнее

Электропроводность твердых тел А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1

Электропроводность твердых тел А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1 Электропроводность твердых тел 27.08.2013 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1 1. Классификация твердых тел по электропроводности R = (l / S); = 1 /. По электропроводности все твердые тела можно разделить на три

Подробнее

Каким типом проводимости обладает полупроводник, не содержащий примесей?

Каким типом проводимости обладает полупроводник, не содержащий примесей? Банк заданий "ФИЗИКА_10_МОДУЛЬ 8 _ЧАСТЬ 2_ электрический ток в различных средах". Задание 1 3.2.10.Электрический ток в полупроводниках В чем различие строения полупроводников и металлов? 3) 4) в металлах

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА Методические указания по

Подробнее

Основы физики твердого тела

Основы физики твердого тела Зонная теория: два подхода Используют два подхода к нахождению энергий электронов в периодическом потенциале кристаллической решетки Подход #1: приближение связанных электронов (одноатомные уровни энергий!)

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Методические указания к лабораторной

Подробнее

и определить основные параметры диодов Шоттки.

и определить основные параметры диодов Шоттки. 1. ВВЕДЕНИЕ Диод Шоттки это полупроводниковый прибор, свойства которого обусловлены выпрямляющим электрический ток переходом (контактом) металл/полупроводник. По сравнению с pn-переходом, сформированном

Подробнее

Методические указания ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

Методические указания ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» Методические указания к лабораторной работе 6. ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых диодов. Ознакомиться с методикой снятия вольтамперных

Подробнее

Лабораторная работа 2.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков.

Лабораторная работа 2.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков. Лабораторная работа.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков. 3 а U а Цель работы: изучение вольт-амперных характеристик вакуумного

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Цель работы: исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и температурную зависимость прямого и обратного

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: исследование электрофизических характеристик полупроводников методом эффекта Холла. 2.1 Теоретические сведения о полупроводниках

Подробнее

Рисунок 1 - Энергетическая I A U 2, (2) 1

Рисунок 1 - Энергетическая I A U 2, (2) 1 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 7 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛА Цель работы: исследовать явление термоэлектронной эмиссии в вакуумном диоде. Определить работу выхода электронов из металла. Теоретическое

Подробнее

Лекция 1 Ток проводимости. Закон Ома для однородного участка цепи. Параллельное и последовательное соединение проводников

Лекция 1 Ток проводимости. Закон Ома для однородного участка цепи. Параллельное и последовательное соединение проводников Лекция 1 Ток проводимости. Закон Ома для однородного участка цепи. Параллельное и последовательное соединение проводников Ток проводимости. Плотность тока. Сила тока Определение. Током проводимости называется

Подробнее

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ 1 Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ ПРОВЕРКА ФОРМУЛЫ ШОКЛИ ДЛЯ p-n-перехода И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ГЕРМАНИЯ Методические указания к выполнению

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. 1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. 1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. Цель работы: ознакомление со структурой и краткой зонной теорией полупроводников, теорией р-n перехода и изучение выпрямляющих свойств

Подробнее

Температурная зависимость параметров диодов.

Температурная зависимость параметров диодов. НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» www.opprib.ru e-mail: info@opprib.ru

Подробнее

по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Полупроводники

по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Полупроводники Министерство образования Российской Федерации РОСТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ А.В.Солдатов, Г.Э.Яловега, И.Е.Штехин, А.Н. Кравцова МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Часть 8 Полупроводники

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее