Лекция. P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов.

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Лекция. P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов."

Транскрипт

1 Лекция P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов. 1

2 На основе специальных технологий соединения примесных полупроводников n и p типов можно создать p-n переход, являющийся основой многих электронных приборов. В этом случае по законам диффузии должно начаться движение электронов из области n, где их концентрация велика, в область p, где их концентрация мала. Лекция а) б) Рис.1. а) Схематическая структура p-n перехода в равновесном состоянии, б) энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии. 2

3 Лекция Процесс диффузии приводит к тому, что в зоне p-n перехода со стороны n- полупроводника образуется некоторое количество некомпенсированных электронами положительных ионов примеси, а со стороны p-полупроводника некоторое количество некомпенсированных дырками отрицательных ионов примеси. Некомпенсированные заряды положительных и отрицательных ионов приведут к возникновению электрического поля, которое вызовет обратное диффузионному движение электронов и дырок. Возникнет дрейфовый ток, направленный навстречу диффузионному току. При условии равновесия, т.е. в случае, если к p-n переходу не приложено внешнее электрическое поле, дрейфовый ток точно равен диффузионному. iдрейф = iдиф, где iдрейф дрейфовый ток, iдиф. диффузионный ток. 3

4 Лекция Из-за несовпадения уровня Ферми в полупроводниках p и n типов возникает перепад энергетических уровней, называемый потенциальным барьером. Потенциальный барьер уравновешивает диффузионный и дрейфовый токи в p-n переходе, находящемся в равновесном состоянии. Толщина p-n перехода Контактная разность потенциалов Рисунок 2 - Потенциальный барьер в зоне перехода. 4

5 Лекция При присоединении к p-n переходу источника ЭДС ток либо потечёт через p-n переход, либо ток будет практически отсутствовать. Всё зависит от полярности приложенного напряжения (рис.3). а) б) Рис.3. Переход, смещенный в прямом а) и в обратном б) направлении. 5

6 Лекция Изменение прямого и обратного токов через p-n переход с ростом температуры приведены на рис.4. Температурный потенциал φ Т можно определить по следующей формуле:, k постоянная Больцмана, Т абсолютная температура, q заряд электрона. Рисунок 4 - ВАХ p-n перехода и ее изменение от температуры. 6

7 Лекция На основе p-n переходов изготовляют различные типы диодов. Полупроводниковый диод прибор, имеющий два вывода, присое-деинённых к p-n переходу. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока, т.е. превращения переменного тока в постоянный. Через выпрямительные диоды протекают достаточно большие токи, поэтому p-n переходы в таких диодах и м е ют с р а в н и т ел ь н о б ол ь ш у ю площадь, что сказывается на отличие вольт-амперной характеристики (ВАХ) данного типа диодов от идеальной (рис.5). Рис.5. ВАХ идеального p-n перехода и реального выпрямительного диода. 7

8 Типы полупроводниковых диодов универсальный; выпрямительный диод достаточно мощный, позволяющий получать из переменного тока постоянный для питания нагрузки; импульсный диод; лавинно-пролётный диод; туннельный диод диод с участком, обладающим отрицательным дифференциальным сопротивлением; стабилитрон диод работающий на напряжении электрического пробоя в обратном направлении; варикап диод с управляемой напряжением ёмкостью ЭДП (Электроннодырочный переход) в обратном включении; Приборы с иными разновидностями полупроводниковых структур: диод Ганна полупроводниковый прибор без p n-перехода, использующий эффект доменной неустойчивости; диод Шоттки прибор со структурой металл полупроводник, с уменьшенным падением напряжения в прямом направлении; Фотоэлектрические приборы: фотодиод диод, преобразующий свет в разность потенциалов; светодиод диод, излучающий свет. динистор (диод Шокли), неуправляемый тиристор, имеющий слоистую p n p n-структуру 8

9 Диоды: а) общее обозначение, б) симметричный, в) туннельный, г) обращённый, д) диод Шоттки; е, ж) стабилитроны; з) варикап; и) термодиод; к) выпрямительный столбик; л, м) диодные сборки; н, о) выпрямительный мост. 9

10 Расшифровка названий диода 10

11 U ПР напряжение, которое создаётся на диоде при смещении его в прямом направлении и протекании через него рабочих токов. Обычно это напряжение для большинства кремниевых диодов равно примерно 0,6 0,8 В; I ПР МАКС максимально допустимый ток, при котором диод ещё не теряет свои выпрямительные свойства из-за теплового пробоя p-n перехода; IОБР максимальный ток диода, смещённого в обратном направлении, при обратных напряжениях не превышающих U ОБР МАКС ; U ОБР МАКС максимально допустимое обратное напряжение на диоде, при котором p-n переход ещё не пробивается из-за чрезмерно высокой напряжённости поля, возникающей в p-n переходе.. + Лекция Основные характеристики выпрямительных диодов: Рисунок 6 - Изображение полупроводникового диода. 11

12 Лекция На основе выпрямительных диодов реализуются выпрямительные устройства. Простейшее выпрямительное устройство, выполненное на одном диоде, приведено на рис.7 (U гмакс максимальное значение синусоидального напряжения, Uпр прямое падение напряжения на диоде). а) б) а) с резистивной нагрузкой б) с конденсаторным фильтром Рисунок 7. Включение выпрямительного диода и диаграммы на выходе устройства. 12

13 Применение диодов Полупроводниковые диоды являются нелинейными элементами. Поэтому они находят широкое применение в самых разнообразных устройствах нелинейной обработки аналоговых сигналов: детекторы/демодуляторы, смесители и преобразователи частоты, логарифматоры, антилогарифматоры, квадраторы, экстрематоры В таких устройствах свойства диодов могут использоваться как непосредственно при прохождении основного сигнала через диод, так и косвенно, например, при включении диода в цепь обратной связи усилителя. 13

14 Лекция 2 На основе p-n перехода изготовляются стабилитроны. В стабилитронах используется управляемый пробой p-n перехода при достаточно больших приложенных к нему обратных напряжениях. ВАХ стабилитрона при обратных напряжениях приведена на рисунке 8. а) б) Рисунок 8 Включение стабилитрона а) и стабистора б). 14

15 Основные параметры стабилитронов Напряжение стабилизации U ст - напряжение на стабилитроне при заданном токе стабилизации. Допускаемый разброс напряжения стабилизации от номинального ΔU ст.ном. - максимально допустимое отклонение напряжения стабилизации от номинального для стабилитронов данного типа. Дифференциальное сопротивление стабилитрона r ст - отношение приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот. Температурный коэффициент напряжения стабилизации α ст - отношение относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации. Полная емкость стабилитрона C - емкость между выводами стабилитрона при заданном напряжении смещения. 15

16 Лекция 2 На основе p-n перехода изготовляются и варикапы приборы, которые выполняют функцию конденсатора с ёмкостью, управляемой напряжением. Изменение заряда положительных и отрицательных ионов с приложением обратного напряжения происходит одновременно с расширением зоны p-n перехода. Это можно интерпретировать, как удаление друг от друга пластин конденсатора, à ёмкость p-n перехода должна уменьшаться с ростом приложенного напряжения. Барьерная ёмкость p-n перехода убывает по закону,, где Сб барьерная ёмкость перехода, Со барьерная ёмкость перехода при нулевом напряжении на переходе, Uобр напряжение, приложенное к переходу, А коэффициент пропорциональности, зависящий от технологии изготовления и конструкции варикапа. 16

17 Основные параметры варикапов Емкость варикапа C н - емкость, которая измеряется между выводами при заданном обратном напряжении. Коэффициент перекрытия по емкости K c - отношение емкостей варикапа при двух заданных обратных напряжениях. Добротность варикапа Q - отношение реактивного сопротивления на данной частоте переменного сигнала к сопротивлению потерь при заданной емкости или обратном напряжении. Постоянный обратный ток варикапа I обр - постоянный ток, протекающий через диод в обратном направлении при заданном обратном напряжении. 17

18 Лекция 2 Зависимость СБ=f(UОБР), а также пример схемы включения варикапа в резонансном контуре с расчетной формулой приведена на рисунке 9. Рисунок 9. Зависимость барьерной емкости варикапа, а также пример расчетной схемы включения (Сб барьерная ёмкость p-n перехода, управляемая напряжением Еупр, С0 паразитная ёмкость варикапа и конструкции LC-контура). 18

19 Ответить на контрольные вопросы: 1. Что такое p-n переход? 2. Что называется и чем вызывается диффузный ток? 3. Что называется и чем вызывается дрейфовый ток? 4. Какое соотношение между диффузным и дрейфовым токами в p-n переходе, находящемся в равновесном состоянии? 5. Нарисуйте энергетическую диаграмму p-n перехода в равновесном состоянии. 6. Что такое потенциальный барьер и чем он определяется? 7. Почему при одной полярности приложенного напряжения к p-n переходу через него пойдёт ток, а при другой полярности ток будет практически отсутствовать? 8. В каком случае считается, что p-n переход смещён в прямом направлении, в каком в обратном? 9. Что такое основные и неосновные носители заряда? 10. За счёт каких носителей заряда возникает ток через p-n переход, смещённый в прямом направлении? 11. За счёт каких носителей заряда возникает ток через p-n переход, смещённый в обратном направлении? 12. Как зависит ток через p-n переход от приложенного к нему напряжения? Напишите формулу и нарисуйте вольтамперную характеристику. 13. Чем определяется температурный потенциал? 14. Как и почему изменяется обратный ток p-n перехода с изменением температуры? 15. Как и почему изменяется прямой ток p-n перехода с изменением температуры? 19

20 Ответить на контрольные вопросы: 16. Что такое диод? 17. С какой целью используют выпрямительные диоды? 18. Чем отличаются вольтамперные характеристики идеальных p-n переходов и реальных диодов? 19. Какими параметрами характеризуются выпрямительные диоды? 20. С какой целью на выходе выпрямительного устройства включают конденсатор? 21. Как будет заряжаться и разряжаться конденсатор, включённый на выходе выпрямительного устройства, при входном синусоидальном напряжении. 22. Что такое стабилитрон? 23. Что такое управляемый лавинный пробой p-n перехода? 24. Нарисуйте вольтамперную характеристику стабилитрона. 25. Поясните принцип работы стабилизатора напряжения, выполненного на стабилитроне. 26. Что такое варикап? 27. Нарисуйте и поясните зависимость барьерной ёмкости p-n перехода от приложенного к нему напряжения. 28. Как можно использовать варикап для изменения частоты резонансного LC-контура? 20


Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД Проводники, полупроводники, диэлектрики. Зонная энергетическая диаграмма У проводников большое количество свободных электронов, у диэлектриков валентные электроны

Подробнее

Контрольная работа рейтинг 1

Контрольная работа рейтинг 1 Контрольная работа рейтинг 1 ЗАДАНИЕ 1 1. Дать определение потенциального барьера n-p перехода, от чего зависит его величина и толщина перехода. Их влияние на параметры диода. 2. Определить внутреннее

Подробнее

варикапы, стабилитроны и др.

варикапы, стабилитроны и др. 2.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковыми диодами называют полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом и двумя выводами. Они применяются для выпрямления переменного тока, детектирования

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка Полупроводниковые диоды. План. 1. Классификация, условное графическое обозначение, маркировка. 2. Основные параметры диодов. 3. Выпрямительные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 4. Высокочастотные

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ Г. МОСКВЫ ГБОУ СПО КИГМ 23 АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ (для проведения внутренней экспертизы) по учебной дисциплине ОП 04 «Основы радиоэлектроники» Для

Подробнее

5.1. Физические основы полупроводников

5.1. Физические основы полупроводников 5.1. Физические основы полупроводников Тонкий слой между двумя частями полупроводникового кристалла, в котором одна часть имеет электронную (N), а другая дырочную (Р) проводимость, называется электронно-дырочным

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. 1. Выпрямительные диоды

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. 1. Выпрямительные диоды ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Выпрямительные диоды Выпрямительный диод - полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания.

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

Температурная зависимость параметров диодов.

Температурная зависимость параметров диодов. НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» www.opprib.ru e-mail: info@opprib.ru

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ План занятия: 1. Классификация и условные графические обозначения тиристоров 2. Принцип работы тиристоров 3. Управляемые тиристоры 4. Симисторы 5. Основные параметры тиристоров 6. Области

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

Руководство к лабораторной работе. "Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов"

Руководство к лабораторной работе. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра телевидения и управления (ТУ) Утверждаю: Зав. кафедрой ТУ И.Н. Пустынский 2008

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучение основных физических закономерностей, определяющих свойства и параметры фотодиодов, исследование вольтамперных

Подробнее

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния.

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния. ТИРИСТОРЫ Тиристор это полупроводниковый прибор, основой которого служат три или более трех последовательно включенных p nпереходов. Область его применения бесконтактное переключение и управление в электрических

Подробнее

Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ 109 Лекция ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ План 1. Анализ цепей с диодами.. Источники вторичного электропитания. 3. Выпрямители. 4. Сглаживающие фильтры. 5. Стабилизаторы напряжения. 6. Выводы. 1. Анализ

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых диодов. Ознакомиться с методикой снятия вольтамперных

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА 1. Цель работы Целью работы является изучение физики явлений, происходящих на р-n-переходах - основных элементарных

Подробнее

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучить вольтамперную характеристику (ВАХ) полупроводникового диода. ПРИБОРЫ И ПРИНАДЛЕЖНОСТИ Полупроводниковый диод; Миллиамперметр;

Подробнее

и определить основные параметры диодов Шоттки.

и определить основные параметры диодов Шоттки. 1. ВВЕДЕНИЕ Диод Шоттки это полупроводниковый прибор, свойства которого обусловлены выпрямляющим электрический ток переходом (контактом) металл/полупроводник. По сравнению с pn-переходом, сформированном

Подробнее

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Движение свободных носителей заряда в металлах и полупроводниках. Полупроводники в микроэлектронике. Носители заряда в полупроводнике.

Подробнее

к изучению дисциплины

к изучению дисциплины МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ. С.Г.Камзолова ПОСОБИЕ к изучению дисциплины «Общая электротехника и электроника», раздел «Электронные приборы» Часть 1. для студентов

Подробнее

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 3 Лекция 1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 1. Введение 2. Выпрямительные диоды 3. Стабилитроны 4. Диоды Шоттки 5. Выводы План Введение Энергетическая электроника представляет область

Подробнее

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковые диоды Полупроводниковые диоды Электроника Полупроводниковые диоды приборы с одним p-n-переходом и двумя выводами, обладающие односторонней проводимостью тока. Вольт-амперная характеристика диода ВАХ диода -

Подробнее

2. Полупроводниковые приборы.

2. Полупроводниковые приборы. 1 2. Полупроводниковые приборы...1 2.1. Основные свойства полупроводников...1 2.2. Примесные полупроводники...3 2.3. P-n переход...5 2.4. Типы диодов...8 2.5. Биполярные транзисторы...13 2.6. Характеристики

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения (напряжения смещения) приводит к изменению условий переноса заряда через

Подробнее

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник)

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Лекция 1 Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Одиночные атомы имеют отдельные уровни энергии электронов. При объединении их в кристаллическую

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

АЦП N. для различных ЦАП и АЦП, составляет от долей микросекунды до десятков

АЦП N. для различных ЦАП и АЦП, составляет от долей микросекунды до десятков 5.4. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СИГНАЛОВ ЦАП И АЦП Перевод цифровых кодов в аналоговый сигнал и аналоговых данных в цифровой формат осуществляется при помощи цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей (рис.

Подробнее

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Свободные носители заряда в металлах и полупроводниках. Проводящие свойства металлов, полупроводников и диэлектриков. Свободные носители

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Введение. Полупроводниковый диод. Дифференциальное сопротивление.

Введение. Полупроводниковый диод. Дифференциальное сопротивление. Введение. Лектор Крылов Игорь Ратмирович, комната Б101 физического факультета СПбГУ. Интернет страница: igor-krylov.ru Электронная почта: igor-krylov@yandex.ru Литература. 1. Хоровиц П., Хилл У. Искусство

Подробнее

Лабораторная работа 17 Исследование работы диодных ограничителей

Лабораторная работа 17 Исследование работы диодных ограничителей 1 Лабораторная работа 17 Исследование работы диодных ограничителей Четырехполюсник, на выходе которого напряжение () остается практически неизменным и равным U 0, в то время как входное напряжение () может

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник»

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник» Лабораторная работа 4 «онтакт металл полупроводник» Цель работы: определение контактной разности потенциалов контакта металл-полупроводник. онтактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда

Подробнее

Вопросы и задачи к экзамену по дисциплине «Электротехника и электроника»

Вопросы и задачи к экзамену по дисциплине «Электротехника и электроника» Вопросы и задачи к экзамену по дисциплине «Электротехника и электроника» Свойства и методы расчета линейных электрических цепей постоянного тока Теоретические вопросы 1. Понятие электрической цепи, электрической

Подробнее

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника»

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» 1 Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача 1 Время выполнения задания 180 мин. Дано: Е 1 =100 В; Е 2 =500 В; R 1 =1 ком; R 2 =4 ком; R 3 =5 ком; R 4 =500 Ом; R 5 =10 ком; R 6 =100 Ом; Найти показания

Подробнее

Минобрнауки России. Кафедра промышленной электроники и информационно-измерительной техники РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

Минобрнауки России. Кафедра промышленной электроники и информационно-измерительной техники РАБОЧАЯ ПРОГРАММА Минобрнауки России Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Оренбургский государственный университет» Кафедра промышленной электроники и информационно-измерительной

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Выполнил

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана Изучение свойств p-n-переходов Москва Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана 2009 Рецензент В. Н. Атаманов. Изучение свойств p-n-переходов

Подробнее

Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Электроника и наноэлектроника

Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Электроника и наноэлектроника Институт Направление подготовки Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова 11.04.04 Электроника и наноэлектроника Банк заданий по специальной части вступительного испытания в магистратуру Задание

Подробнее

Фотодиод. Фотодиод. ФД активная площадь-10х10 мм². ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах

Фотодиод. Фотодиод. ФД активная площадь-10х10 мм². ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодиод Материал из Википедии свободной энциклопедии Фотодиод ФД-10-100 активная площадь-10х10 мм² ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодио д приёмник оптического излучения

Подробнее

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1 Вариант 1 1. Для простейшей кубической решетки изобразить плоскость (120). 2. Для кремния n-типа с концентрацией примеси N D = 1 10 24 м -3 (Т = 300 К) заряда, если к образцу кремния n-типа (N D = 1 10

Подробнее

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Цель работы: исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и температурную зависимость прямого и обратного

Подробнее

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1 ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1 Тема: Работа с полупроводниковыми ми Рабочее место: аудитория. Время проведения занятия: 80мин Цель: Научиться работать с полупроводниковыми ми, определять их маркировку по справочным

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник Собственный полупроводник Для изготовления полупроводников применяют в основном германий и кремний, а также некоторые соединения галлия, индия и пр. Для полупроводников характерен отрицательный температурный

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель и содержание работы Целью работы является изучение свойств полупроводникового диода. Содержание работы состоит

Подробнее

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений.

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений. Комплексные токи и напряжения. Комплексные токи и напряжения вводят для рассмотрения гармонически изменяющихся токов и напряжений. Комплексные токи и напряжения позволяют заменить дифференциальные уравнения

Подробнее

Лекция 3. «Выпрямители переменного напряжения».

Лекция 3. «Выпрямители переменного напряжения». Лекция 3 «Выпрямители переменного напряжения». Для преобразования переменного сетевого напряжения в постоянное используются схемы, называемые «выпрямителями». Для реализации функции выпрямления в подобных

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1. Время жизни носителей заряда 2. Дрейфовое движение

Подробнее

1. Назначение и устройство выпрямителей

1. Назначение и устройство выпрямителей Тема 16. Выпрямители 1. Назначение и устройство выпрямителей Выпрямители это устройства, служащие для преобразования переменного тока в постоянный. На рис. 1 представлена структурная схема выпрямителя,

Подробнее

Лекция 7 ВЫПРЯМИТЕЛИ

Лекция 7 ВЫПРЯМИТЕЛИ Лекция 7 ВЫПРЯМИТЕЛИ План 1. Источники вторичного электропитания 2. Однополупериодный выпрямитель 3. Двухполупериодные выпрямители 4. Трехфазные выпрямители 67 1. Источники вторичного электропитания Источники

Подробнее

СЕРТИФИКАЦИЯ ОРГАНИЗАЦИЙ АВИАТОПЛИВООБЕСПЕЧЕНИЯ

СЕРТИФИКАЦИЯ ОРГАНИЗАЦИЙ АВИАТОПЛИВООБЕСПЕЧЕНИЯ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ А.Н. Тимошенко, А.Н. Козлов С.Г. Камзолова СЕРТИФИКАЦИЯ ОРГАНИЗАЦИЙ АВИАТОПЛИВООБЕСПЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА Учебно-методическое

Подробнее

СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики. Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках»

СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики. Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках» СПбНИУ ИТМО Кафедра Физики Лабораторная работа 13 «Исследование свойств электронно-дырчатого перехода в полупроводниках» Выполнил Широков О.И гр.2120 Санкт-Петербург г.2013 1. Теоретическая часть Интересные

Подробнее

Лабораторная работа 3 ДИОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ U, B 0,5. Рис. 3.1

Лабораторная работа 3 ДИОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ U, B 0,5. Рис. 3.1 Лабораторная работа 3 ДИОДЫ Цель работы - изучение принципов построения и основных характеристик выпрямителей сигналов, одно и двусторонних ограничителей на диодах. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ I Диод 0,5 U,

Подробнее

2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область эмиттером (Э), а другая коллектором (К). Обычно концентрация примесей в эмиттере больше, чем в коллекторе.

Подробнее

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел

Подробнее

Ф-106 Изучение характеристик р-п перехода.

Ф-106 Изучение характеристик р-п перехода. 1 «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана» (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана Факультет «Фундаментальные науки»

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

2.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

2.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевой транзистор (ПТ) это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал,

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 4 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Назначение, классификация и параметры диодов. 2. Устройство диодов малой, средней и большой мощности.

Подробнее

Лекция 4. ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК 1

Лекция 4. ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК 1 Лекция 4. ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК Характеристики тока. Сила и плотность тока. Падение потенциала вдоль проводника с током. Всякое упорядоченное движение зарядов называется электрическим током. Носителями

Подробнее

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 -

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 - ТИРИСТОРЫ ПЛАН 1. Общие сведения: классификация, маркировка, УГО. 2. Динистор: устройство, принцип работы, ВАХ, параметры и применение. 3. Тринистор. 4. Симистор. Тиристор - это полупроводниковый прибор

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор:. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 5 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Последовательное и параллельное соединение диодов. 2. Выпрямитель переменного тока на одном диоде.

Подробнее

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики 2 возникает слой с особыми свойствами, который и называется p-n переходом или электронно-дырочным

Подробнее

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов Лекция 4 Контактные явления 4.1 Контактная разность потенциалов Из модели сильной связи в зонной теории твердого тела следует, что энергия электронов в кристалле - величина отрицательная. Физически это

Подробнее

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские ВВЕДЕНИЕ Область профессиональной деятельности выпускника по специальности 10106 «Промышленная электроника» включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной

Подробнее

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

ЦЕПИ С ВЫПРЯМИТЕЛЯМИ

ЦЕПИ С ВЫПРЯМИТЕЛЯМИ Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ПЕТРОЗАВОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ЦЕПИ С ВЫПРЯМИТЕЛЯМИ Методические указания

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАОТЫ ИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Целью работы является ознакомление с устройством, физикой явлений, способами включения и некоторыми характеристиками транзистора.

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

колебание напряжения на выходе схемы Uвых зависит от дифференциального сопротивления стабилитрона du Rдифф дифф

колебание напряжения на выходе схемы Uвых зависит от дифференциального сопротивления стабилитрона du Rдифф дифф Стабилитрон. Стабилитрон это диод, предназначенный для стабилизации напряжения. На диод подается через резистор запирающее напряжение, которое превышает напряжение пробоя диода. При этом через диод протекает

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt.

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt. 3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

Подробнее

СОДЕРЖАНИЕ 1. ПАСПОРТ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ 2. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ

СОДЕРЖАНИЕ 1. ПАСПОРТ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ 2. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ СОДЕРЖАНИЕ 1. ПАСПОРТ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ 3. УСЛОВИЯ РЕАЛИЗАЦИИ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ 4. КОНТРОЛЬ И ОЦЕНКА РЕЗУЛЬТАТОВ ОСВОЕНИЯ

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. 1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. 1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. Цель работы: ознакомление со структурой и краткой зонной теорией полупроводников, теорией р-n перехода и изучение выпрямляющих свойств

Подробнее

1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 1.3. Взаимосвязь учебных дисциплин

1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 1.3. Взаимосвязь учебных дисциплин 1 1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины Дисциплина «Полупроводниковая электроника» является общим курсом для студентов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров 21000.62

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Министерство образования и науки Российской Федерации Ухтинский государственный технический университет З.Х. Ягубов ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Ухта 2005 УДК 621.38 (075.8) Я 31 Ягубов,

Подробнее

«Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов»

«Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов» МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) Лабораторная работа «Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов» Москва, 26 г. В основе идеализированной модели

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 322 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПРИМЕСНОГО ПОЛУПРО- ВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ЭЛЕК- ТРОНОВ Цель и содержание работы: Целью работы является изучение

Подробнее

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода.

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. 3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. Задачи. 1. Получение вольт-амперных характеристик кремневого и германиевого диодов,

Подробнее

Полевые транзисторы. Лекция 10. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Полевые транзисторы. Лекция 10. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 10 Полевые транзисторы 1. Устройство, принцип работы и ВАХ транзистора с управляемым р-n-переходом. 2. Устройство, принцип

Подробнее

Олимпиада для студентов и выпускников 2017 г. Направление: «Электроника и наноэлектроника» Профиль: «Электроника и наноэлектроника» КОД -170

Олимпиада для студентов и выпускников 2017 г. Направление: «Электроника и наноэлектроника» Профиль: «Электроника и наноэлектроника» КОД -170 1 Направление: «Электроника и наноэлектроника» Профиль: «Электроника и наноэлектроника» КОД -170 Время выполнения задания 180 мин. Задача 1 (5 баллов) Вольтметр подключен к зажимам батареи с ЭДС 100 В

Подробнее