Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике"

Транскрипт

1 6 Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике Андрей Туркин В статье приводится исторический обзор исследовательских работ по нитриду галлия (GaN), который является в настоящий момент основой для производства полупроводниковых источников света в коротковолновой синей и зеленой области спектра. Также нитрид галлия применяется при производстве белых светодиодов, на которых построены современные светотехнические устройства. Введение Рис. 1. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при комнатной температуре и токе J = 10 ма: I первая группа; II вторая группа; III третья группа Начиная с середины 90 х годов ХХ века о нитриде галлия (GaN) и его твердых растворах заговорили как об одном из самых перспективных оптоэлектронных материалов. Спектр его применения в оптоэлектронике действительно широкий: светодиоды синезеленой области видимого спектра, светодиоды ближнего ультрафиолетового диапазона, активные среды лазерных диодов и др. Стоит также отметить, что структуры на основе GaN перспективны не только в оптоэлектронике, но и для разработки компонентной базы силовой и СВЧ-электроники диодов Шоттки и транзисторов. Максимум спектров первых светодиодов на основе гетероструктур GaN и его твердых растворов InGaN и AlGaN лежал в интервале энергии ђω max = 2,55 2,75 эв в синей, ђω max = 2,38 2,45 эв в зеленой и ђω max = 2,48 2,6 эв в сине-зеленой областях [1, 2]. Спектральные данные приведены на рис. 1 [2]. Полученные результаты открыли для полупроводниковых светодиодов дорогу в коротковолновую часть видимого спектра в диапазон длин волн от 400 до 550 нм [1, 2]. Это позволило светодиодам перекрыть полностью весь видимый диапазон и сделало возможным применение светодиодов в полноцветных устройствах: индикаторах, экранах и т. д. GaN очень интересный и перспективный материал. В статье мы рассмотрим некоторые подробности работ по развитию технологии получения структур на основе GaN с исторической точки зрения. Первые исследования структур на основе GaN Новыми перспективными оптоэлектронными материалами с широким спектром практических применений в качестве активных сред в лазерных диодах и светодиодах в области коротких длин волн являются структуры на основе полупроводниковых нитридов (GaN, AlN и некоторые соединения типа AlGaN и InGaN). Одно из направлений это создание ярких источников света в коротковолновой (сине-зеленой) области видимого спектра и ближней ультрафиолетовой области спектра, а также создание источников белого цвета на основе системы «кристалл люминофор»: полупроводниковый кристалл, покрытый люминофором. Первые работы по исследованию GaN проводились в Принстонском университете США в х годах [3]. Когда GaN стали рассматривать как самый перспективный материал для создания полупроводниковых светодиодов в коротковолновой области спектра, исследования были продолжены в лаборатории компании RCA [3]. Для получения этого материала использовали реакцию аммиака с жидким галлием, протекающую при повышенной температуре. В качестве подложки для выращивания структур GaN выбрали сапфир. Исследования выращенных пленок показали, что без легирования такая подложка обладает проводимостью n-типа, и для получения p-n-перехода необходимо было подобрать соответствующую примесь, позволяющую получить материал p-типа. В качестве такой примеси использовали цинк, но технологическая сложность состояла в том, что при высоких концентрациях цинка пленки GaN становились диэлектриками [3]. В начале 1970 х годов в лаборатории RCA были получены структуры металл-диэлект-рик-полупроводник (МДП), в которых наблюдалась электролюминесценция голубого с длиной волны 475 нм и зеленого цвета свечения [3]. Эти МДП-структуры стали первыми светодиодами на основе GaN. В дальнейшем технологи заменили цинк магнием. В результате этого удалось получить структуру, излучающую свет в голубом и фиолетовом с длиной волны 430 нм диапазоне. Следует, правда, отметить, что полученные исследователями в 1970 х годах пленки GaN,

2 рубрика технологии 7 легированные магнием, не обладали проводимостью p-типа, а также были диэлектриками, поэтому люминесценция в них протекала либо за счет инжекции неосновных носителей, либо за счет ударной ионизации диэлектрических слоев структуры в сильном электрическом поле. Исследователи группы Жака Панкова даже предложили модель, описывающую принцип действия такого МДП-светодиода, которая основана на ударной ионизации и туннельном эффекте Фаулера- Нордхейма, параметры которой практически не зависят от температуры [3, 4]. К сожалению, такие светодиоды обладали очень низким квантовым выходом и эффективностью, поэтому работы по GaN были приостановлены почти на десять лет. В 1980 х годах работ по GaN в Европе и США практически не было. Но их продолжали вести исследователи в Советском Союзе и Японии. В начале 1980 х годов приоритетными были работы Г. В. Сапарина и М. В. Чукичева (МГУ им. М. В. Ломоносова) по активации люминесценции в GaN, проводившиеся на физическом факультете [5 7], и работы исследовательской группы В. Г. Сидорова в Ленинградском Политехническом Институте (ныне Санкт-Петербургский Технический Университет) [8]. Японским ученым из университета Нагойи под руководством профессора Исаму Акасаки в конце 1980 х годов удалось получить светодиод на основе GaN со слоем p-типа [3, 9, 10]. Стойкие акцепторы магния активировались при облучении структур GaN электронным пучком; возможность этого в GaN-структурах с акцепторами цинка показали в своих работах исследователи из МГУ им. М. В. Ломоносова в начале десятилетия. Дополнительное легирование p-слоя GaN позволяет улучшать эффективность активации глубоких акцепторов [3, 9, 10]. Этот прорыв открыл дорогу к использованию GaN-структур с p-n-переходом в оптоэлектронике, да и в электронике в целом. В настоящее время на основе GaN-структур, легированных магнием, изготавливают полупроводниковые светодиоды и лазерные диоды, излучающие сигнал в коротковолновой области видимого спектра. разными группами ученых в различных институтах, университетах и исследовательских центрах США, в странах Азии и Европы, в том числе и в России [1, 15, 16]. Были организованы специальные секции по GaN и сопутствующим материалам на различных конференциях по полупроводниковым соединениям и физике полупроводников (например, сессии на ежегодном Симпозиуме Материаловедческого Общества (MRS) в Бостоне), а также специальные семинары и конференции по GaN во всем мире (например, Европейский семинар по GaN (EGW) или Международная конференция по полупроводниковым материалам на основе нитридов (ICNS)). Начиная с 1997 года в России усилием исследовательских групп физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова и ФТИ им. А. Ф. Иоффе стали проводиться рабочие совещания по GaN и приборам на его основе (рабочее совещание «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы»), в которых принимали участие представители ведущих институтов России и стран СНГ, а также зарубежные исследователи. Начиная с 2001 года это совещание получило статус Всероссийской конференции, которая проводится раз в полтора года поочередно в Москве на физическом факультете МГУ им. М. В. Ломоносова и в Санкт-Петербурге в ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Первые структуры, несмотря на указанный достаточно высокий квантовый выход, содержали большое количество примесей и дефектов [1, 2, 15, 16], что снижало их эффективность. В спектрах синих светодиодов при низких значениях прямого тока наблюдалась туннельная полоса под действием сильных электрических полей в актив Светодиодные структуры GaN на подложках из сапфира В самом начале 1990 х годов японские исследователи создали первый светодиод на основе GaN-структур с p-n-переходом. Структура светодиода была выращена на сапфировой подложке. Такой светодиод излучал свет в ультрафиолетовом и синем диапазоне, его КПД составлял порядка 1%. Для того времени это была достаточно большая величина для GaN на сапфировой подложке, когда наблюдается сильное рассогласование параметров решетки. Буквально через год сотрудники японской компании Nichia Chemical во главе с Шуджи Накамурой разработали новую систему выращивания GaN методом металлоорганической газофазной эпитаксии и предложили более технологичный способ активации акцепторов магния путем высокотемпературного отжига. В результате они получили первые светодиоды голубого и зеленого цвета свечения [3, 11, 12]. Эти светодиоды были изготовлены на основе гетероструктур GaN и его твердых растворов InGaN и AlGaN голубого и зеленого цвета свечения, КПД этих светодиодов достигал 10% [13]. Еще через некоторое время группа Шуджи Накамуры разработала сначала первые импульсные лазеры, а затем и первые лазеры непрерывного излучения на основе GaN и его твердых растворов, работающие при комнатной температуре [14]. Исследователи фирмы Nichia показали также, что кристаллы на основе GaN и его твердых растворов подходят для получения светодиодов белого свечения. Был предложен метод использования люминофоров, преобразующих длину волны синего свечения кристалла в желто-зеленое свечение [3]. Как результат сложения сигналов в указанных диапазонах получается белый цвет свечения. Успехи технологии создания светодиодных структур на основе GaN, которые были достигнуты в середине 90 х годов XX века, дали определенный импульс развитию исследований данного материала во всем мире. Первые светодиодные структуры на основе GaN исследовались Рис. 2. Спектры туннельного излучения голубого светодиода (B3) на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при токах J = мка, напряжениях V = 2,16 2,34 В: a) линейный масштаб; б) логарифмический масштаб (точками показана теоретическая аппроксимация при токах 60 и 90 мка) e.ru

3 8 Рис. 3. Вольт-амперные характеристики голубого светодиода (B3) на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia: 1, 2 прямое напряжение; 3, 4 обратное напряжение; 1, 3 T = 300 K; 2, 4 T = 77 K; 5 E J = dv/d (lnj) ной области, обусловленных флуктуацией потенциала и кулоновскими полями примесей [15]. Аналогичные туннельные составляющие наблюдались и на вольт-амперных характеристиках [15]. При обратном напряжении, равном примерно 3Eg, в структурах синих светодиодов происходили ионизационный пробой и ударная ионизация, при которых также возникало свечение [16]. В спектрах наблюдалась широкая полоса в диапазоне энергии квантов 2,2 2,3 эв, что соответствовало «желтой полосе» дефектов в GaN, связанной с донорноакцепторными парами и/или двойными донорами [16]. Графики, иллюстрирующие данные результаты, приведены на рис. 2 4 [15, 16]. Вслед за компанией Nichia технологию выращивания светодиодных кристаллов на подложках из сапфира (Al 2 O 3 ) стали осваивать и другие компании. Развитие шло довольно быстрыми темпами. Постепенно концентрации дефектов и дислокаций в структурах уменьшались, тем самым улучшалось их качество. Сейчас многие компании выпускают светодиодные кристаллы на основе гетероструктур GaN и его твердых растворов, выращенных на подложках Al 2 O 3, синего цвета свечения с КПД порядка 40 45%. Светодиодные структуры GaN на подложках из карбида кремния Кроме технологии выращивания гетероструктур GaN и его твердых растворов на подложках Al 2 O 3, существует альтернативная технология выращивания таких структур на основе карбида кремния (SiC). Компания Cree, основанная в 1987 г. как производитель полупроводниковых материалов на основе SiC, начала активные исследования по разработке светоизлучающих структур GaN и его твердых растворов на SiC-подложках в начале 1990 х годов. С 2005 г. две компании Nichia и Cree обеспечили более 80% мирового производства кристаллов синего и зеленого излучений. При этом Cree традиционно использует технологию эпитаксиального выращивания GaN на SiC-подложках, а Nichia Corporation на подложках из Al 2 O 3. Технология выращивания GaN на SiC обладает рядом принципиальных преимуществ перед технологией GaN на сапфире. Во первых, SiC обладает на порядок большей теплопроводностью (3,8 Вт/см К у SiC против 0,3 Вт/см К у Al 2 O 3 ). Это упрощает решение проблемы отвода тепла от активной области кристалла (p-n-перехода) ключевой для кристаллов с токами более 100 ма. Во вторых, кристаллическая решетка 6H-SiC обладает лучшим, по сравнению с сапфиром, сродством с GaN, что принципиально снижает концентрацию дефектов и дислокаций в структуре GaN и повышает квантовый выход кристаллов [17]. В третьих, SiC, являясь полупроводником, позволяет разрабатывать на своей основе кристаллы с вертикальным механизмом протекания тока, что приводит уменьшению сопротивления Рис. 4. Спектры люминесценции при ионизационном пробое (I br ) в голубых светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia (ток J = 4 ма, левая шкала) и спектры инжекционной люминесценции (I f ) (ток J = +15 ма, правая шкала): B3, B4, B5 образцы структур и снижению величины рабочего напряжения и, как следствие, снижению потребляемой мощности. Для нового семейства кристаллов, которое компания Cree разрабатывает с 2004 г., удалось добиться высоких показателей эффективности. Квантовый выход кристаллов малого размера (приблизительно 0,3 0,3 мм) составил 55 75%, а у больших кристаллов (1 1 мм) типичный квантовый выход равен 40 55%. Кроме того, за счет вертикального протекания тока, рабочего напряжения и улучшения контактной системы удалось получить прямое падение напряжения на кристалле при номинальном токе на 20% ниже, чем у кристаллов других производителей [17]. Новое семейство кристаллов имеет ряд принципиальных технологических отличий, как, например, стравливание части SiC-подложки, толщиной до 0,035 мм, через маску с образованием линзовой системы, которая обеспечивает собирание светового потока с поверхности структуры и формирует стандартную кривую силы света, что упрощает нанесение люминофора на кристалл при производстве СД белого цвета свечения [17]. Применение новой контактной системы позволило увеличить площадь поверхности излучения до 90%, а параллельное соединение перемычек контактов катода дополнительно вдвое снизило потери проводимости при повышенных значениях плотности [17]. Изменения параметров светодиодных структур на основе GaN во времени Важным вопросом для любого материала является вопрос деградации структур на его основе. Данному вопросу в России стали уделять внимание практически сразу после появления светодиодных структур на основе GaN во второй половине 1990 х годов. Одними из первых были совместные работы исследователей из МГУ и МИСиС [18], где были исследованы изменения спектров люминесценции и электрических свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в процессе длительной работы и предложены модели, объясняющие две стадии старения [18, 19]. Исследователи предположили, что дивакансии азота могут быть причиной «желтой полосы» в спектрах люминесценции нитрида галлия [19], и что с этим связано, в частности, увеличение относительной интенсивности этой полосы при длительной наработке в зеленых светодиодах на основе нитрида галлия. С развитием разработок и исследований светодиодов в нашей стране проблемой их деградации занялись и другие группы ученых. В 2005 году исследователи из ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и СПбГТУ представили работы, в которых было описано распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и по

if ($this->show_pages_images && $page_num < DocShare_Docs::PAGES_IMAGES_LIMIT) { if (! $this->doc['images_node_id']) { continue; } // $snip = Library::get_smart_snippet($text, DocShare_Docs::CHARS_LIMIT_PAGE_IMAGE_TITLE); $snips = Library::get_text_chunks($text, 4); ?>

4 рубрика технологии 9 сле оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов [20]. Через два года ученые из ФТИ совместно с разработчиками ведущего в России предприятия по полупроводниковым источникам света ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника» и исследователями из Института проблем технологии и микроэлектроники РАН опубликовали работу, в которой определена закономерность деградации синих светодиодов на основе InGaN/GaN [21]. Вопрос этот интересовал не только теоретиков с научной точки зрения, но и практиков технологов по производству светодиодов, а также конструкторов и разработчиков изделий и приборов на основе светодиодов. Появляются работы, предназначенные специально для таких специалистов [22], а также обзоры по теме деградации кристаллов на основе GaN-гетероструктур [23]. В работе [22] подробно рассматриваются физические механизмы, оказывающие влияние на характеристики излучающих кристаллов и светодиодов на их основе при проведении производственной операции ультразвуковой приварки контактных проводников. Установлен характер и степень влияния ультразвукового воздействия при сварке на величину потенциальной деградации светового потока излучающих структур на основе GaN и его твердых растворов. Указаны пути повышения надежности и долговечности светодиодов, которые можно использовать при производстве. В работе [23] обсуждаются результаты исследований изменения интенсивности электролюминесценции кристаллов на основе GaN-гетероструктур при постоянном токе, а также при повышенных значениях окружающей температуры и плотности тока с целью оценки механизмов деградации и построения физической модели процесса деградации. В ходе работ по деградации установлен общий характер зависимости интенсивности излучения от времени наработки. Увеличение интенсивности электролюминесценции у синих кристаллов на основе GaN в первый период наработки объясняется активацией акцепторов Mg в p-слое GaN гетероструктуры при разрушении под действием инжекции носителей остаточных комплексов Mg-H, образующихся в процессе роста [18]. Снижение интенсивности электролюминесценции в течение последующего периода времени наработки можно объяснить как результат образования донорных дефектов, компенсирующих акцепторы и увеличивающих безызлучательную рекомбинацию и интенсивность свечения «желтой полосы» дефектов [18, 19]. Графики, иллюстрирующие полученные данные, приведены на рис. 5 7 [19]. Снижение интенсивности при более высокой плотности тока превосходит аналогичное снижение, наблюдаемое при низкой плотности тока. Это можно объяснить с учетом результатов, полученных в работе [20], согласно которой в процессе деградации на гетерограницах образуется диполь, связанный с неоднородностью инжекции, Рис. 5. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia после пропускания через них прямого тока J = 80 ма: а) голубых; б) зеленых (длительность работы t, ч: 1 0; 2 72; 3 800; ) влияние которого повышается при превышении плотности тока, проходящего через гетероструктуру. Это свидетельствует о том, что основной причиной деградации интенсивности электролюминес Рис. 6. Спектры электролюминесценции голубых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при токе J = 0,15 ма после старения (длительность работы t, ч: 1 0; 2 72; 3 558; 4 800; ) Рис. 7. Спектры пробойной люминесценции голубых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при токе J = 4 ма после старения (длительность работы t, ч: 1 0; 2 72; 3 800; ) e.ru

5 10 ценции гетероструктур является повышенная плотность тока, а не окружающая температура. Данный факт можно объяснить тем, что неоднородности инжекции по площади гетерограницы приводят к локальным изменениям, в частности сильному локальному нагреву, и образованию дефектов, являющихся центрами безызлучательной рекомбинации [18, 19, 23]. Перспективы технологии выращивания гетероструктур на основе GaN В последнее время некоторые производители светодиодных кристаллов GaN-структур на подложках из Al 2 O 3 отработали технологию отсоединения структуры от подложки. Это позволяет снизить количество дислокаций в приграничном слое, образующееся из-за несоответствия параметров кристаллической решетки GaN и Al 2 O 3, и уменьшить долю безызлучательной рекомбинации в структуре. Кроме того, эта технология позволяет изготавливать кристаллы с вертикальным протеканием тока и тем самым уменьшить прямое напряжение. Также отсутствие подложки позволяет улучшить отвод тепла от активной области кристалла, а значит, понизить тепловое сопротивление светодиода и светодиодного устройства в целом. Наконец, эта технология предусматривает возможность повторного использования Al 2 O 3 подложки, что позволяет снизить себестоимость готовой продукции. Применение этой технологии позволило поднять квантовый выход структур GaN, выращенных на подложках Al 2 O 3, до 60%. Приведенные в статье материалы показывают, что GaN и его твердые растворы являются одним из самых востребованных и перспективных материалов современной оптоэлектроники. Работы по изучению этого материала ведутся во всем мире, регулярно проводятся конференции и семинары. Развитие технологии идет очень быстрыми темпами: за последние 15 лет квантовый выход излучения кристаллов на основе GaNструктур вырос больше чем в 6 раз. Это обуславливает быстрый прогресс характеристик белых светодиодов, которые уже сейчас постепенно становятся основой новых светотехнических устройств. n Литература 1. Юнович А. Э. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов // Светотехника /6. 2. Золина К. Г., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // ФТП Т Шуберт Ф. Е. Светодиоды. М.: ФизМатЛит, Pankove J. I., Lampert M. A. Model for electroluminescence in GaN // Phys. Rev. Lett No Четверикова И. Ф., Чукичев М. В., Храмцов А. П. Оптические свойства нитрида галлия // Обзоры по электронной технике Сер. 6. Вып. 1, вып Сапарин Г. В., Обыден С. К., Четверикова И. Ф., Чукичев М. В. // Бюллетень МГУ. Сер. 3. Физика и Астрономия Т Перловский Г. В., Обыден С. К., Сапарин Г. В., Попов С. И. Температурная релаксация катодолюминесценции, стимулированной электронным пучком в GaN: Zn // Бюллетень МГУ. Сер. 3. Физика и Астрономия Т Авт. св. СССР , H01L Шагалов М. Д., Сидоров В. Г., Дрижук А. Г., Андреев В. М., Оплеснин В. Л. Источник света / Приоритет Akasaki I., Amano H., Itoh K., Koide N., Manabe K. GaN based UV / blue light-emitting devices / GaAs and Related Compounds conference. Inst. Phys. Conf., Ser No Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. P-type conduction in Mg-doped GaNtreated with low energy electron beam irradiation (LEEBI) // Jpn. J. Appl. Phys No Nakamura S., Senoh M., Mukai T. Highly p-type Mg doped GaN filmagrown with GaN buffer layers // Jpn. J. Appl. Phys No Nakamura S., Senoh M., Iwasa N., Nagahama S. High-brightness InGaN blue, green and yellow lightemitting diodes with quantum well structures // Jpn. J. Appl. Phys No Туркин А. Н., Юнович А. Э. Измерения мощности излучения голубых и зеленых InGaN/AlGaN/GaN светодиодов с помощью фотопреобразователей из аморфного кремния // Письма в ЖТФ Т. 22. Вып Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Sugimoto Y., Kiyoku H. Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes // Appl. Phys. Lett No Ковалев А. Н., Кудряшов В. Е., Маняхин Ф. И., Туркин А. Н., Золина К. Г., Юнович А. Э. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // ФТП Т Ковалев А. Н., Маняхин Ф. И., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. Электролюминесценция гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ионизационном пробое // ФТП Т Полищук А. Г., Туркин А. Н. Новое поколение светодиодов компании Cree для освещения // Автоматизация в промышленности Июль. 18. Ковалев А. Н., Маняхин Ф. И., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. Изменения люминесцентных и электрических свойств светодиодов из InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе // ФТП Т Юнович А. Э. Дивакансия азота возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия // ФТП Т Бочкарева Н. И., Ефремов А. А., Ребане Ю. Т., Горбунов Р. И., Клочков А. В., Шретер Ю. Г. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов // ФТП Т Васильева Е. Д., Закгейм А. Л., Снегов Ф. М., Черняков А. Е., Шмидт Н. М., Якимов Е. Б. Некоторые закономерности деградации синих светодиодов на основе InGaN/GaN // Светотехника Никифоров С. Г. Стабильность параметров и надежность светодиодов закладываются на производстве // Компоненты и технологии Полищук А. Г., Туркин А. Н. Деградация полупроводниковых светодиодов на основе нитрида галлия и его твердых растворов // Компоненты и технологии

Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы

Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы В Андрей Туркин Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов

Подробнее

Чем плохи лампочки ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ. Рис.1. Спектры из лучения различных светодиодов. О светодиодах и лазерах

Чем плохи лампочки ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ. Рис.1. Спектры из лучения различных светодиодов. О светодиодах и лазерах КЛЮЧ К СИНЕМУ ЛУЧУ,, ИЛИ О СВЕТОДИОДАХ И ЛАЗЕРАХ,, ГОЛУБЫХ И ЗЕЛЕНЫХ А.Э. Юнович Александр Эммануилович Юнович, доктор физико-математических наук, профессор; кафедра физики полупроводников физического

Подробнее

Новинки светодиодной продукции

Новинки светодиодной продукции Новинки светодиодной продукции Игорь Матешев, Алина Муленкова, Андрей Туркин, онстантин Шамков (Москва) омпания Philips Lumileds, в начале 2000-х годов первой разработавшая мощные светодиоды, которые в

Подробнее

А.Балакирев А.Туркин, к.ф.-м.н.

А.Балакирев А.Туркин, к.ф.-м.н. ПЕРСПЕКТИВЫ НИТРИДА ГАЛЛИЯ В СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКЕ РЕШЕНИЯ КОМПАНИИ RFHIC А.Балакирев balakirev@prochip.ru, А.Туркин, к.ф.-м.н. turkin@prochip.ru На протяжении многих лет нитрид галлия (GaN) представляет интерес

Подробнее

Полупроводниковые светодиоды: история, факты, перспективы

Полупроводниковые светодиоды: история, факты, перспективы 28 СВЕТОДИОДЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ КЛАСТЕРЫ И СБОРКИ Андрей Туркин Полупроводниковые светодиоды: история, факты, перспективы В настоящей статье приводится исторический обзор работ по полупроводниковым светодиодам,

Подробнее

Новые продукты в линейке компании Philips Lumileds: сверхъяркие светодиоды

Новые продукты в линейке компании Philips Lumileds: сверхъяркие светодиоды Новые продукты в линейке компании Philips Lumileds: сверхъяркие светодиоды Андрей Туркин (Москва) В статье приводится обзор новых светодиодных изделий компании Philips Lumileds одного из лидеров среди

Подробнее

Характеристики и особенности светодиодов компании SemiLEDs

Характеристики и особенности светодиодов компании SemiLEDs Характеристики и особенности светодиодов Андрей Туркин (Москва) В статье приведён обзор светодиодов и светодиодных модулей тайваньской. Разработав новую технологию производства светодиодных кристаллов,

Подробнее

ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN

ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN А.А. Попов Научный руководитель Т.И. Данилина профессор каф. ФЭ г. Томск ТУСУР Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ.

ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ. ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ. Введение. Карбид кремния является одним из наиболее радиационно-стойких полупроводников, перспективных для использования в экстремальных условиях

Подробнее

На рисунке 5 показаны спектры возбуждения люминесценции люминофора ФЛЖ-7-11 при разной толщине слоя.

На рисунке 5 показаны спектры возбуждения люминесценции люминофора ФЛЖ-7-11 при разной толщине слоя. Исследование люминофорных покрытий для полупроводниковых источников света с целью повышения их эффективности. А.В. Белоножко, Р.А. Соколова, студенты каф. ФЭ Научный руководитель С.В. Смирнов, проф., д.т.н.

Подробнее

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА МАГИСТРА

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА МАГИСТРА «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ ЛЭТИ ) Направление Профиль Факультет Кафедра К защите допустить Зав. кафедрой д.т.н., проф.

Подробнее

Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2

Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2 12 января 06.2;07 Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2 (λ = 4.3µm) А.С. Головин, А.П. Астахова, С.С. Кижаев, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, Ю.П. Яковлев Физико-технический

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ

Подробнее

Концепция применения светильников со светодиодами совместно с традиционными источниками света

Концепция применения светильников со светодиодами совместно с традиционными источниками света СИСТЕМНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ КОММУНАЛЬНОЕ ХОЗЯЙСТВО Концепция применения светильников со светодиодами совместно с традиционными источниками света Сергей Гужов, Александр Полищук, Андрей Туркин В статье рассматриваются

Подробнее

возможность продвижения в желтую область спектра. В связи с этим диссертационная работа Гронина С.В. является своевременной и актуальной.

возможность продвижения в желтую область спектра. В связи с этим диссертационная работа Гронина С.В. является своевременной и актуальной. Отзыв официального оппонента на диссертацию Гронина Сергея Вячеславовича «Низкопороговые лазерные гетероструктуры зеленого и желтого спектрального диапазона на основе квантовых точек CdSe/Zn(Cd)Se, выращенных

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ по дисциплине Источники и приемники излучения ФЭП. Методические указания к лабораторной работе

ИЗМЕРЕНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ по дисциплине Источники и приемники излучения ФЭП. Методические указания к лабораторной работе 621.383 (07) М 545 4036 УДК 621. 383. 933 (07, 07) Составители: В.М. Новиков, С.С. Шибаев МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Технологический институт

Подробнее

PACS: Fi, b, m

PACS: Fi, b, m 26 марта 06 Определение изменений ширины запрещенной зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции А.М. Емельянов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

Подробнее

Samsung Electron-Mechanics Co., Ltd, Suwon, Gyunggi-Do, Korea. PACS: w, Hd

Samsung Electron-Mechanics Co., Ltd, Suwon, Gyunggi-Do, Korea. PACS: w, Hd 12 августа 06 Хлоридная газофазная эпитаксия GaN на Si: структурные и люминесцентные характеристики слоев В.Н. Бессолов, В.М. Ботнарюк, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Н.К. Полетаев, С.Д. Раевский, С.Н. Родин,

Подробнее

МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ CREE. Светодиоды Cree XLamp

МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ CREE. Светодиоды Cree XLamp МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ CREE Светодиоды Cree XLamp Для разработки изделий Prosoft предлагает мощные светодиоды производства компании Cree. На данный момент серийно выпускаются мощные светодиоды XLamp трех серий:

Подробнее

RU (11) (13) C1

RU (11) (13) C1 Стр. 1 из 6 РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 2407109 (13) C1 (51) МПК H01L33/04 (2010.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Подробнее

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР 1 В.В. Андреев 1, Г.Г. Бондаренко 2,3, А.А.Столяров 1, М.С. Васютин 1, С.И. Коротков 1 1 Московский государственный

Подробнее

О Т З Ы В актуальность

О Т З Ы В актуальность О Т З Ы В официального оппонента на диссертационную работу Гронина Сергея Вячеславовича Низкопороговые лазерные гетероструктуры зеленого и желтого спектрального диапазона на основе квантовых точек CdSe/Zn(Cd)Se,

Подробнее

ИВАНОВСКИЙ ЗАВОД СВЕТОТЕХНИКИ «ЭЛЕКТРО» СВЕТОДИОДЫ КАК ИСТОЧНИКИ СВЕТА

ИВАНОВСКИЙ ЗАВОД СВЕТОТЕХНИКИ «ЭЛЕКТРО» СВЕТОДИОДЫ КАК ИСТОЧНИКИ СВЕТА ИВАНОВСКИЙ ЗАВОД СВЕТОТЕХНИКИ «ЭЛЕКТРО» СВЕТОДИОДЫ КАК ИСТОЧНИКИ СВЕТА Что такое светодиод? СИД светоизлучающий диод (ГОСТ) LED Light-Emitting Diode Светодиод полупроводниковый прибор, преобразующий электрический

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение 1 ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомление с явлением поглощения оптического излучения полупроводником, измерение спектров поглощения кристаллов CdS и GaAs при комнатной

Подробнее

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры: физические основы и практическое применение

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры: физические основы и практическое применение Мощные импульсные полупроводниковые лазеры: физические основы и практическое применение Физико-Технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Центр физики наногетероструктур Лаборатория «Полупроводниковой Люминесценции

Подробнее

ДИССЕРТАЦИЯ. На соискание ученой степени магистра. Тема: «Отделение от подложек сапфира тонких плёнок GaN, выращенных методом HVPE»

ДИССЕРТАЦИЯ. На соискание ученой степени магистра. Тема: «Отделение от подложек сапфира тонких плёнок GaN, выращенных методом HVPE» Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого» Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций

Подробнее

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ В. В. Груздов Ю.В. Колковский Ю.А. Концевой КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ -1000 О 1000 2000 3000 Омега-2тета (угл. сек.) ТЕХНОСФЕРА СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ...10 ГЛАВА 1 ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ

Подробнее

Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом

Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом 26 мая 07.2;07.3;15 Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский Санкт-Петербургский государственный электротехнический

Подробнее

СОВРЕМЕННЫЕ МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ: Полупроводниковая светотехника

СОВРЕМЕННЫЕ МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ: Полупроводниковая светотехника СОВРЕМЕННЫЕ МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ: характеристики, особенности и тенденции развития ИСТОРИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИСТОЧНИКОВ СВЕТА Год События 1907 Г.Дж.Раунд свечение кристаллов SiC 1923 О.В.Лосев электролюминесценция

Подробнее

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ Оптоэлектронным называют полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой,

Подробнее

Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики

Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики Дмитрий Гладин, технический директор ООО «Техносвет групп» В настоящей статье рассмотрены

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Эмиссия излучения из твёрдых тел

Эмиссия излучения из твёрдых тел Эмиссия излучения из твёрдых тел 1. Тепловое излучение Тепловое излучение возбуждается тепловым движением атомов и молекул. Спектральная плотность энергии излучения абсолютно черного тела в состоянии термодинамического

Подробнее

Применение светодиодов в светотехнических решениях: история, реальность и перспективы

Применение светодиодов в светотехнических решениях: история, реальность и перспективы ОБЗОР/ТЕХНОЛОГИИ Андрей Туркин Применение светодиодов в светотехнических решениях: история, реальность и перспективы Статья посвящена теме использования светодиодов в качестве источников света для светотехнических

Подробнее

О Б О З Р Е Н И Е. П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к

О Б О З Р Е Н И Е. П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к О Б О З Р Е Н И Е П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к 1 2016 В. П. Д у р а е в, С. В. М е д в е д е в (Москва, ЗАО «Новая лазерная технология»). Элементная

Подробнее

Влияние наночастиц и тонких слоев Au, фталоцианина Eu и наночастиц Er на формирование спектров излучения структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Влияние наночастиц и тонких слоев Au, фталоцианина Eu и наночастиц Er на формирование спектров излучения структур с квантовыми ямами InGaN/GaN 12 Влияние наночастиц и тонких слоев Au, фталоцианина Eu и наночастиц Er на формирование спектров излучения структур с квантовыми ямами InGaN/GaN М.М. Мездрогина 1, М.В. Еременко 2, С.М. Голубенко 2, Е.С.

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов I. Физические основы полупроводниковой электроники 1. Виды электронных приборов Электронными называют приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике. В своем развитии

Подробнее

Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники

Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники Д.Р. Хохлов, В.Ю.Тимошенко Физический факультет МГУ Подходы к созданию наноустройств Сверхрешетки Квантовые ямы Лазеры на гетеропереходах

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ 52 МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ. 1. 2012 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ УДК 621.315.592 НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ 2011 г. А. А. Антипов

Подробнее

Особенности эксплуатации светодиодных источников излучения

Особенности эксплуатации светодиодных источников излучения Особенности эксплуатации светодиодных источников излучения СД это твердотельный полупроводниковый источник света. Когда на p-n переход подается напряжение, электронные дырки рекомбинируют с высвобождением

Подробнее

Новые цветные светодиоды компании Cree: особенности и перспективы использования

Новые цветные светодиоды компании Cree: особенности и перспективы использования В Андрей Туркин Михаил Червинский Новые цветные светодиоды компании Cree: особенности и перспективы использования статье приводится обзор новинок в линейке цветных светодиодов компании Cree, рекомендуемых

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

1000. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки SiO2 в буферном травителе состава HF : NH

1000. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки SiO2 в буферном травителе состава HF : NH РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА СОЗДАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА В ПРОСВЕТЛЯЮЩЕМ ПОКРЫТИИ МЕТОДОМ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ВНЕШНЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА СВЕТОДИОДОВ А. П. Молева Томский государственный

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

Подложки из SiC для роста GaN имеют целый ряд преимуществ перед сапфиром SiC SiC SiC SiC SiC карбида кремния (SiC)

Подложки из SiC для роста GaN имеют целый ряд преимуществ перед сапфиром SiC SiC SiC SiC SiC карбида кремния (SiC) ООО Новые кремниевые технологии Прогноз возможного развития электроники на ближайшие 15-20 лет По материалам публикаций в международных изданиях о работах по данной тематике В настоящее время основным

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

Мощные светодиоды и изделия на их основе в свете актуальных областей их применения

Мощные светодиоды и изделия на их основе в свете актуальных областей их применения Мощные светодиоды и изделия на их основе в свете актуальных областей их применения Андрей Туркин (Москва) В статье рассматриваются перспективные направления применения мощных светодиодов и изделий на их

Подробнее

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения www.themegallery.com Тушминцева С.И. План: I. Понятие электроники II. Классификация веществ.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: а) ознакомление с явлениями фото- и электролюминесценции в полупроводниках; б) воздействие спектральных характеристик

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

Ослабление сигнала в волоконных световодах

Ослабление сигнала в волоконных световодах Лабораторная работа 4 Ослабление сигнала в волоконных световодах Цель работы определение зависимости оптических потерь от длины волоконного световода. Уменьшение потерь мощности оптического сигнала, передаваемого

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение

Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение 12 ноября 06.2;07 Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение П.Г. Кашерининов, А.Н. Лодыгин, И.С. Тарасов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Подробнее

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ 1 УДК 621.382.22 НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ Сурин Б. П., Калабаев И. С. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева», г. Саранск Тел.:

Подробнее

Сегодня компания Cree является мировым. Мощные сверхъяркие светодиоды компании CREE на российском рынке

Сегодня компания Cree является мировым. Мощные сверхъяркие светодиоды компании CREE на российском рынке Мощные сверхъяркие светодиоды компании CREE на российском рынке И.Романова Компания Cree Inc. была основана в 1987 году в штате Северная Каролина (США). Основным направлением деятельности компании была

Подробнее

ПОШАГОВЫЙ МЕТОД ИМПЛАНТАЦИИ КРЕМНИЯ ИОНАМИ БОРА ПРИ БЫСТРОМ ТЕРМИЧЕСКОМ ОТЖИГЕ

ПОШАГОВЫЙ МЕТОД ИМПЛАНТАЦИИ КРЕМНИЯ ИОНАМИ БОРА ПРИ БЫСТРОМ ТЕРМИЧЕСКОМ ОТЖИГЕ ПОШАГОВЫЙ МЕТОД ИМПЛАНТАЦИИ КРЕМНИЯ ИОНАМИ БОРА ПРИ БЫСТРОМ ТЕРМИЧЕСКОМ ОТЖИГЕ Васильев Ю. Б. a, Плебанович В.И. а Оджаев В. Б. b, Садовский П. К. b, Челядинский А. Р. b, Гайдук П. И. b, Прокопьев С. Л.

Подробнее

Слои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH 3 -MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN

Слои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH 3 -MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN УЧЕНЫЕ ЗАПИСКИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА 2, 142505 (2014) Слои GaN с пониженной плотностью дислокаций для НЕМТ транзисторов, выращенные NH 3 -MBE с использованием высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

Ермошин Иван Геннадьевич

Ермошин Иван Геннадьевич На правах рукописи Ермошин Иван Геннадьевич РАЗРАБОТКА ОСНОВ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GaN, In X Ga 1-X N и Al X Ga 1-X N МЕТОДОМ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ ИЗ МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

Подробнее

07;12. PACS: Vb

07;12.   PACS: Vb 26 февраля 07;12 Устройство оптической памяти на основе планарных щелевых структур Б.Н. Денисов, Е.М. Бибанина, В.И. Беглов Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск E-mail: bib-em@mail.ru

Подробнее

СВЕТОДИОДЫ НА КРЕМНИИ КЛАСТЕР КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Обзор на основе собственных экспериментальных работ «Фонда поддержки науки и образования»

СВЕТОДИОДЫ НА КРЕМНИИ КЛАСТЕР КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Обзор на основе собственных экспериментальных работ «Фонда поддержки науки и образования» СВЕТОДИОДЫ НА КРЕМНИИ КЛАСТЕР КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Обзор на основе собственных экспериментальных работ «Фонда поддержки науки и образования» Нанотехнология, подразумевающая возможность манипуляции отдельными

Подробнее

Природа переходной области при нанесении пленок боридов и нитридов титана на арсенид галлия

Природа переходной области при нанесении пленок боридов и нитридов титана на арсенид галлия 12 октября 06;07;11;12 Природа переходной области при нанесении пленок боридов и нитридов титана на арсенид галлия И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.И. Сенкевич Институт физики полупроводников

Подробнее

Исследование процесса сухого травления нитрида алюминия ионным пучком

Исследование процесса сухого травления нитрида алюминия ионным пучком 26 июня 06;10;12 Исследование процесса сухого травления нитрида алюминия ионным пучком Д.М. Демидов, Р.В. Леус, В.П. Чалый Центр перспективных технологий и разработок, С.-Петербург Поступило в Редакцию

Подробнее

Феопѐнтов Анатолий Валерьевич ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ В ЭФФЕКТИВНЫХ СВЕТОДИОДАХ БЕЛОГО ЦВЕТА ИЗЛУЧЕНИЯ

Феопѐнтов Анатолий Валерьевич ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ В ЭФФЕКТИВНЫХ СВЕТОДИОДАХ БЕЛОГО ЦВЕТА ИЗЛУЧЕНИЯ На правах рукописи Феопѐнтов Анатолий Валерьевич ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ В ЭФФЕКТИВНЫХ СВЕТОДИОДАХ БЕЛОГО ЦВЕТА ИЗЛУЧЕНИЯ Специальность 05.27.01 твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

ЕВИШЕВ А. В., ИВЕНИН С. В. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ ОПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ

ЕВИШЕВ А. В., ИВЕНИН С. В. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ ОПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ ЕВИШЕВ А. В., ИВЕНИН С. В. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ ОПТИЧЕСКИМ МЕТОДОМ Аннотация. В статье проводятся результаты исследования ширины запрещенной зоны карбида кремния оптическим

Подробнее

Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» Электро- и теплотехника Светотехника

Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» Электро- и теплотехника Светотехника Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» по направлению подготовки 13.06.01 Электро- и теплотехника (уровень подготовки кадров высшей квалификации)

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по фотоэмиссии

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по фотоэмиссии КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ЗЕЛЕНОДОЛЬСКИЙ ФИЛИАЛ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО КУРСАМ АТОМНАЯ И ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по фотоэмиссии Зеленодольск

Подробнее

Министерство общего и профессионального образования РФ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Министерство общего и профессионального образования РФ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 1 Министерство общего и профессионального образования РФ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Факультет прикладной физики и микроэлектроники Кафедра электроники твердого тела

Подробнее

Введение в оптоэлектронику

Введение в оптоэлектронику ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» Физический факультет Кафедра

Подробнее

Материалы для фотоники

Материалы для фотоники Материалы для фотоники - Светоизлучающие элементы (СИЭ) - Оптоволокно - Фотонные кристаллы (часть материала предоставлена А.Тихоновым (Химфак МГУ) и А.Синицким (ФНМ)) Светодиоды (Light Emitting Device,

Подробнее

Излучающие диоды инфракрасного диапазона

Излучающие диоды инфракрасного диапазона Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона Л.Коган д.т.н. levkogan@mail.ru Излучающие диоды инфракрасного диапазона (ИК-диоды) широко используются в технике ночного видения видеонаблюдения инфракрасного

Подробнее

О результатах разработки импортнозамещающих наноструктурированных материалов для ускоренного развития отечественной радиоэлектроники

О результатах разработки импортнозамещающих наноструктурированных материалов для ускоренного развития отечественной радиоэлектроники О результатах разработки импортнозамещающих наноструктурированных материалов для ускоренного развития отечественной радиоэлектроники 2015 г. Заместитель Генерального директора ОАО «Светлана» по научно-техническому

Подробнее

Контрольная работа кг м

Контрольная работа кг м Контрольная работа 4 Вариант 0 1. Невозбужденный атом водорода поглощает квант излучения с длиной волны 97,2 нм. Вычислите, пользуясь теорией Бора, радиус электронной орбиты возбужденного атома водорода

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Кудрявцев Константин Евгеньевич

Кудрявцев Константин Евгеньевич РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР На правах рукописи Кудрявцев Константин Евгеньевич Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых

Подробнее

ОТЖИГ НАВЕДЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КВАРЦЕВЫХ СТЕКЛАХ ИЗЛУЧЕНИЕМ KrF И ArF ЛАЗЕРОВ

ОТЖИГ НАВЕДЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КВАРЦЕВЫХ СТЕКЛАХ ИЗЛУЧЕНИЕМ KrF И ArF ЛАЗЕРОВ ОТЖИГ НАВЕДЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КВАРЦЕВЫХ СТЕКЛАХ ИЗЛУЧЕНИЕМ KrF И ArF ЛАЗЕРОВ А.П.Сергеев, П.Б.Сергеев Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН В стеклах типа КС-4В,

Подробнее

«Студенческая научная весна 2011: Машиностроительные технологии»

«Студенческая научная весна 2011: Машиностроительные технологии» УДК 621.9.048.7 ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ DPSS ЛАЗЕРА НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ 532 НМ НА МАРКИРОВКУ СТЕКЛА Курилов Максим Владимирович Студент 5 курса, кафедра «Лазерные

Подробнее

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА МАГИСТРА

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА МАГИСТРА «Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ ЛЭТИ ) Направление Профиль Факультет Кафедра К защите допустить Зав. кафедрой 11.04.04 Электроника

Подробнее

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при ФТИ им. А.Ф. Иоффе ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ Оглавление: Введение 3 Взаимодействие электронного пучка с твердым телом

Подробнее

1. Оптический пробой среды. 2. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность.

1. Оптический пробой среды. 2. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность. Лекция 6 ТЕРМООПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ИНТЕНСИВНОСТЯХ СВЕТА Вопросы: 1. Оптический пробой среды.. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность. Эффективные

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

Исследование люминесценции кристалла рубина при возбуждении зелёной и красной линиями спектров излучения

Исследование люминесценции кристалла рубина при возбуждении зелёной и красной линиями спектров излучения УДК 53.05 Исследование люминесценции кристалла рубина при возбуждении зелёной и красной линиями спектров излучения Хусаинов Н.А., студент Россия, 105005, г. Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедры «Компьютерные

Подробнее

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка Полупроводниковые диоды. План. 1. Классификация, условное графическое обозначение, маркировка. 2. Основные параметры диодов. 3. Выпрямительные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 4. Высокочастотные

Подробнее

доп.лекция (план на 15.03): 10 мая (вторник) в в Гл.физ.

доп.лекция (план на 15.03): 10 мая (вторник) в в Гл.физ. В.Н.Глазков, «Квантовая макрофизика», 15.03.2016 Квантовая макрофизика. Лекция 7. Контактные явления в полупроводниках. Построение энергетических диаграмм контактов полупроводников. доп.лекция (план на

Подробнее

Никифоров Сергей Григорьевич

Никифоров Сергей Григорьевич АККРЕДИТОВАННЫЙ ЦЕНТР ПО СЕРТИФИКАЦИОННЫМ ИСПЫТАНИЯМ УСТРОЙСТВ СВЕТОТЕХНИКИ И ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ ООО «АРХИЛАЙТ» На правах рукописи. Никифоров Сергей Григорьевич РАЗРАБОТКА СРЕДСТВ ИЗМЕРНИЙ И МЕТОДОВ

Подробнее

ТЕМА ЗАНЯТИЯ: «СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ» План

ТЕМА ЗАНЯТИЯ: «СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ» План ТЕМА ЗАНЯТИЯ: «СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ» План 1. Общие сведения о сложных полупроводниках. Основные свойства и применение 2. Сложные полупроводники группы А IV В IV 3. Сложные полупроводники группы А III

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Полупроводниковые материалы

Полупроводниковые материалы Полупроводниковые материалы -Основные типы полупроводниковых материалов. -Квазихимический формализм описания дефектов. -Полупроводниковая техника. -Гетероструктуры и сверхрешетки. -Квантовые точки. -Термисторы,

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

Вестник КемГУ Химия. УДК , ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК АНИОНОДЕФЕКТНОГО КОРУНДА Н. Л. Алукер, Е. А.

Вестник КемГУ Химия. УДК , ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК АНИОНОДЕФЕКТНОГО КОРУНДА Н. Л. Алукер, Е. А. Вестник КемГУ 8 Химия УДК 535.377,35. ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК АНИОНОДЕФЕКТНОГО КОРУНДА Н. Л. Алукер, Е. А. Винникова Анионодефектные монокристаллы оксида алюминия были впервые получены в середине

Подробнее

1. Введение. Физика твердого тела, 2011, том 53, вып. 8. М.М. Мездрогина 1, Е.С. Москаленко 1, Ю.В. Кожанова 2

1. Введение. Физика твердого тела, 2011, том 53, вып. 8. М.М. Мездрогина 1, Е.С. Москаленко 1, Ю.В. Кожанова 2 12 Влияние магнитного поля и температуры измерения на вид спектров микрофотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Eu М.М. Мездрогина 1, Е.С. Москаленко 1, Ю.В.

Подробнее

Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения прототипов светоизлучающих диодов на основе соединений нитрида галлия

Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения прототипов светоизлучающих диодов на основе соединений нитрида галлия ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В.ЛОМОНОСОВА» ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ Кафедра общей физики Интерференционные

Подробнее

05;07. (V Ga + V As ).

05;07. (V Ga + V As ). 12 сентября 05;07 О возможной пространственной ориентации радиационного дефекта, ответственного за полосу ИК поглощения 1.0 ev в арсениде галлия З.В. Джибути, Н.Д. Долидзе Тбилисский государственный университет

Подробнее

Оптически детектируемый магнитный резонанс в ансамблях NV -центров в алмазе при резонансном оптическом возбуждении и криогенных температурах

Оптически детектируемый магнитный резонанс в ансамблях NV -центров в алмазе при резонансном оптическом возбуждении и криогенных температурах Оптически детектируемый магнитный резонанс в ансамблях NV -центров в алмазе при резонансном оптическом возбуждении и криогенных температурах Р.А. Ахмеджанов, Л.А. Гущин, И.В. Зеленский, В.А. Низов, Н.А.

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта.

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Модульно учебные комплексы: 1. Модульный учебный

Подробнее