Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике"

Транскрипт

1 6 Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике Андрей Туркин В статье приводится исторический обзор исследовательских работ по нитриду галлия (GaN), который является в настоящий момент основой для производства полупроводниковых источников света в коротковолновой синей и зеленой области спектра. Также нитрид галлия применяется при производстве белых светодиодов, на которых построены современные светотехнические устройства. Введение Рис. 1. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при комнатной температуре и токе J = 10 ма: I первая группа; II вторая группа; III третья группа Начиная с середины 90 х годов ХХ века о нитриде галлия (GaN) и его твердых растворах заговорили как об одном из самых перспективных оптоэлектронных материалов. Спектр его применения в оптоэлектронике действительно широкий: светодиоды синезеленой области видимого спектра, светодиоды ближнего ультрафиолетового диапазона, активные среды лазерных диодов и др. Стоит также отметить, что структуры на основе GaN перспективны не только в оптоэлектронике, но и для разработки компонентной базы силовой и СВЧ-электроники диодов Шоттки и транзисторов. Максимум спектров первых светодиодов на основе гетероструктур GaN и его твердых растворов InGaN и AlGaN лежал в интервале энергии ђω max = 2,55 2,75 эв в синей, ђω max = 2,38 2,45 эв в зеленой и ђω max = 2,48 2,6 эв в сине-зеленой областях [1, 2]. Спектральные данные приведены на рис. 1 [2]. Полученные результаты открыли для полупроводниковых светодиодов дорогу в коротковолновую часть видимого спектра в диапазон длин волн от 400 до 550 нм [1, 2]. Это позволило светодиодам перекрыть полностью весь видимый диапазон и сделало возможным применение светодиодов в полноцветных устройствах: индикаторах, экранах и т. д. GaN очень интересный и перспективный материал. В статье мы рассмотрим некоторые подробности работ по развитию технологии получения структур на основе GaN с исторической точки зрения. Первые исследования структур на основе GaN Новыми перспективными оптоэлектронными материалами с широким спектром практических применений в качестве активных сред в лазерных диодах и светодиодах в области коротких длин волн являются структуры на основе полупроводниковых нитридов (GaN, AlN и некоторые соединения типа AlGaN и InGaN). Одно из направлений это создание ярких источников света в коротковолновой (сине-зеленой) области видимого спектра и ближней ультрафиолетовой области спектра, а также создание источников белого цвета на основе системы «кристалл люминофор»: полупроводниковый кристалл, покрытый люминофором. Первые работы по исследованию GaN проводились в Принстонском университете США в х годах [3]. Когда GaN стали рассматривать как самый перспективный материал для создания полупроводниковых светодиодов в коротковолновой области спектра, исследования были продолжены в лаборатории компании RCA [3]. Для получения этого материала использовали реакцию аммиака с жидким галлием, протекающую при повышенной температуре. В качестве подложки для выращивания структур GaN выбрали сапфир. Исследования выращенных пленок показали, что без легирования такая подложка обладает проводимостью n-типа, и для получения p-n-перехода необходимо было подобрать соответствующую примесь, позволяющую получить материал p-типа. В качестве такой примеси использовали цинк, но технологическая сложность состояла в том, что при высоких концентрациях цинка пленки GaN становились диэлектриками [3]. В начале 1970 х годов в лаборатории RCA были получены структуры металл-диэлект-рик-полупроводник (МДП), в которых наблюдалась электролюминесценция голубого с длиной волны 475 нм и зеленого цвета свечения [3]. Эти МДП-структуры стали первыми светодиодами на основе GaN. В дальнейшем технологи заменили цинк магнием. В результате этого удалось получить структуру, излучающую свет в голубом и фиолетовом с длиной волны 430 нм диапазоне. Следует, правда, отметить, что полученные исследователями в 1970 х годах пленки GaN,

2 рубрика технологии 7 легированные магнием, не обладали проводимостью p-типа, а также были диэлектриками, поэтому люминесценция в них протекала либо за счет инжекции неосновных носителей, либо за счет ударной ионизации диэлектрических слоев структуры в сильном электрическом поле. Исследователи группы Жака Панкова даже предложили модель, описывающую принцип действия такого МДП-светодиода, которая основана на ударной ионизации и туннельном эффекте Фаулера- Нордхейма, параметры которой практически не зависят от температуры [3, 4]. К сожалению, такие светодиоды обладали очень низким квантовым выходом и эффективностью, поэтому работы по GaN были приостановлены почти на десять лет. В 1980 х годах работ по GaN в Европе и США практически не было. Но их продолжали вести исследователи в Советском Союзе и Японии. В начале 1980 х годов приоритетными были работы Г. В. Сапарина и М. В. Чукичева (МГУ им. М. В. Ломоносова) по активации люминесценции в GaN, проводившиеся на физическом факультете [5 7], и работы исследовательской группы В. Г. Сидорова в Ленинградском Политехническом Институте (ныне Санкт-Петербургский Технический Университет) [8]. Японским ученым из университета Нагойи под руководством профессора Исаму Акасаки в конце 1980 х годов удалось получить светодиод на основе GaN со слоем p-типа [3, 9, 10]. Стойкие акцепторы магния активировались при облучении структур GaN электронным пучком; возможность этого в GaN-структурах с акцепторами цинка показали в своих работах исследователи из МГУ им. М. В. Ломоносова в начале десятилетия. Дополнительное легирование p-слоя GaN позволяет улучшать эффективность активации глубоких акцепторов [3, 9, 10]. Этот прорыв открыл дорогу к использованию GaN-структур с p-n-переходом в оптоэлектронике, да и в электронике в целом. В настоящее время на основе GaN-структур, легированных магнием, изготавливают полупроводниковые светодиоды и лазерные диоды, излучающие сигнал в коротковолновой области видимого спектра. разными группами ученых в различных институтах, университетах и исследовательских центрах США, в странах Азии и Европы, в том числе и в России [1, 15, 16]. Были организованы специальные секции по GaN и сопутствующим материалам на различных конференциях по полупроводниковым соединениям и физике полупроводников (например, сессии на ежегодном Симпозиуме Материаловедческого Общества (MRS) в Бостоне), а также специальные семинары и конференции по GaN во всем мире (например, Европейский семинар по GaN (EGW) или Международная конференция по полупроводниковым материалам на основе нитридов (ICNS)). Начиная с 1997 года в России усилием исследовательских групп физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова и ФТИ им. А. Ф. Иоффе стали проводиться рабочие совещания по GaN и приборам на его основе (рабочее совещание «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы»), в которых принимали участие представители ведущих институтов России и стран СНГ, а также зарубежные исследователи. Начиная с 2001 года это совещание получило статус Всероссийской конференции, которая проводится раз в полтора года поочередно в Москве на физическом факультете МГУ им. М. В. Ломоносова и в Санкт-Петербурге в ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Первые структуры, несмотря на указанный достаточно высокий квантовый выход, содержали большое количество примесей и дефектов [1, 2, 15, 16], что снижало их эффективность. В спектрах синих светодиодов при низких значениях прямого тока наблюдалась туннельная полоса под действием сильных электрических полей в актив Светодиодные структуры GaN на подложках из сапфира В самом начале 1990 х годов японские исследователи создали первый светодиод на основе GaN-структур с p-n-переходом. Структура светодиода была выращена на сапфировой подложке. Такой светодиод излучал свет в ультрафиолетовом и синем диапазоне, его КПД составлял порядка 1%. Для того времени это была достаточно большая величина для GaN на сапфировой подложке, когда наблюдается сильное рассогласование параметров решетки. Буквально через год сотрудники японской компании Nichia Chemical во главе с Шуджи Накамурой разработали новую систему выращивания GaN методом металлоорганической газофазной эпитаксии и предложили более технологичный способ активации акцепторов магния путем высокотемпературного отжига. В результате они получили первые светодиоды голубого и зеленого цвета свечения [3, 11, 12]. Эти светодиоды были изготовлены на основе гетероструктур GaN и его твердых растворов InGaN и AlGaN голубого и зеленого цвета свечения, КПД этих светодиодов достигал 10% [13]. Еще через некоторое время группа Шуджи Накамуры разработала сначала первые импульсные лазеры, а затем и первые лазеры непрерывного излучения на основе GaN и его твердых растворов, работающие при комнатной температуре [14]. Исследователи фирмы Nichia показали также, что кристаллы на основе GaN и его твердых растворов подходят для получения светодиодов белого свечения. Был предложен метод использования люминофоров, преобразующих длину волны синего свечения кристалла в желто-зеленое свечение [3]. Как результат сложения сигналов в указанных диапазонах получается белый цвет свечения. Успехи технологии создания светодиодных структур на основе GaN, которые были достигнуты в середине 90 х годов XX века, дали определенный импульс развитию исследований данного материала во всем мире. Первые светодиодные структуры на основе GaN исследовались Рис. 2. Спектры туннельного излучения голубого светодиода (B3) на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при токах J = мка, напряжениях V = 2,16 2,34 В: a) линейный масштаб; б) логарифмический масштаб (точками показана теоретическая аппроксимация при токах 60 и 90 мка) e.ru

3 8 Рис. 3. Вольт-амперные характеристики голубого светодиода (B3) на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia: 1, 2 прямое напряжение; 3, 4 обратное напряжение; 1, 3 T = 300 K; 2, 4 T = 77 K; 5 E J = dv/d (lnj) ной области, обусловленных флуктуацией потенциала и кулоновскими полями примесей [15]. Аналогичные туннельные составляющие наблюдались и на вольт-амперных характеристиках [15]. При обратном напряжении, равном примерно 3Eg, в структурах синих светодиодов происходили ионизационный пробой и ударная ионизация, при которых также возникало свечение [16]. В спектрах наблюдалась широкая полоса в диапазоне энергии квантов 2,2 2,3 эв, что соответствовало «желтой полосе» дефектов в GaN, связанной с донорноакцепторными парами и/или двойными донорами [16]. Графики, иллюстрирующие данные результаты, приведены на рис. 2 4 [15, 16]. Вслед за компанией Nichia технологию выращивания светодиодных кристаллов на подложках из сапфира (Al 2 O 3 ) стали осваивать и другие компании. Развитие шло довольно быстрыми темпами. Постепенно концентрации дефектов и дислокаций в структурах уменьшались, тем самым улучшалось их качество. Сейчас многие компании выпускают светодиодные кристаллы на основе гетероструктур GaN и его твердых растворов, выращенных на подложках Al 2 O 3, синего цвета свечения с КПД порядка 40 45%. Светодиодные структуры GaN на подложках из карбида кремния Кроме технологии выращивания гетероструктур GaN и его твердых растворов на подложках Al 2 O 3, существует альтернативная технология выращивания таких структур на основе карбида кремния (SiC). Компания Cree, основанная в 1987 г. как производитель полупроводниковых материалов на основе SiC, начала активные исследования по разработке светоизлучающих структур GaN и его твердых растворов на SiC-подложках в начале 1990 х годов. С 2005 г. две компании Nichia и Cree обеспечили более 80% мирового производства кристаллов синего и зеленого излучений. При этом Cree традиционно использует технологию эпитаксиального выращивания GaN на SiC-подложках, а Nichia Corporation на подложках из Al 2 O 3. Технология выращивания GaN на SiC обладает рядом принципиальных преимуществ перед технологией GaN на сапфире. Во первых, SiC обладает на порядок большей теплопроводностью (3,8 Вт/см К у SiC против 0,3 Вт/см К у Al 2 O 3 ). Это упрощает решение проблемы отвода тепла от активной области кристалла (p-n-перехода) ключевой для кристаллов с токами более 100 ма. Во вторых, кристаллическая решетка 6H-SiC обладает лучшим, по сравнению с сапфиром, сродством с GaN, что принципиально снижает концентрацию дефектов и дислокаций в структуре GaN и повышает квантовый выход кристаллов [17]. В третьих, SiC, являясь полупроводником, позволяет разрабатывать на своей основе кристаллы с вертикальным механизмом протекания тока, что приводит уменьшению сопротивления Рис. 4. Спектры люминесценции при ионизационном пробое (I br ) в голубых светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia (ток J = 4 ма, левая шкала) и спектры инжекционной люминесценции (I f ) (ток J = +15 ма, правая шкала): B3, B4, B5 образцы структур и снижению величины рабочего напряжения и, как следствие, снижению потребляемой мощности. Для нового семейства кристаллов, которое компания Cree разрабатывает с 2004 г., удалось добиться высоких показателей эффективности. Квантовый выход кристаллов малого размера (приблизительно 0,3 0,3 мм) составил 55 75%, а у больших кристаллов (1 1 мм) типичный квантовый выход равен 40 55%. Кроме того, за счет вертикального протекания тока, рабочего напряжения и улучшения контактной системы удалось получить прямое падение напряжения на кристалле при номинальном токе на 20% ниже, чем у кристаллов других производителей [17]. Новое семейство кристаллов имеет ряд принципиальных технологических отличий, как, например, стравливание части SiC-подложки, толщиной до 0,035 мм, через маску с образованием линзовой системы, которая обеспечивает собирание светового потока с поверхности структуры и формирует стандартную кривую силы света, что упрощает нанесение люминофора на кристалл при производстве СД белого цвета свечения [17]. Применение новой контактной системы позволило увеличить площадь поверхности излучения до 90%, а параллельное соединение перемычек контактов катода дополнительно вдвое снизило потери проводимости при повышенных значениях плотности [17]. Изменения параметров светодиодных структур на основе GaN во времени Важным вопросом для любого материала является вопрос деградации структур на его основе. Данному вопросу в России стали уделять внимание практически сразу после появления светодиодных структур на основе GaN во второй половине 1990 х годов. Одними из первых были совместные работы исследователей из МГУ и МИСиС [18], где были исследованы изменения спектров люминесценции и электрических свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в процессе длительной работы и предложены модели, объясняющие две стадии старения [18, 19]. Исследователи предположили, что дивакансии азота могут быть причиной «желтой полосы» в спектрах люминесценции нитрида галлия [19], и что с этим связано, в частности, увеличение относительной интенсивности этой полосы при длительной наработке в зеленых светодиодах на основе нитрида галлия. С развитием разработок и исследований светодиодов в нашей стране проблемой их деградации занялись и другие группы ученых. В 2005 году исследователи из ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и СПбГТУ представили работы, в которых было описано распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и по

4 рубрика технологии 9 сле оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов [20]. Через два года ученые из ФТИ совместно с разработчиками ведущего в России предприятия по полупроводниковым источникам света ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника» и исследователями из Института проблем технологии и микроэлектроники РАН опубликовали работу, в которой определена закономерность деградации синих светодиодов на основе InGaN/GaN [21]. Вопрос этот интересовал не только теоретиков с научной точки зрения, но и практиков технологов по производству светодиодов, а также конструкторов и разработчиков изделий и приборов на основе светодиодов. Появляются работы, предназначенные специально для таких специалистов [22], а также обзоры по теме деградации кристаллов на основе GaN-гетероструктур [23]. В работе [22] подробно рассматриваются физические механизмы, оказывающие влияние на характеристики излучающих кристаллов и светодиодов на их основе при проведении производственной операции ультразвуковой приварки контактных проводников. Установлен характер и степень влияния ультразвукового воздействия при сварке на величину потенциальной деградации светового потока излучающих структур на основе GaN и его твердых растворов. Указаны пути повышения надежности и долговечности светодиодов, которые можно использовать при производстве. В работе [23] обсуждаются результаты исследований изменения интенсивности электролюминесценции кристаллов на основе GaN-гетероструктур при постоянном токе, а также при повышенных значениях окружающей температуры и плотности тока с целью оценки механизмов деградации и построения физической модели процесса деградации. В ходе работ по деградации установлен общий характер зависимости интенсивности излучения от времени наработки. Увеличение интенсивности электролюминесценции у синих кристаллов на основе GaN в первый период наработки объясняется активацией акцепторов Mg в p-слое GaN гетероструктуры при разрушении под действием инжекции носителей остаточных комплексов Mg-H, образующихся в процессе роста [18]. Снижение интенсивности электролюминесценции в течение последующего периода времени наработки можно объяснить как результат образования донорных дефектов, компенсирующих акцепторы и увеличивающих безызлучательную рекомбинацию и интенсивность свечения «желтой полосы» дефектов [18, 19]. Графики, иллюстрирующие полученные данные, приведены на рис. 5 7 [19]. Снижение интенсивности при более высокой плотности тока превосходит аналогичное снижение, наблюдаемое при низкой плотности тока. Это можно объяснить с учетом результатов, полученных в работе [20], согласно которой в процессе деградации на гетерограницах образуется диполь, связанный с неоднородностью инжекции, Рис. 5. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia после пропускания через них прямого тока J = 80 ма: а) голубых; б) зеленых (длительность работы t, ч: 1 0; 2 72; 3 800; ) влияние которого повышается при превышении плотности тока, проходящего через гетероструктуру. Это свидетельствует о том, что основной причиной деградации интенсивности электролюминес Рис. 6. Спектры электролюминесценции голубых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при токе J = 0,15 ма после старения (длительность работы t, ч: 1 0; 2 72; 3 558; 4 800; ) Рис. 7. Спектры пробойной люминесценции голубых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при токе J = 4 ма после старения (длительность работы t, ч: 1 0; 2 72; 3 800; ) e.ru

5 10 ценции гетероструктур является повышенная плотность тока, а не окружающая температура. Данный факт можно объяснить тем, что неоднородности инжекции по площади гетерограницы приводят к локальным изменениям, в частности сильному локальному нагреву, и образованию дефектов, являющихся центрами безызлучательной рекомбинации [18, 19, 23]. Перспективы технологии выращивания гетероструктур на основе GaN В последнее время некоторые производители светодиодных кристаллов GaN-структур на подложках из Al 2 O 3 отработали технологию отсоединения структуры от подложки. Это позволяет снизить количество дислокаций в приграничном слое, образующееся из-за несоответствия параметров кристаллической решетки GaN и Al 2 O 3, и уменьшить долю безызлучательной рекомбинации в структуре. Кроме того, эта технология позволяет изготавливать кристаллы с вертикальным протеканием тока и тем самым уменьшить прямое напряжение. Также отсутствие подложки позволяет улучшить отвод тепла от активной области кристалла, а значит, понизить тепловое сопротивление светодиода и светодиодного устройства в целом. Наконец, эта технология предусматривает возможность повторного использования Al 2 O 3 подложки, что позволяет снизить себестоимость готовой продукции. Применение этой технологии позволило поднять квантовый выход структур GaN, выращенных на подложках Al 2 O 3, до 60%. Приведенные в статье материалы показывают, что GaN и его твердые растворы являются одним из самых востребованных и перспективных материалов современной оптоэлектроники. Работы по изучению этого материала ведутся во всем мире, регулярно проводятся конференции и семинары. Развитие технологии идет очень быстрыми темпами: за последние 15 лет квантовый выход излучения кристаллов на основе GaNструктур вырос больше чем в 6 раз. Это обуславливает быстрый прогресс характеристик белых светодиодов, которые уже сейчас постепенно становятся основой новых светотехнических устройств. n Литература 1. Юнович А. Э. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов // Светотехника /6. 2. Золина К. Г., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // ФТП Т Шуберт Ф. Е. Светодиоды. М.: ФизМатЛит, Pankove J. I., Lampert M. A. Model for electroluminescence in GaN // Phys. Rev. Lett No Четверикова И. Ф., Чукичев М. В., Храмцов А. П. Оптические свойства нитрида галлия // Обзоры по электронной технике Сер. 6. Вып. 1, вып Сапарин Г. В., Обыден С. К., Четверикова И. Ф., Чукичев М. В. // Бюллетень МГУ. Сер. 3. Физика и Астрономия Т Перловский Г. В., Обыден С. К., Сапарин Г. В., Попов С. И. Температурная релаксация катодолюминесценции, стимулированной электронным пучком в GaN: Zn // Бюллетень МГУ. Сер. 3. Физика и Астрономия Т Авт. св. СССР , H01L Шагалов М. Д., Сидоров В. Г., Дрижук А. Г., Андреев В. М., Оплеснин В. Л. Источник света / Приоритет Akasaki I., Amano H., Itoh K., Koide N., Manabe K. GaN based UV / blue light-emitting devices / GaAs and Related Compounds conference. Inst. Phys. Conf., Ser No Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. P-type conduction in Mg-doped GaNtreated with low energy electron beam irradiation (LEEBI) // Jpn. J. Appl. Phys No Nakamura S., Senoh M., Mukai T. Highly p-type Mg doped GaN filmagrown with GaN buffer layers // Jpn. J. Appl. Phys No Nakamura S., Senoh M., Iwasa N., Nagahama S. High-brightness InGaN blue, green and yellow lightemitting diodes with quantum well structures // Jpn. J. Appl. Phys No Туркин А. Н., Юнович А. Э. Измерения мощности излучения голубых и зеленых InGaN/AlGaN/GaN светодиодов с помощью фотопреобразователей из аморфного кремния // Письма в ЖТФ Т. 22. Вып Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Sugimoto Y., Kiyoku H. Room-temperature continuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes // Appl. Phys. Lett No Ковалев А. Н., Кудряшов В. Е., Маняхин Ф. И., Туркин А. Н., Золина К. Г., Юнович А. Э. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // ФТП Т Ковалев А. Н., Маняхин Ф. И., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. Электролюминесценция гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ионизационном пробое // ФТП Т Полищук А. Г., Туркин А. Н. Новое поколение светодиодов компании Cree для освещения // Автоматизация в промышленности Июль. 18. Ковалев А. Н., Маняхин Ф. И., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н., Юнович А. Э. Изменения люминесцентных и электрических свойств светодиодов из InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе // ФТП Т Юнович А. Э. Дивакансия азота возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия // ФТП Т Бочкарева Н. И., Ефремов А. А., Ребане Ю. Т., Горбунов Р. И., Клочков А. В., Шретер Ю. Г. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов // ФТП Т Васильева Е. Д., Закгейм А. Л., Снегов Ф. М., Черняков А. Е., Шмидт Н. М., Якимов Е. Б. Некоторые закономерности деградации синих светодиодов на основе InGaN/GaN // Светотехника Никифоров С. Г. Стабильность параметров и надежность светодиодов закладываются на производстве // Компоненты и технологии Полищук А. Г., Туркин А. Н. Деградация полупроводниковых светодиодов на основе нитрида галлия и его твердых растворов // Компоненты и технологии

Чем плохи лампочки ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ. Рис.1. Спектры из лучения различных светодиодов. О светодиодах и лазерах

Чем плохи лампочки ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ. Рис.1. Спектры из лучения различных светодиодов. О светодиодах и лазерах КЛЮЧ К СИНЕМУ ЛУЧУ,, ИЛИ О СВЕТОДИОДАХ И ЛАЗЕРАХ,, ГОЛУБЫХ И ЗЕЛЕНЫХ А.Э. Юнович Александр Эммануилович Юнович, доктор физико-математических наук, профессор; кафедра физики полупроводников физического

Подробнее

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА МАГИСТРА

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА МАГИСТРА «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ ЛЭТИ ) Направление Профиль Факультет Кафедра К защите допустить Зав. кафедрой д.т.н., проф.

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ

Подробнее

Концепция применения светильников со светодиодами совместно с традиционными источниками света

Концепция применения светильников со светодиодами совместно с традиционными источниками света СИСТЕМНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ КОММУНАЛЬНОЕ ХОЗЯЙСТВО Концепция применения светильников со светодиодами совместно с традиционными источниками света Сергей Гужов, Александр Полищук, Андрей Туркин В статье рассматриваются

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ по дисциплине Источники и приемники излучения ФЭП. Методические указания к лабораторной работе

ИЗМЕРЕНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ по дисциплине Источники и приемники излучения ФЭП. Методические указания к лабораторной работе 621.383 (07) М 545 4036 УДК 621. 383. 933 (07, 07) Составители: В.М. Новиков, С.С. Шибаев МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Технологический институт

Подробнее

МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ CREE. Светодиоды Cree XLamp

МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ CREE. Светодиоды Cree XLamp МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ CREE Светодиоды Cree XLamp Для разработки изделий Prosoft предлагает мощные светодиоды производства компании Cree. На данный момент серийно выпускаются мощные светодиоды XLamp трех серий:

Подробнее

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР 1 В.В. Андреев 1, Г.Г. Бондаренко 2,3, А.А.Столяров 1, М.С. Васютин 1, С.И. Коротков 1 1 Московский государственный

Подробнее

Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики

Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики Дмитрий Гладин, технический директор ООО «Техносвет групп» В настоящей статье рассмотрены

Подробнее

ИВАНОВСКИЙ ЗАВОД СВЕТОТЕХНИКИ «ЭЛЕКТРО» СВЕТОДИОДЫ КАК ИСТОЧНИКИ СВЕТА

ИВАНОВСКИЙ ЗАВОД СВЕТОТЕХНИКИ «ЭЛЕКТРО» СВЕТОДИОДЫ КАК ИСТОЧНИКИ СВЕТА ИВАНОВСКИЙ ЗАВОД СВЕТОТЕХНИКИ «ЭЛЕКТРО» СВЕТОДИОДЫ КАК ИСТОЧНИКИ СВЕТА Что такое светодиод? СИД светоизлучающий диод (ГОСТ) LED Light-Emitting Diode Светодиод полупроводниковый прибор, преобразующий электрический

Подробнее

СОВРЕМЕННЫЕ МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ: Полупроводниковая светотехника

СОВРЕМЕННЫЕ МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ: Полупроводниковая светотехника СОВРЕМЕННЫЕ МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ: характеристики, особенности и тенденции развития ИСТОРИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИСТОЧНИКОВ СВЕТА Год События 1907 Г.Дж.Раунд свечение кристаллов SiC 1923 О.В.Лосев электролюминесценция

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

Особенности эксплуатации светодиодных источников излучения

Особенности эксплуатации светодиодных источников излучения Особенности эксплуатации светодиодных источников излучения СД это твердотельный полупроводниковый источник света. Когда на p-n переход подается напряжение, электронные дырки рекомбинируют с высвобождением

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ 52 МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ. 1. 2012 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ УДК 621.315.592 НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫХ СВЕТОДИОДОВ 2011 г. А. А. Антипов

Подробнее

Применение светодиодов в светотехнических решениях: история, реальность и перспективы

Применение светодиодов в светотехнических решениях: история, реальность и перспективы ОБЗОР/ТЕХНОЛОГИИ Андрей Туркин Применение светодиодов в светотехнических решениях: история, реальность и перспективы Статья посвящена теме использования светодиодов в качестве источников света для светотехнических

Подробнее

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ 1 УДК 621.382.22 НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ Сурин Б. П., Калабаев И. С. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева», г. Саранск Тел.:

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: а) ознакомление с явлениями фото- и электролюминесценции в полупроводниках; б) воздействие спектральных характеристик

Подробнее

О Б О З Р Е Н И Е. П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к

О Б О З Р Е Н И Е. П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к О Б О З Р Е Н И Е П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к 1 2016 В. П. Д у р а е в, С. В. М е д в е д е в (Москва, ЗАО «Новая лазерная технология»). Элементная

Подробнее

Подложки из SiC для роста GaN имеют целый ряд преимуществ перед сапфиром SiC SiC SiC SiC SiC карбида кремния (SiC)

Подложки из SiC для роста GaN имеют целый ряд преимуществ перед сапфиром SiC SiC SiC SiC SiC карбида кремния (SiC) ООО Новые кремниевые технологии Прогноз возможного развития электроники на ближайшие 15-20 лет По материалам публикаций в международных изданиях о работах по данной тематике В настоящее время основным

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

1000. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки SiO2 в буферном травителе состава HF : NH

1000. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки SiO2 в буферном травителе состава HF : NH РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА СОЗДАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА В ПРОСВЕТЛЯЮЩЕМ ПОКРЫТИИ МЕТОДОМ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ВНЕШНЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА СВЕТОДИОДОВ А. П. Молева Томский государственный

Подробнее

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения www.themegallery.com Тушминцева С.И. План: I. Понятие электроники II. Классификация веществ.

Подробнее

СВЕТОДИОДЫ НА КРЕМНИИ КЛАСТЕР КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Обзор на основе собственных экспериментальных работ «Фонда поддержки науки и образования»

СВЕТОДИОДЫ НА КРЕМНИИ КЛАСТЕР КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Обзор на основе собственных экспериментальных работ «Фонда поддержки науки и образования» СВЕТОДИОДЫ НА КРЕМНИИ КЛАСТЕР КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ Обзор на основе собственных экспериментальных работ «Фонда поддержки науки и образования» Нанотехнология, подразумевающая возможность манипуляции отдельными

Подробнее

Сегодня компания Cree является мировым. Мощные сверхъяркие светодиоды компании CREE на российском рынке

Сегодня компания Cree является мировым. Мощные сверхъяркие светодиоды компании CREE на российском рынке Мощные сверхъяркие светодиоды компании CREE на российском рынке И.Романова Компания Cree Inc. была основана в 1987 году в штате Северная Каролина (США). Основным направлением деятельности компании была

Подробнее

Ослабление сигнала в волоконных световодах

Ослабление сигнала в волоконных световодах Лабораторная работа 4 Ослабление сигнала в волоконных световодах Цель работы определение зависимости оптических потерь от длины волоконного световода. Уменьшение потерь мощности оптического сигнала, передаваемого

Подробнее

Природа переходной области при нанесении пленок боридов и нитридов титана на арсенид галлия

Природа переходной области при нанесении пленок боридов и нитридов титана на арсенид галлия 12 октября 06;07;11;12 Природа переходной области при нанесении пленок боридов и нитридов титана на арсенид галлия И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, А.И. Сенкевич Институт физики полупроводников

Подробнее

Материалы для фотоники

Материалы для фотоники Материалы для фотоники - Светоизлучающие элементы (СИЭ) - Оптоволокно - Фотонные кристаллы (часть материала предоставлена А.Тихоновым (Химфак МГУ) и А.Синицким (ФНМ)) Светодиоды (Light Emitting Device,

Подробнее

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ ВБЛИЗИ КРАЯ СОБСТВЕННОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ ВБЛИЗИ КРАЯ СОБСТВЕННОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра «Физика и технология материалов и компонентов электронной техники»

Подробнее

1. Введение. Физика твердого тела, 2011, том 53, вып. 8. М.М. Мездрогина 1, Е.С. Москаленко 1, Ю.В. Кожанова 2

1. Введение. Физика твердого тела, 2011, том 53, вып. 8. М.М. Мездрогина 1, Е.С. Москаленко 1, Ю.В. Кожанова 2 12 Влияние магнитного поля и температуры измерения на вид спектров микрофотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Eu М.М. Мездрогина 1, Е.С. Москаленко 1, Ю.В.

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

Исследование люминесценции кристалла рубина при возбуждении зелёной и красной линиями спектров излучения

Исследование люминесценции кристалла рубина при возбуждении зелёной и красной линиями спектров излучения УДК 53.05 Исследование люминесценции кристалла рубина при возбуждении зелёной и красной линиями спектров излучения Хусаинов Н.А., студент Россия, 105005, г. Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедры «Компьютерные

Подробнее

Никифоров Сергей Григорьевич

Никифоров Сергей Григорьевич АККРЕДИТОВАННЫЙ ЦЕНТР ПО СЕРТИФИКАЦИОННЫМ ИСПЫТАНИЯМ УСТРОЙСТВ СВЕТОТЕХНИКИ И ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ ООО «АРХИЛАЙТ» На правах рукописи. Никифоров Сергей Григорьевич РАЗРАБОТКА СРЕДСТВ ИЗМЕРНИЙ И МЕТОДОВ

Подробнее

ОТЖИГ НАВЕДЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КВАРЦЕВЫХ СТЕКЛАХ ИЗЛУЧЕНИЕМ KrF И ArF ЛАЗЕРОВ

ОТЖИГ НАВЕДЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КВАРЦЕВЫХ СТЕКЛАХ ИЗЛУЧЕНИЕМ KrF И ArF ЛАЗЕРОВ ОТЖИГ НАВЕДЕННОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В КВАРЦЕВЫХ СТЕКЛАХ ИЗЛУЧЕНИЕМ KrF И ArF ЛАЗЕРОВ А.П.Сергеев, П.Б.Сергеев Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН В стеклах типа КС-4В,

Подробнее

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон Содержание: 1. Происхождение энергетических зон в кристаллах 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон 4. Полупроводники с точки зрения зонной теории

Подробнее

05;07. (V Ga + V As ).

05;07. (V Ga + V As ). 12 сентября 05;07 О возможной пространственной ориентации радиационного дефекта, ответственного за полосу ИК поглощения 1.0 ev в арсениде галлия З.В. Джибути, Н.Д. Долидзе Тбилисский государственный университет

Подробнее

1. Оптический пробой среды. 2. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность.

1. Оптический пробой среды. 2. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность. Лекция 6 ТЕРМООПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ИНТЕНСИВНОСТЯХ СВЕТА Вопросы: 1. Оптический пробой среды.. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность. Эффективные

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 11.04.04 Электроника и

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-20

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-20 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-20 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ГЕНЕРАТОРЫ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА НА ОСНОВЕ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ

Подробнее

64 Прогнозирование надежности светоизлучающих диодов по шумовым характеристикам

64 Прогнозирование надежности светоизлучающих диодов по шумовым характеристикам УДК 6.37.088 Вікулін І.М., Коробіцин Б.В., Криськів С.К. Vikulin I.M., Korobitsyn B.V., Kryskiv S.K. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ НАДЕЖНОСТИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ ПО ШУМОВЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ ПРОГНОЗУВАННЯ НАДІЙНОСТІ

Подробнее

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности К.В.Шалимова ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний

Подробнее

Лекция 12 Классификация полупроводниковых устройств

Лекция 12 Классификация полупроводниковых устройств Лекция 12 Классификация полупроводниковых устройств Содержание ФИЗИКА ПОВЕРХНОСТИ И РАБОТА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХУСТРОЙСТВ Влияние поверхности на работу полупроводниковых приборов Электронные устройства

Подробнее

Физика твердого тела, 24, том 46, вып. 1 Кремниевые светодиоды, излучающие в области зона-зонных переходов: влияние температуры и величины тока А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Е.И. Шек Физико-технический

Подробнее

Тема 4.1. ПРИРОДА СВЕТА

Тема 4.1. ПРИРОДА СВЕТА Тема 4.1. ПРИРОДА СВЕТА 1. Краткая история развития представлений о природе света. Часть физики, рассматривающую световые явления, называют оптикой (от греческого «оптикос» зрительный), а сами световые

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

Math-Net.Ru Общероссийский математический портал

Math-Net.Ru Общероссийский математический портал Math-Net.Ru Общероссийский математический портал В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников, Квант. электрон., 1981, том 8, номер 4, 745 750 Использование Общероссийского математического портала Math-Net.Ru

Подробнее

Научный журнал КубГАУ, 102(08), 2014 года. UDC УДК

Научный журнал КубГАУ, 102(08), 2014 года.  UDC УДК 1 УДК 621.315.592.3 ЛЕГИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Ga x In (1-x) P y Sb (1-y) ПРИМЕСЬЮ ТЕЛЛУРА Тумаев Евгений Николаевич д. ф.-м. н., профессор Скачков Александр Федорович аспирант Кубанский государственный

Подробнее

Исследование структуры пленок термического окисла на кремнии методом катодолюминесценции 1985 Рис. 1. Спектры катодолюминесценции термического окисла,

Исследование структуры пленок термического окисла на кремнии методом катодолюминесценции 1985 Рис. 1. Спектры катодолюминесценции термического окисла, Исследование структуры пленок термического окисла на кремнии методом катодолюминесценции М.В. Заморянская, В.И. Соколов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ. Тула, 2014 г. 2 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА.

Подробнее

Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения)

Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения) Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения) Электрический ток. Закон Ома для участка цепи. 1. Какие действия электрического тока существуют? 2. Условия существование электрического

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

ИНФОРМАЦИОННЫЙ БЮЛЛЕТЕНЬ

ИНФОРМАЦИОННЫЙ БЮЛЛЕТЕНЬ ДАТИС Групп сентябрь 2014 Выпуск 09-2014 ИНФОРМАЦИОННЫЙ БЮЛЛЕТЕНЬ Усилители на нитриде галлия для спутниковой связи Транзисторы с высокой подвижностью электронов на нитриде галлия (GaN HEMT) всё чаще находят

Подробнее

Методика расчета теплопереноса в светоизлучающих диодах на основе GaN

Методика расчета теплопереноса в светоизлучающих диодах на основе GaN 47 УДК 621.315.592 М.Н. Романовский, С.Г. Еханин Методика расчета теплопереноса в светоизлучающих диодах на основе GaN Представлены электрическая и тепловая двумерные распределенные модели светоизлучающих

Подробнее

БАРАНОВСКИЙ МАКСИМ ВЛАДИМИРОВИЧ

БАРАНОВСКИЙ МАКСИМ ВЛАДИМИРОВИЧ На правах рукописи БАРАНОВСКИЙ МАКСИМ ВЛАДИМИРОВИЧ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaN/GaN С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И РАЗРАБОТКА НЕРАЗРУШАЮЩЕГО МЕТОДА КОНТРОЛЯ

Подробнее

СВЕТОДИОД ИРС-50-W-80

СВЕТОДИОД ИРС-50-W-80 СВЕТОДИОД ИРС-50-W-80 Спецификация Введение Светодиод ИРС-50 (далее светодиод) предназначен для изготовления светильников общего назначения; уличных, архитектурных и ландшафтных светильников; переносных

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 26 июня 06.2;12 Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия М.А. Родионов, В.А. Рожков, А.В. Пашин Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная

Подробнее

Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов.

Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов. Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов. Гроо Е.П. ООО НПФ Микран, г. Томск, E-mail: www.groo318@ngs.ru Публикация: Научная сессия ТУСУР 2004. Материалы Всероссийской

Подробнее

Работа 25а ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЙ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ ДИФРАКЦИЕЙ

Работа 25а ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЙ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ ДИФРАКЦИЕЙ Работа 25а ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЙ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ ДИФРАКЦИЕЙ Цель работы: наблюдение дифракции света на дифракционной решетке, определение периода дифракционной решетки и области пропускания светофильтров Оборудование:

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

Вопросы к лабораторным работам по курсу физики «Оптика», лаб , 354

Вопросы к лабораторным работам по курсу физики «Оптика», лаб , 354 1 Вопросы к лабораторным работам по курсу физики «Оптика», лаб. 1-353, 354 Лабораторная работа 1 Определение показателя преломления стекла с помощью микроскопа (33-13) 1. Понятие луча. Закон прямолинейного

Подробнее

«Ввод излучения в световод» методические указания к лабораторной работе 2

«Ввод излучения в световод» методические указания к лабораторной работе 2 Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода»

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода» Государственное образовательное учреждение Московский государственный технологический университет «СТАНКИН» Кафедра физики Лабораторная работа «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового

Подробнее

ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ МОЛЕКУЛЯРНО- ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР СaF 2 /BaF 2 /Si(100).

ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ МОЛЕКУЛЯРНО- ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР СaF 2 /BaF 2 /Si(100). СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ, _ 2005. -.- 1- УДК 621.382: 539.16.04 ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ МОЛЕКУЛЯРНО- ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР СaF 2 /BaF 2 /Si(100).

Подробнее

концентрации газа свободных электронов

концентрации газа свободных электронов КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ: ТЕРМОЭМИСИЯ, ТЕРМО-ЭДС, ЭФФЕКТ ПЕЛЬТЬЕ. К термоэлектрическим явлениям относят явления, происходящие в области перехода между частями твердого

Подробнее

Физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова

Физический факультет МГУ им. М.В.Ломоносова Введение 5. Высокоэффективные технологии как неотъемлемая часть развития современного общества С.Н.Маркова, И.С.Матешев, Ю.П.Тимонин, А.Н.Туркин, К.С.Федоренко СВЕТОДИОДЫ - ИСТОЧНИКИ СВЕТА БУДУЩЕГО Физический

Подробнее

АННОТАЦИЯ "Люминесценция и механизмы преобразования солнечного излучения в синтезированных полупроводниковых наночастицах",

АННОТАЦИЯ Люминесценция и механизмы преобразования солнечного излучения в синтезированных полупроводниковых наночастицах, АННОТАЦИЯ диссертационной работы Дауренбекова Дулата Хайретеновича "Люминесценция и механизмы преобразования солнечного излучения в синтезированных полупроводниковых наночастицах", представленной на соискание

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Факультет радиотехники и электроники УТВЕРЖДАЮ

Подробнее

Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств

Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств В.В. Волков, В.Н. Вьюгинов, Ю.С. Кузьмичёв, В.С. Макушина, С.Н. Морозов, В. А. Петров ЗАО «Светлана-Электронприбор» Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств Представлены

Подробнее

Вопросы для ГЭК по направле товки «Электроника и наноэлектроника»

Вопросы для ГЭК по направле товки «Электроника и наноэлектроника» УТВЕРЖДАЮ светотехнического.е. Железникова Вопросы для ГЭК по направле товки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» Основы светотехники. 1. Волновые и квантовые свойства излучения. Оптическая область

Подробнее

ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ПЛАТФОРМА Развитие российских светодиодных технологий Цели и задачи, структура, достижения

ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ПЛАТФОРМА Развитие российских светодиодных технологий Цели и задачи, структура, достижения ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ ПЛАТФОРМА Развитие российских светодиодных технологий Цели и задачи, структура, достижения Краткая справка о ТП Технологическая платформа «Развитие российских светодиодных технологий» была

Подробнее

ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА

ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА Абрамов С. А., Бухаров А. А., Великанов А. Н. ГОУВПО «Мордовский государственный университет

Подробнее

Теоретическое введение

Теоретическое введение УДК 535.41 Методические заметки ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ СВЕТА ПРИ ОТРАЖЕНИИ ОТ ТОНКИХ ПЛАСТИНОК И ПЛЕНОК Е.К.Наими Институт Базового Образования НИТУ «МИСиС», кафедра физики E-mail: e.aimi@mail.ru Рассмотрены возможные

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ОПТИЧНА І КВАНТОВА ЕЛЕКТРОНІКА В КОМП ЮТЕРНИХ ТА ІНТЕЛЕКТУАЛЬНИХ ТЕХНОЛОГІЯХ УДК 621.315.592.2 В.И. ОСИНСКИЙ 1, П.В ДЕМИНСКИЙ 1,4, Н.Н. ЛЯХОВА 1, А.П. МОТОРНЫЙ 2, И.В. МАСОЛ 3, Н.О. СУХОВИЙ 4 1 ТЕМПЕРАТУРНЫЕ

Подробнее

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: 1. Ознакомиться с внутренней ионизацией полупроводников под действием света на примере работы полупроводниковых фотоприемников. 2. Построить спектральную

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ Ионычев В.К., Ребров А.Н. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск Тел.

Подробнее

QUANTUM WELLS, WIRES AND DOTS. Ç. ü. ÑÖåàïéÇëäàâ çëêâ ÓappleÓ ÒÍËÈ ÓÒÛ appleòú ÂÌÌ È ÛÌË ÂappleÒËÚÂÚ ËÏ. ç.à. ãó  ÒÍÓ Ó. V. Ya.

QUANTUM WELLS, WIRES AND DOTS. Ç. ü. ÑÖåàïéÇëäàâ çëêâ ÓappleÓ ÒÍËÈ ÓÒÛ appleòú ÂÌÌ È ÛÌË ÂappleÒËÚÂÚ ËÏ. ç.à. ãó  ÒÍÓ Ó. V. Ya. ÑÂÏËıÓ ÒÍËÈ Ç.ü., 1997 QUANTUM WELLS, WIRES AND DOTS V. Ya. DEMIKHOVSKII Eletrons in mirosopi semiondutor strutures an display astounding quantum behavior. This strutures, namely, quantum wells, wires

Подробнее

амплитуда которых может перестраиваться либо напряжением на затворе, изменяющим концентрацию электронов в канале, либо протекающим током.

амплитуда которых может перестраиваться либо напряжением на затворе, изменяющим концентрацию электронов в канале, либо протекающим током. О Т З Ы В официального оппонента о диссертации Д.М. Ермолаева Исследование детектирования терагерцового излучения короткопериодными массивами полевых транзисторов на основе наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs,

Подробнее

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта фотоэффект фотоэлектронов Внешним фотоэффектом Внутренний фотоэффект

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта фотоэффект фотоэлектронов Внешним фотоэффектом Внутренний фотоэффект ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта Среди физических явлений, в которых проявляется взаимодействие света с веществом, важным является фотоэлектрический эффект фотоэффект, открытый Г. Герцем

Подробнее

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин Лабораторная работа 3.66. ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин Цель работы: определить интегральную и спектральную чувствительность полупроводникового фотоэлемента, оценить ширину запрещенной

Подробнее

02;12. PACS: Vp

02;12.   PACS: Vp 12 января 02;12 Влияние защитного слоя на длительность горения и излучение кварцевых газоразрядных ламп низкого давления А.И. Васильев, Л.М. Василяк, С.В. Костюченко, Н.Н. Кудрявцев, М.Е. Кузьменко, В.Я.

Подробнее

Тесты к изучению дисциплины для студентов направления очной формы обучения

Тесты к изучению дисциплины для студентов направления очной формы обучения Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е.

Подробнее

ФОТОЭФФЕКТ. ЭФФЕКТ КОМПТОНА. ВОЛНОВЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ. 1. Определить энергию ε, импульс р и массу m фотона, длина волны которого λ = 500 нм.

ФОТОЭФФЕКТ. ЭФФЕКТ КОМПТОНА. ВОЛНОВЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ. 1. Определить энергию ε, импульс р и массу m фотона, длина волны которого λ = 500 нм. ФОТОЭФФЕКТ. ЭФФЕКТ КОМПТОНА. ВОЛНОВЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ 1. Определить энергию ε, импульс р и массу m фотона, длина волны которого λ = 500 нм. 2. Какую длину волны λ должен иметь фотон, чтобы его масса была

Подробнее

Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний двуокись кремния

Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний двуокись кремния 12 февраля 05;06;10 Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний двуокись кремния А.П. Барабан, Л.В. Милоглядова, В.И. Тер-Нерсесянц НИИ физики С.-Петербургского

Подробнее

Изучение некоторых закономерностей внутреннего фотоэффекта в полупроводниках

Изучение некоторых закономерностей внутреннего фотоэффекта в полупроводниках ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра «Общая физика и физика нефтегазового производства»

Подробнее

РАЗРАБОТКА СВЕРХЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МЕТОДА РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗАЦИИ В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ БЛАГОРОДНЫХ ГАЗОВ

РАЗРАБОТКА СВЕРХЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МЕТОДА РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗАЦИИ В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ БЛАГОРОДНЫХ ГАЗОВ РАЗРАБОТКА СВЕРХЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МЕТОДА РЕГИСТРАЦИИ ИОНИЗАЦИИ В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ БЛАГОРОДНЫХ ГАЗОВ 1 Работа выполнена в Институте Теоретической и экспериментальной физики Научный руководитель: Кандидат

Подробнее

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПРИОРИТЕТНЫЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ПРОЕКТ "ОБРАЗОВАНИЕ" Проект «Инновационная образовательная среда в классическом университете» Пилотный проект 22 «Разработка и

Подробнее

Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брегговской решеткой

Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брегговской решеткой Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брегговской решеткой В.П. Дураев, С.А. Васильев, О.И. Медведков, Е.Т. Неделин ООО «Нолатех» e- mail nolatech@mail.magelan.ru, www.nolatech.ru

Подробнее

7. Определить импульсы и массы фотонов с длинами волн 500 нм, 250 нм и 400 нм.

7. Определить импульсы и массы фотонов с длинами волн 500 нм, 250 нм и 400 нм. Вариант 1 1. Между стеклянной пластинкой и лежащей на ней плосковыпуклой линзой находится жидкость. Найти показатель преломления жидкости, если радиус r 3 третьего темного кольца Ньютона при наблюдении

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАЗМЕРОВ МАЛЫХ ПРЕПЯТСТВИЙ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАЗМЕРОВ МАЛЫХ ПРЕПЯТСТВИЙ Министерство образования Российской Федерации ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАЗМЕРОВ МАЛЫХ ПРЕПЯТСТВИЙ Методические указания Иркутск 2004 Печатается

Подробнее

Тема 4. Материалы для производства энергоэффективных источников света (2 часа) На сегодняшний день 19% всей потребляемой электроэнергии на планете

Тема 4. Материалы для производства энергоэффективных источников света (2 часа) На сегодняшний день 19% всей потребляемой электроэнергии на планете Тема 4. Материалы для производства энергоэффективных источников света (2 часа) На сегодняшний день 19% всей потребляемой электроэнергии на планете расходуется на освещение. Современные инновационные технические

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

Третий тур Условие Страница 1 из 1

Третий тур Условие Страница 1 из 1 Третий тур Условие Страница 1 из 1 Люминесценция Расчет погрешностей не требуется! Проверяются только листы ответов! Приборы и оборудование Источники света: лазер фиолетовый, лазер зеленый (с источником

Подробнее

«Светодиодная и светотехническая отрасль»

«Светодиодная и светотехническая отрасль» Световая отдача, лм/вт «Светодиодная и светотехническая отрасль» Cветотехника и светодиодная (полупроводниковая) светотехника Светотехника это прикладная наука, объединяющая в себе оптику, материаловедение,

Подробнее