Дефекты кристаллической решетки

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Дефекты кристаллической решетки"

Транскрипт

1 Дефекты кристаллической решетки Дефектом кристалла является любое отклонение от его периодической структуры. Дефекты классифицируют по геометрическим признакам. Выделяют четыре класса дефектов: точечные дефекты (нульмерные); линейные дефекты (одномерные); поверхностные дефекты (двумерные); объемные дефекты (трехмерные).

2 Точечные дефекты примесные атомы, входящие в решетку по схеме замещения или внедрения; атомы основного вещества, отсутствующие (вакансии) или смещенные из нормальных узлов (антиструктурные дефекты). Линейные дефекты дислокации, которым отвечают смещения большого числа атомов из нормальных узлов в некоторые промежуточные положения. Поверхностные дефекты границы зерен в монокристаллах, границы мозаики, границы двойников, дефекты упаковки, плоскости раздела между твердыми фазами и свободные внешние поверхности кристаллов. Объемные дефекты поры (пустоты), трещины, включения посторонней фазы (кластеры).

3 Дефекты оказывают сильное влияние на многие свойства твердых тел : 1) проводимость полупроводников в основном зависит от ничтожных концентраций примесей 2) окраска кристаллов часто вызвана имеющимися в них дефектами 3) люминесценция кристаллов всегда связана с дефектами 4) диффузия в твердом теле протекает значительно быстрее при наличии дефектов 5) механические свойства твердых тел сильно зависят от дефектов решетки.

4 Вакансии Различают два вида вакансий вакансии по Френкелю и вакансии по Шоттки. Дефектом Шоттки является вакансия, образованная за счет перемещения атома из узла решетки на какие-то стоки. Стоками могут служить дислокации, границы блоков или поверхность кристалла. В бинарных соединениях дефект Шоттки это пара вакансий противоположного знака (положительных катионных и отрицательных анионных вакансий). Дефекты по Шоттки обычно встречаются в кристаллах с плотной упаковкой атомов. Образование таких дефектов уменьшает плотность кристалла.

5 Дефект Френкеля это парный дефект, образующийся при переносе атома из узла в достаточно удаленное междоузлие. При образовании дефектов по Френкелю в области вакансии решетка сжимается, а междоузельный дефект, наоборот, занимает некоторое пространство. Из теории упругости следует, что результирующее изменение объема кристалла для дефектов Френкеля равно нулю и его плотность остается неизменной. Дефекты по Френкелю обычно встречаются в кристаллах с малым коэффициентом упаковки.

6 Дефект по Шоттки Дефект по Френкелю

7 Вакансии в состоянии равновесия Причиной образования вакансий являются тепловые колебаниями атомов. Амплитуда колебаний атомов увеличивается с ростом температуры. Так, в GaAs среднеквадратичные отклонения атомов от равновесных узлов составляют u 2 Ga, As 100K 300K 600K, A Поскольку постоянная решетки GaAs равна a 0 = 5.65 Å, то при T = ºK атомы колеблются с относительно небольшой амплитудой % a 0.

8 Однако, среди атомов кристалла есть такие, скорость которых много больше средних значений. Подобные атомы могут срываться со своих равновесных положений и диффундировать по объему кристалла. Если сорвавшийся атом остается в междоузлии, то возникает вакансия Френкеля. Если атом блуждает по кристаллу до тех пор, пока не удалится на поверхность или другой сток, то возникает вакансия Шоттки. Концентрация вакансий зависит от температуры и энергии образования.

9 Расчет концентрации вакансий можно провести, если рассматривать образование вакансий как термодинамический равновесный процесс. Рассмотрим типичный процесс, проходящий при постоянном давлении p и постоянной температуре T. При таких условиях равновесному состоянию кристалла отвечает минимум термодинамического потенциала Гиббса G. Покажем это.

10 Термодинамический потенциал Гиббса равен G = H-TS = U + pv - TS где Н = U + pv - энтальпия Найдем полный дифференциал dg. Согласно 1 му началу термодинамики du d ' Q da d Q = TdS, da = pdv

11 Поэтому dg = TdS + Vdp - TdS - SdT = Vdp SdT Эта формула показывает, что G является функцией от давления и температуры. Если p = const и T = const, то dg = 0, поэтому в таких условиях при термодинамическом обратимом процессе G = const

12 Если процесс необратимый, то для него имеет место неравенство Клаузиуса из которого следует T TdS d'q ds du dv + p dt dt dt При постоянстве Т и p это неравенство можно записать в виде d(u + pv -TS) dt dg = 0 dt

13 Поэтому необратимый процесс, протекающий при постоянных температуре и давлении, сопровождается уменьшением термодинамического потенциала Гиббса. При достижении системой состояния равновесия G перестает меняться с течением времени. Это и говорит о том, что при неизменных T и p равновесным является состояние, для которого термодинамический потенциал Гиббса минимален.

14 Поэтому, чтобы определить равновесную концентрацию дефектов необходимо знать потенциала Гиббса дефектного кристалла. Рассмотрим сначала процесс образования вакансии Шоттки. Вакансия Шоттки образуется, когда из поверхностного слоя выскакивает какой-либо атом и начинает застройку следующего атомного слоя, а на его место приходит атом из внутренней области кристалла. В результате, вакансия диффундирует вглубь кристалла. Поэтому образованию одной вакансии в действительности предшествует создание n вакансий в кристалле.

15 Равновесная концентрация вакансий n eq находится из условия минимума потенциала Гиббса как функции числа дефектов n. Пусть G 1 потенциал Гиббса одной вакансии, равный G = H -TS где H 1 - энтальпия, а S 1 энтропия, необходимые для создания одной вакансии. При образовании n вакансий потенциал Гиббса равен G = ng -TS 1 mix где S mix конфигурационная энтропия, определяемая числом способов размещения n вакансий по узлам решетки.

16 При заданной температуре T равновесная концентрация вакансий n eq определяется балансом двух составляющих G - энергетической ng 1 и энтропийной TS mix. Пусть кристалл состоит из N одинаковых атомов, тогда в нем N узлов решетки. Конфигурационная энтропия такого кристалла равна где k B - постоянная Больцмана, P - термодинамическая вероятность, равная числу способов, которыми n вакансий Шоттки можно расположить по S k ln P mix B N узлам решетки.

17 Из общего числа перестановок всех узлов решетки N! надо исключить перестановки одинаковых структурных элементов системы, а именно (N-n)! перестановок атомов между собой и n! перестановок вакансий между собой, поэтому P N! ( N n)! n!

18 Поскольку N и n - большие числа, то можно применить формулу Стирлинга : ln N! N ln N N ln n! n ln n n ln( N n)! ( N n)ln( N n) ( N n) Тогда: ln P N ln N ( N n)ln( N n) nln n В результате, потенциал Гиббса при образовании n вакансий равен G = ng - k T [ N ln N - ( N - n)ln( N - n) - nln n] 1 B

19 В равновесном состоянии системы потенциал Гиббса должен быть минимальным G 0 Отсюда получаем n T const S n G T mix G k T ln eq B n N n eq

20 Поскольку обычно п eq << N, то получаем Откуда n G k T ln eq 0 1 B N G S H n N exp 1 N exp 1 exp 1 eq k T k k T B B B Следовательно, равновесная концентрация вакансий n eq уменьшается по мере уменьшения температуры.

21 Учтем, что эксперименты обычно проводят в условиях, когда объем и давление почти постоянны. В этом случае энтальпию образования одной вакансии Н 1 можно заменить энергией ее образования (энергией активации) E V. Кроме того, exp(s 1 /k B ) ~ 1, поэтому относительная доля вакансий дается формулой

22 Типичные энергии образования вакансии в кристаллах составляют E V 1 2 эв а тепловая энергия при Т=1000 ºК k B T 0.1 эв Поэтому относительная доля вакансий равна

23 Поскольку плотность узлов решетки, то равновесная концентрация вакансий Шоттки при разных температурах равна Т, К n eq, см При комнатной температуре концентрация вакансий ничтожно мала. При высокой температуре в кристалле образуется большое количество вакансий. Если кристалл быстро охладить (закалка), то повышенное количество вакансий не успевает исчезнуть и кристалл будет содержать повышенное количество неравновесных вакансий. N см

24 Поэтому количество вакансий в реальном кристалле зависит от предыдущей термообработки (биографии) кристалла. За счет диффузии избыточное по сравнению с равновесным количество вакансий с течением времени исчезает. Однако, при комнатной температуре процесс диффузии проходит очень медленно. Залечивание вакансий можно ускорить, нагревая кристалл, но не настолько, чтобы началась генерация новых вакансий. Процесс исчезновения замороженных вакансий при нагревании с выдержкой во времени называется отжигом.

25 Для бинарных соединений стехиометрического состава, характерно образование катионных и анионных вакансий Шоттки попарно. Образование таких пар сохраняет электронейтральность кристалла, а их число равно где Е р энергия образования одной пары.

26 При определении равновесной концентрации дефектов Френкеля необходимо дополнительно учитывать число междоузельных позиций N. Расчет, аналогичный проведенному для вакансий Шоттки, дает где E Ф энергия, необходимая для перемещения атома из узла решетки в междоузлие.

27 У щелочно-галлоидных кристаллов и большинства полупроводников с плотноупакованными структурами - Si, Ge, GaAs, типичными являются дефекты по Шоттки. У галогенидов серебра типичны дефекты по Френкелю.

28 При большой концентрации вакансий в кристалле происходит их объединение в дивакансии, тривакансии и сложные комплексы. В результате в кристалле образуются микропустоты (поры). Концентрацию комплексов вакансий тоже можно определить из условия термодинамического равновесия системы.

29 В реальных кристаллах всегда имеются примесные атомы, поэтому возможно образование комплексов вакансия - примесь. Их образование зависит как от концентрации примеси, так и от концентрации вакансий. Энергия связи дефекта с примесью определяется энергией электростатического взаимодействия между примесью и дефектом и энергией деформации вокруг примесного атома.

«Реальная структура твердого тела» Лекция 2. Метод апроксимации Броуэра. Реальная структура твердого тела

«Реальная структура твердого тела» Лекция 2. Метод апроксимации Броуэра. Реальная структура твердого тела МГУ им.м.в.ломоносова Факультет Наук о Материалах Формирование системы инновационного образования «Реальная структура твердого тела» Лекция 2. Метод апроксимации Броуэра. goodilin@inorg.chem.msu.ru fmg.inorg.chem.msu.ru

Подробнее

Лекция 2. ОСНОВЫ ТЕРМОДИНАМИКИ Основные понятия

Лекция 2. ОСНОВЫ ТЕРМОДИНАМИКИ Основные понятия Лекция 2. ОСНОВЫ ТЕРМОДИНАМИКИ Основные понятия Термодинамика является феноменологической теорией макроскопических систем, поэтому вcе её основные понятия берутся непосредственно из эксперимента. Термодинамическая

Подробнее

Лекция 2. Второй и третий законы термодинамики. Энтропия

Лекция 2. Второй и третий законы термодинамики. Энтропия Лекция 2 Второй и третий законы термодинамики. Энтропия Обратимые и необратимые в термодинамическом смысле процессы Термодинамическиобратимыми называют процессы, которые можно провести как в прямом, так

Подробнее

Дефекты кристаллической структуры. 1. Точечные дефекты

Дефекты кристаллической структуры. 1. Точечные дефекты Дефекты кристаллической структуры 1. Точечные дефекты Дефекты в кристаллах (от лат. defectus недостаток, изъян), нарушения периодичности кристаллической структуры в реальных монокристаллах. БСЭ Различают

Подробнее

Дефектывкристаллах Лекция 1 Тепловыеточечныедефекты

Дефектывкристаллах Лекция 1 Тепловыеточечныедефекты Дефектывкристаллах Лекция 1 Тепловыеточечныедефекты План Классификациядефектов. Виды точечных дефектов. Тепловые точечныедефекты: механизмы образования, энергетика, примеры. Дефект (отлат. defectus недостаток,

Подробнее

Лекция 2. Второй и третий законы термодинамики. Термодинамические потенциалы

Лекция 2. Второй и третий законы термодинамики. Термодинамические потенциалы Лекция 2 Второй и третий законы термодинамики. Термодинамические потенциалы Второй закон термодинамики Второй закон термодинамики устанавливает критерии самопроизвольного протекания процессов и равновесного

Подробнее

Л15. замкнутая система внутренняя энергия U энтропия S( U) температура T ds

Л15. замкнутая система внутренняя энергия U энтропия S( U) температура T ds Л15 Закон сохранения энергии в открытых системах замкнутая система внутренняя энергия U энтропия S( U) k lnw ( U) температура ds 1 du Из-за отсутствия контактов с внешней средой внутренняя энергия в этом

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

1. Кристаллическая решетка и симметрия кристаллов. Решетка Браве. 2. Ковалентная связь в Si 3. Понятие реальных кристаллов 4. Дефекты кристаллов 5.

1. Кристаллическая решетка и симметрия кристаллов. Решетка Браве. 2. Ковалентная связь в Si 3. Понятие реальных кристаллов 4. Дефекты кристаллов 5. 1. Кристаллическая решетка и симметрия кристаллов. Решетка Браве. 2. Ковалентная связь в Si 3. Понятие реальных кристаллов 4. Дефекты кристаллов 5. Поверхностные и объемные дефекты 6. Точечные дефекты

Подробнее

равновесия химической реакции? - как давление и температура влияют на это состояние равновесия?

равновесия химической реакции? - как давление и температура влияют на это состояние равновесия? Лекция 4. ВТОРОЙ ЗАКОН ТЕРМОДИНАМИКИ Самопроизвольные и несамопроизвольные процессы. «Потерянная» работа Первый закон термодинамики позволяет решить многие вопросы химии и химической технологии, связанные

Подробнее

Назовем эту работу полезной работой. Ясно, что она включает все виды работ, за исключением работы расширения: электрические, химические, магнитные

Назовем эту работу полезной работой. Ясно, что она включает все виды работ, за исключением работы расширения: электрические, химические, магнитные Лекции 5-6. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ПОТЕНЦИАЛЫ Основой математического аппарата термодинамики служит объединенное уравнение первого и второго законов термодинамики или фундаментальное уравнение Гиббса. Для обратимых

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

Тесты к изучению дисциплины для студентов направления очной формы обучения

Тесты к изучению дисциплины для студентов направления очной формы обучения Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е.

Подробнее

Л.Жирифалько СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА В книге в ясной и доступной форме излагаются основы статистической физики кристаллов.

Л.Жирифалько СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА В книге в ясной и доступной форме излагаются основы статистической физики кристаллов. Л.Жирифалько СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА В книге в ясной и доступной форме излагаются основы статистической физики кристаллов. В ней дано ставшее уже классическим описание статистики и кинетики

Подробнее

Лекция 5. Второй закон термодинамики и его применение в химии. Энтропия. Термодинамические потенциалы

Лекция 5. Второй закон термодинамики и его применение в химии. Энтропия. Термодинамические потенциалы Лекция 5 Второй закон термодинамики и его применение в химии. Энтропия. Термодинамические потенциалы 1 План лекции 1. Второй закон термодинамики. Энтропия как внутренняя переменная. 2. Энтропия и информация.

Подробнее

Д. А. Паршин, Г. Г. Зегря Физика: Статистическая термодинамика Лекция 5

Д. А. Паршин, Г. Г. Зегря Физика: Статистическая термодинамика Лекция 5 1 ЛЕКЦИЯ 5 Работа и количество тепла. Закон сохранения энергии с учетом тепловых процессов первое начало термодинамики. Связь между энтропией и количеством тепла. Теплоемкость. Термодинамические функции.

Подробнее

Лекция 2. Строение реальных металлов. Дефекты кристаллического строения

Лекция 2. Строение реальных металлов. Дефекты кристаллического строения Лекция 2 http://www.supermetalloved.narod.ru Строение реальных металлов. Дефекты кристаллического строения 1. Точеные дефекты 2. Линейные дефекты: 3. Простейшие виды дислокаций краевые и винтовые. Из жидкого

Подробнее

Отжиг I рода. Лекция 3

Отжиг I рода. Лекция 3 Отжиг I рода Отжиг - это нагрев стали с последующим (обычно медленным) охлаждением. Обычно отжиг - это подготовительная термообработка. Отжигу подвергают отливки, поковки, прокат. Отжиг I рода Предшествующая

Подробнее

СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА ТЕРМОДИНАМИКА

СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА ТЕРМОДИНАМИКА СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА ТЕРМОДИНАМИКА Распределение Максвелла Начала термодинамики Цикл Карно Распределение Максвелла В газе, находящемся в состоянии равновесия, устанавливается некоторое стационарное, не

Подробнее

пв a При послойной адсорбции можно говорить о степени заполнения слоя

пв a При послойной адсорбции можно говорить о степени заполнения слоя Лекция 4 Адсорбция. П. стр. 56-65, стр.7-76. Определение. Адсорбция (явление) - это изменение концентрации вещества в поверхностном слое по сравнению с концентрацией в объемной фазе. Адсорбцией (величиной),

Подробнее

3.3. Теплоемкость. dq dt

3.3. Теплоемкость. dq dt 1.. Теплоемкость...1. Теплоемкость простейших процессов. Теплоемкость тела или системы определяется количеством тепла, необходимым для нагревания тела на 1 градус: dq (..1) ---------------------------------------------------------------------------------------

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Подробнее

Т (2) =Т (1) (1) р (2) р (1) (р (2),T ) + RT ln x A (2) (T, р (1) ) + ( µ A 0 / p) T dp + RT ln x A (3)

Т (2) =Т (1) (1) р (2) р (1) (р (2),T ) + RT ln x A (2) (T, р (1) ) + ( µ A 0 / p) T dp + RT ln x A (3) Вывод именных уравнений. Уравнение Вант-Гоффа для осмотического давления. Осмотическое давление возникает при мембранном равновесии в двухкомпонентной системе А-В. Система состоит из двух фаз. Одна из

Подробнее

«УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

«УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Министерство образования и науки Российской Федерации Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования «УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра

Подробнее

2.1. Первичная кристаллизация

2.1. Первичная кристаллизация 2.1. Первичная кристаллизация В зависимости от температуры любое вещество может быть в твердом, жидком или газообразном состоянии (фазе). Переход металла из жидкого или парообразного состояния в твердое

Подробнее

Практически все формулировки II начала термодинамики касаются тепловой машины. Рассмотрим принцип ее действия.

Практически все формулировки II начала термодинамики касаются тепловой машины. Рассмотрим принцип ее действия. ЛЕКЦИЯ 13 Второе начало термодинамики. Невозможность создания вечных двигателей. Обратимые и необратимые процессы. Круговые процессы. Тепловые машины. Цикл Карно. Пусть в результате некоторого процесса

Подробнее

6 Молекулярная физика и термодинамика. Основные формулы и определения

6 Молекулярная физика и термодинамика. Основные формулы и определения 6 Молекулярная физика и термодинамика Основные формулы и определения Скорость каждой молекулы идеального газа представляет собой случайную величину. Функция плотности распределения вероятности случайной

Подробнее

Попробуйте посмотреть эти вопросы за пару дней до экзамена

Попробуйте посмотреть эти вопросы за пару дней до экзамена Попробуйте посмотреть эти вопросы за пару дней до экзамена Прокомментируйте приведенные ниже утверждения. В каждой пятерке одна формулировка верная, остальные нет. Найдите правильные утверждения. Объясните,

Подробнее

Тема: Тепловые машины. Энтропия

Тема: Тепловые машины. Энтропия Тема: Тепловые машины Энтропия Основные понятия и определения Самопроизвольным называется процесс, происходящий без воздействия внешних сил В природе существует два вида термодинамических процессов: атимые

Подробнее

5.5. Диффузия. j n 1. средняя длина свободного пробега обратно пропорциональна давлению ~ 1 p. коэффициент диффузии обратно пропорционален давлению

5.5. Диффузия. j n 1. средняя длина свободного пробега обратно пропорциональна давлению ~ 1 p. коэффициент диффузии обратно пропорционален давлению 5.5. Диффузия. 5.5.. Самодиффузия. Если два различных газа разделены перегородкой а затем перегородку убрать то газы начнут перемешиваться (рис. 5.). Такое взаимопроникновение одного газа в среду другого

Подробнее

Лабораторная работа 11 ОПРЕДЕЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ТЕПЛОТЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ОЛОВА И ИЗМЕНЕНИЯ ЭНТРОПИИ В ПРОЦЕССЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Лабораторная работа 11 ОПРЕДЕЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ТЕПЛОТЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ОЛОВА И ИЗМЕНЕНИЯ ЭНТРОПИИ В ПРОЦЕССЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ Лабораторная работа 11 ОПРЕДЕЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ТЕПЛОТЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ОЛОВА И ИЗМЕНЕНИЯ ЭНТРОПИИ В ПРОЦЕССЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ Цель работы опытное определение удельной теплоты кристаллизации олова, определение

Подробнее

Дефекты в кристаллах

Дефекты в кристаллах Дефекты в кристаллах Дефекты с дробной размерностью. Фракталы Бесконечный кристалл с совершенным дальним порядком 0. Точечные дефекты 1. Линейные дефекты 2. Плоские дефекты 3. Квазикристаллы. Аморфные

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 21 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ ЖИДКОСТЕЙ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 21 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ ЖИДКОСТЕЙ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 21 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ ЖИДКОСТЕЙ Цель работы: измерение поверхностного натяжения жидкостей методом отрыва капель при комнатной температуре. Оборудование: капельница,

Подробнее

Второе начало термодинамики

Второе начало термодинамики Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет УПИ Второе начало термодинамики Вопросы для программированного контроля по физике Екатеринбург 2006 УДК 533

Подробнее

Лабораторная работа 60.1 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОТНОШЕНИЯ ТЕПЛОЕМКОСТЕЙ ВОЗДУХА. Теоретическое введение

Лабораторная работа 60.1 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОТНОШЕНИЯ ТЕПЛОЕМКОСТЕЙ ВОЗДУХА. Теоретическое введение 1 Лабораторная работа 601 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОТНОШЕНИЯ ТЕПЛОЕМКОСТЕЙ ВОЗДУХА Теоретическое введение Теплоемкостью тела называется величина, равная количеству теплоты, необходимому для нагревания данного тела

Подробнее

ВТОРОЕ НАЧАЛО ТЕРМОДИНАМИКИ. НЕРАВЕНСТВО КЛАУЗИУСА

ВТОРОЕ НАЧАЛО ТЕРМОДИНАМИКИ. НЕРАВЕНСТВО КЛАУЗИУСА Лекция 9 ВТОРОЕ НАЧАЛО ТЕРМОДИНАМИКИ. НЕРАВЕНСТВО КЛАУЗИУСА Термины и понятия Вечный двигатель Возрастание Второго рода Направление процесса Необратимый процесс Необратимый цикл Неравенство Клаузиуса Обратимый

Подробнее

ИЗБЫТОЧНАЯ СВОБОДНАЯ ЭНЕРГИЯ РАСТВОРА ПРИ ВЫДЕЛЕНИИ ЧАСТИЦ РАСТВОРЕННОГО КОМПОНЕНТА

ИЗБЫТОЧНАЯ СВОБОДНАЯ ЭНЕРГИЯ РАСТВОРА ПРИ ВЫДЕЛЕНИИ ЧАСТИЦ РАСТВОРЕННОГО КОМПОНЕНТА УДК 536.7:539.1:669.1 ИЗБЫТОЧНАЯ СВОБОДНАЯ ЭНЕРГИЯ РАСТВОРА ПРИ ВЫДЕЛЕНИИ ЧАСТИЦ РАСТВОРЕННОГО КОМПОНЕНТА В.Б. Федосеев Нижегородский филиал Института машиноведения РАН Методами равновесной химической

Подробнее

Лекция 1 4. ФAЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В ОДНОКОМПОНЕНТНЫХ СИСТЕМАХ Условие равновесного распределения компонента между фазами.

Лекция 1 4. ФAЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В ОДНОКОМПОНЕНТНЫХ СИСТЕМАХ Условие равновесного распределения компонента между фазами. 9. 02. 06 г. Лекция 1 4. ФAЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В ОДНОКОМПОНЕНТНЫХ СИСТЕМАХ. 4.1. Условие равновесного распределения компонента между фазами. 4.2. Правило фаз Гиббса. 4.3. Фазовые переходы в однокомпонентной

Подробнее

Третье начало термодинамики. Фазовые переходы

Третье начало термодинамики. Фазовые переходы http://lectoriy.mipt.ru 1 из 5 ЛЕКЦИЯ 4 Третье начало термодинамики. Фазовые переходы КПД цикла Карно: η = 1 Q x Q H = 1 x H, η = 1, если x = 0. Но тогда Q x = 0, следовательно, получится вечный двигатель

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Литневский Л. А.

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Литневский Л. А. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ 2006 Литневский Л. А. Физические Основы Электроники Зонная Теория Лекция 5. Твердого Тела http://webcenter.ru/~litnevsk 2 Содержание Введение 1. Металлы, диэлектрики, полупроводники

Подробнее

3.1 Основные формулировки второго закона термодинамики

3.1 Основные формулировки второго закона термодинамики 3. Основные формулировки второго закона термодинамики Второй закон термодинамики формулирует условия взаимных превращений теплоты и работы, не затрагивая вопроса об их количественных соотношениях. Р. Клаузиус

Подробнее

Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAs x. /GaN. N y. Н. В. Комаровских 1, Л. В. Фомина 2, С. А. Безносюк 1

Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAs x. /GaN. N y. Н. В. Комаровских 1, Л. В. Фомина 2, С. А. Безносюк 1 УДК 543.7+539.2 Н. В. Комаровских 1, Л. В. Фомина 2, С. А. Безносюк 1 1 Алтайский государственный университет, пр. Ленина, 61, 656049, Барнаул. Факс: (3852) 66-66-82; тел: (3852) 66-66-82; E-mail: bsa1953@mail.ru

Подробнее

Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от

Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен

Подробнее

ОБЩАЯ ТЕОРИЯ УПРУГОСТИ

ОБЩАЯ ТЕОРИЯ УПРУГОСТИ Глава 1 ОБЩАЯ ТЕОРИЯ УПРУГОСТИ 1.1 ДЕФОРМИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ 1.1.1 Упругость. Сплошная среда Опыт показывает, что твердое тело под влиянием внешних воздействий изменяет свою форму. К внешним воздействиям

Подробнее

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru Полупроводники Темы кодификатора ЕГЭ: полупроводники, собственная и примесная проводимость полупроводников. До сих пор, говоря о способности веществ проводить

Подробнее

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ (в помощь первокурсникам) Авторы-составители: проф. В.И.Николаев, асс. Т.А.

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ (в помощь первокурсникам) Авторы-составители: проф. В.И.Николаев, асс. Т.А. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ К ЭКЗАМЕНУ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ (в помощь первокурсникам) Авторы-составители: проф. В.И.Николаев, асс. Т.А.Бушина Вопросы разработаны на основе лекций, читавшихся студентам 1 потока

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 2 2. ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ

ЛЕКЦИЯ 2 2. ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ ЛЕКЦИЯ 2 2. ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ Кристаллы, атомы в которых расположены строго периодически, называют идеальными. Все реальные кристаллы обязательно содержат отклонения от идеальной структуры,

Подробнее

СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И ТЕРМОДИНАМИКА

СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И ТЕРМОДИНАМИКА Министерство образования Российской Федерации Федеральное агентство по образованию ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Малышевский ВС СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И ТЕРМОДИНАМИКА (КОНСПЕКТЫ ЛЕКЦИЙ)

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 13 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОКАЗАТЕЛЯ АДИАБАТЫ МЕТОДОМ КЛЕМАНА И ДЕЗОРМА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 13 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОКАЗАТЕЛЯ АДИАБАТЫ МЕТОДОМ КЛЕМАНА И ДЕЗОРМА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 13 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОКАЗАТЕЛЯ АДИАБАТЫ МЕТОДОМ КЛЕМАНА И ДЕЗОРМА Цель работы: определить показатель адиабаты и сравнить его величину с теоретическим значением. Оборудование: стеклянный

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 6 ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И СТРОЕНИЕ ЛИТОГО МЕТАЛЛА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 6 ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И СТРОЕНИЕ ЛИТОГО МЕТАЛЛА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 6 ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И СТРОЕНИЕ ЛИТОГО МЕТАЛЛА 1. Цель работы 1.1. Изучить процесс кристаллизации из растворов солей: описать последовательность кристаллизации на примере

Подробнее

ТЕРМОДИНАМИКА. Кафедра Э-6. Литература

ТЕРМОДИНАМИКА. Кафедра Э-6. Литература Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет

Подробнее

5.1. Фазовые переходы Рис. 5.1

5.1. Фазовые переходы Рис. 5.1 5.1. Фазовые переходы Во многих агрегатах теплоэнергетических и других промышленных установок применяемые в качестве теплоносителей и рабочих тел вещества находятся в таких состояниях, что свойства их

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Лекции по физике Факультет политологии МГУ имени М.В. Ломоносова. Молекулярная физика

Лекции по физике Факультет политологии МГУ имени М.В. Ломоносова. Молекулярная физика Лекции по физике Факультет политологии МГУ имени М.В. Ломоносова Молекулярная физика Основные понятия Теоретические подходы описания веществ Макроскопический (термодинамика) Микроскопический (МКТ) Макроскопические

Подробнее

Второе начало термодинамики.

Второе начало термодинамики. 9 декабря 2011 года ЛЕКЦИЯ 6 (14) Второе начало термодинамики. Ю.Л.Колесников, 2011 Тепловые машины Содержание Лекции 14: Понятие энтропии. Энтропия как функция состояния системы. Изменение энтропии как

Подробнее

Энергия Гиббса: открытие, значение, методы измерения. Васьков Е.А. КубГТУ. Краснодар, Россия

Энергия Гиббса: открытие, значение, методы измерения. Васьков Е.А. КубГТУ. Краснодар, Россия Энергия Гиббса: открытие, значение, методы измерения Васьков Е.А. КубГТУ Краснодар, Россия Gibbs energy: the opening, the importance of measuring methods Vaskov EA KubGTU Krasnodar, Russia Свободная энергия

Подробнее

Термодинамика необратимых процессов. Что мы уже знаем о равновесных и неравновесных состояниях, равновесных и неравновесных процессах?

Термодинамика необратимых процессов. Что мы уже знаем о равновесных и неравновесных состояниях, равновесных и неравновесных процессах? Лекция 5 Е. стр. 308-33, стр.39-35 Термодинамика необратимых процессов. Что мы уже знаем о равновесных и неравновесных состояниях, равновесных и неравновесных процессах? Равновесие. Состояние равновесия

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

Дефектыкристаллическойструктуры. 2. Протяжённыедефекты

Дефектыкристаллическойструктуры. 2. Протяжённыедефекты Дефектыкристаллическойструктуры 2. Протяжённыедефекты Дефекты в кристаллах (от лат. defectus недостаток, изъян), нарушения периодичности кристаллической структуры в реальных монокристаллах. БСЭ Различают

Подробнее

Лекция 4. Общая теория сплавов. Строение, кристаллизация и свойства сплавов. Диаграмма состояния.

Лекция 4. Общая теория сплавов. Строение, кристаллизация и свойства сплавов. Диаграмма состояния. Лекция 4 http://www.supermetalloved.narod.ru Общая теория сплавов. Строение, кристаллизация и свойства сплавов. Диаграмма состояния. 1. Понятие о сплавах и методах их получения 2. Основные понятия в теории

Подробнее

Теплопроводность в твердых телах А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1

Теплопроводность в твердых телах А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1 Теплопроводность в твердых телах 27.08.2013 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1 1. Закон Фурье Теплопроводность характеризует способность тела передавать тепловую энергию от одной его точки к другой, если между

Подробнее

4. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ

4. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ 4. ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ 4.1. Собственные точечные дефекты Существование точечных дефектов в кристаллах сначала постулировалось для объяснения некоторых аномалий проводимости щелочно-галоидных

Подробнее

Рис.1. Тепловое расширение кристаллов

Рис.1. Тепловое расширение кристаллов ЛЕКЦИЯ Тепловые свойства кристаллов. Тепловое расширение. Теплоемкость кристаллов. Закон Дюлонга и Пти. Трудности классической физики в объяснении температурной зависимости теплоемкости твердых тел. Тепловое

Подробнее

3.4. Спектр излучения абсолютно черного тела. Формула Планка

3.4. Спектр излучения абсолютно черного тела. Формула Планка 3.4. Спектр излучения абсолютно черного тела. Формула Планка Естественно предположить, что падающее на стенки излучающего тела электромагнитное излучение приведет к нагреву стенки и заставит атомы колебаться.

Подробнее

ОТЖИГ ДЛЯ СНЯТИЯ НАПРЯЖЕНИЙ

ОТЖИГ ДЛЯ СНЯТИЯ НАПРЯЖЕНИЙ 1 Министерство образования и науки Российской Федерации Санкт-Петербургский государственный морской технический университет А. М. Фирсов ОТЖИГ ДЛЯ СНЯТИЯ НАПРЯЖЕНИЙ Лабораторная работа Санкт-Петербург

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

Лекция 8. Конструкционная прочность материалов. Особенности деформации поликристаллических тел. Наклеп, возврат и рекристаллизация

Лекция 8. Конструкционная прочность материалов. Особенности деформации поликристаллических тел. Наклеп, возврат и рекристаллизация Лекция 8 http://www.supermetalloved.narod.ru Конструкционная прочность материалов. Особенности деформации поликристаллических тел. Наклеп, возврат и рекристаллизация 1. Конструкционная прочность материалов

Подробнее

Equation Chapter 1 Section Термодинамика сплошной среды.

Equation Chapter 1 Section Термодинамика сплошной среды. Equaion Chaper Secion.3. Термодинамика сплошной среды. Для того чтобы научиться выводить определяющие уравнения, мы должны научиться описывать термодинамические характеристики сплошной среды. Кроме изученных

Подробнее

4. ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В ОДНОКОМПОНЕНТНЫХ СИСТЕМАХ.

4. ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В ОДНОКОМПОНЕНТНЫХ СИСТЕМАХ. 4. ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В ОДНОКОМПОНЕНТНЫХ СИСТЕМАХ. Равновесие, для достижения которого необходимо изменение лишь межмолекулярных взаимодействий в системе, называется физическим равновесием. К числу таких

Подробнее

5. ФИЗИЧЕСКИЕ РАВНОВЕСИЯ В РАСТВОРАХ. 5.1 Парциальные мольные величины компонентов смеси.

5. ФИЗИЧЕСКИЕ РАВНОВЕСИЯ В РАСТВОРАХ. 5.1 Парциальные мольные величины компонентов смеси. 5 ФИЗИЧЕСКИЕ РАВНОВЕСИЯ В РАСТВОРАХ 5 Парциальные мольные величины компонентов смеси Рассмотрение термодинамических свойств смеси идеальных газов приводит к соотношению Ф = Σ Ф, (5) n где Ф любое экстенсивное

Подробнее

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел.

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. 1 1. Энергетические зоны в кристаллах. 2. Зонная структура металлов, диэлектриков, и полупроводников. 3. Собственная проводимость полупроводников.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель и содержание работы Целью работы является изучение свойств полупроводникового диода. Содержание работы состоит

Подробнее

(С) Успенская И.А. Конспект лекций по физической химии. (для студентов биоинженерии и биоинформатики) Москва, 2005 год

(С) Успенская И.А. Конспект лекций по физической химии. (для студентов биоинженерии и биоинформатики) Москва, 2005 год Московский государственный университет им.м.в.ломоносова Химический факультет Успенская И.А. Конспект лекций по физической химии (для студентов биоинженерии и биоинформатики) www.chem.msu.ru/teaching/uspenskaja/

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 11 (1) работу над окружающими телами.

ЛЕКЦИЯ 11 (1) работу над окружающими телами. ЛЕКЦИЯ Первое начало термодинамики. Применение I начала термодинамики к изопроцессам. Адиабатный процесс. Уравнение Пуассона. Скорость звука в газах. Первое начало термодинамики является обобщением закона

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 6 ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС. СПИНОВОЕ ЭХО. КИНЕТИКА РОСТА ЗАРОДЫШЕЙ ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ ПЕРВОГО РОДА

ЛЕКЦИЯ 6 ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС. СПИНОВОЕ ЭХО. КИНЕТИКА РОСТА ЗАРОДЫШЕЙ ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ ПЕРВОГО РОДА ЛЕКЦИЯ 6 ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС. СПИНОВОЕ ЭХО. КИНЕТИКА РОСТА ЗАРОДЫШЕЙ ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ ПЕРВОГО РОДА. Электронный парамагнитный резонанс В твердом теле с парамагнитными примесями, то

Подробнее

Лекция 7. АДСОРБЦИЯ ПОВЕРХНОСТНО-АКТИВНЫХ ВЕЩЕСТВ (ПАВ)

Лекция 7. АДСОРБЦИЯ ПОВЕРХНОСТНО-АКТИВНЫХ ВЕЩЕСТВ (ПАВ) Лекция 7. АДСОРБЦИЯ ПОВЕРХНОСТНО-АКТИВНЫХ ВЕЩЕСТВ (ПАВ) Адсорбцией называют самопроизвольное изменение (как правило, повышение) концентрации вещества вблизи поверхности раздела фаз. Важно: адсорбция может

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

Тема 1. Основы термодинамики (2 часа) Термодина мика (греч. θέρμη «тепло», δύναμις «сила») раздел физики, изучающий соотношения и превращения теплоты

Тема 1. Основы термодинамики (2 часа) Термодина мика (греч. θέρμη «тепло», δύναμις «сила») раздел физики, изучающий соотношения и превращения теплоты Тема 1 Основы термодинамики (2 часа) Термодина мика (греч θέρμη «тепло», δύναμις «сила») раздел физики, изучающий соотношения и превращения теплоты и других форм энергии В отдельные дисциплины выделились

Подробнее

Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAs x N y /GaN

Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAs x N y /GaN Физико-химические условия устойчивости наночипов GaAs/GaAs x N y /GaN Комаровских Н.В.,* а Фомина Л.В. б, Безносюк С.А. а a Алтайский государственный университет, пр. Ленина, 61, Барнаул. Факс: (3852)666

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

du = T ds - pdv + Σ µ i dn i (1) ds i > 0 (2) Это производство при определенных ограничениях выглядит как рост энтропии всей системы: ds U,V,n >0,

du = T ds - pdv + Σ µ i dn i (1) ds i > 0 (2) Это производство при определенных ограничениях выглядит как рост энтропии всей системы: ds U,V,n >0, Лекция.15 Что мы уже знаем о равновесных и неравновесных состояниях, равновесных и неравновесных процессах? Состояние равновесие. Состояние равновесие это состояние, в котором все параметры системы постоянны

Подробнее

Тихомиров Ю.В. СБОРНИК. контрольных вопросов и заданий с ответами. для виртуального физпрактикума. Часть 4. Основы статфизики.

Тихомиров Ю.В. СБОРНИК. контрольных вопросов и заданий с ответами. для виртуального физпрактикума. Часть 4. Основы статфизики. Тихомиров Ю.В. СБОРНИК контрольных вопросов и заданий с ответами для виртуального физпрактикума Часть 4. Основы статфизики. Термодинамика 4_1. АДИАБАТИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС... 2 4_2. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ МАКСВЕЛЛА...

Подробнее

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ПЛАН ИЗУЧЕНИЯ РАЗДЕЛА МОЛЕКУЛЯРНАЯ ФИЗИКА КУРСА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ПЛАН ИЗУЧЕНИЯ РАЗДЕЛА МОЛЕКУЛЯРНАЯ ФИЗИКА КУРСА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В. Ломоносова ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ПЛАН ИЗУЧЕНИЯ РАЗДЕЛА МОЛЕКУЛЯРНАЯ ФИЗИКА КУРСА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ Москва 2014 1 ПЛАН ЛЕКЦИЙ Лекция 1. Предмет

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

МКТ (окончание). Тепловое расширение. Поверхностное натяжение. (Лекция 5 в учебном году)

МКТ (окончание). Тепловое расширение. Поверхностное натяжение. (Лекция 5 в учебном году) МКТ (окончание). Тепловое расширение. Поверхностное натяжение (Лекция 5 в 2015-2016 учебном году) Средняя плотность числа ударов молекул о стенку в единицу времени При расчете среднего давления газа на

Подробнее

Л-1: ; Л-2: с

Л-1: ; Л-2: с Лекция 8 Волновое движение Распространение колебаний в однородной упругой среде Продольные и поперечные волны Уравнение плоской гармонической бегущей волны смещение, скорость и относительная деформация

Подробнее

Лекция 4. Почему и как идут химические реакции

Лекция 4. Почему и как идут химические реакции Лекция 4 Почему и как идут химические реакции 1 План лекции 1. Классификация химических реакций. 2. Стехиометрическое описание химической реакции. 3. Энергетическая кривая элементарной химической реакции.

Подробнее

Легирование нанокристаллов.

Легирование нанокристаллов. Легирование нанокристаллов. В.М.Кошкин, В.В.Слезов * Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт» 61002, Харьков, Украина, koshkin@kpi.kharkov.ua * Харьковский физико-технический

Подробнее

Основы термодинамики и молекулярной физики

Основы термодинамики и молекулярной физики Основы термодинамики и молекулярной физики Термодинамический цикл. Цикл Карно. 3 Второй закон термодинамики. 4 Неравенство Клаузиуса. 5 Энтропия системы. Тепловая машина Циклически действующее устройство,

Подробнее

Определение отношения теплоемкостей воздуха методом Клемана -Дезорма. Цель работы: Приборы и принадлежности: Теория и описание установки.

Определение отношения теплоемкостей воздуха методом Клемана -Дезорма. Цель работы: Приборы и принадлежности: Теория и описание установки. Лабораторная работа Определение отношения теплоемкостей воздуха методом Клемана -Дезорма. Цель работы: изучение термодинамических процессов в воздухе, эксперементальное определение отношения теплоемкостей

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ Выполнил: Проверил: студент

Подробнее

Д. А. Паршин, Г. Г. Зегря Физика Электростатика Лекция 25 ЛЕКЦИЯ 25

Д. А. Паршин, Г. Г. Зегря Физика Электростатика Лекция 25 ЛЕКЦИЯ 25 ЛЕКЦИЯ 25 Электрическое поле в пустотах диэлектрика. Формула Клаузиуса- Моссотти. Ориентационная поляризация. Закон Кюри. Термодинамика диэлектриков в электрическом поле. Диэлектрическая проницаемость

Подробнее

Лекция 3 5. ФИЗИЧЕСКИЕ РАВНОВЕСИЯ В РАСТВОРАХ Парциальные мольные величины компонентов смеси. Уравнения Гиббса-Дюгема

Лекция 3 5. ФИЗИЧЕСКИЕ РАВНОВЕСИЯ В РАСТВОРАХ Парциальные мольные величины компонентов смеси. Уравнения Гиббса-Дюгема Лекция 3. 03. 006 г. 5. ФИЗИЧЕСКИЕ РАВНОВЕСИЯ В РАСТВОРАХ 5.. Парциальные мольные величины компонентов смеси. Уравнения Гиббса-Дюгема 5.. Идеальные растворы. Закон Рауля. 5.3. Растворимость газов. 5.4.

Подробнее

Лекция Фазовый переход твёрдое тело жидкость.

Лекция Фазовый переход твёрдое тело жидкость. 16. 02. 2006 г. Лекция 2 4.4. Стабильность фаз 4.5 Фазовый переход твёрдое тело жидкость. 4.6 Фазовый переход твёрдое тело газ. 4.7 Фазовый переход жидкость газ. 4.8. Примеры фазовых диаграмм. 4.4 Стабильность

Подробнее

Краевой конкурс учебно-исследовательских и проектных работ учащихся «Прикладные вопросы математики» Математическое моделирование

Краевой конкурс учебно-исследовательских и проектных работ учащихся «Прикладные вопросы математики» Математическое моделирование Краевой конкурс учебно-исследовательских и проектных работ учащихся «Прикладные вопросы математики» Математическое моделирование Численное решение уравнения теплопроводности Безгодов Петр Александрович

Подробнее

концентрации газа свободных электронов

концентрации газа свободных электронов КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ: ТЕРМОЭМИСИЯ, ТЕРМО-ЭДС, ЭФФЕКТ ПЕЛЬТЬЕ. К термоэлектрическим явлениям относят явления, происходящие в области перехода между частями твердого

Подробнее

Лабораторная работа 32 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. Элементарная теория проводимости металлов

Лабораторная работа 32 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. Элементарная теория проводимости металлов Лабораторная работа 32 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ Цель работы - определение температурного коэффициента сопротивления меди. Приборы и принадлежности: исследуемый медный

Подробнее

1. ЭНЕРГЕТИКА ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ Превращение вещества. Взаимосвязь термодинамики и кинетики.

1. ЭНЕРГЕТИКА ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ Превращение вещества. Взаимосвязь термодинамики и кинетики. 1. ЭНЕРГЕТИКА ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ 1.1. Превращение вещества. Взаимосвязь термодинамики и кинетики. В связи с химическими и физическими преобразованиями материи возникает два вопроса: 1) Могут ли эти преобразования

Подробнее