Лабораторная работа 5 «ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА»

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Лабораторная работа 5 «ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА»"

Транскрипт

1 Лабораторная работа 5 «ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА»

2 1. Цель работы исследовать статические режимы и переходные процессы в схеме простого транзисторного ключа.

3 2. Ключевой режим работы транзистора Транзисторные ключи (ТК) находят широкое применение в силовых цепях вентильных преобразователей различного назначения, в качестве основных логических элементов применяются в устройствах вычислительной техники, в различных схемах автоматики. В ключевом режиме работы транзистора используются статические состояния ТК, в которых транзистор работает в зоне или отсечки, или насыщения. Во время переходных процессов при переключении из одного статического состояния в другое транзистор работает в нормальном и инверсном активном режимах. кэ Н Основными параметрами статических состояний ТК являются напряжение насыщения U и обратный ток I. Режим отсечки ТК (рис. 5.1) характеризуется высоким уровнем напряжения к 0 Uвых = Eк Iк Rк Eк. 0 U вх C1 R1 R3 R2 R к VT1 +E к U вых E см Рис 5.1 В режиме насыщения через ТК протекает ток

4 I кн Eк UкэН E = к. R R к Основными параметрами переходных процессов при включении ТК являются: t з время задержки; ф t длительность фронта. Основными параметрами переходных процессов при выключении ТК являются: t р время рассасывания накопленного в базе заряда; t с длительность среза. На рис. 5.2 представлены временные диаграммы, иллюстрирующие переходные процессы в ТК. Длительность фронта определяется по формуле где S коэффициент насыщения. Коэффициент насыщения определяется как S tф = τвln S 1, (5.1) S Iб Iб βстrк Iбн Eк = 1 = 1, где I бн ток базы насыщения; β ст статический коэффициент передачи по току. Для удобства измерения фронта его часто определяют как время нарастания тока от уровня 0,1 I до уровня 0,9 I кн. кн к В выражении (5.1) постоянная времени определяется как

5 1 τв = 2π f, в где f в верхняя граничная частота применяемого транзистора, включенного по схеме ОЭ. Ток базы, соответствующий границе насыщения, I I бн бн =. β ст Время рассасывания заряда в базе SIбн + Iб tр = τu ln Iбн + Iб где τ U время жизни неосновных носителей в базе в режиме насыщения ( τu мкс 2 3 ). 2 2,

6 U вх U вх.m t I б I б1 U бэ I к0 t З I б2 t Q τ в U бэ0 τ н I б1н τ U бэн τ н τ в t t I к τ в β I б1 β I б2 U кэ I к0 0,9 0,1 t Ф τ в τ в Рис Временные диаграммы работы транзисторного ключа I кн E = R t р к к t Ф t t

7 Время рассасывания характеризуется интервалом времени от момента подачи запирающего входного напряжения + E б2 до момента, когда заряд в базе уменьшается до граничного значения Qгр = Iбн τ, при котором транзистор переходит из насыщенного U состояния в активный режим. Если коллекторный переход запирается раньше эмиттерного ( τ к < τ э ), то транзистор переходит в нормальный активный режим. Если наоборот τ τ I t и ( э < к ) в инверсный активный режим. В последнем случае на зависимостях к ( ) Uк ( t ) появляется характерный выброс (см. рис. 5.2, штриховые линии). Заканчивается переходный процесс при включении транзистора срезом выходного напряжения (задним фронтом). Длительность t с можно оценить, считая, что процесс формирования заднего фронта заканчивается при Q 0. Тогда Iб 2 + Iбн tс = τвln S. Iбн Однако в реальных схемах большая часть длительности среза выходного напряжения приходится на режим отсечки транзистора. Поэтому длительность среза определяется постоянной времени τк = RC к к или τк = Rк( Cк + Cн) с учетом емкости нагрузки C н. Конденсатор С в схеме ТК (рис. 5.1, пунктир) является форсирующим. Он позволяет увеличить токи базы I б 1 и I б 2 на короткий промежуток времени, в то время как стационарные токи базы практически не меняются. Это приводит к повышению быстродействия ТК. Другим способом увеличения быстродействия ТК является введение нелинейной обратной связи. Диод с малым временем восстановления (диод Шоттки), включенный между коллектором и базой, предотвращает глубокое насыщение ТК, фиксируя потенциал коллектора относительно потенциала базы. Такие ТК называют ненасыщенными. При исследовании переходных процессов на вход схемы подаются импульсы положительной полярности амплитудой не более 10 В от генератора прямоугольных импульсов. В схеме макета предусмотрена возможность установки в коллекторной и базо-

8 вой цепях транзистора различных деталей (резисторов и конденсаторов) с целью исследования влияния их параметров на свойства исследуемого ключа. Так, возможна смена резисторов в коллекторной цепи, подключение к схеме ускоряющего конденсатора С1.

9 3. Оборудование, используемое в лабораторной работе: лабораторный стенд; комбинированный прибор «Сура», мультиметры; соединительные провода.

10 4. Задания на лабораторную работу Задание 1. Экспериментально определить статический коэффициент усиления по току транзистора, установленного в ключе. Задание 2. Исследовать динамические характеристики транзисторного ключа. Задание 3. Исследовать влияние форсирующего конденсатора на параметры переходных процессов.

11 5. Порядок выполнения работы Порядок выполнения задания 1 1. Подготовить стенд к работе, включив сетевой тумблер и кнопку СЕТЬ блока питания. 2. На источнике питания V 1 c помощью ручек ГРУБО и ПЛАВНО выставить напряжение 5 В. 3. На источнике питания V 2 выставить напряжение 15 В. 4. Выключить сетевой тумблер. 5. С помощью соединительных проводов подключить источник питания V 1 и V 2 согласно мнемосхеме. 6. Ручку потенциометра R5 повернуть до упора против часовой стрелки. 7. Установив среднее значение сопротивления к при R к = const. Заполнить табл I б I к R, снять зависимость I = f ( I ) к б Таблица По линейному участку полученной зависимости I f ( I ) = определить статический коэффициент усиления по току: β = Iк Iб. к б Порядок выполнения задания 2 1. На источнике питания V2 выставить напряжение 10 В.

12 2. Ручку потенциометра R 6 повернуть до упора по часовой стрелке. 3. Установить среднее значение базового тока I б в пределах, указанных в табл Изменяя величину сопротивления к табл R к I к Зависимость I f ( R ) R, снять зависимость I f ( R ) к = к при I б = const к =, заполнив к Таблица Определить величину сопротивления R к, соответствующую границе режима насыщения. Порядок выполнения задания 3 1. Подключить на вход транзисторного ключа задающий генератор (ЗГ). 2. Установить частоту выходного напряжения ЗГ f зг = 1кГц. 3. Изменяя амплитуду выходного напряжения ЗГ в диапазоне от 2 до 6 В, определить по осциллограммам параметры t с, t ф. 4. Для одного из значений выходного напряжения рассчитать по приведенным формулам параметры t ф, t р, t с и оценить расхождения измеренных и расчетных величин. 5. Исследовать влияние форсирующего конденсатора C ф на основные параметры переходных процессов. Представить осциллограммы выходных импульсов. 6. Отключить стенд.

13 6. Содержание отчета 1. Наименование лабораторной работы. 2. Цель работы. 3. Перечень приборов и оборудования. 4. Схема исследуемого ключа. 5. Результаты исследований Табл с результатами измерений Зависимости I = f ( I ), I f ( R ) 5.3. Расчет параметров t ф, t р, t с. к б к = к Осциллограммы импульсов. 6. Выводы по работе. 7. Ответы на контрольные вопросы.

14 7. Контрольные вопросы и задания 1. Как работает транзисторный ключ? 2. Какими основными параметрами характеризуется транзисторный ключ? 3. В чем смысл введения форсирующего конденсатора? 4. Как зависят параметры переходных процессов от насыщения? 5. Что такое инверсное запирание транзисторного ключа? 6. Как влияет амплитуда входного сигнала на параметры транзисторного ключа? 7. Что такое «динамические потери» транзисторного ключа? 8. Опишите методы снижения динамических потерь.

15 ГЛОССАРИЙ *.bod Расширение файла программы EWB для записи амплитудно- и фазо-частотных характеристик прибора Bode Plotter. *.scp Расширение файла программы EWB для записи переходных процессов прибора Oscilloscope. MASTECH M92A Мультиметр для измерения напряжений и токов. p n-переход Переход между областью полупроводника, обладающей избытком «дырок», и областью, где основными носителями заряда являются электроны. Этот переход обладает вентильными или выпрямляющими свойствами. Амплитудно-частотная характеристика усилителя переменного тока Зависимость коэффициента усиления k УПТ от частоты f является амплитудно-частотной характеристикой ku ( f ). U ВАХ (Вольтамперная характеристика) Зависимость между приложенным к прибору напряжением и протекающим через него током, выраженная аналитически и построенная графически: по оси абцисс напряжение, по оси ординат ток. ВАХ идеального p n-перехода Вольтамперная характеристика идеализированного p n-перехода описывается известным уравнением: qu I = I0 ( e kt 1), где I 0 обратный ток p n-перехода; q заряд электрона ( 19 q = 1, 6 10 Кл); k постоянная 23 Больцмана ( k = 1,38Дж 10град) ; T температура в градусах Кельвина.

16 Виды пробоя p n-перехода Существуют несколько видов пробоя p n-перехода в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике, от ширины p n-перехода и температуры: обратимый (электрический пробой); необратимые (тепловой и поверхностный пробои). Входная характеристика схемы с общим эмиттером Входной характеристикой для этой схемы является зависимость тока базы I б от напряжения между базой и эмиттером U при постоянной величине напряжения между эмиттером и коллектором: бэ ( ) Uкэ Iб = f U бэ = const. I Б U КЭ = 0 U КЭ 0 0 U БЭ Входные характеристики биполярного транзистора ( ) Uвых iвх = f U вх = const. Выпрямительные диоды Полупроводниковые приборы с одним электроннодырочным переходом (p n-переходом), использующиеся в различных устройствах для выпрямления переменного тока.

17 Выходная характеристика схемы с общим эмиттером зависимость тока коллектора I от напряжения между эмиттером и коллектором при неизменной величине тока базы к I б : Iк = f ( U кэ ) Iб = const. I К I Б4 I Б3 > I Б3 > I Б2 I Б2 > I Б1 I Б1 > 0 I Б = 0 0 UКЭ U Выходное сопротивление выпрямителя R 0 вых =, где U0 и I I 0 изменения 0 выпрямленного напряжения и выпрямленного тока, определенные из нагрузочной (внешней) характеристики выпрямителя: U ( ) = f I, 0 0 где I 0 постоянная составляющая выпрямленного тока. Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с общим истоком зависимость тока стока I от напряжения стока U с при неизменном напряжении на затворе I = f U =. U зи : с ( с ) Uзи const с

18 I C I С 0 U С U З1 U З2 U З3 U З4 > U З1 > U З2 > U З3 U С Выходные характеристики биполярного транзистора ( ) i вх Г-образный LC-фильтр: L iвых = f U вых = const ; U вх C U вых Граничная частота пропускания усилителя переменного тока На граничных частотах полосы пропускания амплитуда выходного сигнала снижается на 3 дб. Есть две граничные частоты верхняя и нижняя. Динамическое сопротивление Динамическое сопротивление определяется как ΔU отношение приращения напряжения к приращению тока: Rдин = ΔI

19 Дифференциальное сопротивление стока (выходное сопротивление) схемы включения с общим истоком: По выходным (стоковым) характеристикам определяют дифференциальное сопротивление стока (или выходное сопротивление) U R с с = зи const Iс U =, где I с приращение тока стока I с, соответствующее приращению напряжения сток-исток Uс при постоянном напряжении затвор-исток U зи = const. Длительность фронта транзисторного ключа определяется по формуле t ф где τ Â постоянная времени, S коэффициент насыщения. = τ в ln S S 1, Качество стабилизации напряжения на нагрузке оценивается коэффициентом U стабилизации при постоянном токе нагрузки: вх U K = : вых, где Uвых U вх.ном U вых.ном приращение выходного напряжения U 0 при изменении входного U вх на величину Uвх ; U, U номинальные значения напряжений на входе и выходе стабилизатора. вх.ном вых.ном Комбинированный прибор «СУРА» Комбинированный прибор, включающий в себя осциллограф, генератор синусоидальных и прямоугольных напряжений и блок питания, состоящий из двух одинаковых стабилизированных источников питания. Коэффициент насыщения транзисторного ключа определяется как Iб I 1 б β 1 стrк S = I = бн E, где I к бн ток базы насыщения; β ст статический коэффициент передачи по току. Коэффициент пульсаций выпрямителей и фильтров определяется отношением 2U q = ~, где U ~ действующее значение напряжения, измеряемое по вольтметру U 0

20 переменного тока; U 0 среднее значение напряжения, измеряемое по вольтметру постоянного тока. Коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения оценивается коэффициентом U m пульсаций К 1 п =, где U m1 амплитуда основной гармоники переменной U0 составляющей (гармоники с наименьшим порядковым номером); U 0 постоянная составляющая выпрямленного напряжения на нагрузке (среднее значение за период). Коэффициент сглаживания: Качество сглаживания определяется коэффициентом k сглаживания k п.вх сгл =, где k п.вх и k п.вых коэффициенты пульсаций на входе и kп.вых выходе фильтра соответственно. Коэффициент сглаживания фильтров q S =, где q коэффициент пульсаций на q входе фильтра, т. е. того выпрямителя, на основе которого исследуется фильтр; q 1 коэффициент пульсаций фильтра. Коэффициент схемы двухполупериодного выпрямителя Коэффициентом схемы для однополупериодного выпрямителя определяется U0 = 0,45 U2; где U 0 постоянная составляющая выпрямленного напряжения; U 2 действующее значение переменного напряжения на входе выпрямителя; 0,9 коэффициент схемы двухполупериодного выпрямителя. Коэффициент схемы однополупериодного выпрямителя Коэффициентом схемы для однополупериодного выпрямителя определяется U0 = 0,45 U2; где U 0 постоянная составляющая выпрямленного напряжения; U 2 действующее значение переменного напряжения на входе выпрямителя; 0,45 коэффициент схемы однополупериодного выпрямителя. 1

21 Коэффициент усиления по мощности KP = KUKi. Коэффициент усиления по напряжению K U U = вых. U вх Коэффициент усиления по току K i i = вых. i вх Коэффициент усиления усилителя переменного тока в децибелах (дб) УПТ L U, выраженный в децибелах (дб или db), можно выразить через k U следующим образом: LU = 20lg ku. Коэффициент усиления усилителя переменного тока в относительных единицах УПТ по напряжению k U можно определить как Uвых.а Uвых.д U k вых U = = =, где Uвх.а Uвх.д Uвх Uвых.а, Uвых.д, U вых амплитудное, действующее и среднее значения выходного гармонического сигнала (напряжения) УПТ; Uвх.а, Uвх.д, U вх амплитудное, действующее и среднее значения входного гармонического сигнала УПТ. Крутизна стокозатворной характеристики схемы включения с общим истоком: По стокозатворным характеристикам определяют крутизну S характеристики I S = с с const Uзи U =, где I с приращение тока стока I с, соответствующее приращению напряжения затвор-исток Uзи, при постоянном напряжении сток-исток U с = const.

22 Назначение Electronics Workbench (EWB) Программа Electronics Workbench предназначена для исследования электронных приборов и устройств методами имитационного моделирования. Назначение выпрями теля вторичного источника электропитания Выпрямитель на полупроводниковых диодах преобразует напряжение переменного тока в пульсирующее напряжение постоянного тока. Назначение сглаживающего фильтра Для сглаживания пульсаций выпрямленного напряжения между выпрямителем и нагрузкой включают сглаживающий фильтр. Назначение сглаживающего фильтра вторичного источника электропитания Сглаживающий фильтр, подключаемый к выходу выпрямителя, уменьшает пульсацию выходного напряжения. Назначение силового трансформатора вторичного источника электропитания Силовой трансформатор предназначен для получения необходимой величины переменного напряжения из напряжения сети, а также для гальванической развязки с сетью. Наименование выводов биполярного транзистора У биполярного транзистора есть база, эмиттер и коллектор. Наименование выводов полевого транзистора У полевого транзистора есть затвор, сток и исток. Напряжение насыщения транзисторного ключа Напряжение насыщения U кэ Н транзисторного ключа (ТК) измеряется между коллектором и эмиттером во включенном состоянии ТК. Напряжение отсечки U 0 Если продолжить линейный участок прямой ветви вольтамперной характеристики до пересечения с осью абсцисс, то получим точку U 0 напряжение отсечки, которое отделяет начальный пологий участок характеристики, где

23 динамическое сопротивление участка, где R дин мало. R дин сравнительно велико от круто изменяющегося Напряжение пробоя полупроводникового диода В паспортных данных диода всегда указывается предельно допустимое обратное напряжение U проб (напряжение лавинообразования), соответствующее началу пробоя p n-перехода. Область применения транзисторных ключей Транзисторные ключи находят широкое применение в силовых цепях вентильных преобразователей различного назначения, в качестве основных логических элементов применяются в устройствах вычислительной техники, в различных схемах автоматики. Обратная ветвь ВАХ стабилитрона: U ст.ном U ст.max U ст.min I ст 0 U I ст.min I ст.ном I ст.max Обратное номинальное значение напряжения полупроводникового диода составляет обычно 0,5 U проб и определяет класс прибора по напряжению. Так, класс 1 соответствует 100 В обратного напряжения, класс В и т. д. Обратный ток (ток утечки) транзисторного ключа Ток утечки I к 0 транзисторного ключа (ТК) измеряется в цепи «коллектор-эмиттер» в выключенном состоянии ТК (в режиме отсечки) и его величина много меньше номинального коллекторного тока

24 Основные параметры переходных процессов при включении транзисторного ключа: t з время задержки; t ф длительность фронта. Основные параметры переходных процессов при выключении транзисторного ключа: t р время рассасывания накопленного в базе заряда; t с длительность среза. Осциллограф Прибор для индикации напряжений в статическом и динамическом режимах. Параметрический стабилизатор напряжения на стабилитроне Простейшим электронным стабилизатором является параметрический стабилизатор, состоящий из балластного сопротивления R б и стабилитрона. U вх + R б I ст I 1 U ст VD I Н R н

25 Переходные (стокозатворные) характеристики схемы включения с общим истоком представляют собой зависимость тока стока I от напряжения между затвором и истоком U зи при постоянном напряжении стока с с U : ( ) Uс Iс = f U зи = const. U C2 > U C1 I C U C1 I C U ЗИ0 0 U ЗИ U ЗИ П-образный LC-фильтр: L U вх C 1 C 2 U вых Постоянная времени переходного процесса включения транзисторного ключа 1 определяется как τв = 2π f, где f в в верхняя граничная частота применяемого транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

26 Построитель частотных характеристик Bode Plotter позволяет анализировать амплитудно- и фазочастотные характеристики RLC-схем. Практическая методика определения длительности фронта Для удобства измерения длительности фронта его часто определяют как время нарастания тока от уровня 0,1 I кн до уровня 0,9 I кн от номинального тока коллектора. Простейшие сглаживающие фильтры Простейшими сглаживающими фильтрами являются емкостный и индуктивный. Рабочий участок ВАХ стабилитрона Для стабилитронов рабочим является участок пробоя на обратной ветви ВАХ, а напряжение пробоя (напряжение стабилизации) является одним из основных параметров. Режим Magnitude прибора Bode Plotter Режим построения амплитудно-частотных характеристик прибора Bode Plotter. Режим Phase прибора Bode Plotter Режим построения фазо-частотных характеристик прибора Bode Plotter. Среднегеометрическая частота полосы пропускания усилителя переменного тока Среднегеометрическая частота полосы пропускания усилителя переменного тока определяется как f ср = f нижн f верхн. или, по-другому, как корень квадратный из произведения нижней и верхней частот полосы пропускания усилителя

27 Стабилитроны Полупроводниковые приборы с одним электронно-дырочным переходом (p n-переходом), работающие на обратной ветви ВАХ, использующиеся в различных устройствах для стабилизации пульсирующего напряжения. Статические состояния транзисторного ключа В ключевом режиме работы транзистора используются статические состояния ТК, в которых транзистор работает в зоне или отсечки, или насыщения. Во время переходных процессов при переключении из одного статического состояния в другое транзистор работает в нормальном и инверсном активном режимах. Статическое сопротивление Статическое сопротивление, например в точке А, определяется как отношение напряжения и тока, соответствующих этой точке: U R A ст = = tgα. I A Структурная схема вторичного источника электропитания Вторичные источников питания включают, как правило, силовой трансформатор Т, выпрямитель В, сглаживающий фильтр Ф и стабилизатор напряжения С: Сеть Т В Ф С Нагрузка

28 Схема каскада с общей базой: R К R1 E к C1 VT1 C2 ~ U вых ~ U вх R3 R2 C3 Схема каскада с общим коллектором: R1 E К C1 VT1 C2 ~ U вх R2 R3 ~ U вых

29 Схема каскада с общим эмиттером: R1 Rк E C1 VT1 C2 ~ U вых к ~ U вх R2 R э C3 Упрощенная вольтамперная характеристика выпрямительного диода Для упрощения практических расчетов вольтамперную характеристику выпрямительного диода часто представляют на основе кусочно-линейной аппроксимации двумя участками прямых АВ и ВС, причем АВ идет по оси абсцисс, а наклон ВС определяется средним, прямым сопротивлением диода: U α arctg AC UAB = = arctg( Rпр.ср ), где R пр.ср I AC среднее значение сопротивления прямой ветви ВАХ. I AC A I I U AB U AC Вольтамперная характеристика диода B α C U U 0

30 Функциональный генератор Function Generator генерирует сигналы синусоидальной, треугольной и прямоугольной форм: Эмиттерный повторитель Другое название схемы усилительного каскада с общим коллектором. Выходное напряжение повторяет входное, усиление по напряжению отсутствует. Эффект от применения стабилизатора напряжения в схеме вторичного источника электропитания Если к выходному напряжению предъявляются высокие требования по стабильности при колебаниях напряжения сети и тока нагрузки, то в источник питания вводят стабилизатор напряжения

31 Возврат из справки Home PgUp PgDn Нажатие клавиши «Home» на клавиатуре вызывает переход к титульной странице документа. С титульной страницы можно осуществить переход к оглавлению (в локальной версии курса). Нажатие клавиши «PgUp» («PageUp») или показанных клавиш со стрелками на клавиатуре вызывает переход к просмотру предыдущей страницы относительно просматриваемой в настоящий момент согласно порядку их расположения в документе. Нажатие клавиши «PgDn» («PageDown») или показанных клавиш со стрелками на клавиатуре вызывает переход к просмотру следующей страницы относительно просматриваемой в настоящий момент согласно порядку их расположения в документе. Панель управления содержит перечень разделов, а также кнопки навигации, управления программой просмотра и вызова функции поиска по тексту. Просматриваемый в данный момент раздел. Доступные разделы. В зависимости от текущего активного раздела в перечне могут присутствовать подразделы этого раздела. Alt + F4 Нажатие комбинации клавиш «Alt»+«F4» на клавиатуре вызывает завершение работы программы просмотра документа (в локальной версии курса). Кнопка переключения между полноэкранным и оконным режимом просмотра. Нажатие левой клавиши «мыши» или вращение колёсика в направлении «от себя» вызывает переход к просмотру следую щей страницы относительно просматриваемой в настоящий момент согласно порядку их расположения в документе. Нажатие правой клавиши «мыши» или вращение колёсика в направлении «к себе» вызывает переход к просмотру предыдущей страницы относительно просматриваемой в настоящий момент согласно порядку их расположения в документе. Кнопки последовательного перехода к предыдущей и следующей страницам. Кнопка возврата к предыдущему виду. Используйте её для обратного перехода из глоссария. Кнопка вызова функции поиска по тексту. Кнопка перехода к справочной (этой) странице. Кнопка завершения работы.

1. Общие положения Курсовая работа предназначена для более глубокого усвоения теоретического материала курса и приобретения практических навыков

1. Общие положения Курсовая работа предназначена для более глубокого усвоения теоретического материала курса и приобретения практических навыков Общие положения Курсовая работа предназначена для более глубокого усвоения теоретического материала курса и приобретения практических навыков анализа и расчета аналоговых и дискретных электронных устройств

Подробнее

Операционные усилители

Операционные усилители Операционные усилители Лабораторные работы посвящены изучению операционных усилителей и схем их включения. В методическом пособии разъясняется принцип работы операционного усилителя, приводятся основные

Подробнее

Введение в электронику

Введение в электронику Федеральное агентство по образованию Российской Федерации (РФ) ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра Электронных приборов (ЭП) УТВЕРЖДАЮ Заведующий кафедрой

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

ООО «Д и м р у с» Реле контроля состояния изоляции КРУ IDR-10. Руководство по эксплуатации. г. Пермь

ООО «Д и м р у с» Реле контроля состояния изоляции КРУ IDR-10. Руководство по эксплуатации. г. Пермь ООО «Д и м р у с» Реле контроля состояния изоляции КРУ IDR-10 г. Пермь Оглавление 1. Введение... 3 1.1. Назначение... 3 1.2. Описание прибора «IDR-10»... 4 1.2.1. Технические характеристики прибора...

Подробнее

Пробники от А до Я. Учебное пособие

Пробники от А до Я. Учебное пособие Пробники от А до Я Учебное пособие Учебное пособие Селектор пробников Tektronix Этот онлайновый интерактивный инструмент позволяет выбирать пробники по серии, модели или по стандартам/ приложениям путем

Подробнее

12 КРИТЕРИЕВ ВЫБОРА ОСЦИЛЛОГРАФА

12 КРИТЕРИЕВ ВЫБОРА ОСЦИЛЛОГРАФА 12 КРИТЕРИЕВ ВЫБОРА ОСЦИЛЛОГРАФА 2 12 критериев выбора осциллографа В этом кратком руководстве описаны наиболее важные критерии, которые надо учитывать при выборе нового осциллографа. Если вам нужен осциллограф

Подробнее

Кафедра «Электроподвижной состав» Ю.С. Кабалык ИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ УСТРОЙСТВ ЭЛЕКТРОПОДВИЖНОГО СОСТАВА

Кафедра «Электроподвижной состав» Ю.С. Кабалык ИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ УСТРОЙСТВ ЭЛЕКТРОПОДВИЖНОГО СОСТАВА Министерство транспорта Российской Федерации Федеральное агентство железнодорожного транспорта Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Дальневосточный

Подробнее

HEXFET III: НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ МОЩНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ

HEXFET III: НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ МОЩНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ 1 D.GRANT Введение HEXFET III: НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ МОЩНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ AN-966A Фирма International Rectifier выпустила новое, третье поколение мощных МОП-транзисторов - HEXFET III. МОП-транзисторы третьего

Подробнее

Электротехника и электроника

Электротехника и электроника Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ПЕТРОЗАВОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Электротехника и электроника Часть II Переменный

Подробнее

ЧТО НУЖНО ДЕЛАТЬ И ЧЕГО НЕЛЬЗЯ, ИСПОЛЬЗУЯ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

ЧТО НУЖНО ДЕЛАТЬ И ЧЕГО НЕЛЬЗЯ, ИСПОЛЬЗУЯ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ 1 BRIAN R. PELLI Аннотация ЧТО НУЖНО ДЕЛАТЬ И ЧЕГО НЕЛЬЗЯ, ИСПОЛЬЗУЯ МОЩНЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫ AN-936A Как и все мощные полупроводниковые приборы, мощные МОП ПТ имеют свои собственные технические тонкости,

Подробнее

Анализ систем и сигналов: метод. указания к курсовой работе / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; Сост. К.Е. Воронов. Самара, 2006. 27 с.

Анализ систем и сигналов: метод. указания к курсовой работе / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; Сост. К.Е. Воронов. Самара, 2006. 27 с. Составитель К.Е. Воронов УДК 6.37 (075) Анализ систем и сигналов: метод. указания к курсовой работе / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; Сост. К.Е. Воронов. Самара, 006. 7 с. Приводятся сведения об основных этапах

Подробнее

Генераторы сигналов от А до Я. Учебное пособие

Генераторы сигналов от А до Я. Учебное пособие Содержание Полная измерительная система... 3 Генератор сигналов... 4 Аналоговый или цифровой... 5 Основные применения генератора сигналов... 6 Проверка...6 Тестирование цифровых модульных передатчиков

Подробнее

Описание программы Multisim Кирина М.,Фомина К. стр. 1 из 33. Программа схемотехнического моделирования Multisim

Описание программы Multisim Кирина М.,Фомина К. стр. 1 из 33. Программа схемотехнического моделирования Multisim Кирина М.,Фомина К. стр. 1 из 33 Программа схемотехнического моделирования Multisim Кирина М.,Фомина К. стр. 2 из 33 Содержание Введение..1 Возможные обозначения приставок и множителей 3 Горячие клавиши

Подробнее

ТЕОРИЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ (следящие системы)

ТЕОРИЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ (следящие системы) Министерство образования Российской Федерации Ульяновский государственный технический университет К. К. Васильев ТЕОРИЯ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ (следящие системы) -е издание Рекомендовано Учебно-методическим

Подробнее

Электронная техника. Начало

Электронная техника. Начало 1 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru Москатов Евгений Анатольевич Электронная техника. Начало 2010 2 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

Подробнее

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1 Цифровые устройства Цифровые устройства это электронные функциональные узлы, которые обрабатывают цифровые сигналы. Цифровые сигналы представляются двумя дискретными уровнями напряжений: высоким и низким

Подробнее

2ТРМ1 ИЗМЕРИТЕЛЬ-РЕГУЛЯТОР МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ

2ТРМ1 ИЗМЕРИТЕЛЬ-РЕГУЛЯТОР МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ 2ТРМ1 ИЗМЕРИТЕЛЬ-РЕГУЛЯТОР МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ Содержание Введение...3 1. Назначение прибора...6 2. Технические характеристики и условия эксплуатации...7 2.1. Технические

Подробнее

ТРМ1 ИЗМЕРИТЕЛЬ-РЕГУЛЯТОР МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ОДНОКАНАЛЬНЫЙ РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ

ТРМ1 ИЗМЕРИТЕЛЬ-РЕГУЛЯТОР МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ОДНОКАНАЛЬНЫЙ РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ ТРМ1 ИЗМЕРИТЕЛЬ-РЕГУЛЯТОР МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ОДНОКАНАЛЬНЫЙ РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ Содержание Введение...3 1. Назначение прибора...6 2. Технические характеристики и условия эксплуатации...7 2.1. Технические

Подробнее

Ильинский Николай Федотович

Ильинский Николай Федотович Ильинский Николай Федотович ОБЩИЙ КУРС ЭЛЕКТРОПРИВОДА ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОСНОВЫ МЕХАНИКИ ЭЛЕКТРОПРИВОДА ЭЛЕКТРОПРИВОДЫ ПОСТОЯННОГО ТОКА ЭЛЕКТРОПРИВОДЫ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ЭНЕРГЕТИКА ЭЛЕМЕНТЫ

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 143 ИЗУЧЕНИЕ СЛОЖЕНИЯ ВЗАИМНО ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЫХ КОЛЕБАНИЙ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 143 ИЗУЧЕНИЕ СЛОЖЕНИЯ ВЗАИМНО ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЫХ КОЛЕБАНИЙ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 43 ИЗУЧЕНИЕ СЛОЖЕНИЯ ВЗАИМНО ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЫХ КОЛЕБАНИЙ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА Цель и содержание работы Целью работы является изучение сложения взаимно перпендикулярных

Подробнее

УСЛОВИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И УСТАНОВЛЕНИЯ СИНУСОИДАЛЬНЫХ АВТОКОЛЕБАНИЙ В RC-ГЕНЕРАТОРАХ

УСЛОВИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И УСТАНОВЛЕНИЯ СИНУСОИДАЛЬНЫХ АВТОКОЛЕБАНИЙ В RC-ГЕНЕРАТОРАХ УДК 62.374 УСЛОВИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И УСТАНОВЛЕНИЯ СИНУСОИДАЛЬНЫХ АВТОКОЛЕБАНИЙ В -ГЕНЕРАТОРАХ Ю.К. Рыбин Томский политехнический университет E-mail: policom@policom.raen.ep.tpu.eu.ru В литературе по электронике

Подробнее

Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА ОМСК 008 Министерство транспорта и связи Российской Федерации Омский

Подробнее

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Лабораторная работа.8. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Цель работы: построение и изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока насыщения

Подробнее

ТРМ151-10 Универсальный программный измеритель-регулятор

ТРМ151-10 Универсальный программный измеритель-регулятор ТРМ151-10 Универсальный программный измеритель-регулятор руководство по эксплуатации Содержание 1 Содержание Введение...3 Аббревиатуры, используемые в руководстве...4 1 Назначение прибора...5 2 Технические

Подробнее

2ТРМ0 ИЗМЕРИТЕЛЬ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ

2ТРМ0 ИЗМЕРИТЕЛЬ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ 2ТРМ0 ИЗМЕРИТЕЛЬ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ Содержание Введение...3 1. Назначение прибора...6 2. Технические характеристики и условия эксплуатации...7 2.1. Технические

Подробнее

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ Оглавление: ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ И ОФОРМЛЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ... 2 ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ... 2 РАБОТА 1. ЗАКОНЫ

Подробнее

МЕТОДЫ практического конструирования при нормировании сигналов c датчиков

МЕТОДЫ практического конструирования при нормировании сигналов c датчиков AUTEX Ltd. МЕТОДЫ практического конструирования при нормировании сигналов c датчиков По материалам семинара «Practical design techniques for sensor signal conditioning» Перевод выполнен фирмой Автэкс.

Подробнее

Руководство по эксплуатации

Руководство по эксплуатации ЗАО «НПФ «РАДИО СЕРВИС» ОКП 422160 Измеритель сопротивления петли фаза-нуль ИФН-200 Руководство по эксплуатации Настоящее руководство по эксплуатации (РЭ) предназначено для ознакомления с устройством

Подробнее