КП7173А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "КП7173А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном"

Транскрипт

1 КП773А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n- канала, встроенным в цепь «затвор-исток» двухсторонним стабилитроном, предназначенный для использования в источниках питания телевизионных приемников, драйверах высокого напряжения, быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных аналоговых схемах, телекоммуникационных системах и другой радиоэлектронной аппаратуре. Зарубежный прототип STP4NK60Z фирмы STMicroelectronics Особенности Диапазон рабочих температур корпуса от - 45 до + 25 C Климатическое исполнение категории 5. ГОСТ550 Обозначение технических условий АДБК ТУ Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220AB) Назначение выводов Вывод Назначение Затвор 2 Сток 3 Исток КП773А (февраль 202г., редакция.)

2 Таблица. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации Наименование параметра (режим измерения), единица измерения Буквенное обозначение параметра Норма Максимально допустимое напряжение сток-исток, U СИ.mах 600 Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В U ЗИ mах ±30 Максимально допустимый постоянный ток стока ) (Т кор от минус 45 до 25 С), А I C mах 4,0 Максимально допустимый постоянный ток стока (Т кор = 00 С), А Максимально допустимый импульсный ток стока (t и 300 мкс), А Максимально допустимый постоянный прямой ток диода (Т кор = 25 С), А Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А I C mах 2,5 I C(и) mах 6 I пр.mах 4,0 I пр,и mах 6 Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность при температуре корпуса от минус 45 до 25 С, Вт 2) Р mах 70 Максимально допустимая температура перехода, С Т пер.mах 50 Тепловое сопротивление переход - корпус, С/Вт R θпер-кор,78 ) В диапазоне температур корпуса от 25 до 25 С значение I C mах снижается в соответствии с графиком, приведенным на рисунке 3. 2) В диапазоне температур корпуса от 25 до 25 С максимально допустимую рассеиваемую мощность рассчитывают по формуле: Р mах = (Т пер mах - Т кор ) / R θпер-кор Таблица 2. Электрические параметры транзистора, изменяющиеся в течение наработки Наименование параметра (режим измерения), единица измерения Буквенное Норма обозначение параметра не менее не более Температура корпуса, С Остаточный ток стока I С ост (U ЗИ = 0 В, U СИ = 600 В), мка (U ЗИ = 0 В, U СИ = 600 В), мка Ток утечки затвора (U ЗИ = ±20 В, U СИ =0 В), мка I З ут - ±20 25 КП773А (февраль 202г., редакция.) 2

3 Таблица 3. Справочные данные транзистора КП773А при Т КОР = (25±0) С Наименование параметра, режим и условия измерения, единица измерения Остаточный ток стока (U ЗИ = 0 В, U СИ = 600 В), мка Буквенное обозначение Значение параметра Мин. Типовое Макс. I С ост Ток утечки затвора (U ЗИ = ±20 В, U СИ = 0 В), мка I З ут - - ±0 Ток стока (U ЗИ = 0 В, U СИ = 2 В, t и 300 мкс, Q 50), А I С 4,0 - - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (U ЗИ = 0 В, I С = 2,0 А, t и 300 мкс, Q 50), Ом Крутизна характеристики (U СИ = 25 В, I С = 2,0 А, t и 300 мкс, Q 50), А/В Постоянное прямое напряжение диода (U ЗИ = 0 В, I пр = 4,0 А, t и 300 мкс, Q 50), В Пороговое напряжение (U ЗИ = U CИ, I С = 50 мка), В Максимально допустимая энергия одиночного импульса, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя (U СИ = 50 В, I С = 4 А, R г = 25 Ом, R C = 3 Ом, L = 3,7 мгн, T пер нач. = 25 C), мдж Максимально допустимая энергия повторяющихся импульсов, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя (U СИ = 50 В, I С = 4 А, R г = 25 Ом, R C = 3 Ом, L = 0,28 мгн, T кор = 25 C, f = 50 Гц), мдж Входная емкость (U ЗИ = 0 В, U СИ = 25 В, f = МГц), пф Выходная емкость (U ЗИ = 0 В, U СИ = 25 В, f = МГц), пф Проходная емкость (U ЗИ = 0 В, U СИ = 25 В, f = МГц), пф Время включения (I С = 2,0 А, U СИ = 300 В, R г = 4,7 Ом, U ЗИ = 0 В), нс Время выключения (I С = 2,0 А, U СИ = 300 В, R г = 4,7 Ом, U ЗИ = 0 В), нс R СИ отк - - 2,0 S 2,4 - - U пр - -,6 U ЗИ.пор 3,0-4,5 Е AS Е AR - - 2,4 С И С 22И С 2И t вкл t выкл КП773А (февраль 202г., редакция.) 3

4 Таблица 4. Основные электрические параметры при приемке и поставке Наименование параметра (режим измерения), единица измерения Буквенное обозначение параметра не менее Норма не более Температура, корпуса (среды), С Остаточный ток стока I С ост (U ЗИ = 0 В, U СИ = 600 В), мка (U ЗИ = 0 В, U СИ = 600 В), мка (U ЗИ = 0 В, U СИ = 500 В), мка - 0 (-45) Ток утечки затвора (U ЗИ = ±20 В, U СИ = 0 В), мка I З ут - ±0 25 Ток стока (U ЗИ = 0 В, U СИ = 2 В, t и 300 мкс, Q 50), А Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (U ЗИ = 0 В, I С = 2,0 А, t и 300 мкс, Q 50), Ом Крутизна характеристики (U СИ = 25 В, I С = 2,0 А, t и 300 мкс, Q 50), А/В Пороговое напряжение (U ЗИ = U CИ, I С = 50 мка), В Постоянное прямое напряжение диода (U ЗИ = 0 В, I пр = 4,0 А, t и 300 мкс, Q 50), В I С 4,0-25 R СИ отк - 2,0 25 S 2,4-25 U ЗИ.пор 3,0 4,5 25 U пр -,6 25 Указания по применению и эксплуатации транзистора Указания по применению и эксплуатации по ГОСТ 630, ОСТ и РД с дополнениями и уточнениями, изложенными в настоящем разделе. Основное назначение транзисторов использование в источниках питания телевизионных приемников, драйверах высокого напряжения, быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных аналоговых схемах, телекоммуникационных системах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3-4 слоя) типа УР-23 по ТУ 6-2-4, ЭП-730 по ГОСТ с последующей сушкой каждого слоя. Допустимое значение статического потенциала 000 В в соответствии с ОСТ Степень жесткости V. Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки и паяльником. Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуре по ОСТ Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. Температура припоя не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения не более 2 с. Число допустимых перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. КП773А (февраль 202г., редакция.) 4

5 Допускаются другие режимы пайки при условии сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что подтверждается проведением ресурсных испытаний на предприятии потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий. При монтаже транзисторов на теплоотводящий радиатор необходимо соблюдать следующие требования: для улучшения теплового баланса установку транзисторов на радиатор необходимо осуществлять с помощью теплопроводящих паст; запрещается припайка теплоотвода корпуса к радиатору; в случае необходимости изоляции корпуса транзистора от радиатора, необходимо учитывать тепловое сопротивление изолирующей прокладки или пасты; рекомендуемая схема крепления транзисторов на радиаторе приведена на рисунке. При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить за корпус. Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода не менее 5 мм. Изгиб допускается в плоскости перпендикулярной плоскости расположения выводов. Радиус изгиба (2,5±0,3) мм. При изгибе и формовке выводов необходимо применять специальные шаблоны, а также обеспечить неподвижность выводов между местом изгиба и корпусом транзистора. Рисунок. Рекомендуемая схема крепления сборки в корпусе КТ-28-2 на радиаторе с использованием скобы (пружинной клипсы) при эксплуатации КП773А (февраль 202г., редакция.) 5

6 U пр, мв ,5,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 I пр, А Рисунок. - Типовая зависимость прямого падения напряжения U пр от прямого тока диода I пр при различных значениях температуры перехода Тпер = 25 С Тпер = 50 С S, А/В 4 3,5 3 2,5 2,5 0,5 0,5,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 I С, А Рисунок 2. - Типовая зависимость крутизны S от тока стока I С при напряжении сток-исток U СИ = 25 В КП773А (февраль 202г., редакция.) 6

7 2 R СИ отк, Ом,95,9,85,8,75,7,65,6 0 0,5,5 2 2,5 3 3,5 4 I С, А Рисунок 3. - Типовая зависимость сопротивления сток исток в открытом состоянии R СИ отк от тока стока I С при напряжении затвор-исток U ЗИ = 0 В и температуре перехода Т пер = 25 С 9 I С, А Uзи = 0 В Uзи = 8 В Uзи = 7 В Uзи = 6 В Uзи = 5 В Uси, В Рисунок 4. - Типовая зависимость тока стока I C от напряжения сток- исток U СИ при различных значениях напряжения затвор-исток Uзи и температуре перехода Т пер = 25 С КП773А (февраль 202г., редакция.) 7

8 -I пр, А Тпер = 25 С Тпер = 50 С U СИ, В Рисунок 5. - Типовая зависимость прямого тока диода I пр от напряжения сток-исток U СИ при различных значениях температуры перехода U пр, В 0,9 0,85 0,8 0,75 0,7 0, I пр, А Рисунок 6. - Типовая зависимость прямого напряжения диода U пр от прямого тока диода I пр при нормальных климатических условиях КП773А (февраль 202г., редакция.) 8

9 ,2 U СИ.проб,норм, 0, Т пер, С Рисунок 7. - Нормализованная зависимость пробивного напряжения сток-исток от температуры перехода при токе стока Ic=00 мка (Uси.проб.(Tпер)/Uси.проб.(Тпер=+25 С)). U ЗИ.пор,2 U ЗИ.пор (Т пер = 25 C), 0,9 0,8 0,7 0, Т пер, С Рисунок 8. - Нормализованная зависимость порогового напряжения затвор-исток от температуры перехода Т пер при токе стока I С = 50 мка КП773А (февраль 202г., редакция.) 9

10 R СИ.отк 2,2 R СИ.отк (Т пер = 25 C) 2, 2,9,8,7,6,5,4,3,2, 0, Т пер, С Рисунок 9. - Нормализованная зависимость сопротивления сток-исток в открытом состоянии от температуры перехода Т пер при напряжении затвор-исток U ЗИ = 0 В, токе стока I С = 4 А R СИ.отк, R СИ.отк (Т пер = 25 C),08,06,04,02 0,98 0,96 0,94 0, Т пер, С Рисунок 0. - Нормализованная зависимость сопротивления сток-исток в открытом состоянии от температуры перехода Т пер при напряжении затвор-исток U ЗИ = 0 В, токе стока I С = 2 А в диапазоне температур от 5 до 35 С КП773А (февраль 202г., редакция.) 0

11 I С, А 0 0, Ограничение по Pmax Ограничение по Rси Ограничение по Iс max Ограничение по Uси max 0,0 0,0 0, U СИ, В Рисунок. - Область максимальных режимов по постоянному току стока I С и напряжению сток-исток U СИ при температуре корпуса Т кор = 25 С, температуре перехода Т пер не более 50 С С, пф СИ С22И С2И U СИ, В Рисунок 2. - Типовая зависимость входной (С И ), выходной (С 22И ) и проходной (С 2И ) емкостей от напряжения сток исток U СИ при напряжении затвор-исток Uзи = 0 В и частоте f = МГц КП773А (февраль 202г., редакция.)

12 4,5 I С max, А 4 3,5 3 2,5 2,5 0, Т кор, С Рисунок 3. Типовая зависимость максимального тока стока I С max от температуры корпуса Т кор ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие. ОАО ИНТЕГРАЛ сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик изделий без предварительного уведомления. Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО ИНТЕГРАЛ чаще всего является ближайшим или функциональным аналогом. Контактная информация предприятия доступна на сайте: КП773А (февраль 202г., редакция.) 2

±30. КП7173А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном.

±30. КП7173А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном. КП773А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором,

Подробнее

КДШ2162 сборки диодные с общим катодом

КДШ2162 сборки диодные с общим катодом КДШ2162 сборки диодные с общим катодом Назначение Сборки диодные КДШ2162БС, КДШ2162БС9 с общим катодом, состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки, выполненные в пластмассовых

Подробнее

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор Назначение Тиристоры КУ405А (8А, 600В) и КУ405Б (8А, 800В) кремниевые триодные, не проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду. Предназначены

Подробнее

КТ541А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор

КТ541А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ541А кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в выходных каскадах

Подробнее

2П7172 полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом

2П7172 полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом 2П772 полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом Назначение Кремниевый эпитаксиально планарный полевой с изолированным затвором, обогащением

Подробнее

КУ613 симметричный триодный тиристор (триак)

КУ613 симметричный триодный тиристор (триак) КУ613 симметричный триодный тиристор (триак) Назначение Тиристоры КУ613А, КУ613Б кремниевые планарные симметричные триодные, в пластмассовом корпусе, функционирующие в трех квадрантах полярности напряжения

Подробнее

2П7233 n-канальный МОП транзистор (предварительная спецификация)

2П7233 n-канальный МОП транзистор (предварительная спецификация) 2П7233 n-канальный МОП транзистор (предварительная спецификация) Назначение Транзистор 2П7233А кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И N КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И N КАНАЛОМ КП55А КП55Г АДБК.43214.691 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением N-канала транзисторы КП55А, КП55Б, КП55В, КП55Г в пластмассовом корпусе КТ-26, предназначены

Подробнее

2Т839А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор

2Т839А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор. Предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания,

Подробнее

2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки

2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки 2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные диод 2ДШ142А9 и сборка диодная 2ДШ142АС9 (состоит из двух соединенных последовательно диодов)

Подробнее

КДШ143Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки [ предварительная спецификация ]

КДШ143Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки [ предварительная спецификация ] Назначение КДШ143Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки [ предварительная спецификация ] Кремниевый эпитаксиально-планарный диод Шоттки КДШ143А9 и сборка кремниевых эпитаксиальнопланарных

Подробнее

2П7145 N-канальный полевой транзистор

2П7145 N-канальный полевой транзистор 2П7145 Nканальный полевой транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально планарные полевые nканальные со встроенным диодом транзисторы 2П7145А/ИМ, 2П7145Б/ИМ в металлостеклянном корпусе КТ9 и транзисторы

Подробнее

2П524 N-канальный МОП транзистор

2П524 N-канальный МОП транзистор 2П524 N-канальный МОП транзистор Назначение 2П524 - кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный

Подробнее

2ДШ2121АС/ИМ кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки

2ДШ2121АС/ИМ кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки 2ДШ2121АС/ИМ кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки Назначение Диодная сборка двух кремниевых эпитаксиально планарных кристаллов диодов с барьером Шоттки с общим катодом. Предназначена

Подробнее

2ТД8307А9 составной биполярный n-p-n транзистор

2ТД8307А9 составной биполярный n-p-n транзистор 2ТД8307А9 составной биполярный n-p-n транзистор Назначение Кремниевый эпитаксиально планарный составной биполярный n-p-n транзистор предназначен для использования в усилителях, электронных коммутационных

Подробнее

2Т845А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор

2Т845А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т845А/ИМ переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор Назначение Кремниевый планарный переключательный мощный n-р-n транзистор в металлостеклянном корпусе. Предназначен для использования в

Подробнее

КП748 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор

КП748 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП748 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены

Подробнее

КУ251 тиристоры кремниевые триодные (1 А, 400 В; 1 А, 600 В; 1 А, 800 В)

КУ251 тиристоры кремниевые триодные (1 А, 400 В; 1 А, 600 В; 1 А, 800 В) КУ251 тиристоры кремниевые триодные (1 А, 400 В; 1 А, 600 В; 1 А, 800 В) Назначение Незапираемые кремниевые триодные тиристоры ( проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду). Предназначены

Подробнее

2П525 N-канальный МОП транзистор

2П525 N-канальный МОП транзистор 2П525 N-канальный МОП транзистор Назначение Транзистор 2П525А9 кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП82А КП82Б аа. 336. 82 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП82А, КП82Б в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного

Подробнее

КП743 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор

КП743 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП743 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП81А КП81Б КП81В КП81Г аа. 336. 64 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП81А, КП81Б, КП81В, КП81Г в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в выходных

Подробнее

К1280 стабилизатор напряжения положительной полярности

К1280 стабилизатор напряжения положительной полярности К1280 стабилизатор напряжения положительной полярности Назначение Микросхема представляет собой линейный маломощный низковольтный стабилизатор напряжения положительной полярности с низким остаточным напряжением.

Подробнее

К142ЕР2ххИМ прецизионный источник опорного напряжения

К142ЕР2ххИМ прецизионный источник опорного напряжения К142ЕР2ххИМ прецизионный источник опорного напряжения Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный прецизионный источник опорного напряжения (регулируемый стабилизатор параллельного типа). Микросхемы

Подробнее

К1274 линейная интегральная микросхема вольт-детектора

К1274 линейная интегральная микросхема вольт-детектора К1274 линейная интегральная микросхема вольт-детектора Назначение Микросхемы серии К1274СПххП являются аналоговыми вольт-детекторами и могут применяться как супервизоры питания для сброса микропроцессоров

Подробнее

К1331 микросхема электроподжига газовых плит

К1331 микросхема электроподжига газовых плит К1331 микросхема электроподжига газовых плит (ОКР Топаз». Предварительная техническая спецификация) Назначение Интегральные микросхемы серии К1331 предназначены для управления конденсаторными многоискровыми

Подробнее

К1323 контроллер электронного коммутатора для бесконтактных систем зажигания с датчиком Холла

К1323 контроллер электронного коммутатора для бесконтактных систем зажигания с датчиком Холла К1323 контроллер электронного коммутатора для бесконтактных систем зажигания с датчиком Холла Назначение Микросхема предназначена для использования в системах бесконтактного электронного зажигания, применяющих

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802А Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802А в металлостеклянном корпусе

Подробнее

КР1180 серия стабилизаторов напряжения положительной полярности

КР1180 серия стабилизаторов напряжения положительной полярности КР1180 серия стабилизаторов напряжения положительной полярности Назначение ИМС представляет собой стабилизатор напряжения положительной полярности с фиксированным выходным напряженим номиналами 5.0 В,

Подробнее

К1247ЕР1С регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности с низким остаточным напряжением

К1247ЕР1С регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности с низким остаточным напряжением К1247ЕР1С регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности с низким остаточным напряжением Назначение Микросхема мощного регулируемого стабилизатора напряжения с низким остаточным напряжением

Подробнее

КР1199 серия стабилизаторов напряжения отрицательной полярности

КР1199 серия стабилизаторов напряжения отрицательной полярности КР1199 серия стабилизаторов отрицательной полярности Назначение Микросхема представляет собой стабилизатор отрицательной полярности с фиксированным выходным напряженим значением 5.0 В, 6.0 В, 8.0 В, 9.0

Подробнее

Серия 1114ИМ ШИМ-контроллер с обратной связью по току и напряжению

Серия 1114ИМ ШИМ-контроллер с обратной связью по току и напряжению Серия 1114ИМ ШИМ-контроллер с обратной связью по току и напряжению Назначение Микросхемы 1114ЕУ7/ИМ, 1114ЕУ8/ИМ, 1114ЕУ9/ИМ, 1114ЕУ10/ИМ представляют собой схемы ШИМ контроллера с обратной связью по току

Подробнее

К1282 серия стабилизаторов напряжения положительной полярности

К1282 серия стабилизаторов напряжения положительной полярности К1282 серия стабилизаторов напряжения положительной полярности Назначение Микросхемы представляет собой серию стабилизаторов напряжения положительной полярности с регулируемым выходым напряжением (диапазон

Подробнее

КТ8301А-5 Мощный транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения

КТ8301А-5 Мощный транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения КТ831А-5 Мощный транзистор с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения Назначение Транзисторы кремниевые, бескорпусные, эпитаксиально-планарные, n-p-n, мощные, с демпферным диодом, с контактными

Подробнее

шифр «Трактат» «Разработка и освоение ряда силовых n- и p-канальных полевых транзисторов, в металлокерамическом

шифр «Трактат» «Разработка и освоение ряда силовых n- и p-канальных полевых транзисторов, в металлокерамическом шифр «Трактат» Разработка и освоение ряда силовых n- и p-канальных полевых транзисторов, в металлокерамическом корпусе 1 Наименование, шифр ОКР, основание, исполнитель и сроки выполния ОКР «Разработка

Подробнее

К1268 стабилизатор напряжения положительной полярности

К1268 стабилизатор напряжения положительной полярности К18 стабилизатор напряжения положительной полярности Назначение Интегральные микросхемы К18ЕН3П и К18ЕН5П представляют собой маломощные стабилизаторы напряжения положительной полярности с низким остаточным

Подробнее

Серия 142ИМ прецизионные источники опорного напряжения

Серия 142ИМ прецизионные источники опорного напряжения Серия 142ИМ прецизионные источники опорного напряжения Назначение Микросхемы интегральные 142ЕР1УИМ, 142ЕР1ТИМ, 142ЕР2УИМ - регулируемые стабилизаторы напряжения параллельного типа, предназначенные для

Подробнее

2Т847А-5/ИМ кремниевый биполярный высоковольтный транзистор

2Т847А-5/ИМ кремниевый биполярный высоковольтный транзистор 2Т847А/ИМ кремниевый биполярный высоковольтный транзистор Назначение Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные NPN транзисторы 2Т847А/ИМ, поставляемые на общей пластине (неразделенными).

Подробнее

КДШ2122А-5 кремниевый диод с барьером Шоттки

КДШ2122А-5 кремниевый диод с барьером Шоттки КДШ2122А5 кремниевый диод с барьером Шоттки Назначение Диоды КДШ2122А5 бескорпусные кремниевые планарные (с барьером Шоттки) с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов (кристалл),

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802Б Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802Б в металлостеклянном корпусе

Подробнее

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации. Uзи макс. Uси макс. Рср макс. tп мaкс. f вд

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации. Uзи макс. Uси макс. Рср макс. tп мaкс. f вд Кремниевый мощный СВЧ полевой транзистор Описание Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83 Золотая металлизация

Подробнее

2Е802А-5 биполярный транзистор с изолированным затвором

2Е802А-5 биполярный транзистор с изолированным затвором 2Е802А5 биполярный транзистор с изолированным затвором Назначение Бескорпусные кремниевые планарные биполярные с изолированным затвором, поставляемые на общей пласти (разделенными). Предназначены для внутренго

Подробнее

К1482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий

К1482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий К482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий Назначение Интегральное однокристальное устройство, включающее транзисторные, тиристорные и диодные элементы. Микросхема

Подробнее

КР512ПС6 временное устройство с переменным коэффициентом деления

КР512ПС6 временное устройство с переменным коэффициентом деления КР512ПС6 временное устройство с переменным коэффициентом деления Назначение Микросхема КР512ПС6 представляет собой временное устройство с переменным коэффициентом деления. Содержит 700 интегральных элементов.

Подробнее

К1285ЕР1П стабилизатор напряжения положительной полярности

К1285ЕР1П стабилизатор напряжения положительной полярности К1285ЕР1П стабилизатор напряжения положительной полярности Назначение Микросхема представляет собой регулируемый стабилизатор напряжения положительной полярности с защитой от перегрева кристалла и ограничением

Подробнее

КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор

КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах

Подробнее

К1254 стабилизатор напряжения положительной полярности

К1254 стабилизатор напряжения положительной полярности К1254 стабилизатор напряжения положительной полярности Назначение Микросхема представляет собой стабилизатор напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения. Предназначена для использования

Подробнее

К1330НК1Н4 бескорпусная интегральная микросхема защиты регуляторов напряжения

К1330НК1Н4 бескорпусная интегральная микросхема защиты регуляторов напряжения К1330НК1Н4 бескорпусная интегральная микросхема защиты регуляторов напряжения Назначение К1330НК1Н4 бескорпусная интегральная микросхема (диодно-резисторная сборка) для защиты регуляторов напряжения автомобильной

Подробнее

Транзисторы предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 230МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Транзисторы предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 230МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации П8А Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор Описание Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83 Золотая

Подробнее

К1242 прецизионный источник опорного напряжения

К1242 прецизионный источник опорного напряжения К1242 прецизионный источник опорного напряжения Назначение Кремниевый эпитаксиальнопланарный прецизионный источник опорного напряжения К1242 это трехполюсной шунтрегулятор напряжения с параллельным включением

Подробнее

КР1181 серия стабилизаторов напряжения положительной полярности

КР1181 серия стабилизаторов напряжения положительной полярности КР1181 серия стабилизаторов положительной полярности Назначение Микросхема представляет собой стабилизатор положительной полярности с фиксированным выходным напряженим значением 5В, 6В, 8В, 9В, 12В, 15В,

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 в металлокерамическом корпусе КТ-19А-3 с планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры,

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б в металлостеклянном корпусе КТ-97В с неизолированным фланцем и планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных

Подробнее

К1301 КМОП преобразователь напряжения

К1301 КМОП преобразователь напряжения К131 КМОП преобразователь напряжения Назначение Микросхема представляет собой КМОП преобразователь напряжения питания из положительного в отрицательное. Входному диапазону от +1,5 В до +1 В соответствует

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

Транзисторы предназначены для использования в усилителях мощности на частотах до 230 МГц

Транзисторы предназначены для использования в усилителях мощности на частотах до 230 МГц Кремниевый мощный СВЧ полевой транзистор Описание Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-8 Золотая металлизация

Подробнее

К1254 стабилизатор напряжения положительной полярности

К1254 стабилизатор напряжения положительной полярности К1254 стабилизатор напряжения положительной полярности Назначение Микросхема представляет собой стабилизатор напряжения положительной полярности с низким напряжением насыщения. Предназначена для использования

Подробнее

К1317ЕН2.5Н4 стабилизатор напряжения положительной полярности (1,5 А; 2,5 В) ((предварительная спецификация)

К1317ЕН2.5Н4 стабилизатор напряжения положительной полярности (1,5 А; 2,5 В) ((предварительная спецификация) К1317ЕН2.5Н4 стабилизатор напряжения положительной полярности (1,5 А; 2,5 В) ((предварительная спецификация) Назначение Микросхема представляет собой линейный интегральный стабилизатор напряжения положительной

Подробнее

Предназначен для использования в импульсных источниках питания, требующих поддержание режима постоянного напряжения и постоянного тока.

Предназначен для использования в импульсных источниках питания, требующих поддержание режима постоянного напряжения и постоянного тока. Серия К1294 контроллер постоянного напряжения и постоянного тока для адаптеров и зарядных устройств Назначение Контроллер постоянного напряжения и постоянного тока для адаптеров и зарядных устройств. Предназначен

Подробнее

К1332 стабилизатор напряжения положительной полярности

К1332 стабилизатор напряжения положительной полярности К1332 стабилизатор напряжения положительной полярности Назначение Микросхема представляет собой стабилизатор напряжения положительной полярности с фиксированным выходным напряжением. Предназначена для

Подробнее

2П7160Ж (справочные данные из ТУ)

2П7160Ж (справочные данные из ТУ) (справочные данные из ТУ) л.009. Табл. 1. Основные и классификационные параметры транзисторов л.010. Технические требования л.011. Табл. 2. Электрические параметры и тепловое сопротивление транзисторов

Подробнее

IL7169 интегральная микросхема защиты светоизлучающих диодов

IL7169 интегральная микросхема защиты светоизлучающих диодов IL7169 интегральная микросхема защиты светоизлучающих диодов Назначение Микросхема IL7169 - двухвыводная ИС защиты светоизлучающих диодов (СИД) с низким падением напряжения, рассчитанная на 500 ма тока

Подробнее

Резистор постоянный непроволочный С2-33Н (аналог МЛТ). Основные размеры резисторов С2-ЗЗН

Резистор постоянный непроволочный С2-33Н (аналог МЛТ). Основные размеры резисторов С2-ЗЗН Резистор постоянный непроволочный С2-33Н (аналог МЛТ). Постоянные непроволочные общего применения неизолированные резисторы С2-33Н предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного

Подробнее

Общий катод Общий анод Удвоитель Мост

Общий катод Общий анод Удвоитель Мост Филиал «ФРЯЗИНСКИЙ ЗАВОД МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ» ОАО «Центральный научно- исследовательский институт «Дельфин» (Филиал «ФЗМТ» ОАО «ЦНИИ «Дельфин») Перспективные работы ОАО «ФЗМТ» ОКР «Разработка серии радиационно-стойких

Подробнее

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ. 1 Анод 1 2 Катод 3 Анод 2

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ. 1 Анод 1 2 Катод 3 Анод 2 НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ представляют собой кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные

Подробнее

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ ДИОДЫ СВЧ 2А542А1 Диоды 2А542А1 полупроводниковые СВЧ, кремниевые эпитаксиальные переключательные в металлокерамическом корпусе предназначены для работы в коммутационных устройствах СВЧ диапазона волн

Подробнее

Стабилизатор напряжения регулируемый отрицательной полярности 1349ЕГ1У

Стабилизатор напряжения регулируемый отрицательной полярности 1349ЕГ1У Стабилизатор напряжения регулируемый отрицательной полярности Микросхема предназначена для применения в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Микросхемы изготавливаются

Подробнее

К1235ЕН3А(Б)П стабилизатор напряжения положительной полярности

К1235ЕН3А(Б)П стабилизатор напряжения положительной полярности К1235ЕН3А(Б)П стабилизатор положительной полярности Микросхема представляет собой маломощный низковольтный стабилизатор положительной полярности с низким остаточным напряжением. Предназначена для использования

Подробнее

2П7160К, К1 (справочные данные из ТУ)

2П7160К, К1 (справочные данные из ТУ) 2П7160К, К1 (справочные данные из ТУ) л.009. Табл. 1. Основные и классификационные параметры транзисторов л.009 а. Табл. 1 Продолжение л.010. Технические требования л.011. Табл. 2. Электрические параметры

Подробнее

537РУ14, Н537РУ14 статическое оперативное запоминающее устройство

537РУ14, Н537РУ14 статическое оперативное запоминающее устройство 537РУ14, Н537РУ14 статическое оперативное запоминающее устройство Назначение Микросхема, статическое оперативное запоминающее устройство с произвольной выборкой информационной емкостью 4096 бит и организацией

Подробнее

КД636хС СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НТЦ СИТ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ

КД636хС СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НТЦ СИТ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ КД636 представляют собой кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки

Подробнее

П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309

П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309 П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309 Транзисторы кремниевые планарные высоковольтные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах широкополосных и высоковольтных

Подробнее

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ. 1 Анод 1 2, (4) Катод 3 Анод 2

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ. 1 Анод 1 2, (4) Катод 3 Анод 2 НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КД636хС() НТЦ СИТ СБОРКИ ДИОДНЫЕ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ КД636хС() представляют собой кремниевые эпитаксиальные

Подробнее

I К max. I К И max. Р К мах

I К max. I К И max. Р К мах Биполярные транзисторы с приемкой «5» Наимен. Максимально допустимые параметры V КЭ огр V КБО проб I К max I К И max Р К мах Основные электрические параметры h 21Э U КЭ max t рас t сп B B А А Вт ед. B

Подробнее

Основные параметры и размеры резисторов Р1-12: W L H D d

Основные параметры и размеры резисторов Р1-12: W L H D d Постоянные непроволочные безвыводные резисторы Р1-12 Постоянные непроволочные безвыводные резисторы общего применения Р1-12, предназначены для работы в электрических цепях постоянного и переменного токов

Подробнее

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш П209, П209А, П210, П210А,, П210Ш Транзисторы большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в аппаратуре в режимах усиления и переключения мощности. Транзисторы конструктивно

Подробнее

ДИОДЫ СВЧ 2А551А-3 2А551Г-3

ДИОДЫ СВЧ 2А551А-3 2А551Г-3 2А551А-3 2А551Г-3 Диоды 2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3 бескорпусные кремниевые диффузионные СВЧ переключательные p-i-n предназначены для управления фазой и уровнем СВЧ сигнала. Диоды поставляют

Подробнее

Технические спецификации Серия Микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности. Серия 1343

Технические спецификации Серия Микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности. Серия 1343 Микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности Микросхемы стабилизаторов напряжения отрицательной полярности с фиксированными выходными напряжениями 1343ЕИ5У, 1343ЕИ5.2У, 1343ЕИ6У, 1343ЕИ8У,

Подробнее

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее:

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее: П416, П416А, Транзисторы германиевые диффузионные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в импульсных схемах и радиотехнических устройствах в диапазоне коротких и ультракоротких

Подробнее

серия 1244 стабилизаторы напряжения положительной полярности

серия 1244 стабилизаторы напряжения положительной полярности серия 1244 стабилизаторы напряжения положительной полярности На Серия микросхем интегральных стабилизаторов напряжения с фиксированным выходным напряжением. Предназначены для создания постоянного напряжения

Подробнее

Преобразователь постоянного напряжения понижающий 1326ПН1Т, 1326ПН1Т1

Преобразователь постоянного напряжения понижающий 1326ПН1Т, 1326ПН1Т1 Преобразователь постоянного напряжения понижающий Т, Т1 Микросхема Т понижающий преобразователь напряжения с фиксированным выходным напряжением 5.0 В и током нагрузки до 1.0А. Микросхема предназначена

Подробнее

к т в ш и п ) 2Т819М-В2). КТ819(А-Г)

к т в ш и п ) 2Т819М-В2). КТ819(А-Г) 2Т89А, 2Т89Б, 2Т89В, 2Т89А2, 2Т89Б2, 2Т89В2, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г, КТ89АМ, КТ89БМ, КТ89ВМ, КТ89ГМ, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные.

Подробнее

СВЧ защитное устройство М54404

СВЧ защитное устройство М54404 Арсенидгаллиевое бескорпусное защитное устройство М54404 АПНТ.434820.010 ТУ предназначено для работы в составе герметизированной аппаратуры в качестве защитных устройств для примения в радиоэлектронных

Подробнее

588ВГ4 и Н588ВГ4 контроллер аналого-цифрового преобразователя

588ВГ4 и Н588ВГ4 контроллер аналого-цифрового преобразователя 588ВГ4 и Н588ВГ4 контроллер аналого-цифрового преобразователя Назначение Микросхема представляет собой контроллер аналого-цифрового преобразователя, выполненный на основе планарной КМОП технологии, предназначенный

Подробнее

П401, П402, П403, П403А

П401, П402, П403, П403А ,,, А Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах коротких и ультракоротких волн, а также

Подробнее

triatron.ru Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации при Токр. среды = 25 С.

triatron.ru Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации при Токр. среды = 25 С. N7 / N7 / NS7A N канальный МОП транзистор. Особенности: Обогощенный канал для низкого Rси. Низкое напряжение коммутации. Высокая надежность. Высокая насыщенность току. Применение: Они могут быть использованы

Подробнее

Резисторы постоянные тонкоплёночные прецизионные С2-36.

Резисторы постоянные тонкоплёночные прецизионные С2-36. Резисторы постоянные тонкоплёночные прецизионные С2-36. Производитель РЕОМ Санкт-Петербург Постоянные непроволочные прецизионные неизолированные резисторы С2-36 предназначены для работы в электрических

Подробнее

ДИОДЫ СВЧ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ

ДИОДЫ СВЧ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ 2А 522А -2 ДИОДЫ СВЧ ОГРАНИЧИТЕЛЬНЫЕ Диоды 2А522А-2, 2А522А-5 полупроводниковые СВЧ кремниевые планарно-эпитаксиальные ограничительные бескорпусные предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре

Подробнее

П302, П303, П303А, П304, П306, П306А

П302, П303, П303А, П304, П306, П306А , П303, П303А, П304, П306, П306А Транзисторы большой мощности низкочастотные кремниевые p-n-p. Предназначены для применения в усилительных и переключательных схемах, работающих при повышенной температуре

Подробнее

серия 1253 стабилизаторы напряжения отрицательной полярности

серия 1253 стабилизаторы напряжения отрицательной полярности серия 1253 стабилизаторы напряжения отрицательной полярности На Серия микросхем интегральных стабилизаторов напряжения с фиксированным выходным напряжением. ИМС предназначены для создания постоянного напряжения

Подробнее

Основные электрические характеристики оптоэлектронных коммутаторов серии К294КП.

Основные электрические характеристики оптоэлектронных коммутаторов серии К294КП. Основные электрические характеристики оптоэлектронных коммутаторов серии К294КП. В современной электронной технике всё более широкое распространение получает новый тип твёрдотельных реле оптоэлектронные

Подробнее

2T9105АС, К Т 9105А С

2T9105АС, К Т 9105А С 2Т9105АС, КТ9105АС Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях в диапазоне частот 100...500

Подробнее

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ 2А517А-2 2А517Б-2 Диоды 2А517А-2, 2А517Б-2 полупроводниковые СВЧ кремниевые эпитаксиальные переключательные с p-i-п структурой бескорпусные предназначены для применения в радиоэлектронной

Подробнее

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности:

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности: Микросхема мощного стабилизатора напряжения В/0мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE470G ф. Siemens) ILE470G (аналог TLE470G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

Резисторы постоянные непроволочные прецизионные С2-14.

Резисторы постоянные непроволочные прецизионные С2-14. Резисторы постоянные непроволочные прецизионные С2-14. Постоянные непроволочные неизолированные негерметичные прецизионные резисторы С2-14 предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного

Подробнее

КР512ПС12 микросхема для времязадающих устройств

КР512ПС12 микросхема для времязадающих устройств КР512ПС12 микросхема для времязадающих устройств Назначение Интегральная микросхема КР512ПС12 представляет собой КМОП БИС для времязадающих устройств. Микросхема предназначена для организации элемента

Подробнее

АП603 А1-2, АП603Б1-2 ЗП603 AU2. ЗП603Б1-2

АП603 А1-2, АП603Б1-2 ЗП603 AU2. ЗП603Б1-2 ЗП603А-2, ЗП603Б-2, ЗП603А1-2, ЗП603Б1-2, ЗПбОЗА-5, ЗП603Б-5, АП603А-2, АП603Б-2, АП603А1 2, АП603Б1 2, АП603А-5, АП603Б-5 Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиальнопланарные с барьером Ш отки

Подробнее

Резисторы постоянные высокочастотные тонкоплёночные С2-10.

Резисторы постоянные высокочастотные тонкоплёночные С2-10. Резисторы постоянные высокочастотные тонкоплёночные С2-10. Постоянные непроволочные неизолированные резисторы С2-10 предназначены для работы в электрических цепях высокочастотной и импульсной аппаратуры.

Подробнее