) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 -

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download ") j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 -"

Транскрипт

1 ТИРИСТОРЫ ПЛАН 1. Общие сведения: классификация, маркировка, УГО. 2. Динистор: устройство, принцип работы, ВАХ, параметры и применение. 3. Тринистор. 4. Симистор. Тиристор - это полупроводниковый прибор многослойной структуры с 3- мя и более р-п переходами, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот. По устройству и принципу действия тиристоры подразделяют на: динисторы, тринисторы и симисторы. Материал для изготовления тиристоров - кремний. Динисторы - диодные тиристоры, имеющие 2 внешних вывода. Структура динистора показана на рисунке 1а. В кристалле имеется 3 р-п перехода. К эмиттерной области (Р1 ) присоединен вывод - А(анод +) и n 4 (катод -)j 1 и j з - эмиттерные переходы, j 2 - коллекторный. Подаем (+) на р1 и (-) на n 4, j1 и j3 смещаются в прямом направлении, т.е. пропускают ток, а j2 - в обратном. Распределение напряжений соответствует сопротивлению участков j1 и j3; р1, рз и n4 - малое сопротивление (2-3 Ом), а n2 и j2 - большое сопротивление. Все напряжение падает на n2 и j2. Под действием возникшего поля из областей р1 и n4 через j1 устремятся основные носители зарядов: дырки из р1 в n2 и электроны из n4 в р3. Анализ физических процессов в динисторе можно проводить на эквивалентной. модели соединенных транзисторов VI и V2 (различной структуры (р-n-р и n-р-п)), включенных по схеме с ОЭ. n2 - база для V1 и коллектор V2, а слой j3 - коллектор V1 и база V2. j2 - для обоих транзисторов - общий (коллекторный переход). Учитывая коэффициент передачи по току α и α 2 ток через j2 определится: (1) Iпр = Iк1 + Iк2 + Iко = Iэ 1 + α 2 Iэ 2 + Iко, где Iэ 2 и Iэ 1 - токи через эмиттерные переходы, а Iко - собственный обратный ток коллекторного перехода. Переходы соединены последовательно, значит: Iк 1 = 1э 2 = Iпр, откуда: Iпр = Iко / [1-( α 1 + α 2 )] (2). Электрические процессы, происходящие в динисторе можно проследить по ВАХ (рис.1б). На вертикальной оси нанесены токи, а на горизонтальной - напряжения. Участок I (при повышенииuпр.. от нулевого значения токiпр.. медленно растет. Участок II(называется участком с отрицательным сопротивлением) в момент (α 1 + α 2 ) >1, знаменатель -»к О, Iпр резко возрастает, а сопротивление ]2 резко уменьшается. В слое п 2 возникает лавинное размножение зарядов. Этот процесс длится несколько микросекунд. Поэтому формула (2) принимает вид Iпр = (μ*iко) / (1- μ (а 1 +а 2 )) (3) Uвкл - называют пусковым напряжением тиристора. Участок III - открытое состояние тиристора. В этом состоянии он находится до тех пор пока по нему проходит I не меньший чем Iуд. Выключение происходит при Iпр<Iуд.

2 Участок IV - соответствует измененной полярности -А и +К, j 1 и j3 - закрыты, ]2 -открыт. Тиристор закрыт. Через него протекает лишь небольшой Iобр. При Uобр.больше допустимого возможен пробой закрытых переходов j1 и j3 и повреждение прибора. Рис.1Устройство, эквивалентная схема и ВАХ динистора. Тринистор - тиристор с тремя выводами, один из которых сделан от внутреннего слоя и называется управляющим электродом УЭ. Основное преимущество тиристора перед динистором - возможность управления напряжением включения прибора с помощью УЭ. Тиристор с УЭ обладает свойством усилителя. Тринисторы различают запираемые и незапираемые. Незапираемый тринистор состоит из 4-х чередующихся р и п слоев. Кроме К и А имеется УЭ, который может быть присоединен как к р- так и к п-

3 области. Если УЭ присоединен к р-слою, то на него подается отрицательное напряжение, а если к п - то положительное. Эффект управления объясняется тем, что входной ток УЭ увеличивает один из эмиттерных токов, т.е. воздействует на рост коэффициент передачи ток а 1 или а 2. Поэтому условие а 1 +а 2 >1 выполняется уже при меньшем значении внешнего напряжения. На рис.2б показано семейство ВАХ тринистора. Если УЭ отключен, то есть в его цепи Iуд = 0, то тринистор переключается как динистор при Uвкл (точка А). Из ВАХ видно, что Uвкл снижается при увеличении Iуд в управляющей цепи. Напряжение управляющего сигнала (приводимое в справочниках) = 1-5 В. Важнейшее свойство тринистора - два устойчивых состояния его работы: 1-е характеризуется малым Iпр, протекающим через структуру и большим падением напряжения на ней; П-е характеризуется большим Iпр и малым падением напряжения между выходными электродами. В незапираемых приборах УЭ используется только для отпирания, т.е. переключением тринистора из непроводящего состояния в открытое. В запираемых тринисторах посредством УЭ можно открывать и запирать прибор. Запираемые тринисторы отличаются от незапираемых тем, что способны переключаться из открытого состояния в запертое сигналом в цепи УЭ. Структура запираемого тринистра представлена на рисунке За. УЭ выполнен распределенным по всей площади между слоем рз и катодным слоем п4. Это сделано для того, чтобы ускорить рассасывание носителей электрическим полем управляющего сигнала. На рис 36 представлена транзисторная модель структуры запираемого тринистора. Запираемые тринисторы характеризуются большим падением напряжения на структуре, и большим током отпирания по сравнению с незапираемым; обладают лучшей частотной характеристикой. Рис.2 ВАХ а) динистора; б) тринистора.

4 Симисторы - тиристоры с многослойной структурой и симметричной относительно начала координат ВАХ, т.е. с участками отрицательного сопротивления не только на прямой, но и на обратной ветвях. Основу симистора составляет многослойная р 1 -n 1 -n 2 -n 2 -n З -n 4 структура, в которой электрод В1 частично шунтирует области р 1 -n 1 ; электрод В2 шунтирует р 2 - n З, а УЭ - области р 2 -n 4. Если к В1 и В2 подвести (+), а УЭ (-) относительно В2, то электроны области п 4 инжектируют через j4 и обогащают р 2. Потенциальный барьер запертого перехода снижается, по структуре от В1 до В2 проходит Iпр. При смене полярности по структуре проходит Iобр. В случае (+) полярности на УЭ [на В1(-) В2(+)], предварительно закрытый ]2 откроется вследствие инжекции электронов из области п З и по структуре пройдет ток. ВАХ представлена на рис.46, графики в I-м и III-м квадратах отображают работу симистора при обеих полярностях напряжения на его электродах. При отсутствии тока управления Iуд=0, симистор отпирается напряжением любой полярности, превышающим напряжение включения Uвкл. Система условных обозначений тиристоров Условные графические изображения, тиристоры Система обозначений параметров, тиристоры Система условных обозначений современных типов тиристоров установлена отраслевым стандартом ОСТ В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен прибор. Используется буквы или цифры: Г или 1 для германия или его соединений; К или 2 для кремния или его соединений; А или 3 для соединений галлия; И или 4 для соединений индия; Второй элемент буква, определяющая подкласс (или группу) прибора: Н для диодных тиристоров; У триодных тиристоров. Третий элемент цифра, определяющая функциональные возможности тиристора. Подкласс Н для диодных тиристоров; 1 для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А; 2 для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока от 0,3 А до 10 А; Подкласс У для триодных тиристоров. Незапираемые тиристоры 1. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

5 2. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А; 7. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянииболее 100 А; Запираемые тиристоры 3. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; 4. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А; 8. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А; Симметричные тиристоры 5. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; 6. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более от 0,3 до 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более от 15 до 100 А; 9. для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А; четвертый элемент число, обозначающее порядковый номер разработки диода. Пятый элемент буква, условно определяющая классификацию тиристоров по параметрам. Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения; 1 с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки); 2 с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке); 3 с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки); 4 с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке); 5 с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов; 6 с контактными площадками на кристаллодержателе (подложке) и без выводов; Условные графические обозначения тиристоров Обозначение / наименование тиристор диодный (динистор)

6 тиристор незапираемый триодный с управлением по аноду тиристор незапираемый триодный с управлением по катоду тиристор запираемый с управлением по аноду тиристор запираемый с управлением по катоду триодный симметричный незапираемый тиристор Рис.3 а) структура запираемого тринистора; б) эквивалентная схема. Рис.4 а) структура симистора; б) ВАХ симистора.

7 Контрольные вопросы. 1. Дать определение тиристору. 2. Как делят тиристоры по количеству электродов. 3. Что определяют буквы Н и У в маркировке тиристоров. 4. Объяснить параметр Uвкл. 5. Назовите основные параметры тиристоров. 6. Особенности симисторов. 7. Области применения тиристоров. Литература. 1. Гершунский Б.С. Основы электроники и МЭ,К:В.Ш.1989г. 2. Криштафович А.К., Тифонюк В.В. Основы пром.. электроники М.В.Ш,1979г.

Лекция 11. Устройство и принцип работы динистора и тиристора.

Лекция 11. Устройство и принцип работы динистора и тиристора. Лекция 11. Устройство и принцип работы динистора и тиристора. Тиристор это четырехслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой проводимости (тиристор закрыт)

Подробнее

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка Полупроводниковые диоды. План. 1. Классификация, условное графическое обозначение, маркировка. 2. Основные параметры диодов. 3. Выпрямительные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 4. Высокочастотные

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ Оптоэлектронным называют полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой,

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Цель работы Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе.

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора и усилителя

Подробнее

t 1 ). В этом режиме : u вых.д = u вых2 - u вых1 = 0, так как u вых1 = u вых2.

t 1 ). В этом режиме : u вых.д = u вых2 - u вых1 = 0, так как u вых1 = u вых2. ТЕМА 8 ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ. УСИЛИТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА В усилителях постоянного тока (УПТ) (частота сигнала единицы и доли герц) применяют непосредственную омическую (гальваническую) связь. Лучшими

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы Модуль 1 1. Полупроводниковые материалы имеют удельное сопротивление 1) больше, чем проводники 2) меньше, чем проводники 3) больше, чем диэлектрики 4)

Подробнее

1. Общие сведения о полупроводниках

1. Общие сведения о полупроводниках Тема 14. Полупроводниковые приборы. 1. Общие сведения о полупроводниках Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов

Подробнее

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТРАНСПОРТА» Кафедра микропроцессорной техники и информационно-управляющих систем С. Ф. ЕРМАКОВ,

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

колебание напряжения на выходе схемы Uвых зависит от дифференциального сопротивления стабилитрона du Rдифф дифф

колебание напряжения на выходе схемы Uвых зависит от дифференциального сопротивления стабилитрона du Rдифф дифф Стабилитрон. Стабилитрон это диод, предназначенный для стабилизации напряжения. На диод подается через резистор запирающее напряжение, которое превышает напряжение пробоя диода. При этом через диод протекает

Подробнее

3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току)

3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току) 3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току) Введение Приведенные ниже задачи связаны с расчетом параметров усилительных каскадов, схемы которых рассчитаны по постоянному току в предыдущей

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

Буквенные обозначения параметров тиристоров

Буквенные обозначения параметров тиристоров Согласно ГОСТ 15133-77 переключательные полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми состояниями, имеющими три или более р-п переходов, объединяются под общим названием тиристоры. Тиристоры работают как

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИОПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК БИОПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Глава 4 Исследование тиристоров, симисторов, запираемых тиристоров Цель проведения работ Изучение характеристик и параметров тиристоров обычных

Глава 4 Исследование тиристоров, симисторов, запираемых тиристоров Цель проведения работ Изучение характеристик и параметров тиристоров обычных Глава 4 Исследование тиристоров, симисторов, запираемых тиристоров Цель проведения работ Изучение характеристик и параметров тиристоров обычных (асимметричных), симметричных и запираемых Описание лабораторной

Подробнее

Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей

Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей 1 Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей ТРАНЗИСТОРНЫЕ КЛЮЧИ. Режим работы транзистора, при котором он находится в установившемся состоянии либо в области отсечки, либо в области

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений.

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений. Комплексные токи и напряжения. Комплексные токи и напряжения вводят для рассмотрения гармонически изменяющихся токов и напряжений. Комплексные токи и напряжения позволяют заменить дифференциальные уравнения

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАОТЫ ИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Целью работы является ознакомление с устройством, физикой явлений, способами включения и некоторыми характеристиками транзистора.

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 1 Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 Интегральная микросхема (ИМС), или, короче, микросхема, представляет собой изделие на активных и пассивных элементов

Подробнее

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер.

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер. 1 Биполярные транзисторы 1. Основные понятия Лекции профессора Полевского В.И. Лекция 1 Биполярным транзистором называют трѐхэлектродный полупроводниковый прибор, с двумя взаимодействующими между собой

Подробнее

Наиболее простой логический элемент получается при помощи диодов (рис.1, а)

Наиболее простой логический элемент получается при помощи диодов (рис.1, а) Лекция 20 Раздел 2. ЦИФРОВАЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ УСТРОЙСТВА Тема 2.2: ЭЛЕМЕНТЫ И УЗЛЫ ЦИФРОВЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ План лекции: 1. Базовые схемы логических элементов. 2. Диодно-транзисторная

Подробнее

У выпрямительного диода анодом называется электрод,

У выпрямительного диода анодом называется электрод, Вывод диода, помеченный цифрой "1" называется база эмиттер катод анод коллектор 1 2 Вывод диода, помеченный цифрой "2" 1 2 называется база эмиттер катод анод коллектор У выпрямительного диода анодом называется

Подробнее

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации сигналов в электрических цепях. Термин «транзистор»

Подробнее

варикапы, стабилитроны и др.

варикапы, стабилитроны и др. 2.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковыми диодами называют полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом и двумя выводами. Они применяются для выпрямления переменного тока, детектирования

Подробнее

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ. Единая система конструкторской документации. ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ. Единая система конструкторской документации. ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые ГОСТ 2.730-73 УДК 744:621.382:003.62:006.354 Группа Т52 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. Приборы полупроводниковые Unified

Подробнее

Электрооборудование и электронные системы транспортных средств

Электрооборудование и электронные системы транспортных средств Электрооборудование и электронные системы транспортных средств ДМ_Э_02_01_04 «Полупроводниковые приборы» Автомеханик 5-го разряда филиал КСТМиА УО «РИПО» Минск 2016 Занятие 1. Содержание 1. Основы полупроводниковых

Подробнее

Элементная база электронных устройств

Элементная база электронных устройств Министерство образования Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет Элементная база электронных устройств Методические указания к выполнению

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах 6. Импульсные ключи. Ключом в электротехнике называется двухполюсник, имеющий два состояния с нулевой проводимостью (разомкнут) и с бесконечной проводимостью (замкнут). В импульсной технике зачастую приходится

Подробнее

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Государственный комитет Российской Федерации по высшей школе. КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА

Государственный комитет Российской Федерации по высшей школе. КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА Государственный комитет Российской Федерации по высшей школе КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники ИССЛЕДОВАНИЕ

Подробнее

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик полевого транзистора и усилителя на его основе.

Подробнее

Лекция 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ

Лекция 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ 1 Лекция 4. (Продолжение темы лекции 3) БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ План 1. Введение. 2. Физическая и математическая модель биполярного транзистора (модель Эберс-Молла). 3. Вольтамперные

Подробнее

По признаку наличия источника электрической энергии НР делятся на активные и пассивные. Если ВАХ проходит через начало координат, то НР. Рис.6.

По признаку наличия источника электрической энергии НР делятся на активные и пассивные. Если ВАХ проходит через начало координат, то НР. Рис.6. 6. Нелинейные электрические цепи Нелинейными элементами электрической цепи называются такие элементы параметры, которых зависят от напряжений, токов, магнитных потоков и других величин, т.е. это элементы

Подробнее

определение коэффициента подавления синфазного сигнала.

определение коэффициента подавления синфазного сигнала. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА (ДУ) Цель работы знакомство с принципом работы ДУ; знакомство со схемой и принципом работы источника

Подробнее

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА

ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА Я.С.КУБЛАНОВСКИЙ Научно-популярное издание ТИРИСТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА Издательство «Радио и связь», 1987 Предисловие Тиристоры полупроводниковые приборы с четырехслойной р-n-р-n структурой обладают такими

Подробнее

Высокоточный регулируемый стабилитрон с опорным напряжением 2,495 В для вторичных источников питания

Высокоточный регулируемый стабилитрон с опорным напряжением 2,495 В для вторичных источников питания Высокоточный регулируемый стабилитрон с опорным напряжением 2,495 В для вторичных источников питания Микросхема интегральная бескорпусная IZA431D - микросхема высокоточного регулируемого стабилитрона с

Подробнее

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ 97 Лекция 9. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ План. Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).. Элементы КМОП-логики. 3. Основные параметры логических элементов. 4. Выводы.. Элементы транзисторно-транзисторной

Подробнее

ТРАНЗИСТОРЫ. 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора

ТРАНЗИСТОРЫ. 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора ТРАНЗИСТОРЫ. Устройство и принцип действия биполярного транзистора Транзистором называется преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, предназначенный для усиления мощности

Подробнее

Полевые транзисторы (ПТ)

Полевые транзисторы (ПТ) Полевые транзисторы (ПТ) Электроника и МПТ Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок) униполярные транзисторы. 1 Полевые

Подробнее

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова. Физический факультет. Кафедра общей физики

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова. Физический факультет. Кафедра общей физики Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е (электричество и магнетизм) Лабораторная

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

Транзисторы. transfer переносить resistor сопротивление transistor переменное сопротивление. 2 функции: - усилитель; - ключ.

Транзисторы. transfer переносить resistor сопротивление transistor переменное сопротивление. 2 функции: - усилитель; - ключ. Транзисторы Транзисторы полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Позволяют регулировать ток в электрической цепи. transfer переносить

Подробнее

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра ИНФОРМАТИКИ И МЕТОДИКИ

Подробнее

Рис Прямая ветвь вольтамперной характеристики. Схема, с помощью которой снимается прямая ветвь ВАХ диода, приведена на рис. 2. Рис. 2.

Рис Прямая ветвь вольтамперной характеристики. Схема, с помощью которой снимается прямая ветвь ВАХ диода, приведена на рис. 2. Рис. 2. 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1.1. Измерение параметров диодов Эквивалентная схема полупроводникового диода (рис. 1) состоит из идеального диода, изображенного в виде нелинейного источника тока I(V), емкости

Подробнее

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1.

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1. Вариант 1. 1. Назначение, устройство, принцип действия, условное графическое обозначение и вольт-амперная характеристика электровакуумного диода. 2. Назначение и структурная схема выпрямителей. Основные

Подробнее

2. Транзисторные усилительные каскады (расчет по постоянному току)

2. Транзисторные усилительные каскады (расчет по постоянному току) . Транзисторные усилительные каскады (расчет по постоянному току) Введение Приведенные ниже задачи связаны с расчетами простейших усилительных каскадов по постоянному току. Для их успешного решения необходимо

Подробнее

Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ 4 Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ План 1. Введение. 2. Электрические величины и единицы их измерения. 3. Двухполюсные элементы электрических цепей. 4. Управляемые (зависимые)

Подробнее

Лабораторная работа 19 Исследование оптоэлектронных приборов и устройств

Лабораторная работа 19 Исследование оптоэлектронных приборов и устройств 1 Лабораторная работа 19 Исследование оптоэлектронных приборов и устройств Оптоэлектронные приборы являются элементной базой оптоэлектроники сравнительно нового и перспективного направления электронной

Подробнее

Каскады усиления переменного сигнала

Каскады усиления переменного сигнала Каскады усиления переменного сигнала По переменным сигналом понимается такой сигнал, постоянная составляющая которого не несет полезной информации. Строго говоря, постоянная составляющая, если она известна,

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее:

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее: П416, П416А, Транзисторы германиевые диффузионные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в импульсных схемах и радиотехнических устройствах в диапазоне коротких и ультракоротких

Подробнее

На этом рисунке U 1, U 2, I 1 и I 2 комплексные амплитуды напряжений и токов, соответственно. Рис Условное изображение четырехполюсника.

На этом рисунке U 1, U 2, I 1 и I 2 комплексные амплитуды напряжений и токов, соответственно. Рис Условное изображение четырехполюсника. 2. ПРИЦИПЫ ПОСТРОЕИЯ УСИЛИТЕЛЬЫХ ЗВЕЬЕВ ААЛИЗ РАБОТЫ ТИПОВЫХ УСИЛИТЕЛЬЫХ ЗВЕЬЕВ В РЕЖИМЕ МАЛОГО СИГАЛА 2.. Усилительное звено и его обобщенная схема. Малосигнальные параметры биполярных и полевых транзисторов,

Подробнее

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов I. Физические основы полупроводниковой электроники 1. Виды электронных приборов Электронными называют приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике. В своем развитии

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М. В. ЛОМОНОСОВА Физический факультет Практикум кафедры физики колебаний Описание задачи ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Составитель:

Подробнее

Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы

Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы к.ф. м. н., доцент Ремпен И.С. Саратов, СГУ, кафедра лектроники, колебаний и волн Биполярные транзисторы 2 На рисунке представлено прямое включение Э миттер,

Подробнее

Полупроводниковые нелинейные резисторы. План

Полупроводниковые нелинейные резисторы. План Полупроводниковые нелинейные резисторы План 1. Общие сведения. 2. Терморезисторы: устройство, принцип действия, основные параметры, вольтамперная характеристика, УГО, маркировка, применение. 3. Варисторы:

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

Лекция 4 БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лекция 4 ИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы. Взаимодействие двух близкорасположенных электроннодырочных переходов. Принцип работы биполярного транзистора. Виды биполярных транзисторов.

Подробнее

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОПРИВОД

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОПРИВОД Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Полоцкий государственный университет» В. П. Авдейко А. С. Вершинин А. Л. Адамович ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕКТРОПРИВОД

Подробнее

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РЭЛ 2 НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Биполярные

Подробнее

Изучение работы биполярного транзистора

Изучение работы биполярного транзистора Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Общий физический практикум Лабораторная работа 3.7 Изучение работы биполярного транзистора

Подробнее

Электронные ключи. Электронный ключ аналог механического ключа. Электроника

Электронные ключи. Электронный ключ аналог механического ключа. Электроника Электронные ключи Электроника Электронный ключ устройство, коммутирующее различные электрические цепи бесконтактным способом. Электронный ключ аналог механического ключа. В основе любого электронного ключа

Подробнее

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах: защита от перенапряжения

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах: защита от перенапряжения Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах: защита от перенапряжения Локтаев Ю. М., Сурма А.М., Черников А. А. 2 Несмотря на

Подробнее

Лекция 11. КОММУТАТОРЫ, КОМПАРАТОРЫ НА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. План

Лекция 11. КОММУТАТОРЫ, КОМПАРАТОРЫ НА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. План 1 Лекция 11. КОММУТАТОРЫ, КОМПАРАТОРЫ НА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. План 1. Введение.. Аналоговые коммутаторы на биполярных и полевых транзисторах 3. Компараторы: определение, структура, принцип

Подробнее

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ В статическом режиме связь между токами и напряжениями на электродах транзистора описывается системой нелинейных алгебраических уравнений. Графически эта

Подробнее

АМПЛИТУДНЫЕ ДИОДНЫЕ ОГРАНИЧИТЕЛИ

АМПЛИТУДНЫЕ ДИОДНЫЕ ОГРАНИЧИТЕЛИ Федеральное агентство железнодорожного транспорта Уральский государственный университет путей сообщения Кафедра «Электроника» 1 М. А. Оськина АМПЛИТУДНЫЕ ДИОДНЫЕ ОГРАНИЧИТЕЛИ Екатеринбург 2009 Федеральное

Подробнее

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ План 1. Введение. 2. Усилительные каскады на полевых транзисторах.

Подробнее

Исследование биполярного транзистора

Исследование биполярного транзистора ГУАП ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ Исследование биполярного транзистора по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ

Подробнее

Исследование биполярных структур

Исследование биполярных структур сигнала через диод. 6. Входные и выходные характеристики транзисторов. 7. Принцип работы биполярного транзистора. 8. Режимы работы транзистора. 9. Температурные зависимости характеристик и параметров транзисторной

Подробнее

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 84 Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План 1. Введение 2. Параметрические стабилизаторы 3. Компенсационные стабилизаторы 4. Интегральные стабилизаторы напряжения 5. Выводы 1. Введение Для работы электронных

Подробнее

1. Назначение и устройство выпрямителей

1. Назначение и устройство выпрямителей Тема 16. Выпрямители 1. Назначение и устройство выпрямителей Выпрямители это устройства, служащие для преобразования переменного тока в постоянный. На рис. 1 представлена структурная схема выпрямителя,

Подробнее

11.5. ГЕНЕРАТОРЫ ЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩЕГОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ

11.5. ГЕНЕРАТОРЫ ЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩЕГОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ 11.5. ГЕНЕРАТОРЫ ЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩЕГОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ Линейно изменяющимся или пилообразн ы м напряжением называют электрические колебания (импульсы), содержащие участки, на которых напряжение изменяется практически

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Отчет по лабораторной работе 1 Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМ НА ДИОДАХ Вы полнил: студент группы СП 08а Кириченко Е. С.

Подробнее

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» Заместитель директора по учебной работе

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» Заместитель директора по учебной работе ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» ОДОБРЕНЫ ЦМК «РТД» Протокол от «23» ноября 2009 г. 5 Председатель ЦМК УТВЕРЖДАЮ Заместитель директора по учебной работе Д.В. Колесников 20

Подробнее

Твердотельные реле устройство и принцип работы.

Твердотельные реле устройство и принцип работы. Твердотельные реле устройство и принцип работы. 1. Элементная структура твердотельного реле. Твердотельные реле - это электронный компонент, который служит интерфейсом и обеспечивает электрическую изоляцию

Подробнее

Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения)

Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения) Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения) Электрический ток. Закон Ома для участка цепи. 1. Какие действия электрического тока существуют? 2. Условия существование электрического

Подробнее

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА ГОУ СПО Алатырский техникум железнодорожного транспорта ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Контрольное задание 3 с программой и краткими методическими указаниями для студентов заочного отделения специальности

Подробнее

Лекция 4. Назначение и классификация диодов. Общие параметры диодов

Лекция 4. Назначение и классификация диодов. Общие параметры диодов Лекция 4. Назначение и классификация диодов. Общие параметры диодов Полупроводниковым диодом называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом, имеющий два вывода.

Подробнее

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ Основные понятия

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ Основные понятия 4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ 4.. Основные понятия Электрические цепи могут содержать линейные и нелинейные элементы. Сопротивление линейных элементов не зависит от величины и полярности приложенного

Подробнее

ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Рисунок 1. Рисунок 2

ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Рисунок 1. Рисунок 2 ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Методические указания по темам курса Изучение данного раздела целесообразно проводить, базируясь на курсе физики и руководствуясь программой курса. Усилители на биполярных транзисторах

Подробнее

Условные графические обозначения электрических устройств. Обмотка добавочных полюсов, обмотка компенсационная

Условные графические обозначения электрических устройств. Обмотка добавочных полюсов, обмотка компенсационная Условные графические обозначения электрических устройств Приложение 1. МАШИНЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ Обмотка добавочных полюсов, обмотка компенсационная Обмотка статора (каждой фазы) машины переменного тока, обмотка

Подробнее

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

Рис. 2 Модуль "Транзисторы"

Рис. 2 Модуль Транзисторы Глава 2 Исследование полевого и биполярного транзисторов Цель проведения работ Знание устройств, изучение характеристик и параметров электронных полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов.

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА. Методические указания к лабораторным работам для студентов строительных специальностей всех форм обучения

ЭЛЕКТРОНИКА. Методические указания к лабораторным работам для студентов строительных специальностей всех форм обучения ЭЛЕКТРОНИКА Методические указания к лабораторным работам для студентов строительных специальностей всех форм обучения Казань 2011 УДК 621.3 ББК 31.2 Э 45 Э 45 Электроника. Методические указания к лабораторным

Подробнее

Составитель: Н.Н. Муравлева

Составитель: Н.Н. Муравлева ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Методические указания к самостоятельной виртуальной практической работе по дисциплине «Электротехника и электроника» для студентов всех

Подробнее

Физические основы электроники

Физические основы электроники МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ухтинский государственный технический университет» (УГТУ) Кафедра электрификации

Подробнее

Пример решения задачи 1.

Пример решения задачи 1. Введение Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ», часть 2. Требования к контрольной работе:

Подробнее