Руководство к лабораторной работе. "Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов"

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Руководство к лабораторной работе. "Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов""

Транскрипт

1 Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра телевидения и управления (ТУ) Утверждаю: Зав. кафедрой ТУ И.Н. Пустынский 2008 г. Руководство к лабораторной работе "Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов" по дисциплинам "Физические основы электроники", "Электроника", "Основы функционирования систем сервиса 2/Электроника и микроэлектроника", " Электротехника и электроника (ч. 2)" для студентов специальностей , , , , , , , , , Разработчики: оцент каф. ТУ Коновалов В.Ф. оцент каф. ТУ Шалимов В.А. Томск 2008 г.

2 2 1. Введение. Цель работы: исследование статических вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов, оценка статических параметров полупроводниковых диодов при прямом и обратном включении, изучение вентильных свойств диодов. 2. Общие положения Разновидности полупроводниковых диодов. В современной радиоэлектронной аппаратуре полупроводниковые диоды применяются широко для самых различных целей. ля удовлетворения требований, предъявляемых разработчиками радиоэлектронной аппаратуры к полупроводниковым диодам, отечественная промышленность выпускает: выпрямительные диоды; стабилитроны; импульсные диоды; варикапы; смесительные диоды; светодиоды; фотодиоды; диоды Шоттки; диоды Ганна и другие типы диодов. Условные графические обозначения некоторых типов диодов приведены на рис.1. VD Анод Катод Стабилитрон Светодиод Фотодиод Рис. 1. Условные графические обозначения некоторых типов диодов 2.2. Некоторые сведения из теории. Физика работы p n перехода подробно описана в [1, 2]. Поэтому воспользуемся известным выражением для вольтамперной характеристики (ВАХ) идеализированного диода. Обычно ее записывают в следующей форме: 0 e T 1, qd S pб qd S где p nэ n - тепловой ток диода (обратный 0 L 0б L 0э pб nэ ток насыщения); - ток, протекающий через диод; - величина напряжения, подключенного к переходу; kt / q - температурный потенциал;; T k постоянная Больцмана; T абсолютная температура; D p и D n коэффициенты диффузии дырок и электронов; S - площадь перехода; p и n - равновесные концентрации неосновных носителей в базе 0б 0э и эмиттере диода.

3 3 Одной из важных особенностей характеристики является очень крутая (экспоненциальная) прямая ветвь. Поэтому весьма большие прямые токи (несколько ампер и выше) получаются у полупроводниковых диодов при напряжении не более 1В, т. е. намного меньшем, чем в случае вакуумных и газонаполненных диодов. В связи с большой крутизной прямой ветви обычно удобнее задавать в качестве аргумента ток, а напряжение считать его функцией и выражение для вольтамперной характеристики идеализированного диода преобразовать к следующему виду: T Рис. 2. Статическая вольтамперная характеристика идеализированного диода. T n 1 0. Итак, идеализированный p-nпереход обладает вентильными свойствами. При приложении к нему напряжения, смещающего p-n -переход в прямом направлении, протекает ток, который при увеличении напряжения увеличивается по экспоненциальному закону. Если приложить напряжение, смещающее p-n - переход в обратном направлении, то сопротивление его возрастет. В цепи протекает малый тепловой ток, который не зависит от приложенного напряжения уже при обр 3 4. На рис.2. приведена ВАХ идеализированного диода, T построенная в относительных координатах. Эта характеристика не зависит от типа диода. ма В реальных диодах 25 прямая и обратная ветви Ge 20 Si вольтамперной характеристики 10 5 Ge Si ,2 0,4 0,6 0,8 1 В 1 мка Рис. 3. Реальные вольтамперные характеристики диодов. сопротивлении базы диода уравнение прямой ветви характеристики диода описывается уравнением отличаются от идеализированной формы. При прямом включении существенное влияние на ход вольтамперной характеристики оказывает падение напряжения на омическом сопротивлении базы диода, которое начинает проявляться уже при токах, превышающих 2-10 ма. С учетом падения напряжения на омическом вольтамперной

4 4 rб T ln 0 1, где r б - омическое объемное сопротивление базы диода. Падение напряжения на диоде зависит от тока, протекающего через него, и имеет большее значение у диодов с малым током 0. Так как у кремниевых диодов тепловой ток 0 мал, то падение напряжения на диоде в открытом состоянии у них значительно больше, чем у германиевых (рис. 3.). Различие в прямых напряжениях германиевых и кремниевых диодов составляет обычно 0,4В (так называемая пятка") и сохраняется вплоть до таких малых токов [порядка нескольких 0 Ge ], при которых у германиевых диодов напряжение уже практически равно нулю. При исследованиях реальных p-n-переходов наблюдается достаточно сильное увеличение обратного тока при увеличении приложенного напряжения, причем в кремниевых структурах обратный ток на 2 3 порядка превышает тепловой ток. Такое отличие экспериментальных данных от теоретических объясняется термогенерацией носителей заряда непосредственно в области p-n-перехода и токов утечки. Поэтому у реальных диодов в качестве одного из основных параметров используют обратный ток обр, который измеряют при определенном значении обратного напряжения. У германиевых диодов обр 0. В кремниевых Δ диодах в диапазоне рабочих температур доля теплового тока в полном обратном токе A А Δ 3 невелика: обр У них Δ обратный ток в основном определяется генерационнорекомбинационными A Δ явлениями в p-n -переходе. Рис. 4. К определению характеристических ля инженерных сопротивлений диода. расчетов обратного тока в зависимости от температуры окружающей среды можно пользоваться упрощенным выражением Т То T T T 2, обр обр 0 где T* - приращение температуры, при котором обратный ток обр T 0 удваивается (Т* 8-10 С для германия и Т* 6-7 С для кремния). Характеристические сопротивления. Нелинейность характеристики диода удобно оценивать, сопоставляя его сопротивления в прямом и

5 5 обратном направлениях. Как и для других нелинейных элементов, различают дифференциальные сопротивления и сопротивления постоянному току. По вольтамперной характеристике диода можно определить для точки А на характеристике (см. рис.4.): сопротивление диода по постоянному току R и дифференциальное сопротивление диода А А r Методика снятия статических вольтамперных характеристик диодов. ля снятия статических вольтамперных характеристик диодов используется схема, представленная на рис.5. Е + ма R Испытуемый диод Осциллограф Рис. 5. Структурная схема макета для снятия статических вольтамперных характеристик диодов ля этой схемы можно составить систему уравнений: f ( ), E R. Первое выражение представляет собой статическую ВАХ диода, а второе - нагрузочную прямую для диода. Нагрузочная прямая пересекает оси координат в точках с Е/R A A А Е Рис. 6. К построению нагрузочных характеристик диода координатами ( E, 0) и ( 0, E R ). Решением системы уравнений является точка А с координатами и. A A Изменяя в широких пределах с помощью переменного резистора R ток через диод а, следовательно, и напряжение на диоде (смотри рис.6.) можно получить достаточное количество точек, по которым строится ВАХ диода.

6 6 3. Описание лабораторного макета. ля исследования статических вольтамперных характеристик диодов используется схема, изображенная в левой части лабораторного макета (рис. 7.). С помощью переключателя П2 выбирается тип исследуемого диода. Измерение тока диода производится стрелочным миллиамперметром, включаемым в исследуемую цепь переключателем П7. Чувствительность прибора устанавливается переключателем П6. Изменять величину напряжения на диоде можно переключателем П1, меняя величину резистора ( R R ) Напряжение на диоде 1 10 измеряется осциллографом. Чтобы установить максимальный ток диода мак равным ма, нужно переключатель П1 установить в положение 10 и с помощью переменного резистора R под (плавно) выставить требуемое значение тока и больше его не трогать. Перечень диодов, исследуемых при проведении лабораторной работы, приведен в таблице. Таблица Наименование Тип Е КС133 КС139

7 7 -Е к ма R R Бпод ма R К ма П1 R под ШКАЛА В ма 10 0,5 30 П3 П4 П5,б П6 П5,а Т1 вх R 1 П2 5 К П7 Б ЗИ Т2 КЭ П8 +E Т3 Рис.7. Лицевая панель макета для исследования диодов и транзисторов.

8 8 4. Порядок выполнения работы ля исследования прямых ветвей вольтамперных характеристик диодов необходимо: 1) Включить источник питания макета; 2) Переключатель П2 установить в положение 1, подключив диод 1; 3) Переключатель П7 установить в положение ; 4) Переключатель П6 установить в положение 30 ма; 5) Переключатель П1 установить в положение 10 и с помощью переменного резистора R под (плавно) установить ток диода мак равным ма; 6) Вход осциллографа присоединить к диоду для измерения постоянного напряжения ; 8) Изменяя переключателем П1 резисторы R R и фиксируя 1 10 с помощью стрелочного прибора величину тока, протекающего через диод 1, снять зависимость f ( ). Результаты измерений занесите в таблицу 1 вида. Положение переключателя, ма, В, ма, В, ма, В, ма Табл Примечание иод 1 иод 2 иод 3 иод 4, В 9) Повторить пункт 8 для диодов 2, 3 и 4. 10) Полученные зависимости в виде f ( ). представить на одном графике. Поясните причины отличий вольтамперных характеристик диодов.

9 9 11) ля одного из диодов по выбору построить зависимости f ( ) r f (, где R - сопротивление диода R и ) r d d - дифференциальное по постоянному току и сопротивление диода. Сделать вывод об их соотношении ля исследования обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона необходимо: 1) переключатель П2 установить в положение 5, подключив диод 5; 2) изменяя переключателем П1 резисторы R R и фиксируя 1 10 с помощью стрелочного прибора величину тока, протекающего через диод 5, снять зависимость СТ f ( ). Результаты измерений занесите в СТ таблицу 2 вида: Табл.2 Положение переключателя, ма СТ, В СТ 3) Построить вольтамперную характеристику стабилитрона СТ f ( ). СТ 4) ля стабилитрона построить зависимость r f ( СТ ), где r d d - дифференциальное сопротивление диода. Сделать СТ СТ вывод о соотношении дифференциального сопротивления на начальном участке вольтамперной характеристики стабилитрона и в области пробоя Исследование вентильных свойств диодов ля исследования вентильных свойств диодов используется простейшая схема диодного ограничителя, изображенная на рис. 8. R Задающий генератор ВХ Оссиллограф Рис. 8.Схема для исследования вентильных свойств диодов. ля ее получения достаточно на макете переключатель П1 поставить в положение 11, отключив тем самым напряжение источника питания и подать на вход синусоидальное напряжение с задающего генератора. При отрицательной полуволне напряжения с задающего генератора диод оказывается включенным в прямом направлении и ток, протекающий

10 10 через диод, создает на диоде небольшое падение напряжения в пр соответствии с вольтамперной характеристикой (участок 1 на рис.9.) При положительной полуволне напряжения с задающего генератора диод оказывается включенным в обратном направлении, ток через диод равен, т. е. практически близок к нулю, и все падение напряжения 0 вх t д выделяется на диоде ( участок 2 обр на рис.9.), что видно на экране осциллографа, затем процесс повторяется. Чем меньше величина чем меньше ток и пр, тем лучше 0 вентильные свойства диода. Вентильные свойства диодов можно оценить через коэффициент вентильных свойств, который определяется как отношение K. напряжений при прямом и обратном смещениях на диоде В обр пр 1.Порядок исследования вентильных свойств диодов: 1) Соберите схему диодного ограничителя, приведенного на рис. 8. ля ее получения достаточно переключатель П1 поставить в положение 11, отключив тем самым напряжение источника питания Переключатель П2 установить в положение 1, подключив диод 1; 2) Подайте на вход ограничителя с функционального генератора синусоидальный сигнал с амплитудой 2 В и частотой 1 кгц. Включите вх установку и получите на экране осциллографа осциллограммы входного и выходного сигналов. Зарисуйте осциллограммы. 3) Замеряйте значения и для диода 1 и занесите в пр обр таблицу 3 вида: Табл. 3. иод пр 1 2 пр 0 обр Рис. 9. Временные диаграммы диодного ограничителя. обр K. В 4) Повторите измерения для диодов Оформить отчет и сделать выводы по работе. t t

11 11 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1. Ицкович В.М. Электроника. Учебное пособие. Томск: Томский государственный университет, с. 2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Лаборатория Базовых Знаний, с.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТРАНСПОРТА» Кафедра микропроцессорной техники и информационно-управляющих систем ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Подробнее

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Лабораторная работа.8. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Цель работы: построение и изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока насыщения

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Московский технический университет связи и информатики. Кафедра телевидения. Лабораторная работа 5

МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Московский технический университет связи и информатики. Кафедра телевидения. Лабораторная работа 5 МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Московский технический университет связи и информатики Кафедра телевидения Лабораторная работа 5 ИССЛЕДОВАНИЕ БЕСТРАНСФОРМАТОРНОГО ГЕНЕРАТОРА КАДРОВОЙ РАЗВЕРТКИ

Подробнее

Исследование полевых транзисторов

Исследование полевых транзисторов Министерство общего и профессионального образования Российской федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ В статическом режиме связь между токами и напряжениями на электродах транзистора описывается системой нелинейных алгебраических уравнений. Графически эта

Подробнее

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1)

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1) МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1) Утверждено на заседании каф. 405 31.08.06 (Протокол 1) как учебно-методическое

Подробнее

В. Н. МАСЛЕННИКОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ

В. Н. МАСЛЕННИКОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ УД 61.391.8:61.375,11 В. Н. МАСЛЕННИОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ Рассматриваются шумовые характеристики ламп и транзисторов в видеоусилителях, работающих

Подробнее

«ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд. Техническое описание и инструкция по эксплуатации

«ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд. Техническое описание и инструкция по эксплуатации «ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд Техническое описание и инструкция по эксплуатации Содержание стр. 1. Назначение... 2 2. Технические характеристики... 2 3. Конструкция стенда... 3 4. Лабораторная

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 143 ИЗУЧЕНИЕ СЛОЖЕНИЯ ВЗАИМНО ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЫХ КОЛЕБАНИЙ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 143 ИЗУЧЕНИЕ СЛОЖЕНИЯ ВЗАИМНО ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЫХ КОЛЕБАНИЙ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 43 ИЗУЧЕНИЕ СЛОЖЕНИЯ ВЗАИМНО ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЫХ КОЛЕБАНИЙ С ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТРОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА Цель и содержание работы Целью работы является изучение сложения взаимно перпендикулярных

Подробнее

РАСЧЕТ МОЩНОСТИ ПОТЕРЬ В МОСТОВОМ ВЫПРЯМИТЕЛЕ С АКТИВНО-ЕМКОСТНОЙ НАГРУЗКОЙ. Падеров В. П., Виль А. В., Симкин А. В.

РАСЧЕТ МОЩНОСТИ ПОТЕРЬ В МОСТОВОМ ВЫПРЯМИТЕЛЕ С АКТИВНО-ЕМКОСТНОЙ НАГРУЗКОЙ. Падеров В. П., Виль А. В., Симкин А. В. РАСЧЕТ МОЩНОСТИ ПОТЕРЬ В МОСТОВОМ ВЫПРЯМИТЕЛЕ С АКТИВНО-ЕМКОСТНОЙ НАГРУЗКОЙ Падеров В. П., Виль А. В., Симкин А. В. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск Тел. (834)965,

Подробнее

Функциональная электроника рабочая программа дисциплины

Функциональная электроника рабочая программа дисциплины МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" (ФГБОУ ВПО «АлтГУ») УТВЕРЖДАЮ Декан Поляков

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Компьютерные системы и комплексы

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Компьютерные системы и комплексы Рыльский авиационный технический колледж филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет

Подробнее

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ Оглавление: ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ И ОФОРМЛЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ... 2 ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ... 2 РАБОТА 1. ЗАКОНЫ

Подробнее

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Министерство образования Российской Федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА Филиал "Восток" РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Учебно-методическое

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ = (1)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ = (1) ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ Цель работы: экспериментальное исследование распределения Максвелла. Литература: [4] гл. 3 3.1, 3.; [7]

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ Этот файл загружен с сайта кафедры ФОЭТ http://foet.miem.edu.ru Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на e-mail serj@foet.miem.edu.ru PDF-версия от 6 апреля 27 г. МИНИСТЕРСТВО

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФГБОУ ВПО «ГОСУНИВЕРСИТЕТ-УНПК» УЧЕБНО-НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Кафедра «Приборостроение, метрология и сертификация»

Подробнее

3. Анализ и синтез электрических структурной и функциональной схем Анализ и синтез электрической структурной схемы вольтметра

3. Анализ и синтез электрических структурной и функциональной схем Анализ и синтез электрической структурной схемы вольтметра Содержание Введение... 5 1. Обзор методов и средств измерения постоянного и переменного напряжения... 7 1.1 Обзор методов измерения постоянного и переменного напряжений... 7 1.1.1. Метод непосредственной

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах. Министерство образования Российской Федерации Саратовский ордена Трудового красного знамени государственный университет имени Н. Г. Чернышевского. кафедра прикладной физики Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных

Подробнее

Электроника, микроэлектроника и автоматика

Электроника, микроэлектроника и автоматика С.Д. Дунаев Электроника, микроэлектроника и автоматика Утверждено Департаментов кадров и учебных заведений МПС России в качестве учебника для студентов техникумов и колледжей железнодорожного транспорта

Подробнее

Рис. 1. А - основное символьное обозначение ОУ, Б - зависимость коэффициента усиления ОУ от частоты

Рис. 1. А - основное символьное обозначение ОУ, Б - зависимость коэффициента усиления ОУ от частоты УСИЛИТЕЛИ Большинство пассивных датчиков обладают очень слабыми выходными сигналами. Их величина часто не превышает нескольких микровольт или пикоампер. С другой стороны входные сигналы стандартных электронных

Подробнее

Министерство образования и науки Республики Беларусь БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра электротехники и электроники

Министерство образования и науки Республики Беларусь БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра электротехники и электроники Министерство образования и науки Республики Беларусь БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра электротехники и электроники ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ (ПРАКТИКУМ) по дисциплине «Электротехника

Подробнее

Постоянный электрический ток. Электрические измерения

Постоянный электрический ток. Электрические измерения Юльметов А. Р. Постоянный электрический ток. Электрические измерения Методические указания к выполнению лабораторных работ Оглавление P3.2.4.1. Амперметр как омическое сопротивление в цепи.............

Подробнее

Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов

Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов Определять параметры полевых транзисторов с p-n-переходом на затворе, как n-канальных, так и p-канальных, поможет описанная ниже простая

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

10. Измерения импульсных сигналов.

10. Измерения импульсных сигналов. 0. Измерения импульсных сигналов. Необходимость измерения параметров импульсных сигналов возникает, когда требуется получить визуальную оценку сигнала в виде осциллограмм или показаний измерительных приборов,

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ МПД-СТРУКТУР МЕТОДОМ ВОЛЬТФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

ИЗУЧЕНИЕ МПД-СТРУКТУР МЕТОДОМ ВОЛЬТФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального «Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева»

Подробнее

Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ

Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ СОДЕРЖАНИЕ 2.1.Интенсивность отказов как основная характеристика надежности элементов...30 2.2. Коэффициенты электрической нагрузки

Подробнее

РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ

РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ И ПИЩЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

Подробнее

Лабораторная работа 1. Генератор импульсов

Лабораторная работа 1. Генератор импульсов Лабораторная работа 1. Генератор импульсов Кафедра ВС СибГУТИ 2012 год Содержание 1. Цель работы... 3 2. Генераторы периодических сигналов.... 3 3. Описание элементной базы, используемой в работе.... 4

Подробнее

Работа 2.1 Исследование затухающих колебаний в. колебательного контура.

Работа 2.1 Исследование затухающих колебаний в. колебательного контура. Работа 2.1 Исследование затухающих колебаний в колебательном контуре Цель работы: изучение параметров и характеристик колебательного контура. Приборы и оборудование: генератор звуковых сигналов, осциллограф,

Подробнее

Федеральное агентство связи

Федеральное агентство связи Федеральное агентство связи Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики» Кафедра ЛС и ИТС «УТВЕРЖДАЮ»

Подробнее

8. Генераторы импульсных сигналов

8. Генераторы импульсных сигналов 8. Генераторы импульсных сигналов Импульсными генераторами называются устройства, преобразующие энергию постоянного источника напряжения в энергию электрических импульсов. Наибольшее применение в импульсной

Подробнее

Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation)

Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation) Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation) Микросхема IZ1937 представляет собой повышающий DC/DC конвертер, разработанный специально для управления

Подробнее

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов.

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Инна Щукина, Михаил Некрасов mik@icquest.ru Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано

Подробнее

IL235Z. Интегральная микросхема температурного датчика

IL235Z. Интегральная микросхема температурного датчика Интегральная микросхема температурного датчика (аналог LM235Z, ф. SGSThomson) Микросхема представляет собой точный датчик контроля температуры с возможностью калибровки. Микросхема функционирует как диод

Подробнее

Разработка автоматического зарядного устройства

Разработка автоматического зарядного устройства Разработка автоматического зарядного устройства Рунец Ю.А. Московский Государственный Технический Университет Гражданской Авиации Москва, Россия Development of automatic charger Runec Y.A. Moscow State

Подробнее

Комплект методических указаний по выполнению практических работ по дисциплине ОП.13 Конструирование радиоэлектронного оборудования

Комплект методических указаний по выполнению практических работ по дисциплине ОП.13 Конструирование радиоэлектронного оборудования Областное государственное бюджетное образовательное учреждение среднего профессионального образования «Иркутский авиационный техникум» УТВЕРЖДАЮ Директор ОГБОУ СПО «ИАТ» В.Г. Семенов Комплект методических

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Министерство образования и науки Российской Федерации М.Ю. Бородин, А.В. Кириллов, Н.Д. Ясенев ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ КУРС ЛЕКЦИЙ Учебное пособие предназначено для студентов всех форм обучения по

Подробнее

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ. 1. Разработан и внесен Техническим комитетом ТК 233 "Измерительная аппаратура для основных электрических величин".

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ. 1. Разработан и внесен Техническим комитетом ТК 233 Измерительная аппаратура для основных электрических величин. Утвержден и введен в действие Постановлением Госстандарта СССР от 29 декабря 1991 г. N 2308 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР УСИЛИТЕЛИ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА ОБЩИЕ

Подробнее

Синтез системы управления шаговым двигателем

Синтез системы управления шаговым двигателем Синтез системы управления шаговым двигателем # 10, октябрь 2014 Ситников А. В. УДК: 62.1.31 Россия, МГТУ им. Н.Э. Баумана sin_irina@mail.ru Введение и постановка задачи Уже более ста лет шаговые двигатели

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ

ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ Министерство транспорта Российской Федерации Федеральное агентство железнодорожного транспорта Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Дальневосточный

Подробнее

Датчики на основе эффекта Холла

Датчики на основе эффекта Холла - 1 - Датчики на основе эффекта Холла 1. Введение Применение датчиков на основе эффекта Холла включает в себя выбор магнитной системы и сенсора Холла с соответствующими рабочими характеристиками. Эти два

Подробнее

МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor»)

МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor») МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor») Микросхема IL7500B устройство, управляющее широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и предназначено

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ЛОГАРИФМИЧЕСКОГО ДЕКРЕМЕНТА И ДОБРОТНОСТИ КОЛЕБАТЕЛЬНОГО КОНТУРА

ИЗМЕРЕНИЕ ЛОГАРИФМИЧЕСКОГО ДЕКРЕМЕНТА И ДОБРОТНОСТИ КОЛЕБАТЕЛЬНОГО КОНТУРА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» УТВЕРЖДАЮ Проректор-директор

Подробнее

Минобрнауки России. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Минобрнауки России. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Минобрнауки России Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.Е.АЛЕКСЕЕВА» (НГТУ)

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИЗУЧЕНИЕ ЗАТУХАЮЩИХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ Методические указания

Подробнее

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1 Цифровые устройства Цифровые устройства это электронные функциональные узлы, которые обрабатывают цифровые сигналы. Цифровые сигналы представляются двумя дискретными уровнями напряжений: высоким и низким

Подробнее

Лабораторная работа 5 «ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА»

Лабораторная работа 5 «ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА» Лабораторная работа 5 «ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА» 1. Цель работы исследовать статические режимы и переходные процессы в схеме простого транзисторного ключа. 2. Ключевой режим работы

Подробнее

4-5. Расчет параметров электрической цепи с параллельным соединением. Методические рекомендации

4-5. Расчет параметров электрической цепи с параллельным соединением. Методические рекомендации МИНОБРНАУКИ РОССИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Иркутский государственный университет» (ФГБОУ ВПО «ИГУ») 4-5 Расчет параметров

Подробнее

Создание модели трансформатора в симуляторе LTspice

Создание модели трансформатора в симуляторе LTspice Создание модели трансформатора в симуляторе LTspice Валентин Володин Линейный трансформатор В SPICE симуляторах принята модель, согласно которой связь между обмотками определяется фиктивным схемным элементом,

Подробнее

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 2.1. Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников Полупроводники по величине удельного электрического сопротивления занимают промежуточное место

Подробнее

Тема: «Основные измерения»

Тема: «Основные измерения» Виды измерительных приборов Сегодня мы с вами продолжим наши исследование в области электрорадиоизмерений. В прошлом году мы использовали в нашей работе индукционные авометры Ц20 и Ц4341. Как вы знаете

Подробнее

АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет УПИ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина» С.Н. Киреев, А.В. Никитин АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ КРИВЫХ ПАШЕНА. Цель работы: получение и исследование зависимостей напряжения пробоя от давления (кривых Пашена) для аргона и воздуха.

ИССЛЕДОВАНИЕ КРИВЫХ ПАШЕНА. Цель работы: получение и исследование зависимостей напряжения пробоя от давления (кривых Пашена) для аргона и воздуха. ИССЛЕДОВАНИЕ КРИВЫХ ПАШЕНА Цель работы: получение и исследование зависимостей напряжения пробоя от давления (кривых Пашена) для аргона и воздуха. 1. Введение Закон Пашена экспериментально наблюдаемая закономерность

Подробнее

1845ИП10 Контроллер для оптико-электронных извещателей дыма

1845ИП10 Контроллер для оптико-электронных извещателей дыма НТФ ЭЛКОР 1845ИП1 1845ИП1 Контроллер для оптико-электронных извещателей дыма Микросхема 1845ИП1 Интегральная схема 1845ИП1 представляет собой специализированный контроллер для построения дымовых оптико-электронных

Подробнее

САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра динамического моделирования и биомедицинской инженерии

САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра динамического моделирования и биомедицинской инженерии САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра динамического моделирования и биомедицинской инженерии CАРАТОВСКИЙ ФИЛИАЛ ИНСТИТУТА РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ ИМ. В.А. КОТЕЛЬНИКОВА РАН ПРИХОДЬКО С.В, Б.П.

Подробнее

«Индивидуальное» зарядное устройство-автомат без микроконтроллера

«Индивидуальное» зарядное устройство-автомат без микроконтроллера «Индивидуальное» зарядное устройство-автомат без микроконтроллера Задорожный С.М., г.киев, 008г. Простое автоматическое зарядное устройство, о котором пойдет речь, собрано из доступных деталей, суммарная

Подробнее

УДК : Группа Т88.8 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ. Государственная система обеспечения единства измерений ТРАНСФОРМАТОРЫ ТОКА

УДК : Группа Т88.8 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ. Государственная система обеспечения единства измерений ТРАНСФОРМАТОРЫ ТОКА ГОСТ 8.217-87 УДК 621.314.224.089.6:006.354 Группа Т88.8 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ Государственная система обеспечения единства измерений ТРАНСФОРМАТОРЫ ТОКА Методика поверки State system for ensuring

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И ОСНОВЫ МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ

ЭЛЕКТРОНИКА И ОСНОВЫ МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Оренбургский государственный университет» Кафедра промышленной электроники

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ БЛОКОВ ПИТАНИЯ РТИПЛ-5 ПАСПОРТ. РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ.

ИЗУЧЕНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ БЛОКОВ ПИТАНИЯ РТИПЛ-5 ПАСПОРТ. РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ. ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» ИЗУЧЕНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ БЛОКОВ ПИТАНИЯ РТИПЛ-5 ПАСПОРТ. РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ. 2 1. Назначение. Учебная лабораторная установка РТИПЛ-5 (РадиоТехника

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 10 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ, ПОЛЕЗНОЙ МОЩНОСТИ И К.П.Д. ИСТОЧНИКА ТОКА ОТ НАГРУЗКИ.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 10 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ, ПОЛЕЗНОЙ МОЩНОСТИ И К.П.Д. ИСТОЧНИКА ТОКА ОТ НАГРУЗКИ. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 10 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ОЙ МОЩНОСТИ, ПОЛЕЗНОЙ МОЩНОСТИ И К.П.Д. ИСТОЧНИКА ТОКА ОТ НАГРУЗКИ. Цель работы: Научиться определять зависимость полной мощности, полезной мощности и К.П.Д.

Подробнее

МИКРОСХЕМА ЭЛЕКТРОННОГО КОДОВОГО КЛЮЧА I. ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ ИС.

МИКРОСХЕМА ЭЛЕКТРОННОГО КОДОВОГО КЛЮЧА I. ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ ИС. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ МИКРОСХЕМА ЭЛЕКТРОННОГО КОДОВОГО КЛЮЧА ОСОБЕННОСТИ Используется только 2 вывода I. ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ ИС. 65536 комбинаций

Подробнее

ЦИФРОВАЯ АВТОМАТИЧЕСКАЯ КОРРЕКЦИЯ ПОГРЕШНОСТЕЙ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ СИСТЕМ УЧЕТА ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ

ЦИФРОВАЯ АВТОМАТИЧЕСКАЯ КОРРЕКЦИЯ ПОГРЕШНОСТЕЙ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ СИСТЕМ УЧЕТА ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ 090 http://zhurnl.pe.relrn.ru/rtcles/00/099.pdf ЦИФРОВАЯ АВТОМАТИЧЕСКАЯ КОРРЕКЦИЯ ПОГРЕШНОСТЕЙ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ СИСТЕМ УЧЕТА ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ Андрианова Л.П. (ndr@stu.strnet.ru), Воеводин И.Г. (voevodn@stu.strnet.ru)

Подробнее

Лабораторная работа 2.7 Изучение электронного осциллографа См. также с.119 «Практикума»

Лабораторная работа 2.7 Изучение электронного осциллографа См. также с.119 «Практикума» Лабораторная работа 2.7 Изучение электронного осциллографа См. также с.119 «Практикума» 1 Экспериментальные задачи, поставленные в работе: - калибровка осциллографа, - наблюдение одиночных электрических

Подробнее

Рижский завод полупроводниковых приборов Акционерное общество ALFA Рига, Латвия

Рижский завод полупроводниковых приборов Акционерное общество ALFA Рига, Латвия Схема управления реле задних противотуманных огней Микросхема предназначена для управления переключением реле от нефиксирующейся кнопки Технология изготовления - КМОП Напряжение - 3,3 В, В Температурный

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОПД.02 ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОПД.02 ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тюменский государственный нефтегазовый университет»

Подробнее

Токовые клещи модели: UT-201/202

Токовые клещи модели: UT-201/202 ИНСТРУКЦИЯ ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ Токовые клещи модели: UT-201/202 СОДЕРЖАНИЕ Введение... 1 Комплект поставки... 1 Информация по безопасности... 1 Правила по безопасной работе... 1 Международные электрические

Подробнее

Усилитель низкой частоты и цветомузыкальная приставка

Усилитель низкой частоты и цветомузыкальная приставка Шестнадцатая научная конференция Москва» «Шаг в будущее, Усилитель низкой частоты и цветомузыкальная приставка Автор: Игоревич, Руководитель: Львовна, Попов Кирилл ГБОУ ЦО 1085 Ляпко Ирина учитель физики

Подробнее

Вольтамперометрия с линейной разверткой потенциала.

Вольтамперометрия с линейной разверткой потенциала. Вольтамперометрия с линейной разверткой потенциала. Техника вольтамперометрии с линейной разверткой потенциала нашла широкое распространение для исследования электродных процессов и первичной характеристики

Подробнее

VD2 VD1. смещения Динамический диапазон: 6 декад. Источник. тока I2

VD2 VD1. смещения Динамический диапазон: 6 декад. Источник. тока I2 Источник тока I1 Источник тока I2 Устрво бланкирования Выходной каскад AS АLFA RPAR ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЕЧАСТОТА, ЧАСТОТАНАПРЯЖЕНИЕ ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРНАЯ СХЕМА Работа на частоте до 00 кгц UOUT INC

Подробнее

Материалы VII Международной научно-технической конференции, ноября 2010 г.

Материалы VII Международной научно-технической конференции, ноября 2010 г. Материалы VII Международной научно-технической конференции, 23 27 ноября 2010 г. МОСКВА INTERMATIC 2 0 1 0, часть 3 МИРЭА СОВРЕМЕННЫЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ ДЛЯ СТУДЕНТОВ

Подробнее

МИКРОСХЕМА ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ

МИКРОСХЕМА ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского МИКРОСХЕМА ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ Практикум Рекомендовано методической комиссией физического

Подробнее

Установки высоковольтные измерительные «ПрофКиП УПУ-10М»

Установки высоковольтные измерительные «ПрофКиП УПУ-10М» Приложение к свидетельству лист 1 об утверждении типа средств измерений ОПИСАНИЕ ТИПА СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЙ Установки высоковольтные измерительные «ПрофКиП УПУ-10М» Назначение средства измерений Установки

Подробнее

Идеальные и реальные вольтметры и амперметры в цепях постоянного тока

Идеальные и реальные вольтметры и амперметры в цепях постоянного тока 28 Ефимов Василий Васильевич Заслуженный учитель РФ, Почётный работник общего образования РФ. Учитель физики Муниципальной общеобразовательной средней школы 3, г. Березники, Пермский край. Идеальные и

Подробнее

ТЕМА 2. Цепи переменного тока. П.3. Комплексное сопротивление (импеданс) П.4. Импедансы основных элементов цепи. П.5. Свободные колебания в контуре

ТЕМА 2. Цепи переменного тока. П.3. Комплексное сопротивление (импеданс) П.4. Импедансы основных элементов цепи. П.5. Свободные колебания в контуре ТЕМА 2. Цепи переменного тока П.1. Гармонический ток П.2. Комплексный ток. Комплексное напряжение. П.3. Комплексное сопротивление (импеданс) П.4. Импедансы основных элементов цепи. П.5. Свободные колебания

Подробнее

Основные типономиналы

Основные типономиналы Одноканальные DC/DC ИВЭП Серия МП Вт, 10 Вт, 1 Вт, 2 Вт, 0 Вт Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения наземного и морского базирования, авиационной, ракетной и космической техники

Подробнее

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ ИСТОЧНИКИ ТОКА ХИМИЧЕСКИЕ ПЕРВИЧНЫЕ. Методы контроля электрических параметров ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ ИСТОЧНИКИ ТОКА ХИМИЧЕСКИЕ ПЕРВИЧНЫЕ. Методы контроля электрических параметров ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ ГОСТ 29284-92 УДК 621.351.001.4:006.354 Группа Е59 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ MKC 29.220.10 ОКСТУ 3480 ИСТОЧНИКИ ТОКА ХИМИЧЕСКИЕ ПЕРВИЧНЫЕ Методы контроля электрических параметров Primary chemical sources

Подробнее

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ DC-DC КОНВЕРТЕР ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ - интегральная микросхема управления, содержащая основные функции, требуемые для DC-

Подробнее

КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ АКТИВНО-ИНДУКТИВНОГО ПРИЕМНИКА. Виртуальный практикум

КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ АКТИВНО-ИНДУКТИВНОГО ПРИЕМНИКА. Виртуальный практикум Федеральное агентство по образованию «Уральский государственный технический университет УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина» В.С. Проскуряков, С.В. Соболев КОМПЕНСАЦИЯ РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТИ

Подробнее

Кафедра теоретических основ теплотехники ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА МЕТОДОМ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО СЛОЯ

Кафедра теоретических основ теплотехники ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА МЕТОДОМ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО СЛОЯ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет

Подробнее

Элементы вычислительной техники

Элементы вычислительной техники Волгоградский государственный педагогический университет Элементы вычислительной техники Учебное пособие по курсу «Электронно-вычислительная техника» ВОЛГОГРАД «ПЕРЕМЕНА» 2002 2 ББК 32.965 Марков Б.Г Элементы

Подробнее

Б. И. АВДОЧЕНКО, В. Ф. КОНОВАЛОВ

Б. И. АВДОЧЕНКО, В. Ф. КОНОВАЛОВ 83 УДК 621.373.54; 621.314.1 Б. И. АВДОЧЕНКО, В. Ф. КОНОВАЛОВ БЛОК ПИТАНИЯ ДЛЯ АКТИВНО-ИМПУЛЬСНОЙ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ СИСТЕМЫ Представлен универсальный блок питания для проведения экспериментальных исследований

Подробнее

4. Электромагнитная индукция

4. Электромагнитная индукция 1 4 Электромагнитная индукция 41 Закон электромагнитной индукции Правило Ленца В 1831 г Фарадей открыл одно из наиболее фундаментальных явлений в электродинамике явление электромагнитной индукции: в замкнутом

Подробнее

СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ

СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ Министерство образования Российской Федерации Ульяновский государственный технический университет СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ Методические указания по курсовому проектированию Ульяновск Министерство

Подробнее

МОСТОВЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ

МОСТОВЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 2903, 2906, 2907, 2908, 2910 Лабораторная

Подробнее

КОНТОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ДИСЦИПЛИНЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ ДЛЯ СПЕЦИАЛЬНОСТИ

КОНТОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ДИСЦИПЛИНЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ ДЛЯ СПЕЦИАЛЬНОСТИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РЕСПУБЛИКИ ТАТАРСТАН ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ «НИЖНЕКАМСКИЙ НЕФТЕХИМИЧЕСКИЙ КОЛЛЕДЖ» КОНТОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ДИСЦИПЛИНЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ

Подробнее

Скорость распространения сигнала в линии также зависит от L и C и выражается фазовой скоростью: 1 v ф

Скорость распространения сигнала в линии также зависит от L и C и выражается фазовой скоростью: 1 v ф 4. Длинные линии 4.1. Распространение сигнала по длинной линии При передаче импульсных сигналов по двухпроводной линии часто приходится учитывать конечную скорость распространения сигнала вдоль линии.

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Физический факультет. Кафедра радиофизики

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Физический факультет. Кафедра радиофизики ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Практикум по радиоэлектронике Источники питания Методические указания к лабораторной

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ

ИЗУЧЕНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ ИЗУЧЕНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ В реальных электрических приборах и элементах электрической цепи при протекании тока возникает магнитное поле, выделяется теплота, и могут накапливаться

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ Государственное бюджетное образовательное учреждение Астраханской области среднего профессионального образования «Астраханский колледж вычислительной техники» МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ

Подробнее