ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр)

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр)"

Транскрипт

1 ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) 1. ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ* Классификация полупроводниковых материалов и их основные свойства. Параметры зонной структуры полупроводников. Зонная структура реальных полупроводников на примере германия и кремния. Зонная структура полупроводников А 3 В 5. Закон дисперсии Кейна. Вычисление параметров носителей заряда в рамках закона дисперсии Кейна. Зонная структура полупроводников А 2 В 6. Бесщелевые полупроводники, инверсный спектр Кейна. Зонная структура полупроводников А 4 В 6. Модифицированный закон дисперсии Кейна и закон дисперсии Диммока. Вычисление параметров носителей заряда. 2. ЛОКАЛЬНЫЕ УРОВНИ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ* Классификация дефектов. Точечные дефекты, мелкие и глубокие уровни. Резонансные уровни. Водородоподобная модель примеси. Классификация полупроводников по степени легирования. Сильно легированные полупроводники, примесные зоны. Теория электронного спектра точечных дефектов в полупроводниках. Мелкие, глубокие и резонансные уровни дефектов: основные параметры и характерные примеры. 2. СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ* Равновесная функция распределения Ферми-Дирака. Вырожденные и невырожденные полупроводники. Функция плотности состояний в полупроводнике с квадратичным изотропным законом дисперсии. Плотность состояний в полупроводниках со сложной зонной структурой. Эффективная масса плотности состояний. Вычисление концентраций свободных электронов и дырок. Интегралы Ферми Приближенные формулы для вычисления интегралов Ферми. Функции распределения электронов и дырок по локализованным состояниям. Концентрации электронов и дырок на локальных уровнях. Уравнение электронейтральности. Статистика собственного полупроводника. Решения уравнения электронейтральности для невырожденного и вырожденного собственных полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны по температурной зависимости собственной концентрации носителей заряда.

2 2 Статистика невырожденного полупроводника с одним типом примеси. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и энергии Ферми. Нижняя и верхняя температуры истощения примеси. Определение энергии активации примеси по температурной зависимости концентрации носителей заряда. Статистика полупроводника, содержащего донорную и акцепторную примеси. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и энергии Ферми. Вырожденные примесные полупроводники. Критические температура и концентрация вырождения. 3. НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ* Равновесные, неравновесные и избыточные носители заряда в полупроводниках, Квазиуровни Ферми. Эффективное сечение рекомбинации и среднее время жизни неравновесных носителей заряда. Основные механизмы рекомбинации и генерации неравновесных носителей заряда. Уравнение непрерывности. Примеры использования уравнения непрерывности (рекомбинация носителей заряда при моно- и биполярной генерации, релаксация избыточной концентрации при наличии внешнего возбуждения). Мгновенное время жизни. Межзонная рекомбинация. Теория Ван Русбрека-Шокли. Вычисление максимального времени жизни при излучательной межзонной рекомбинации. Зависимости времени жизни от уровня возбуждения, степени легирования полупроводника и температуры. Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна. Инжекция в p-n-переходе, максвелловское время релаксации. Диффузия и дрейф неравновесных избыточных носителей заряда в примесном полупроводнике. Диффузионная и дрейфовая длины. 4. КОНТАКТНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Полупроводник во внешнем электрическом поле. Изгиб энергетических зон в поверхностном слое и дебаевская длина экранирования. Термодинамическая работа выхода электрона. Контакт металл-металл. Контактная разность потенциалов. Контакт металл-полупроводник. Энергетические диаграммы идеальных контактов. Решение уравнения Пуассона для приконтактной области полупроводника. Глубина проникновения контактного поля в полупроводник и барьерная емкость контакта. Вольтамперная характеристика (ВАХ) барьера Шоттки. Практические применения барьера Шоттки. Электронно-дырочный переход. Контактная разность потенциалов. Размер обрасти

3 3 пространственного заряда и барьерная емкость p-n-перехода. Выпрямляющие свойства p- n-перехода. Идеальная ВАХ и величина тока насыщения для p-n-перехода. Поверхностные состояния. Поверхностный потенциал и приповерхностный объемный заряд. Общее решение уравнения Пуассона для приповерхностной области. Поверхностная проводимость. Эффект поля и его практическое применение. Основная литература 1. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Москва, Наука, П.С. Киреев. Физика полупроводников. Москва, Высшая школа, К.В. Шалимова. Физика полупроводников. Москва, Энергоатомиздат, 1985; С.- Петербург, Лань, П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Москва, Физматлит, В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, И.В. Карпенко, А.Г. Миронов. Сборник задач по физике полупроводников. Москва, Наука, Дополнительная литература 1. М. Грундман. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. Москва, Физматлит, Р. Смит. Полупроводники. Москва, Мир, К. Зеегер. Физика полупроводников. Москва, Мир, Г.Г. Зегря, В.И. Перель. Основы физики полупроводников. Москва, Физматлит, О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния. Москва, Наука, Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. Москва, Мир, С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Москва, Мир, Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках. Москва, Наука, Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника. Москва, Мир, П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. Киев, Наукова думка, Темы контрольных работ К. р. 1. Зонная структура и статистика носителей заряда в полупроводниках. К. р. 2. Неравновесные, контактные и поверхностные явления в полупроводниках. * Курсивом отмечены вопросы, частично рассмотренные в курсе «Основы физики полупроводников» (бакалавриат, 8 семестр).

4 4 ВОПРОСЫ ДЛЯ ПОДГОТОВКИ К ЭКЗАМЕНУ ПО КУРСУ "ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1" (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) 1. Классификация полупроводниковых материалов. Параметры зонной структуры полупроводников. 2. Зонная структура германия и кремния. 3. Зонная структура полупроводников А 3 В Зонная структура полупроводников А 2 В Зонная структура полупроводников А 4 В Локализованные состояния в полупроводниках. Мелкие и глубокие уровни. Резонансные уровни в энергетическом спектре полупроводников. 7. Водородоподобная модель примеси. Классификация полупроводников по степени легирования. Примесные зоны. 8. Функции распределения носителей заряда и плотности состояний в разрешенных зонах. 9. Вычисление концентраций свободных электронов и дырок. Интегралы Ферми. 10. Уравнение электронейтральности. Функции распределения носителей заряда по локализованным состояниям. 11. Статистика собственного полупроводника. 12. Определение ширины запрещенной зоны по температурной зависимости собственной концентрации. 13. Статистика полупроводника с одним типом примеси (области примесной ионизации и истощения примеси). 14. Статистика полупроводника с одним типом примеси (области истощения примеси и собственной ионизации). 15. Температурные зависимости энергии Ферми и концентрации носителей заряда в полупроводнике с одним типом примеси. Нижняя и верхняя температуры истощения примеси. 16. Статистика полупроводника, содержащего донорную и акцепторную примеси. 17. Вырожденные примесные полупроводники. Критические температура и концентрация вырождения. 18. Неравновесные носители заряда. Квазиуровни Ферми. Эффективное сечение рекомбинации и время жизни неравновесных носителей заряда. 19. Время жизни и основные механизмы генерации и рекомбинации носителей заряда. 20. Уравнение непрерывности и примеры его использования. 21. Межзонная рекомбинация носителей заряда (зависимости времени жизни от уровня инжекции и положения уровня Ферми). 22. Межзонная рекомбинация носителей заряда (теория Ван Русбрека-Шокли). Зависимость времени жизни от температуры. 23. Диффузионный и дрейфовый токи. Соотношения Эйнштейна. 24. Инжекция в p-n-переходе, максвелловское время релаксации.

5 5 25. Диффузия и дрейф неосновных избыточных носителей заряда в примесном полупроводнике. 26. Полупроводник во внешнем электрическом поле. Дебаевская длина экранирования. 27. Термодинамическая работа выхода. Контакт металл-металл. Контактная разность потенциалов. 28. Контакт металл-полупроводник. Энергетические диаграммы контактов, решение уравнения Пуассона для приконтактной области полупроводника. 29. Контакт металл-полупроводник. Выпрямляющие свойства барьера Шоттки. 30. Электронно-дырочный переход. Энергетическая диаграмма, контактная разность потенциалов и размер обрасти пространственного заряда. 31. Выпрямляющие свойства p-n-перехода. ВАХ тонкого p-n-перехода, ток насыщения. 32. Поверхностные состояния и приповерхностный объемный заряд. 33. Поверхностная проводимость и эффект поля.


Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет. Рабочая программа дисциплины

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет. Рабочая программа дисциплины МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет УТВЕРЖДАЮ: Декан физического факультета В.М. Кузнецов " " 2012 г. Рабочая программа дисциплины

Подробнее

Н.А.Дроздов доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент.

Н.А.Дроздов доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент. СОСТАВИТЕЛЬ: Н.А.Дроздов доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент. РЕЦЕНЗЕНТЫ: Г.П.Яблонский заведующий лабораторией физики и

Подробнее

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов Лекция 4 Контактные явления 4.1 Контактная разность потенциалов Из модели сильной связи в зонной теории твердого тела следует, что энергия электронов в кристалле - величина отрицательная. Физически это

Подробнее

Равновесная статистика электронов и дырок в полупроводниках А.В. Бобыль

Равновесная статистика электронов и дырок в полупроводниках А.В. Бобыль Равновесная статистика электронов и дырок в полупроводниках А.В. Бобыль Программа Функция распределения электронов. Концентрация электронов и вырожденный электронный (дырочный) газ. Концентрации электронов

Подробнее

Радиофизический факультет Кафедра электроники

Радиофизический факультет Кафедра электроники МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им.

Подробнее

ГОУ ВПО Российско-Армянский (Славянский) университет. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН

ГОУ ВПО Российско-Армянский (Славянский) университет. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 2000.62 и Положением «Об

Подробнее

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ФИЗИКЕ В МАГИСТРАТУРУ. (Специализация: Физика полупроводников. Микроэлектроника) в 2019 г. Правила проведения

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ФИЗИКЕ В МАГИСТРАТУРУ. (Специализация: Физика полупроводников. Микроэлектроника) в 2019 г. Правила проведения ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ФИЗИКЕ В МАГИСТРАТУРУ (Специализация: Физика полупроводников. Микроэлектроника) в 2019 г. Правила проведения Настоящая программа составлена на основе федерального государственного

Подробнее

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник)

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Лекция 1 Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Одиночные атомы имеют отдельные уровни энергии электронов. При объединении их в кристаллическую

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. Термины и определения основных электрофизических параметров

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. Термины и определения основных электрофизических параметров ГОСТ 22622-77 УДК 001.4:621.315:006.354 Группа Е00 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ MКC 01.040.29 29.045 МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения основных электрофизических параметров Semiconductor

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

Перечень вопросов для кандидатского минимума аспиранта по дисциплинефизикаполупроводников

Перечень вопросов для кандидатского минимума аспиранта по дисциплинефизикаполупроводников Перечень вопросов для кандидатского минимума аспиранта по дисциплинефизикаполупроводников 1. Кристаллические структуры. Решетка Браве. 2. Элементы симметрии, преобразования симметрии. 3. Сингонии. Точечные

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1. Время жизни носителей заряда 2. Дрейфовое движение

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

Требования к результатам обучения В результате изучения дисциплины (модуля) студент должен: ОПК-1

Требования к результатам обучения В результате изучения дисциплины (модуля) студент должен: ОПК-1 I. Аннотация 1. Цель и задачи дисциплины (модуля) Целью освоения дисциплины является: получение базовых знаний по полупроводниковой электронике, на основе которой в дальнейшем можно развивать более углубленное

Подробнее

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 53 3943 Ф 503 ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО ФИЗИКЕ Методические

Подробнее

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Движение свободных носителей заряда в металлах и полупроводниках. Полупроводники в микроэлектронике. Носители заряда в полупроводнике.

Подробнее

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию УТВЕРЖДАЮ Первый^^аместитель Министра образования щи Беларусь _А.И.

Подробнее

и определить основные параметры диодов Шоттки.

и определить основные параметры диодов Шоттки. 1. ВВЕДЕНИЕ Диод Шоттки это полупроводниковый прибор, свойства которого обусловлены выпрямляющим электрический ток переходом (контактом) металл/полупроводник. По сравнению с pn-переходом, сформированном

Подробнее

по направлению подготовки магистров «ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА»

по направлению подготовки магистров «ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА» МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (НИЯУ

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

РОССИЙСКО--АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ. Математики и высоких технологий. Общей физики и квантовых наноструктур.

РОССИЙСКО--АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ. Математики и высоких технологий. Общей физики и квантовых наноструктур. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РОССИЙСКО--АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Институт Кафедра Математики и высоких технологий Общей физики и квантовых наноструктур Перечень вопросов

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РА ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РА ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РА ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Инженерно-физический институт ВОПРОСЫ вступительного экзамена в магистратуру

Подробнее

Рабочая программа дисциплины (модуля)

Рабочая программа дисциплины (модуля) Программа утверждена на заседании Ученого Совета химического факультета МГУ имени М.В.Ломоносова Протокол 4 от 29 мая 2014 г. Рабочая программа дисциплины (модуля) 1. Наименование дисциплины (модуля):

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников ПОЛУПРОВОДНИКИ Полупроводники твердые тела, у которых при T=0 валентная зона полностью заполнена и отделена от зоны проводимости узкой, по сравнению с диэлектриками, запрещенной зоной Полагается, что ширина

Подробнее

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ 11 ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ Неметаллы отличаются от проводников наличием зоны запрещенных энергий g для электронов Структуры энергетических зон собственного полупроводника приведены на рис14 Состояния,

Подробнее

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ЛЕКЦИЯ 11 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ Механизмы электропроводности. Измерения электропроводности, объемная и поверхностная электропроводность. Эмиссия: термоэлектронная, автоэлектронная,

Подробнее

Радиофизический факультет Кафедра электроники

Радиофизический факультет Кафедра электроники МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им.

Подробнее

Дисциплина: Б3.В.ОД.6 Полупроводниковые прибопы. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН

Дисциплина: Б3.В.ОД.6 Полупроводниковые прибопы. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 211000.62 и Положением

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt.

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt. 3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

Подробнее

КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ

КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ Содержание 1. Металлы и полупроводники 2. Полупроводники 3. Металлы 4. Электропроводность полупроводников 5. Дрейфовая и диффузная электропроводности 6.

Подробнее

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра физики твердого тела В.В. ПАРФЕНОВ, Р.Х. ЗАКИРОВ, Н.В. БОЛТАКОВА КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД Методическое пособие

Подробнее

Научно-методическим советом Белорусского государственного университета (протокол 6 от 31 мая 2016 г.).

Научно-методическим советом Белорусского государственного университета (протокол 6 от 31 мая 2016 г.). 2 Учебная программа составлена на основе ОСВО 1-31 04 03-2013 и учебных планов УВО G31-165/уч. 2013 г. и G31и-188уч 2013 г. СОСТАВИТЕЛИ: П.И.Гайдук, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий

Подробнее

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности К.В.Шалимова ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний

Подробнее

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД Проводники, полупроводники, диэлектрики. Зонная энергетическая диаграмма У проводников большое количество свободных электронов, у диэлектриков валентные электроны

Подробнее

Элементы физики твердого тела

Элементы физики твердого тела Новосибирский государственный технический университет Элементы физики твердого тела Кафедра прикладной и теоретической физики Суханов И.И. Предметный указатель Дискретные уровни энергии электрона в атоме

Подробнее

Граничные условия и уровень инжекщн! Ширина р-п перехода 74

Граничные условия и уровень инжекщн! Ширина р-п перехода 74 Оглавление предисловие редактора Ю. А. Парменова 11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники 18 1.3. Концентрации

Подробнее

РАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В КРИСТАЛЛАХ

РАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В КРИСТАЛЛАХ Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физического факультета БГУ В.М. Анищик 26.06.2009 Регистрационный УД-2037 /баз. РАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В КРИСТАЛЛАХ Учебная программа для специальности

Подробнее

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Цель работы: исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и температурную зависимость прямого и обратного

Подробнее

«НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.Е. АЛЕКСЕЕВА» (НГТУ) Институт ядерной энергетики и технической физики

«НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.Е. АЛЕКСЕЕВА» (НГТУ) Институт ядерной энергетики и технической физики Министерство образования и науки Российской Федерации федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.Е.

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО

Подробнее

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида)

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Кроме доноров и акцепторов, в полупроводнике есть центры, энергия ионизации которых не является малой величиной по сравнению

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучить вольтамперную характеристику (ВАХ) полупроводникового диода. ПРИБОРЫ И ПРИНАДЛЕЖНОСТИ Полупроводниковый диод; Миллиамперметр;

Подробнее

по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Полупроводники

по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Полупроводники Министерство образования Российской Федерации РОСТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ А.В.Солдатов, Г.Э.Яловега, И.Е.Штехин, А.Н. Кравцова МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Часть 8 Полупроводники

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

1. ДИСЦИПЛИНЫ, ВКЛЮЧЁННЫЕ В ПРОГРАММУ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ В МАГИСТРАТУРУ

1. ДИСЦИПЛИНЫ, ВКЛЮЧЁННЫЕ В ПРОГРАММУ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ В МАГИСТРАТУРУ 1. ДИСЦИПЛИНЫ, ВКЛЮЧЁННЫЕ В ПРОГРАММУ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ В МАГИСТРАТУРУ 1.1. Физика 1.2. Физика твердого тела и полупроводников 1.3. Физика поверхности 2. СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНЫХ ДИСЦИПЛИН 2.1. «Физика»

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Физика полупроводников Физика полупроводников

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Физика полупроводников Физика полупроводников МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» Методические указания к лабораторной работе 6.3 ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПОМОЩЬЮ ЭФФЕКТА ХОЛЛА. Описание лабораторной работы.

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПОМОЩЬЮ ЭФФЕКТА ХОЛЛА. Описание лабораторной работы. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ПОМОЩЬЮ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Описание лабораторной работы. Составители: канд. физ.-мат.наук., доц. Агарев В.Н. (физический факультет ННГУ), канд. физ.-мат.наук., доц. Карзанов

Подробнее

ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел».

ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел». ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел». Билет 1 1.Химическая связь в кристаллах. Ионная, ковалентная, металлическая,

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Полоцкий государственный университет» ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС для студентов специальности

Подробнее

Содержание. Предисловие 11. Структура книги 15

Содержание. Предисловие 11. Структура книги 15 Предисловие 11 Структура книги 15 Глава 1. Мезоскопическая физика и нанотехнологии 17 1.1. книги 17 1.2. Основные тенденции развития нанои оптоэлектроники 18 1.3. Характеристические длины в мезоскопических

Подробнее

Программа дисциплины Физические основы микро- и наноэлектроники

Программа дисциплины Физические основы микро- и наноэлектроники Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" Московский институт электроники и математики Департамент

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА Дисциплина Физические основы микроэлектроники Для студентов специальности 2205 Курс 3 семестр 4 Учебных занятий

Подробнее

Учебная программа составлена на основе ОСВО и учебного плана Р98-286/уч от

Учебная программа составлена на основе ОСВО и учебного плана Р98-286/уч от 2 Учебная программа составлена на основе ОСВО 1-98 80 03-2012 и учебного плана Р98-286/уч от 26.05.2017 СОСТАВИТЕЛИ: П.И.Гайдук, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Работа 40 Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны может быть найдена с помощью измерений электропроводности или постоянной Холла в зависимости от температуры, а также

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

На этом рисунке приняты следующие обозначения:

На этом рисунке приняты следующие обозначения: Полупроводники Полупроводники вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (6 4 - - - - - - Ом см и диэлектриков ( Ом см.

Подробнее

Московский институт электроники и математики им. А.Н.Тихонова Департамент электронной инженерии

Московский институт электроники и математики им. А.Н.Тихонова Департамент электронной инженерии Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" Московский институт электроники и математики им.

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факультет УТВЕРЖДАЮ Декан

Подробнее

Твердотельная электроника

Твердотельная электроника Министерство образования и науки Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Петрозаводский государственный университет» Научно-образовательный

Подробнее

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода 1 Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода Студент: группа: Допуск Выполнение Защита Цель работы: изучение принципа

Подробнее

1. Квантовая и оптическая электроника. 2. Кинетические явления в полупроводниках, Физические основы наноэлектроники

1. Квантовая и оптическая электроника. 2. Кинетические явления в полупроводниках, Физические основы наноэлектроники 1. Квантовая и оптическая электроника 1. Атом водорода. Квантовые числа. Энергетические состояния атомов. 2. Квантовые переходы. Вероятность перехода. Матричный элемент. 3. Спонтанное и индуцированное

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Избранные главы физики полупроводников II

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Избранные главы физики полупроводников II МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Белорусский государственный университет

Белорусский государственный университет Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физического факультета БГУ В.М. Анищик 26.09.2009 Регистрационный УД-2022 /баз. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ Учебная программа для специальности 1-31 04

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию УТВЕРЖДАЮ грвый заместитель Министра образования ^Республики Беларусь В.А. Богуш о?0. ов-^о/^

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Компьютерное моделирование физических процессов в микро- и наноэлектронике

Компьютерное моделирование физических процессов в микро- и наноэлектронике МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «УЛЬЯНОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Компьютерное

Подробнее

к изучению дисциплины

к изучению дисциплины МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ. С.Г.Камзолова ПОСОБИЕ к изучению дисциплины «Общая электротехника и электроника», раздел «Электронные приборы» Часть 1. для студентов

Подробнее

1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 1.3. Взаимосвязь учебных дисциплин

1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 1.3. Взаимосвязь учебных дисциплин 1 1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины Дисциплина «Полупроводниковая электроника» является общим курсом для студентов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров 21000.62

Подробнее

Обратный ток в полупроводниковых диодах с неоднородной базовой областью

Обратный ток в полупроводниковых диодах с неоднородной базовой областью 12 апреля 06.1;06.2 Обратный ток в полупроводниковых диодах с неоднородной базовой областью Б.С. Соколовский Львовский государственный университет им. Ив. Франко Поступило в Редакцию 13 апреля 1999 г.

Подробнее

ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 210100 и Положением «Об

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

Глава 2. КОНТАКТЫ МЕТАЛЛ ПОЛУПРОВОДНИК Свойства контакта металл полупроводник

Глава 2. КОНТАКТЫ МЕТАЛЛ ПОЛУПРОВОДНИК Свойства контакта металл полупроводник Глава 2. КОНТАКТЫ МЕТАЛЛПОЛУПРОВОДНИК Первыми полупроводниковыми приборами в радиоэлектронике были детекторы, конструктивной основой которых является контакт металлической иглы из фосфористой бронзы и

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА 1. Цель работы Целью работы является изучение физики явлений, происходящих на р-n-переходах - основных элементарных

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 1: «Физические основы твердотельной электроники» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Тематический план вебинаров по дисциплине

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

А. И. Мамыкин, А. А. Рассадина КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. Учебно-методическое пособие по курсу «Физические основы электроники» (часть 2)

А. И. Мамыкин, А. А. Рассадина КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. Учебно-методическое пособие по курсу «Физические основы электроники» (часть 2) А. И. Мамыкин, А. А. Рассадина КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Учебно-методическое пособие по курсу «Физические основы электроники» (часть 2) Санкт-Петербург 2014 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

Подробнее

Неделя 11. Контактные явления в полупроводниках. Построение энергетических диаграмм контактов полупроводников.

Неделя 11. Контактные явления в полупроводниках. Построение энергетических диаграмм контактов полупроводников. Неделя 11. Контактные явления в полупроводниках. Построение энергетических диаграмм контактов полупроводников. Оглавление Задача 4.24...2 Задача 4.18...5 Задача Т.11.1...7 стр. 1 из 10 Задача 4.24 Если

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИЗУЧЕНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомиться с явлением фотопроводимости полупроводников, измерение спектрального распределения фотопроводимости в кристаллах сульфида кадмия (CdS).

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тихоокеанский государственный университет»

Подробнее