ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр)

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр)"

Транскрипт

1 ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) 1. ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ* Классификация полупроводниковых материалов и их основные свойства. Параметры зонной структуры полупроводников. Зонная структура реальных полупроводников на примере германия и кремния. Зонная структура полупроводников А 3 В 5. Закон дисперсии Кейна. Вычисление параметров носителей заряда в рамках закона дисперсии Кейна. Зонная структура полупроводников А 2 В 6. Бесщелевые полупроводники, инверсный спектр Кейна. Зонная структура полупроводников А 4 В 6. Модифицированный закон дисперсии Кейна и закон дисперсии Диммока. Вычисление параметров носителей заряда. 2. ЛОКАЛЬНЫЕ УРОВНИ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ* Классификация дефектов. Точечные дефекты, мелкие и глубокие уровни. Резонансные уровни. Водородоподобная модель примеси. Классификация полупроводников по степени легирования. Сильно легированные полупроводники, примесные зоны. Теория электронного спектра точечных дефектов в полупроводниках. Мелкие, глубокие и резонансные уровни дефектов: основные параметры и характерные примеры. 2. СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ* Равновесная функция распределения Ферми-Дирака. Вырожденные и невырожденные полупроводники. Функция плотности состояний в полупроводнике с квадратичным изотропным законом дисперсии. Плотность состояний в полупроводниках со сложной зонной структурой. Эффективная масса плотности состояний. Вычисление концентраций свободных электронов и дырок. Интегралы Ферми Приближенные формулы для вычисления интегралов Ферми. Функции распределения электронов и дырок по локализованным состояниям. Концентрации электронов и дырок на локальных уровнях. Уравнение электронейтральности. Статистика собственного полупроводника. Решения уравнения электронейтральности для невырожденного и вырожденного собственных полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны по температурной зависимости собственной концентрации носителей заряда.

2 2 Статистика невырожденного полупроводника с одним типом примеси. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и энергии Ферми. Нижняя и верхняя температуры истощения примеси. Определение энергии активации примеси по температурной зависимости концентрации носителей заряда. Статистика полупроводника, содержащего донорную и акцепторную примеси. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и энергии Ферми. Вырожденные примесные полупроводники. Критические температура и концентрация вырождения. 3. НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ* Равновесные, неравновесные и избыточные носители заряда в полупроводниках, Квазиуровни Ферми. Эффективное сечение рекомбинации и среднее время жизни неравновесных носителей заряда. Основные механизмы рекомбинации и генерации неравновесных носителей заряда. Уравнение непрерывности. Примеры использования уравнения непрерывности (рекомбинация носителей заряда при моно- и биполярной генерации, релаксация избыточной концентрации при наличии внешнего возбуждения). Мгновенное время жизни. Межзонная рекомбинация. Теория Ван Русбрека-Шокли. Вычисление максимального времени жизни при излучательной межзонной рекомбинации. Зависимости времени жизни от уровня возбуждения, степени легирования полупроводника и температуры. Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна. Инжекция в p-n-переходе, максвелловское время релаксации. Диффузия и дрейф неравновесных избыточных носителей заряда в примесном полупроводнике. Диффузионная и дрейфовая длины. 4. КОНТАКТНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Полупроводник во внешнем электрическом поле. Изгиб энергетических зон в поверхностном слое и дебаевская длина экранирования. Термодинамическая работа выхода электрона. Контакт металл-металл. Контактная разность потенциалов. Контакт металл-полупроводник. Энергетические диаграммы идеальных контактов. Решение уравнения Пуассона для приконтактной области полупроводника. Глубина проникновения контактного поля в полупроводник и барьерная емкость контакта. Вольтамперная характеристика (ВАХ) барьера Шоттки. Практические применения барьера Шоттки. Электронно-дырочный переход. Контактная разность потенциалов. Размер обрасти

3 3 пространственного заряда и барьерная емкость p-n-перехода. Выпрямляющие свойства p- n-перехода. Идеальная ВАХ и величина тока насыщения для p-n-перехода. Поверхностные состояния. Поверхностный потенциал и приповерхностный объемный заряд. Общее решение уравнения Пуассона для приповерхностной области. Поверхностная проводимость. Эффект поля и его практическое применение. Основная литература 1. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Москва, Наука, П.С. Киреев. Физика полупроводников. Москва, Высшая школа, К.В. Шалимова. Физика полупроводников. Москва, Энергоатомиздат, 1985; С.- Петербург, Лань, П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Москва, Физматлит, В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, И.В. Карпенко, А.Г. Миронов. Сборник задач по физике полупроводников. Москва, Наука, Дополнительная литература 1. М. Грундман. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. Москва, Физматлит, Р. Смит. Полупроводники. Москва, Мир, К. Зеегер. Физика полупроводников. Москва, Мир, Г.Г. Зегря, В.И. Перель. Основы физики полупроводников. Москва, Физматлит, О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния. Москва, Наука, Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. Москва, Мир, С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Москва, Мир, Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках. Москва, Наука, Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника. Москва, Мир, П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. Киев, Наукова думка, Темы контрольных работ К. р. 1. Зонная структура и статистика носителей заряда в полупроводниках. К. р. 2. Неравновесные, контактные и поверхностные явления в полупроводниках. * Курсивом отмечены вопросы, частично рассмотренные в курсе «Основы физики полупроводников» (бакалавриат, 8 семестр).

4 4 ВОПРОСЫ ДЛЯ ПОДГОТОВКИ К ЭКЗАМЕНУ ПО КУРСУ "ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1" (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) 1. Классификация полупроводниковых материалов. Параметры зонной структуры полупроводников. 2. Зонная структура германия и кремния. 3. Зонная структура полупроводников А 3 В Зонная структура полупроводников А 2 В Зонная структура полупроводников А 4 В Локализованные состояния в полупроводниках. Мелкие и глубокие уровни. Резонансные уровни в энергетическом спектре полупроводников. 7. Водородоподобная модель примеси. Классификация полупроводников по степени легирования. Примесные зоны. 8. Функции распределения носителей заряда и плотности состояний в разрешенных зонах. 9. Вычисление концентраций свободных электронов и дырок. Интегралы Ферми. 10. Уравнение электронейтральности. Функции распределения носителей заряда по локализованным состояниям. 11. Статистика собственного полупроводника. 12. Определение ширины запрещенной зоны по температурной зависимости собственной концентрации. 13. Статистика полупроводника с одним типом примеси (области примесной ионизации и истощения примеси). 14. Статистика полупроводника с одним типом примеси (области истощения примеси и собственной ионизации). 15. Температурные зависимости энергии Ферми и концентрации носителей заряда в полупроводнике с одним типом примеси. Нижняя и верхняя температуры истощения примеси. 16. Статистика полупроводника, содержащего донорную и акцепторную примеси. 17. Вырожденные примесные полупроводники. Критические температура и концентрация вырождения. 18. Неравновесные носители заряда. Квазиуровни Ферми. Эффективное сечение рекомбинации и время жизни неравновесных носителей заряда. 19. Время жизни и основные механизмы генерации и рекомбинации носителей заряда. 20. Уравнение непрерывности и примеры его использования. 21. Межзонная рекомбинация носителей заряда (зависимости времени жизни от уровня инжекции и положения уровня Ферми). 22. Межзонная рекомбинация носителей заряда (теория Ван Русбрека-Шокли). Зависимость времени жизни от температуры. 23. Диффузионный и дрейфовый токи. Соотношения Эйнштейна. 24. Инжекция в p-n-переходе, максвелловское время релаксации.

5 5 25. Диффузия и дрейф неосновных избыточных носителей заряда в примесном полупроводнике. 26. Полупроводник во внешнем электрическом поле. Дебаевская длина экранирования. 27. Термодинамическая работа выхода. Контакт металл-металл. Контактная разность потенциалов. 28. Контакт металл-полупроводник. Энергетические диаграммы контактов, решение уравнения Пуассона для приконтактной области полупроводника. 29. Контакт металл-полупроводник. Выпрямляющие свойства барьера Шоттки. 30. Электронно-дырочный переход. Энергетическая диаграмма, контактная разность потенциалов и размер обрасти пространственного заряда. 31. Выпрямляющие свойства p-n-перехода. ВАХ тонкого p-n-перехода, ток насыщения. 32. Поверхностные состояния и приповерхностный объемный заряд. 33. Поверхностная проводимость и эффект поля.

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности К.В.Шалимова ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний

Подробнее

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Физика магнитных материалов и полупроводников

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Физика магнитных материалов и полупроводников КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "УТВЕРЖДАЮ" Проректор В.С.Бухмин ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Физика магнитных материалов и полупроводников Цикл ДС ГСЭ - общие гуманитарные и социально-экономические дисциплины;

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

Электроника, микроэлектроника и автоматика

Электроника, микроэлектроника и автоматика С.Д. Дунаев Электроника, микроэлектроника и автоматика Утверждено Департаментов кадров и учебных заведений МПС России в качестве учебника для студентов техникумов и колледжей железнодорожного транспорта

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

1. Цели освоения дисциплины

1. Цели освоения дисциплины 1. Цели освоения дисциплины Цели освоения дисциплины: формирование у обучающихся: в области обучения формирование специальных знаний, умений, навыков выбора материала в зависимости от предъявляемых требований

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ Этот файл загружен с сайта кафедры ФОЭТ http://foet.miem.edu.ru Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на e-mail serj@foet.miem.edu.ru PDF-версия от 6 апреля 27 г. МИНИСТЕРСТВО

Подробнее

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ по образовательной программе высшего образования программе подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре ФГБОУ ВО «Орловский государственный университет имени

Подробнее

Неравновесная населенность и релаксация по состояниям мелких примесей в полупроводниках. Е.Е. Орлова

Неравновесная населенность и релаксация по состояниям мелких примесей в полупроводниках. Е.Е. Орлова Неравновесная населенность и релаксация по состояниям мелких примесей в полупроводниках Е.Е. Орлова Содержание 1. Почему интересны мелкие примесные центры в полупроводниках 2. Особенности спектра состояний

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм

ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Учебно-методическое

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Дагестанский государственный университет» УТВЕРЖДАЮ Ректор ДГУ М.Х. Рабаданов 30

Подробнее

Евгений Михайлович Лифшиц, Лев Петрович Питаевский СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА Часть 2 Теория конденсированного состояния ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие 8

Евгений Михайлович Лифшиц, Лев Петрович Питаевский СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА Часть 2 Теория конденсированного состояния ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие 8 Евгений Михайлович Лифшиц, Лев Петрович Питаевский СТАТИСТИЧЕСКАЯ ФИЗИКА Часть 2 Теория конденсированного состояния ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие 8 Некоторые обозначения 10 Глава I. Нормальная ферми-жидк ость

Подробнее

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физического факультета БГУ В.М. Анищик 26.06.2009 Регистрационный УД- 2054 /баз. МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Учебная программа для специальности

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И ОСНОВЫ МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ

ЭЛЕКТРОНИКА И ОСНОВЫ МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Оренбургский государственный университет» Кафедра промышленной электроники

Подробнее

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ 5 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 6 1.1. Энергетические уровни и зоны 6 1.2. Проводники, полупроводники и диэлектрики 6 1.3. Собственная электропроводность полупроводников

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 2.1. Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников Полупроводники по величине удельного электрического сопротивления занимают промежуточное место

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ ГОСУТАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ Редько Р.А., Горыня Л.М., Кременецкая Я.А. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ Издание Часть ІІ Семестр Киев 04 Утверждено

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ МПД-СТРУКТУР МЕТОДОМ ВОЛЬТФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

ИЗУЧЕНИЕ МПД-СТРУКТУР МЕТОДОМ ВОЛЬТФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального «Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева»

Подробнее

ТАВРИЧЕСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени В.И.ВЕРНАДСКОГО

ТАВРИЧЕСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени В.И.ВЕРНАДСКОГО ТАВРИЧЕСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени В.И.ВЕРНАДСКОГО "Утверждаю" Председатель Приемной комиссии (подпись) " " 2014 года ПРОГРАММА вступительного испытания в аспирантуру по специальной дисциплине

Подробнее

Московский физико-технический институт Кафедра общей физики. Лекция 7

Московский физико-технический институт Кафедра общей физики. Лекция 7 Московский физико-технический институт Кафедра общей физики Лекция 7 КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПОСТРОЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ДИАГРАММ КОНТАКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. заметки к лекциям по общей физике

Подробнее

«Реальная структура твердого тела» Лекция 2. Метод апроксимации Броуэра. Реальная структура твердого тела

«Реальная структура твердого тела» Лекция 2. Метод апроксимации Броуэра. Реальная структура твердого тела МГУ им.м.в.ломоносова Факультет Наук о Материалах Формирование системы инновационного образования «Реальная структура твердого тела» Лекция 2. Метод апроксимации Броуэра. goodilin@inorg.chem.msu.ru fmg.inorg.chem.msu.ru

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Министерство образования и науки Российской Федерации М.Ю. Бородин, А.В. Кириллов, Н.Д. Ясенев ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ КУРС ЛЕКЦИЙ Учебное пособие предназначено для студентов всех форм обучения по

Подробнее

Московский физико-технический институт Кафедра общей физики. Лекция 6 ПОЛУПРОВОДНИКИ. заметки к лекциям по общей физике. В.Н.

Московский физико-технический институт Кафедра общей физики. Лекция 6 ПОЛУПРОВОДНИКИ. заметки к лекциям по общей физике. В.Н. Московский физико-технический институт Кафедра общей физики Лекция 6 ПОЛУПРОВОДНИКИ заметки к лекциям по общей физике В.Н.Глазков Москва 05 В данном пособии представлены материалы к лекции по теме «Полупроводники»

Подробнее

Экзаменационные билеты «Электричество и магнетизм» (2013 г.) Лектор: проф. В.А.Алешкевич. Билет 4.

Экзаменационные билеты «Электричество и магнетизм» (2013 г.) Лектор: проф. В.А.Алешкевич. Билет 4. Экзаменационные билеты «Электричество и магнетизм» (2013 г.) Лектор: проф. В.А.Алешкевич Билет 1. 1. Электромагнитное взаимодействие и его место среди других взаимодействий в природе. Электрический заряд.

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина) МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)

Подробнее

Модуль 3 Процессы получения контактов и p-n переходов

Модуль 3 Процессы получения контактов и p-n переходов Модуль 3 Процессы получения контактов и p-n переходов 3.1. Получение электронно-дырочных структур. 3.1.1. Метод диффузии Диффузия примесей является в производстве одним из наиболее распространенных способов

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФГБОУ ВПО «ГОСУНИВЕРСИТЕТ-УНПК» УЧЕБНО-НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Кафедра «Приборостроение, метрология и сертификация»

Подробнее

ДИВАКАНСИОННАЯ МОДЕЛЬ ИНИЦИИРОВАНИЯ АЗИДОВ ТЯЖЕЛЫХ МЕТАЛЛОВ Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, А. Г. Кречетов

ДИВАКАНСИОННАЯ МОДЕЛЬ ИНИЦИИРОВАНИЯ АЗИДОВ ТЯЖЕЛЫХ МЕТАЛЛОВ Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, А. Г. Кречетов 94 Физика горения и взрыва, 2004, т. 40, N- 2 ДИВАКАНСИОННАЯ МОДЕЛЬ ИНИЦИИРОВАНИЯ АЗИДОВ ТЯЖЕЛЫХ МЕТАЛЛОВ Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, А. Г. Кречетов УДК 541.124.16:541.126.2:541.128 Кемеровский государственный

Подробнее

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР 1 В.В. Андреев 1, Г.Г. Бондаренко 2,3, А.А.Столяров 1, М.С. Васютин 1, С.И. Коротков 1 1 Московский государственный

Подробнее

Г.А. Рахманкулова, С.О. Зубович

Г.А. Рахманкулова, С.О. Зубович МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

В.Я.Алешкин. курс лекций «Современная физика полупроводников»

В.Я.Алешкин. курс лекций «Современная физика полупроводников» В.Я.Алешкин курс лекций «Современная физика полупроводников» Нижний Новгород Оглавление Раздел. Зонная структура германия кремния и арсенида галлия.4 Раздел. Движение электронов в кристалле в слабых полях..

Подробнее

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Лабораторная работа.8. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Цель работы: построение и изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока насыщения

Подробнее

Исследование полевых транзисторов

Исследование полевых транзисторов Министерство общего и профессионального образования Российской федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Подробнее

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

Экзаменационные билеты по разделу «Электричество и магнетизм» (2011 г.) Лектор: проф. П.А.Поляков

Экзаменационные билеты по разделу «Электричество и магнетизм» (2011 г.) Лектор: проф. П.А.Поляков Экзаменационные билеты по разделу «Электричество и магнетизм» (2011 г.) Лектор: проф. П.А.Поляков 1 Билет 1. 1. Электромагнитное взаимодействие и его место среди других взаимодействий в природе. Электрический

Подробнее

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА для подготовки аспирантов Специальность 01.04.10 Физика полупроводников Форма обучения Очная, заочная Краснодар 2015 1. Механика Движение материальной точки и системы

Подробнее

Задачи по статистической физике (8 семестр) Задача 1 страница 1

Задачи по статистической физике (8 семестр) Задача 1 страница 1 Задачи по статистической физике (8 семестр) Задача 1 страница 1 [1] Система имеет температуру Т. Найти среднее значение относительной намагниченности модельной системы спинов во внешнем поле Н (как функцию

Подробнее

Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук

Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС» На правах рукописи Щемеров Иван Васильевич Разработка и создание аппаратуры для бесконтактного измерения электрофизических параметров

Подробнее

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЮРИИ ЗАВРАЖНОВ, ИРИНА КАГАНОВА, ЕВГЕНИИ МАЗЕЛЬ АЛЬБЕРТ МИРКИН МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (c) Издательство «Радио и связь», 1985 ПРЕДИСЛОВИЕ В современной электронике все большую роль играет микроэлектроника,

Подробнее

1. СТАНДАРТ ДИСЦИПЛИНЫ

1. СТАНДАРТ ДИСЦИПЛИНЫ ОПД.В.1 1. СТАНДАРТ ДИСЦИПЛИНЫ для специальности Фундаментальная и прикладная химия - 020100 Химия твердого тела: Строение твердых тел. Энергия кристаллической решетки. Строение ионных кристаллов. Плотная

Подробнее

Исследование зависимости сопротивления полупроводников и металлов от температуры

Исследование зависимости сопротивления полупроводников и металлов от температуры Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Общий физический практикум Лабораторная работа 3.5 Исследование зависимости сопротивления

Подробнее

Министерство образования Российской Федерации ГОУ ВПО УГТУ-УПИ. Кафедра физики

Министерство образования Российской Федерации ГОУ ВПО УГТУ-УПИ. Кафедра физики Министерство образования Российской Федерации ГОУ ВПО УГТУ-УПИ Кафедра физики ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ ПО ФИЗИКЕ ТЕМА: КВАНТОВАЯ МЕХАНИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И ЗАДАНИЯ АВТОРЫ: ПЛЕТНЕВА Е.Д. ВАТОЛИНА

Подробнее

Билеты к экзамену по курсу "Атомная физика" (2 поток, 2014) Билет 1. Билет 2. Билет 3. Билет 4

Билеты к экзамену по курсу Атомная физика (2 поток, 2014) Билет 1. Билет 2. Билет 3. Билет 4 Билеты к экзамену по курсу "Атомная физика" (2 поток, 2014) Билет 1 1. Равновесное электромагнитное излучение. Формула Планка. Закон Стефана- Больцмана. Закон смещения Вина. 2. Уравнение Шредингера с центрально-симметричным

Подробнее

ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ МИКРО-, ОПТО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ МИКРО-, ОПТО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ А. А. Раскин, В. К. Прокофьева ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ МИКРО-, ОПТО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Часть 1 3-е издание (электронное) Рекомендовано Учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации

Подробнее

ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДНЫХ ЛИНЕЕК НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaAs/AlGaAs ДЛЯ НАКАЧКИ ЭРБИЕВЫХ ЛАЗЕРОВ

ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДНЫХ ЛИНЕЕК НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaAs/AlGaAs ДЛЯ НАКАЧКИ ЭРБИЕВЫХ ЛАЗЕРОВ Государственное научное учреждение «ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ИМЕНИ Б.И. СТЕПАНОВА НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НАУК БЕЛАРУСИ» На правах рукописи УДК 621.373.826 ЛЕБЕДОК Егор Викторович ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ЛАЗЕРНЫХ

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ Б.2.В.ОД.3 Общий физический практикум

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ Б.2.В.ОД.3 Общий физический практикум МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» (ФГБОУ ВПО «ВГУ») УТВЕРЖДАЮ Заведующий

Подробнее

4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ

4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ 4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ Проводники электричества это вещества, содержащие свободные заряжённые частицы. В проводящих телах электрические заряды могут свободно перемещаться в пространстве.

Подробнее

Требования к уровню освоения учебного курса

Требования к уровню освоения учебного курса Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) Ректор МАИ «УТВЕРЖДАЮ» А.Н. Геращенко Программа

Подробнее

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов.

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Инна Щукина, Михаил Некрасов mik@icquest.ru Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано

Подробнее

S с плотностью стороннего заряда. По теореме Гаусса

S с плотностью стороннего заряда. По теореме Гаусса 5 Проводники в электрическом поле 5 Проводники Проводниками называются вещества, в которых при включении внешнего поля перемещаются заряды и возникает ток Наиболее хорошими проводниками электричества являются

Подробнее

Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург:

Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург: Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург: http://audto-um.u, 013 3.1 ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ 3.1.1 Электризация тел Электрический

Подробнее

ЭЛЕКТРОСТАТИКА 1. Два рода электрических зарядов, их свойства. Способы зарядки тел. Наименьший неделимый электрический заряд. Единица электрического заряда. Закон сохранения электрических зарядов. Электростатика.

Подробнее

Основы теории однофазных и двухфазных турбулентных течений

Основы теории однофазных и двухфазных турбулентных течений Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана» (МГТУ им. Н.Э.Баумана) Дисциплина для учебного плана

Подробнее

Факультет естественных и инженерных наук Кафедра Биофизики

Факультет естественных и инженерных наук Кафедра Биофизики Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московской области «Международный университет природы, общества и человека «Дубна» (университет «Дубна») Факультет естественных

Подробнее

Электронная техника. Начало

Электронная техника. Начало 1 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru Москатов Евгений Анатольевич Электронная техника. Начало 2010 2 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

Подробнее

4-5. Расчет параметров электрической цепи с параллельным соединением. Методические рекомендации

4-5. Расчет параметров электрической цепи с параллельным соединением. Методические рекомендации МИНОБРНАУКИ РОССИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Иркутский государственный университет» (ФГБОУ ВПО «ИГУ») 4-5 Расчет параметров

Подробнее

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В.Ломоносова ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В.Ломоносова ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М.В.Ломоносова ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ПЛАН ИЗУЧЕНИЯ РАЗДЕЛА ЭЛЕКТРОМАГНЕТИЗМ КУРСА ОБЩЕЙ ФИЗИКИ МОСКВА 2016 ПЛАН ЛЕКЦИЙ по курсу Электромагнетизм,

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТРАНСПОРТА» Кафедра микропроцессорной техники и информационно-управляющих систем ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Подробнее

Абрикосов Алексей Алексеевич Горьков Лев Петрович Дзялошинский Игорь Ехиельевич МЕТОДЫ КВАНТОВОЙ ТЕОРИИ ПОЛЯ В СТАТИСТИЧЕСКОЙ ФИЗИКЕ

Абрикосов Алексей Алексеевич Горьков Лев Петрович Дзялошинский Игорь Ехиельевич МЕТОДЫ КВАНТОВОЙ ТЕОРИИ ПОЛЯ В СТАТИСТИЧЕСКОЙ ФИЗИКЕ Абрикосов Алексей Алексеевич Горьков Лев Петрович Дзялошинский Игорь Ехиельевич МЕТОДЫ КВАНТОВОЙ ТЕОРИИ ПОЛЯ В СТАТИСТИЧЕСКОЙ ФИЗИКЕ Квантовая статистическая физика изучает свойства систем, состоящих из

Подробнее

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ УДК 63096:637586 АН Поспелов СГГА, Новосибирск ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ При исследовании модуляции

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Факультет ФИЗИКИ ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ В МАГИСТРАТУРУ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Факультет ФИЗИКИ ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ В МАГИСТРАТУРУ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования «Российский государственный педагогический университет им.

Подробнее

«ФИЗИЧЕСКАЯ И КВАНТОВАЯ ОПТИКА»

«ФИЗИЧЕСКАЯ И КВАНТОВАЯ ОПТИКА» Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.

Подробнее

ϕ =, если положить потенциал на

ϕ =, если положить потенциал на . ПОТЕНЦИАЛ. РАБОТА СИЛ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ Потенциал, создаваемый точечным зарядом в точке A, находящейся на, если положить потенциал на бесконечности равным нулю: φ( ). Потенциал, создаваемый в

Подробнее

Е. А. Москатов ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА

Е. А. Москатов ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА Е. А. Москатов ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА г. Таганрог, 24 г. Е. А. Москатов. Стр. Москатов Е. А. Электронная техника. Таганрог, 24. 2 стр. Рецензент к.т.н. Гайно Евгений Владимирович. Автор выражает благодарность

Подробнее

Применение протонных пучков для модифицирования. полупроводниковой электроники

Применение протонных пучков для модифицирования. полупроводниковой электроники круглый стол РАДИАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ 27 сентября 2012 г., Санкт Петербург Применение протонных пучков для модифицирования полупроводников и производства материалов и приборов полупроводниковой

Подробнее

Электростатика. Магнитостатика. Электромагнитная индукция. Электрическое поле в проводящей среде.

Электростатика. Магнитостатика. Электромагнитная индукция. Электрическое поле в проводящей среде. МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н.Э.БАУМАНА Л.А.Лунёва, С.Н.Тараненко, В.Г.Голубев, А.В.Козырев, А.В. Купавцев. Электростатика. Магнитостатика. Электромагнитная индукция. Электрическое

Подробнее

Химический факультет

Химический факультет МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Кемеровский государственный университет» Химический

Подробнее

Научный журнал КубГАУ, 102(08), 2014 года. UDC УДК

Научный журнал КубГАУ, 102(08), 2014 года.  UDC УДК 1 УДК 621.315.592.3 ЛЕГИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Ga x In (1-x) P y Sb (1-y) ПРИМЕСЬЮ ТЕЛЛУРА Тумаев Евгений Николаевич д. ф.-м. н., профессор Скачков Александр Федорович аспирант Кубанский государственный

Подробнее

Д. А. Усанов А. В. Скрипаль. Физические основы н а н о э л е к т р о н и к и

Д. А. Усанов А. В. Скрипаль. Физические основы н а н о э л е к т р о н и к и Д. А. Усанов А. В. Скрипаль Физические основы н а н о э л е к т р о н и к и Саратов, 2013 УДК 537.311.33:621.372.542 ББК 22.379 У74 Усанов Д. А., Скрипаль А. В. У74 Физические основы наноэлектроники. Учебное

Подробнее

2 =0,1 мккл/м 2. Определить напряженность электрического поля, созданного этими заряженными плоскостями.

2 =0,1 мккл/м 2. Определить напряженность электрического поля, созданного этими заряженными плоскостями. Задачи для подготовки к экзамену по физике для студентов факультета ВМК Казанского госуниверситета Лектор Мухамедшин И.Р. весенний семестр 2009/2010 уч.г. Данный документ можно скачать по адресу: http://www.ksu.ru/f6/index.php?id=12&idm=0&num=2

Подробнее

Козлов В.А., канд. физ.-мат. наук

Козлов В.А., канд. физ.-мат. наук 12-я Международная выставка компонентов и систем силовой электроники 29 октября 2015 г., Москва, Крокус Экспо «Power Semiconductors Ltd.» Генеральный директор ООО «Центр Радиационных Технологий» Научный

Подробнее

Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА ОМСК 008 Министерство транспорта и связи Российской Федерации Омский

Подробнее

Основы физики твердого тела

Основы физики твердого тела О.Ю.Шевченко Основы физики твердого тела Учебное пособие Санкт-Петербург 010 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

Подробнее

Лабораторная работа. Цель работы. излучения с поверхностью металлической пленки исследование оптических

Лабораторная работа. Цель работы. излучения с поверхностью металлической пленки исследование оптических Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ПОСТОЯННЫХ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА Кононов М.А. Наими Е.К. Компьютерная модель «Оптические свойства металлических пленок» в

Подробнее

Перспективы импульсного лазерного легирования и наплавки

Перспективы импульсного лазерного легирования и наплавки Российская академия наук Физический институт им. П.Н. Лебедева, Самарский филиал ФИАН Перспективы импульсного лазерного легирования и наплавки Гусев Александр Алексеевич к.т.н., старший научный сотрудник

Подробнее

В. А. Никоненко МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

В. А. Никоненко МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ 1631 МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ СТАЛИ И СПЛАВОВ Технологический университет В. А. Никоненко МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Моделирование в среде MathCAD Практикум МОСКВА

Подробнее

ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АСПЕКТ ВЫДЕЛЕНИЯ РАСТВОРЕННОГО ВОДОРОДА В МИКРОПОРАХ МЕТАЛЛА

ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АСПЕКТ ВЫДЕЛЕНИЯ РАСТВОРЕННОГО ВОДОРОДА В МИКРОПОРАХ МЕТАЛЛА УДК 548.51 538.953 ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АСПЕКТ ВЫДЕЛЕНИЯ РАСТВОРЕННОГО ВОДОРОДА В МИКРОПОРАХ МЕТАЛЛА Д.А. Мирзаев, А.А. Мирзоев В работе предложена простая и наглядная теория заполнения водородом, растворенным

Подробнее

Кафедра вычислительной физики ОЦЕНОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПРОВЕРКИ ОСТАТОЧНЫХ ЗНАНИЙ СТУДЕНТОВ

Кафедра вычислительной физики ОЦЕНОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПРОВЕРКИ ОСТАТОЧНЫХ ЗНАНИЙ СТУДЕНТОВ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Казанский (Приволжский) федеральный университет» Кафедра вычислительной физики ОЦЕНОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Подробнее

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ МИНОБРНАУКИ РОССИИ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) В. П. АФАНАСЬЕВ Е. И. ТЕРУКОВ А. А. ШЕРЧЕНКОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ

ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ Лекции для студентов 3-го курса дневного отделения химического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского Лекция 20. Сканирующая зондовая микроскопия Лектор: д.х.н., профессор

Подробнее

УВЕЛИЧЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ВЫХОДНОЙ МОЩНОСТИ И КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ DрHEMT ТРАНЗИСТОРОВ ЗА СЧЕТ ПОВЫШЕНИЯ СТЕПЕНИ ЛОКАЛИЗАЦИИ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ В КАНАЛЕ

УВЕЛИЧЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ВЫХОДНОЙ МОЩНОСТИ И КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ DрHEMT ТРАНЗИСТОРОВ ЗА СЧЕТ ПОВЫШЕНИЯ СТЕПЕНИ ЛОКАЛИЗАЦИИ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ В КАНАЛЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ «ИСТОК» ИМЕНИ А.И.ШОКИНА» ЛУКАШИН Владимир Михайлович На правах рукописи УДК.621.385.6 УВЕЛИЧЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ВЫХОДНОЙ МОЩНОСТИ И КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ

Подробнее

ЕН.Р.03. Физика конденсированного состояния

ЕН.Р.03. Физика конденсированного состояния Министерство образования и науки Российской Федерации Гoсударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный университет» физический факультет

Подробнее

СРАВНЕНИЕ СРЕДНИХ ПО ВРЕМЕНИ ПОТЕРЬ МОЩНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И КОМБИНИРОВАННЫХ СИТ-МОП-ТИРИСТОРАХ.

СРАВНЕНИЕ СРЕДНИХ ПО ВРЕМЕНИ ПОТЕРЬ МОЩНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И КОМБИНИРОВАННЫХ СИТ-МОП-ТИРИСТОРАХ. СРАВНЕНИЕ СРЕДНИХ ПО ВРЕМЕНИ ПОТЕРЬ МОЩНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И КОМБИНИРОВАННЫХ СИТ-МОП-ТИРИСТОРАХ А. С.Кюрегян 1, А. В. Горбатюк 2, Б. В. Иванов 3, 1 Всероссийский электротехнический

Подробнее

Оглавление 1. Общие положения Цели изучения дисциплины Результаты освоения дисциплины Объем дисциплины и количество учебных часов

Оглавление 1. Общие положения Цели изучения дисциплины Результаты освоения дисциплины Объем дисциплины и количество учебных часов Оглавление 1. Общие положения.... Цели изучения дисциплины... 3. Результаты освоения дисциплины... 4. Объем дисциплины и количество учебных часов... 4.1. Объем дисциплины и количество учебных часов 5.

Подробнее

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах. Министерство образования Российской Федерации Саратовский ордена Трудового красного знамени государственный университет имени Н. Г. Чернышевского. кафедра прикладной физики Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных

Подробнее

КОМПЛЕКСНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ И АС-ПРОВОДИМОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ GaSe, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

КОМПЛЕКСНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ И АС-ПРОВОДИМОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ GaSe, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ КОМПЛЕКСНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ И АС-ПРОВОДИМОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ GaSe, ВЫРАЩЕННЫХ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов 1 Институт физики Национальной академии наук, Баку, Азербайджан

Подробнее

Кафедра теоретических основ теплотехники ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА МЕТОДОМ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО СЛОЯ

Кафедра теоретических основ теплотехники ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА МЕТОДОМ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО СЛОЯ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет

Подробнее

Практика в НИЯУ МИФИ!

Практика в НИЯУ МИФИ! Практика в НИЯУ МИФИ Устройство и принцип работы МДП-сенсора Практикант: Заведенский Кирилл Евгеньевич класс "10" Школа 29 город Подольск учитель: Царьков Игорь Сергеевич Руководитель практики: Литвинов

Подробнее

4. Математическое моделирование температурной зависимости проводимости тонкопленочных резисторов на основе диоксида олова

4. Математическое моделирование температурной зависимости проводимости тонкопленочных резисторов на основе диоксида олова Оглавление ВВЕДЕНИЕ... 4 1. Газочувствительные резисторы на основе тонких пленок диоксида олова... 10 1.1. Проводимость пленок диоксида олова... 24 1.2. Строение и модификация поверхности оксидов металлов

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Санкт-Петербургский государственный университет Математико-механический факультет

Министерство образования и науки Российской Федерации Санкт-Петербургский государственный университет Математико-механический факультет Министерство образования и науки Российской Федерации Санкт-Петербургский государственный университет Математико-механический факультет Принято на заседании кафедры статистического моделирования протокол

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Полевые транзисторы. Практикум

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Полевые транзисторы. Практикум МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Полевые транзисторы Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета

Подробнее

02;04;10. PACS: j

02;04;10.   PACS: j 12 августа 02;04;10 О стабильности частоты излучения плазменных релятивистских СВЧ-генераторов И.Л. Богданкевич, О.Т. Лоза, Д.А. Павлов Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва E-mail: loza@fpl.gpi.ru

Подробнее

Материалы и компоненты электронной техники

Материалы и компоненты электронной техники Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» Институт информационных технологий А. П. Казанцев, В. И. Пачинин,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ = (1)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ = (1) ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ Цель работы: экспериментальное исследование распределения Максвелла. Литература: [4] гл. 3 3.1, 3.; [7]

Подробнее