Министерство общего и профессионального образования РФ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Министерство общего и профессионального образования РФ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского"

Транскрипт

1 1 Министерство общего и профессионального образования РФ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Факультет прикладной физики и микроэлектроники Кафедра электроники твердого тела ИЗУЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ (описание лабораторной работы) Нижний Новгород, 1998

2 УДК Изучение параметров полевых транзисторов. Описание лабораторной работы. /Составитель: Е.С.Демидов. Н.Новгород, 1998 г., 9 с./ В данном описании приводятся основные сведения о принципе работы полевого транзистора на примере транзистора с изолирующим затвор р-n переходом, классификация и достоинства полевых транзисторов. Сформулированы задания для практического измерения статических параметров полевого транзистора, вопросы для самоконтроля. Приведенная в конце литература необходима для достаточно полного изучения вопросов, на которые ориентирует описание. Описание является методическим руководством и предназначено для студентов, изучающих физику полупроводниковых приборов. Рис. 5, библиогр. назв. 5 Составитель: д.ф.м.н., доцент кафедры ЭТТ Е.С. Демидов Рецензент: к.ф.м.н., доцент кафедры ФПиО Е.П. Богданов

3 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 3 ИЗУЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Цель работы 1. Исследование вольтамперных характеристик полевых транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа или р-типа при различных режимах работы. 2. Ознакомление с методом измерения основных параметров полевого транзистора. 1. Принцип работы Полевыми (униполярными) называют транзисторы, работа которых основана на управлении размерами токопроводящей области (канала) посредством изменения напряженности поперечно приложенного электрического поля. Проводимость канала в таких приборах определяется основными носителями. На рис. 1 показано устройство и схема включения полевого транзистора с p-n переходом и каналом n-типа. И p З n-канал С З С I C R Н И Е С p Е З П а) б) Рис.1. Устройство и схема включения полевого планарного транзистора с p-n переходом. И - исток, З - затвор, П - подложка, R Н - сопротивление нагрузки. Контакт, от которого движутся основные носители, называется истоком, а тот, к которому они движутся - стоком. Затвор на рис. 1а электрически изолирован от канала областью объемного заряда p-n перехода. В свою очередь, сам транзистор электрически изолирован от остальной части кристалла полупроводника подложки (П на рис. 1а) p - n переходом. Прикладывая к затвору обратное напряжение U ЗИ, можно изменять ширину p-n перехода, следовательно, и сопротивление канала R К. В результате будет изменяться величина тока стока I С, протекающего через сопротивле-

4 4 ние нагрузки R Н на рис 1б. Напряжения на затворе и стоке относительно истока составляют единицы вольт, причем, обычно U СИ > U ЗИ. Но ток затвора I З << I С. Следовательно, электрическая мощность управления со стороны затвора меньше выходной мощности, выделяющейся в сопротивлении нагрузки. Таким образом, полевой транзистор является усилительным прибором с регулируемым сопротивлением канала, причем он имеет много общего с электронной лампой. Это сходство не только в большом входном сопротивлении, но и в том, что при достаточном отрицательном смещении затвора расширяющиеся переходы могут перекрыть все сечение канала; это вызовет отсечку тока в рабочей цепи явление, аналогичное запиранию лампы. В отличие от биполярного транзистора, в полевом транзисторе главную роль играют основные носители тока. 2. Влияние U ЗИ на сопротивление канала R К При U СИ = 0 толщина канала с равномерной концентрацией примеси от истока к стоку постоянна по всей его длине, зависит от U ЗИ и определяется выражением 2εεO y = h ( ϕк + UЗИ) = h d, (1) enд где h расстояние между металлургическими границами, d толщина слоя пространственного заряда, ϕ К контактная разность потенциалов, зависящая от ширины запрещенной зоны полупроводника и уровней легирования р- и n- областей. На рис. 2 показано изменение формы n-слоя пространственного заряда и толщины канала при обратном смещении на затворе. При некотором U ЗИ =U ОТС канал полностью перекрывается. И З С h d y n p p П Рис.2. Изменение толщины канала при обратном смещении на затворе и U СИ =0 Сопротивление канала определяется выражением ρl R K =, (2) yw где ρ удельное сопротивление канала;

5 l длина канала; y толщина канала; W ширина канала. С учетом (1) получаем: где R K R KO =, (3) 1 d / h ρl R KO = (4) hw сопротивление канала при U ЗИ = ϕ К. С ростом запирающего напряжения на затворе сопротивление канала R οο, и транзистор закрывается при U ЗИ U ОТС. Напряжение отсечки можно найти из условия d = h. Из (1) получаем 2 2εεOh U ОТС = ϕk. (5) end Выражение (3) для R К можно, с учетом (1) и (5), переписать в более удобном виде, содержащем лишь электрически управляемые параметры. R КО R К =. (6) 1 ( U + ϕ )( U + ϕ ) ЗИ К ОТС К 5 3. Влияние напряжения сток-исток U СИ на процессы в канале При подаче на сток положительного напряжения относительно истока U СИ вдоль канала протекает ток I С и появится падение напряжения U Х между каналом и затвором. В этом случае толщина канала зависит от x (см. рис. 3) и определяется выражением: y [ ] = h 1 ( ϕk + UЗ И + UX )/( UОТС + ϕk ), (7) n И р З С + 0 х р Рис.3. Изменение формы слоя пространственного заряда при подаче напряжения на сток. П При некотором напряжении U СИ =U НАС канал у стока полностью перекрывается. В этом месте у стока, где х = l, сумма напряжений U ЗИ + ϕ К +U НАС

6 6 будет равна величине U ОТС + ϕ К, которая необходима для перекрытия канала. Следовательно, напряжение насыщения определяется выражением: U НАС = U ОТС - U ЗИ, (8) при этом сопротивление канала много больше R КО и имеет конечное значение. Через канал под действием напряжения U СИ проходит максимальный ток стока. При дальнейшем повышении U СИ (рис. 4) участок перекрытия канала расширяется, и весь избыток напряжения U СИ - U НАС падает на этом участке. А на проводящем участке канала напряжение остается равным U НАС. Основные характеристики полевого транзистора 1. Выходные характеристики полевого транзистора На выходных характеристиках (рис. 5) участок 1 соответствует триодному режиму работы полевого транзистора, при этом U СИ > U НАС. участок 2 соответствует пентодному режиму работы, U СИ > U НАС. Эти названия связаны с тем, что в триодном режиме выходные характеристики полевого транзистора похожи на выходные характеристики лампового триода. Соответственно, характеристики пентодного режима полевого транзистора похожи на выходные характеристики лампового пентода, отличающегося от триода двумя дополнительными сетками экранной и антидинатронной. В пентодном режиме ток стока достигает насыщения за счет увеличения падения напряжения на сопротивлении канала и соответствующего уменьшения ширины канала, а также за счет уменьшения подвижности основных носителей тока и насыщения их скорости. И З - С + р n 0 х р П 0 х UX=UНАС UX UX=UC Рис.4. Перекрытие канала при U СИ > U НАС.

7 IC I II 7 UЗ1 UЗ2 UЗ3 UЗ1<UЗ2<UЗ3<UЗ4 UЗ4 -UC Рис.5. Выходные характеристики полевого транзистора, зависимость I C =f(u C ) при различных U ЗИ (с n-каналом). 2. Входные характеристики полевого транзистора Входные характеристики определяются свойствами р-п перехода затвора, при обратном напряжении затвора. Ток затвора I ЗО - это ток закрытого р-n перехода. I ЗО определяется тепловым током, током термогенерации, токами утечки обратно смещенного р-п перехода. Однако в отличие от полупроводникового диода на ток I ЗО здесь влияет ионизация носителей заряда в перекрытой части канала, этот процесс обуславливает зависимость тока затвора от тока и напряжения стока. 3. Достоинства и классификация полевых транзисторов В зависимости от способа изоляции затвора полевые транзисторы различают: транзисторы с управляемым р-п переходом; транзисторы с изолированным затвором (МОП, МДП); транзисторы с индуцированным каналом (МОП, МДП); транзисторы с барьером Шоттки; НЕМТ транзисторы с двумерными (2D) квантово-размерными электронными состояниями Все эти типы транзисторов могут быть как с n-, так и с р-каналом. Полевые транзисторы с р-п переходом и каналом п-типа как по полярности источников питания, так и по электрическим характеристикам идентичны электровакуумным триодам. Преимущество полевого транзистора по сравнению с вакуумными лампами заключается в следующем: 1) малая потребляемая мощность;

8 2) малые напряжения питания; 3) возможности изготовления транзисторов малых размеров: 4) возможность применения современной технологии позволяет создавать интегральные схемы небольших размеров с малой потребляемой мощностью и содержащие до 10 6 активных элементов; 5) возможность получения больших, чем у ламп предельных частот; 6) возможность изготовления транзисторов с р- или п- каналом; 7) значительно большая надежность ( особенно в интегральном исполнении) и долговечность. А недостатков всего два: 1) более критичны к превышениям тока или напряжения; 2) более узкий интервал рабочих температур. В отличие от биполярного транзистора, в полевом транзисторе ток управляющего электрода затвора на низких частотах на несколько порядков величины меньше, чем ток базы биполярного транзистора. В О П Р О С Ы 1. Как зависит величина сопротивления R КО от физических характеристик материала канала.? 2. Из каких заряженных частиц состоит область пространственного заряда и почему эта область изолирует прохождение тока? 3. Чем отличается триодный и пентодный режимы работы транзистора, что физически означает: перекрытие канала слоем объемного заряда? 4. Как изменяется форма слоя объемного заряда в канале в триодном и пентодном режимах? 5. Почему ток транзистора достигает насыщения при изменении напряжения на стоке? 6. С какими физическими параметрами материала связано напряжение отсечки? 7. Чем обусловлено R УТ, ток I ЗО? 8. Какие факторы определяют зависимость параметров транзистора от температуры? 9. Какие разновидности полевых транзисторов вы знаете? 10. Какие преимущества и недостатки полевых транзисторов по сравнению с вакуумными лампами? 8

9 З А Д А Н И Я 9 1. Ознакомится с описанием прибора Л Ознакомится с техническими данными исследуемых транзисторов. 3. Снять и построить семейство входных характеристик тока затвора I З = f(u ЗИ ) (где U ЗИ =0 10 В - напряжение затвор - исток ) при U СИ = -0, - 2, -5, -10, -15 B. Из полученных семейств определить: а) зависимость I З и сопротивление утечки R УТ от U ЗИ при U СИ =0. Величина I ЗО находится путем экстраполяции зависимости для I З =f(u ЗИ ) до пересечения с осью ординат. Сопротивление утечки R УТ = ΔU ЗИ /ΔI З определяется из той же характеристики. 4. Снять и построить семейство стоковых характеристик I=f(U СИ ) при U СИ = 0 10B и U ЗИ = 0 10 В. Из полученного семейства определить: а) минимальное сопротивление канала R КО = U СИ /I С при U ЗИ = 0 крутизну и напряжение насыщения при U ЗИ = 0; б) напряжение отсечки, максимальный ток I ЗМ и ток отсечки при U ИС = -10В. Для этого построить из семейства зависимость I С = f(u ЗИ ). 5. Из семейства характеристик определить матрицу У-параметров транзистора при U ЗИ = 1В, U СИ = -10В. 6. Построить и объяснить зависимость крутизны S от тока I С. Л И Т Е Р А Т У Р А 1. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и интегральных схем. Энергия, M., 1972 г. 2. Мылин Б. В., Cонин М.С. Параметры и свойства полевого транзистора. Энергия,М.,1967 г. 3. Севин А. Полевые транзисторы. Советское радио,м.,1962 г. 4. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. Изд. Советское радио, М., 1980 г. 5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М., 1984, т.1.

Полевые транзисторы (ПТ)

Полевые транзисторы (ПТ) Полевые транзисторы (ПТ) Электроника и МПТ Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок) униполярные транзисторы. 1 Полевые

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер.

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер. 1 Биполярные транзисторы 1. Основные понятия Лекции профессора Полевского В.И. Лекция 1 Биполярным транзистором называют трѐхэлектродный полупроводниковый прибор, с двумя взаимодействующими между собой

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик полевого транзистора и усилителя на его основе.

Подробнее

Исследование полевых транзисторов

Исследование полевых транзисторов Министерство общего и профессионального образования Российской федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Методическое пособие к лабораторным работам

ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Методическое пособие к лабораторным работам КАЗАНСКИЙ (ПРИВОЛЖСКИЙ) ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра физики твёрдого тела В.В. ПАРФЕНОВ, И.В. ЯНИЛКИН ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Методическое пособие к лабораторным работам

Подробнее

Рис. 2 Модуль "Транзисторы"

Рис. 2 Модуль Транзисторы Глава 2 Исследование полевого и биполярного транзисторов Цель проведения работ Знание устройств, изучение характеристик и параметров электронных полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов.

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РЭЛ 3 НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Полевые

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факультет УТВЕРЖДАЮ Декан

Подробнее

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Электронные ключи. Электронный ключ аналог механического ключа. Электроника

Электронные ключи. Электронный ключ аналог механического ключа. Электроника Электронные ключи Электроника Электронный ключ устройство, коммутирующее различные электрические цепи бесконтактным способом. Электронный ключ аналог механического ключа. В основе любого электронного ключа

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

«Исследование характеристик полевого транзистора»

«Исследование характеристик полевого транзистора» МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) Лабораторная работа «Исследование характеристик полевого транзистора» Москва, 2006 г. Полевой транзистор (ПТ) содержит три полупроводниковые

Подробнее

Униполярный транзистор в широкополосном усилительном каскаде с RC-связями

Униполярный транзистор в широкополосном усилительном каскаде с RC-связями Московский Государственный Технический Университет имени Н.Э.Баумана C. Р. Иванов Униполярный транзистор в широкополосном усилительном каскаде с RC-связями Методические указания к выполнению лабораторных

Подробнее

ТРАНЗИСТОРЫ. 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора

ТРАНЗИСТОРЫ. 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора ТРАНЗИСТОРЫ. Устройство и принцип действия биполярного транзистора Транзистором называется преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, предназначенный для усиления мощности

Подробнее

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1.

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1. Вариант 1. 1. Назначение, устройство, принцип действия, условное графическое обозначение и вольт-амперная характеристика электровакуумного диода. 2. Назначение и структурная схема выпрямителей. Основные

Подробнее

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Цель работы Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Вольтамперные характеристики нелинейных элементов

Вольтамперные характеристики нелинейных элементов Юльметов А. Р. Вольтамперные характеристики нелинейных элементов Методические указания к выполнению лабораторных работ Оглавление P... Получение вольтамперных характеристик диодов............ P..5.. Исследование

Подробнее

Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы

Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы к.ф. м. н., доцент Ремпен И.С. Саратов, СГУ, кафедра лектроники, колебаний и волн Биполярные транзисторы 2 На рисунке представлено прямое включение Э миттер,

Подробнее

Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей

Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей 1 Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей ТРАНЗИСТОРНЫЕ КЛЮЧИ. Режим работы транзистора, при котором он находится в установившемся состоянии либо в области отсечки, либо в области

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах 6. Импульсные ключи. Ключом в электротехнике называется двухполюсник, имеющий два состояния с нулевой проводимостью (разомкнут) и с бесконечной проводимостью (замкнут). В импульсной технике зачастую приходится

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет УТВЕРЖДАЮ: Декан физического факультета В.М. Кузнецов " " 2012 г. Рабочая программа дисциплины

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

Физические основы электроники Электроника

Физические основы электроники Электроника Федеральное агентство по образованию Ижевский государственный технический университет КАФЕДРА «Радиотехника» Т.Ю. Трефилова А.Н. Копысов Физические основы электроники Электроника МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

Подробнее

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах. Министерство образования Российской Федерации Саратовский ордена Трудового красного знамени государственный университет имени Н. Г. Чернышевского. кафедра прикладной физики Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных

Подробнее

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика 7. Базовые элементы цифровых интегральных схем. 7.1. Диодно-транзисторная логика Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как элемент с двумя состояниями, или логический

Подробнее

Лекция 4 БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лекция 4 ИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы. Взаимодействие двух близкорасположенных электроннодырочных переходов. Принцип работы биполярного транзистора. Виды биполярных транзисторов.

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

±30. КП7173А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном.

±30. КП7173А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном. КП773А Полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором,

Подробнее

Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) 1) Полевые транзисторы. 2) Конструкция МДП-транзистора. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Полевые транзисторы (ПТ),

Подробнее

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ План 1. Введение. 2. Усилительные каскады на полевых транзисторах.

Подробнее

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Реализация элементарных логических функций. Основные логические элементы: НЕ, И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ Таблица истинности:

Подробнее

КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ И КЛЕТОЧНЫЕ АВТОМАТЫ методическое пособие к практикуму по физике полупроводников

КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ И КЛЕТОЧНЫЕ АВТОМАТЫ методическое пособие к практикуму по физике полупроводников КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ ПАРФЕНОВ В.В. КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ И КЛЕТОЧНЫЕ АВТОМАТЫ методическое пособие к практикуму по физике

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Полевые транзисторы. Практикум

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Полевые транзисторы. Практикум МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Полевые транзисторы Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета

Подробнее

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ Кафедра электроники и микроэлектронных

Подробнее

Пример решения задачи 1.

Пример решения задачи 1. Введение Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ», часть 2. Требования к контрольной работе:

Подробнее

Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики

Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики «УТВЕРЖДАЮ» Декан ЕНМФ ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ И ПОДВИЖНОСТИ ОСНОВНЫХ

Подробнее

Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов.

Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов. Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов. Гроо Е.П. ООО НПФ Микран, г. Томск, E-mail: www.groo318@ngs.ru Публикация: Научная сессия ТУСУР 2004. Материалы Всероссийской

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

Изучение работы биполярного транзистора

Изучение работы биполярного транзистора Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Общий физический практикум Лабораторная работа 3.7 Изучение работы биполярного транзистора

Подробнее

Дисциплина: Б3.В.ОД.6 Полупроводниковые прибопы. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН

Дисциплина: Б3.В.ОД.6 Полупроводниковые прибопы. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 211000.62 и Положением

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНОГО ТРАНСПОРТА Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет путей сообщения» Кафедра электроники

Подробнее

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов I. Физические основы полупроводниковой электроники 1. Виды электронных приборов Электронными называют приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике. В своем развитии

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП82А КП82Б аа. 336. 82 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП82А, КП82Б в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ ПАРФЕНОВ В.В., ЗАКИРОВ Р.Х., БОЛТАКОВА Н.В. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела Казань

Подробнее

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ 5.1. ПРИНЦИП УСИЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Назначение и классификация усилителей. Усилители переменного напряжения являются наиболее распространенным типом электронных

Подробнее

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ В.Ракитин, rakitin@niifp.ru Для уменьшения относительных размеров полупроводниковых приборов и снижения их напряжения питания используются

Подробнее

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ 97 Лекция 9. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ План. Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).. Элементы КМОП-логики. 3. Основные параметры логических элементов. 4. Выводы.. Элементы транзисторно-транзисторной

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет УПИ» Институт образовательных информационных технологий ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

Подробнее

Определение удельного сопротивления проводника

Определение удельного сопротивления проводника Определение удельного сопротивления проводника. Введение. Электрическим током называют упорядоченное движение заряженных частиц. Сами эти частицы называются носителями тока. В металлах и полупроводниках

Подробнее

Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики

Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики «УТВЕРЖДАЮ» Декан ЕНМФ Ю.И.Тюрин 2000 г. ИЗУЧЕНИЕ ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

Подробнее

Л Е К Ц И Я 4. Нелинейные цепи постоянного тока.

Л Е К Ц И Я 4. Нелинейные цепи постоянного тока. Л Е К Ц И Я 4 Нелинейные цепи постоянного тока. 1. Нелинейные элементы и цепи. 2. Вольт-амперные характеристики нелинейных элементов. 3. Графоаналитические методы расчета нелинейных цепей. 1. Нелинейные

Подробнее

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя.

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя. Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного Задача: 1. Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного

Подробнее

Московский государственный университет. им. М.В.Ломоносова. Физический факультет. Кафедра общей физики

Московский государственный университет. им. М.В.Ломоносова. Физический факультет. Кафедра общей физики Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е (электричество и магнетизм) Лабораторная

Подробнее

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации сигналов в электрических цепях. Термин «транзистор»

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАОТЫ ИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Целью работы является ознакомление с устройством, физикой явлений, способами включения и некоторыми характеристиками транзистора.

Подробнее

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный.

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. 1. Краткое теоретическое введение Различают три вида фотоэффекта:

Подробнее

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию УТВЕРЖДАЮ Первый^э^еститель Министра образования Рес^^^шки, Б^ару^

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

Кафедра физики. Лаборатория электричества и магнетизма ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 66 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ТРЕХЭЛЕКТРОДНОЙ ЛАМПЫ. Новосибирск 2008 г.

Кафедра физики. Лаборатория электричества и магнетизма ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 66 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ТРЕХЭЛЕКТРОДНОЙ ЛАМПЫ. Новосибирск 2008 г. ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ДИЗАЙНА И ТЕХНОЛОГИИ НОВОСИБИРСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ

Подробнее

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УНПК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УНПК ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УНПК Научно-исследовательская работа на тему: «Моделирование кремниевого вертикального МОПтранзистора с двойной диффузией в программе Quite Universal Circuit Simulator» Студенников

Подробнее

ИМПУЛЬСНЫЕ СВОЙСТВАСХЕМ ДИОДНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

ИМПУЛЬСНЫЕ СВОЙСТВАСХЕМ ДИОДНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Карзов Б.Н., Кастров М.Ю., Малышков Г.М. ИМПУЛЬСНЫЕ СВОЙСТВАСХЕМ ДИОДНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ При выборе различных способов управления основными схемами диодных включений МДПтранзисторов, используемых

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

Частотные характеристики цепей с операционными усилителями и транзисторами

Частотные характеристики цепей с операционными усилителями и транзисторами В некоторых случаях топология цепи задается с помощью описания. модели, в которых учитываются параметры транзистора на переменном токе... касающиеся операционных усилителей, частотных характеристик, анализа

Подробнее

Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники

Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники Рабочая программа, контрольные задания и методические указания для студентов заочного отделения направления 210700 инфокоммуникационные

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы Модуль 1 1. Полупроводниковые материалы имеют удельное сопротивление 1) больше, чем проводники 2) меньше, чем проводники 3) больше, чем диэлектрики 4)

Подробнее

2. Полупроводниковые приборы.

2. Полупроводниковые приборы. 1 2. Полупроводниковые приборы...1 2.1. Основные свойства полупроводников...1 2.2. Примесные полупроводники...3 2.3. P-n переход...5 2.4. Типы диодов...8 2.5. Биполярные транзисторы...13 2.6. Характеристики

Подробнее

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 1 Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 Интегральная микросхема (ИМС), или, короче, микросхема, представляет собой изделие на активных и пассивных элементов

Подробнее

Схемы преобразователей частоты

Схемы преобразователей частоты Лекция номер 10 Схемы преобразователей Никитин Н.П. Классификация схем По типу гетеродина: с отдельным и с совмещённым гетеродином По типу прибора, на котором выполняется смеситель: транзисторные и диодные

Подробнее

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра ИНФОРМАТИКИ И МЕТОДИКИ

Подробнее

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ Утверждаю Председатель приемной комиссии проф. В.С. Башметов «24» апреля 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ по предмету «ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ» при поступлении на специальность

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Изучение электронных радиоламп

Изучение электронных радиоламп Министерство образования Российской Федерации Волгоградский государственный педагогический университет Изучение электронных радиоламп МЕТОДИЧЕСКАЯ РАЗРАБОТКА К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ ПО КУРСУ «РАДИОТЕХНИКА»

Подробнее

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник»

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник» Лабораторная работа 4 «онтакт металл полупроводник» Цель работы: определение контактной разности потенциалов контакта металл-полупроводник. онтактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда

Подробнее

Работа 366 Исследование вольтамперных характеристик полевого транзистора

Работа 366 Исследование вольтамперных характеристик полевого транзистора Работа Исследование вольтамперных характеристик полевого транзистора Решаемые задачи Изучение зависимости тока стока I и от напряжения между затвором и истоком U зи для полевого транзистора. Транзисторы

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Работа 40 Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны может быть найдена с помощью измерений электропроводности или постоянной Холла в зависимости от температуры, а также

Подробнее

Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск

Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск E-mail: bnn48@mail.ru Аннотация.

Подробнее

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские ВВЕДЕНИЕ Область профессиональной деятельности выпускника по специальности 10106 «Промышленная электроника» включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной

Подробнее

S E. j J V _. J b

S E. j J V _. J b ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 66 ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА 1. Цель работы Целью работы является изучение эффекта Холла в полупроводниках, определение коэффициента Холла, концентрации и подвижности носителей тока.

Подробнее

Физический факультет. Кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Физический факультет. Кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» Физический факультет

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

Министерство образования Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Министерство образования Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Министерство образования Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования СЕВЕРО-ЗАПАДНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ЗАОЧНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра промышленной

Подробнее

1. Общие сведения о полупроводниках

1. Общие сведения о полупроводниках Тема 14. Полупроводниковые приборы. 1. Общие сведения о полупроводниках Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов

Подробнее

RU (11) (51) МПК H01L 29/78 ( )

RU (11) (51) МПК H01L 29/78 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01L 29/78 (2006.01) 170 578 (13) U1 R U 1 7 0 5 7 8 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

У выпрямительного диода анодом называется электрод,

У выпрямительного диода анодом называется электрод, Вывод диода, помеченный цифрой "1" называется база эмиттер катод анод коллектор 1 2 Вывод диода, помеченный цифрой "2" 1 2 называется база эмиттер катод анод коллектор У выпрямительного диода анодом называется

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель и содержание работы Целью работы является изучение свойств полупроводникового диода. Содержание работы состоит

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее