Рис. 2. Система Quanta 200 3D.

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Рис. 2. Система Quanta 200 3D."

Транскрипт

1 Quanta 200 3D Dual Beam TM (FEI Company). Система со сфокусированными электронным и ионным зондами для автоматизированных исследований в промышленных и лабораторных условиях. Систему Quanta 200 3D с полным правом можно отнести к новым образцам техники двадцать первого века (рис. 2). Как следует из названия, это уже не растровый электронный микроскоп, а совокупная система, имеющая электронную пушку с вольфрамовым термоэмиссионным катодом и ионную колонну Magnum с галлиевым жидкометаллическим источником ионов (рис. 3).

2 2 Рис. 2. Система Quanta 200 3D. Электронно-оптическая колонна с системой дифференциальной откачки, работает в области ускоряющих напряжений от 200 В до 30 кв. Она обеспечивает получение изображений в режиме вторичной электронной эмиссии с максимальным разрешением в нм. Это значение в два раз выше, чем у ранее созданных моделей с вольфрамовым термокатодом. Подобное разрешение позволяет получать вполне качественное изображение при увеличениях в х (рис. 4).

3 3 Рис. 3. Принципиальная схема устройства системы Quanta 200 3D.

4 4 Рис. 4. РЭМ-фотография коллоидных частиц золота. Увеличение х.

5 5 С весны 2007г. в семействе приборов серии «Quanta FEI» появилась новая система Quanta 200 3D FEG с автоэмиссионной электронной пушкой, обеспечивающей максимальное разрешение в 1 1,2 нм, что позволяет работать с ещё большими увеличениями. Естественно, что система Quanta 200 3D способна формировать изображение, используя все виды излучений, возникающих в результате взаимодействия первичного потока электронов с материалом исследуемого вещества (рис. 1). В режиме детектирования вторичных электронов, яркость той или иной точки на экране видеомонитора определяется углом наклона соответствующей ей точки на поверхности облучаемого образца. Полученный контраст носит название топографического контраста и несет информацию о рельефе поверхности исследуемого образца (рис. 5). В режиме детектирования отраженных электронов, яркость той или иной точки на экране видеомонитора определяется как углом наклона соответствующей ей точки на поверхности облучаемого образца, так и средним атомным номером материала слагающего эту точку. Если мы уберем неровности на поверхности образца (отполируем поверхность), то полученный контраст изображения будет определяться только изменениями среднего атомного номера слагающих образец фаз. Такой контраст называется фазовым контрастом. Легкие фазы на изображении выглядят более темными, чем тяжелые (рис. 6, 7а, 7б). В режиме электронной эмиссии система Quanta 200 3D может работать в трёх вакуумных уровнях, создаваемых в камере образцов. При стандартных условиях высокого вакуума, на поверхность непроводящих электричество образцов следует напылять пленку электропроводящего покрытия, чтобы снимать с поверхности электрический заряд (рис. 8, 9). В режиме высокого вакуума невозможно работать с влажными или покрытыми пленками масел образцами и другими материалами, неустойчивыми в условиях вакуума

6 6 Рис. 5. Друза, сложенная двумя генерациями кристаллов манганита. На вершины и грани кристаллов нарастает волокнистый агрегат криптомелана. Изображение сформировано вторичными электронами. Осадочные Fe-Mn месторождения Южного Урала.

7 7 Рис. 6. Фазовый контраст, наблюдаемый в сплаве Zn-Bi. Изображение сформировано отраженными электронами.

8 8 Рис.7а. На полированной поверхности древнего археологического металлургического шлака наблюдается скелетная структура роста спинифекс, сложенная дендритами тяжелого силиката железа (светлая фаза) и магнезиального силиката (темная матрица). Фазовый контраст, сформированный отраженными электронами. Увел. 600х. Африка. Ангола.

9 9 Рис. 7б. Фрагмент рис. 7а, полученный при увеличении 3000х.

10 10 Рис. 8. Друза кристаллов сульфатов меди, арагонита и ковелина. Изображение сформировано вторичными электронами (топографический контраст). Режим высокого вакуума. На поверхность образца напылена пленка золота. Серединный Атлантический хребет. Подводные сульфидные вулканы курильщики.

11 11 Рис. 9. Псевдографическая структура последовательного многократного распада в системе магнетит ильменит рутил (вашингтонит). Фазовый контраст сформирован отраженными электронами. Режим высокого вакуума. На полированную поверхность образца нанесена пленка графита. Южный Урал. Кыштым.

12 12 (например с биологическими материалами). Это всегда вносило серьёзные ограничения в области применения методов электронной микроскопии. Система Quanta 200 3D впервые позволяет работать не только в условиях низкого вакуума, но и в условиях «естественной среды», при давлении до 2600 Па в камере образцов. Это позволяет проводить электронно-микроскопические исследования в условиях высокой влажности (вплоть до 100%) и, фактически, снимает все ранее существующие ограничения по вакуумной устойчивости исследуемых материалов (рис. 10а, б)! Решены и проблемы работы с непроводящими электричество материалами. Заряд с их поверхности снимают пары воды, накачиваемые в камеру электронного микроскопа (рис. 11а, б, в)! При работе в режимах низкого вакуума и естественной среды нет никакой необходимости в нанесении на поверхность диэлектрика электропроводящих покрытий! Это не только сокращает расходы на приготовление препаратов. Процесс напыления проходит в условиях вакуума, что сразу накладывает ранее указанные ограничения на материалы, на которые будет нанесен электропроводящий слой. Кроме того, в ходе напыления возможна деформация, и даже уничтожение исходного материала. На рисунке 12, мы видим паутину на иглах ели, которая была бы наверняка уничтожена еще в процессе напыления, не говоря уже о высоковакуумной электронной микроскопии!

13 13 Рис. 10а. Строение листа акации. Изображение сформировано вторичными электронами. Режим низкого вакуума. Без напыления.

14 14 Рис. 10б. Фрагмент рисунка 10а. Увеличение 3723 х.

15 15 Рис. 11а. Строение фрагмента конечности муравья. Изображение сформировано вторичными электронами. Режим низкого вакуума. Без напыления.

16 16 Рис. 11б. Строение фрагмента конечности муравья. Изображение сформировано вторичными электронами. Режим низкого вакуума. Без напыления.

17 17 Рис. 11в. Строение фрагмента конечности муравья. Изображение сформировано вторичными электронами. Режим низкого вакуума. Без напыления.

18 18 Рис. 12 Строение паутины.

19 19 И все эти преимущества системы Quanta 200 3D реализуются на фоне великолепной работы электронной пушки в режимах низкого ускоряющего напряжения, при котором исследуемый материал испытывает минимальное воздействие от потока ускоренных электронов пучка (рис. 13)! Кроме того, применение низких ускоряющих напряжений способствует проработке деталей на изображении поверхности образца. Это происходит за счет снижения глубины проникновения первичных электронов в материал образца. Энергодисперсионный анализатор имеет Si-Li рентгеновский детектор Sapphire с разрешением по марганцу ~ 130эВ. Ультратонкое входное окно детектора выполнено из полимерной пленки, что позволяет определять химический состав материалов в диапазоне элементов от Be до U.

20 20 Рис. 13. Друза кристаллов арагонита с ковелином. Изображение сформировано вторичными электронами. Режим низкого вакуума. Без напыления. Ускоряющее напряжение 2кВ. Серединный Атлантический хребет. Подводные сульфидные вулканы курильщики.

21 21 Ионный зонд. Ионная колонна Magnum с автоэмиссионной пушкой и жидкометаллическим галлиевым источником ионов, работает в области ускоряющих напряжений 5 до 30 кв, создаёт ток пучка до 20 на и обеспечивает максимальное разрешение в 10.0 нм при 30 кв. Взаимодействие сфокусированного пучка ионов галлия с материалом исследуемого образца, вызывает формирование отраженных излучений заряженных частиц. Излучения детектируются и формируют изображения на экране монитора в виде топографического (рис. 20), фазового (рис. 21), вольтового и кристаллоориентационного контрастов. Сфокусированный ионный пучок может использоваться не только для формирования изображений, но и как многофункциональный инструмент, выполняющий внутри камеры образцов чисто технологические операции. Он позволяет травить и полировать поверхность препаратов. Вскрывать поверхность образцов и создавать перпендикулярные ей срезы (рис.22). Пучок ионов позволяет послойно нарезать исследуемую частицу, фиксируя строение каждого слоя и, используя широкие возможности программного обеспечения, реставрировать изображение частицы в трехмерном пространстве (отсюда элемент «3D» в название системы - Quanta 200 3D) (рис. 23). Ионный пучок может вырезать из материала тончайшие сегменты (рис. 24). С помощью инжекторов для осаждения материала, они «привариваются» к вольфрамовой рабочей игле микроманипулятора OmniProbe 100.7, извлекаются из образца, затем, с помощью тех же инжекторов и микроманипулятора, крепятся на сеточке-держателе препаратов для трансмиссионной микроскопии.

22 22 Рис. 20. Коллоидные частицы золота, увеличенные в х. Топографический контраст с элементами ориентационного контраста. Изображение сформировано ионным зондом.

23 23 Рис. 21. Перпендикулярный срез поверхности интегральной микросхемы полученный с помощью ионного зонда. Между элементами микросхемы наблюдается фазовый контраст.

24 24 Рис. 22. Пример формирования срезов, перпендикулярных поверхности интегральной микросхемы, и полировки поверхности среза с помощью ионного зонда. Процесс протекает внутри камеры образцов системы Quanta 200 3D. Изображение сформировано за счет топографического и фазового контрастов. Увеличение х. Ионный зонд.

25 25 Рис. 23. Пример реставрации в трехмерном пространстве частицы исследуемого материала, последовательно разрезанной ионным зондом.

26 26 Рис. 24. Исходный сегмент образца, для препарата, исследуемого методом трансмиссионной микроскопии. Пример препарирования материала ионным зондом внутри системы QUANTA 200 3D.

27 27 Ионный зонд травит и полирует заготовки, доводя их до необходимой толщины. Толщина препаратов может контролироваться прямо на месте, с помощью трансмиссионного детектора, который дополнительно поставляется для системы Quanta 200 3D. Всё происходящее в камере образцов, можно наблюдать и контролировать в режиме реального времени с помощью встроенной инфракрасной ПЗС-камеры, входящей в стандартный комплект прибора (рис. 25). Рис. 25. Изображение камеры образцов системы Quanta 200 3D, полученное с помощью встроенной инфракрасной ПЗС-камеры.

28 28

ПРОГРАММА. учебного курса повышения квалификации УНЦ «Международная школа микроскопии»

ПРОГРАММА. учебного курса повышения квалификации УНЦ «Международная школа микроскопии» Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» Утверждаю 2011 г. ПРОГРАММА учебного

Подробнее

Высокая разрешающая способность Новая электронно-оптическая система Большая камера образцов Автоматизированный пяти осевой столик

Высокая разрешающая способность Новая электронно-оптическая система Большая камера образцов Автоматизированный пяти осевой столик Стр. 1 РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП С СЕНСОРНЫМ УПРАВЛЕНИЕМ JEOL JSM-IT300 JSM-IT300 Высокая разрешающая способность Новая электронно-оптическая система Большая камера образцов Автоматизированный пяти

Подробнее

Введение. Рис.1 Принципиальная схема установки для РФА в РЭМ.

Введение. Рис.1 Принципиальная схема установки для РФА в РЭМ. Источник рентгеновского излучения с системой микрофокусировки IMOXS для повышения качества элементного анализа веществ методом рентгеновской спектроскопии в РЭМ Введение Большинство растровых электронных

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ

ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ Лекции для студентов 3-го курса дневного отделения химического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского Лекция 19. Электронно-зондовые методы Лектор: д.х.н., профессор

Подробнее

РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННОГО СПЕКТРОМЕТРА

РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННОГО СПЕКТРОМЕТРА ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННОГО СПЕКТРОМЕТРА Оглавление: Принцип детектирования

Подробнее

Виды электронной эмиссии

Виды электронной эмиссии Виды электронной эмиссии Физические процессы, протекающие в вакуумных электронных приборах и устройствах: эмиссия электронов из накаливаемых, холодных и плазменных катодов; формирование (фокусировка) и

Подробнее

79 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПЕРЕХОДНЫХ СЛОЕВ НА ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ЦТС

79 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПЕРЕХОДНЫХ СЛОЕВ НА ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ЦТС 79 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПЕРЕХОДНЫХ СЛОЕВ НА ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ЦТС Для решения задачи подбора оптимальных режимов формирования сегнетоэлектрических пленок методом химического

Подробнее

Исследование древней иконы

Исследование древней иконы НАУЧНЫЕ ПРИБОРЫ Рентгенофлуоресцентный микроскоп-микрозонд РАМ-30µ Исследование древней иконы РАМ 30-μ - предназначен для исследования объектов методами оптической микроскопии, рентгенографии и локального

Подробнее

Регулирование механических свойств углеродных покрытий путем их многокомпонентного легирования

Регулирование механических свойств углеродных покрытий путем их многокомпонентного легирования Регулирование механических свойств углеродных покрытий путем их многокомпонентного легирования 1. Цели и задачи исследования Разработка методов получения твердых, износостойких покрытий на основе углерода

Подробнее

Таблица 5.1. Соотношения значений паспортных разрешений приборов в сравнении с их практически достигаемым разрешением при анализе реальных объектов.

Таблица 5.1. Соотношения значений паспортных разрешений приборов в сравнении с их практически достигаемым разрешением при анализе реальных объектов. 5. Подготовка образцов для исследования на РЭМ В рамках предыдущих лекций 1-4 были рассмотрены теоретические основы работы растровых электронных микроскопов. В настоящая лекция будет посвящена исключительно

Подробнее

RU (11) (51) МПК H01J 37/30 ( ) C23C 14/00 ( )

RU (11) (51) МПК H01J 37/30 ( ) C23C 14/00 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01J 37/30 (2006.01) C23C 14/00 (2006.01) 172 351 (13) U1 R U 1 7 2 3 5 1 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ

Подробнее

ПРИМЕНЕНИЕ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ

ПРИМЕНЕНИЕ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ Восточно-Сибирский государственный университет технологий и управления Кафедра «Физика» ПРИМЕНЕНИЕ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ Методическое указание для студентов,

Подробнее

Рисунки к автоэмиссии.

Рисунки к автоэмиссии. Рисунки к автоэмиссии. Функции Нордгейма... 2 Электронный полевой микроскоп-проектор... 3 Ионный полевой микроскоп-проектор... 4 Оптический томографический атомный зонд... 5 Вольфрамовые одиночные острия...

Подробнее

Развитие растровой электронной микроскопии. Визуализация тонких структур современные технологии. Часть 2

Развитие растровой электронной микроскопии. Визуализация тонких структур современные технологии. Часть 2 Визуализация тонких структур современные технологии Часть 2 А. Ляпин, к. г.-м. н. Andrey.Lyapin@ostec-group.ru В первой части статьи, опубликованной в предыдущем номере журнала, рассказывалось о различных

Подробнее

Низковольтный просвечивающий электронный микроскоп

Низковольтный просвечивающий электронный микроскоп Низковольтный просвечивающий электронный микроскоп Компактный, но с широкими возможностями Электронный микроскоп незаменимый помошник при исследовании структур микронного и субмикронного масштаба. LVEM

Подробнее

«Фундаментальные основы нанотехнологий»

«Фундаментальные основы нанотехнологий» Московский Государственный Университет имени М. В. Ломоносова Научно-Образовательный Центр по нанотехнологиям Межфакультетский курс лекций «Фундаментальные основы нанотехнологий» Лекция 3. Методы исследования

Подробнее

ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЙ

ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЙ Рисунок 3 Зависимость удельного расхода электроэнергии турбокомпрессора К500-61-5 от температуры воздуха после промежуточных воздухоохладителей Таким образом, повышение температуры воздуха после промежуточных

Подробнее

Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии

Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии УДК 53.086 Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия

Подробнее

Лабораторные работы по теме «Сканирующая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ»

Лабораторные работы по теме «Сканирующая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ» Лабораторные работы по теме «Сканирующая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ» Теоретические основы сканирующей электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа Введение Микроскоп это

Подробнее

Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев

Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев ООО «Ионные источники и Технологии», Московская область, Россия. Нанесение оптических покрытий с ионным ассистированием

Подробнее

Растровая электронная микроскопия (РЭМ)

Растровая электронная микроскопия (РЭМ) Растровая электронная микроскопия (РЭМ) Как уже было отмечено во второй лекции, устройство растровых микроскопов гораздо проще устройства просвечивающих микроскопов. Схема, с указанием основных узлов микроскопа,

Подробнее

Раздел физики: Ионизирующие излучения. Дозиметрия. Тема: Рентгеновское излучение (РИ)

Раздел физики: Ионизирующие излучения. Дозиметрия. Тема: Рентгеновское излучение (РИ) Раздел физики: Ионизирующие излучения. Дозиметрия Тема: Рентгеновское излучение (РИ) Авторы: А.А. Кягова, А.Я. Потапенко I. Понятие ионизирующего излучения. Определение РИ. Устройство рентгеновской трубки

Подробнее

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ В. В. Груздов Ю.В. Колковский Ю.А. Концевой КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ -1000 О 1000 2000 3000 Омега-2тета (угл. сек.) ТЕХНОСФЕРА СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ...10 ГЛАВА 1 ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ

Подробнее

9. РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ, МАСС- СПЕКТРОМЕТРИЯ, РАССЕЯНИЕ СВЕТА

9. РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ, МАСС- СПЕКТРОМЕТРИЯ, РАССЕЯНИЕ СВЕТА 9. РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ, МАСС- СПЕКТРОМЕТРИЯ, РАССЕЯНИЕ СВЕТА Самый прямой способ определения размеров наночастиц это исследование на просвечивающем электронном микроскопе. Другой способ определения

Подробнее

БОРОВИЧСКИЙ КОМБИНАТ ОГНЕУПОРОВ

БОРОВИЧСКИЙ КОМБИНАТ ОГНЕУПОРОВ ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО БОРОВИЧСКИЙ КОМБИНАТ ОГНЕУПОРОВ JSC Borovichi Refractories Plant Лабораторный анализ и испытание огнеупорных материалов www.borovichi-nov.ru www.borovichi-nov.ru / тел.: 8

Подробнее

Изучение микро- и нанообъектров с помощью сканирующего электронного микроскопа.

Изучение микро- и нанообъектров с помощью сканирующего электронного микроскопа. Изучение микро- и нанообъектров с помощью сканирующего электронного микроскопа. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Н.Р. Григорьева, Р.В. Григорьев, Б.В. Новиков Электронные микроскопы, как и обычные оптические микроскопы,

Подробнее

Особенности электронно-лучевого испарения керамики на основе оксида алюминия в форвакуумной области давлений

Особенности электронно-лучевого испарения керамики на основе оксида алюминия в форвакуумной области давлений Особенности электронно-лучевого испарения керамики на основе оксида алюминия в форвакуумной области давлений Авторы: С. С. Хващевская, студентка каф. ФЭ, А. А. Кузнецов, студент каф. ЭП, ФЭТ, ТУСУР Научный

Подробнее

МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ 2008

МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ 2008 УДК 621.726:621.78 ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ ПОСЛЕ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ МЕТОДОМ СКАНИРУЮЩЕГО ЗОНДА КЕЛЬВИНА Н.А. Шипица 1, А.Л. Жарин 1, А.В. Белый 1, Д.И. Сарока

Подробнее

, mrrnr HITACHI. Inspire the ISIext ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ UMMH. X^J ш

, mrrnr HITACHI. Inspire the ISIext ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ UMMH. X^J ш HITACHI Inspire the ISIext, mrrnr & ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ UMMH X^J ш Аналитический сканирующий микроскоп SU-70 Аналитический микроскоп FE-SEM SU-70 создан на базе S-4800. Источником шектронов этого микроскопа

Подробнее

Взаимодействие ускоренных электронов с веществом.

Взаимодействие ускоренных электронов с веществом. ПРОГРАММА 1 Исследования материалов методами электронной микроскопии и сканирующей зондовой микроскопии; основы рентгеновской дифракции в материаловедении Общая трудоемкость 128 ч. ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ

Подробнее

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при ФТИ им. А.Ф. Иоффе ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ Оглавление: Введение 3 Взаимодействие электронного пучка с твердым телом

Подробнее

«Фундаментальные основы нанотехнологий»

«Фундаментальные основы нанотехнологий» Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Научно-образовательный центр по нанотехнологиям межфакультетский курс лекций «Фундаментальные основы нанотехнологий» Лекция 2: Методы исследования

Подробнее

Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике»

Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике» Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике» п/п Лекционные занятия Варианты курсов Прим. Наименование раздела, темы «Оператор» 0лк 0 пр., нед.

Подробнее

Место работы/учебы: ФНМ МГУ им. М.В.Ломоносова, каф. неорг. химии, лаб.

Место работы/учебы: ФНМ МГУ им. М.В.Ломоносова, каф. неорг. химии, лаб. ФИО: Козлова Марина Геннадьевна Место работы/учебы: ФНМ МГУ им. М.В.Ломоносова, каф. неорг. химии, лаб. неорганического материаловедения. Должность: Аспирант Электронный адрес: mgk@inorg.chem.msu.ru Телефон

Подробнее

БОРОВИЧСКИЙ КОМБИНАТ ОГНЕУПОРОВ

БОРОВИЧСКИЙ КОМБИНАТ ОГНЕУПОРОВ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО БОРОВИЧСКИЙ КОМБИНАТ ОГНЕУПОРОВ JSC Borovichi Refractories Plant ЛАБОРАТОРНЫЙ АНАЛИЗ и испытание огнеупорных материалов www.aobko.ru www.borovichi-nov.ru / тел.: 8 (81664) 9-28-82,

Подробнее

RU (11) (51) МПК H01J 1/30 ( )

RU (11) (51) МПК H01J 1/30 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01J 1/30 (2006.01) 171 829 (13) U1 R U 1 7 1 8 2 9 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

Васильев А.Л.. ТРЕХМЕРНАЯ РЕКОНСТРУКЦИЯ ОБЪЕКТОВ, ИССЛЕДОВАННЫХ МЕТОДАМИ РАСТРОВОЙ И ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ

Васильев А.Л.. ТРЕХМЕРНАЯ РЕКОНСТРУКЦИЯ ОБЪЕКТОВ, ИССЛЕДОВАННЫХ МЕТОДАМИ РАСТРОВОЙ И ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ТРЕХМЕРНАЯ РЕКОНСТРУКЦИЯ ОБЪЕКТОВ, ИССЛЕДОВАННЫХ МЕТОДАМИ РАСТРОВОЙ И ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ Васильев А.Л. НИЦ «Курчатовский. институт» Институт кристаллографии РАН НИЦ «Курчатовский институт»

Подробнее

Нанесение покрытий с использованием несбалансированных магнетронов.

Нанесение покрытий с использованием несбалансированных магнетронов. Нанесение покрытий с использованием несбалансированных магнетронов. Схема процесса нанесения покрытий методом магнетронного распыления с использованием несбалансированных магнетронов (НМ) показана на рис.1.

Подробнее

Типовая программа повышения квалификации «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в гибридной микроэлектронике»

Типовая программа повышения квалификации «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в гибридной микроэлектронике» Типовая программа повышения квалификации «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в гибридной микроэлектронике» п/п Лекционные занятия «Технолог» Наименование раздела, темы Введение 4 Терминология,

Подробнее

Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов

Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов Л9 Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов Удивительный прогресс в микро- и оптоэлектронике, преобразовавший информационный мир за короткий период непосредственно

Подробнее

РЕНТГЕНОВСКАЯ КОМПЬЮТЕРНАЯ ТОМОГРАФИЯ

РЕНТГЕНОВСКАЯ КОМПЬЮТЕРНАЯ ТОМОГРАФИЯ 3.Цеслер Л.Б. Малогабаритный ультразвуковой прибор «Кварц-5» для измерения толщины стенки деталей сложной формы. В книге: Проблемы неразрушающегоконтроля. К: Наука, 1973. 113-117с. 4.Гребенник В.С. Физические

Подробнее

Ионно-плазменные технологии и оборудование

Ионно-плазменные технологии и оборудование Ионно-плазменные технологии и оборудование ИОННО-ПЛАЗМЕННЫЕ УСТАНОВКИ ПО ОБРАБОТКЕ ЛИСТОВОГО СТЕКЛА: СЕРИЯ «ОПАЛ» Предназначены для осаждения низкоэмиссионных, отражающих и тонирующих покрытий на лстовое

Подробнее

Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме.

Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме. Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме. д.т.н. Григорьянц А.Г., к.т.н. Мисюров А.И., аспирант Макаров В.В. Проведен анализ вакуумных методов формирования квантоворазмерных наноструктур.

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» ИОНЦ «Нанотехнологии и перспективные

Подробнее

HPGE-детектор. (полупроводниковый. детектор из сверхчистого германия)

HPGE-детектор. (полупроводниковый. детектор из сверхчистого германия) HPGE-детектор (полупроводниковый детектор из сверхчистого германия) План Виды детекторов Спектры и амплитудные распределения Полупроводниковый детектор Функция отклика детектора Эффективность детектора

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» ИОНЦ «Нанотехнологии и перспективные

Подробнее

Тема: Оптическая и электронная микроскопия

Тема: Оптическая и электронная микроскопия Тема: Оптическая и электронная микроскопия Авторы: А.А. Кягова, А.Я. Потапенко Способность глаза различать мелкие детали предмета зависит от размеров изображения предмета на сетчатке или от угла зрения

Подробнее

ОБЩАЯ ФАРМАКОПЕЙНАЯ СТАТЬЯ

ОБЩАЯ ФАРМАКОПЕЙНАЯ СТАТЬЯ МИНИСТЕРСТВО ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ОБЩАЯ ФАРМАКОПЕЙНАЯ СТАТЬЯ Рентгеновская флуоресцентная спектрометрия ОФС.1.2.1.1.0010.15 Вводится впервые Рентгеновская флуоресцентная спектрометрия метод

Подробнее

МИКРОСКОПЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ РАСТРОВЫЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ

МИКРОСКОПЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ РАСТРОВЫЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ГОСТ Р (ПРОЕКТ, ПЕРВАЯ РЕДАКЦИЯ) Государственная система обеспечения единства измерений МИКРОСКОПЫ

Подробнее

Калибровочный источник ионов. А. Колмогоров, В. И. Давыденко, А. А. Иванов, П. Усов, К. Юшкова A. Smirnov, R. Clary

Калибровочный источник ионов. А. Колмогоров, В. И. Давыденко, А. А. Иванов, П. Усов, К. Юшкова A. Smirnov, R. Clary Калибровочный источник ионов А. Колмогоров, В. И. Давыденко, А. А. Иванов, П. Усов, К. Юшкова A. Smirnov, R. Clary Содержание Прототип источника Технические требования Выбор элементов источника Моделирование

Подробнее

Лабораторная работа 19 Изучение интерференции на опыте Юнга

Лабораторная работа 19 Изучение интерференции на опыте Юнга Лабораторная работа 19 Изучение интерференции на опыте Юнга Приборы и принадлежности: 1. Установка опыта Юнга, линейка миллиметровая. Цель работы: Изучение явления интерференции от двух когерентных источников

Подробнее

ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫМИ МЕТОДАМИ

ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫМИ МЕТОДАМИ Основными достоинствами спирального компрессора являются: надежность; низкий уровень шума, в том числе и во время пуска (начала работы); низкая вибрация; компактность; небольшой вес компрессора; низкое

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

СЕЛЕКТИВНОЕ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЕ ПЛАВЛЕНИЕ ТИТАНОВОГО СПЛАВА ВТ6

СЕЛЕКТИВНОЕ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЕ ПЛАВЛЕНИЕ ТИТАНОВОГО СПЛАВА ВТ6 УДК 62-4 Всероссийская научно-техническая конференция Студенческая научная весна 2014: Машиностроительные технологии http://studvesna.qform3d.ru СЕЛЕКТИВНОЕ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЕ ПЛАВЛЕНИЕ ТИТАНОВОГО СПЛАВА

Подробнее

МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ)

МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ) Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ) ФАКУЛЬТЕТ ФИЗИЧЕСКОЙ И КВАНТОВОЙ

Подробнее

ВАКУУМНО-ДУГОВАЯ ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ, КАК СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕГУЛЯРНОГО МИКРОРЕЛЬЕФА.

ВАКУУМНО-ДУГОВАЯ ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ, КАК СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕГУЛЯРНОГО МИКРОРЕЛЬЕФА. ВАКУУМНО-ДУГОВАЯ ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ, КАК СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕГУЛЯРНОГО МИКРОРЕЛЬЕФА. В.Г. Кузнецов 1, В.П. Пониматкин 2, Р.Н. Ризаханов 3, Т.А. Курбанов 4 1 Институт проблем машиноведения

Подробнее

РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ

РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ООО Прикладная Электроника РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК С ЗАМКНУТЫМ ДРЕЙФОМ ЭЛЕКТРОНОВ APEL-IS-21CELL ТОМСК 2013 ОГЛАВЛЕНИЕ 1. ВВЕДЕНИЕ...3 2. НАЗНАЧЕНИЕ...3 3. СОСТАВ ИИ...3 4. ПРИНЦИП РАБОТЫ

Подробнее

Содержание. Введение... 8

Содержание. Введение... 8 Содержание Введение... 8 ЧАСТЬ 1. НАПЫЛЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК...11 Глава 1. Технологические особенности нанесения резистивных слоев...11 1.1 Резисторы из силицидов тугоплавких металлов...11 1.2. Способы получения

Подробнее

Исследование поверхностных структур плёнок алюминия

Исследование поверхностных структур плёнок алюминия Исследование поверхностных структур плёнок алюминия Автор Трусов Герман Валентинович Москва, лицей 1586 Москва, 2008 Цель, объект и задачи исследования Цель исследования -получение сведений о структуре

Подробнее

Зондовая микроскопия и нанолитография углеродных материалов

Зондовая микроскопия и нанолитография углеродных материалов Зондовая микроскопия и нанолитография углеродных материалов О.В. Синицына, Г.Б. Мешков, И.В. Яминский Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН Московский государственный университет

Подробнее

Подготовка диэлектрических образцов для исследования методом растровой электронной микроскопии

Подготовка диэлектрических образцов для исследования методом растровой электронной микроскопии УДК 542.8 Подготовка диэлектрических образцов для исследования методом растровой электронной микроскопии Демидов Павел Сергеевич (1) Литвак Юрий Николаевич (2) Беляков Илья Владимирович (3) Студент 3 курса

Подробнее

3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники.

3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники. 3 3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники. Физический маятник. Физическим маятником называется твёрдое тело, совершающее под действием силы тяжести колебания вокруг

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 65

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 65 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 65 ЗНАКОМСТВО С РАБОТОЙ ЭЛЕКТРОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА. СЛОЖЕНИЕ ВЗАИМНО

Подробнее

ЛАБОРАТОНАЯ РАБОТА 53 ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА V П. Рис. 1 Схема установки для исследования фотоэффекта

ЛАБОРАТОНАЯ РАБОТА 53 ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА V П. Рис. 1 Схема установки для исследования фотоэффекта ЛАБОРАТОНАЯ РАБОТА 53 ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА Цель работы экспериментальная проверка уравнения Эйнштейна для внешнего фотоэффекта; определение постоянной Планка и работы

Подробнее

«Современные методики исследования в материаловедении»

«Современные методики исследования в материаловедении» МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АВИАЦИОННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

«Сканирующая зондовая микроскопия»

«Сканирующая зондовая микроскопия» Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы по направлению «Методы диагностики и исследования наноструктур» на базе учебного курса «Сканирующая зондовая

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИЗМЕРЕНИЕ МИКРОТВЕРДОСТИ ПРИБОРОМ ПМТ-3

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИЗМЕРЕНИЕ МИКРОТВЕРДОСТИ ПРИБОРОМ ПМТ-3 Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Омский государственный технический университет» ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИЗМЕРЕНИЕ МИКРОТВЕРДОСТИ

Подробнее

НАУЧНЫЕ ПРИБОРЫ. Рентгенофлуоресцентный микроскоп-микрозонд. Гемологические исследования жемчуга

НАУЧНЫЕ ПРИБОРЫ. Рентгенофлуоресцентный микроскоп-микрозонд. Гемологические исследования жемчуга НАУЧНЫЕ ПРИБОРЫ Рентгенофлуоресцентный микроскоп-микрозонд РАМ-30µ Гемологические исследования жемчуга Существует три вида жемчуга: природный натуральный (дикий); культивированный натуральный; искусственный

Подробнее

Центр коллективного пользования «Прикладное материаловедение»

Центр коллективного пользования «Прикладное материаловедение» Центр коллективного пользования «Прикладное материаловедение» ЦКП «Прикладное материаловедение» Перечень оборудования: 1. Микроскоп «Planar Micro-200» Марка: Micro-200 Фирма-изготовитель: Planar Год выпуска:

Подробнее

электрона. Упругое рассеяние может быть разделено на следующие виды: однократное рассеяние ( х << 1/(σ N))

электрона. Упругое рассеяние может быть разделено на следующие виды: однократное рассеяние ( х << 1/(σ N)) Лабораторная работа 2. Обратное рассеяние β- излучения Цель работы: выявить закономерности отражения β-частиц, испускаемых радионуклидами. Теоретическая часть Основные закономерности процесса обратного

Подробнее

Лабораторные работы по теме «Электронно-лучевая литография»

Лабораторные работы по теме «Электронно-лучевая литография» Лабораторные работы по теме «Электронно-лучевая литография» Теоретические основы электронно-лучевой литографии Введение Литография это метод получения заданной структуры на поверхности с использованием

Подробнее

Все профессиональные рамановские приборы компании HORIBA Scientific (T64000, LabRAM HR, XploRA Plus/Inv) являются конфокальными микроспектрометрами.

Все профессиональные рамановские приборы компании HORIBA Scientific (T64000, LabRAM HR, XploRA Plus/Inv) являются конфокальными микроспектрометрами. Рамановская микроскопия, связанные с ней понятия и определения В настоящей статье мы рассмотрим совокупность терминов и понятий, возникающих при объединении в одном оптическом инструменте возможностей

Подробнее

Выбор рентгеновской трубки.

Выбор рентгеновской трубки. Выбор рентгеновской трубки. Системы рентгеновского контроля, применяемые для инспектирования ПП, на сегодняшний день можно разделить на 2 основных типа: системы с рентгеновской трубкой открытого типа и

Подробнее

= 0 0 y 2. 2) Для света длиной волны см показатели преломления в кварце n =1, 0

= 0 0 y 2. 2) Для света длиной волны см показатели преломления в кварце n =1, 0 ) Под каким углом должен падать пучок света из воздуха на поверхность жидкости, чтобы при отражении от дна стеклянного сосуда (n =,5) наполненного водой (n 2 =,33) свет был полностью поляризован. 2) Какова

Подробнее

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» Б1.В.ДВ.1-3. Специальность «Физика и астрономия»

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» Б1.В.ДВ.1-3. Специальность «Физика и астрономия» Российская академия наук Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН) УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ

Подробнее

УСКОРИТЕЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС НА ЭНЕРГИИ ИОНОВ ДО 500 КЭВ.

УСКОРИТЕЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС НА ЭНЕРГИИ ИОНОВ ДО 500 КЭВ. УСКОРИТЕЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС НА ЭНЕРГИИ ИОНОВ ДО 500 КЭВ. Ю.В.Балакшин 1, А.С. Патракеев 1, Д.В.Петров 1, В.С.Черныш 1, А.А. Шемухин 1, П.Н.Черных 1, А.В. Назаров 2 1 Научно-исследовательский институт ядерной

Подробнее

Использование метода Оже-спектроскопии для анализа степени окисления поверхности. Мурашов С.В.

Использование метода Оже-спектроскопии для анализа степени окисления поверхности. Мурашов С.В. Методическое пособие Использование метода Оже-спектроскопии для анализа степени окисления поверхности Мурашов С.В. В основе электронной Оже-спектроскопии (ЭОС) лежит измерение энергии и количества Оже-электронов,

Подробнее

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ НАНОВИСКЕРОВ НА ВЕРШИНАХ ЗОНДОВ 6 МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ УДК 53.084.2 ФОРМИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ НАНОВИСКЕРОВ НА ВЕРШИНАХ ЗОНДОВ СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ А.О. Голубок,

Подробнее

ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ»

ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ» ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ» ВВЕДЕНИЕ «ОБЩЕИНЖЕНЕРНАЯ ЭРУДИЦИЯ» Первичные определения и понятия о тонких пленках, вакуумных методах

Подробнее

Спектральный анализ масла проводится в соответствие с требованиями следующих нормативных документов:

Спектральный анализ масла проводится в соответствие с требованиями следующих нормативных документов: 5 Спектральный анализ масла. (Spectrometric oil analysis) Спектральный анализ масла проводится в соответствие с требованиями следующих нормативных документов: Руководство пользователя спектрометра Спектроскан

Подробнее

ОБРАЗОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР TIN В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЖЕЛЕЗА ПРИ ДЕЙСТВИИ ИОНОВ РАЗЛИЧНЫХ СОРТОВ, ЗАРЯДНОСТЕЙ И ЭНЕРГИЙ. Введение

ОБРАЗОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР TIN В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЖЕЛЕЗА ПРИ ДЕЙСТВИИ ИОНОВ РАЗЛИЧНЫХ СОРТОВ, ЗАРЯДНОСТЕЙ И ЭНЕРГИЙ. Введение 24 УДК 621.865.6 О.М. Мелкозерова ОБРАЗОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР TIN В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЖЕЛЕЗА ПРИ ДЕЙСТВИИ ИОНОВ РАЗЛИЧНЫХ СОРТОВ, ЗАРЯДНОСТЕЙ И ЭНЕРГИЙ Введение Интерес к наноматериалам обусловлен возможностью

Подробнее

Решение задач ЕГЭ части С: квантовая физика

Решение задач ЕГЭ части С: квантовая физика С1.1. Маленький незаряженный металлический шарик, подвешенный на непроводящей нити в вакууме около большой вертикальной заземленной металлической плоскости (см. рисунок), начинают облучать узким пучком

Подробнее

Изучение движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях и определение удельного заряда электрона

Изучение движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях и определение удельного заряда электрона Изучение движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях и определение удельного заряда электрона Цель работы: изучение движения электронов в электрическом и магнитном полях на основе наблюдения

Подробнее

Сведения о документе

Сведения о документе 2 3 Сведения о документе Разработан: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН Инженер лаборатории спектроскопии дефектных структур И.С.Бредихин Инженер лаборатории спектроскопии

Подробнее

МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ МЕТОДОМ КЕЛЬВИНА

МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ МЕТОДОМ КЕЛЬВИНА БЕЛСЗМ г. Гомель 5 октября г. МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ МЕТОДОМ КЕЛЬВИНА А. Л. Жарин, Н. А. Шипица, Д. И. Сарока Научноисследовательский институт порошковой металлургии, Минск, Беларусь В

Подробнее

СТРУКТУРА И СВОЙСТВА СИСТЕМ ТИТАНОВОЕ ПОКРЫТИЕ/КРЕМНИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ ОСАЖДЕНИЕМ ТИТАНА НА КРЕМНИЙ В УСЛОВИЯХ ОБЛУЧЕНИЯ СОБСТВЕННЫМИ ИОНАМИ

СТРУКТУРА И СВОЙСТВА СИСТЕМ ТИТАНОВОЕ ПОКРЫТИЕ/КРЕМНИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ ОСАЖДЕНИЕМ ТИТАНА НА КРЕМНИЙ В УСЛОВИЯХ ОБЛУЧЕНИЯ СОБСТВЕННЫМИ ИОНАМИ СТРУКТУРА И СВОЙСТВА СИСТЕМ ТИТАНОВОЕ ПОКРЫТИЕ/КРЕМНИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ ОСАЖДЕНИЕМ ТИТАНА НА КРЕМНИЙ В УСЛОВИЯХ ОБЛУЧЕНИЯ СОБСТВЕННЫМИ ИОНАМИ О.М. Михалкович, С.М. Барайшук, И.C. Ташлыков Белорусский государственный

Подробнее

5.1.1 Гипотеза М. Планка о квантах Фотоэффект Опыты А.Г. Столетова

5.1.1 Гипотеза М. Планка о квантах Фотоэффект Опыты А.Г. Столетова 5.1.1 Гипотеза М. Планка о квантах 5.1.2 Фотоэффект 5.1.3 Опыты А.Г. Столетова 28 (С1) 1. AC93C2 В установке по наблюдению фотоэффекта свет от точечного источника S, пройдя через собирающую линзу, падает

Подробнее

Краткое описание задачи 1 Знакомство с методами рентгеновской дифракции

Краткое описание задачи 1 Знакомство с методами рентгеновской дифракции Краткое описание задачи 1 Знакомство с методами рентгеновской дифракции (доц. М.Г. Розова, Химический факультет МГУ) Методы, основанные на дифракции рентгеновских лучей, являются наиболее широко используемыми

Подробнее

Лабораторная работа 6.3 ВНЕШНИЙ ФОТОЭФФЕКТ Цель работы

Лабораторная работа 6.3 ВНЕШНИЙ ФОТОЭФФЕКТ Цель работы Лабораторная работа 6.3 ВНЕШНИЙ ФОТОЭФФЕКТ 6.3.1. Цель работы Целью работы является изучение явления внешнего фотоэффекта, экспериментальное подтверждение его закономерностей и определение красной границы

Подробнее

Научно Образовательный Центр «Функциональные Наноматериалы» БФУ им. И. Канта

Научно Образовательный Центр «Функциональные Наноматериалы» БФУ им. И. Канта Научно Образовательный Центр «Функциональные Наноматериалы» БФУ им. И. Канта Методическое пособие для выполнения лабораторных работ «Проведение аналитических исследований на сканирующем электронном микроскопе

Подробнее

Лабораторная работа Определение удельного заряда электрона

Лабораторная работа Определение удельного заряда электрона ФИЗИЧЕСКАЯ ЛАБОРАТОРИЯ Государственное образовательное учреждение лицей 547 Лабораторная работа Определение удельного заряда электрона Под редакцией Богданова Г.С. Москва 03 Определение удельного заряда

Подробнее

Таблица 1 Химический состав, коэффициент -стабилизации, температура полиморфного превращения исследуемого сплава

Таблица 1 Химический состав, коэффициент -стабилизации, температура полиморфного превращения исследуемого сплава ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ВЫДЕРЖКИ ПРИ НАГРЕВЕ ТИТАНОВОГО ПОЛУФАБРИКАТА Семкина Я.А. Руководитель профессор, к.т.н Демаков С.Л. УрФУ имени первого президента Б.Н.Ельцина ИММт г.екатеринбург demakof@mail.ru Методами

Подробнее

Исследование свойств поверхности методами СЗМ

Исследование свойств поверхности методами СЗМ Исследование свойств поверхности методами СЗМ Исследование топографии в широком диапазоне разрешений это только небольшая часть того потенциала, который дает сканирующая зондовая микроскопия. В рамках

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. По спектральной характеристике фотоэлемента определить

Подробнее

Вариант 2 1. Найти напряженность E электрического поля в точке, лежащей посередине между точечными зарядами q 1 = 8нКл и q 2 = 6нКл. Расстояние между

Вариант 2 1. Найти напряженность E электрического поля в точке, лежащей посередине между точечными зарядами q 1 = 8нКл и q 2 = 6нКл. Расстояние между Вариант 1 1. Расстояние между двумя точечными зарядами 10 нкл и 10 нкл равно 10 см. Определить силу, действующую на точечный заряд 10 нкл, удаленный на 6 см от первого и на 8 см от второго заряда. 2. Элемент

Подробнее

Выполнение проекта по теме «Создание ускорительного источника эпитепловых нейтронов для борнейтронозахватной

Выполнение проекта по теме «Создание ускорительного источника эпитепловых нейтронов для борнейтронозахватной Выполнение проекта по теме «Создание ускорительного источника эпитепловых нейтронов для борнейтронозахватной терапии злокачественных опухолей» Проект выполняется в рамках реализации федеральной целевой

Подробнее

Формирование многоострийного рельефа на поверхности наноструктурного никеля и полевая электронная эмиссия с него

Формирование многоострийного рельефа на поверхности наноструктурного никеля и полевая электронная эмиссия с него 12 июня 13 Формирование многоострийного рельефа на поверхности наноструктурного никеля и полевая электронная эмиссия с него К.С. Назаров 1, Р.Х. Хисамов 1, Ю.М. Юмагузин 1,2, Р.Р. Мулюков 1,2 1 Институт

Подробнее

Аэрокосмическая школа

Аэрокосмическая школа Аэрокосмическая школа Разработка технологии производства активных элементов миниатюрных вакуумных полупроводниковых приборов Авторы: Филина М.Гаппель К.,8 класс школа 137 Руководитель: Дмитриев С.А. Красноярск,

Подробнее

НАУЧНЫЕ ПРИБОРЫ. Рентгенофлуоресцентный анализатор «РЕАН» Рентгенофлуоресцентный анализ стекла различного состава

НАУЧНЫЕ ПРИБОРЫ. Рентгенофлуоресцентный анализатор «РЕАН» Рентгенофлуоресцентный анализ стекла различного состава НАУЧНЫЕ ПРИБОРЫ Рентгенофлуоресцентный анализатор «РЕАН» Рентгенофлуоресцентный анализ стекла различного состава В стеклообразное состояние можно перевести вещества различной природы. Это и расплавы ряда

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 (ЭЛЕКТИВ) ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОЛЛОИДНЫХ СИСТЕМ

ЛЕКЦИЯ 10 (ЭЛЕКТИВ) ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОЛЛОИДНЫХ СИСТЕМ ЛЕКЦИЯ 10 (ЭЛЕКТИВ) ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОЛЛОИДНЫХ СИСТЕМ По оптическим свойствам коллоидные системы отличаются от истинных растворов и от грубодисперсных систем. Характерные оптические свойства коллоидных

Подробнее