Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ"

Транскрипт

1 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы 1. Классификация полевых транзисторов Полевой транзистор (ПТ) полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического поля. В отличие от биполярного ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей. Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и затвором (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и истоком. От напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала, следовательно, и величина тока. Таким образом, полевой транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвористок. Если амплитуда изменения управляющего сигнала достаточно велика, сопротивление канала может изменяться в очень больших пределах. В этом случае полевой транзистор можно использовать в качестве электронного ключа. По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две группы: с управляющим p n-переходом; с металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком. Транзисторы второго вида называют МДП-транзисторами (металл диэлектрик полупроводник). В большинстве случаев диэлектриком является двуокись кремния SiO 2, поэтому обычно используется название МОП-транзисторы (металл оксид полупроводник). Проводимость канала полевого транзистора может быть электронной или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор называют n-канальным. Транзисторы с каналами, имеющими дырочную проводимость, называют p-канальными. В МОП-транзисторах канал может быть обеднён носителями или обогащён ими. Таким образом, понятие «полевой транзистор» объединяет шесть различных видов полупроводниковых приборов. МОП-транзисторы находят широкое применение в современной энергетической электронике. По сравнению с другими полупроводниковыми

2 30 приборами, такими как биполярные транзисторы или тиристоры, они обладают следующими преимуществами: 1. Малое время переключения и, вследствие этого, малые потери при переключении; 2. Малая мощность, затрачиваемая на переключение; 4. Возможность использования хорошо отработанных технологий производства МОП-интегральных схем. Главные области применения мощных МОП-транзистоов электрические приводы переменного тока, преобразователи частоты для электротехнологических установок, источники вторичного электропитания. В таких устройствах используются преимущественно МОП-транзисторы с индуцированным каналом. Поэтому в дальнейшем будут рассматриваться в основном именно такие приборы. 2. МОП-транзисторы МОП-транзистор с индуцированным каналом. Структура транзистора с индуцированным каналом n-типа показана на рис. 4.1, а. На рис. 4.1, б приведено его условное графическое обозначение. Подложкой служит (кристалл кремния p-типа. У МОП-транзисторов имеется дополнительный вывод от подложки. Металлический затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния толщиной мкм, выращиваемый на поверхности кремния n-типа. Области стока и истока легированы сильнее, + чем канал, и обозначены n. Канал возникает только при подаче на затвор напряжения определенной полярности. При нулевом напряжении канал отсутствует. При этом между стоком и истоком включены два обратно смещенных p nперехода. Один p n-переход образуется на границе между подложкой и стоком, а другой между подложкой и истоком. Таким образом, при нулевом напряжении на затворе сопротивление между стоком и истоком очень велико, ток стока ничтожно мал и транзистор находится в состоянии отсечки. Если между затвором и истоком включен источник напряжения (рис. 4.2), то электрическое поле затвора выталкивает дырки из приповерхностного слоя подложки и притягивает в этот слой электроны. В результате в области подложки, примыкающей к диэлектрику, образуется проводящий канал n-типа. Такой канал называют индуцированным. С увеличением положительного напряжения затвор-исток U зи растет концентрация электронов в канале, следовательно, увеличивается его проводимость.

3 31 а б Рис. 4.1 С Е с и З p И

4 32 Рис. 4.2 Если между стоком и истоком приложено положительное напряжение, в индуцированном канале возникает ток стока. Его величина зависит как от напряжения U зи, так и от напряжения сток-исток U си. Напряжение затвора, при котором появляется заметный ток стока, называют пороговым и обозначают U 0. Пороговое напряжение МОП-транзистора с индуцированным каналом n-типа положительно. Его величина составляет для современных мощных МОП-транзисторов 2 4 В. Чем больше напряжение затвор-исток превышает пороговое, тем большее количество электронов втягивается в канал, увеличивая его проводимость. Если при этом напряжение сток-исток невелико, проводимость канала пропорциональна разности U зи U 0. Если напряжение сток-исток превышает напряжение насыщения U нас = U зи U 0, транзистор переходит в режим насыщения и рост тока прекращается. Объясняется это тем, что напряжение между затвором и поверхностью канала уменьшается в направлении стока. Вблизи истока оно равно U зи, а в окрестности стока разности U зи U си. Поэтому при увеличении напряжения U си сечение канала уменьшается по направлению к стоку, а его сопротивление увеличивается. При значениях U си, превышающих напряжение насыщения, канал перекрывается и ток стока остается практически неизменным. Очевидно, что каждому значению U зи > U 0 соответствует свое значение напряжения насыщения. Семейство выходных характеристик транзистора с индуцированным каналом показано на рис На выходных характеристиках можно выделить линейную (триодную) область, области насыщения и отсечки. Граница между линейной областью и областью насыщения показана на рис. 4.3 пунктиром. В режиме отсечки U зи < U 0, I с = 0. Область отсечки расположена ниже ветви выходной характеристики, соответствующей напряжению U зи = U 0. Рис. 4.3

5 33 В линейном (триодном) режиме U зи > U 0, а напряжение сток-исток не превышает напряжение насыщения U си U нас = U зи U 0. Выходная характеристика на участке, соответствующем линейному режиму, аппроксимируется выражением I 2 [( U U ) U 0. U ] с b зи 0 си 5 Здесь b удельная крутизна МОП-транзистора: =. (4.1) b µ C0 W L си =. (4.2) В (4.2) µ приповерхностная подвижность носителей, C 0 удельная емкость затвор-канал, L длина, W ширина канала. Если напряжение сток-исток мало, как часто бывает в импульсных и ключевых схемах, квадратичным слагаемым в (4.1) можно пренебречь. В этом случае мы получаем линейную зависимость: I с ( зи U 0 ) U си = b U. Величину b( U зи U 0 ) называют проводимостью канала, а обратную величину сопротивлением канала: R си 1 =. b U ( U ) зи 0 Таким образом, при малых напряжениях сток-исток МОП-транзистор эквивалентен линейному резистору, сопротивление которого регулируется напряжением затвора. Сопротивление эквивалентного резистора может изменяться от десятков Ом до десятков МОм. Если U зи < U 0, сопротивление канала практически бесконечно. С увеличением U зи сопротивление уменьшается. Режим насыщения МОП-транзистора с индуцированным каналом возникает, когда U зи > U 0, а напряжение сток-исток превышает напряжение насыщения U си U нас = U зи U 0. В области насыщения ветви выходной характеристики расположены почти горизонтально, т. е. ток стока практически не зависит от напряжения U си. Таким образом, в режиме насыщения канал МОП-транзистора имеет высокое сопротивление, а транзистор эквивалентен источнику тока, управляемому напряжением затвор-исток.

6 34 Область насыщения является рабочей, если транзистор используется для усиления сигналов. Области отсечки и линейная используются, когда транзистор работает в режиме ключа. Передаточная характеристика МОП-транзистора с индуцированным каналом показана на рис При нулевом напряжении на затворе ток стока равен нулю. Заметный ток появляется тогда, когда напряжение затвора превысит пороговое значение U 0. Рис. 4.4 Передаточная характеристика МОП-транзистора для области насыщения аппроксимируется выражением I с 1 2 = b( U U ) 2 зи 0. (4.3) Удельная крутизна характеристики МОП-транзистора определяется выражением (4.2). МОП-транзисторы с встроенным каналом. Структура МОПтранзистора с встроенным каналом n-типа показана на рис. 4.5, а. На рис. 4.5, б приведено его условное графическое обозначение. Подложка (кристалл кремния p-типа) служит для создания на ней канала n-типа. При подаче отрицательного напряжения на затвор металлический электрод затвора заряжается отрицательно. У прилегающей к диэлектрику поверхности канала образуется обедненный слой. Ширина обедненного слоя зависит от напряжения U зи. Такой режим работы МОП-транзистора, когда концентрация носителей в канале меньше равновесной, называют режимом обеднения. При некоторой величине отрицательного напряжения U зи канал полностью перекрывается обедненным слоем и ток прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки МОП-транзистора с встроенным каналом и обозначают U отс.

7 Сток 35 Сток (кремний) n + Подложка (кремний) Канал (кремний) Затвор Диэлектрик (SiO 2 ) p Исток (кремний) n + Исток Подложка а б Рис. 4.5 Ток МОП-транзистора с встроенным каналом при нулевом напряжении на затворе имеет ненулевое значение, называемое начальным I снач. Если U зи >0, число электронов в канале увеличивается. Это приводит к увеличению проводимости канала. Такой режим работы транзистора с встроенным каналом, при котором концентрация носителей в канале больше равновесной, называют режимом обогащения. Таким образом, МОП-транзистор с встроенным каналом может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения, при положительном напряжении U зи. Выходные характеристики МОПтранзистора с встроенным каналом n-типа показаны на рис. 4.6.

8 36 U зи = 1 В U зи = 0 В U зи = 0.5 В U зи = 1 В U зи = 2 В Рис. 4.6 Передаточная характеристика МОП-транзистора с встроенным каналом показана на рис I с нач U отс U зи Рис. 4.7 Начальное значение тока стока МОП-транзистора с встроенным каналом определяется выражением W L 2 I c нач = µ C U 0 0. Здесь µ приповерхностная подвижность носителей, C 0 удельная емкость затвор-канал. Длина канала L равна расстоянию между областями стока и истока, а ширина W протяженности этих областей.

9 37 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов Силовые МОП-транзисторы появились в результате развития интегральных МОП-технологий. Необходимость разработки таких приборов мотивировалась тем, что мощные биполярные транзисторы требуют больших управляющих токов, а также имеют ограниченное быстродействие. Структура маломощных МОП-транзисторов, рассмотренная выше, непригодна для устройств силовой электроники. Ток стока МОПтранзистора, работающего в режиме насыщения, определяется формулой (4.3). Для увеличения тока необходимо увеличить отношение W L. Однако уменьшение длины канала L приводит к снижению напряжения пробоя. Поэтому горизонтальная структура на рис. 4.1 не подходит для силовых приборов, где напряжения сток-исток могут достигать сотен вольт. Силовые МОП-транзисторы имеют вертикальную структуру (рис. 4.8). Электрод стока расположен внизу, а не в одной плоскости с истоком, как у маломощных МОП-транзисторов. Прибор содержит слаболегированную n - область, обеспечивающую высокое напряжение между стоком и истоком. Рис. 4.8 Если напряжение затвор-исток превышает пороговое напряжение U 0, под слоем диэлектрика в p-областях возникает горизонтальный проводящий канал. Его длина равна L (рис. 4.8) Поток электронов через образовавшийся канал и n - слой попадает в область стока. Направление потока электронов показано на рис. 4.8 пунктиром Длина канала L в МОП-транзисторе такой конструкции составляет 1-2 мкм. В то же время напряжение пробоя между стоком и истоком может достигать сотен вольт, а ток истока десятков ампер. Это объясняется тем, что область объемного заряда расположена главным образом в слаболегированной области стока и не влияет на канал. Максимальное напряжение сток-исток зависит от степени легирования n - слоя и его толщины.

10 38 Структура мощных МОП-транзисторов существенно отличается от структуры малосигнальных транзисторов. В то же время характеристики приборов похожи. Пороговое напряжение мощных МОП-транзисторов составляет от 2 до 4 В. В режиме насыщения связь между током стока и напряжением затвор-исток определяется равенством (4.3). Однако при больших значениях напряжения U зи передаточная характеристика становится почти линейной. Это объясняется тем, что с увеличением напряжения сток-исток напряженность электрического поля в канале достигает критического значения, и скорость носителей заряда перестает расти (эффект насыщения скорости). В линейной области передаточной характеристики ток стока определяется выражением I c 1 2 ( U U ) = C0WV на с зи 0. Здесь V на с скорость насыщения носителей. Для электронов и дырок 5 она примерно одинакова и составляет примерно 10 м/с. Передаточная проводимость МОП-транзистора g m пропорциональна ширине канала W. Поскольку силовые приборы имеют относительно большие геометрические размеры, большой будет и передаточная проводимость. Мощные МОП-транзисторы работают преимущественно в ключевом режиме. Поэтому для них важнейшими параметрами являются сопротивление канала в открытом состоянии, а также время включения и выключения. В низковольтных вертикальных МОП-транзисторах толщина n - слоя невелика, и основную долю сопротивления канала составляет сильно + легированный только n - слой. В транзисторах с номинальным напряжением сток-исток более 100 В основной вклад в сопротивление канала вносит n - слой. Конструкции современных МОП-транзисторов позволяют уменьшить сопротивление открытоко канала до величины, меньшей 0.1 Ом. Такое малое сопротивление имеют многоканальные структуры, в которых каналы соединены параллельно. Число каналов при этом может достигать нескольких тысяч. Параллельное сопротивление каналов МОП-транзистора возможно потому, что при росте температуры сопротивление канала увеличивается. Если по какой-либо причине ток одного из каналов увеличится, вырастет и его температура. Это приведет к увеличению сопротивления канала и уменьшению тока. Таким образом, при параллельном соединении каналов МОП-транзистора автоматически обеспечивается равенство токов. Преимущество мощных МОП-транзисторов перед биполярными заключается в высокой скорости переключения (1-10 нс против 1 мкс у биполярных приборов) и малой мощности, затрачиваемой на управление.

11 39 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) 1 можно рассматривать как сочетание мощного биполярного транзистора и управляющего МОП-транзистора. Управление БТИЗ осуществляется напряжением затвора, как и в случае МОП-транзистора, поэтому мощность, затрачиваемая на управление, невелика. Структура БТИЗ показана на рис Она похожа на структуру вертикального МОП-транзистора. Отличие заключается в том, что область коллектора является сильно легированной + областью p - типа. Добавление p - слоя приводит к образованию биполярного p-n-p-транзистора. Рис. 4.9 Рис Рис Эквивалентная схема такого комбинированного устройства показана на рис Условное графическое обозначение БТИЗ показано на рис Обратим внимание на то, что электроды транзистора принято называть «эмиттер», «коллектор» и «затвор». Недостаток высоковольтных МОП-транзисторов заключается в том, что они имеют значительное сопротивление открытого канала при 1 Часто используют аббревиатуру IGBT от английского Insulated Gate Bipolar Transistor.

12 40 номинальном напряжении, превышающем 500 В. По этой причине потери в канале могут превышать потери биполярных транзисторов с таким же номинальным напряжением. + Слой p в биполярном транзисторе с изолированным каналом инжектирует дырки в обедненный слой n, что значительно уменьшает сопротивление этого слоя. В результате напряжение между коллектором и эмиттером БТИЗ в открытом состоянии значительно меньше, чем напряжение сток-исток МОП-транзистора. Это одно из основных преимуществ БТИЗ. Недостатком этих приборов является меньшее быстродействие по сравнению с МОП-транзисторами. Уменьшение быстродействия вызвано накоплением заряда неосновных носителей в базе p-n-p-транзистора. Рассмотрим кратко характеристики БТИЗ. Выходной характеристикой называют зависимость тока коллектора I к от напряжения коллектор-эмиттер U кэ при фиксированном напряжении между затвором и эмиттером ( U ) U const I f = = к кэ зэ. Выходная характеристика БТИЗ показана на рис Она подобна выходной характеристике МОП-транзистора. I K, A U З Э = 1 U З Э = 1 U З Э = 1 U З Э = 9 U K Э, B Рис Передаточная характеристика БТИЗ зависимость тока стока от напряжения затвор-эмиттер при фиксированном напряжении между коллектором и эмиттером

13 41 ( U ) U const I f = = к зкэ кэ. Биполярные транзисторы с изолированным затвором очень удобны для высоковольтных ( > 100 В) устройств, работающих на относительно невысоких частотах ( < 100 кгц). БТИЗ устойчивы к лавинному пробою, что позволяет применять их при напряжениях, близких к максимальным. Положительные качества БТИЗ перед обычными биполярными транзисторами заключаются в существенно меньшей мощности сигналов управления, способности выдерживать высокие обратные напряжения. БТИЗ в значительной степени вытеснили биполярные транзисторы и тиристоры в мощных импульсных источниках вторичного электропитания. Они широко используются в устройствах управления электрическими двигателями, инверторах, мощных системах бесперебойного питания. 5. Выводы 1. Полевой транзистор (ПТ) полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением сопротивления проводящего канала с помощью поперечного электрического поля. Ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей. 2. Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и затвором (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и истоком. Полевой транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвор-исток. 3. По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две группы: - с управляющим p n-переходом; - с металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком (МОП-транзисторы). 4. МОП-транзисторы находят широкое применение в современной электронике. В ряде областей, в том числе в энергетической электронике, они почти полностью вытеснили биполярные транзисторы. 5. Силовые МОП-транзисторы имеют вертикальную структуру. Электрод стока расположен внизу, а не в одной плоскости с истоком, как у маломощных МОП-транзисторов

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

Полевые транзисторы (ПТ)

Полевые транзисторы (ПТ) Полевые транзисторы (ПТ) Электроника и МПТ Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок) униполярные транзисторы. 1 Полевые

Подробнее

Полевые транзисторы. Лекция 10. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Полевые транзисторы. Лекция 10. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 10 Полевые транзисторы 1. Устройство, принцип работы и ВАХ транзистора с управляемым р-n-переходом. 2. Устройство, принцип

Подробнее

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик полевого транзистора и усилителя на его основе.

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

УНИПОЛЯРНЫЕ (ПОЛЕВЫЕ) ТРАНЗИСТОРЫ

УНИПОЛЯРНЫЕ (ПОЛЕВЫЕ) ТРАНЗИСТОРЫ УНОЛЯРНЫЕ (ОЛЕВЫЕ) ТРАНЗСТОРЫ Униполярными называются транзисторы, в которых для создания тока используются носители заряда только одного знака. Эти транзисторы делятся на два основных класса: 1) Транзисторы

Подробнее

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ План 1. Введение. 2. Усилительные каскады на полевых транзисторах.

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

5 «Полевые транзисторы с изолированным затвором. Структура и классификация»

5 «Полевые транзисторы с изолированным затвором. Структура и классификация» 5 «Полевые транзисторы с изолированным затвором. Структура и классификация» Спецификой полевых транзисторов с управляющим p-n переходом является максимальная проводимость канала при нулевом смещении на

Подробнее

Лекция 10. Униполярные (полевые) транзисторы

Лекция 10. Униполярные (полевые) транзисторы Лекция 10. Униполярные (полевые) транзисторы К классу униполярных относят транзисторы, принцип действия которых основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок). Управление

Подробнее

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер.

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер. 1 Биполярные транзисторы 1. Основные понятия Лекции профессора Полевского В.И. Лекция 1 Биполярным транзистором называют трѐхэлектродный полупроводниковый прибор, с двумя взаимодействующими между собой

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ План занятия: 1. Классификация и условные графические обозначения тиристоров 2. Принцип работы тиристоров 3. Управляемые тиристоры 4. Симисторы 5. Основные параметры тиристоров 6. Области

Подробнее

Исследование полевых транзисторов

Исследование полевых транзисторов Министерство общего и профессионального образования Российской федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Подробнее

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния.

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния. ТИРИСТОРЫ Тиристор это полупроводниковый прибор, основой которого служат три или более трех последовательно включенных p nпереходов. Область его применения бесконтактное переключение и управление в электрических

Подробнее

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Министерство общего и профессионального образования РФ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Министерство общего и профессионального образования РФ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 1 Министерство общего и профессионального образования РФ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Факультет прикладной физики и микроэлектроники Кафедра электроники твердого тела

Подробнее

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 3 Лекция 1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 1. Введение 2. Выпрямительные диоды 3. Стабилитроны 4. Диоды Шоттки 5. Выводы План Введение Энергетическая электроника представляет область

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. управляется p n-переходом или выпрямляющим переходом металлполупроводник,

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. управляется p n-переходом или выпрямляющим переходом металлполупроводник, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевые транзисторы это усилительные и переключательные полупроводниковые приборы, ток в которых управляется электрическим полем и обусловлен дрейфовым движением основных носителей.

Подробнее

Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ И ПРИБОРЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ И ПРИБОРЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) 1) Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. 2) Микроминиатюризация МДП-приборов. 3) Физические явления, ограничивающие микроминиатюризацию

Подробнее

Раздел 3. Униполярные структуры

Раздел 3. Униполярные структуры Раздел 3. Униполярные структуры Рис. 3.1. Модель строения аморфного диоксида кремния Примечание. Помимо этого в кварцевом стекле существенную роль играет заряд ионов щелочных металлов (попадают извне в

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

Электронные ключи. Электронный ключ аналог механического ключа. Электроника

Электронные ключи. Электронный ключ аналог механического ключа. Электроника Электронные ключи Электроника Электронный ключ устройство, коммутирующее различные электрические цепи бесконтактным способом. Электронный ключ аналог механического ключа. В основе любого электронного ключа

Подробнее

ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ХАНТЫ-МАНСИЙСКОГО АВТОНОМНОГО ОКРУГА- ЮГРА

ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ХАНТЫ-МАНСИЙСКОГО АВТОНОМНОГО ОКРУГА- ЮГРА ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ХАНТЫ-МАНСИЙСКОГО АВТОНОМНОГО ОКРУГА- ЮГРА ГБОУ ВПО «Сургутский государственный университет Ханты-Мансийского автономного округа - Югры» ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ

Подробнее

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ Г. МОСКВЫ ГБОУ СПО КИГМ 23 АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ (для проведения внутренней экспертизы) по учебной дисциплине ОП 04 «Основы радиоэлектроники» Для

Подробнее

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ 97 Лекция 9. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ План. Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).. Элементы КМОП-логики. 3. Основные параметры логических элементов. 4. Выводы.. Элементы транзисторно-транзисторной

Подробнее

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( )

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H03K 17/00 (2006.01) 168 443 (13) U1 R U 1 6 8 4 4 3 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы ЛЕЦИЯ 2 ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы План занятия: Структура и принцип работы биполярных транзисторов 2 лассификация биполярных транзисторов 3 Основные параметры биполярных транзисторов 4 Режимы работы

Подробнее

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах 6. Импульсные ключи. Ключом в электротехнике называется двухполюсник, имеющий два состояния с нулевой проводимостью (разомкнут) и с бесконечной проводимостью (замкнут). В импульсной технике зачастую приходится

Подробнее

ТРАНЗИСТОРЫ. 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора

ТРАНЗИСТОРЫ. 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора ТРАНЗИСТОРЫ. Устройство и принцип действия биполярного транзистора Транзистором называется преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, предназначенный для усиления мощности

Подробнее

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе.

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора и усилителя

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 8 ИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР В 948 году Д. ардин и В. раттейн, работая с точечным переходом, обнаружили, что устройство с двумя переходами способно создавать усиление электрических колебаний

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

Цифровые и импульсные устройства

Цифровые и импульсные устройства Электроника и МПТ Цифровые и импульсные устройства Импульсные устройства устройства, предназначенные для генерирования, формирования, преобразования и неискаженной передачи импульсных сигналов (импульсов).

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РЭЛ 3 НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Полевые

Подробнее

параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов

параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов Выбор конструктивнотехнологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе карбида кремния М.Черных Уникальные свойства карбида кремния (SiC) обеспечивают характеристики, недостижимые для кремниевых

Подробнее

Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением

Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением 12 октября 06.2 Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением И.В.Грехов,Л.С.Костина,А.В.Рожков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург E-mail:

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ Кафедра электроники и микроэлектронных

Подробнее

Рис. 2 Модуль "Транзисторы"

Рис. 2 Модуль Транзисторы Глава 2 Исследование полевого и биполярного транзисторов Цель проведения работ Знание устройств, изучение характеристик и параметров электронных полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов.

Подробнее

Лекция 4 БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 БИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лекция 4 ИПОЛЯРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы. Взаимодействие двух близкорасположенных электроннодырочных переходов. Принцип работы биполярного транзистора. Виды биполярных транзисторов.

Подробнее

Униполярный транзистор в широкополосном усилительном каскаде с RC-связями

Униполярный транзистор в широкополосном усилительном каскаде с RC-связями Московский Государственный Технический Университет имени Н.Э.Баумана C. Р. Иванов Униполярный транзистор в широкополосном усилительном каскаде с RC-связями Методические указания к выполнению лабораторных

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Запираемые тиристоры, в отличие от тринисторов, которые были рассмотрены ранее, - это полностью управляемые приборы, и под воздействием

Подробнее

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Цель работы Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Национальный исследовательский Томский политехнический университет Энергетический институт Кафедра: ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Тема: СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Преподаватель: доцент

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N-ПЕРЕХОДОМ

ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N-ПЕРЕХОДОМ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА ПОЛЕВОМ

Подробнее

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ В.Ракитин, rakitin@niifp.ru Для уменьшения относительных размеров полупроводниковых приборов и снижения их напряжения питания используются

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора План занятия: 1. Динамический режим работы транзистора 2. Ключевой режим работы транзистор 3. Динамические

Подробнее

RU (11) (51) МПК H01L 29/00 ( )

RU (11) (51) МПК H01L 29/00 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (1) МПК H01L 29/00 (06.01) 167 82 (13) U1 R U 1 6 7 8 2 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка:

Подробнее

Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) 1) Полевые транзисторы. 2) Конструкция МДП-транзистора. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Полевые транзисторы (ПТ),

Подробнее

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика 7. Базовые элементы цифровых интегральных схем. 7.1. Диодно-транзисторная логика Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как элемент с двумя состояниями, или логический

Подробнее

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов.

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Инна Щукина, Михаил Некрасов mik@icquest.ru Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано

Подробнее

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации сигналов в электрических цепях. Термин «транзистор»

Подробнее

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Биполярный транзистор прибор, состоящий из трех полупроводниковых областей с чередующимся типом проводимости (np-n или p-n-p) с двумя p n-переходами, пригодный для усиления, генерации

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

Министерство Образования Украины Донецкий национальный технический университет

Министерство Образования Украины Донецкий национальный технический университет Министерство Образования Украины Донецкий национальный технический университет Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу Электроника (для студентов специальности 6.09090 Научные, аналитические

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

Раздел «Электроника» содержит: 1. Полупроводниковые приборы. 2. Цифровые устройства и

Раздел «Электроника» содержит: 1. Полупроводниковые приборы. 2. Цифровые устройства и Раздел «Электроника» содержит: 1. Полупроводниковые приборы и аналоговые устройства 2. Цифровые устройства и микропроцессорные системы 1 Лекция 1 Элементная база электронных уст- ройств: : диоды и транзисторы.

Подробнее

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 -

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 - ТИРИСТОРЫ ПЛАН 1. Общие сведения: классификация, маркировка, УГО. 2. Динистор: устройство, принцип работы, ВАХ, параметры и применение. 3. Тринистор. 4. Симистор. Тиристор - это полупроводниковый прибор

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника»

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» 1 Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача 1 Время выполнения задания 180 мин. Дано: Е 1 =100 В; Е 2 =500 В; R 1 =1 ком; R 2 =4 ком; R 3 =5 ком; R 4 =500 Ом; R 5 =10 ком; R 6 =100 Ом; Найти показания

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Методическое пособие к лабораторным работам

ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Методическое пособие к лабораторным работам КАЗАНСКИЙ (ПРИВОЛЖСКИЙ) ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра физики твёрдого тела В.В. ПАРФЕНОВ, И.В. ЯНИЛКИН ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Методическое пособие к лабораторным работам

Подробнее

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА Федеральное агентство железнодорожного транспорта Уральский государственный университет путей сообщения Кафедра «Электрические машины» Ю. В. Новоселов Г. Л. Штрапенин ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА Методические

Подробнее

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом.

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Made by NNEfimov.narod.ru Другие названия этих транзисторов: транзисторы на электронах с высокой подвижностью, ГМеП транзисторы,

Подробнее

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э III иполярные транзисторы 1 «иполярные транзисторы. Принцип работы» иполярный транзистор трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными p-n переходами.

Подробнее

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения (напряжения смещения) приводит к изменению условий переноса заряда через

Подробнее

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 1 Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 Интегральная микросхема (ИМС), или, короче, микросхема, представляет собой изделие на активных и пассивных элементов

Подробнее

Биполярный транзистор.

Биполярный транзистор. Конспект 04 1 Биполярный транзистор. Транзисторы бывают биполярные (приборы, управляемые током) и полевые (приборы, управляемые напряжением). В основу биполярного транзистора положены два p-n перехода.

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Реализация элементарных логических функций. Основные логические элементы: НЕ, И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ Таблица истинности:

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УНПК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УНПК ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УНПК Научно-исследовательская работа на тему: «Моделирование кремниевого вертикального МОПтранзистора с двойной диффузией в программе Quite Universal Circuit Simulator» Студенников

Подробнее

Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы

Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы Лекционный курс «Электронные приборы» Транзисторы к.ф. м. н., доцент Ремпен И.С. Саратов, СГУ, кафедра лектроники, колебаний и волн Биполярные транзисторы 2 На рисунке представлено прямое включение Э миттер,

Подробнее

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах. Министерство образования Российской Федерации Саратовский ордена Трудового красного знамени государственный университет имени Н. Г. Чернышевского. кафедра прикладной физики Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных

Подробнее

Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей

Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей 1 Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей ТРАНЗИСТОРНЫЕ КЛЮЧИ. Режим работы транзистора, при котором он находится в установившемся состоянии либо в области отсечки, либо в области

Подробнее

МДП-ТРАНЗИСТОРЫ КАК ДИОДЫ

МДП-ТРАНЗИСТОРЫ КАК ДИОДЫ МДП-ТРАНЗИСТОРЫ КАК ДИОДЫ Карзов Б.Н., Кастров М.Ю., Малышков Г.М. При проектировании синхронных выпрямителей необходимо провести моделирование вольтамперных характеристик основных схем диодных включений

Подробнее

Практикум по радиоэлектронике. Лабораторная работа 11. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)

Практикум по радиоэлектронике. Лабораторная работа 11. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Практикум по радиоэлектронике Лабораторная работа Биполярный транзистор с изолированным

Подробнее

Лекция 12 ИНВЕРТОРЫ. План

Лекция 12 ИНВЕРТОРЫ. План 5 Лекция 2 ИНВЕРТОРЫ План. Введение 2. Двухтактный инвертор 3. Мостовой инвертор 4. Способы формирования напряжения синусоидальной формы 5. Трехфазные инверторы 6. Выводы. Введение Инверторы устройства,

Подробнее

Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.)

Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.) Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.) 1 Госуниверситет-УНПК, студент 2 Госуниверситет-УНПК, к.ф-м.н., профессор ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ШИРИНЫ ВЕРТИКАЛЬНОЙ ЧАСТИ

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности Полупроводниковые диоды - технологии изготовления 1. исторически первые полупроводниковые диоды - т.н. кристаллический детектор - поликристалл PbS (природный минерал галенит, далее такие образцы PbS научились

Подробнее

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

Лекция 11. Устройство и принцип работы динистора и тиристора.

Лекция 11. Устройство и принцип работы динистора и тиристора. Лекция 11. Устройство и принцип работы динистора и тиристора. Тиристор это четырехслойный полупроводниковый прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями: состоянием низкой проводимости (тиристор закрыт)

Подробнее

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Инженерный институт

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Инженерный институт НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Инженерный институт ЭЛЕКТРОНИКА Методические указания по выполнению лабораторных работ Новосибирск 2017 УДК 378(075.8) Кафедра Техносферной безопасности

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики В.В.Тогатов, Ф.П.Балобей БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Учебное пособие

Подробнее

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt.

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt. 3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

Подробнее

«Исследование характеристик полевого транзистора»

«Исследование характеристик полевого транзистора» МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) Лабораторная работа «Исследование характеристик полевого транзистора» Москва, 2006 г. Полевой транзистор (ПТ) содержит три полупроводниковые

Подробнее

ГЛАВА 7 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Общие сведения

ГЛАВА 7 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Общие сведения ГЛАВА 7 ПОЛЕВЫЕ ТРАНСТОРЫ 7.1. Общие сведения Полевые транзисторы это полупроводниковые приборы, управление током в которых осуществляется изменением проводимости токопроводящего канала при воздействии

Подробнее

Постоянное ужесточение требований к удельной мощности

Постоянное ужесточение требований к удельной мощности Александр Русу (г. Одесса) Как выбрать оптимальные полевые транзисторы для синхронных выпрямителей Применение синхронных выпрямителей лучший способ снижения потерь во вторичных цепях преобразователей энергии.

Подробнее

У выпрямительного диода анодом называется электрод,

У выпрямительного диода анодом называется электрод, Вывод диода, помеченный цифрой "1" называется база эмиттер катод анод коллектор 1 2 Вывод диода, помеченный цифрой "2" 1 2 называется база эмиттер катод анод коллектор У выпрямительного диода анодом называется

Подробнее