Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ"

Транскрипт

1 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы 1. Классификация полевых транзисторов Полевой транзистор (ПТ) полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического поля. В отличие от биполярного ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей. Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и затвором (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и истоком. От напряжения между затвором и истоком зависит проводимость канала, следовательно, и величина тока. Таким образом, полевой транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвористок. Если амплитуда изменения управляющего сигнала достаточно велика, сопротивление канала может изменяться в очень больших пределах. В этом случае полевой транзистор можно использовать в качестве электронного ключа. По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две группы: с управляющим p n-переходом; с металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком. Транзисторы второго вида называют МДП-транзисторами (металл диэлектрик полупроводник). В большинстве случаев диэлектриком является двуокись кремния SiO 2, поэтому обычно используется название МОП-транзисторы (металл оксид полупроводник). Проводимость канала полевого транзистора может быть электронной или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор называют n-канальным. Транзисторы с каналами, имеющими дырочную проводимость, называют p-канальными. В МОП-транзисторах канал может быть обеднён носителями или обогащён ими. Таким образом, понятие «полевой транзистор» объединяет шесть различных видов полупроводниковых приборов. МОП-транзисторы находят широкое применение в современной энергетической электронике. По сравнению с другими полупроводниковыми

2 30 приборами, такими как биполярные транзисторы или тиристоры, они обладают следующими преимуществами: 1. Малое время переключения и, вследствие этого, малые потери при переключении; 2. Малая мощность, затрачиваемая на переключение; 4. Возможность использования хорошо отработанных технологий производства МОП-интегральных схем. Главные области применения мощных МОП-транзистоов электрические приводы переменного тока, преобразователи частоты для электротехнологических установок, источники вторичного электропитания. В таких устройствах используются преимущественно МОП-транзисторы с индуцированным каналом. Поэтому в дальнейшем будут рассматриваться в основном именно такие приборы. 2. МОП-транзисторы МОП-транзистор с индуцированным каналом. Структура транзистора с индуцированным каналом n-типа показана на рис. 4.1, а. На рис. 4.1, б приведено его условное графическое обозначение. Подложкой служит (кристалл кремния p-типа. У МОП-транзисторов имеется дополнительный вывод от подложки. Металлический затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика используется слой двуокиси кремния толщиной мкм, выращиваемый на поверхности кремния n-типа. Области стока и истока легированы сильнее, + чем канал, и обозначены n. Канал возникает только при подаче на затвор напряжения определенной полярности. При нулевом напряжении канал отсутствует. При этом между стоком и истоком включены два обратно смещенных p nперехода. Один p n-переход образуется на границе между подложкой и стоком, а другой между подложкой и истоком. Таким образом, при нулевом напряжении на затворе сопротивление между стоком и истоком очень велико, ток стока ничтожно мал и транзистор находится в состоянии отсечки. Если между затвором и истоком включен источник напряжения (рис. 4.2), то электрическое поле затвора выталкивает дырки из приповерхностного слоя подложки и притягивает в этот слой электроны. В результате в области подложки, примыкающей к диэлектрику, образуется проводящий канал n-типа. Такой канал называют индуцированным. С увеличением положительного напряжения затвор-исток U зи растет концентрация электронов в канале, следовательно, увеличивается его проводимость.

3 31 а б Рис. 4.1 С Е с и З p И

4 32 Рис. 4.2 Если между стоком и истоком приложено положительное напряжение, в индуцированном канале возникает ток стока. Его величина зависит как от напряжения U зи, так и от напряжения сток-исток U си. Напряжение затвора, при котором появляется заметный ток стока, называют пороговым и обозначают U 0. Пороговое напряжение МОП-транзистора с индуцированным каналом n-типа положительно. Его величина составляет для современных мощных МОП-транзисторов 2 4 В. Чем больше напряжение затвор-исток превышает пороговое, тем большее количество электронов втягивается в канал, увеличивая его проводимость. Если при этом напряжение сток-исток невелико, проводимость канала пропорциональна разности U зи U 0. Если напряжение сток-исток превышает напряжение насыщения U нас = U зи U 0, транзистор переходит в режим насыщения и рост тока прекращается. Объясняется это тем, что напряжение между затвором и поверхностью канала уменьшается в направлении стока. Вблизи истока оно равно U зи, а в окрестности стока разности U зи U си. Поэтому при увеличении напряжения U си сечение канала уменьшается по направлению к стоку, а его сопротивление увеличивается. При значениях U си, превышающих напряжение насыщения, канал перекрывается и ток стока остается практически неизменным. Очевидно, что каждому значению U зи > U 0 соответствует свое значение напряжения насыщения. Семейство выходных характеристик транзистора с индуцированным каналом показано на рис На выходных характеристиках можно выделить линейную (триодную) область, области насыщения и отсечки. Граница между линейной областью и областью насыщения показана на рис. 4.3 пунктиром. В режиме отсечки U зи < U 0, I с = 0. Область отсечки расположена ниже ветви выходной характеристики, соответствующей напряжению U зи = U 0. Рис. 4.3

5 33 В линейном (триодном) режиме U зи > U 0, а напряжение сток-исток не превышает напряжение насыщения U си U нас = U зи U 0. Выходная характеристика на участке, соответствующем линейному режиму, аппроксимируется выражением I 2 [( U U ) U 0. U ] с b зи 0 си 5 Здесь b удельная крутизна МОП-транзистора: =. (4.1) b µ C0 W L си =. (4.2) В (4.2) µ приповерхностная подвижность носителей, C 0 удельная емкость затвор-канал, L длина, W ширина канала. Если напряжение сток-исток мало, как часто бывает в импульсных и ключевых схемах, квадратичным слагаемым в (4.1) можно пренебречь. В этом случае мы получаем линейную зависимость: I с ( зи U 0 ) U си = b U. Величину b( U зи U 0 ) называют проводимостью канала, а обратную величину сопротивлением канала: R си 1 =. b U ( U ) зи 0 Таким образом, при малых напряжениях сток-исток МОП-транзистор эквивалентен линейному резистору, сопротивление которого регулируется напряжением затвора. Сопротивление эквивалентного резистора может изменяться от десятков Ом до десятков МОм. Если U зи < U 0, сопротивление канала практически бесконечно. С увеличением U зи сопротивление уменьшается. Режим насыщения МОП-транзистора с индуцированным каналом возникает, когда U зи > U 0, а напряжение сток-исток превышает напряжение насыщения U си U нас = U зи U 0. В области насыщения ветви выходной характеристики расположены почти горизонтально, т. е. ток стока практически не зависит от напряжения U си. Таким образом, в режиме насыщения канал МОП-транзистора имеет высокое сопротивление, а транзистор эквивалентен источнику тока, управляемому напряжением затвор-исток.

6 34 Область насыщения является рабочей, если транзистор используется для усиления сигналов. Области отсечки и линейная используются, когда транзистор работает в режиме ключа. Передаточная характеристика МОП-транзистора с индуцированным каналом показана на рис При нулевом напряжении на затворе ток стока равен нулю. Заметный ток появляется тогда, когда напряжение затвора превысит пороговое значение U 0. Рис. 4.4 Передаточная характеристика МОП-транзистора для области насыщения аппроксимируется выражением I с 1 2 = b( U U ) 2 зи 0. (4.3) Удельная крутизна характеристики МОП-транзистора определяется выражением (4.2). МОП-транзисторы с встроенным каналом. Структура МОПтранзистора с встроенным каналом n-типа показана на рис. 4.5, а. На рис. 4.5, б приведено его условное графическое обозначение. Подложка (кристалл кремния p-типа) служит для создания на ней канала n-типа. При подаче отрицательного напряжения на затвор металлический электрод затвора заряжается отрицательно. У прилегающей к диэлектрику поверхности канала образуется обедненный слой. Ширина обедненного слоя зависит от напряжения U зи. Такой режим работы МОП-транзистора, когда концентрация носителей в канале меньше равновесной, называют режимом обеднения. При некоторой величине отрицательного напряжения U зи канал полностью перекрывается обедненным слоем и ток прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки МОП-транзистора с встроенным каналом и обозначают U отс.

7 Сток 35 Сток (кремний) n + Подложка (кремний) Канал (кремний) Затвор Диэлектрик (SiO 2 ) p Исток (кремний) n + Исток Подложка а б Рис. 4.5 Ток МОП-транзистора с встроенным каналом при нулевом напряжении на затворе имеет ненулевое значение, называемое начальным I снач. Если U зи >0, число электронов в канале увеличивается. Это приводит к увеличению проводимости канала. Такой режим работы транзистора с встроенным каналом, при котором концентрация носителей в канале больше равновесной, называют режимом обогащения. Таким образом, МОП-транзистор с встроенным каналом может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения, при положительном напряжении U зи. Выходные характеристики МОПтранзистора с встроенным каналом n-типа показаны на рис. 4.6.

8 36 U зи = 1 В U зи = 0 В U зи = 0.5 В U зи = 1 В U зи = 2 В Рис. 4.6 Передаточная характеристика МОП-транзистора с встроенным каналом показана на рис I с нач U отс U зи Рис. 4.7 Начальное значение тока стока МОП-транзистора с встроенным каналом определяется выражением W L 2 I c нач = µ C U 0 0. Здесь µ приповерхностная подвижность носителей, C 0 удельная емкость затвор-канал. Длина канала L равна расстоянию между областями стока и истока, а ширина W протяженности этих областей.

9 37 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов Силовые МОП-транзисторы появились в результате развития интегральных МОП-технологий. Необходимость разработки таких приборов мотивировалась тем, что мощные биполярные транзисторы требуют больших управляющих токов, а также имеют ограниченное быстродействие. Структура маломощных МОП-транзисторов, рассмотренная выше, непригодна для устройств силовой электроники. Ток стока МОПтранзистора, работающего в режиме насыщения, определяется формулой (4.3). Для увеличения тока необходимо увеличить отношение W L. Однако уменьшение длины канала L приводит к снижению напряжения пробоя. Поэтому горизонтальная структура на рис. 4.1 не подходит для силовых приборов, где напряжения сток-исток могут достигать сотен вольт. Силовые МОП-транзисторы имеют вертикальную структуру (рис. 4.8). Электрод стока расположен внизу, а не в одной плоскости с истоком, как у маломощных МОП-транзисторов. Прибор содержит слаболегированную n - область, обеспечивающую высокое напряжение между стоком и истоком. Рис. 4.8 Если напряжение затвор-исток превышает пороговое напряжение U 0, под слоем диэлектрика в p-областях возникает горизонтальный проводящий канал. Его длина равна L (рис. 4.8) Поток электронов через образовавшийся канал и n - слой попадает в область стока. Направление потока электронов показано на рис. 4.8 пунктиром Длина канала L в МОП-транзисторе такой конструкции составляет 1-2 мкм. В то же время напряжение пробоя между стоком и истоком может достигать сотен вольт, а ток истока десятков ампер. Это объясняется тем, что область объемного заряда расположена главным образом в слаболегированной области стока и не влияет на канал. Максимальное напряжение сток-исток зависит от степени легирования n - слоя и его толщины.

10 38 Структура мощных МОП-транзисторов существенно отличается от структуры малосигнальных транзисторов. В то же время характеристики приборов похожи. Пороговое напряжение мощных МОП-транзисторов составляет от 2 до 4 В. В режиме насыщения связь между током стока и напряжением затвор-исток определяется равенством (4.3). Однако при больших значениях напряжения U зи передаточная характеристика становится почти линейной. Это объясняется тем, что с увеличением напряжения сток-исток напряженность электрического поля в канале достигает критического значения, и скорость носителей заряда перестает расти (эффект насыщения скорости). В линейной области передаточной характеристики ток стока определяется выражением I c 1 2 ( U U ) = C0WV на с зи 0. Здесь V на с скорость насыщения носителей. Для электронов и дырок 5 она примерно одинакова и составляет примерно 10 м/с. Передаточная проводимость МОП-транзистора g m пропорциональна ширине канала W. Поскольку силовые приборы имеют относительно большие геометрические размеры, большой будет и передаточная проводимость. Мощные МОП-транзисторы работают преимущественно в ключевом режиме. Поэтому для них важнейшими параметрами являются сопротивление канала в открытом состоянии, а также время включения и выключения. В низковольтных вертикальных МОП-транзисторах толщина n - слоя невелика, и основную долю сопротивления канала составляет сильно + легированный только n - слой. В транзисторах с номинальным напряжением сток-исток более 100 В основной вклад в сопротивление канала вносит n - слой. Конструкции современных МОП-транзисторов позволяют уменьшить сопротивление открытоко канала до величины, меньшей 0.1 Ом. Такое малое сопротивление имеют многоканальные структуры, в которых каналы соединены параллельно. Число каналов при этом может достигать нескольких тысяч. Параллельное сопротивление каналов МОП-транзистора возможно потому, что при росте температуры сопротивление канала увеличивается. Если по какой-либо причине ток одного из каналов увеличится, вырастет и его температура. Это приведет к увеличению сопротивления канала и уменьшению тока. Таким образом, при параллельном соединении каналов МОП-транзистора автоматически обеспечивается равенство токов. Преимущество мощных МОП-транзисторов перед биполярными заключается в высокой скорости переключения (1-10 нс против 1 мкс у биполярных приборов) и малой мощности, затрачиваемой на управление.

11 39 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) 1 можно рассматривать как сочетание мощного биполярного транзистора и управляющего МОП-транзистора. Управление БТИЗ осуществляется напряжением затвора, как и в случае МОП-транзистора, поэтому мощность, затрачиваемая на управление, невелика. Структура БТИЗ показана на рис Она похожа на структуру вертикального МОП-транзистора. Отличие заключается в том, что область коллектора является сильно легированной + областью p - типа. Добавление p - слоя приводит к образованию биполярного p-n-p-транзистора. Рис. 4.9 Рис Рис Эквивалентная схема такого комбинированного устройства показана на рис Условное графическое обозначение БТИЗ показано на рис Обратим внимание на то, что электроды транзистора принято называть «эмиттер», «коллектор» и «затвор». Недостаток высоковольтных МОП-транзисторов заключается в том, что они имеют значительное сопротивление открытого канала при 1 Часто используют аббревиатуру IGBT от английского Insulated Gate Bipolar Transistor.

12 40 номинальном напряжении, превышающем 500 В. По этой причине потери в канале могут превышать потери биполярных транзисторов с таким же номинальным напряжением. + Слой p в биполярном транзисторе с изолированным каналом инжектирует дырки в обедненный слой n, что значительно уменьшает сопротивление этого слоя. В результате напряжение между коллектором и эмиттером БТИЗ в открытом состоянии значительно меньше, чем напряжение сток-исток МОП-транзистора. Это одно из основных преимуществ БТИЗ. Недостатком этих приборов является меньшее быстродействие по сравнению с МОП-транзисторами. Уменьшение быстродействия вызвано накоплением заряда неосновных носителей в базе p-n-p-транзистора. Рассмотрим кратко характеристики БТИЗ. Выходной характеристикой называют зависимость тока коллектора I к от напряжения коллектор-эмиттер U кэ при фиксированном напряжении между затвором и эмиттером ( U ) U const I f = = к кэ зэ. Выходная характеристика БТИЗ показана на рис Она подобна выходной характеристике МОП-транзистора. I K, A U З Э = 1 U З Э = 1 U З Э = 1 U З Э = 9 U K Э, B Рис Передаточная характеристика БТИЗ зависимость тока стока от напряжения затвор-эмиттер при фиксированном напряжении между коллектором и эмиттером

13 41 ( U ) U const I f = = к зкэ кэ. Биполярные транзисторы с изолированным затвором очень удобны для высоковольтных ( > 100 В) устройств, работающих на относительно невысоких частотах ( < 100 кгц). БТИЗ устойчивы к лавинному пробою, что позволяет применять их при напряжениях, близких к максимальным. Положительные качества БТИЗ перед обычными биполярными транзисторами заключаются в существенно меньшей мощности сигналов управления, способности выдерживать высокие обратные напряжения. БТИЗ в значительной степени вытеснили биполярные транзисторы и тиристоры в мощных импульсных источниках вторичного электропитания. Они широко используются в устройствах управления электрическими двигателями, инверторах, мощных системах бесперебойного питания. 5. Выводы 1. Полевой транзистор (ПТ) полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока осуществляется изменением сопротивления проводящего канала с помощью поперечного электрического поля. Ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей. 2. Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и затвором (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и истоком. Полевой транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвор-исток. 3. По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две группы: - с управляющим p n-переходом; - с металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком (МОП-транзисторы). 4. МОП-транзисторы находят широкое применение в современной электронике. В ряде областей, в том числе в энергетической электронике, они почти полностью вытеснили биполярные транзисторы. 5. Силовые МОП-транзисторы имеют вертикальную структуру. Электрод стока расположен внизу, а не в одной плоскости с истоком, как у маломощных МОП-транзисторов

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

Исследование полевых транзисторов

Исследование полевых транзисторов Министерство общего и профессионального образования Российской федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Подробнее

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

Электронные ключи. Электронный ключ аналог механического ключа. Электроника

Электронные ключи. Электронный ключ аналог механического ключа. Электроника Электронные ключи Электроника Электронный ключ устройство, коммутирующее различные электрические цепи бесконтактным способом. Электронный ключ аналог механического ключа. В основе любого электронного ключа

Подробнее

ТРАНЗИСТОРЫ. 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора

ТРАНЗИСТОРЫ. 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора ТРАНЗИСТОРЫ. Устройство и принцип действия биполярного транзистора Транзистором называется преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, предназначенный для усиления мощности

Подробнее

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ 97 Лекция 9. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ План. Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).. Элементы КМОП-логики. 3. Основные параметры логических элементов. 4. Выводы.. Элементы транзисторно-транзисторной

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ Кафедра электроники и микроэлектронных

Подробнее

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Цель работы Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов.

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Инна Щукина, Михаил Некрасов mik@icquest.ru Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано

Подробнее

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика 7. Базовые элементы цифровых интегральных схем. 7.1. Диодно-транзисторная логика Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как элемент с двумя состояниями, или логический

Подробнее

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах. Министерство образования Российской Федерации Саратовский ордена Трудового красного знамени государственный университет имени Н. Г. Чернышевского. кафедра прикладной физики Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных

Подробнее

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 1 Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 Интегральная микросхема (ИМС), или, короче, микросхема, представляет собой изделие на активных и пассивных элементов

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

На этом рисунке U 1, U 2, I 1 и I 2 комплексные амплитуды напряжений и токов, соответственно. Рис Условное изображение четырехполюсника.

На этом рисунке U 1, U 2, I 1 и I 2 комплексные амплитуды напряжений и токов, соответственно. Рис Условное изображение четырехполюсника. 2. ПРИЦИПЫ ПОСТРОЕИЯ УСИЛИТЕЛЬЫХ ЗВЕЬЕВ ААЛИЗ РАБОТЫ ТИПОВЫХ УСИЛИТЕЛЬЫХ ЗВЕЬЕВ В РЕЖИМЕ МАЛОГО СИГАЛА 2.. Усилительное звено и его обобщенная схема. Малосигнальные параметры биполярных и полевых транзисторов,

Подробнее

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Реализация элементарных логических функций. Основные логические элементы: НЕ, И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ Таблица истинности:

Подробнее

Лекция 12 ИНВЕРТОРЫ. План

Лекция 12 ИНВЕРТОРЫ. План 5 Лекция 2 ИНВЕРТОРЫ План. Введение 2. Двухтактный инвертор 3. Мостовой инвертор 4. Способы формирования напряжения синусоидальной формы 5. Трехфазные инверторы 6. Выводы. Введение Инверторы устройства,

Подробнее

1. Общие сведения о полупроводниках

1. Общие сведения о полупроводниках Тема 14. Полупроводниковые приборы. 1. Общие сведения о полупроводниках Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов

Подробнее

Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ 4 Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ План 1. Введение. 2. Электрические величины и единицы их измерения. 3. Двухполюсные элементы электрических цепей. 4. Управляемые (зависимые)

Подробнее

Лекция 16 ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ УСТРОЙСТВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Лекция 16 ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ УСТРОЙСТВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 159 Лекция 16 ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ УСТРОЙСТВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ План 1. Введение 2. Способы передачи и отвода тепла 3. Методы расчета теплопередачи, основанные на аналогии с электрическими цепями 4.

Подробнее

2. Полупроводниковые приборы.

2. Полупроводниковые приборы. 1 2. Полупроводниковые приборы...1 2.1. Основные свойства полупроводников...1 2.2. Примесные полупроводники...3 2.3. P-n переход...5 2.4. Типы диодов...8 2.5. Биполярные транзисторы...13 2.6. Характеристики

Подробнее

IGBT транзисторы в системе электронного зажигания

IGBT транзисторы в системе электронного зажигания IGBT транзисторы в системе электронного зажигания Введение Невозможно представить себе современный автомобиль без электроники. Электронных устройств становится все больше, они внедряются во все системы

Подробнее

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 95 Лекция 0 ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План. Введение. Понижающие импульсные регуляторы 3. Повышающие импульсные регуляторы 4. Инвертирующий импульсный регулятор 5. Потери и КПД импульсных регуляторов

Подробнее

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра ИНФОРМАТИКИ И МЕТОДИКИ

Подробнее

Пример решения задачи 1.

Пример решения задачи 1. Введение Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ», часть 2. Требования к контрольной работе:

Подробнее

Северский технологический институт филиал НИЯУ МИФИ (СТИ НИЯУ МИФИ) Ю.А. Соловьев ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Северский технологический институт филиал НИЯУ МИФИ (СТИ НИЯУ МИФИ) Ю.А. Соловьев ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

Лекция 16. РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В КЛЮЧЕВОМ РЕЖИМЕ План

Лекция 16. РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В КЛЮЧЕВОМ РЕЖИМЕ План Лекция 16. РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В КЛЮЧЕВОМ РЕЖИМЕ План 1. Введение. 2. Транзисторные ключи на полевом МОП-транзисторе. 3. КМОП-инверторы, БИКМОП-логика. 4. Элементы ТТЛ, ЭСЛ. 5. Выводы. 1.

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Полевые транзисторы. Практикум

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Полевые транзисторы. Практикум МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Полевые транзисторы Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета

Подробнее

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений.

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений. Комплексные токи и напряжения. Комплексные токи и напряжения вводят для рассмотрения гармонически изменяющихся токов и напряжений. Комплексные токи и напряжения позволяют заменить дифференциальные уравнения

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Лекция 13. ИСТОЧНИКИ ТОКА НА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ. СТАБИЛИЗАТОРЫ

Лекция 13. ИСТОЧНИКИ ТОКА НА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ. СТАБИЛИЗАТОРЫ 1 Лекция 13. ИСТОЧНИКИ ТОКА НА БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ. СТАБИЛИЗАТОРЫ План 1. Введение 2. Источники тока на биполярных транзисторах. 3. Источники тока на полевых транзисторах. 4. Стабилизаторы

Подробнее

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ В статическом режиме связь между токами и напряжениями на электродах транзистора описывается системой нелинейных алгебраических уравнений. Графически эта

Подробнее

Рис. 64. КМОП-структура с р-карманами и кремниевыми затворами

Рис. 64. КМОП-структура с р-карманами и кремниевыми затворами Лекция 8 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) 1) Смешанные монолитные ИС на МОП и биполярных структурах. 2) Полупроводниковые резисторы. 3) Диффузионные

Подробнее

МОЩНЫЕ МОП ПТ С ДАТЧИКОМ ТОКА

МОЩНЫЕ МОП ПТ С ДАТЧИКОМ ТОКА 1 S. CLEMENTE, H.ISHII. S. YOUNG AN-959 Введение МОЩНЫЕ МОП ПТ С ДАТЧИКОМ ТОКА Эта статья знакомит разработчика с новым семейством силовых МОП ПТ, выпускаемых фирмой International Rectifier. Обозначаемые

Подробнее

УДК ТИРИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ

УДК ТИРИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ УДК 621.382 ТИРИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ Нестеров С. А., Тетюшкин В. С. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск Тел. +7(8342)290605; e-mail: nesterov@mrsu.ru Аннотация.

Подробнее

САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЕВА. И.А. Кудрявцев, В.Д. Фалкин ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЕВА. И.А. Кудрявцев, В.Д. Фалкин ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЕВА И.А. Кудрявцев, В.Д. Фалкин ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ САМАРА 2002 2 3 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РФ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ

Подробнее

По признаку наличия источника электрической энергии НР делятся на активные и пассивные. Если ВАХ проходит через начало координат, то НР. Рис.6.

По признаку наличия источника электрической энергии НР делятся на активные и пассивные. Если ВАХ проходит через начало координат, то НР. Рис.6. 6. Нелинейные электрические цепи Нелинейными элементами электрической цепи называются такие элементы параметры, которых зависят от напряжений, токов, магнитных потоков и других величин, т.е. это элементы

Подробнее

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1 Цифровые устройства Цифровые устройства это электронные функциональные узлы, которые обрабатывают цифровые сигналы. Цифровые сигналы представляются двумя дискретными уровнями напряжений: высоким и низким

Подробнее

Глава 2. ЭЛЕМЕНТЫ СИЛОВЫХ СХЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Глава 2. ЭЛЕМЕНТЫ СИЛОВЫХ СХЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Глава 2. ЭЛЕМЕНТЫ СИЛОВЫХ СХЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ 2.1. Состав силовых схем вентильных преобразователей В книге основное внимание будет уделено силовым схемам вентильных преобразователей и в малой

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ ПАРФЕНОВ В.В., ЗАКИРОВ Р.Х., БОЛТАКОВА Н.В. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела Казань

Подробнее

СРАВНЕНИЕ СРЕДНИХ ПО ВРЕМЕНИ ПОТЕРЬ МОЩНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И КОМБИНИРОВАННЫХ СИТ-МОП-ТИРИСТОРАХ.

СРАВНЕНИЕ СРЕДНИХ ПО ВРЕМЕНИ ПОТЕРЬ МОЩНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И КОМБИНИРОВАННЫХ СИТ-МОП-ТИРИСТОРАХ. СРАВНЕНИЕ СРЕДНИХ ПО ВРЕМЕНИ ПОТЕРЬ МОЩНОСТИ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ И КОМБИНИРОВАННЫХ СИТ-МОП-ТИРИСТОРАХ А. С.Кюрегян 1, А. В. Горбатюк 2, Б. В. Иванов 3, 1 Всероссийский электротехнический

Подробнее

Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург:

Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург: Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург: http://audto-um.u, 013 3.1 ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ 3.1.1 Электризация тел Электрический

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Если напряжение в сети равно 220 в, сопротивление лампы - 20 ом, тогда сила тока в цепи равна.

Если напряжение в сети равно 220 в, сопротивление лампы - 20 ом, тогда сила тока в цепи равна. Тест: "Тест по электротехнике и электронике". Задание #1 Если напряжение в сети равно 220 в, сопротивление лампы - 20 ом, тогда сила тока в цепи равна. 1) - 4400 А 2) + 11 А 3) - 0,09 А 4) - 110 А Закон

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ В СИСТЕМАХ ТРАНСПОРТНОЙ ТЕЛЕМАТИКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ В СИСТЕМАХ ТРАНСПОРТНОЙ ТЕЛЕМАТИКИ МОСКОВСКИЙ АВТОМОБИЛЬНО- ДОРОЖНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (МАДИ) Г.И.АСМОЛОВ, В.М.РОЖКОВ, О.П. ЛОБОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ В СИСТЕМАХ ТРАНСПОРТНОЙ ТЕЛЕМАТИКИ МОСКОВСКИЙ АВТОМОБИЛЬНО-ДОРОЖНЫЙ

Подробнее

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2 Задача 1 Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс Электрическая цепь, изображенная на рисунке, содержит идеальный источник тока с ЭДС = 60В. Сопротивления резисторов: R 1 = R 2 =

Подробнее

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник»

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник» Лабораторная работа 4 «онтакт металл полупроводник» Цель работы: определение контактной разности потенциалов контакта металл-полупроводник. онтактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда

Подробнее

1393ЕУ014. Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом БЛОК СХЕМА ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ

1393ЕУ014. Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом БЛОК СХЕМА ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Радиационная стойкость; Диапазон входных напряжений 8,5 36В; Ток потребления

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА

Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Кинетические эффекты, имеющие место при одновременном воздействии на носители заряда электрического E и магнитного Н полей, называются

Подробнее

Схемы и сервис мануалы на телевизоры Panasonic. Автор: Administrator :45 - Обновлено :40

Схемы и сервис мануалы на телевизоры Panasonic. Автор: Administrator :45 - Обновлено :40 Схемы и сервис мануалы на телевизоры Panasonic сервмс мануалы Panasonic MX1A сервмс мануалы Panasonic MX 2A сервмс мануалы Panasonic MX 3 сервмс мануалы Panasonic MX 4 сервмс мануалы Panasonic MX 5A сервмс

Подробнее

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ Основные понятия

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ Основные понятия 4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ 4.. Основные понятия Электрические цепи могут содержать линейные и нелинейные элементы. Сопротивление линейных элементов не зависит от величины и полярности приложенного

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РЭЛ 2 НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Биполярные

Подробнее

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ 1 УДК 621.382.22 НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ Сурин Б. П., Калабаев И. С. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева», г. Саранск Тел.:

Подробнее

Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта

Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта Два десятилетия назад простой на первый взгляд вариант силового кремниевого транзистора МОП начал изменять мир

Подробнее

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения www.themegallery.com Тушминцева С.И. План: I. Понятие электроники II. Классификация веществ.

Подробнее

Электрические машины

Электрические машины Согласно учебному плану направления 241000.62 (18.03.02) «Энерго- и ресурсосберегающие процессы в химической технологии, нефтехимии и биотехнологии», профиль «Охрана окружающей среды и рациональное использование

Подробнее

АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ. - 2005. - 1. - 1-6 УДК 62-50:519.216 АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ В.С. ДАНИЛОВ, К.С. ЛУКЬЯНОВ, Е.А. МОИСЕЕВ В настоящее время широкое

Подробнее

Электрооборудование и электронные системы транспортных средств

Электрооборудование и электронные системы транспортных средств Электрооборудование и электронные системы транспортных средств ДМ_Э_02_01_04 «Полупроводниковые приборы» Автомеханик 5-го разряда филиал КСТМиА УО «РИПО» Минск 2016 Занятие 1. Содержание 1. Основы полупроводниковых

Подробнее

Серия 1114ИМ ШИМ-контроллер с обратной связью по току и напряжению

Серия 1114ИМ ШИМ-контроллер с обратной связью по току и напряжению Серия 1114ИМ ШИМ-контроллер с обратной связью по току и напряжению Назначение Микросхемы 1114ЕУ7/ИМ, 1114ЕУ8/ИМ, 1114ЕУ9/ИМ, 1114ЕУ10/ИМ представляют собой схемы ШИМ контроллера с обратной связью по току

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

Учет возможной деградации линий связи при проектировании современных БИС

Учет возможной деградации линий связи при проектировании современных БИС Учет возможной деградации линий связи при проектировании современных БИС Г.В. Кристовский, Ю.И. Терентьев Введение Быстродействие и степень интеграции КМОП БИС в значительной степени определяются постоянным

Подробнее

определение коэффициента подавления синфазного сигнала.

определение коэффициента подавления синфазного сигнала. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА (ДУ) Цель работы знакомство с принципом работы ДУ; знакомство со схемой и принципом работы источника

Подробнее

2.37 ИЗУЧЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ КОЛЕБАНИЙ

2.37 ИЗУЧЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ КОЛЕБАНИЙ Лабораторная работа 2.37 ИЗУЧЕНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ КОЛЕБАНИЙ Цель работы: изучение релаксационных колебаний в газонаполненной лампе. Задание: снять вольт-амперную характеристику лампы; определить напряжение

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

- закон Кулона в вакууме. Здесь. 1 4πε. где. Ф - электрическая постоянная.

- закон Кулона в вакууме. Здесь. 1 4πε. где. Ф - электрическая постоянная. Лекция (часть ). Электростатика. Электроемкость. Конденсаторы. Электростатика. Закон Кулона. Напряжённость. Принцип суперпозиции. Электрический диполь. Вопросы. Электризация тел. Взаимодействие заряженных

Подробнее

Кафедра приема, передачи и

Кафедра приема, передачи и Лекция 1 ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ТЕОРИИ И ТЕХНИКИ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Логические функции Математический аппарат, описывающий действия дискретных и цифровых устройств, базируется на алгебре логики, или

Подробнее

ПОДГОТОВКА К ЕГЭ по ФИЗИКЕ

ПОДГОТОВКА К ЕГЭ по ФИЗИКЕ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ПОДГОТОВКА К ЕГЭ по ФИЗИКЕ Преподаватель: кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики, Грушин Виталий Викторович Напряжённость и

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НИЗКОЙ

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 1800 А и блокирующее

Подробнее

1. Задача Задача Задача /2017 учебный год Демоверсия по электронике 9 класс

1. Задача Задача Задача /2017 учебный год Демоверсия по электронике 9 класс 2016/2017 учебный год Демоверсия по электронике 9 класс 1. Задача 1 Стержень электроскопа заряжен отрицательным зарядом (-q). При постепенном приближении к нему заряженного шара листочки электроскопа сначала

Подробнее

ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПРИМЕСНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ

ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПРИМЕСНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2.03 ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПРИМЕСНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЦЕЛИ РАБОТЫ 1. Измерение вольт - амперной характеристики (ВАХ) полупроводникового образца с примесной проводимостью 2. Измерение зависимости

Подробнее

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода»

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода» Государственное образовательное учреждение Московский государственный технологический университет «СТАНКИН» Кафедра физики Лабораторная работа «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового

Подробнее

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА Министерство образования Российской Федерации Южно-Уральский государственный университет Кафедра электропривода и автоматизации промышленных установок 621.314(07) Г322 М.В. Гельман ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА

Подробнее

Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения)

Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения) Примерный банк заданий физика 11 класс (базовый уровень обучения) Электрический ток. Закон Ома для участка цепи. 1. Какие действия электрического тока существуют? 2. Условия существование электрического

Подробнее

Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d.

Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d. Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d. Рис.1.53 1.4.2.4 Способность периодически передавать мощность

Подробнее

4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ

4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ 4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ Проводники электричества это вещества, содержащие свободные заряжённые частицы. В проводящих телах электрические заряды могут свободно перемещаться в пространстве.

Подробнее

АНАЛИЗ КОНСТРУКЦИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

АНАЛИЗ КОНСТРУКЦИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЕВА»

Подробнее

Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов.

Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов. Статические характеристики малошумящего полевого транзистора для СВЧ приборов. Гроо Е.П. ООО НПФ Микран, г. Томск, E-mail: www.groo318@ngs.ru Публикация: Научная сессия ТУСУР 2004. Материалы Всероссийской

Подробнее

I, А 0 1, ,4 U, В

I, А 0 1, ,4 U, В На схеме нелинейной цепи сопротивления линейных резисторов указаны в Омах; ток J = 0,4 А; характеристика нелинейного элемента задана таблично. Найти напряжение и ток нелинейного элемента. I, А 0 1,8 4

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Физический факультет. Кафедра радиофизики

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Физический факультет. Кафедра радиофизики МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ «БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ» (Методические

Подробнее

амплитуда которых может перестраиваться либо напряжением на затворе, изменяющим концентрацию электронов в канале, либо протекающим током.

амплитуда которых может перестраиваться либо напряжением на затворе, изменяющим концентрацию электронов в канале, либо протекающим током. О Т З Ы В официального оппонента о диссертации Д.М. Ермолаева Исследование детектирования терагерцового излучения короткопериодными массивами полевых транзисторов на основе наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs,

Подробнее

Рисунки корпусов IL33091AN IL33091AD. Обозначение микросхемы в пластмассовых

Рисунки корпусов IL33091AN IL33091AD. Обозначение микросхемы в пластмассовых Микросхема управления мощным высокопотенциальным полевым транзистором Описание основных функций. Разрабатываемая микросхема является высокоэффективным драйвером управления высокопотенциальным мощным полевым

Подробнее

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР 1 В.В. Андреев 1, Г.Г. Бондаренко 2,3, А.А.Столяров 1, М.С. Васютин 1, С.И. Коротков 1 1 Московский государственный

Подробнее

1. Пассивные RC цепи

1. Пассивные RC цепи . Пассивные цепи Введение В задачах рассматриваются вопросы расчета амплитудно-частотных, фазочастотных и переходных характеристик в пассивных - цепях. Для расчета названных характеристик необходимо знать

Подробнее

«ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд. Техническое описание и инструкция по эксплуатации

«ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд. Техническое описание и инструкция по эксплуатации «ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд Техническое описание и инструкция по эксплуатации Содержание стр. 1. Назначение... 2 2. Технические характеристики... 2 3. Конструкция стенда... 3 4. Лабораторная

Подробнее

Ю.И. Кузнецов, А.С. Логгинов, В.П. Митрофанов УСИЛИТЕЛИ И RC-ГЕНЕРАТОРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

Ю.И. Кузнецов, А.С. Логгинов, В.П. Митрофанов УСИЛИТЕЛИ И RC-ГЕНЕРАТОРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В. ЛОМОНОСОВА ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ Ю.И. Кузнецов, А.С. Логгинов, В.П. Митрофанов УСИЛИТЕЛИ И C-ГЕНЕРАТОРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

Подробнее

Исследование электронно-лучевой трубки

Исследование электронно-лучевой трубки Министерство общего и профессионального образования Российской федерации. КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра теоретической радиотехники и электроники Исследование

Подробнее