(4 часа) фотоэлект. трической. фотоэлектрические. на внешнем. энергии. прямой, переход

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "(4 часа) фотоэлект. трической. фотоэлектрические. на внешнем. энергии. прямой, переход"

Транскрипт

1 Тема 3. Конструкции солнечных панелей, коллекторк ров и материалы для их изготовления (4 часа) Фотоэлектрические преобразователи.. Их отличие отт термоэлектрических преобразователей. Принцип действия фотоэлемента. Основные функциональные схемы. Компоненты фотоэлект трической системы. Конструкциии солнечных батарей. Аккумуляторы. Требования к монтажу фотоэлектрической системы. Факторы, влияющие на эффективность фотоэлектрического модуля. Недостатки и преимущества автономных фотоэлектрических систем. Фотоэлектрическиее преобразователи Фотоэлемент электронныйй прибор,, которыйй преобразует энергию фотонов в электрическую энергию. Первый фотоэлемент, основанный на внешнем фотоэффекте, создал Александр Столетов в конце XIXX века. Рисунок 3.1. Полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи энергии Фотоэлемент на основе поликристаллического кремния к Наиболее эффективными, с энергетической точки зрения, устройствами для превращения солнечной энергии в электрическую фотоэлектрические преобразователи (ФЭП), являются полупроводниковые поскольку это прямой, одноступенчатый переход энергии. КПД производимыхх в промышленных масштабах фотоэлементов в среднем составляет 16%, у лучших образцов до 25% %.[1] В лабораторных условиях уже достигнут КПД 43,5 %.

2 Физический принцип работы фотоэлемента Преобразование энергии в ФЭП основано на фотоэлектрическом эффекте, который возникает в неоднородных полупроводниковых структурах при воздействии на них солнечного излучения. Основой устройства является поверхность соприкосновения двух типов кремния, которые предусматривает конструкция фотоэлемента. Поскольку верхняя часть элемента прозрачна, солнечный свет без препятствий падает непосредственно на кремний. Положительный электрод сделан в виде ребер жесткости из металла, которые соединяют проводами. Отрицательный электрод представляет собой металлическую подложку, которая в свою очередь находится в контакте с кремниевыми пластинами фотоэлемента. При попадании солнечного света на поверхность фотоэлемента, между двумя типами кремния возникает разница так называемых потенциалов или электрическое напряжение. При подключении к элементу нагрузки сила тока возрастает пропорционально яркости солнечного света, вплоть до определенного критического значения. При усилении интенсивности освещения сила тока достигает максимума и выравнивается. Такой максимум называется током насыщения. Отношение вырабатываемой электроэнергии к силе света падающего на фотоэлемент называется коэффициентом преобразования или коэффициентом полезного действия (КПД). Когда фотоэлемент освещается, поглощенные фотоны генерируют неравновесные электронно-дырочные пары. Электроны, генерируемые в p-слое вблизи p-n-перехода, подходят к p-n-переходу и существующим в нем электрическим полем выносятся в n-область. Аналогично и избыточные дырки, созданные в n-слое, частично переносятся в p-слой. В результате n-слой приобретает дополнительный отрицательный заряд, а p-слой - положительный. Снижается первоначальная контактная разность потенциалов между p- и n-слоями полупроводника, и во внешней цепи появляется напряжение. Отрицательному полюсу источника тока соответствует n-слой, а p-слой - положительному.

3 Для конструирования солнечной батареи не нужноо чего-тоо особенного. (один фотоэлемент) можно объединить в соединения, повышая темм самымм выходную Фотоэлектрические ячейки последовательно-параллельные мощность всей панели. Когда несколькоо фотоэлементов соединяются в цепь последовательно, их выходное напряжение увеличив ается. Когда такие конструкции далее подсоединяются параллельно, их максимал льная сила тока эквивалентна произведению максимальной силы тока одной ячейки или их последовательной комбинации, на количество таких ячеек илии их последовательных комбинаций. При этом максимальная мощность последовательно-параллельного соединения одинаковых ячеек эквивалентна произведению максимальной мощности каждой ячейки на количество ячеек. Таким образом, если последовательно соединенные ячейки представляют собой фотоэлектрический модуль, то несколько таких модулей, соединенных параллельно, образуют солнечную фотоэлектрическую панельь или, в простонародье, солнечную батарею. Рисунок 3.2.

4 Рисунок 3.3. Неоднородность структуры ФЭП может быть полученаа легированием одного и того же полупроводника различными примесями (создание p-n переходов) ) или путём соединения различных полупроводников с неодинаковой шириной запрещённой зоны - энергии отрыва электрона из атома (создание гетеропереходов), или же за счёт изменения химического состава полупроводника, приводящего к появлению градиента ширины запрещённой зоны (создание варизонных структур). Возможны также различные комбинации перечисленных способов. Коэффициент полезного действия Эффективность преобразования зависит от электрофизических характери истик неоднородной полупроводниковойй структуры, а также оптических свойств ФЭП, среди которых наиболее важную роль играет фотопроводимость. Она обусловлена явлениями внутреннего фотоэффекта в полупроводникахх при облучениии их солнечным светом. Основные необратимые потери энергии в ФЭП связаны с: отражением солнечного излучения от поверхно ости преобразователя, прохождением части излучения через ФЭП без поглощения в нём, рассеянием на тепловых колебаниях решётки избыточной энергии фотонов, рекомбинацией образовавшихся фото-папреобразователя, на поверхностях и в объёме ФЭП, внутренним сопротивлением

5 и некоторыми другими физическими процессами. Для уменьшения всех видов потерь энергии в ФЭП разрабатываются и успешно применяются различные мероприятия. К их числу относятся: использование полупроводников с оптимальной для солнечного излучения шириной запрещённой зоны; направленное улучшение свойств полупроводниковой структуры путём её оптимального легирования и создания встроенных электрических полей; переход от гомогенных к гетерогенным полупроводниковым структурам; оптимизация конструктивных параметров ФЭП (глубины залегания p-n перехода, толщины базового слоя, частоты контактной сетки и др.); применение многофункциональных оптических покрытий, обеспечивающих просветление, терморегулирование и защиту ФЭП от космической радиации; разработка ФЭП, прозрачных в длинноволновой области солнечного спектра за краем основной полосы поглощения; создание каскадных ФЭП из специально подобранных по ширине запрещённой зоны полупроводников, позволяющих преобразовывать в каждом каскаде излучение, прошедшее через предыдущий каскад, и пр.; Среди фотоэлектрических установок условно выделяют несколько типов по применяемому в производстве материалу (в порядке уменьшения КПД): арсенид галлия монокристаллический кремний поликристаллический кремний аморфный кремний CIGS медь, индий, галлий и селен Для увеличения КПД солнечных электростанций применяют системы автоматического слежения за солнцем (трэкеры). Такие установки дороги и сложны в установке, поэтому их применение оправдано только при большом количестве панелей. Также существенного повышения КПД ФЭП удалось добиться за счёт создания преобразователей с двухсторонней чувствительностью (до +80 % к уже

6 имеющемуся КПД одной стороны), применения люминесцентно переизлучающих структур, предварительного разложения солнечного спектра на две или более спектральные области с помощью многослойных плёночных светоделителей (дихроичных зеркал) с последующим преобразованием каждого участка спектра отдельным ФЭП и т. д. Ещё одним эффективным способом повышения энергоотдачи фотопанелей является применение концентраторов солнечного излучения: Линзы Френеля Параболические концентраторы Гелиостаты Но увеличение плотности энергии поступающей на фотопанель приводит к необходимости использования систем охлаждения, что делает конструкцию более сложной. Наиболее вероятными материалами для фотоэлементов СЭС считаются кремний, Cu(In,Ga)Se 2 и арсенид галлия (GaAs), причём в последнем случае речь идёт о гетерофотопреобразователях (ГФП) со структурой AlGaAs-GaAs. Фотоэлементы промышленного назначения На солнечных электростанциях (СЭС) можно использовать разные типы ФЭП, однако не все они удовлетворяют комплексу требований к этим системам: высокая надёжность при длительном (до лет) ресурсе работы; высокая доступность сырья и возможность организации массового производства; приемлемые с точки зрения сроков окупаемости затрат на создание системы преобразования; минимальные расходы энергии и массы, связанные с управлением системой преобразования и передачи энергии (космос), включая ориентацию и стабилизацию станции в целом; удобство техобслуживания. Некоторые перспективные материалы трудно получить в необходимых для создания СЭС количествах из-за ограниченности природных запасов исходного

7 сырья или сложности его переработки. Отдельные методы улучшения энергетических и эксплуатационных характеристик ФЭП, например, за счёт создания сложных структур, плохо совместимы с возможностями организации их массового производства при низкой стоимости и т. д. Высокая производительность может быть достигнута лишь при организации полностью автоматизированного производства ФЭП, например, на основе ленточной технологии, и создании развитой сети специализированных предприятий соответствующего профиля, то есть фактически целой отрасли промышленности, соизмеримой по масштабам с современной радиоэлектронной промышленностью. Изготовление фотоэлементов и сборка солнечных батарей на автоматизированных линиях обеспечит многократное снижение себестоимости батареи. Фотоэлементы для солнечных батарей на кремниевой нанопроволоке Большинство продаваемых фотоэлементов солнечных батарей используют кремний. В последние годы потребность в солнечных батареях существенно увеличилась, чем взвинтила цены на сырье кремния. Нехватка высококачественного кремния привела к необходимости поиска новой конструкции фотоэлементов, при этом, используя недорогие материалы, например, кремний невысокого качества. Одним из многобещающих кандидатов для солнечных батарей стала конструкция фотоэлементов на пучках кремниевой нанопроволоки, предложенная учеными Массачусеттского Института Технологии (MIT). Фотоэлемент новой конструкции состоит из пучков p-n кремниевых нанопроволок, каждая из которых имеет сердцевину и наружный слой. При этом наружный, более темный, слой является кремнием n- типа с добавками фосфора для поглощения электронов, а сердцевина (более светлая) представляет собой кремний p- типа, в который добавлен бор, как донор электронов. Таким образом, каждая из нанопроволочек в пучке имеет p-n переход и является нано фотоэлементом.

8 Рисунок 3.4. Схема фотоэлем мента на кремниевы ыхнанопроволочках. Каждая из проволочек представляет собой нано p-n соединение. Темный наружный слой (оболочка) кремний n- типа, светлый сердечник кремний p- типа. Кремниевые фотоэлементы на нанопроволокахх имеют гораздо более короткие p-n переходы, чем тонкопленочныее фотоэлементы. В нанопроволоке, возбужден нные светом электроны и дырки (носители) проходят очень короткие дистанции перед тем, какк попадают на электроды. Это означает более б высокую эффективность улавливания носителей заряда в системе сердечник-оболочкаа к дефектам материалаа и позволяет использовать кремний более низкого качества. СтруктураС а сердечник-оболочка нанопроволоки отвечает за самыйй важный параметр фотоэлемента- его общий коэффициент полезного действия. С другой стороны, как отмечают разработч чики, нанопроволоки, что в свою очередь, означает большую устойчивость эффективность улавливания фотонов такой системойй (другой важнейший параметр) пока не определена. Из-за того, что используемыее в конструкции фотоэлемента проволочки имеют наноразмеры, которые меньше длины волны видимого излучения, они сами и их пучок должны иметь оптические свойства,, отличающиеся от оптических свойств материала.

9 Список источников Вопросы для самоконтроля 1. Что такое фотоэлемент? 2. Опишите принцип работы фотоэлемента. 3. Что такое фотоэлектрическая панель? 4. Перечислите материалы, применяемые для производства фотоэлектрических установок. 5. Назовите эффективные способы увеличения энергоотдачи фотоэлектрических панелей. 6. Какие последние разработки касающиеся фотоэлементов вы знаете?

Электронная техника. Начало

Электронная техника. Начало 1 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru Москатов Евгений Анатольевич Электронная техника. Начало 2010 2 Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. http://moskatov.narod.ru

Подробнее

Модуль 3 Процессы получения контактов и p-n переходов

Модуль 3 Процессы получения контактов и p-n переходов Модуль 3 Процессы получения контактов и p-n переходов 3.1. Получение электронно-дырочных структур. 3.1.1. Метод диффузии Диффузия примесей является в производстве одним из наиболее распространенных способов

Подробнее

Почему светодиоды не всегда работают так, как хотят их производители?

Почему светодиоды не всегда работают так, как хотят их производители? Почему светодиоды не всегда работают так, как хотят их производители? Сергей НИКИФОРОВ nikiforov@screens.ru Статья посвящена проблемам производства и использования светодиодов и содержит ответы на популярные

Подробнее

GRUNDFOS ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛИ

GRUNDFOS ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛИ GRUNDFOS ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛИ Компания GRUNDFOS работает в России уже более 14 лет, и все эти годы мы старались быть образцом делового партнерства. Наше оборудование надежно и успешно служит людям и широко

Подробнее

QUANTUM WELLS, WIRES AND DOTS. Ç. ü. ÑÖåàïéÇëäàâ çëêâ ÓappleÓ ÒÍËÈ ÓÒÛ appleòú ÂÌÌ È ÛÌË ÂappleÒËÚÂÚ ËÏ. ç.à. ãó  ÒÍÓ Ó. V. Ya.

QUANTUM WELLS, WIRES AND DOTS. Ç. ü. ÑÖåàïéÇëäàâ çëêâ ÓappleÓ ÒÍËÈ ÓÒÛ appleòú ÂÌÌ È ÛÌË ÂappleÒËÚÂÚ ËÏ. ç.à. ãó  ÒÍÓ Ó. V. Ya. ÑÂÏËıÓ ÒÍËÈ Ç.ü., 1997 QUANTUM WELLS, WIRES AND DOTS V. Ya. DEMIKHOVSKII Eletrons in mirosopi semiondutor strutures an display astounding quantum behavior. This strutures, namely, quantum wells, wires

Подробнее

HEXFET III: НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ МОЩНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ

HEXFET III: НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ МОЩНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ 1 D.GRANT Введение HEXFET III: НОВОЕ ПОКОЛЕНИЕ МОЩНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ AN-966A Фирма International Rectifier выпустила новое, третье поколение мощных МОП-транзисторов - HEXFET III. МОП-транзисторы третьего

Подробнее

Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА

Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА Т.А. АРОНОВА, С.А. МИНАБУДИНОВА, Ю.М. СОСНОВСКИЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО МОЛЕКУЛЯРНОЙ ФИЗИКЕ, ТЕРМОДИНАМИКЕ И ФИЗИКЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА ОМСК 008 Министерство транспорта и связи Российской Федерации Омский

Подробнее

Лабораторная работа 2 КАЧЕСТВЕННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ С ПОМОЩЬЮ МОНОХРОМАТОРА УМ-2

Лабораторная работа 2 КАЧЕСТВЕННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ С ПОМОЩЬЮ МОНОХРОМАТОРА УМ-2 Лабораторная работа 2 КАЧЕСТВЕННЫЙ СПЕКТРАЛЬНЫЙ АНАЛИЗ С ПОМОЩЬЮ МОНОХРОМАТОРА УМ-2 Цель работы Ознакомление с основными принципами спектрального анализа; изучение оптической схемы спектральных приборов

Подробнее

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА А.С. Храмов, Р.А. Назипов Рентгеноструктурный анализ поликристаллов. Часть I (Учебно-методическое пособие к лабораторному

Подробнее

Пробники от А до Я. Учебное пособие

Пробники от А до Я. Учебное пособие Пробники от А до Я Учебное пособие Учебное пособие Селектор пробников Tektronix Этот онлайновый интерактивный инструмент позволяет выбирать пробники по серии, модели или по стандартам/ приложениям путем

Подробнее

Устройство и конструкция высокоскоростного электрошпинделя

Устройство и конструкция высокоскоростного электрошпинделя Устройство и конструкция высокоскоростного электрошпинделя По материалам IBAG Switzerland AG и IBAG North America Введение Высокоскоростной шпиндель, используемый в составе металлорежущего станка, должен

Подробнее

А.М. Ефимов. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ И МЕХАНИЗМЫ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ Учебное пособие

А.М. Ефимов. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ И МЕХАНИЗМЫ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ Учебное пособие МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ А.М. Ефимов ОПТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Ильинский Николай Федотович

Ильинский Николай Федотович Ильинский Николай Федотович ОБЩИЙ КУРС ЭЛЕКТРОПРИВОДА ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОСНОВЫ МЕХАНИКИ ЭЛЕКТРОПРИВОДА ЭЛЕКТРОПРИВОДЫ ПОСТОЯННОГО ТОКА ЭЛЕКТРОПРИВОДЫ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ЭНЕРГЕТИКА ЭЛЕМЕНТЫ

Подробнее

ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ОСНОВЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ОСНОВЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ОСНОВЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Н. А. Горбунов НИИ физики Санкт-Петербургского государственного университета, 19854, Россия, Санкт-Петербург,

Подробнее

Оптические волокна для линий связи

Оптические волокна для линий связи Листвин А.В. Листвин В.Н. Швырков Д.В. Оптические волокна для линий связи Москва 2003 Аннотация В книге рассмотрены вопросы ослабления и дисперсии света в оптических волокнах, применяемых при строительстве

Подробнее

Калинкин В.И. СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ СТАНКАМИ

Калинкин В.И. СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ СТАНКАМИ Калинкин В.И. СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ СТАНКАМИ 0 Содержание Введение 2 1. Классификация систем автоматического управления 4 2. Аналоговые системы управления 8 3. Цикловые системы управления

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ ВЗРЫВОЗАЩИЩЕННОЕ. ЧАСТЬ 11 ИСКРОБЕЗОПАСНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЦЕПЬ i

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ ВЗРЫВОЗАЩИЩЕННОЕ. ЧАСТЬ 11 ИСКРОБЕЗОПАСНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЦЕПЬ i ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ГОСТ Р 51330.10-99 (МЭК 60079-11-99) ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЕ ВЗРЫВОЗАЩИЩЕННОЕ ЧАСТЬ 11 ИСКРОБЕЗОПАСНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЦЕПЬ i Electrical apparatus for explosive

Подробнее

Рис.1 Многообразие электромагнитных волн

Рис.1 Многообразие электромагнитных волн Основные светотехнические понятия и их практическое применение В природе существует множество электромагнитных волн с различными параметрами: рентгеновские лучи, γ-лучи, микроволновое излучение и др. (см.

Подробнее

ЧЕГО НЕ УЧЛИ АМПЕР, ФАРАДЕЙ, МАКСВЕЛЛ И ГЕРЦ. 18. Динамические потенциалы и поля движущихся зарядов.

ЧЕГО НЕ УЧЛИ АМПЕР, ФАРАДЕЙ, МАКСВЕЛЛ И ГЕРЦ. 18. Динамические потенциалы и поля движущихся зарядов. ЧЕГО НЕ УЧЛИ АМПЕР, ФАРАДЕЙ, МАКСВЕЛЛ И ГЕРЦ. 18. Динамические потенциалы и поля движущихся зарядов. Тот путь, который продемонстрирован во второй главе, касающийся введения полных производных полей, пройден

Подробнее

Сети ЭВМ и их защита

Сети ЭВМ и их защита Санкт-Петербургский государственный морской технический университет кафедра Судовой автоматики и измерений Сети ЭВМ и их защита (PDF-версия на http://irodov.nm.ru/other/files.htm) Учебное пособие Доцент

Подробнее

«Международный институт ИНФО-Рутения» «Организация инновационной деятельности» Курс лекций. Автор: Щенникова В.Н.

«Международный институт ИНФО-Рутения» «Организация инновационной деятельности» Курс лекций. Автор: Щенникова В.Н. Автономная некоммерческая организация «Международный институт ИНФО-Рутения» «Организация инновационной деятельности» Курс лекций Автор: Щенникова В.Н. МОСКВА, 2014 1 Оглавление ЛЕКЦИЯ 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

ФИЗИКА ЭНТРОПИЯ И ЕЕ РОЛЬ В НАУКЕ

ФИЗИКА ЭНТРОПИЯ И ЕЕ РОЛЬ В НАУКЕ ЭНТРОПИЯ И ЕЕ РОЛЬ В НАУКЕ А. И. ОСИПОВ, А. В. УВАРОВ Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Осипов А.И., Уваров А.В., 2004 ENTROPY AND ITS ROLE IN SCIENCE A. I. OSIPOV, A. V. UVAROV

Подробнее

FIAMM оставляет за собой право изменения и исправления без уведомления любых сведений или деталей, содержащихся в настоящем документе: Руководство по

FIAMM оставляет за собой право изменения и исправления без уведомления любых сведений или деталей, содержащихся в настоящем документе: Руководство по 1 Содержание: 1. ХАРАКТЕРИСТИКИ АККУМУЛЯТОРОВ СЕРИЙ FG, FGL, FGH, FGC, FGHL, FGL 3 2. УСТРОЙСТВО АККУМУЛЯТОРОВ 4 3. ПРИНЦИП РАБОТЫ VRLA СВИНЦОВО-КИСЛОТНОЙ АККУМУЛЯТОРНОЙ БАТАРЕИ 4 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Подробнее

Стратегия. Разработка стратегии

Стратегия. Разработка стратегии Стратегия. Разработка стратегии Стратегия это общая осмысленность действий, связующее звено между целями организации и линией поведения, выбираемой для достижения этих целей. Формирование стратегии следует

Подробнее

Химико-технологический процесс и его содержание. Критерии эффективности химико-технологического процесса

Химико-технологический процесс и его содержание. Критерии эффективности химико-технологического процесса Химико-технологический процесс и его содержание. Критерии эффективности химико-технологического процесса Химическая технология - это научная основа химической промышленности. Под технологией в широком

Подробнее

Параллелизм вычислительных процессов и развитие архитектуры суперэвм

Параллелизм вычислительных процессов и развитие архитектуры суперэвм В.С. Бурцев Параллелизм вычислительных процессов и развитие архитектуры суперэвм МВК "Эльбрус" Москва 1998 Всеволод Сергеевич Бурцев Параллелизм вычислительных процессов и развитие архитектуры суперэвм.

Подробнее

Наноматериалы: синтез нанокристаллических порошков и получение компактных нанокристаллических материалов Учебное пособие для вузов

Наноматериалы: синтез нанокристаллических порошков и получение компактных нанокристаллических материалов Учебное пособие для вузов Федеральное агентство по образованию Наноматериалы: синтез нанокристаллических порошков и получение компактных нанокристаллических материалов Учебное пособие для вузов ВОРОНЕЖ 2007 2 Утверждено Научно-методическим

Подробнее

Ю.П.Юленец, А.В.Марков, С.И.Чумаков ОСНОВЫ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. ПРАКТИКУМ

Ю.П.Юленец, А.В.Марков, С.И.Чумаков ОСНОВЫ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. ПРАКТИКУМ МИНОБРНАУКИ РОССИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)»

Подробнее

Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике

Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике 6 Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике Андрей Туркин В статье приводится исторический обзор исследовательских работ по нитриду галлия (GaN), который является

Подробнее