Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение..."

Транскрипт

1 Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников Зонная структура полупроводников Терминология и основные понятия Статистика электронов и дырок в полупроводниках Распределение квантовых состояний в зонах Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике Определение положения уровня Ферми Проводимость полупроводников Токи в полупроводниках Неравновесные носители Уравнение непрерывности Контрольные вопросы...33 Задачи...33 Глава 2 Барьеры Шоттки, p-n-переходы и гетеропереходы Ток термоэлектронной эмиссии Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p- и n-типов Эффект поля Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда Дебаевская длина экранирования Барьер Шоттки Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки Вольт амперная характеристика барьера Шоттки Электронно дырочный р-n-переход Распределение свободных носителей в p n-переходе Поле и потенциал в p n-переходе Компоненты тока и квазиуровни Ферми в р-n-переходе Вольт амперная характеристика р n-перехода Гетеропереходы Контрольные вопросы Задачи Глава 3 Физика поверхности и МДП-структуры Область пространственного заряда (ОПЗ) в равновесных условиях эмиссии Зонная диаграмма приповерхностной области полупроводника в равновесных условиях Заряд в области пространственного заряда...71

2 4 Содержание Уравнение Пуассона для ОПЗ Выражение для заряда в ОПЗ Избыток свободных носителей заряда Среднее расстояние локализации свободных носителей. от поверхности полупроводника Форма потенциального барьера на поверхности полупроводника Емкость области пространственного заряда Влияние вырождения на характеристики ОПЗ полупроводника Поверхностные состояния Основные определения Природа поверхностных состояний Статистика заполнения ПС Вольт фарадные характеристики структур МДП Устройство МДП структур и их энергетическая диаграмма Уравнение электронейтральности Емкость МДП структур Экспериментальные методы измерения вольт фарадных характеристик Определение параметров МДП структур на основе. анализа C V характеристик Определение плотности поверхностных состояний на границе. раздела полупроводник диэлектрик Флуктуации поверхностного потенциала в МДП структурах Виды флуктуаций поверхностного потенциала Конденсаторная модель Гоетцбергера для флуктуаций. поверхностного потенциала Среднеквадратичная флуктуация потенциала, обусловленная. системой случайных точечных зарядов Потенциал, создаваемый зарядом, находящимся на границе. двух сред с экранировкой Потенциальный рельеф в МДП структуре при дискретности. элементарного заряда Функция распределения потенциала при статистических флуктуациях Зависимость величины среднеквадратичной флуктуации. от параметров МДП-структуры Пространственный масштаб статистических флуктуаций Сравнительный анализ зависимости среднеквадратичной. флуктуации σ ψ и потенциала оптимальной флуктуации Контрольные вопросы Задачи Глава 4 Полупроводниковые диоды Введение Характеристики идеального диода на основе p n-перехода Выпрямление в диоде Характеристическое сопротивление Эквивалентная схема диода Варикапы Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления. базы на характеристики реальных диодов Влияние генерации неравновесных носителей. в ОПЗ p-n-перехода на обратный ток диода...129

3 Содержание Влияние рекомбинации неравновесных носителей. в ОПЗ p n-перехода на прямой ток диода Влияние объемного сопротивления базы диода. на прямые характеристики Влияние температуры на характеристики диодов Стабилитроны Туннельный пробой в полупроводниках Лавинный пробой в полупроводниках Приборные характеристики стабилитронов Туннельный и обращенный диоды Вольт амперная характеристика туннельного диода Вольт амперная характеристика обращенного диода Использование туннельного диода в схемах автогенераторов колебаний Переходные процессы в полупроводниковых диодах Контрольные вопросы Задачи Глава 5 Биполярные транзисторы Общие сведения Основные физические процессы в биполярных транзисторах Физические процессы Зонная диаграмма и схема биполярного транзистора. в схеме с общей базой Формулы Молла Эберса Вольт амперные характеристики биполярного транзистора. в активном режиме в схеме с общей базой Дифференциальные параметры биполярных транзисторов. в схеме с общей базой Коэффициент инжекции Коэффициент переноса Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода Коэффициент обратной связи Объемное сопротивление базы Тепловой ток коллектора Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером Эквивалентная схема биполярного транзистора Эффект оттеснения тока эмиттера Составные транзисторы Дрейфовые транзисторы Параметры транзистора как четырехполюсника z, y, h параметры Связь h параметров с физическими параметрами Расчет h параметров из вольт-амперных характеристик Частотные и импульсные свойства транзисторов Частотная зависимость комплексного коэффициента переноса Представление частотной зависимости коэффициента передачи RC цепочкой Частотная зависимость коэффициента β в схеме с общим эмиттером Эквивалентная схема транзистора на высоких частотах Биполярные транзисторы с гетеропереходами...192

4 6 Содержание Типовая структура ГБТ на основе SiGe Типовая структура ГБТ на GaAs Биполярные транзисторы с гетеропереходами на соединениях. с фосфидом индия Контрольные вопросы Задачи Глава 6 Полевые транзисторы Типы и устройство полевых транзисторов Принцип работы МДП транзистора Выбор знаков напряжений в МДП транзисторе Характеристики МДП транзистора в области плавного канала Характеристики МДП транзистора в области отсечки Влияние типа канала на вольт амперные характеристики МДП транзисторов Эффект смещения подложки Малосигнальные параметры Эквивалентная схема и быстродействие МДП транзистора Методы определения параметров МОП ПТ из характеристик Топологические реализации МДП-транзисторов Размерные эффекты в МДП транзисторах Подпороговые характеристики МДП транзистора Учет диффузионного тока в канале Неравновесное уравнение Пуассона Уравнение электронейтральности в неравновесных условиях Вольт-амперная характеристика МДП транзистора. в области сильной и слабой инверсии Ячейка памяти на основе МДП транзистора Типы МДП транзисторов для репрограммируемых элементов памяти МНОП транзистор МОП ПТ с плавающим затвором Характеристики флэш-памяти Механизм записи информационного заряда на плавающий затвор в p- и n-канальном МДП-транзисторе Режимы записи/стирания в МДП-транзисторах флэш-элементов памяти Полевой транзистор с затвором в виде р n-перехода СВЧ полевые транзисторы с барьером Шоттки GaAs полевой транзистор с барьером Шоттки GaN полевой транзистор с гетеропереходом Монолитные интегральные схемы с СВЧ полевыми транзисторами Контрольные вопросы Задачи Глава 7 Тиристоры Общие сведения Вольт амперная характеристика диодного тиристора Феноменологическое описание ВАХ динистора Зонная диаграмма и токи диодного тиристора в открытом состоянии Зависимость коэффициента передачи α от тока эмиттера

5 Содержание Зависимость коэффициента М от напряжения V G. Умножение в коллекторном переходе Тринистор Феноменологическое описание ВАХ тринистора Симметричные тринисторы Однопереходные транзисторы Контрольные вопросы Глава 8 Лавинно пролетные диоды Общие сведения Устройство и зонная диаграмма Малосигнальные характеристики Использование ЛПД для генерации СВЧ колебаний Коммутационные p-i-n-диоды Контрольные вопросы Глава 9 Диоды Ганна Общие сведения Требования к зонной структуре полупроводников Статическая ВАХ арсенида галлия Зарядовые неустойчивости в приборах с отрицательным. дифференциальным сопротивлением Зарядовые неустойчивости в типичных полупроводниках Зарядовые неустойчивости при наличии участка отрицательного. дифференциального сопротивления на ВАХ Домены сильного электрического поля в GaAs Генерация СВЧ колебаний в диодах Ганна Контрольные вопросы Глава 10 Полупроводниковые лазеры и светодиоды Электролюминесценция Оптические переходы Излучательная рекомбинация Связь спектральной зависимости коэффициента поглощения и. спектра люминесценции Спектры излучательной рекомбинации при фундаментальных. переходах Спектры излучательной рекомбинации при непрямых переходах Методы инжекции Условие односторонней инжекции в p-n-переходе Условие односторонней инжекции в гетеропереходе Светодиоды Светодиоды видимого диапазона Светодиоды инфракрасного диапазона Светодиоды коротковолнового диапазона Полупроводниковые лазеры Зонная диаграмма и конструкция полупроводникового лазера Лазеры на гетероструктурах Полупроводниковые лазеры с двойным гетеропереходом...324

6 8 Содержание Полупроводниковые лазеры для УФ-диапазона Полупроводниковые лазеры на фотонных кристаллах Применение полупроводниковых лазеров Контрольные вопросы Задачи Глава 11 Фотоприемники Статистические параметры фотодетекторов Материалы для фотоприемников Фоторезисторы Фотодиоды на основе p-n-перехода Общие сведения Вольт-амперная характеристика фотодиода Спектральная чувствительность p-i-n-фотодиоды Лавинные фотодиоды Фототранзисторы МДП-фотоприемники с неравновесным обеднением Механизмы генерации неосновных носителей. в области пространственного заряда Время релаксации неравновесного обеднения Дискретные МДП фотоприемники Матрицы фотоприемников с зарядовой связью (ФПЗС) Контрольные вопросы Задачи Глава 12 Солнечные батареи Характеристики солнечного излучения Методы преобразования солнечной энергии Солнечные элементы с p-n-переходом Вольт-амперная характеристика идеального солнечного элемента Коэффициент полезного действия солнечных элементов Приборная реализация полупроводниковых солнечных батареи Солнечные батареи на полупроводниковых гетероструктурах Контрольные вопросы Глава 13 Квантовый эффект Холла в двухмерном электронном газе Двухмерные электроны Уравнение Шредингера для электрона в ОПЗ Плотность состояний в двумерной подзоне Расчет концентрации n(z) с учетом квантования Спектр энергий и вид волновых функций в ОПЗ Диаграмма состояния электронного газа в инверсионном канале Квантовый эффект Холла Зависимость ЭДС Холла от параметров инверсионного канала Циклотронная частота Спектр энергии двухмерных электронов в поперечном магнитном поле Число состояний для электронов на уровне Ландау Плотность электронов в 2D электронном газе в сильном магнитном поле. 404

7 Содержание Эффект Холла для 2D-электронов в сильном магнитном поле Контрольные вопросы Глава 14 Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале Общие сведения Структура и принцип действия HEMT-транзисторов Насыщение дрейфовой скорости электронного газа Вольтамперная характеристика HEMT транзистора в линейной области Вольт-амперная характеристика HEMT-транзистора в области насыщения Напряжение насыщения и ток насыщения Пороговое напряжение p-hemt-транзистора Связь концентрации n s в канале и энергии Ферми E F с учетом квантования 2D электронного газа Контрольные вопросы Глава 15 Полупроводниковые приборы при экстремальных температурах Полупроводниковые материалы для высокотемпературной электроники Твердотельные приборы на SiC Твердотельные приборы на GaN Контрольные вопросы Глава 16 Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники Микроминиатюризация МДП приборов Физические явления, ограничивающие микроминиатюризацию Приборы наноэлектроники Наноразмерный полевой транзистор Наноэмиттеры Полевой транзистор с нанотрубками Приборы для квантовых компьютеров Технологический прогресс: от технологий микроэлектроники. к нанотехнологиям Контрольные вопросы Глава 17 Классификация и обозначения полупроводниковых приборов Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов Графические обозначения и стандарты Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов Приложение А. Нобелевские премии за работы по твердотельной электронике Приложение Б Решения задач...481

8 10 Содержание Глава 1. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики. полупроводников Глава 2. Барьеры Шоттки, p n-переходы и гетеропереходы Глава 3. Физика поверхности и МДП-структуры Глава 4. Полупроводниковые диоды Глава 5. Биполярные транзисторы Глава 6. Полевые транзисторы Глава 10. Светодиоды и полупроводниковые лазеры Глава 11. Фотоприемники Приложение В Обозначения физических параметров Обозначения приборных параметров Приложение Г Универсальные физические постоянные Полезные соотношения Список рекомендованной литературы Монографии и научные издания Учебники и учебные пособия Сборники задач Энциклопедии и справочники Предметный указатель Об авторе...511

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Глава 1. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников

Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Глава 1. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников Содержание Предисловие ко второму изданию... 9 Предисловие к первому изданию... Глава. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников..... Зонная структура полупроводников..... Терминология

Подробнее

по дисциплине «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» (ПЦ. Б.3.В.09)

по дисциплине «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» (ПЦ. Б.3.В.09) Р А Б О Ч А Я П Р О Г Р А М М А по дисциплине «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» (ПЦ. Б.3.В.09) для направления подготовки бакалавров 20200.62 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» 2

Подробнее

1. Цели и задачи дисциплины Цель изучения дисциплины «Физические основы микроэлектроники» - формирование у студента представление о физических

1. Цели и задачи дисциплины Цель изучения дисциплины «Физические основы микроэлектроники» - формирование у студента представление о физических 2 1. Цели и задачи дисциплины Цель изучения дисциплины «Физические основы микроэлектроники» - формирование у студента представление о физических процессах, протекающих в твердотельных электронных устройствах

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 210100 и Положением «Об

Подробнее

ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр)

ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) 1. ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ* Классификация полупроводниковых

Подробнее

1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 1.3. Взаимосвязь учебных дисциплин

1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 1.3. Взаимосвязь учебных дисциплин 1 1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины Дисциплина «Полупроводниковая электроника» является общим курсом для студентов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров 21000.62

Подробнее

Фотодиод. Фотодиод. ФД активная площадь-10х10 мм². ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах

Фотодиод. Фотодиод. ФД активная площадь-10х10 мм². ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодиод Материал из Википедии свободной энциклопедии Фотодиод ФД-10-100 активная площадь-10х10 мм² ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодио д приёмник оптического излучения

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет УТВЕРЖДАЮ: Декан физического факультета В.М. Кузнецов " " 2012 г. Рабочая программа дисциплины

Подробнее

Программа дисциплины Физические основы микро- и наноэлектроники

Программа дисциплины Физические основы микро- и наноэлектроники Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" Московский институт электроники и математики Департамент

Подробнее

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ факультет естественнонаучный кафедра микроэлектроники Рабочая программа дисциплины

Подробнее

Содержание. Предисловие 11. Структура книги 15

Содержание. Предисловие 11. Структура книги 15 Предисловие 11 Структура книги 15 Глава 1. Мезоскопическая физика и нанотехнологии 17 1.1. книги 17 1.2. Основные тенденции развития нанои оптоэлектроники 18 1.3. Характеристические длины в мезоскопических

Подробнее

СОДЕРЖАНИЕ. Список сокращений...3 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

СОДЕРЖАНИЕ. Список сокращений...3 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ СОДЕРЖАНИЕ Список сокращений...3 308 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ Глава 26. Теоретические основы электроники.контактные явления...5 26.1.

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ Программа составлена на основе федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (уровень подготовки кадров высшей квалификации) по направлению подготовки 16.06.01 Физикотехнологические

Подробнее

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ Оптоэлектронным называют полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой,

Подробнее

СОСТАВИТЕЛЬ: А.В. Мазаник доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент.

СОСТАВИТЕЛЬ: А.В. Мазаник доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент. 2 СОСТАВИТЕЛЬ: А.В. Мазаник доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент. Рецензенты: В.Б. Залесский зав. лабораторией фотоэлектронных

Подробнее

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские ВВЕДЕНИЕ Область профессиональной деятельности выпускника по специальности 10106 «Промышленная электроника» включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факультет УТВЕРЖДАЮ Декан

Подробнее

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ Г. МОСКВЫ ГБОУ СПО КИГМ 23 АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ (для проведения внутренней экспертизы) по учебной дисциплине ОП 04 «Основы радиоэлектроники» Для

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 1: «Физические основы твердотельной электроники» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Тематический план вебинаров по дисциплине

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

Требования к результатам обучения В результате изучения дисциплины (модуля) студент должен: ОПК-1

Требования к результатам обучения В результате изучения дисциплины (модуля) студент должен: ОПК-1 I. Аннотация 1. Цель и задачи дисциплины (модуля) Целью освоения дисциплины является: получение базовых знаний по полупроводниковой электронике, на основе которой в дальнейшем можно развивать более углубленное

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. «Б Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. «Б Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Иркутский государственный университет» Физический

Подробнее

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 53 3943 Ф 503 ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО ФИЗИКЕ Методические

Подробнее

Твердотельная электроника

Твердотельная электроника Министерство образования и науки Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Петрозаводский государственный университет» Научно-образовательный

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Факультет радиотехники и электроники УТВЕРЖДАЮ

Подробнее

Учебная программа составлена на основе ОСВО и учебного плана Р98-286/уч от

Учебная программа составлена на основе ОСВО и учебного плана Р98-286/уч от 2 Учебная программа составлена на основе ОСВО 1-98 80 03-2012 и учебного плана Р98-286/уч от 26.05.2017 СОСТАВИТЕЛИ: П.И.Гайдук, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного

Подробнее

Введение в оптоэлектронику

Введение в оптоэлектронику ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» Физический факультет Кафедра

Подробнее

Дисциплина: Б3.В.ОД.6 Полупроводниковые прибопы. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН

Дисциплина: Б3.В.ОД.6 Полупроводниковые прибопы. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 211000.62 и Положением

Подробнее

Научно-методическим советом Белорусского государственного университета (протокол 6 от 31 мая 2016 г.).

Научно-методическим советом Белорусского государственного университета (протокол 6 от 31 мая 2016 г.). 2 Учебная программа составлена на основе ОСВО 1-31 04 03-2013 и учебных планов УВО G31-165/уч. 2013 г. и G31и-188уч 2013 г. СОСТАВИТЕЛИ: П.И.Гайдук, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий

Подробнее

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

Структура и содержание рабочей программы

Структура и содержание рабочей программы 1 2 Структура и содержание рабочей программы Раздел 1. Общие положения 1.1 Цели и задачи дисциплины, ее место в учебном процессе. Целями освоения дисциплины "Физические основы измерений" являются: изучение

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

Радиофизический факультет Кафедра электроники

Радиофизический факультет Кафедра электроники МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им.

Подробнее

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» Заместитель директора по учебной работе

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» Заместитель директора по учебной работе ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» ОДОБРЕНЫ ЦМК «РТД» Протокол от «23» ноября 2009 г. 5 Председатель ЦМК УТВЕРЖДАЮ Заместитель директора по учебной работе Д.В. Колесников 20

Подробнее

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физического факультета БГУ В.М. Анищик 26.06.2009 Регистрационный УД- 2027 /баз. ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Учебная программа

Подробнее

У выпрямительного диода анодом называется электрод,

У выпрямительного диода анодом называется электрод, Вывод диода, помеченный цифрой "1" называется база эмиттер катод анод коллектор 1 2 Вывод диода, помеченный цифрой "2" 1 2 называется база эмиттер катод анод коллектор У выпрямительного диода анодом называется

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Электротехника, электроника и микропроцессорная. Основы электроники

Электротехника, электроника и микропроцессорная. Основы электроники Харьковский национальный автомобильно-дорожный университет РАОЧАЯ ПРОГРАММА, МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И ЗАДАНИЯ к контрольной работе по дисциплине Электротехника, электроника и микропроцессорная техника Раздел

Подробнее

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 11.04.04 Электроника и

Подробнее

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов Лекция 4 Контактные явления 4.1 Контактная разность потенциалов Из модели сильной связи в зонной теории твердого тела следует, что энергия электронов в кристалле - величина отрицательная. Физически это

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния.

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния. ТИРИСТОРЫ Тиристор это полупроводниковый прибор, основой которого служат три или более трех последовательно включенных p nпереходов. Область его применения бесконтактное переключение и управление в электрических

Подробнее

1. Квантовая и оптическая электроника. 2. Кинетические явления в полупроводниках, Физические основы наноэлектроники

1. Квантовая и оптическая электроника. 2. Кинетические явления в полупроводниках, Физические основы наноэлектроники 1. Квантовая и оптическая электроника 1. Атом водорода. Квантовые числа. Энергетические состояния атомов. 2. Квантовые переходы. Вероятность перехода. Матричный элемент. 3. Спонтанное и индуцированное

Подробнее

Радиофизический факультет Кафедра электроники

Радиофизический факультет Кафедра электроники МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им.

Подробнее

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию УТВЕРЖДАЮ Первый^э^еститель Министра образования Рес^^^шки, Б^ару^

Подробнее

1. ДИСЦИПЛИНЫ, ВКЛЮЧЁННЫЕ В ПРОГРАММУ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ В МАГИСТРАТУРУ Физика 1.2. Физика твердого тела и полупроводников

1. ДИСЦИПЛИНЫ, ВКЛЮЧЁННЫЕ В ПРОГРАММУ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ В МАГИСТРАТУРУ Физика 1.2. Физика твердого тела и полупроводников 1. ДИСЦИПЛИНЫ, ВКЛЮЧЁННЫЕ В ПРОГРАММУ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ В МАГИСТРАТУРУ 1.1. Физика 1.2. Физика твердого тела и полупроводников 2. СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНЫХ ДИСЦИПЛИН 2.1. «Физика» Темы (вопросы) 1. Физические

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

1.1 Предмет, цели, задачи, принципы построения и реализации дисциплины

1.1 Предмет, цели, задачи, принципы построения и реализации дисциплины 3 ВВЕДЕНИЕ Рабочая программа дисциплины «Физика конденсированного состояния» разработана на основании требований Федерального государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 3 Лекция 1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 1. Введение 2. Выпрямительные диоды 3. Стабилитроны 4. Диоды Шоттки 5. Выводы План Введение Энергетическая электроника представляет область

Подробнее

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt.

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt. 3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

Подробнее

СТРУКТУРА ДИСЦИПЛИНЫ "Твердотельная электроника"

СТРУКТУРА ДИСЦИПЛИНЫ Твердотельная электроника СТРУКТУРА ДИСЦИПЛИНЫ "Твердотельная электроника" Наименование курса Семестр изучения Кол-во кредитов Кол-во недель, в течение которых реализ-ся курс Всего часов по уч. плану Аудиторные занятия Всего Лекц.

Подробнее

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию УТВЕРЖДАЮ грвый заместитель Министра образования ^Республики Беларусь В.А. Богуш о?0. ов-^о/^

Подробнее

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1.

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1. Вариант 1. 1. Назначение, устройство, принцип действия, условное графическое обозначение и вольт-амперная характеристика электровакуумного диода. 2. Назначение и структурная схема выпрямителей. Основные

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ «УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АВИАЦИОННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ «УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АВИАЦИОННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АВИАЦИОННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра ИНФОРМАТИКИ И МЕТОДИКИ

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА Э 455

ЭЛЕКТРОНИКА Э 455 Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 621.38 3741 Э 455 ЭЛЕКТРОНИКА Программа, контрольные задания и методические указания для студентов

Подробнее

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности К.В.Шалимова ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА ИЗДАТЕЛЬСТВО ТГТУ. Выход R 2 VT 1 VT 2 R 1 R 3. Вход 1 Вход 2

ЭЛЕКТРОНИКА ИЗДАТЕЛЬСТВО ТГТУ. Выход R 2 VT 1 VT 2 R 1 R 3. Вход 1 Вход 2 VT 1 VT 2 ЭЛЕКТРОНИКА +Е R 2 Выход R 1 R 3 Вход 1 Вход 2 ИЗДАТЕЛЬСТВО ТГТУ Министерство образования и науки Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА, МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И ЗАДАНИЯ к контрольной работе по дисциплине Элементная база электронных устройств

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА, МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И ЗАДАНИЯ к контрольной работе по дисциплине Элементная база электронных устройств МИНИСТЕРСТВО ОРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ Харьковский национальный автомобильно-дорожный университет РАОЧАЯ ПРОГРАММА, МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ И ЗАДАНИЯ к контрольной работе по дисциплине Элементная база электронных

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ И КЛЕТОЧНЫЕ АВТОМАТЫ методическое пособие к практикуму по физике полупроводников

КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ И КЛЕТОЧНЫЕ АВТОМАТЫ методическое пособие к практикуму по физике полупроводников КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ ПАРФЕНОВ В.В. КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ В ЭЛЕКТРОНИКЕ: ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ И КЛЕТОЧНЫЕ АВТОМАТЫ методическое пособие к практикуму по физике

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1 ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1 Тема: Работа с полупроводниковыми ми Рабочее место: аудитория. Время проведения занятия: 80мин Цель: Научиться работать с полупроводниковыми ми, определять их маркировку по справочным

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к выполнению лабораторной работы

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к выполнению лабораторной работы ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УЧЕБНО- НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ КОМПЛЕКС» УЧЕБНО-НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ

Подробнее

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА Дисциплина Физические основы микроэлектроники Для студентов специальности 2205 Курс 3 семестр 4 Учебных занятий

Подробнее

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина) МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина)

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Конспект лекций

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Конспект лекций МИНОБРНАУКИ РОССИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Томский политехнический университет» (УГТУ) А. В. Глазачѐв, В. П. Петрович ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Подробнее

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ Программа составлена на основе федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (уровень подготовки кадров высшей квалификации) по направлению подготовки 11.06.01 Электроника,

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Дагестанский государственный университет» УТВЕРЖДАЮ Ректор ДГУ

Подробнее

Полевые транзисторы (ПТ)

Полевые транзисторы (ПТ) Полевые транзисторы (ПТ) Электроника и МПТ Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок) униполярные транзисторы. 1 Полевые

Подробнее

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка Полупроводниковые диоды. План. 1. Классификация, условное графическое обозначение, маркировка. 2. Основные параметры диодов. 3. Выпрямительные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 4. Высокочастотные

Подробнее

Программа дисциплины

Программа дисциплины МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное автономное учреждение высшего профессионального образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" Институт

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ И ПРИБОРЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ И ПРИБОРЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) 1) Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. 2) Микроминиатюризация МДП-приборов. 3) Физические явления, ограничивающие микроминиатюризацию

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ План занятия: 1. Классификация и условные графические обозначения тиристоров 2. Принцип работы тиристоров 3. Управляемые тиристоры 4. Симисторы 5. Основные параметры тиристоров 6. Области

Подробнее

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э III иполярные транзисторы 1 «иполярные транзисторы. Принцип работы» иполярный транзистор трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными p-n переходами.

Подробнее

варикапы, стабилитроны и др.

варикапы, стабилитроны и др. 2.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковыми диодами называют полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом и двумя выводами. Они применяются для выпрямления переменного тока, детектирования

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

Список вопросов по каждой дисциплине: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

Список вопросов по каждой дисциплине: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Цель вступительного экзамена в магистратуру Вступительный экзамен в магистратуру по специальности 1-41 80 01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника и приборы

Подробнее

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации сигналов в электрических цепях. Термин «транзистор»

Подробнее

Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники

Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники Рабочая программа, контрольные задания и методические указания для студентов заочного отделения направления 210700 инфокоммуникационные

Подробнее

Н.А.Дроздов доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент.

Н.А.Дроздов доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент. СОСТАВИТЕЛЬ: Н.А.Дроздов доцент кафедры энергофизики Белорусского государственного университета, кандидат физико-математических наук, доцент. РЕЦЕНЗЕНТЫ: Г.П.Яблонский заведующий лабораторией физики и

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физический факультет

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ

Подробнее