МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ"

Транскрипт

1 МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50, МГТСО8/-30 Общие сведения Модули гибридные оптосимисторные изготавливаются в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием. Силовая цепь модулей состоит из двух встречно-параллельных тиристорных элементов, выполняющих роль коммутирующего устройства. Цепь управления модулей МГТСО4/6, МГТСО4/8, МГТСО8/6 и МГТСО8/8 состоит из диода излучающего оптически связанного со встроенной схемой контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль (МГТСО4/8, МГТСО8/8) или без контроля перехода через ноль (МГТСО4/6, МГТСО8/6). Управление тиристорных элементов в модулях МГТСО8/ раздельное с опторазвязкой без контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль. Модули предназначены для работы в цепях переменного тока частотой до 500 Гц различных электротехнических устройств, в коммутационной и регулирующей аппаратуре. Условия эксплуатации Климатическое исполнение и категория размещения У для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ Модули предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма-излучения). Модули допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 0 до 00 Гц с ускорением 50 м/с и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс и ускорением 40 м/с. Группа М7 условий эксплуатации по ГОСТ Модули по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У Комплектность поставки и формулирование заказа Модули поставляются без охладителей, но по согласованию с предприятием-изготовителем могут поставляться с охладителем и комплектом крепежных деталей. К каждой партии модулей, транспортируемых в один адрес, прилагается этикетка. При заказе модулей необходимо указать: тип, класс, группу по критической скорости нарастания коммутационного напряжения, климатическое исполнение, категорию размещения, комплектность поставки, количество, номер технических условий. Пример заказа 0 штук модулей типа МГТСО8/8-30 шестнадцатого класса с критической скоростью нарастания коммутационного напряжения 50 В/мкс (7 группа), климатического исполнения У, категории размещения. МГТСО8/ У по ТУ У шт, без охладителей.

2 Ñèëîâûå ïîëóïðîâîäíèêîâûå ìîäóëè Ñòðóêòóðà óñëîâíîãî îáîçíà åíèÿ ìîäóëåé Ì Ã ÒÑÎ Ìîäóëü áåñïîòåíöèàëüíûé Ãèáðèäíûé Ôóíêöèîíàëüíîå íàçíà åíèå: - îïòîòðèàê Ïîðÿäêîâûé íîìåð ìîäèôèêàöèè êîðïóñà ìîäóëÿ: Îáîçíà åíèå âèäà ñõåìû ñîåäèíåíèÿ ñèëîâûõ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ýëåìåíòîâ: 6 - óïðàâëåíèå ñ îïòîðàçâÿçêîé áåç êîíòðîëÿ ïåðåõîäà êîììóòèðóåìîãî íàïðÿæåíèÿ åðåç íîëü, ñèëîâàÿ öåïü - äâà òèðèñòîðà âêëþ åííûõ âñòðå íî-ïàðàëëåëüíî; 8 - óïðàâëåíèå ñ îïòîðàçâÿçêîé è êîíòðîëåì ïåðåõîäà êîììóòèðóåìîãî íàïðÿæåíèÿ åðåç íîëü, ñèëîâàÿ öåïü - äâà òèðèñòîðà âêëþ åííûõ âñòðå íî-ïàðàëëåëüíî - äâà òèðèñòîðà âêëþ åííûõ âñòðå íî-ïàðàëëåëüíî ñ ðàçäåëüíûì óïðàâëåíèåì ñ îïòîðàçâÿçêîé áåç êîíòðîëÿ ïåðåõîäà êîììóòèðóåìîãî íàïðÿæåíèÿ åðåç íîëü Ìàêñèìàëüíî äîïóñòèìûé äåéñòâóþùèé òîê â îòêðûòîì ñîñòîÿíèè, â àìïåðàõ Êëàññ ïî ïîâòîðÿþùåìóñÿ èìïóëüñíîìó íàïðÿæåíèþ â çàêðûòîì ñîñòîÿíèè Ãðóïïà ïî êðèòè åñêîé ñêîðîñòè íàðàñòàíèÿ êîììóòàöèîííîãî íàïðÿæåíèÿ Âèä êëèìàòè åñêîãî èñïîëíåíèÿ ïî ÃÎÑÒ 550

3 Ñõåìû ðàñïîëîæåíèÿ îñíîâíûõ è óïðàâëÿþùèõ âûâîäîâ â ìîäóëÿõ ÌÃÒÑÎ4/6-00, ÌÃÒÑÎ4/6-5, ÌÃÒÑÎ4/6-60 ÌÃÒÑÎ4/8-00, ÌÃÒÑÎ4/8-5, ÌÃÒÑÎ4/8-60 ÌÃÒÑÎ8/6-00, ÌÃÒÑÎ8/6-50, ÌÃÒÑÎ8/6-30 ÌÃÒÑÎ8/8-00, ÌÃÒÑÎ8/8-50, ÌÃÒÑÎ8/8-30 ÌÃÒÑÎ8/-00, ÌÃÒÑÎ8/-50, ÌÃÒÑÎ8/-30 Ñõåìû ýëåêòðè åñêèå ñòðóêòóðíûå ìîäóëåé ÌÃÒÑÎ4/6-00, ÌÃÒÑÎ4/6-5, ÌÃÒÑÎ4/6-60 ÌÃÒÑÎ8/6-00, ÌÃÒÑÎ8/6-50, ÌÃÒÑÎ8/6-30 ÌÃÒÑÎ4/8-00, ÌÃÒÑÎ4/8-5, ÌÃÒÑÎ4/8-60 ÌÃÒÑÎ8/8-00, ÌÃÒÑÎ8/8-50, ÌÃÒÑÎ8/8-30 Управление с опторазвязкой без контроля перехода коммутируемого напряжения через ноль Управление с опторазвязкой и контролем перехода коммутируемого напряжения через ноль. VS, VS - элементы тиристорные VS, VS - элементы тиристорные ÌÃÒÑÎ8/-00, ÌÃÒÑÎ8/-50, ÌÃÒÑÎ8/-30 VS, VS - элементы тиристорные 3

4 Ñèëîâûå ïîëóïðîâîäíèêîâûå ìîäóëè

5 5

6 Ñèëîâûå ïîëóïðîâîäíèêîâûå ìîäóëè Указания по эксплуатации Включение модулей производят от источника постоянного тока управления. Для работы модули должны устанавливаться на рекомендуемые охладители в соответствии с таблицей, приведенной ниже, или на любые поверхности устройств, способные обеспечивать оптимальный тепловой режим. Модули Рекомендуемые охладители Площадь поверхности Охладители по ТУ У охладителя, см МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60 ОР ОР МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, ОР МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50, МГТСО8/-30 ОР Крутящий момент, прикладываемый к крепежному винту (М5), при монтаже модуля на охладитель 5,0±0,5 Нм. Растягивающая сила для управляющих выводов модуля 0,0± Н, крутящий момент, прикладываемый к винту, при подключении основных выводов в схему,0±0, Нм. При подключении управляющих выводов рекомендуется использовать розетки с размером гнезда,8х0,8 по ГОСТ

7 Параметры закрытого состояния Параметр Значение параметра Буквенное обозначение Наименование, единица измерения МГТСО4/6-00 МГТСО4/6-5 МГТСО4/6-60 МГТСО4/8-00 МГТСО4/8-5 МГТСО4/8-60 МГТСО8/6-00 МГТСО8/6-50 МГТСО8/6-30 МГТСО8/-00 МГТСО8/-50 МГТСО8/-30 МГТСО8/8-00 МГТСО8/8-50 МГТСО8/8-30 Условия установления норм на параметры U DSМ Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов: Т jm =0 C. Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 0 мс в каждом направлении. Цепь управления разомкнута U DRМ Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов: Т jm =0 C. Напряжение синусоидальное, частотой 50 Гц. U DWМ Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В 0,8U DRМ U D Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В 0,6U DRМ Т c =70 C (du D /dt) com Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее для группы: * * Т c =85 C, I T =I TRMSM, t i =0 мс, U D =0,67U DRM, t u min =50 мкс. Импульсы источника управления: форма - произвольная, U G =.5 В (при подключенном модуле), t G = мс, сопротивление цепи управления не более 50 Ом. I DRM Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, ма, не более 0 Т jm =5 C Цепь управления разомкнута Т jm =0 C Цепь управления разомкнута * только для МГТСО8/

8 Буквенное обозначение Параметр Наименование, единица измерения МГТСО4/6-00 МГТСО4/8-00 Параметры открытого состояния МГТСО4/6-5 МГТСО4/8-5 Значение параметра МГТСО4/6-60 МГТСО4/8-60 МГТСО8/6-00 МГТСО8/8-00 МГТСО8/-00 МГТСО8/6-50 МГТСО8/8-50 МГТСО8/-50 МГТСО8/6-30 МГТСО8/8-30 МГТСО8/-30 Условия установления норм на параметры I TRMSM Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А Т с =70 C, импульсы тока синусоидальные частотой 50 Гц, угол проводимости 360 град. эл Т j =5 C Т jm =0 C, I TSM Ударный ток в открытом состоянии, ка импульс тока синусоидальный одиночный длительностью не более 0 мс, U R =0, I G =I GT при Т jmin. U TM Импульсное напряжение в открытом состоянии, B, не более Т j =5 C, - I T =.4I TRMSM U T(TO) r T I TRMS Пороговое напряжение в открытом состоянии, B, не более Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мом, не более Максимально допустимый действующий ток модуля в открытом состоянии при T а =40 C, А Т jm =0 C Т jm =0 C охладитель ОР охладитель ОР охлаждение: естественное охладитель ОР344-0 охладитель ОР принудительное v=6 м/с естественное принудительное v=6 м/с

9 Параметры управления Параметр Значение параметра Буквенное обозначение Наименование, единица измерения МГТСО4/6-00 МГТСО4/6-5 МГТСО4/6-60 МГТСО4/8-00 МГТСО4/8-5 МГТСО4/8-60 МГТСО8/6-00 МГТСО8/6-50 МГТСО8/6-30 МГТСО8/8-00 МГТСО8/8-50 МГТСО8/8-30 МГТСО8/-00 МГТСО8/-50 МГТСО8/-30 Условия установления норм на параметры I GT I GTmax U G Отпирающий постоянный ток управления, ма, не более Максимально допустимый постоянный ток управления, ма, не более Прямое падение напряжения на управляющей цепи, В, не более 0 Т j =5 C 4 30 Т j =5 C, t G = 30 мс.5 5 Т j =5 C, I G =0 ма Т jmin =-40 C Т jmin =-40 C, U D =00 В, частота напряжения в закрытом состоянии 50 Гц, I T =0.6, t G мс U GD I GD Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее Неотпирающий постоянный ток управления, ма, не менее Т jm =0 C, U D =0,67U DRM Напряжение источника управления - постоянное U FT Напряжение включения по основной цепи *, В, не более 0 Т j =5 C. Импульсный ток управления - 0 ма, U INT Напряжение запрета по основной цепи ** (для МГТСО4/8, МГТСО8/8), В, не более 50 - частотой.5 Гц, скважностью. * Напряжение включения по основной цепи - мгновенное значение синусоидального напряжения, необходимое для перехода модуля в проводящее состояние при отпирающем токе (отпирающем напряжении) в цепи управления ** Напряжение запрета по основной цепи - мгновенное значение синусоидального напряжения, выше которого модуль не переходит в проводящее состояние при подаче отпирающего тока (отпирающего напряжения) в цепь управления в этот момент Параметры переключения Буквенное обозначение Параметр Наименование, единица измерения Значение параметра МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50, МГТСО8/-30 Условия установления норм на параметры t gt Время включения, мкс, не более 0 U D =00 B, I T =I TRMSM. Режим по выводу управляющего электрода: форма - трапецеидальная, I FGM =0 м, длительность фронта не более 0,5 мкс, t G =00 мкс, сопротивление источника управления не более 50 Ом.

10 Буквенное обозначение T jm T jmin T stgm T stgm R thjc R thch R thjа Параметр Наименование, единица измерения Максимально допустимая температура перехода, C Минимально допустимая температура перехода, C Максимально допустимая температура хранения, C Минимально допустимая температура хранения, C Тепловое сопротивление переход-корпус модуля, C/Вт, не более Тепловое сопротивление переход-корпус (одного тиристорного элемента), C/Вт, не более Тепловое сопротивление корпусохладитель, C/Вт, не более Тепловое сопротивление переход-среда, C/Вт, не более МГТСО4/6-00 МГТСО4/8-00 МГТСО4/6-5 МГТСО4/8-5 Тепловые параметры Значение параметра МГТСО4/6-60 МГТСО4/ минус минус 40 МГТСО8/6-00 МГТСО8/8-00 МГТСО8/-00 МГТСО8/6-50 МГТСО8/8-50 МГТСО8/-50 МГТСО8/6-30 МГТСО8/8-30 МГТСО8/ Условия установления норм на параметры Постоянный ток охладитель ОР охладитель ОР охлаждение: естественное охладитель ОР344-0 охладитель ОР принудительное v=6 м/с естественное принудительное v=6 м/с

11 Параметры изоляции Параметр Значение параметра Буквенное обозначение Наименование, единица измерения Класс модуля МГТСО4/6-00 МГТСО4/6-5 МГТСО4/6-60 МГТСО4/8-00 МГТСО4/8-5 МГТСО4/8-60 МГТСО8/6-00 МГТСО8/6-50 МГТСО8/6-30 МГТСО8/-00 МГТСО8/-50 МГТСО8/-30 МГТСО8/8-00 МГТСО8/8-50 МГТСО8/8-30 Условия установления норм на параметры U isol Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, В (действующее значение) Нормальные климатические условия. Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания мин. Повышенная влажность (>80%). Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания мин. R isol Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием модуля и его выводами, MОм, не менее Нормальные климатические условия. Напряжение 000 В, время испытания не менее 0 с. Повышенная влажность (>80%). Напряжение 000 В, время испытания не менее 0 с. U IG Электрическая прочность изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, В (действующее значение) Нормальные климатические условия. 500 Повышенная влажность (>80%). R IG Сопротивление изоляции между основными выводами и управляющими выводами модуля, МОм, не менее Нормальные климатические условия. Напряжение 000 В, время испытания не менее 0 с. Повышенная влажность (>80%). Напряжение 000 В, время испытания не менее 0 с. i T, МГТСО4/6-00 МГТСО4/8-00 i T, МГТСО4/6-5 МГТСО4/8-5 i T, МГТСО4/6-60 МГТСО4/8-60 U T, B U T, B U T, B i T, МГТСО8/6-00 МГТСО8/8-00 МГТСО8/-00 i T, МГТСО8/6-50 МГТСО8/8-50 МГТСО8/-50 i T, МГТСО8/6-30 МГТСО8/8-30 МГТСО8/-30 U T, B U T, B U T, B Рисунок : Предельные вольтамперные характеристики при максимально допустимой температуре перехода Т jm () и температуре Т j =5 C (), I T =,4 I TRMSM.

12 МГТСО4/6-00, МГТСО4/8-00 МГТСО4/6-5, МГТСО4/8-5 МГТСО4/6-60, МГТСО4/ º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º T c, ºC T c, ºC T c, ºC МГТСО8/6-00, МГТСО8/8-00, МГТСО8/-00 МГТСО8/6-50, МГТСО8/8-50, МГТСО8/-50 МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-30 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º T c, ºC T c, ºC T c, ºC Рисунок : Зависимость допустимого действующего тока в открытом состоянии I TRMS синусоидальной формы частотой 50 Гц при различных углах проводимости от температуры корпуса Т c. МГТСО4/6-00, МГТСО4/8-00 МГТСО4/6-5, МГТСО4/8-5 МГТСО4/6-60, МГТСО4/ º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º T a, ºC T a, ºC T a, ºC МГТСО8/6-00, МГТСО8/8-00, МГТСО8/-00 МГТСО8/6-50, МГТСО8/8-50, МГТСО8/-50 МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-30 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º T a, ºC T a, ºC T a, ºC Рисунок 3: Зависимость допустимого действующего тока в открытом состоянии I TRMS синусоидальной формы частотой 50 Гц при различных углах проводимости от температуры окружающей среды Т a при естественном охлаждении МГТСО4 на ОР и МГТСО8 на ОР

13 P T(V), Вт МГТСО4/6-00 МГТСО4/8-00 P T(V), Вт МГТСО4/6-5 МГТСО4/8-5 P T(V), Вт МГТСО4/6-60 МГТСО4/ º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º P T(V), Вт МГТСО8/6-00 МГТСО8/8-00 МГТСО8/-00 P T(V), Вт МГТСО8/6-50 МГТСО8/8-50 МГТСО8/-50 P T(V), Вт МГТСО8/6-30 МГТСО8/8-30 МГТСО8/-30 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º Рисунок 4: Зависимость средней мощности потерь P T(V) от действующего значения тока I TRMS в открытом состоянии синусоидальной формы частотой 50 Гц при различных углах проводимости. I TSM, ка МГТСО4/6-00 МГТСО4/8-00 I TSM, ка МГТСО4/6-5 МГТСО4/8-5 I TSM, ка МГТСО4/6-60 МГТСО4/8-60 I TSM, ка МГТСО8/6-00 МГТСО8/8-00 МГТСО8/-00 I TSM, ка МГТСО8/6-50 МГТСО8/8-50 МГТСО8/-50 I TSM, ка МГТСО8/6-30 МГТСО8/8-30 МГТСО8/-30 Рисунок 5: Зависимость допустимой амплитуды ударного тока в открытом состоянии I TSM от длительности импульса тока t i при исходной температуре структуры T j =5 C () и максимально допустимой температуре перехода T jm ().

14 I²t, А²c МГТСО4/6-00 МГТСО4/8-00 I²t, А²c МГТСО4/6-5 МГТСО4/8-5 I²t, А²c МГТСО4/6-60 МГТСО4/8-60 I²t, А²c МГТСО8/6-00 МГТСО8/8-00 МГТСО8/-00 I²t, А²c МГТСО8/6-50 МГТСО8/8-50 МГТСО8/-50 I²t, А²c МГТСО8/6-30 МГТСО8/8-30 МГТСО8/-30 Рисунок 6: Зависимость защитного показателя I²t от длительности импульса тока t i при исходной температуре структуры T j =5 C () и максимально допустимой температуре перехода T jm ().


ТРИАКИ ТС , ТС , ТС , ТС

ТРИАКИ ТС , ТС , ТС , ТС ТРИАКИ ТС6-60, ТС6-00, ТС7-50, ТС7-30 Триаки предназначены для работы в бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуре в цепях переменного тока частотой до 500 Гц. Конструкция триаков штыревая

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25 ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-6,3, ÒÑ5-0, ÒÑ5-6, ÒÑ5-5 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òðèàêè ÒÑ5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00, МДT0/3-00, МTД0/3-00, МТТ0/4-00, МТТ0/5-00, МTT0/3-50, МДT0/3-50, МTД0/3-50, МТТ0/4-50, МТТ0/5-50, МTT0/3-30, МДT0/3-30,

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00 МДT0/3-00 МTД0/3-00 МТТ0/4-00 МТТ0/5-00 МTT0/3-50 МДT0/3-50 МTД0/3-50 МТТ0/4-50 МТТ0/5-50 МTT0/3-30 МДT0/3-30 МTД0/3-30

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ , ТБ , ТБ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ , ТБ , ТБ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ,, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ33-50, ТБ33-30, ТБ33-400, ТБ43-400, ТБ43-500, ТБ43-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ142-50, ТБ142-63, ТБ152-80, ТБ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ142-50, ТБ142-63, ТБ152-80, ТБ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ,,, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-00, ÒÑ5-5, ÒÑ5-60 Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ m, m - êîíòðîëüíûå òî êè èçìåðåíèÿ èìïóëüñíîãî íàïðÿæåíèÿ â îòêðûòîì ñîñòîÿíèè; m - â îäíîé èç äâóõ òî åê; L =,0 ìì - ìèíèìàëüíîå

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk7@tut.by Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk7@tut.by ТИРИСТОРЫ

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÒÒ6/3-60, ÌÒÄ6/3-60, ÌÄÒ6/3-60,

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16 ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò5-6,3, Ò5-0, Ò5-6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò65-50, Ò65-63, Ò65-80, Ò65-00 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò65 âûïóñêàþò íà òîêè 50, 63, 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 00 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ.

Подробнее

Модули тиристорные и комбинированные

Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/3-1, МДT13/3-1, МTД13/3-1, МТТ13/4-1,, МT17/1-1 (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) состоят из силовых полупроводниковых элементов: тиристоров,

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25 ФОТОТИРИСТОРЫ Фототиристор, содержащий полупроводниковый элемент ТО3-5, предназначен для работы в схемах дуговой защиты контактно - распределительных устройств (КРУ) и других устройствах электротехнического

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T383 T683 T83300 T583300 Ò830 Òèðèñòîðû òàáëåòî íîé êîíñòðóêöèè Êîíñòðóêöèÿ òèðèñòîðîâ Вывод анода 3.5 х min отв. Вывод управляющего электрода Дополнительный вывод катода L= ìì ðàññòîÿíèå ïî

Подробнее

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС4/4, МТСТС4/5, МПТСТС4/5

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС4/4, МТСТС4/5, МПТСТС4/5 МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС/, МТСТС/5, МПТСТС/5 Общие сведения Модули симисторные состоят из двух силовых полупроводниковых элементов тиристорных симметричных (триаков) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным

Подробнее

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО2/10

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО2/10 МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО/0 Общèå ñâåäåíèÿ Модули полупроводниковые силовые с мостовой схемой МО/0 с беспотенциальным основанием, состоят из силовых полупроводниковых

Подробнее

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М02/13

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М02/13 МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М0/3 Общие сведения Модули полупроводниковые силовые с мостовой схемой М0/3 с беспотенциальным основанием, состоят из силовых полупроводниковых

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» тиристорные тиристорные и МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363, МTД13/363, МТТ13/463, МТТ13/563, МT17/163, МTT13/38, МДT13/38, МTД13/38, МТТ13/48, МТТ13/58, МT17/18 тиристорные и (в

Подробнее

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь»

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь» МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT2/30, МДT2/30, МTД2/30, МТТ2/40, МТТ2/50, МTT2/3630, МДT2/3630, МTД2/3630, МТТ2/4630, МТТ2/5630, МTT2/3800, МДT2/3800, МTД2/3800, МТТ2/4800, МТТ2/5800 (в пластмассовом

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» Модули Модули тиристорные тиристорные и Беларусь г.минск тел./факс 8(17)25646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363,

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25 модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk7@tut.by tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT12/3500, МДT12/3500, МTД12/3500, МТТ12/4500, МТТ12/5500, МTT12/3630, МДT12/3630, МTД12/3630, МТТ12/4630, МТТ12/5630, МTT12/3800, МДT12/3800, МTД12/3800, МТТ12/4800,

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-6 ДЧ-6Х, ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-5, ДЧ-5Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» Беларусь г.минск тел./факс 8(017)5646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT14/3400, МДT14/3400, МTД14/3400, МTT14/30, МДT14/30,

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х,

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х, ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå (ÌÒÎÒÎ) ñîñòîÿò èç äâóõ îïòîòèðèñòîðíûõ ýëåìåíòîâ ñî âñòðå íî-ïàðàëëåëüíîé ñõåìîé ñîåäèíåíèÿ â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì

Подробнее

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД13/3-1000, МДД13/4-1000, МДД13/5-1000, МДД13/3-1250, МДД13/4-1250, МДД13/5-1250, МД17/1-1000, МД17/1-1250

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД13/3-1000, МДД13/4-1000, МДД13/5-1000, МДД13/3-1250, МДД13/4-1250, МДД13/5-1250, МД17/1-1000, МД17/1-1250 МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД3/3, МДД3/4, МДД3/5, МДД3/325, МДД3/425, МДД3/525, МД7/, МД7/25 Модули диодные (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) собраны по схемам, указанным ниже. Модули предназначены

Подробнее

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ3350, ДЧ3330,, ДЧ43500, ДЧ43800 Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока и применяются в различных

Подробнее

ДИОДЫ ДЛ ДЛ

ДИОДЫ ДЛ ДЛ ДИОДЫ ДЛ563300 ДЛ573300 ДЛ5734000 ДЛ5735000 Общие сведения Назначение и область применения Диоды ДЛ563, ДЛ573 выпускают на токи от 300 до 5000 А таблеточного исполнения с повышенной термодинамической устойчивостью.

Подробнее

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДЧЛ , ДЧЛ , ДЧЛ

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДЧЛ , ДЧЛ , ДЧЛ ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока и применяются в различных преобразователях электроэнергии.

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß

ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß Ìîäóëè äèîäíûå áûñòðîâîññòàíàâëèâàþùèåñÿ (ÌÄ Ä ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè àñòîòíûõ äèîäîâ. Ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÄ Ä 8/300, ÌÄ Ä 8/35,

Подробнее

Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå. Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé:

Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå. Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé: Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé: ÌÄÄ6/3-60, ÌÄÄ6/3-00, ÌÄÄ6/3-50 ÌÄÄ8/3-5, ÌÄÄ8/3-60, ÌÄÄ8/3-00

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä165-80, Ä , ÄË165-80, ÄË

ÄÈÎÄÛ Ä165-80, Ä , ÄË165-80, ÄË ÄÈÎÄÛ Ä6580, Ä6500, ÄË6580, ÄË6500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä65, ÄË65 âûïóñêàþò íà òîêè 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 400 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Äèîäû

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä ÄÈÎÄÛ Ä350, Ä330 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê. Óñëîâèÿ ýêñïëóàòàöèè

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ ÄÈÎÄÛ Ä730, Ä7400, Ä7400Õ, Ä7500, Ä7500Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË6-00, ÄË6-50, ÄË7-30, ÄË7-400 Äèîäû ëàâèííûå íèçêî àñòîòíûå ñ ãèáêèì âûâîäîì ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â âûïðÿìèòåëüíûõ óñòðîéñòâàõ, èñòî íèêàõ ïèòàíèÿ è óñòðîéñòâàõ çàùèòû îò ïåðåíàïðÿæåíèé.

Подробнее

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД14/3-500, МДД14/3-630, МД16/1-500, МД16/1-630

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД14/3-500, МДД14/3-630, МД16/1-500, МД16/1-630 МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД4/35, МДД4/363, МД6/5, МД6/63 (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) собраны по схемам, указанным ниже. Модули предназначены для работы в цепях постоянного и переменного

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä ÄÈÎÄÛ Ä33630, Ä33800, Ä33000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä33 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê. Óñëîâèÿ

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 80 А (T C = 87 C) I TSM = 1,6 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание прижимная

Подробнее

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ V DRM = 2400-3400 В I T(AV) = 815 А (T C = 85 C) I T(AV) = 1030 А (T C = 70 C) I TSM = 16 кa (T j = 125 C) АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР низкие времена выключения разветвлённый управляющий электрод с усилением

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË5350, ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53, ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Ä3500, Ä33600, Ä43000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3500, Ä33600, Ä43000 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции ÄË330, ÄË33500, ÄË43800 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË330, ÄË33500, ÄË43800 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî

Подробнее

ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) ТБИ V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 2,5 ка

ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) ТБИ V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 2,5 ка ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) V DRM /V RRM = 600-1200 В I T(AV) = 105 А (T C = 85 C) I T(AV) = 130 А (T C = 70 C) I TSM = 2,5 кa (T j = 125 C) внутреннее усиление сигнала управления

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê.

Подробнее

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80 Предлагаем ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ РАЗЪЕМЫ (радиодетали) МТТ80 МТД80 МДТ80 СО СКЛАДА И ПОД ЗАКАЗ Беларусь г.минск тел./факс 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by Техническая информация

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 300-1800 В I T(AV) = 100 А (T C = 85 C) I TSM = 2 кa (T j = 140 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ герметичный металлокерамический корпус низкие потери в открытом состоянии МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250 М О Д У Л И Т И Р И С Т О Р Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 250 А (T C = 85 C) I TSM = 8 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 600 А (T C = 85 C) I T(AV) = 750 А (T C = 70 C) I TSM = 11 кa (T j = 125 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ внутреннее усиление сигнала управления минимальные потери в открытом

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk7@tut.by tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс V DRM /V RRM = 400-1000 В I T(AV) = 165 А (T C = 85 C) I TSM = 3,5 кa (T j = 125 C) фланцевая конструкция корпуса ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ допускают эксплуатацию в условиях центробежных и тангенциальных ускорений

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ273-2000-20

Подробнее

ÄÈÎÄÛ. Ðåêîìåíäóåìûå îõëàäèòåëè. Охладители по ТУ У ОР

ÄÈÎÄÛ. Ðåêîìåíäóåìûå îõëàäèòåëè. Охладители по ТУ У ОР ÄÈÎÄÛ Ä6-00, Ä6-00Õ, Ä6-50, Ä6-50Õ, Ä6-30, Ä6-30Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

Силовые полупроводниковые модули. Общие сведения. Назначение и область применения

Силовые полупроводниковые модули. Общие сведения. Назначение и область применения Общие сведения Назначение и область применения Модули представляют собой два полупроводниковых элемента, соединенных последовательно с выводом средней точки, в одном корпусе. В зависимости от набора составляющих

Подробнее

МОДУЛИ СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТИПОВ: МДТО-100 МТОД-100 МТОД-125 МДТО-125 МДТО-160 МТОД-160

МОДУЛИ СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТИПОВ: МДТО-100 МТОД-100 МТОД-125 МДТО-125 МДТО-160 МТОД-160 МОДУЛИ СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТИПОВ: 100 МТТЗ-100 100 100 100 100 100 125 МТТЗ-125 125 125 125 125 125 МТТЗ- Паспорт 1. Основные технические данные и характеристики 1.1 Структура условного обозначения

Подробнее

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80 М О Д У Л И Д И О Д Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V RRM = 400-1600 В I F(AV) = 80 А (T C = 100 C) I FSM = 2 кa (T j = 140 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ773-2000-25

Подробнее

Двухпозиционный Диодный Модуль МДx F

Двухпозиционный Диодный Модуль МДx F Все размеры в миллиметрах (дюймах) ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Изолированное основание Корпус промышленного стандарта Упрощенная механическая конструкция, быстрая сборка Прижимная конструкция Двухпозиционный Диодный

Подробнее

ТД320А, ТД320Б. Ударный ток при tимп = 10 мс при температуре структуры +125 С. i 2 dt при tимп = 10 мс. ТД320А А 2 *с ТД320Б А 2 *с

ТД320А, ТД320Б. Ударный ток при tимп = 10 мс при температуре структуры +125 С. i 2 dt при tимп = 10 мс. ТД320А А 2 *с ТД320Б А 2 *с , Тиристоры серии ТД (ТУ 1.6.529.420-71, информационный материал 05.04.15-73) предназначены для работы на частоте до 500 Гц и характеризуются как тиристоры с повышенными динамическими параметрами, т.е.

Подробнее

ДЛ ЛАВИННЫЙ ДИОД МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ. V RRM = В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C)

ДЛ ЛАВИННЫЙ ДИОД МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ. V RRM = В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C) ЛАВИННЫЙ ДИОД V RRM = 1600-2000 В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C) минимальные потери пригодны для последовательного и параллельного соединения (малый разброс Q rr, V FM, I RRM

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ Технические данные СПМ включают сведения о выпускаемых предприятием модулях и схемах их соединений. Технические данные модулей распределены по следующим основным группам:

Подробнее

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор Назначение Тиристоры КУ405А (8А, 600В) и КУ405Б (8А, 800В) кремниевые триодные, не проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду. Предназначены

Подробнее

Реле РЭС49. электрических цепей постоянного и переменного тока. Реле РЭС49 соответствует ГОСТ и техническим условиям РС ТУ.

Реле РЭС49. электрических цепей постоянного и переменного тока. Реле РЭС49 соответствует ГОСТ и техническим условиям РС ТУ. Реле РЭС Реле РЭС герметичное, двухпозиционное, одностабильное, с одним переключающим контактом, питаемое постоянным током, предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока.

Подробнее

РЕЛЕ РЭН18. Реле РЭН18 соответствует требованиям ГОСТ и техническим условиям РА ТУ.

РЕЛЕ РЭН18. Реле РЭН18 соответствует требованиям ГОСТ и техническим условиям РА ТУ. * При атмосферном давлении от 13 10 7 или 130 В переменного тока. до 666 Па напряжение на разомкнутых контактах более 170 В постоянного тока ** Обмотки реле и нагрузок шунтированы диодами. РЕЛЕ РЭН18 Реле

Подробнее

ЭЛЕКТРУМ АВ. Паспорт

ЭЛЕКТРУМ АВ. Паспорт ЭЛЕКТРУМ А Паспорт стречно-параллельные тиристоры По вопросам продаж и поддержки обращайтесь: Архангельск (882)-90-2 Астана +(2)2-2 Белгород (22)0-2- Брянск (82)9-0-2 ладивосток (2)29-28- олгоград (8)28-0-8

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ Т. транспорт мощные высоковольтные электропривода, работающие в циклическом режиме

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ Т. транспорт мощные высоковольтные электропривода, работающие в циклическом режиме СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенный быстродействующий диод обратного тока повышенная устойчивость к температурным циклам (не менее 100 000 циклов при T j = 70 C) корпус повышенной прочности с изолированным

Подробнее

Реле РЭС90, РЭС90-1 ЯЛ ТУ

Реле РЭС90, РЭС90-1 ЯЛ ТУ Реле РЭС90, РЭС90- ЯЛ0..0ТУ Электромагнитные низкочастотные неполяризованные одностабильные, управляемые постоянным током, с двумя переключающими контактами. Предназначены для коммутации электрических

Подробнее

РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т

РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т ОКП 66 7111 2700 Реле открытое РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т Реле в кожухе Реле МКУ 48 С, МКУ 48 Т слаботочное электромагнитное с замыкающими, размыкающими и переключающими контактами предназначено

Подробнее

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80 ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС-132-63, ТС142-80 Симметричные тиристоры (симисторы) изготовлены на основе пятислойной кремниевой

Подробнее

Резисторы постоянные непроволочные металлопленочные Р1-2Р

Резисторы постоянные непроволочные металлопленочные Р1-2Р Резисторы постоянные непроволочные металлопленочные Р1-2Р Резисторы металлопленочные типа Р1-2Р предназначены для работы в цепях постоянного, переменного токов и в импульсных режимах. Резисторы изготавливаются

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30017К одиночный ключ, на основе IGBTкристаллов с вертикальным каналом (Trench Gate технология) встроенный быстродействующий диод обратного тока корпус с изолированным основанием

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. Технические условия ОЖО ТУ.

Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. Технические условия ОЖО ТУ. Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. 1 Технические условия ОЖО.467.563 ТУ. 1 Основные параметры Постоянные прецизионные защищенные изолированные металлофольговые резисторы Р2-67 предназначены для

Подробнее

Выключатели и переключатели кнопочные ВК43 и ВК44. Основные параметры и характеристики

Выключатели и переключатели кнопочные ВК43 и ВК44. Основные параметры и характеристики 105187, г. Москва, Измайловское шоссе, д. 73 Б, офис 15 http:// E-mail: info@rele.ru (495) 921-22-62 Выключатели и переключатели кнопочные ВК43 и ВК44 Выключатели кнопочные серии ВК43 и переключатели кнопочные

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ МДТКИ60017 одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин) встроенный быстродействующий

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ5006 С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin О С Н О В Н Ы Е

Подробнее

elektroservice.com.ua

elektroservice.com.ua Реле открытое РЕЛЕ МКУ 48 Реле в кожухе Реле МКУ 48-С, МКУ 48-Т слаботочное электромагнитное с замыкающими, размыкающими и переключающими контактами предназначено для коммутации электрических цепей постоянного

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ М2ТКИ220017 СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Подробнее

WZTT85N18-20KOF МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ

WZTT85N18-20KOF МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ WZTT85N18-20KOF МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ Особенности Высокая энерготермоциклостойкость Увеличение возможностей циркулирующего мощности Экономить пространство и вес Применения Электрический привод Разные выпрямители

Подробнее

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ ДИОДЫ СВЧ 2А542А1 Диоды 2А542А1 полупроводниковые СВЧ, кремниевые эпитаксиальные переключательные в металлокерамическом корпусе предназначены для работы в коммутационных устройствах СВЧ диапазона волн

Подробнее

Реле электромагнитные серии МКУ48-С

Реле электромагнитные серии МКУ48-С Реле электромагнитные серии МКУ48-С Е01000137 Слаботочные электромагнитные реле МКУ48-С предназначены для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой 50 Гц. Классификация Реле

Подробнее

Буквенные обозначения параметров тиристоров

Буквенные обозначения параметров тиристоров Согласно ГОСТ 15133-77 переключательные полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми состояниями, имеющими три или более р-п переходов, объединяются под общим названием тиристоры. Тиристоры работают как

Подробнее

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80 модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk17@tut.by tel.+375 29 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

СОЕДИНИТЕЛИ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ КОМБИНИРОВАННЫЕ ОКП

СОЕДИНИТЕЛИ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ КОМБИНИРОВАННЫЕ ОКП СОЕДИНИТЕЛИ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ КОМБИНИРОВАННЫЕ ОКП ОКП 63 1591 0000 ОКП-ВС-1 - cоединители электрические низкочастотные комбинированные прямоугольные для внутриблочного объемного и печатного монтажа предназначены

Подробнее

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin эффективное значение напряжения пробоя

Подробнее

Резисторы постоянные непроволочные металлопленочные С2-33м

Резисторы постоянные непроволочные металлопленочные С2-33м Резисторы постоянные непроволочные металлопленочные С2-33м Постоянные непроволочные резисторы типа C2-33м предназначены для работы в цепях постоянного, переменного токов и в импульсных режимах. Изготавливается

Подробнее

WZDT131N12-16KOF МОДУЛИДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ

WZDT131N12-16KOF МОДУЛИДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ WZDT131N12-16KOF МОДУЛИДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ Особенности Высокая энерготермоциклостойкость Увеличение возможностей циркулирующего мощности Экономить пространство и вес Применения Электрический привод Разные

Подробнее

РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т ОКП

РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т ОКП РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т ОКП 66 7111 2700 Реле открытое Реле в кожухе Реле МКУ 48-С, МКУ 48-Т слаботочное электромагнитное с замыкающими, размыкающими и переключающими контактами предназначено

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12Ч

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12Ч С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь М2ТКИ5012Ч I IGBT модуули www.elvpr.ru полумост корпус с изолированным основанием низкое значение энергий коммутационных потерь при включении E on и выключении E off оптимальные

Подробнее