ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN"

Транскрипт

1 ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN А.А. Попов Научный руководитель Т.И. Данилина профессор каф. ФЭ г. Томск ТУСУР Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Кафедра физической электроники Аннотация: в работе представлено описание моделей используемых при моделировании характеристик полупроводниковых светодиодов в приборно-технологическом комплексе Silvaco TCAD а также приведены результаты моделирования полупроводникового светодиода на GaN при изменении толщины квантовых ям в гетероструктуре светодиода. Ключевые слова: светодиод гетероструктура ВАХ оптическая мощность спектр излучения поляризация. В настоящее время практически все полупроводниковые светоизлучающие диоды на основе GaN изготавливаются на основе гетероструктур. Создание качественной гетероструктуры позволяющей получить светодиод с требуемыми характеристиками является одной из основных задач при проектировании данного прибора. Поскольку эксперименты по улучшению качества светодиодов требуют больших трудозатрат и времени связанных со сложностью технологических операций в процессе изготовления приборов перспективным направлением в данной отрасли является приборное моделирование позволяющее не только сократить затраты на производство но и разрабатывать новые технологические решения для повышения эффективности светодиодов. Приборно-технологический комплекс Silvaco TCAD включает в себя модуль Atlas позволяющий моделировать полупроводниковые приборы в том числе и светоизлучающие диоды [1]. Начальным этапом моделирования светодиода является определение состава гетероструктуры. В качестве образца использовалась гетероструктура GaN светодиода УФ диапазона с четырьмя квантовыми ямами (GaN/Al GaN) показанная на рисунке 1. анод GaN N e cm d m Al GaN N e cm d m Al GaN N e cm d m x( GaN / Al GaN) d m d 7 m GaN AlGaN Al GaN N e cm d m катод GaN N e cm d m Al O d 300 m 2 3 Рисунок 1 Структура СД на гетероструктуре GaN

2 2 В процессе определения структуры указываются концентрации легирующих примесей толщины слоев время жизни носителей ( ) для используемых механизмов рекомбинации и подвижность носителей для каждого материала положения электродов прибора. Время жизни и подвижность для материалов использующихся в данной гетероструктуре указаны в таблице 1. Материал GaN AlGaN Таблица 1 Параметры материалов Время жизни носителей Оже-рекомбинация Рекомбинация Шокли-Рида-Холла c c c c Подвижность носителей 2 см Вс Принцип работы полупроводниковых СД основан на явлении инжекционной электролюминесценции возникающей в результате рекомбинации электронно-дырочных пар [2]. В структурах СД преобладает излучательная рекомбинация сопровождающаяся образованием кванта света. Вольтамперная характеристика (ВАХ) СД является основной характеристикой отражающей электрические свойства данного прибора. По наклону участка кривой ВАХ определяется влияние последовательных и параллельных паразитных сопротивлений. Характерной точкой ВАХ является пороговое напряжение напряжение при котором происходит резкое увеличение тока и включение светодиода. Зависимость интенсивности излучения от тока инжекции позволяет определить ток при котором активная область полностью заполняется носителями. На интенсивность излучения светодиодов влияет плотность инжекционного тока. Для расчета ВАХ и зависимости оптической мощности от инжекционного тока в модуле Atlas используется команда SOLVE INIT производящая расчет светодиода без использования дополнительных моделей рекомбинации. В процессе моделирования СД изменялась толщина квантовых ям. Зависимость оптической мощности от тока инжекции и ВАХ светодиода полученные в результате моделирования представлены на рисунке 2(аб). 2 см В с а б Рисунок 2 Результаты моделирования: а ВАХ светодиода б зависимость оптической мощности от тока инжекции

3 3 Из рисунка 2а видно что пороговое напряжение для данного светодиода составляет 3.5 В. При уменьшении толщины квантовых ям мощность оптического излучения уменьшается (рисунок 2б). Дальнейшее увеличение толщины квантовых ям приводит к ошибке расчета следовательно для данной структуры оптимальной является толщина квантовых ям в 4 нм. Спектр излучения СД позволяет определить длину волны или энергию при которой достигается максимальная интенсивность излучения прибора. Ширина спектральной линии определяется на уровне равном половине интенсивности в максимуме излучения. Для построения спектра излучения светодиода в модуле Atlas используются параметры QWELL и LED при описании каждого слоя являющегося квантовой ямой. Включение моделей приборно-технологического комплекса позволяющих рассчитать спектр излучения осуществляется командами CHUANG расчет скорости излучательной рекомбинации для материалов GaN/IN/AlN SPONTANEOUS учет спонтанной рекомбинации. Диапазон длин волн в котором будет отображен спектр излучения определяется параметрами LMIN и LMAX. Диапазон энергий задается параметрами EMIN и EMAX. Для определения количества точек по которым строится спектральная зависимость используется параметр NSAMP. В ходе работы исследовалось влияние толщины квантовых ям на спектр излучения. В процессе моделирования были получены спектры излучения для СД с толщиной квантовых ям равных 23 и 4 нм соответственно (рисунок 3). Рисунок 3 Спектр излучения СД Из рисунка 3 видно что при увеличении толщины квантовых ям спектр излучения смещается в сторону больших длин волн. В гетероструктурах на основе нитридов III группы при эпитаксиальном выращивании слоев на их границах возникает внутреннее электрическое поле которое может оказывать значительное влияние на эмиссионные характеристики светодиода. Это связано с тем что на каждой из двух поверхностей слоя нитрида в процессе выращивания формируются поляризационные заряды. Эти заряды могут возникать за счет как спонтанной поляризации так и пьезоэлектрической поляризации вследствие механических напряжений внутри материала. В модуле Atlas спонтанная поляризация представлена в виде поверхностных зарядов на верхнем и нижнем краях слоя материала. Значение заряда определяется параметром POLAR.SCALE. Для учета эффекта поляризации в слоях гетероструктуры используется параметр POLARIZATION при описании параметров соответствующего слоя. Для учета поляризации возникающей в результате пьезоэффекта необходимо использовать параметр

if ($this->show_pages_images && $page_num < DocShare_Docs::PAGES_IMAGES_LIMIT) { if (! $this->doc['images_node_id']) { continue; } // $snip = Library::get_smart_snippet($text, DocShare_Docs::CHARS_LIMIT_PAGE_IMAGE_TITLE); $snips = Library::get_text_chunks($text, 4); ?>

4 4 CALC.STRAIN. При применении данного параметра программа производит расчет механического напряжения из-за рассогласования решеток и определяет пьезоэлектрическую поляризацию. Для AlGaN значение параметра POLAR.SCALE = Плотность заряда на поверхности раздела слоев при данном значении этого параметра составляет порядка 1е13 Кл/см -2 и зависит от соотношения молярной концентрации в области квантовая яма/ барьерный слой. Программный модуль позволяет учитывать несколько видов рекомбинаций в процессе моделирования светодиода. Параметр AUGE включает модель Оже-рекомбинации а параметр COSHR рекомбинацию Шокли-Рида-Холла с учетом зависимости времени жизни от концентрации неравновесных носителей заряда. Модуль Atlas позволяет анализировать распределение концентраций носителей заряда на зонной диаграмме гетероструктуры в зависимости от поданного на прибор напряжения смещения. Команда EXTRACT производит расчет концентраций электронов и дырок как функцию напряжения и записывает полученные результаты в выходной файл. На рисунке 4 показаны зонные диаграммы с распределением носителей заряда для двух напряжений смещения светодиода: 3.5 и 5 В. Рисунок 4 Распределение носителей заряда: а при напряжении смещения 3.5В; б при напряжении смещения 5В Из рисунка 4 видно что при увеличении напряжения смещения уменьшается величина барьера и возрастает вероятность рекомбинации носителей. На зонной диаграмме четко отражено распределение носителей в квантовых ямах. Параметры PROBE.RADIATIVE PROBE.RECOMBINATION позволяют рассчитать скорость излучательной и полной рекомбинации соответственно. При использовании команды INTEGRATED вместе с данными параметрами скорость рекомбинации будет рассчитана для всех узлов решетки описанной в командном файле. В работе показано что моделирование светодиодов в программном модуле Atlas позволяет определять параметры влияющие на характеристики приборов. Установлено что ширина квантовых ям СД влияет на спектр и мощность излучения. Следовательно с помощью данного программного комплекса возможно проводить эксперименты по улучшению параметров светодиодов в том числе и путем интеграции технологического (Athea) и приборного модуля (Atlas).

5 5 Список использованных источников 1. Silvaco Ic. ATLAS User s Maual // 4701 Patrick Hery Drive Bldg. 2 October Sata Clara CA P. 2. Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. M.: ФИЗМАТЛИТ с.

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ В. В. Груздов Ю.В. Колковский Ю.А. Концевой КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ -1000 О 1000 2000 3000 Омега-2тета (угл. сек.) ТЕХНОСФЕРА СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ...10 ГЛАВА 1 ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ

Подробнее

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента.

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента. Цель работы: Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента 1 Изучить устройство и принцип действия солнечных элементов 2 Экспериментально построить вольтамперную и нагрузочную характеристики

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: а) ознакомление с явлениями фото- и электролюминесценции в полупроводниках; б) воздействие спектральных характеристик

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия

ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия CURRENT - VOLTAGE CHARACTERISTIC OF LEDS Cherepanov E.V.

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

На рисунке 5 показаны спектры возбуждения люминесценции люминофора ФЛЖ-7-11 при разной толщине слоя.

На рисунке 5 показаны спектры возбуждения люминесценции люминофора ФЛЖ-7-11 при разной толщине слоя. Исследование люминофорных покрытий для полупроводниковых источников света с целью повышения их эффективности. А.В. Белоножко, Р.А. Соколова, студенты каф. ФЭ Научный руководитель С.В. Смирнов, проф., д.т.н.

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта.

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Модульно учебные комплексы: 1. Модульный учебный

Подробнее

Гетеропереходы оксид p -InSe на ориентированной 110 подложке кристалла

Гетеропереходы оксид p -InSe на ориентированной 110 подложке кристалла 26 мая 06.1;06.2 Гетеропереходы оксид p-inse на ориентированной (110) подложке кристалла В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Т.В. Беца, В.М. Каминский, В.В. Нетяга Институт проблем материаловедения НАН Украины,

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

RU (11) (13) C1

RU (11) (13) C1 Стр. 1 из 6 РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 2407109 (13) C1 (51) МПК H01L33/04 (2010.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Подробнее

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ 1 УДК 621.382.22 НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ Сурин Б. П., Калабаев И. С. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева», г. Саранск Тел.:

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ Программа составлена на основе федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (уровень подготовки кадров высшей квалификации) по направлению подготовки 11.06.01 Электроника,

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ В.Ракитин, rakitin@niifp.ru Для уменьшения относительных размеров полупроводниковых приборов и снижения их напряжения питания используются

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 11.04.04 Электроника и

Подробнее

Представлены результаты разработки полупроводниковых

Представлены результаты разработки полупроводниковых лазеры и лазерные системы В.Дураев, А.Мармалюк, А.Петровский ЛАЗЕРЫ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР InGaAs/(Al)GaAs, ГЕНЕРИРУЮЩИЕ В ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН 1010 1080 нм Представлены результаты разработки полупроводниковых

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» Электро- и теплотехника Светотехника

Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» Электро- и теплотехника Светотехника Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» по направлению подготовки 13.06.01 Электро- и теплотехника (уровень подготовки кадров высшей квалификации)

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p структур в процессе формирования омических никелевых контактов

Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p структур в процессе формирования омических никелевых контактов 26 июня 06.1;06.2 Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p + n структур в процессе формирования омических никелевых контактов Н.В. Богач, В.Н. Литвиненко, И.Е. Марончук Харьковский

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

Введение в оптоэлектронику

Введение в оптоэлектронику ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» Физический факультет Кафедра

Подробнее

Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2

Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2 12 января 06.2;07 Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2 (λ = 4.3µm) А.С. Головин, А.П. Астахова, С.С. Кижаев, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, Ю.П. Яковлев Физико-технический

Подробнее

Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы

Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы В Андрей Туркин Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов

Подробнее

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

возможность продвижения в желтую область спектра. В связи с этим диссертационная работа Гронина С.В. является своевременной и актуальной.

возможность продвижения в желтую область спектра. В связи с этим диссертационная работа Гронина С.В. является своевременной и актуальной. Отзыв официального оппонента на диссертацию Гронина Сергея Вячеславовича «Низкопороговые лазерные гетероструктуры зеленого и желтого спектрального диапазона на основе квантовых точек CdSe/Zn(Cd)Se, выращенных

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники

Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники Д.Р. Хохлов, В.Ю.Тимошенко Физический факультет МГУ Подходы к созданию наноустройств Сверхрешетки Квантовые ямы Лазеры на гетеропереходах

Подробнее

Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом

Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом 26 мая 07.2;07.3;15 Экспресс-диагностика светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN фотоэлектрическим методом М.В. Барановский, Г.Ф. Глинский Санкт-Петербургский государственный электротехнический

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение 1 ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомление с явлением поглощения оптического излучения полупроводником, измерение спектров поглощения кристаллов CdS и GaAs при комнатной

Подробнее

Лабораторная работа 3

Лабораторная работа 3 Лабораторная работа 3 Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках Основные понятия Если в полупроводник каким-либо способом (облучение, инжекция) ввести

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ по дисциплине Источники и приемники излучения ФЭП. Методические указания к лабораторной работе

ИЗМЕРЕНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ по дисциплине Источники и приемники излучения ФЭП. Методические указания к лабораторной работе 621.383 (07) М 545 4036 УДК 621. 383. 933 (07, 07) Составители: В.М. Новиков, С.С. Шибаев МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Технологический институт

Подробнее

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя.

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя. Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного Задача: 1. Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного

Подробнее

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2 Задача 1 Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс Электрическая цепь, изображенная на рисунке, содержит идеальный источник тока с ЭДС = 60В. Сопротивления резисторов: R 1 = R 2 =

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА I.НЕОБХОДИМЫЕ СВЕДЕНИЯ Целью настоящего эксперимента является исследование основных характеристик солнечного элемента. Солнечный элемент поглощает электромагнитную

Подробнее

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон Содержание: 1. Происхождение энергетических зон в кристаллах 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон 4. Полупроводники с точки зрения зонной теории

Подробнее

МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ В САПР TCAD

МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ В САПР TCAD 1 УДК 621.3.049.77 МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ183-2000 В САПР TCAD Горячкин Юрий Викторович 1, Калюжная Евгения Сергеевна 2 1 ФГБОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.

Подробнее

Лабораторная работа 3.3

Лабораторная работа 3.3 Лабораторная работа 3.3 ИЗУЧЕНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И.Л. Дорошевич Цели работы: 1. Изучить основные закономерности внешнего фотоэффекта. 2. Построить вольт-амперные характеристики фотоэлемента при различных

Подробнее

Контрольная работа кг м

Контрольная работа кг м Контрольная работа 4 Вариант 0 1. Невозбужденный атом водорода поглощает квант излучения с длиной волны 97,2 нм. Вычислите, пользуясь теорией Бора, радиус электронной орбиты возбужденного атома водорода

Подробнее

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ Оптоэлектронным называют полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой,

Подробнее

Ослабление сигнала в волоконных световодах

Ослабление сигнала в волоконных световодах Лабораторная работа 4 Ослабление сигнала в волоконных световодах Цель работы определение зависимости оптических потерь от длины волоконного световода. Уменьшение потерь мощности оптического сигнала, передаваемого

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Работа 40 Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны может быть найдена с помощью измерений электропроводности или постоянной Холла в зависимости от температуры, а также

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛОВ Цель работы: изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода;

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛОВ Цель работы: изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛОВ Цель работы: изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока насыщения термоэмиссии

Подробнее

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный.

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. 1. Краткое теоретическое введение Различают три вида фотоэффекта:

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых диодов. Ознакомиться с методикой снятия вольтамперных

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

ГОУ ВПО УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики

ГОУ ВПО УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики ГОУ ВПО УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики Т Е Р М О Э Л Е К Т Р О Н Н А Я Э М И С С И Я Методические указания для выполнения лабораторного практикума по разделу курса

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ.

ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ. ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ. Введение. Карбид кремния является одним из наиболее радиационно-стойких полупроводников, перспективных для использования в экстремальных условиях

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по фотоэмиссии

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по фотоэмиссии КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ЗЕЛЕНОДОЛЬСКИЙ ФИЛИАЛ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО КУРСАМ АТОМНАЯ И ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по фотоэмиссии Зеленодольск

Подробнее

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики 2 возникает слой с особыми свойствами, который и называется p-n переходом или электронно-дырочным

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ. Тула, 2014 г. 2 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА.

Подробнее

удельный заряд электрона

удельный заряд электрона ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В РАЗЛИЧНЫХ СРЕДАХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В МЕТАЛЛАХ 1. Все металлы являются проводниками тока и состоят из пространственной кристаллической решетки, узлы которой совпадают с центрами положительных

Подробнее

О Т З Ы В актуальность

О Т З Ы В актуальность О Т З Ы В официального оппонента на диссертационную работу Гронина Сергея Вячеславовича Низкопороговые лазерные гетероструктуры зеленого и желтого спектрального диапазона на основе квантовых точек CdSe/Zn(Cd)Se,

Подробнее

«Ввод излучения в световод» методические указания к лабораторной работе 2

«Ввод излучения в световод» методические указания к лабораторной работе 2 Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

Влияние наночастиц и тонких слоев Au, фталоцианина Eu и наночастиц Er на формирование спектров излучения структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Влияние наночастиц и тонких слоев Au, фталоцианина Eu и наночастиц Er на формирование спектров излучения структур с квантовыми ямами InGaN/GaN 12 Влияние наночастиц и тонких слоев Au, фталоцианина Eu и наночастиц Er на формирование спектров излучения структур с квантовыми ямами InGaN/GaN М.М. Мездрогина 1, М.В. Еременко 2, С.М. Голубенко 2, Е.С.

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ

ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра теоретической и экспериментальной физики

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факультет УТВЕРЖДАЮ Декан

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

Министерство общего и профессионального образования РФ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Министерство общего и профессионального образования РФ. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 1 Министерство общего и профессионального образования РФ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Факультет прикладной физики и микроэлектроники Кафедра электроники твердого тела

Подробнее

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» Б1.В.ДВ.1-3. Специальность «Физика и астрономия»

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» Б1.В.ДВ.1-3. Специальность «Физика и астрономия» Российская академия наук Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН) УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ

Подробнее

Диффузионно-дрейфовая модель транспорта носителей заряда и фотонов в инжекционных лазерах

Диффузионно-дрейфовая модель транспорта носителей заряда и фотонов в инжекционных лазерах Письма в ЖТФ, 2015, том 41, вып. 12 26 июня 01.1;07;09 Диффузионно-дрейфовая модель транспорта носителей заряда и фотонов в инжекционных лазерах Б.Г. Коноплев, Е.А. Рындин, М.А. Денисенко Южный федеральный

Подробнее

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника»

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» 1 Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача 1 Время выполнения задания 180 мин. Дано: Е 1 =100 В; Е 2 =500 В; R 1 =1 ком; R 2 =4 ком; R 3 =5 ком; R 4 =500 Ом; R 5 =10 ком; R 6 =100 Ом; Найти показания

Подробнее

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры: физические основы и практическое применение

Мощные импульсные полупроводниковые лазеры: физические основы и практическое применение Мощные импульсные полупроводниковые лазеры: физические основы и практическое применение Физико-Технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Центр физики наногетероструктур Лаборатория «Полупроводниковой Люминесценции

Подробнее

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Составитель: Н.Н. Муравлева

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Составитель: Н.Н. Муравлева МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования «Томский государственный архитектурно-строительный университет» (ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Хабаровск 2000 Министерство образования Российской Федерации Хабаровский государственный технический университет ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ

Подробнее

Составитель: Н.Н. Муравлева

Составитель: Н.Н. Муравлева ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Методические указания к самостоятельной виртуальной практической работе по дисциплине «Электротехника и электроника» для студентов всех

Подробнее

Рабочая программа дисциплины

Рабочая программа дисциплины Рабочая программа дисциплины 1. Физические основы электромодуляционной спектроскопии 2. Лекторы. 2.1. Кандидат физ.-мат. наук, Боков Павел Юрьевич, кафедра общей физики, pavel_bokov@physics.msu.ru, +7

Подробнее

Чем плохи лампочки ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ. Рис.1. Спектры из лучения различных светодиодов. О светодиодах и лазерах

Чем плохи лампочки ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ. Рис.1. Спектры из лучения различных светодиодов. О светодиодах и лазерах КЛЮЧ К СИНЕМУ ЛУЧУ,, ИЛИ О СВЕТОДИОДАХ И ЛАЗЕРАХ,, ГОЛУБЫХ И ЗЕЛЕНЫХ А.Э. Юнович Александр Эммануилович Юнович, доктор физико-математических наук, профессор; кафедра физики полупроводников физического

Подробнее

Вольтамперные характеристики нелинейных элементов

Вольтамперные характеристики нелинейных элементов Юльметов А. Р. Вольтамперные характеристики нелинейных элементов Методические указания к выполнению лабораторных работ Оглавление P... Получение вольтамперных характеристик диодов............ P..5.. Исследование

Подробнее

Численное моделирование и экспериментальное исследование полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур для мощных МИС модулей АФАР

Численное моделирование и экспериментальное исследование полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур для мощных МИС модулей АФАР В.Г.Тихомиров 1,2, Н.А.Малеев 2, А.Г.Кузьменков 2, В.Е.Земляков 4, А.В.Крутов 4, А.Ю.Егоров 3, В.Б.Янкевич 1, В.М.Устинов 2 1 ФГБОУ ВПО Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода.

Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода. Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода. 1 Цель работы: Изучить основные физические закономерности, определяющих свойства и параметры фотодиодов. Исследовать вольт-амперные

Подробнее

Пороговые, мощностные и спектральные характеристики полупроводникового излучателя с волоконной брэгговской решеткой

Пороговые, мощностные и спектральные характеристики полупроводникового излучателя с волоконной брэгговской решеткой Журнал технической физики, 2012, том 82, вып. 6 01;06 Пороговые, мощностные и спектральные характеристики полупроводникового излучателя с волоконной брэгговской решеткой В.С. Жолнеров, 1 А.В. Иванов, 2

Подробнее

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник»

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник» Лабораторная работа 4 «онтакт металл полупроводник» Цель работы: определение контактной разности потенциалов контакта металл-полупроводник. онтактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации

Министерство образования и науки Российской Федерации Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ p-n ПЕРЕХОДА НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ p-n ПЕРЕХОДА НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ. - 25. - 2(15). - 1-4 УДК 621.82:53.(75.8) ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ p-n ПЕРЕХОДА НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ В.А. КОЛЧУЖИН, В.А. ГРИДЧИН

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 95

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 95 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 95 ЗНАКОМСТВО С РАБОТОЙ ГЕЛИЙ-НЕОНОВОГО ЛАЗЕРА И ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ ЛАЗЕРНОГО

Подробнее

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка Полупроводниковые диоды. План. 1. Классификация, условное графическое обозначение, маркировка. 2. Основные параметры диодов. 3. Выпрямительные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 4. Высокочастотные

Подробнее

РЕФЕРАТ. Отчет 260 с., 148 рис., 14 табл., 102 источника.

РЕФЕРАТ. Отчет 260 с., 148 рис., 14 табл., 102 источника. РЕФЕРАТ Отчет 260 с., 148 рис., 14 табл., 102 источника. ПОЛУМЕТАЛЛЫ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, МЕМБРАННЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ПОРИСТЫЕ СТЕКЛА, НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее