ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN"

Транскрипт

1 ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN А.А. Попов Научный руководитель Т.И. Данилина профессор каф. ФЭ г. Томск ТУСУР Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Кафедра физической электроники Аннотация: в работе представлено описание моделей используемых при моделировании характеристик полупроводниковых светодиодов в приборно-технологическом комплексе Silvaco TCAD а также приведены результаты моделирования полупроводникового светодиода на GaN при изменении толщины квантовых ям в гетероструктуре светодиода. Ключевые слова: светодиод гетероструктура ВАХ оптическая мощность спектр излучения поляризация. В настоящее время практически все полупроводниковые светоизлучающие диоды на основе GaN изготавливаются на основе гетероструктур. Создание качественной гетероструктуры позволяющей получить светодиод с требуемыми характеристиками является одной из основных задач при проектировании данного прибора. Поскольку эксперименты по улучшению качества светодиодов требуют больших трудозатрат и времени связанных со сложностью технологических операций в процессе изготовления приборов перспективным направлением в данной отрасли является приборное моделирование позволяющее не только сократить затраты на производство но и разрабатывать новые технологические решения для повышения эффективности светодиодов. Приборно-технологический комплекс Silvaco TCAD включает в себя модуль Atlas позволяющий моделировать полупроводниковые приборы в том числе и светоизлучающие диоды [1]. Начальным этапом моделирования светодиода является определение состава гетероструктуры. В качестве образца использовалась гетероструктура GaN светодиода УФ диапазона с четырьмя квантовыми ямами (GaN/Al GaN) показанная на рисунке 1. анод GaN N e cm d m Al GaN N e cm d m Al GaN N e cm d m x( GaN / Al GaN) d m d 7 m GaN AlGaN Al GaN N e cm d m катод GaN N e cm d m Al O d 300 m 2 3 Рисунок 1 Структура СД на гетероструктуре GaN

2 2 В процессе определения структуры указываются концентрации легирующих примесей толщины слоев время жизни носителей ( ) для используемых механизмов рекомбинации и подвижность носителей для каждого материала положения электродов прибора. Время жизни и подвижность для материалов использующихся в данной гетероструктуре указаны в таблице 1. Материал GaN AlGaN Таблица 1 Параметры материалов Время жизни носителей Оже-рекомбинация Рекомбинация Шокли-Рида-Холла c c c c Подвижность носителей 2 см Вс Принцип работы полупроводниковых СД основан на явлении инжекционной электролюминесценции возникающей в результате рекомбинации электронно-дырочных пар [2]. В структурах СД преобладает излучательная рекомбинация сопровождающаяся образованием кванта света. Вольтамперная характеристика (ВАХ) СД является основной характеристикой отражающей электрические свойства данного прибора. По наклону участка кривой ВАХ определяется влияние последовательных и параллельных паразитных сопротивлений. Характерной точкой ВАХ является пороговое напряжение напряжение при котором происходит резкое увеличение тока и включение светодиода. Зависимость интенсивности излучения от тока инжекции позволяет определить ток при котором активная область полностью заполняется носителями. На интенсивность излучения светодиодов влияет плотность инжекционного тока. Для расчета ВАХ и зависимости оптической мощности от инжекционного тока в модуле Atlas используется команда SOLVE INIT производящая расчет светодиода без использования дополнительных моделей рекомбинации. В процессе моделирования СД изменялась толщина квантовых ям. Зависимость оптической мощности от тока инжекции и ВАХ светодиода полученные в результате моделирования представлены на рисунке 2(аб). 2 см В с а б Рисунок 2 Результаты моделирования: а ВАХ светодиода б зависимость оптической мощности от тока инжекции

3 3 Из рисунка 2а видно что пороговое напряжение для данного светодиода составляет 3.5 В. При уменьшении толщины квантовых ям мощность оптического излучения уменьшается (рисунок 2б). Дальнейшее увеличение толщины квантовых ям приводит к ошибке расчета следовательно для данной структуры оптимальной является толщина квантовых ям в 4 нм. Спектр излучения СД позволяет определить длину волны или энергию при которой достигается максимальная интенсивность излучения прибора. Ширина спектральной линии определяется на уровне равном половине интенсивности в максимуме излучения. Для построения спектра излучения светодиода в модуле Atlas используются параметры QWELL и LED при описании каждого слоя являющегося квантовой ямой. Включение моделей приборно-технологического комплекса позволяющих рассчитать спектр излучения осуществляется командами CHUANG расчет скорости излучательной рекомбинации для материалов GaN/IN/AlN SPONTANEOUS учет спонтанной рекомбинации. Диапазон длин волн в котором будет отображен спектр излучения определяется параметрами LMIN и LMAX. Диапазон энергий задается параметрами EMIN и EMAX. Для определения количества точек по которым строится спектральная зависимость используется параметр NSAMP. В ходе работы исследовалось влияние толщины квантовых ям на спектр излучения. В процессе моделирования были получены спектры излучения для СД с толщиной квантовых ям равных 23 и 4 нм соответственно (рисунок 3). Рисунок 3 Спектр излучения СД Из рисунка 3 видно что при увеличении толщины квантовых ям спектр излучения смещается в сторону больших длин волн. В гетероструктурах на основе нитридов III группы при эпитаксиальном выращивании слоев на их границах возникает внутреннее электрическое поле которое может оказывать значительное влияние на эмиссионные характеристики светодиода. Это связано с тем что на каждой из двух поверхностей слоя нитрида в процессе выращивания формируются поляризационные заряды. Эти заряды могут возникать за счет как спонтанной поляризации так и пьезоэлектрической поляризации вследствие механических напряжений внутри материала. В модуле Atlas спонтанная поляризация представлена в виде поверхностных зарядов на верхнем и нижнем краях слоя материала. Значение заряда определяется параметром POLAR.SCALE. Для учета эффекта поляризации в слоях гетероструктуры используется параметр POLARIZATION при описании параметров соответствующего слоя. Для учета поляризации возникающей в результате пьезоэффекта необходимо использовать параметр

4 4 CALC.STRAIN. При применении данного параметра программа производит расчет механического напряжения из-за рассогласования решеток и определяет пьезоэлектрическую поляризацию. Для AlGaN значение параметра POLAR.SCALE = Плотность заряда на поверхности раздела слоев при данном значении этого параметра составляет порядка 1е13 Кл/см -2 и зависит от соотношения молярной концентрации в области квантовая яма/ барьерный слой. Программный модуль позволяет учитывать несколько видов рекомбинаций в процессе моделирования светодиода. Параметр AUGE включает модель Оже-рекомбинации а параметр COSHR рекомбинацию Шокли-Рида-Холла с учетом зависимости времени жизни от концентрации неравновесных носителей заряда. Модуль Atlas позволяет анализировать распределение концентраций носителей заряда на зонной диаграмме гетероструктуры в зависимости от поданного на прибор напряжения смещения. Команда EXTRACT производит расчет концентраций электронов и дырок как функцию напряжения и записывает полученные результаты в выходной файл. На рисунке 4 показаны зонные диаграммы с распределением носителей заряда для двух напряжений смещения светодиода: 3.5 и 5 В. Рисунок 4 Распределение носителей заряда: а при напряжении смещения 3.5В; б при напряжении смещения 5В Из рисунка 4 видно что при увеличении напряжения смещения уменьшается величина барьера и возрастает вероятность рекомбинации носителей. На зонной диаграмме четко отражено распределение носителей в квантовых ямах. Параметры PROBE.RADIATIVE PROBE.RECOMBINATION позволяют рассчитать скорость излучательной и полной рекомбинации соответственно. При использовании команды INTEGRATED вместе с данными параметрами скорость рекомбинации будет рассчитана для всех узлов решетки описанной в командном файле. В работе показано что моделирование светодиодов в программном модуле Atlas позволяет определять параметры влияющие на характеристики приборов. Установлено что ширина квантовых ям СД влияет на спектр и мощность излучения. Следовательно с помощью данного программного комплекса возможно проводить эксперименты по улучшению параметров светодиодов в том числе и путем интеграции технологического (Athea) и приборного модуля (Atlas).

5 5 Список использованных источников 1. Silvaco Ic. ATLAS User s Maual // 4701 Patrick Hery Drive Bldg. 2 October Sata Clara CA P. 2. Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. M.: ФИЗМАТЛИТ с.

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ Программа составлена на основе федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (уровень подготовки кадров высшей квалификации) по направлению подготовки 13.06.01 Электро- и

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ Программа составлена на основе федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (уровень подготовки кадров высшей квалификации) по направлению подготовки 16.06.01 Физикотехнологические

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ

Подробнее

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ В. В. Груздов Ю.В. Колковский Ю.А. Концевой КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ -1000 О 1000 2000 3000 Омега-2тета (угл. сек.) ТЕХНОСФЕРА СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ...10 ГЛАВА 1 ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучение основных физических закономерностей, определяющих свойства и параметры фотодиодов, исследование вольтамперных

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

Фотодиод. Фотодиод. ФД активная площадь-10х10 мм². ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах

Фотодиод. Фотодиод. ФД активная площадь-10х10 мм². ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодиод Материал из Википедии свободной энциклопедии Фотодиод ФД-10-100 активная площадь-10х10 мм² ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодио д приёмник оптического излучения

Подробнее

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента.

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента. Цель работы: Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента 1 Изучить устройство и принцип действия солнечных элементов 2 Экспериментально построить вольтамперную и нагрузочную характеристики

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: а) ознакомление с явлениями фото- и электролюминесценции в полупроводниках; б) воздействие спектральных характеристик

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 70. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА 1. Цель эксперимента

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 70. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА 1. Цель эксперимента ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 70 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА 1. Цель эксперимента Целью работы является ознакомление с принципом работы полупроводниковых инжекционных лазеров,

Подробнее

Температурная зависимость параметров диодов.

Температурная зависимость параметров диодов. НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» www.opprib.ru e-mail: info@opprib.ru

Подробнее

ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия

ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия CURRENT - VOLTAGE CHARACTERISTIC OF LEDS Cherepanov E.V.

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

Таблица 1 Исследуемые образцы люминофоров Образец Толщина, мкм

Таблица 1 Исследуемые образцы люминофоров Образец Толщина, мкм Исследование деградации люминофорных покрытий для светодиодов белого свечения. А.В. Белоножко, Р.А. Соколова, студенты каф. ФЭ Научный руководитель С.В. Смирнов, проф., д.т.н. г.томск,тусур, anastasiya.belonozhko@gmail.com

Подробнее

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр)

ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) 1. ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ* Классификация полупроводниковых

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. По спектральной характеристике фотоэлемента определить

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. 1. Выпрямительные диоды

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. 1. Выпрямительные диоды ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Выпрямительные диоды Выпрямительный диод - полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания.

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

На рисунке 5 показаны спектры возбуждения люминесценции люминофора ФЛЖ-7-11 при разной толщине слоя.

На рисунке 5 показаны спектры возбуждения люминесценции люминофора ФЛЖ-7-11 при разной толщине слоя. Исследование люминофорных покрытий для полупроводниковых источников света с целью повышения их эффективности. А.В. Белоножко, Р.А. Соколова, студенты каф. ФЭ Научный руководитель С.В. Смирнов, проф., д.т.н.

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1 Вариант 1 1. Для простейшей кубической решетки изобразить плоскость (120). 2. Для кремния n-типа с концентрацией примеси N D = 1 10 24 м -3 (Т = 300 К) заряда, если к образцу кремния n-типа (N D = 1 10

Подробнее

Гетеропереходы оксид p -InSe на ориентированной 110 подложке кристалла

Гетеропереходы оксид p -InSe на ориентированной 110 подложке кристалла 26 мая 06.1;06.2 Гетеропереходы оксид p-inse на ориентированной (110) подложке кристалла В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Т.В. Беца, В.М. Каминский, В.В. Нетяга Институт проблем материаловедения НАН Украины,

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS

ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра физики твердого тела В.В. ПАРФЕНОВ ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS Методическое пособие к лабораторной

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt.

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt. 3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта.

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Модульно учебные комплексы: 1. Модульный учебный

Подробнее

АПРЕЛЬ Разработка пакета компьютерных программ для автоматизированного проектирования силовых полупроводниковых приборов

АПРЕЛЬ Разработка пакета компьютерных программ для автоматизированного проектирования силовых полупроводниковых приборов АПРЕЛЬ 2016 Разработка пакета компьютерных программ для автоматизированного проектирования силовых полупроводниковых приборов Существующие проблемы: Повышение технического уровня силовых полупроводниковых

Подробнее

RU (11) (13) C1

RU (11) (13) C1 Стр. 1 из 6 РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 2407109 (13) C1 (51) МПК H01L33/04 (2010.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ Программа составлена на основе федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (уровень подготовки кадров высшей квалификации) по направлению подготовки 11.06.01 Электроника,

Подробнее

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида)

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Кроме доноров и акцепторов, в полупроводнике есть центры, энергия ионизации которых не является малой величиной по сравнению

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ

МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОВОЛЬТОВЫХ НАНОМЕТРОВЫХ СОВМЕЩЕННЫХ МОП-ПРИБОРОВ В.Ракитин, rakitin@niifp.ru Для уменьшения относительных размеров полупроводниковых приборов и снижения их напряжения питания используются

Подробнее

характеристик лазерного диода (ЛД) с волоконной брэгговской

характеристик лазерного диода (ЛД) с волоконной брэгговской Журнал технической физики,, том, вып. 9 Характеристики лазерного диода с волоконной брэгговской решеткой с различной длиной световода В.С. Жолнеров, А.В. Иванов, В.Д. Курносов, К.В. Курносов, В.И. Романцевич,

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

ГОРЯЧКИН Ю. В., ХАЙБУЛИН Р. Р. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАРЯДА ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИРИСТОРА

ГОРЯЧКИН Ю. В., ХАЙБУЛИН Р. Р. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАРЯДА ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИРИСТОРА ГОРЯЧКИН Ю. В., ХАЙБУЛИН Р. Р. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАРЯДА ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ТИРИСТОРА Аннотация. В статье приведены результаты моделирования заряда обратного восстановления тиристора в сравнении с данными

Подробнее

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 53 3943 Ф 503 ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО ФИЗИКЕ Методические

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э III иполярные транзисторы 1 «иполярные транзисторы. Принцип работы» иполярный транзистор трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными p-n переходами.

Подробнее

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния.

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния. ТИРИСТОРЫ Тиристор это полупроводниковый прибор, основой которого служат три или более трех последовательно включенных p nпереходов. Область его применения бесконтактное переключение и управление в электрических

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 11.04.04 Электроника и

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p структур в процессе формирования омических никелевых контактов

Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p структур в процессе формирования омических никелевых контактов 26 июня 06.1;06.2 Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p + n структур в процессе формирования омических никелевых контактов Н.В. Богач, В.Н. Литвиненко, И.Е. Марончук Харьковский

Подробнее

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи»

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике для студентов всех форм обучения всех

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» Электро- и теплотехника Светотехника

Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» Электро- и теплотехника Светотехника Аннотация рабочей программы дисциплины «Светодиодные источники света и световые приборы на их основе» по направлению подготовки 13.06.01 Электро- и теплотехника (уровень подготовки кадров высшей квалификации)

Подробнее

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел

Подробнее

параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов

параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов Выбор конструктивнотехнологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе карбида кремния М.Черных Уникальные свойства карбида кремния (SiC) обеспечивают характеристики, недостижимые для кремниевых

Подробнее

Представлены результаты разработки полупроводниковых

Представлены результаты разработки полупроводниковых лазеры и лазерные системы В.Дураев, А.Мармалюк, А.Петровский ЛАЗЕРЫ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР InGaAs/(Al)GaAs, ГЕНЕРИРУЮЩИЕ В ДИАПАЗОНЕ ДЛИН ВОЛН 1010 1080 нм Представлены результаты разработки полупроводниковых

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. «Б Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. «Б Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

Введение в оптоэлектронику

Введение в оптоэлектронику ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» Физический факультет Кафедра

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 Электропроводность полупроводниковых материалов Цель работы Изучение стандартных методов определения удельной электрической проводимости полупроводниковых материалов при различных

Подробнее

Микроканальный лавинный фотодиод с быстрым временем восстановления параметров

Микроканальный лавинный фотодиод с быстрым временем восстановления параметров 12 июня 07 Микроканальный лавинный фотодиод с быстрым временем восстановления параметров З. Садыгов, Х. Абдуллаев, Н. Анфимов, Ф. Ахмедов, Р. Мадатов, Р. Мухтаров, А. Ольшевский, А. Титов Объединенный

Подробнее

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ 1 УДК 621.382.22 НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ Сурин Б. П., Калабаев И. С. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева», г. Саранск Тел.:

Подробнее

ФИЗИКА ИНЖЕКЦИИ P-N ПЕРЕХОДА

ФИЗИКА ИНЖЕКЦИИ P-N ПЕРЕХОДА NovaInfo.Ru - 61, 2017 г. Физико-математические науки 1 ФИЗИКА ИНЖЕКЦИИ P-N ПЕРЕХОДА Шевченко Юлия Игоревна Инжекционная электролюминесценция была обнаружена О. В. Лосевым в 1923 при изучении кристаллических

Подробнее

Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2

Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2 12 января 06.2;07 Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO 2 (λ = 4.3µm) А.С. Головин, А.П. Астахова, С.С. Кижаев, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, Ю.П. Яковлев Физико-технический

Подробнее

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

Интерес к исследованию кристаллов и наноструктур ZnO обусловлен как уже имеющимися многочисленными применениями этого материала (сенсоры, прозрачное

Интерес к исследованию кристаллов и наноструктур ZnO обусловлен как уже имеющимися многочисленными применениями этого материала (сенсоры, прозрачное ОТЗЫВ официального оппонента на диссертацию Гурина Александра Сергеевича «ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ И НАНОСТРУКТУР A 2 B 6 С МАГНИТНЫМИ ПРИМЕСЯМИ МЕТОДОМ ОПТИЧЕСКИ ДЕТЕКТИРУЕМОГО МАГНИТНОГО

Подробнее

Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы

Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы В Андрей Туркин Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors технология, продукты, перспективы статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов

Подробнее

Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения n-sic высокоэнергетическими ионами аргона

Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения n-sic высокоэнергетическими ионами аргона 26 марта 07 Влияние термообработки на электрические характеристики полуизолирующих слоев, полученных с помощью облучения n-sic высокоэнергетическими ионами аргона П.А. Иванов, А.С. Потапов, М.Ф. Кудояров,

Подробнее

Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники

Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники Физика наноустройств. Устройства оптоэлектроники и наноэлектроники Д.Р. Хохлов, В.Ю.Тимошенко Физический факультет МГУ Подходы к созданию наноустройств Сверхрешетки Квантовые ямы Лазеры на гетеропереходах

Подробнее

Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.)

Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.) Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.) 1 Госуниверситет-УНПК, студент 2 Госуниверситет-УНПК, к.ф-м.н., профессор ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ШИРИНЫ ВЕРТИКАЛЬНОЙ ЧАСТИ

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ План занятия: 1. Классификация и условные графические обозначения тиристоров 2. Принцип работы тиристоров 3. Управляемые тиристоры 4. Симисторы 5. Основные параметры тиристоров 6. Области

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

Влияние микротрещин на вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов

Влияние микротрещин на вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов Вісник Харківського національного університету 926, 2010 169 УДК 621.382.037.37 Влияние микротрещин на вольтамперные характеристики полупроводниковых диодов Орловский государственный технический университет,

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение 1 ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомление с явлением поглощения оптического излучения полупроводником, измерение спектров поглощения кристаллов CdS и GaAs при комнатной

Подробнее

возможность продвижения в желтую область спектра. В связи с этим диссертационная работа Гронина С.В. является своевременной и актуальной.

возможность продвижения в желтую область спектра. В связи с этим диссертационная работа Гронина С.В. является своевременной и актуальной. Отзыв официального оппонента на диссертацию Гронина Сергея Вячеславовича «Низкопороговые лазерные гетероструктуры зеленого и желтого спектрального диапазона на основе квантовых точек CdSe/Zn(Cd)Se, выращенных

Подробнее

Лабораторная работа 3

Лабораторная работа 3 Лабораторная работа 3 Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках Основные понятия Если в полупроводник каким-либо способом (облучение, инжекция) ввести

Подробнее

Температура в жизни и работе светодиодов Часть 1

Температура в жизни и работе светодиодов Часть 1 Температура в жизни и работе светодиодов Часть 1 Сергей НИКИФОРОВ nikiforov@screens.ru Статья посвящена исследованиям зависимостей параметров светоизлучающих диодов от температуры окружающей среды. Обсуждается

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя.

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя. Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного Задача: 1. Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного

Подробнее

RU (11) (51) МПК H01L 29/00 ( )

RU (11) (51) МПК H01L 29/00 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (1) МПК H01L 29/00 (06.01) 167 82 (13) U1 R U 1 6 7 8 2 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка:

Подробнее

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2 Задача 1 Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс Электрическая цепь, изображенная на рисунке, содержит идеальный источник тока с ЭДС = 60В. Сопротивления резисторов: R 1 = R 2 =

Подробнее

ЛОКАЛЬНАЯ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ

ЛОКАЛЬНАЯ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при ФТИ им. А.Ф. Иоффе ЛОКАЛЬНАЯ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ Методические указания к лабораторным работам по диагностике материалов Оглавление: Введение

Подробнее

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения (напряжения смещения) приводит к изменению условий переноса заряда через

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы ЛЕЦИЯ 2 ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы План занятия: Структура и принцип работы биполярных транзисторов 2 лассификация биполярных транзисторов 3 Основные параметры биполярных транзисторов 4 Режимы работы

Подробнее

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА I.НЕОБХОДИМЫЕ СВЕДЕНИЯ Целью настоящего эксперимента является исследование основных характеристик солнечного элемента. Солнечный элемент поглощает электромагнитную

Подробнее

Квантовый генератор света (лазер)

Квантовый генератор света (лазер) Квантовый генератор света (лазер) Введение Слово лазер образовано из первых букв слов английского названия усиление света посредством стимулированной эмиссии излучения (Light Amplification by Stimulated

Подробнее

Контрольная работа кг м

Контрольная работа кг м Контрольная работа 4 Вариант 0 1. Невозбужденный атом водорода поглощает квант излучения с длиной волны 97,2 нм. Вычислите, пользуясь теорией Бора, радиус электронной орбиты возбужденного атома водорода

Подробнее