ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN"

Транскрипт

1 ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN А.А. Попов Научный руководитель Т.И. Данилина профессор каф. ФЭ г. Томск ТУСУР Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники Кафедра физической электроники Аннотация: в работе представлено описание моделей используемых при моделировании характеристик полупроводниковых светодиодов в приборно-технологическом комплексе Silvaco TCAD а также приведены результаты моделирования полупроводникового светодиода на GaN при изменении толщины квантовых ям в гетероструктуре светодиода. Ключевые слова: светодиод гетероструктура ВАХ оптическая мощность спектр излучения поляризация. В настоящее время практически все полупроводниковые светоизлучающие диоды на основе GaN изготавливаются на основе гетероструктур. Создание качественной гетероструктуры позволяющей получить светодиод с требуемыми характеристиками является одной из основных задач при проектировании данного прибора. Поскольку эксперименты по улучшению качества светодиодов требуют больших трудозатрат и времени связанных со сложностью технологических операций в процессе изготовления приборов перспективным направлением в данной отрасли является приборное моделирование позволяющее не только сократить затраты на производство но и разрабатывать новые технологические решения для повышения эффективности светодиодов. Приборно-технологический комплекс Silvaco TCAD включает в себя модуль Atlas позволяющий моделировать полупроводниковые приборы в том числе и светоизлучающие диоды [1]. Начальным этапом моделирования светодиода является определение состава гетероструктуры. В качестве образца использовалась гетероструктура GaN светодиода УФ диапазона с четырьмя квантовыми ямами (GaN/Al GaN) показанная на рисунке 1. анод GaN N e cm d m Al GaN N e cm d m Al GaN N e cm d m x( GaN / Al GaN) d m d 7 m GaN AlGaN Al GaN N e cm d m катод GaN N e cm d m Al O d 300 m 2 3 Рисунок 1 Структура СД на гетероструктуре GaN

2 2 В процессе определения структуры указываются концентрации легирующих примесей толщины слоев время жизни носителей ( ) для используемых механизмов рекомбинации и подвижность носителей для каждого материала положения электродов прибора. Время жизни и подвижность для материалов использующихся в данной гетероструктуре указаны в таблице 1. Материал GaN AlGaN Таблица 1 Параметры материалов Время жизни носителей Оже-рекомбинация Рекомбинация Шокли-Рида-Холла c c c c Подвижность носителей 2 см Вс Принцип работы полупроводниковых СД основан на явлении инжекционной электролюминесценции возникающей в результате рекомбинации электронно-дырочных пар [2]. В структурах СД преобладает излучательная рекомбинация сопровождающаяся образованием кванта света. Вольтамперная характеристика (ВАХ) СД является основной характеристикой отражающей электрические свойства данного прибора. По наклону участка кривой ВАХ определяется влияние последовательных и параллельных паразитных сопротивлений. Характерной точкой ВАХ является пороговое напряжение напряжение при котором происходит резкое увеличение тока и включение светодиода. Зависимость интенсивности излучения от тока инжекции позволяет определить ток при котором активная область полностью заполняется носителями. На интенсивность излучения светодиодов влияет плотность инжекционного тока. Для расчета ВАХ и зависимости оптической мощности от инжекционного тока в модуле Atlas используется команда SOLVE INIT производящая расчет светодиода без использования дополнительных моделей рекомбинации. В процессе моделирования СД изменялась толщина квантовых ям. Зависимость оптической мощности от тока инжекции и ВАХ светодиода полученные в результате моделирования представлены на рисунке 2(аб). 2 см В с а б Рисунок 2 Результаты моделирования: а ВАХ светодиода б зависимость оптической мощности от тока инжекции

3 3 Из рисунка 2а видно что пороговое напряжение для данного светодиода составляет 3.5 В. При уменьшении толщины квантовых ям мощность оптического излучения уменьшается (рисунок 2б). Дальнейшее увеличение толщины квантовых ям приводит к ошибке расчета следовательно для данной структуры оптимальной является толщина квантовых ям в 4 нм. Спектр излучения СД позволяет определить длину волны или энергию при которой достигается максимальная интенсивность излучения прибора. Ширина спектральной линии определяется на уровне равном половине интенсивности в максимуме излучения. Для построения спектра излучения светодиода в модуле Atlas используются параметры QWELL и LED при описании каждого слоя являющегося квантовой ямой. Включение моделей приборно-технологического комплекса позволяющих рассчитать спектр излучения осуществляется командами CHUANG расчет скорости излучательной рекомбинации для материалов GaN/IN/AlN SPONTANEOUS учет спонтанной рекомбинации. Диапазон длин волн в котором будет отображен спектр излучения определяется параметрами LMIN и LMAX. Диапазон энергий задается параметрами EMIN и EMAX. Для определения количества точек по которым строится спектральная зависимость используется параметр NSAMP. В ходе работы исследовалось влияние толщины квантовых ям на спектр излучения. В процессе моделирования были получены спектры излучения для СД с толщиной квантовых ям равных 23 и 4 нм соответственно (рисунок 3). Рисунок 3 Спектр излучения СД Из рисунка 3 видно что при увеличении толщины квантовых ям спектр излучения смещается в сторону больших длин волн. В гетероструктурах на основе нитридов III группы при эпитаксиальном выращивании слоев на их границах возникает внутреннее электрическое поле которое может оказывать значительное влияние на эмиссионные характеристики светодиода. Это связано с тем что на каждой из двух поверхностей слоя нитрида в процессе выращивания формируются поляризационные заряды. Эти заряды могут возникать за счет как спонтанной поляризации так и пьезоэлектрической поляризации вследствие механических напряжений внутри материала. В модуле Atlas спонтанная поляризация представлена в виде поверхностных зарядов на верхнем и нижнем краях слоя материала. Значение заряда определяется параметром POLAR.SCALE. Для учета эффекта поляризации в слоях гетероструктуры используется параметр POLARIZATION при описании параметров соответствующего слоя. Для учета поляризации возникающей в результате пьезоэффекта необходимо использовать параметр

4 4 CALC.STRAIN. При применении данного параметра программа производит расчет механического напряжения из-за рассогласования решеток и определяет пьезоэлектрическую поляризацию. Для AlGaN значение параметра POLAR.SCALE = Плотность заряда на поверхности раздела слоев при данном значении этого параметра составляет порядка 1е13 Кл/см -2 и зависит от соотношения молярной концентрации в области квантовая яма/ барьерный слой. Программный модуль позволяет учитывать несколько видов рекомбинаций в процессе моделирования светодиода. Параметр AUGE включает модель Оже-рекомбинации а параметр COSHR рекомбинацию Шокли-Рида-Холла с учетом зависимости времени жизни от концентрации неравновесных носителей заряда. Модуль Atlas позволяет анализировать распределение концентраций носителей заряда на зонной диаграмме гетероструктуры в зависимости от поданного на прибор напряжения смещения. Команда EXTRACT производит расчет концентраций электронов и дырок как функцию напряжения и записывает полученные результаты в выходной файл. На рисунке 4 показаны зонные диаграммы с распределением носителей заряда для двух напряжений смещения светодиода: 3.5 и 5 В. Рисунок 4 Распределение носителей заряда: а при напряжении смещения 3.5В; б при напряжении смещения 5В Из рисунка 4 видно что при увеличении напряжения смещения уменьшается величина барьера и возрастает вероятность рекомбинации носителей. На зонной диаграмме четко отражено распределение носителей в квантовых ямах. Параметры PROBE.RADIATIVE PROBE.RECOMBINATION позволяют рассчитать скорость излучательной и полной рекомбинации соответственно. При использовании команды INTEGRATED вместе с данными параметрами скорость рекомбинации будет рассчитана для всех узлов решетки описанной в командном файле. В работе показано что моделирование светодиодов в программном модуле Atlas позволяет определять параметры влияющие на характеристики приборов. Установлено что ширина квантовых ям СД влияет на спектр и мощность излучения. Следовательно с помощью данного программного комплекса возможно проводить эксперименты по улучшению параметров светодиодов в том числе и путем интеграции технологического (Athea) и приборного модуля (Atlas).

5 5 Список использованных источников 1. Silvaco Ic. ATLAS User s Maual // 4701 Patrick Hery Drive Bldg. 2 October Sata Clara CA P. 2. Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. 2-е изд. M.: ФИЗМАТЛИТ с.

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: а) ознакомление с явлениями фото- и электролюминесценции в полупроводниках; б) воздействие спектральных характеристик

Подробнее

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента.

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента. Цель работы: Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента 1 Изучить устройство и принцип действия солнечных элементов 2 Экспериментально построить вольтамперную и нагрузочную характеристики

Подробнее

ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия

ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия CURRENT - VOLTAGE CHARACTERISTIC OF LEDS Cherepanov E.V.

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта.

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Модульно учебные комплексы: 1. Модульный учебный

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

Гетеропереходы оксид p -InSe на ориентированной 110 подложке кристалла

Гетеропереходы оксид p -InSe на ориентированной 110 подложке кристалла 26 мая 06.1;06.2 Гетеропереходы оксид p-inse на ориентированной (110) подложке кристалла В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Т.В. Беца, В.М. Каминский, В.В. Нетяга Институт проблем материаловедения НАН Украины,

Подробнее

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ 1 УДК 621.382.22 НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ Сурин Б. П., Калабаев И. С. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева», г. Саранск Тел.:

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ Программа составлена на основе федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (уровень подготовки кадров высшей квалификации) по направлению подготовки 11.06.01 Электроника,

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ ФГОС ВО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 11.04.04 Электроника и

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ по дисциплине Источники и приемники излучения ФЭП. Методические указания к лабораторной работе

ИЗМЕРЕНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ по дисциплине Источники и приемники излучения ФЭП. Методические указания к лабораторной работе 621.383 (07) М 545 4036 УДК 621. 383. 933 (07, 07) Составители: В.М. Новиков, С.С. Шибаев МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Технологический институт

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон Содержание: 1. Происхождение энергетических зон в кристаллах 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон 4. Полупроводники с точки зрения зонной теории

Подробнее

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА I.НЕОБХОДИМЫЕ СВЕДЕНИЯ Целью настоящего эксперимента является исследование основных характеристик солнечного элемента. Солнечный элемент поглощает электромагнитную

Подробнее

Лабораторная работа 3.3

Лабораторная работа 3.3 Лабораторная работа 3.3 ИЗУЧЕНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И.Л. Дорошевич Цели работы: 1. Изучить основные закономерности внешнего фотоэффекта. 2. Построить вольт-амперные характеристики фотоэлемента при различных

Подробнее

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2

Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс. Задача 1. Задача 2 Задача 1 Демонстрационный вариант отборочного этапа Электроника 10 класс Электрическая цепь, изображенная на рисунке, содержит идеальный источник тока с ЭДС = 60В. Сопротивления резисторов: R 1 = R 2 =

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Чем плохи лампочки ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ. Рис.1. Спектры из лучения различных светодиодов. О светодиодах и лазерах

Чем плохи лампочки ФИЗИКА И АСТРОНОМИЯ. Рис.1. Спектры из лучения различных светодиодов. О светодиодах и лазерах КЛЮЧ К СИНЕМУ ЛУЧУ,, ИЛИ О СВЕТОДИОДАХ И ЛАЗЕРАХ,, ГОЛУБЫХ И ЗЕЛЕНЫХ А.Э. Юнович Александр Эммануилович Юнович, доктор физико-математических наук, профессор; кафедра физики полупроводников физического

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Составитель: Н.Н. Муравлева

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Составитель: Н.Н. Муравлева МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования «Томский государственный архитектурно-строительный университет» (ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Подробнее

Характеристики и особенности светодиодов компании SemiLEDs

Характеристики и особенности светодиодов компании SemiLEDs Характеристики и особенности светодиодов Андрей Туркин (Москва) В статье приведён обзор светодиодов и светодиодных модулей тайваньской. Разработав новую технологию производства светодиодных кристаллов,

Подробнее

ГОУ ВПО УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики

ГОУ ВПО УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики ГОУ ВПО УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЯНОЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики Т Е Р М О Э Л Е К Т Р О Н Н А Я Э М И С С И Я Методические указания для выполнения лабораторного практикума по разделу курса

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ.

ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ. ИССЛЕДОВАНИЕ CVD СЛОЕВ SIC ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ АЛЮМИНИЯ. Введение. Карбид кремния является одним из наиболее радиационно-стойких полупроводников, перспективных для использования в экстремальных условиях

Подробнее

Ослабление сигнала в волоконных световодах

Ослабление сигнала в волоконных световодах Лабораторная работа 4 Ослабление сигнала в волоконных световодах Цель работы определение зависимости оптических потерь от длины волоконного световода. Уменьшение потерь мощности оптического сигнала, передаваемого

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ФКЛ-21 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ. Тула, 2014 г. 2 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА.

Подробнее

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник»

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник» Лабораторная работа 4 «онтакт металл полупроводник» Цель работы: определение контактной разности потенциалов контакта металл-полупроводник. онтактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛОВ Цель работы: изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода;

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛОВ Цель работы: изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ МЕТАЛЛОВ Цель работы: изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока насыщения термоэмиссии

Подробнее

Составитель: Н.Н. Муравлева

Составитель: Н.Н. Муравлева ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Методические указания к самостоятельной виртуальной практической работе по дисциплине «Электротехника и электроника» для студентов всех

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАЗМЕРОВ МАЛЫХ ПРЕПЯТСТВИЙ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАЗМЕРОВ МАЛЫХ ПРЕПЯТСТВИЙ Министерство образования Российской Федерации ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАЗМЕРОВ МАЛЫХ ПРЕПЯТСТВИЙ Методические указания Иркутск 2004 Печатается

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Работа 1а ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Цель работы: снятие вольт-амперной характеристики фотоэлемента, определение красной границы фотоэффекта, работы выхода электрона и постоянной

Подробнее

Пороговые, мощностные и спектральные характеристики полупроводникового излучателя с волоконной брэгговской решеткой

Пороговые, мощностные и спектральные характеристики полупроводникового излучателя с волоконной брэгговской решеткой Журнал технической физики, 2012, том 82, вып. 6 01;06 Пороговые, мощностные и спектральные характеристики полупроводникового излучателя с волоконной брэгговской решеткой В.С. Жолнеров, 1 А.В. Иванов, 2

Подробнее

Система измерения удельного сопротивления

Система измерения удельного сопротивления - - ЗАО «Интек Аналитика» Система измерения удельного сопротивления Система измерения эффекта Холла предназначена для измерения концентрации и подвижности носителей заряда, удельного сопротивления и эффекта

Подробнее

Определение работы выхода электронов из металла методом термоэлектронной эмиссии

Определение работы выхода электронов из металла методом термоэлектронной эмиссии МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ухтинский государственный технический университет» (УГТУ) 8 Определение работы

Подробнее

Электроника, микроэлектроника и автоматика

Электроника, микроэлектроника и автоматика С.Д. Дунаев Электроника, микроэлектроника и автоматика Утверждено Департаментов кадров и учебных заведений МПС России в качестве учебника для студентов техникумов и колледжей железнодорожного транспорта

Подробнее

Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики

Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики Особенности проектирования и эксплуатации светодиодного оборудования. Строение светодиодов и их основные характеристики Дмитрий Гладин, технический директор ООО «Техносвет групп» В настоящей статье рассмотрены

Подробнее

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» Б1.В.ДВ.1-3. Специальность «Физика и астрономия»

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» Б1.В.ДВ.1-3. Специальность «Физика и астрономия» Российская академия наук Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН) УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ

Подробнее

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка Полупроводниковые диоды. План. 1. Классификация, условное графическое обозначение, маркировка. 2. Основные параметры диодов. 3. Выпрямительные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 4. Высокочастотные

Подробнее

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ p-n ПЕРЕХОДА НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ p-n ПЕРЕХОДА НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ. - 25. - 2(15). - 1-4 УДК 621.82:53.(75.8) ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ p-n ПЕРЕХОДА НА ТЕМПЕРАТУРНУЮ ЗАВИСИМОСТЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ В.А. КОЛЧУЖИН, В.А. ГРИДЧИН

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Физика полупроводников Физика полупроводников

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Физика полупроводников Физика полупроводников МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 95

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 95 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 95 ЗНАКОМСТВО С РАБОТОЙ ГЕЛИЙ-НЕОНОВОГО ЛАЗЕРА И ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ ЛАЗЕРНОГО

Подробнее

«Ввод излучения в световод» методические указания к лабораторной работе 2

«Ввод излучения в световод» методические указания к лабораторной работе 2 Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-20

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-20 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-20 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ГЕНЕРАТОРЫ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА НА ОСНОВЕ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ

Подробнее

Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от

Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен

Подробнее

Кафедра физики. Квантовая физика

Кафедра физики. Квантовая физика ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики Квантовая физика Фотоэффект Учебное пособие для лабораторного практикума по физике. Для дневного и

Подробнее

07;12. PACS: Vb

07;12.   PACS: Vb 26 февраля 07;12 Устройство оптической памяти на основе планарных щелевых структур Б.Н. Денисов, Е.М. Бибанина, В.И. Беглов Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск E-mail: bib-em@mail.ru

Подробнее

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин Лабораторная работа 3.66. ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин Цель работы: определить интегральную и спектральную чувствительность полупроводникового фотоэлемента, оценить ширину запрещенной

Подробнее

Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брегговской решеткой

Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брегговской решеткой Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые лазеры с волоконно-брегговской решеткой В.П. Дураев, С.А. Васильев, О.И. Медведков, Е.Т. Неделин ООО «Нолатех» e- mail nolatech@mail.magelan.ru, www.nolatech.ru

Подробнее

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: 1. Ознакомиться с внутренней ионизацией полупроводников под действием света на примере работы полупроводниковых фотоприемников. 2. Построить спектральную

Подробнее

Лабораторная работа 11 А

Лабораторная работа 11 А Лабораторная работа 11 А ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА И РАБОТЫ ВЫХОДА ФОТОКАТОДА МЕТОДОМ ЗАДЕРЖИВАЮЩЕГО ПОТЕНЦИАЛА Цель работы экспериментальная проверка уравнения Эйнштейна для внешнего фотоэффекта;

Подробнее

Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ 4 Лекция 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ План 1. Введение. 2. Электрические величины и единицы их измерения. 3. Двухполюсные элементы электрических цепей. 4. Управляемые (зависимые)

Подробнее

19. Типы фотоэффекта Внешний фотоэффект. Законы Столетова

19. Типы фотоэффекта Внешний фотоэффект. Законы Столетова 19. Типы фотоэффекта Гипотеза М. Планка о квантах света получила свое подтверждение и дальнейшее развитие при объяснении явления фотоэффекта. Как известно, в зависимости от способности проводить электрический

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.16

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.16 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.6 ИЗУЧЕНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Цель работы: исследование зависимости ЭДС Холла в полупроводниках от индукции магнитного поля. Определение концентрации и подвижности основных

Подробнее

Вопросы к лабораторным работам по курсу физики «Оптика», лаб , 354

Вопросы к лабораторным работам по курсу физики «Оптика», лаб , 354 1 Вопросы к лабораторным работам по курсу физики «Оптика», лаб. 1-353, 354 Лабораторная работа 1 Определение показателя преломления стекла с помощью микроскопа (33-13) 1. Понятие луча. Закон прямолинейного

Подробнее

Спектральный анализ масла проводится в соответствие с требованиями следующих нормативных документов:

Спектральный анализ масла проводится в соответствие с требованиями следующих нормативных документов: 5 Спектральный анализ масла. (Spectrometric oil analysis) Спектральный анализ масла проводится в соответствие с требованиями следующих нормативных документов: Руководство пользователя спектрометра Спектроскан

Подробнее

ИОНЫЧЕВ В. К., ЗИНКИН С. Д. МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ ПО ЗАДЕРЖКЕ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ

ИОНЫЧЕВ В. К., ЗИНКИН С. Д. МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ ПО ЗАДЕРЖКЕ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ ИОНЫЧЕВ В. К., ЗИНКИН С. Д. МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ ПО ЗАДЕРЖКЕ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ p-n-переходов Аннотация. В статье рассматривается метод микроплазменной спектроскопии глубоких уровней. Метод

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода»

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода» Государственное образовательное учреждение Московский государственный технологический университет «СТАНКИН» Кафедра физики Лабораторная работа «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового

Подробнее

Элементы и устройства интегральной оптоэлектроники

Элементы и устройства интегральной оптоэлектроники МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЕВА

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5. Расчет параметров оптических резонаторов. 1 Цель работы: 1.1 Изучить основные характеристики резонатора Фабри-Перо;

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5. Расчет параметров оптических резонаторов. 1 Цель работы: 1.1 Изучить основные характеристики резонатора Фабри-Перо; ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5 Расчет параметров оптических резонаторов 1 Цель работы: 1.1 Изучить основные характеристики резонатора Фабри-Перо; 1.2 Изучить виды оптических резонаторов и их научиться оценивать

Подробнее

Краткая теория р-п-перехода

Краткая теория р-п-перехода МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ Кафедра «Физические основы электронной техники» Краткая теория р-п-перехода Методические указания

Подробнее

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта фотоэффект фотоэлектронов Внешним фотоэффектом Внутренний фотоэффект

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта фотоэффект фотоэлектронов Внешним фотоэффектом Внутренний фотоэффект ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта Среди физических явлений, в которых проявляется взаимодействие света с веществом, важным является фотоэлектрический эффект фотоэффект, открытый Г. Герцем

Подробнее

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Лабораторная работа.8. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Цель работы: построение и изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока насыщения

Подробнее

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений.

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений. Комплексные токи и напряжения. Комплексные токи и напряжения вводят для рассмотрения гармонически изменяющихся токов и напряжений. Комплексные токи и напряжения позволяют заменить дифференциальные уравнения

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 56 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА ВОЗБУЖДЕНИЯ АТОМОВ РТУТИ ПО МЕТОДУ ФРАНКА И ГЕРЦА. 1. Теоретические основы работы

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 56 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА ВОЗБУЖДЕНИЯ АТОМОВ РТУТИ ПО МЕТОДУ ФРАНКА И ГЕРЦА. 1. Теоретические основы работы ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 56 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА ВОЗБУЖДЕНИЯ АТОМОВ РТУТИ ПО МЕТОДУ ФРАНКА И ГЕРЦА Цель работы определение потенциала возбуждения атомов ртути; экспериментальное подтверждение дискретной структуры

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ Выполнил: Проверил: студент

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ Ионычев В.К., Ребров А.Н. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск Тел.

Подробнее

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности К.В.Шалимова ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний

Подробнее

Лабораторная работа ФТ. 5 Определение времени жизни неравновесных носителей тока

Лабораторная работа ФТ. 5 Определение времени жизни неравновесных носителей тока Лабораторная работа Т. 5 Определение времени жизни неравновесных носителей тока Цель работы: исследование зависимости релаксирующего фототока как функции приложенного к фоторезистору опорного напряжения,

Подробнее

О Б О З Р Е Н И Е. П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к

О Б О З Р Е Н И Е. П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к О Б О З Р Е Н И Е П Р И К Л А Д Н О Й И П Р О М Ы Ш Л Е Н Н О Й Т о м 23 М А Т Е М А Т И К И В ы п у с к 1 2016 В. П. Д у р а е в, С. В. М е д в е д е в (Москва, ЗАО «Новая лазерная технология»). Элементная

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА Методические указания к лабораторной

Подробнее

СВЕТОДИОД ИРС-50-W-80

СВЕТОДИОД ИРС-50-W-80 СВЕТОДИОД ИРС-50-W-80 Спецификация Введение Светодиод ИРС-50 (далее светодиод) предназначен для изготовления светильников общего назначения; уличных, архитектурных и ландшафтных светильников; переносных

Подробнее

Электрические свойства структуры металл наночастицы диэлектрика металл

Электрические свойства структуры металл наночастицы диэлектрика металл 12 Электрические свойства структуры металл наночастицы диэлектрика металл В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелёв, И.Г. Богораз, О.А. Миловидова Орловский государственный технический университет, Орел, Россия E-mail:

Подробнее

1000. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки SiO2 в буферном травителе состава HF : NH

1000. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки SiO2 в буферном травителе состава HF : NH РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА СОЗДАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА В ПРОСВЕТЛЯЮЩЕМ ПОКРЫТИИ МЕТОДОМ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ВНЕШНЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА СВЕТОДИОДОВ А. П. Молева Томский государственный

Подробнее

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские ВВЕДЕНИЕ Область профессиональной деятельности выпускника по специальности 10106 «Промышленная электроника» включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной

Подробнее

Изучение некоторых закономерностей внутреннего фотоэффекта в полупроводниках

Изучение некоторых закономерностей внутреннего фотоэффекта в полупроводниках ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра «Общая физика и физика нефтегазового производства»

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 15.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 15. Методическая разработка: Панков Сергей Евгеньевич Сборка: Крутиков Сергей Владимирович ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСТИТЕТ ЕСТЕСТВЕННО НАУЧНЫЙ ФАКУЛЬТЕТ КАФЕДРА ФИЗИКИ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 15. ИЗУЧЕНИЕ

Подробнее

Билеты с ответами 2014 по Физике by AKF3.ru

Билеты с ответами 2014 по Физике by AKF3.ru Билеты с ответами 2014 по Физике by AKF3.ru Билет 32 1. Уравнения Максвелла для электромагнитного поля. (1) 2. Принцип неопределенности Гейзенберга. (2) 1. Ток смещения. Закон полного тока. (3) Билет 31

Подробнее

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ УДК 63096:637586 АН Поспелов СГГА, Новосибирск ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ При исследовании модуляции

Подробнее

БАРАНОВСКИЙ МАКСИМ ВЛАДИМИРОВИЧ

БАРАНОВСКИЙ МАКСИМ ВЛАДИМИРОВИЧ На правах рукописи БАРАНОВСКИЙ МАКСИМ ВЛАДИМИРОВИЧ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaN/GaN С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И РАЗРАБОТКА НЕРАЗРУШАЮЩЕГО МЕТОДА КОНТРОЛЯ

Подробнее

Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА

Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Кинетические эффекты, имеющие место при одновременном воздействии на носители заряда электрического E и магнитного Н полей, называются

Подробнее

Определение спектральной ширины излучения полупроводникового лазера

Определение спектральной ширины излучения полупроводникового лазера Министерство образования и науки Российской Федерации ГОУ ВПО «Иркутский государственный университет» Физический факультет Определение спектральной ширины излучения полупроводникового лазера Учебно-методическое

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ Этот файл загружен с сайта кафедры ФОЭТ http://foet.miem.edu.ru Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на e-mail serj@foet.miem.edu.ru PDF-версия от 6 апреля 27 г. МИНИСТЕРСТВО

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

УТВЕРЖДАЮ Декан ЕНМФ Ю.И.Тюрин 2004 г. ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ ПРИЗМЫ ОТ ДЛИНЫ ВОЛНЫ. Компьютерная лабораторная работа Комп О 02

УТВЕРЖДАЮ Декан ЕНМФ Ю.И.Тюрин 2004 г. ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ ПРИЗМЫ ОТ ДЛИНЫ ВОЛНЫ. Компьютерная лабораторная работа Комп О 02 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра теоретической и экспериментальной физики

Подробнее

Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации. Московский энергетический институт (технический университет)

Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации. Московский энергетический институт (технический университет) УДК 621.38 Л-556 Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Московский энергетический институт (технический университет) В. А. Лигачев, А. И. Попов Лабораторная работа Спектральная

Подробнее

Тырышкин Игорь Сергеевич. ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие

Тырышкин Игорь Сергеевич. ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Новосибирский государственный технический университет Кафедра Теоретические основы радиотехники Тырышкин Игорь Сергеевич ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Аннотация Кратко изложены основные

Подробнее