Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс"

Транскрипт

1 V DRM /V RRM = В I T(AV) = 600 А (T C = 85 C) I T(AV) = 750 А (T C = 70 C) I TSM = 11 кa (T j = 125 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ внутреннее усиление сигнала управления минимальные потери в открытом состоянии пригодны для последовательного и параллельного соединения (малый разброс Q rr, V ТМ, I DRM ) МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ Наименование параметра Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии / Повторяющееся импульсное обратное напряжение, T j = - 60 C C Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии / Неповторяющееся импульсное обратное напряжение, T j = - 60 C C Условное Значения параметров обозначение мин. тип. макс. V DRM / V RRM V DSM / V RSM Единица измерения Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии / Повторяющийся импульсный обратный I DRM / I RRM ма ток, T j = 125 C, V D / V R = V DRM / V RRM Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, f = 50 Гц, двустороннее охлаждение Т С = 85 C Т С = 70 C I T(AV) - - Действующий прямой ток, f = 50 Гц, Т С = 70 C I TRMS Ударный ток в открытом состоянии, V R = 0, T j = 125 C, t p = 10 мс I TSM ка Защитный показатель I 2 t ка 2 c Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, V = 0,67V DRM, I T = 1000 А, I FG = 2 A, t r = 1 мкс, f = 50 Гц, T j = 125 C Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, V D = 0,67V DRM, T j = 125 C Максимальная мощность управления, постоянный ток (di T /dt) crit A/мкс (dv D /dt) crit В/мкс P GM Вт Температура перехода T j Температура хранения T stg В А C 14/04/2009 стр. 1

2 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Импульсное напряжение в открытом состоянии, I T = 1570 A, T j = 25 C Пороговое напряжение, T j = 125 C, I T = A Динамическое сопротивление, T j = 125 C, I T = A Время задержки включения, V = 0,5V DRM, I T = 500 А, I FG = 2 A, t r = 1 мкс, T j = 25 C Время выключения, I T = 500 A, di T /dt = - 5 A/мкс, V R 100 В, V D = 0,67V DRM, (dv D /dt) = 50 В/мкс, T j = 125 C Заряд обратного восстановления, di T /dt = - 5 A/мкс, T j = 125 C, I T = 500 А, V R 100 В Ток удержания, V D =12 В, T j = 25 C Ток включения, V D = 12 В, t Р = 50 мкс, T j = 25 C Отпирающее постоянное напряжение управления, V D = 12 В, T j = - 60 C T j = 25 C T j = 125 C Отпирающий постоянный ток управления, V D = 12 В, T j = - 60 C T j = 25 C T j = 125 C Неотпирающее постоянное напряжение управления, V D = 0,67V DRM, T j = 125 C Неотпирающий постоянный ток управления, V D = 0,67V DRM, T j = 125 C ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ Тепловое сопротивление переход - корпус, двустороннее охлаждение охлаждение со стороны анода охлаждение со стороны катода Тепловое сопротивление корпус - охладитель, двустороннее охлаждение одностороннее охлаждение МЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ V TM - - 1,80 V (TO) - - 1,10 r T - - 0,57 мом t d - - 3,0 t q В мкс Q rr мккл I H I L V GT - - 5,0 3,5 2,5 I GT ма В ма V GD 0,5 - - В I GD ма R thjc R thjc-a - - R thjc-k 0,0315 0,0630 0,0630 R thch - - 0,01 0,02 Масса w - 0,24 - кг Усилие сжатия F 13,5-16,5 кн Максимально допустимое постоянное ускорение (в сжатом состоянии) Расстояние по поверхности изолятора от управляющего электрода до анода Кратчайшее расстояние от управляющего электрода до анода ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ Климатическое исполнение по ГОСТ С/Вт а м/с 2 D s - 19,6 - Da - 11,7 - УХЛ2, Т2 мм 14/04/2009 стр. 2

3 Уравнение вольт-амперной характеристики в открытом состоянии V T = A + B I T + C ln(i T + 1) + D IT Справедливо для IT = А Tj = 125 ºC Tj = 25 ºC A B C D Рис. 1. Предельные вольт-амперные характеристики в открытом состоянии Аналитическая зависимость переходного теплового сопротивления переход-корпус Z thjc = n å i= 1 Ri(1 _ e -t/τ i ) i Ri,ºC/Вт 0, , , ,01787 τi,c 0,0017 0,0246 0,2356 1,3165 Рис. 2. Переходное тепловое сопротивление переход-корпус ( постоянный ток ) 14/04/2009 стр. 3

4 Позиция на рисунке 3 Рис. 3. Предельные характеристики цепи управления Скважность Длительность импульса тока управления, t p, мс Допустимая импульсная мощность управления, P GM, Вт 1 1 Постоянный ток , , ,1 75 Рис. 4. Рекомендуемая форма импульса тока управления t p (I Gon )- определяется характеристиками тиристора и режимом работы преобразователя 14/04/2009 стр. 4

5 Рис. 5. Мощность потерь в открытом состоянии (однополупериодный синусоидальный импульс) Рис. 6. Мощность потерь в открытом состоянии (прямоугольный импульс) Рис. 7. Максимально допустимая температура корпуса при различных углах проводимости и различных формах тока 14/04/2009 стр. 5

6 Рис. 8. Зависимость допустимой амплитуды ударного тока от длительности импульса (полусинусоида) Рис. 9. Зависимость допустимой амплитуды ударного тока от числа импульсов синусоидальной формы (10 мс, 50 Гц) Рис. 10. Зависимость заряда обратного восстановления от скорости спада тока Рис. 11. Зависимость тока обратного восстановления от скорости спада тока 14/04/2009 стр. 6

7 * допускается другая длина выводов УЭ и ВК по требованию потребителей Рис. 12. Габаритные и установочные размеры Россия, Мордовия, Саранск, , ул. Пролетарская, 126 Тел. +7 (8342) , , (сбыт) , (техническая поддержка) Факс: +7 (8342) (сбыт), (техническая поддержка) (техническая поддержка) (сбыт) Internet: 14/04/2009 стр. 7

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 300-1800 В I T(AV) = 100 А (T C = 85 C) I TSM = 2 кa (T j = 140 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ герметичный металлокерамический корпус низкие потери в открытом состоянии МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс V DRM /V RRM = 400-1000 В I T(AV) = 165 А (T C = 85 C) I TSM = 3,5 кa (T j = 125 C) фланцевая конструкция корпуса ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ допускают эксплуатацию в условиях центробежных и тангенциальных ускорений

Подробнее

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250 М О Д У Л И Т И Р И С Т О Р Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 250 А (T C = 85 C) I TSM = 8 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 80 А (T C = 87 C) I TSM = 1,6 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание прижимная

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ33-50, ТБ33-30, ТБ33-400, ТБ43-400, ТБ43-500, ТБ43-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-00, ÒÑ5-5, ÒÑ5-60 Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ m, m - êîíòðîëüíûå òî êè èçìåðåíèÿ èìïóëüñíîãî íàïðÿæåíèÿ â îòêðûòîì ñîñòîÿíèè; m - â îäíîé èç äâóõ òî åê; L =,0 ìì - ìèíèìàëüíîå

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÒÒ6/3-60, ÌÒÄ6/3-60, ÌÄÒ6/3-60,

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå (ÌÒÎÒÎ) ñîñòîÿò èç äâóõ îïòîòèðèñòîðíûõ ýëåìåíòîâ ñî âñòðå íî-ïàðàëëåëüíîé ñõåìîé ñîåäèíåíèÿ â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ773-2000-25

Подробнее

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Тиристор ысокая стойкость к электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Разработан для промышленного применения Средний прямой ток Повторяющееся

Подробнее

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50,

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË5350, ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53, ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË6-00, ÄË6-50, ÄË7-30, ÄË7-400 Äèîäû ëàâèííûå íèçêî àñòîòíûå ñ ãèáêèì âûâîäîì ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â âûïðÿìèòåëüíûõ óñòðîéñòâàõ, èñòî íèêàõ ïèòàíèÿ è óñòðîéñòâàõ çàùèòû îò ïåðåíàïðÿæåíèé.

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Ä3500, Ä33600, Ä43000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3500, Ä33600, Ä43000 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ ÄÈÎÄÛ Ä730, Ä7400, Ä7400Õ, Ä7500, Ä7500Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25 модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk7@tut.by tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk7@tut.by tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ Технические данные СПМ включают сведения о выпускаемых предприятием модулях и схемах их соединений. Технические данные модулей распределены по следующим основным группам:

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

ТБ , ТБ

ТБ , ТБ ТБ153-630, ТБ153-800 Тиристоры кремниевые диффузионные р

Подробнее

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin эффективное значение напряжения пробоя

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС4/4, МТСТС4/5, МПТСТС4/5

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС4/4, МТСТС4/5, МПТСТС4/5 МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС/, МТСТС/5, МПТСТС/5 Общие сведения Модули симисторные состоят из двух силовых полупроводниковых элементов тиристорных симметричных (триаков) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ М2ТКИ220017 СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30017К одиночный ключ, на основе IGBTкристаллов с вертикальным каналом (Trench Gate технология) встроенный быстродействующий диод обратного тока корпус с изолированным основанием

Подробнее

Буквенные обозначения параметров тиристоров

Буквенные обозначения параметров тиристоров Согласно ГОСТ 15133-77 переключательные полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми состояниями, имеющими три или более р-п переходов, объединяются под общим названием тиристоры. Тиристоры работают как

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ МДТКИ60017 одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин) встроенный быстродействующий

Подробнее

МДТКИ / МТКИД

МДТКИ / МТКИД МДТКИ220017 / МТКИД220017 I IGBTT моодуулии СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ с диодом чоппера в цепи коллектора (МДТКИ220017) или эмиттера (МТКИД220017) встроенный быстродействующий диод обратного тока

Подробнее

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор Назначение Тиристоры КУ405А (8А, 600В) и КУ405Б (8А, 800В) кремниевые триодные, не проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду. Предназначены

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах Дерменжи П. Г., Локтаев Ю. М., Сурма А.М., Черников А. А 2 Несмотря на значительное

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-15N 12 В 15 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при

Подробнее

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80 ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС-132-63, ТС142-80 Симметричные тиристоры (симисторы) изготовлены на основе пятислойной кремниевой

Подробнее

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-1N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля MI-HB12F-3N Информационный лист IGB модуля Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора

Подробнее

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-2N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1К-1

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1К-1 ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 Драйвер двухканальный ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления двумя IGBT (одиночными или входящими в модуль) на ток

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-1N 12 В 1 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji -го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм IGB модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB17FA-75N 17 В 75 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ мкс при 15 C o

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь ПРИБОРЫ, ПОСТАВЛЯЕМЫЕ ОАО «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» Д Л Я Н У Ж Д В П К Основные особенности силовых полупроводниковых приборов с приемкой «5»: ٠расширенный диапазон температур окружающей среды (от минус 60

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 1800 А и блокирующее

Подробнее

КУ613 симметричный триодный тиристор (триак)

КУ613 симметричный триодный тиристор (триак) КУ613 симметричный триодный тиристор (триак) Назначение Тиристоры КУ613А, КУ613Б кремниевые планарные симметричные триодные, в пластмассовом корпусе, функционирующие в трех квадрантах полярности напряжения

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGB модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-2N 12 В 2 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15 C o

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ"

модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО ЭЛЕКТРУМ АВ 01.01.01 модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ" ДИОДНЫЕ, ТИРИСТОРНЫЕ И ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ МОДУЛИ М1, М1.1, М1., М, М, М4, М4.1, М4., М4. 000 г. Орел, Наугорское шоссе, тел. (486) 44-0-44,

Подробнее

Мощные диоды и тиристоры для преобразовательной техники нового поколения

Мощные диоды и тиристоры для преобразовательной техники нового поколения Мощные диоды и тиристоры для преобразовательной техники нового поколения А.Гришанин,.Елисеев,.Мартыненко martin@moris.ru Развитие компонентной базы силовой электроники связано с увеличением преобразуемой

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-60-17-3ФП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-60-17-3ФП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 3600 А и блокирующее

Подробнее

Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов. Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс»

Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов. Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс» Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс» ВВЕДЕНИЕ Основой конструкции полупроводникового прибора является

Подробнее

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80 модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk17@tut.by tel.+375 29 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1К-3

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1К-3 ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-3ФП1К-3 Драйвер двухканальный ДРИ21-10-17-3ФП1К-3 (далее - драйвер) предназначен для управления двумя IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений ГОСТ 27264-87(СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые. Методы измерений Группа Е69 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДAPT СОЮЗА ССР Дата введения 01.01.1988 ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической

Подробнее

СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50

СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50 СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ Соединители электрические низкочастотные прямоугольные типов СНО49 (одинарные) и СНО50 (сдвоенные) внутреннего монтажа, предназначенные для работы в электрических

Подробнее

Полупроводниковый тиристор (симистор). triatron.ru. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации.

Полупроводниковый тиристор (симистор). triatron.ru. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации. ОСОБЕННОСТИ: BTA8-6B Полупроводниковый тиристор (симистор). Q технологии для повышения помехоустойчивости. Высокая возможность коммутации с максимальной защитой ложных срабатываний. Высокая устойчивость

Подробнее

МОДУЛИ СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТИПОВ: МДТО-100 МТОД-100 МТОД-125 МДТО-125 МДТО-160 МТОД-160

МОДУЛИ СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТИПОВ: МДТО-100 МТОД-100 МТОД-125 МДТО-125 МДТО-160 МТОД-160 МОДУЛИ СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТИПОВ: 100 МТТЗ-100 100 100 100 100 100 125 МТТЗ-125 125 125 125 125 125 МТТЗ- Паспорт 1. Основные технические данные и характеристики 1.1 Структура условного обозначения

Подробнее

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности:

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности: Микросхема мощного стабилизатора напряжения В/0мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE470G ф. Siemens) ILE470G (аналог TLE470G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения

Подробнее

КУ251 тиристоры кремниевые триодные (1 А, 400 В; 1 А, 600 В; 1 А, 800 В)

КУ251 тиристоры кремниевые триодные (1 А, 400 В; 1 А, 600 В; 1 А, 800 В) КУ251 тиристоры кремниевые триодные (1 А, 400 В; 1 А, 600 В; 1 А, 800 В) Назначение Незапираемые кремниевые триодные тиристоры ( проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду). Предназначены

Подробнее

ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ серии ТРМ3-Т Паспорт АЛЕИ ПC

ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ серии ТРМ3-Т Паспорт АЛЕИ ПC 07.09.2015 ТРМ3-Т_изм.2. doc 1 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ АО "ЭЛЕКТРУМ АВ" ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ серии ТРМ3-Т Паспорт АЛЕИ.435341.001 ПC Тиристорный регулятор мощности ТРМ3-Т предназначен для управления мощностью

Подробнее

Маркировка анализируемого прибора

Маркировка анализируемого прибора Анализ силового полупроводникового прибора таблеточной сборки типа Т353-800-32-82-УХЛ2 азиатского производства под маркировкой ЗАО «Протон- Электротекс» г. Орел 1. Результат осмотра внешнего вида. Был

Подробнее

ДИОДЫ СВЧ 2А551А-3 2А551Г-3

ДИОДЫ СВЧ 2А551А-3 2А551Г-3 2А551А-3 2А551Г-3 Диоды 2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3 бескорпусные кремниевые диффузионные СВЧ переключательные p-i-n предназначены для управления фазой и уровнем СВЧ сигнала. Диоды поставляют

Подробнее

U T(TO) (T c ), A( C), B ABB 5STP 06T (70) 0,99 0,5 0, ,5

U T(TO) (T c ), A( C), B ABB 5STP 06T (70) 0,99 0,5 0, ,5 модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали электронные компоненты email minsk17@tut.by tel.+375 29 758 47 80 мтс каталог описание технические характеристики datasheet

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП82А КП82Б аа. 336. 82 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП82А, КП82Б в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного

Подробнее

ИЛТ Драйвер управления тиристором

ИЛТ Драйвер управления тиристором ИЛТ Драйвер управления тиристором Схемы преобразователей на тиристорах требуют изолированного управления. Логические изоляторы потенциала типа ИЛТ совместно с диодным распределителем допускают простое

Подробнее

зависящая от нагрузки.

зависящая от нагрузки. Микросхема маломощного стабилизатора напряжения 5 В/150мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4268G ф. Siemens) ILE4268G (аналог TLE4268G ф. Siemens) - однокристальная интегральная микросхема маломощного

Подробнее

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Национальный исследовательский Томский политехнический университет Энергетический институт Кафедра: ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Тема: СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Преподаватель: доцент

Подробнее

СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПЕРЕДАЧ ПОСТОЯННОГО ТОКА

СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПЕРЕДАЧ ПОСТОЯННОГО ТОКА СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПЕРЕДАЧ ПОСТОЯННОГО ТОКА Докладчик: ГРИШАНИН АЛЕКСЕЙ, начальник отдела 8 декабря 2016 г. г. Москва Применения силовых тиристоров для преобразовательного

Подробнее

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением ILE426G (аналог TLE426G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения 5В/400 ма с низким

Подробнее

Серия 142ИМ прецизионные источники опорного напряжения

Серия 142ИМ прецизионные источники опорного напряжения Серия 142ИМ прецизионные источники опорного напряжения Назначение Микросхемы интегральные 142ЕР1УИМ, 142ЕР1ТИМ, 142ЕР2УИМ - регулируемые стабилизаторы напряжения параллельного типа, предназначенные для

Подробнее

Соединители электрические низкочастотные прямоугольные для печатного монтажа СНП381 ЦСНК ТУ

Соединители электрические низкочастотные прямоугольные для печатного монтажа СНП381 ЦСНК ТУ Соединители электрические низкочастотные прямоугольные для печатного монтажа ЦСНК.430421.013 ТУ Тип соединителя: соединители электрические низкочастотные прямоугольные, предназначенные для работы в электрических

Подробнее

К1482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий

К1482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий К482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий Назначение Интегральное однокристальное устройство, включающее транзисторные, тиристорные и диодные элементы. Микросхема

Подробнее

ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ ТРМ3-Т

ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ ТРМ3-Т ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ ТРМ3-Т ООО «Автоматика-НН» г.нижний Новгород. СОДЕРЖАНИЕ 2 1. НАЗНАЧЕНИЕ И ФУНКЦИИ... 3 2. ВЫПУСКАЕМЫЕ ТРМ... 3 3. ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ ТРМ... 4 4. ОСНОВНЫЕ И ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

Силовые полупроводниковые модули. Общие сведения. Назначение и область применения

Силовые полупроводниковые модули. Общие сведения. Назначение и область применения Общие сведения Назначение и область применения Модули представляют собой два полупроводниковых элемента, соединенных последовательно с выводом средней точки, в одном корпусе. В зависимости от набора составляющих

Подробнее

Управляемые выпрямители большой

Управляемые выпрямители большой силовая электроника 79 Оптронные тиристоры в управляемых выпрямителях большой мощности Евгений Силкин, к. т. н. elsi-mail@ya.ru При использовании силовых оптронных тиристоров в выпрямителях не снижаются

Подробнее

Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. Технические условия ОЖО ТУ.

Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. Технические условия ОЖО ТУ. Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. 1 Технические условия ОЖО.467.563 ТУ. 1 Основные параметры Постоянные прецизионные защищенные изолированные металлофольговые резисторы Р2-67 предназначены для

Подробнее

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ ДИОДЫ СВЧ 2А542А1 Диоды 2А542А1 полупроводниковые СВЧ, кремниевые эпитаксиальные переключательные в металлокерамическом корпусе предназначены для работы в коммутационных устройствах СВЧ диапазона волн

Подробнее

КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б

КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б ФГУП "Саранский завод точных приборов" 430003 Россия Республика Мордовия г. Саранск ул. Рабочая 111 т./ф.(8-8342) 24-24-90 24-43-86 E-mail: sztp@saransk-com.ru sztp@moris.ru КД510А КД521А КД521В КД522Б

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ. В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д.

ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ. В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д. УДК 543.836.3 1 ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д. Чумаков ОАО «Электровыпрямитель», г. Саранск E-mail:

Подробнее

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш П209, П209А, П210, П210А,, П210Ш Транзисторы большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в аппаратуре в режимах усиления и переключения мощности. Транзисторы конструктивно

Подробнее

Лабораторная работа 3 ДИОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ U, B 0,5. Рис. 3.1

Лабораторная работа 3 ДИОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ U, B 0,5. Рис. 3.1 Лабораторная работа 3 ДИОДЫ Цель работы - изучение принципов построения и основных характеристик выпрямителей сигналов, одно и двусторонних ограничителей на диодах. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ I Диод 0,5 U,

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП81А КП81Б КП81В КП81Г аа. 336. 64 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП81А, КП81Б, КП81В, КП81Г в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в выходных

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

ILA6107Q ТРЕХКАНАЛЬНЫЙ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЬ

ILA6107Q ТРЕХКАНАЛЬНЫЙ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЬ ТРЕХКАНАЛЬНЫЙ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЬ БиКДМОП ТЕХНОЛОГИЯ ILA6107Q включает в себя три видеоусилителя в 9-ти выводном пластмассовом корпусе типа 1506Ю.9-А ГОСТ 17467-88 с двухрядной формовкой выводов по типу SOT111-1

Подробнее

I К max. I К И max. Р К мах

I К max. I К И max. Р К мах Биполярные транзисторы с приемкой «5» Наимен. Максимально допустимые параметры V КЭ огр V КБО проб I К max I К И max Р К мах Основные электрические параметры h 21Э U КЭ max t рас t сп B B А А Вт ед. B

Подробнее

ГОСТ Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия.

ГОСТ Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия. ГОСТ 30617-98. Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия. Дата введения 1 июля 2002 г. Взамен ГОСТ 20859.1-89 в части модулей 1 Область применения Настоящий стандарт распространяется

Подробнее

2ДШ2121АС/ИМ кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки

2ДШ2121АС/ИМ кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки 2ДШ2121АС/ИМ кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки Назначение Диодная сборка двух кремниевых эпитаксиально планарных кристаллов диодов с барьером Шоттки с общим катодом. Предназначена

Подробнее

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э Общие данные Германиевые плоскостные (сплавные) p-n-p транзисторы. Основные области применения - усилители мощности низкой частоты (0,5 10 вт), преобразователи

Подробнее

Элемент ограничения напряжения Модуль «ЭОН»

Элемент ограничения напряжения Модуль «ЭОН» Элемент ограничения напряжения Модуль «ЭОН» Описание Модули ЭОН высокоэнергетические варисторные элементы ограничения импульсов перенапряжения в сетях электроснабжения. Модули ЭОН обладают высокой взрыво-

Подробнее

Мощные тиристоры с прямым управлением светом

Мощные тиристоры с прямым управлением светом Мощные тиристоры с прямым управлением светом и лазерные волоконно-оптические модули управления для высоковольтных применений Представлены результаты разработки серии высоковольтных тиристоров, управляемых

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 в металлокерамическом корпусе КТ-19А-3 с планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры,

Подробнее

Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71

Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71 Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71 (495) 995-58-75, (812) 448-08-75 www.elektromark.ru, elektromark@elektromark.ru Реле времени ВЛ-70, ВЛ-71 предназначены для коммутации электрических цепей с определенными,

Подробнее

Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon)

Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) ILE4275G ОПИСАНИЕ Микросхема ILE4275G - интегральная микросхема мощного

Подробнее

Резисторы постоянные высокочастотные тонкоплёночные С2-10.

Резисторы постоянные высокочастотные тонкоплёночные С2-10. Резисторы постоянные высокочастотные тонкоплёночные С2-10. Постоянные непроволочные неизолированные резисторы С2-10 предназначены для работы в электрических цепях высокочастотной и импульсной аппаратуры.

Подробнее

elektroservice.com.ua

elektroservice.com.ua Реле открытое РЕЛЕ МКУ 48 Реле в кожухе Реле МКУ 48-С, МКУ 48-Т слаботочное электромагнитное с замыкающими, размыкающими и переключающими контактами предназначено для коммутации электрических цепей постоянного

Подробнее