Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Изучение характеристик электронно-дырочного перехода"

Транскрипт

1 Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной характеристики плоскостного перехода Переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность -типа, а другая -типа, называется электронно-дырочным ( или ) переходом. Переход, линейные размеры которого, определяющие его рабочую площадь, значительно больше его толщины, называется плоскостным. Рассмотрим процесс установления термодинамического равновесия в несимметричном -переходе с резким изменением типа проводимости на границе. Обозначим концентрацию электронов в электронной области как, дырок в дырочной области как (основные носители заряда), электронов в дырочной области, дырок в электронной области (неосновные носители), толщину переходной области d, площадь -перехода S. В невырожденных, но достаточно легированных полупроводниках концентрации электронов и дырок велики по сравнению с собственной концентрацией носителей заряда i : где N d и >> i, >> i, N d >> i, N a >> i, Na - концентрации доноров и акцепторов соответственно. Так как >>, то возникает градиент концентрации и диффузия электронов в -область, создающая диффузионный ток

2 d I = DS, (1) dx где D - коэффициент диффузии электронов. Ось x направлена в сторону убывания концентрации электронов. Аналогично диффузионный ток, обусловленный диффузией дырок в -область, равен I d = D S, (2) dx где D - коэффициент диффузии дырок. В результате диффузии электронов и дырок в -области у границы перехода на расстоянии d остаются нескомпенсированные ионизированные доноры и неравновесные дырки (рис.1), Поэтому - область у границы перехода заряжается положительно. В -области у границы перехода на расстоянии d остаются нескомпенсированные ионизированные акцепторы и неравновесные электроны и границы перехода заряжается отрицательно. -область у x d d Vk d Рисунок 1 Ширина перехода равна d = d + d. При этом в области - перехода возникает двойной электрический слой (потенциальный барьер) и электрическое поле этих зарядов препятствует диффузионному переходу основных носителей. Это поле приводит к появлению дрейфового тока неосновных носителей из -области в -область

3 и из -области в -область I I = vs = E S (3) µ = v S = E S, (4) µ где E - напряженность поля в -переходе, µ, µ - подвижности электронов и дырок соответственно; v v - дрейфовые скорости электронов и дырок. В установившемся динамическом равновесии, когда уровни Ферми в - и -областях выравниваются (рис.2), общий ток через -переход равен нулю:, I I + I I = 0 ; I = I ; I = I. (5) Обратим внимание на то, что потенциал у границы -области повышается, а потенциал у границы -области снижается. Однако в области, где потенциал отрицательный ( Vk ), энергия электронов повышается на величину )( V k ) = V (рис.3). ( k Vk Vk Vk F F P d P 0 0 Рисунок 2 Рисунок 3 Контактная разность потенциалов равна V k = Ed ; с другой стороны, она равна Vk = ( F F), где F и F - энергии Ферми в - и - областях полупроводника, E - напряженность контактного поля. Концентрация электронов в -области равна c F kt = N, (6)

4 где N c 3 2(2π m kt ) 2 =. 3 h Концентрация электронов в -области равна Из (6) и (7) следует c F kt = N. (7) V kt = k. (8) В состоянии термодинамического равновесия из (1) и (3) с учетом равенства (5) следует vs d = D S. (9) dx Разделяя переменные, получаем d v = dx. D Интегрируем полученное выражение: d d v v = dx, откуда d l =. D 0 D Потенцируя, имеем следующее выражение: v d D =. (10) Заменяя v = µ E, получаем Ed D =. (10 ) µ Из (8) и (10 ) следует Заменим Ed = Vk. Тогда V k µ Ed =. kt D

5 D µ kt =. (11) Это выражение называется соотношением Эйнштейна для электронов. Аналогично получаем соотношение Эйнштейна для коэффициента диффузии дырок: µ kt D =. (12) Из (11) и (12) видно, что коэффициенты диффузии электронов и дырок зависят от подвижностей µ, и температуры T. µ Если к -переходу приложить внешнее напряжение V, то величина потенциального барьера для основных носителей заряда изменится. Для неосновных носителей заряда ( и ) барьера нет, поэтому величины токов этих носителей при приложении напряжения не изменяются и равны величинам токов равновесных неосновных носителей, определяемых выражениями (3), (4), (5). При приложении к -переходу внешней разности потенциалов в прямом (пропускном) направлении (рис.4) происходит инжекция электронов в -область, дырок в -область, а высота потенциального барьера уменьшается на V. - + (Vk-V) d F V F Рисунок 4 Соотношение между концентрациями основных и неосновных носителей (см.(8)) изменяется следующим образом:

6 ' ( V V ) kt = k. (13) Преобразуем (13): V kt ' =, (14) где - равновесная концентрация электронов в -области. Из (14) видно, что появляется избыточная концентрация электронов на границе -области: V kt = ' = ( 1). (15) Избыточные электроны диффундируют в глубь -области и постоянно рекомбинируют с дырками. Появляется электрический ток через - переход I L = S, (16) τ где L - средняя длина пробега электронов в глубь полупроводника за время τ, называемая диффузионной длиной электрона; τ =L 2 D - время жизни электрона в -области (см [3]). Аналогичные рассуждения показывают, что появляется также дырочный ток через - переход I L = S, (17) τ где L - диффузионная длина дырок, D τ = L 2 - время жизни дырки в -области, V kt = ( 1). (18) Из (15), (16), (17) получаем прямой ток через -переход

7 D D V kt I прям = ( + ) S( 1). (19) L L Для обратного тока через -переход при отрицательном запорном напряжении на -переходе получается выражение D D V kt I обр = ( + ) S( 1). (20) L L Общее выражение для уравнения вольт-амперной характеристики диффузионного тонкого -перехода ± V kt I = I s ( 1), (21) где D D I s = ( + ) S ; L L I s - обратный ток насыщения, обусловленный неосновными носителями заряда. Описание экспериментальной установки. Для снятия статической вольт-амперной характеристики диффузионного - перехода используются две схемы. Принципиальная схема для исследования прямой ветви вольт-амперной характеристики - перехода показана на рис.5. ma Диод E - + R mv Термостат Рисунок 5

8 Принципиальная схема исследования обратной ветви вольт-амперной характеристики - перехода показана на рис.6. ma E - + R V Рисунок 6 При исследовании характеристик - перехода не следует превышать: 1) максимальное значение прямого тока; 2) максимальное значение обратного тока; 3) максимальную температуру термостата (максимальная температура для германиевых диодов +70 C, для кремниевых диодов +125 С. Задание к работе 1. Снять вольт-амперную характеристику - перехода при комнатной температуре. 2. Исследовать зависимость прямого и обратного тока через - переход от температуры. При этом необходимо следить за тем, чтобы прямое и обратное напряжения были постоянными. Установив некоторую температуру, производите измерение прямого и обратного токов, поочередно включая схему (рис.1) и схему (рис.2) с помощью переключателя. (Переключатель на схемах не показан.) 3. Построить вольт-амперную характеристику - перехода при комнатной температуре. 4. Построить графики зависимости прямого и обратного токов от температуры. 5. Объяснить зависимости токов через - переход от напряжения и температуры.

9 Контрольные вопросы 1. Постройте энергетическую диаграмму - перехода при напряжениях на - переходе: V = 0, V > 0, V < Получите соотношение Эйнштейна. 3. Объясните зависимость коэффициента диффузии от температуры. 4. Какие заряды образуют двойной электрический слой в - переходе? 5. Какие носители заряда называются основными и неосновными? 6. Что такое прямое и обратное включение диода? 7. Объясните появление избыточной концентрации носителей заряда при прямом включении диода. 8. Дайте краткую характеристику следующим процессам: генерации, диффузии, инжекции, дрейфу и рекомбинаций носителей заряда. 9. Какими носителями заряда обусловлен обратный ток через - переход? 10. Зная зависимость избыточной концентрации от прямого напряжения, получите зависимость прямого тока от напряжения. 11. Объясните зависимость обратного тока от напряжения на - переходе и температуры диода. 12. Объясните зависимость прямого тока от температуры при V < E 0 / и при V > E 0 / ( E 0 - ширина запрещенной зоны полупроводника). Литература 1. Савельев И.В. Курс общей физики. М.: Наука, 1989, - Т.3. 45, 1982, Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, , Корнилович А.А. Физика в примерах. Учебное пособие НГТУ, Новосибирск, 1994, гл. 17.

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник»

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник» Лабораторная работа 4 «онтакт металл полупроводник» Цель работы: определение контактной разности потенциалов контакта металл-полупроводник. онтактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда

Подробнее

Краткая теория р-п-перехода

Краткая теория р-п-перехода МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ Кафедра «Физические основы электронной техники» Краткая теория р-п-перехода Методические указания

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В p-n-переходе

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В p-n-переходе МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) А.П. Лысенко ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В -n-переходе Рекомендовано

Подробнее

На этом рисунке приняты следующие обозначения:

На этом рисунке приняты следующие обозначения: Полупроводники Полупроводники вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (6 4 - - - - - - Ом см и диэлектриков ( Ом см.

Подробнее

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Лабораторная работа 2.19. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: знакомство с основами природы электропроводности полупроводников и механизмами возникновения в них электрического тока; знакомство

Подробнее

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений.

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений. Комплексные токи и напряжения. Комплексные токи и напряжения вводят для рассмотрения гармонически изменяющихся токов и напряжений. Комплексные токи и напряжения позволяют заменить дифференциальные уравнения

Подробнее

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода»

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода» Государственное образовательное учреждение Московский государственный технологический университет «СТАНКИН» Кафедра физики Лабораторная работа «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

Полупроводниковые приборы и устройства

Полупроводниковые приборы и устройства ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Белгородский государственный технологический университет им. В. Г. Шухова Д. В. Величко, В. Г. Рубанов Полупроводниковые приборы и устройства УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ БЕЛГОРОД

Подробнее

концентрации газа свободных электронов

концентрации газа свободных электронов КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ: ТЕРМОЭМИСИЯ, ТЕРМО-ЭДС, ЭФФЕКТ ПЕЛЬТЬЕ. К термоэлектрическим явлениям относят явления, происходящие в области перехода между частями твердого

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ Кафедра электроники и микроэлектронных

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА. Основные допущения модели идеального р-n перехода. Формирование. Диффузионно-дрейфовое равновесие.

СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА. Основные допущения модели идеального р-n перехода. Формирование. Диффузионно-дрейфовое равновесие. Материалы лекции В.Г. Шинкаренко. 1/11 уч. год. -1- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА. Основные допущения модели идеального р- перехода 1. Генерация и рекомбинация СНЗ в ОПЗ отсутствует..уровень инжекции

Подробнее

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Ю. В. МУТОВИН ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ПРАКТИКУМ

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Конспект лекций

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Конспект лекций МИНОБРНАУКИ РОССИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Томский политехнический университет» (УГТУ) А. В. Глазачѐв, В. П. Петрович ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ ПАРФЕНОВ В.В., ЗАКИРОВ Р.Х., БОЛТАКОВА Н.В. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ методическое пособие к практикуму по физике твердого тела Казань

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Изучение некоторых закономерностей внутреннего фотоэффекта в полупроводниках

Изучение некоторых закономерностей внутреннего фотоэффекта в полупроводниках ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра «Общая физика и физика нефтегазового производства»

Подробнее

Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана. И.Н.Фетисов ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана. И.Н.Фетисов ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА 1 Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана И.Н.Фетисов ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Методические указания к лабораторной работе Ф-2а по курсу общей физики. Под редакцией

Подробнее

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента.

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента. Цель работы: Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента 1 Изучить устройство и принцип действия солнечных элементов 2 Экспериментально построить вольтамперную и нагрузочную характеристики

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ Этот файл загружен с сайта кафедры ФОЭТ http://foet.miem.edu.ru Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на e-mail serj@foet.miem.edu.ru PDF-версия от 6 апреля 27 г. МИНИСТЕРСТВО

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ТЭДС (термо ЭДС) Теоретическая часть

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ТЭДС (термо ЭДС) Теоретическая часть ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ТЭДС (термо ЭДС) Теоретическая часть Явлением термоэлектродвижущей силы (ТЭДС или термо-эдс) называется возникновение разности потенциалов на концах однородного или

Подробнее

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка Полупроводниковые диоды. План. 1. Классификация, условное графическое обозначение, маркировка. 2. Основные параметры диодов. 3. Выпрямительные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 4. Высокочастотные

Подробнее

Тырышкин Игорь Сергеевич. ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие

Тырышкин Игорь Сергеевич. ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Новосибирский государственный технический университет Кафедра Теоретические основы радиотехники Тырышкин Игорь Сергеевич ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Аннотация Кратко изложены основные

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА Методические указания к лабораторной

Подробнее

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: 1. Ознакомиться с внутренней ионизацией полупроводников под действием света на примере работы полупроводниковых фотоприемников. 2. Построить спектральную

Подробнее

СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА. Основные допущения модели идеального р-n перехода. Формирование. Диффузионно-дрейфовое равновесие.

СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА. Основные допущения модели идеального р-n перехода. Формирование. Диффузионно-дрейфовое равновесие. Материалы лекции В.Г. Шинкаренко. 1/11 уч. год. -1- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА. Основные допущения модели идеального р- перехода 1. Генерация и рекомбинация СНЗ в ОПЗ отсутствует..уровень инжекции

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

Б.Н.МИТЯШЕВ. Электронные приборы

Б.Н.МИТЯШЕВ. Электронные приборы Б.Н.МИТЯШЕВ Электронные приборы Содержание Введение... 1 Глава 1. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ... 3 1.1. Проводимость беспримесных полупроводниковых кристаллов... 3 1.. Донорные и акцепторные примеси...

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Лабораторная работа 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Цель работы Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ В ПОЛУ- ПРОВОДНИКЕ

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ В ПОЛУ- ПРОВОДНИКЕ Лабораторная работа 5 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ В ПОЛУ- ПРОВОДНИКЕ Цель работы: определение ширины запрещенной зоны в полупроводнике по температурной зависимости электропроводности и постоянной

Подробнее

Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА

Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Лабораторная работа. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Кинетические эффекты, имеющие место при одновременном воздействии на носители заряда электрического E и магнитного Н полей, называются

Подробнее

Электроника, микроэлектроника и автоматика

Электроника, микроэлектроника и автоматика С.Д. Дунаев Электроника, микроэлектроника и автоматика Утверждено Департаментов кадров и учебных заведений МПС России в качестве учебника для студентов техникумов и колледжей железнодорожного транспорта

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

I.ЦЕЛЬ РАБОТЫ II.ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

I.ЦЕЛЬ РАБОТЫ II.ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ I.ЦЕЛЬ РАБОТЫ Знакомство с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучение статических характеристик транзистора и ознакомление с транзистором как усилительным прибором. II.ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Лабораторная работа 2 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

Лабораторная работа 2 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Цель работы: ознакомление с электрическими методами определения ширины запрещенной зоны полупроводников, измерение ее по температурной

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ

Подробнее

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru Полупроводники Темы кодификатора ЕГЭ: полупроводники, собственная и примесная проводимость полупроводников. До сих пор, говоря о способности веществ проводить

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм

ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Учебно-методическое

Подробнее

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ 5 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 6 1.1. Энергетические уровни и зоны 6 1.2. Проводники, полупроводники и диэлектрики 6 1.3. Собственная электропроводность полупроводников

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

Глава 2. КОНТАКТЫ МЕТАЛЛ ПОЛУПРОВОДНИК Свойства контакта металл полупроводник

Глава 2. КОНТАКТЫ МЕТАЛЛ ПОЛУПРОВОДНИК Свойства контакта металл полупроводник Глава 2. КОНТАКТЫ МЕТАЛЛПОЛУПРОВОДНИК Первыми полупроводниковыми приборами в радиоэлектронике были детекторы, конструктивной основой которых является контакт металлической иглы из фосфористой бронзы и

Подробнее

РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НЕФТИ И ГАЗА имени И.М. ГУБКИНА

РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НЕФТИ И ГАЗА имени И.М. ГУБКИНА Министерство образования и науки Российской Федерации РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НЕФТИ И ГАЗА имени И.М. ГУБКИНА Кафедра теоретической электротехники и электрификации нефтяной и газовой промышленности

Подробнее

I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Все задачи общей части оцениваются из 8 баллов. Задача 1. Найти показания вольтметра. Ответ объяснить.

I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Все задачи общей части оцениваются из 8 баллов. Задача 1. Найти показания вольтметра. Ответ объяснить. Олимпиада для студентов и выпускников вузов 04 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инженеринг в микро и наноэлектронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» «Прикладная физика»

Подробнее

ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПРИМЕСНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ

ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПРИМЕСНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2.03 ЭФФЕКТ ХОЛЛА В ПРИМЕСНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЦЕЛИ РАБОТЫ 1. Измерение вольт - амперной характеристики (ВАХ) полупроводникового образца с примесной проводимостью 2. Измерение зависимости

Подробнее

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» Б1.В.ДВ.1-3. Специальность «Физика и астрономия»

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ «ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА» Б1.В.ДВ.1-3. Специальность «Физика и астрономия» Российская академия наук Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН) УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Иркутский государственный университет» Физический

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И ОСНОВЫ МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ

ЭЛЕКТРОНИКА И ОСНОВЫ МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Оренбургский государственный университет» Кафедра промышленной электроники

Подробнее

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 2.1. Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников Полупроводники по величине удельного электрического сопротивления занимают промежуточное место

Подробнее

Твердотельная электроника

Твердотельная электроника Министерство образования и науки Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Петрозаводский государственный университет» Научно-образовательный

Подробнее

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Лабораторная работа.8. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Цель работы: построение и изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока насыщения

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ (ТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

Лабораторная работа 3. Примесная электропроводность

Лабораторная работа 3. Примесная электропроводность Лабораторная работа 3 Измерения электрофизических параметров полупроводника Цель работы определить тип проводимости, удельного электрического сопротивления (УЭС), подвижности и времени жизни носителей

Подробнее

Исследование полевых транзисторов

Исследование полевых транзисторов Министерство общего и профессионального образования Российской федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Подробнее

ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия

ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА СВЕТОДИОДОВ Черепанов Е.В. Новосибирский Государственный Университет Экономики и Управления Новосибирск, Россия CURRENT - VOLTAGE CHARACTERISTIC OF LEDS Cherepanov E.V.

Подробнее

Гетеропереходы оксид p -InSe на ориентированной 110 подложке кристалла

Гетеропереходы оксид p -InSe на ориентированной 110 подложке кристалла 26 мая 06.1;06.2 Гетеропереходы оксид p-inse на ориентированной (110) подложке кристалла В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Т.В. Беца, В.М. Каминский, В.В. Нетяга Институт проблем материаловедения НАН Украины,

Подробнее

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения

Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения Проводники, диэлектрики, полупроводники: физические явления, свойства, состав, классификация, области применения www.themegallery.com Тушминцева С.И. План: I. Понятие электроники II. Классификация веществ.

Подробнее

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские ВВЕДЕНИЕ Область профессиональной деятельности выпускника по специальности 10106 «Промышленная электроника» включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной

Подробнее

Лабораторный практикум по общей физике (электричество и магнетизм)

Лабораторный практикум по общей физике (электричество и магнетизм) Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Лабораторный практикум по общей физике (электричество и магнетизм) С.А. Киров, С.В. Колесников, А.М.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: а) ознакомление с явлениями фото- и электролюминесценции в полупроводниках; б) воздействие спектральных характеристик

Подробнее

Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург:

Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург: Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург: http://audto-um.u, 013 3.1 ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ 3.1.1 Электризация тел Электрический

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ДИОДА С p-n-переходом

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ДИОДА С p-n-переходом МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский государственный институт электроники

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Факультет радиотехники и электроники УТВЕРЖДАЮ

Подробнее

Оглавление Введение 4 1. Лавинный пробой Вольт-амперная характеристика р-п-перехода в области лавинного пробоя

Оглавление Введение 4 1. Лавинный пробой Вольт-амперная характеристика р-п-перехода в области лавинного пробоя 3 Оглавление Введение 4 1. Лавинный пробой 5 1.1. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода в области лавинного пробоя 19 1.2. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя 19 2. Лавинный пробой

Подробнее

2. Полупроводниковые приборы.

2. Полупроводниковые приборы. 1 2. Полупроводниковые приборы...1 2.1. Основные свойства полупроводников...1 2.2. Примесные полупроводники...3 2.3. P-n переход...5 2.4. Типы диодов...8 2.5. Биполярные транзисторы...13 2.6. Характеристики

Подробнее

1. Общие сведения о полупроводниках

1. Общие сведения о полупроводниках Тема 14. Полупроводниковые приборы. 1. Общие сведения о полупроводниках Полупроводниками называют вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов

Подробнее

Составитель: Н.Н. Муравлева

Составитель: Н.Н. Муравлева ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Методические указания к самостоятельной виртуальной практической работе по дисциплине «Электротехника и электроника» для студентов всех

Подробнее

Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы

Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы по направлению «Наноэлектроника и наномагнетизм, компонентная база и устройства. Физические принципы. Применяемые

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Литневский Л. А.

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Литневский Л. А. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ 2006 Литневский Л. А. Физические Основы Электроники Явления Лекция 4. Переноса http://webcenter.ru/~litnevsk 2 Содержание Введение 1. Кинематические характеристики молекулярного

Подробнее

Измерение температуры полупроводниковыми термометрами

Измерение температуры полупроводниковыми термометрами Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Булкин П.С., Васильева О.Н., Киров С.А., Малова Т.И. Лабораторный практикум по молекулярной физике Измерение

Подробнее

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ

УДК НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ 1 УДК 621.382.22 НАПРЯЖЕНИЕ ПРОБОЯ ДИОДА ШОТТКИ НА 4H-SIC С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ ИЗ АЛЮМИНИЯ Сурин Б. П., Калабаев И. С. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.П.Огарева», г. Саранск Тел.:

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ МПД-СТРУКТУР МЕТОДОМ ВОЛЬТФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

ИЗУЧЕНИЕ МПД-СТРУКТУР МЕТОДОМ ВОЛЬТФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального «Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева»

Подробнее

1. Гидродинамические модели потоков неравновесной плазмы в каналах с электрическим током

1. Гидродинамические модели потоков неравновесной плазмы в каналах с электрическим током Лекция 2. 1. Гидродинамические модели потоков неравновесной плазмы в каналах с электрическим током Полная система гидродинамических уравнений для потоков термически неравновесной плазмы в каналах с электрическим

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.16

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.16 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.6 ИЗУЧЕНИЕ ЭФФЕКТА ХОЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Цель работы: исследование зависимости ЭДС Холла в полупроводниках от индукции магнитного поля. Определение концентрации и подвижности основных

Подробнее

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности К.В.Шалимова ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний

Подробнее

Рассмотрим первоначально контакт металла с n-полупроводником, у которых уровни электрохимических потенциалов не совпадают,

Рассмотрим первоначально контакт металла с n-полупроводником, у которых уровни электрохимических потенциалов не совпадают, 3.16. Контакт металл - полупроводник 187 Рассмотрим первоначально контакт металла с n-полупроводником, у которых уровни электрохимических потенциалов не совпадают, µ эм < µ эп (рис. 3.16.1). y металл п/п

Подробнее

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон Содержание: 1. Происхождение энергетических зон в кристаллах 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон 4. Полупроводники с точки зрения зонной теории

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В МИКРОПЛАЗМЕННЫХ КАНАЛАХ КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ Ионычев В.К., Ребров А.Н. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск Тел.

Подробнее

ee m 2 ρ 2 2m U R x = R A. (5) I

ee m 2 ρ 2 2m U R x = R A. (5) I Методические указания к выполнению лабораторной работы.1.7 ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ МЕТАЛЛОВ Аникин А.И., Фролова Л.Н. Электрическое сопротивление металлов: Методические указания к выполнению лабораторной

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ Выполнил: Проверил: студент

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ ГОСУТАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ Редько Р.А., Горыня Л.М., Кременецкая Я.А. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ Издание Часть ІІ Семестр Киев 04 Утверждено

Подробнее

Две области с разным типом легирования - n-область (концентрация доноров N d ) и p-область (концентрация акцепторов N a ) (Ge при 300K) имеем np

Две области с разным типом легирования - n-область (концентрация доноров N d ) и p-область (концентрация акцепторов N a ) (Ge при 300K) имеем np Электронно-дырочный переход (p-n-переход) Две области с разным типом легирования - n-область (концентрация доноров N d ) и p-область (концентрация акцепторов N a ) Концентрации основных носителей электронов

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ТЕРМОЭЛЕКТРОДВИЖУЩЕЙ СИЛЫ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ТЕРМОЭЛЕКТРОДВИЖУЩЕЙ СИЛЫ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ОПРЕДЕЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЙ ТЕРМОЭЛЕКТРОДВИЖУЩЕЙ СИЛЫ МЕТОДИЧЕСКИЕ

Подробнее

М.А. Бутюгин, С.М. Новиков. ПОСОБИЕ к выполнению лабораторной работы КС 5 по курсу физики «ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ ИЗ МЕТАЛЛОВ»

М.А. Бутюгин, С.М. Новиков. ПОСОБИЕ к выполнению лабораторной работы КС 5 по курсу физики «ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ ИЗ МЕТАЛЛОВ» ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ

Подробнее

Глава 1 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1.1. Энергетические зоны. Электронные состояния атомов и твёрдых тел

Глава 1 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1.1. Энергетические зоны. Электронные состояния атомов и твёрдых тел ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ............ 6 Список общих обозначений и сокращений.... 8 Глава 1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ.. 1 1.1. Энергетические зоны........ 1 Электронные состояния атомов и твёрдых

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАФЕДРА ФИЗИКИ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАФЕДРА ФИЗИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА ФИЗИКИ Лабораторная работа 38 по разделу Электричество, постоянный ток и магнетизм Исследование униполярной

Подробнее

Лекции по общей физике Факультет политологии МГУ имени М.В. Ломоносова ЭЛЕКТРИЧЕСТВО

Лекции по общей физике Факультет политологии МГУ имени М.В. Ломоносова ЭЛЕКТРИЧЕСТВО Лекции по общей физике Факультет политологии МГУ имени М.В. Ломоносова ЭЛЕКТРИЧЕСТВО Электрический заряд Электрическим зарядом называется физическая величина, характеризующая свойство тел или частиц вступать

Подробнее

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Составитель: Н.Н. Муравлева

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Составитель: Н.Н. Муравлева МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования «Томский государственный архитектурно-строительный университет» (ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Подробнее