информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г"

Транскрипт

1 Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тихоокеанский государственный университет Институт информационных технологий Кафедра вычислительной техники СОГЛАСОВАНО Директор Института информационных технологий УТВЕРЖДАЮ Начальник учебно-методического управления Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 009г. 009г РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине Физические основы Электроники Специальность 00 Многоканальные телекоммуникационные системы Отчетность Часов занятий Учебный план специальности (направления) заданной траектории Сам раб на сес. МТС

2 Рабочая программа составлена в соответствии с содержанием и требованиями Государственных образовательных стандартов и утвержденной программой дисциплины Дата утверждения Рабочую программу составил Зелев Л.В. подпись ф.и.о. автора Рабочая программа обсуждена на заседании кафедры, Протокол от < > 009г. Заведующий кафедрой < > Сай С.В. 009г. подпись Одобрено Учебно -_методической комиссией протокол от < > сентября 009г. Председатель УМКС < > сентября 009г. подпись

3 .Тематический план лекционных занятий Наименование тем лекционных занятий Количество п/п часов Введение. Смысл термина электроника. Области электроники. Цели и задачи дисциплины Введение в физику полупроводников.. Зонная модель твердых тел. Классификация твердых тел (металлы, полупроводники, диэлектрики). Кристаллическая решетка полупроводников. Собственный полупроводник. Энергетическая (зонная) диаграмма собственного полупроводника. Примесные полупроводники. Доноры и акцепторы. Проводимости п-н р-типа. Зонные диаграммы, уровни доноров и акцепторов. Компенсированные полупроводники. Концентрация носителей заряда в полупроводниках. Генерация и рекомбинация носителей. Условие электрической нейтральности. Уровень Ферми. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации примесей, температуры полупроводника. Вырожденные полупроводники. Время жизни неравновесных носителей. Механизмы рекомбинации. Эффективное время жизни. Кинетика носителей заряда в полупроводниках и токи. Движение носителей в электрическом поле. Дрейфовая скорость, подвижность, плотность дрейфового тока. Эффективная масса. Коэффициент диффузии. Физические процессы при контакте полупроводник. Разновидность контактов в полупроводниковой электроники. Зонные диаграммы. Работа выхода и контактная разность потенциалов. ВАХ. Условие получения омического контакта. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Контактная разность потенциалов в зависимости от ширины запрещенной зоны, концентрации примесей и температуры. Ширина обедненной области. Неравновесное состояние p-n перехода. Прямое и обратное включение. ВАХ идеализированного перехода и его уравнение. Зависимость ВАХ от концентрации примесей и температуры. Параметры p-n перехода и его электрическая модель. Дифференциальное сопротивление. Барьерная и диффузионная емкость. Вольт-фарадная характеристика p-n перехода. Инерционность процессов в p-n переходе. Отличие реальных электронно дырочных переходов от идеализированных. Учет генерации и рекомбинации носителей заряда в обедненной области перехода, учет лавинного, туннельного и теплового пробоев при обратном включении перехода. Физические процессы при контакте полупроводников с различной шириной запрещенной зоны (гетеропереходы). Зонные диаграммы. Физические процессы в структуре с двумя взаимодействующими переходами на основе биполярного транзистора. Схемы включения с общей фазой, общим эмиттером и общим коллектором. Физические процессы при прямом включении эмиттерного и обратном включении коллекторного переходов. Движение носителей заряда через переходы в базовую область, коэффициенты инъекции, переноса, лавинного умножения. Диффузионные и дрейфовые составляющие токов. 3

4 0 3 5 Физические процессы в структуре металл-диэлектрикполупроводник (МДП-структура). Зонные диаграммы в состоянии термодинамического равновесия, возможности инверсии типа проводимости полупроводника. Емкость МДП структуры. Физические основы управления током в приборах с МДПструктурой. МДП - транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. Параметры и идеализированные статистические характеристики. Физические основы управления током канала с помощью управляющего электрического перехода. Идеализированные статические характеристики и параметры структур. Фотоэлектрические и пьезоэлектрические явления в полупроводниках. Фотопроводимость. Фотодетекторный режим. Фотоэдс. Понятие о пьезоэлектрическом эффекте в полупроводниках. Термоэлектрические и гальваномагнитные явления в полупроводниках. Эффекты Зеебека, Пельтье, Томсона, эффекта Холла и магниторезестивного эффекта. Физические основы электровакуумного и газоразрядных приборов. Основы эмиссионной электроники. Принцип электростатического управления плотностью электронного потока. Физические процессы в газоразрядных приборах.

5 п/п 3 5. Тематический план практических занятий. Наименование тем практических занятий Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Концентрация электронов в собственном полупроводнике при Т=00к равна,38*0 3 3 см. Найти значение произведения эффективных масс электрона и дырки, если известно, что ширина запрещенной зоны меняется по закону Е д =(0,785-*0 Т)ЭВ. Вычислить собственную концентрации электронов в кремнии при Т=300К. Эффектная плотность состояния принять равной 0,595 m o.. Ширина запрещенной зоны при Т=300К составляет. э.в Вычислить концентрацию дырок и удельное сопротивление кремния, легированного бором (N A =0 7 см -3 ), при комнатной температуре, если эффектная масса плотности состояний дырок равна 0.59m o,подвижность =00см В - С -, да=,а энергетический уровень бора в кремнии равен Еv +0.05эв. Чему равна концентрация дырок при 30к? Рекомбинация носителей заряда в полупроводниках. В момент времени t =0 - c после выключения равномерной по объему генерации электронно-дырочных пар неравновесная концентрация носителей оказалась в 0 раз больше, чем в момент t =0-3 c. Определить время жизни. В образце n-si с n o= 0 см 3 рекомбинация происходит на простых центрах, их энергетический уровень Е t расположен в верхней половине запрещенной зоны и N t =*0 5 см 3. При Т=300к время жизни =7мкс, при Т =00к- = мкс при более низких температурах Т -. Определить Е t. Диффузия и дрейф носителей заряда. Вычислить коэффициент диффузии электронов и дырок в S i при Т=300к если подвижности n =50см *B - c - =500см * B - c -.Исследовать распределение концентрации неравновесных дырок, стационарно инжектируемых при Х=0 в однородный полубесконечный полупроводник (Х 0) n- типа, если время жизни дырок р = a/p, где a=const. Считать dp>>p n дрейфом дырок пренебречь. Поверхностные явления. Определить ход потенциала в обогащенном при поверхностном слое полупроводника n-типа. Оценить толщину обогащенного слоя, если доноры в объеме полупроводника полностью ионезированны. Во сколько раз потенциал в точке инверсии проводимости в S i p-типа больше, чем в G e p-типа, если концентрации дырок в объеме этих полупроводников одинаковы и равны p=*0 5 3 см концентрации носителей заряда в собственном S i и G e при комнатной температуре равны соответственно : n isi =.05*0 3 см 3,n ict =.*0 3 см 3 а отношения подвижностей электронов и дырок равны: si =.9 и GE =.. Определить плотность заряда в поверхностных состояниях, если к электронному нормально к его поверхности прикладывается постоянно электрическое поле Е =5*0 3 В см - ( >0),и при этом поверхностная проводимость оказывается равной 0-6- ом и выполняется условие Термо э.д.с. в полупроводниках. Качественно представить на графике температурную зависимость термо э.д.с. Sip типа в примесной и собственной областях. Определить положение энергетического уровня Количество часов

6 6 7 доноров в компенсированном полупроводнике n-типе, если термо- э.д.с. при 00к равна -.мв*к -.Известно,что N d =*0 5 см -3,n id <<N a,степень компенсации N a / N d =0,5, а рассеяние происходит на акустических колебаниях решетки. Фото э.д.с. в полупроводниках. Определить фото-э.д.с. в полупроводнике с монополярной проводимостью при произвольной степени вырождения. Оптика полупроводников. При отражении света с =00мкм толстым полупроводниковым образцом коэффициент отражения R =0.36.Коэффициент пропускания пленки из того материала толщиной d =мм равен Т=0.7. Найти коэффициент поглощения. Рекомендуемая литература.шалимова.в Физика полупроводников. Учебник для вузов. М: Энергоатомиздат с..Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Учебное пособие для вузов. Под ред. Н.Д. Федорова. -М: Радио и Связь с 3. Электронные приборы. Учебник для Вузов. Под ред. Г.Г.Шишкина. М: Энергоатомиздат с..Соболев В.Д. Физические основы Электронной Техники. Учебник для вузов.-м: Высш. Шк.,979-8с. 5.Зелев Л.В.Методические указания к выполнению практических занятий на дисциплине «Физические основы Электронике». ТОГУ,009г,8с.

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

Институт информационных технологий Кафедра вычислительной техники

Институт информационных технологий Кафедра вычислительной техники Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест (контр задание) по ГОС уч план переат лкц лбр прз ауд всего учебный план основной траектории МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факультет УТВЕРЖДАЮ Декан

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр)

ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) 1. ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ* Классификация полупроводниковых

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские

разрабатывает проектную и рабочую техническую документацию, оформляет законченные научно-исследовательские и проектноконструкторские ВВЕДЕНИЕ Область профессиональной деятельности выпускника по специальности 10106 «Промышленная электроника» включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной

Подробнее

1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 1.3. Взаимосвязь учебных дисциплин

1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 1.3. Взаимосвязь учебных дисциплин 1 1. Цели и задачи освоения учебной дисциплины 1.1. Цель дисциплины Дисциплина «Полупроводниковая электроника» является общим курсом для студентов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров 21000.62

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1 Вариант 1 1. Для простейшей кубической решетки изобразить плоскость (120). 2. Для кремния n-типа с концентрацией примеси N D = 1 10 24 м -3 (Т = 300 К) заряда, если к образцу кремния n-типа (N D = 1 10

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Требования к результатам обучения В результате изучения дисциплины (модуля) студент должен: ОПК-1

Требования к результатам обучения В результате изучения дисциплины (модуля) студент должен: ОПК-1 I. Аннотация 1. Цель и задачи дисциплины (модуля) Целью освоения дисциплины является: получение базовых знаний по полупроводниковой электронике, на основе которой в дальнейшем можно развивать более углубленное

Подробнее

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов Лекция 4 Контактные явления 4.1 Контактная разность потенциалов Из модели сильной связи в зонной теории твердого тела следует, что энергия электронов в кристалле - величина отрицательная. Физически это

Подробнее

Радиофизический факультет Кафедра электроники

Радиофизический факультет Кафедра электроники МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им.

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 1: «Физические основы твердотельной электроники» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Тематический план вебинаров по дисциплине

Подробнее

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 53 3943 Ф 503 ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО ФИЗИКЕ Методические

Подробнее

Радиофизический факультет Кафедра электроники

Радиофизический факультет Кафедра электроники МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности К.В.Шалимова ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

Изучение эффекта Холла, определение концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводнике

Изучение эффекта Холла, определение концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводнике Работа 41 Изучение эффекта Холла, определение концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводнике Цель работы На основании измерений постоянной Холла и электропроводности определить концентрацию

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения (напряжения смещения) приводит к изменению условий переноса заряда через

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Факультет радиотехники и электроники УТВЕРЖДАЮ

Подробнее

Дисциплина: Б3.В.ОД.6 Полупроводниковые прибопы. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН

Дисциплина: Б3.В.ОД.6 Полупроводниковые прибопы. Доцент, к.т.н., Геворкян Владимир Арамович ЕРЕВАН ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 211000.62 и Положением

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ СВЯЗИ И ИНФОРМАТИКИ Кафедра электроники и микроэлектронных

Подробнее

ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕЧНАЯ СИСТЕМА

ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕЧНАЯ СИСТЕМА Федеральное агентство связи Федеральное государственное образовательное бюджетное учреждение высшего профессионального образования ПОВОЛЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ И ИНФОРМАТИКИ

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

Температурная зависимость параметров диодов.

Температурная зависимость параметров диодов. НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» www.opprib.ru e-mail: info@opprib.ru

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

Юридический факультет. Кафедра «Уголовно-правовые дисциплины» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине «Прокурорский надзор» траектории. контрольная работа

Юридический факультет. Кафедра «Уголовно-правовые дисциплины» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине «Прокурорский надзор» траектории. контрольная работа Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест (контр. задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего учебный план основной траектории МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

Подробнее

«НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.Е. АЛЕКСЕЕВА» (НГТУ) Институт ядерной энергетики и технической физики

«НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.Е. АЛЕКСЕЕВА» (НГТУ) Институт ядерной энергетики и технической физики Министерство образования и науки Российской Федерации федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.Е.

Подробнее

Научно-методическим советом Белорусского государственного университета (протокол 6 от 31 мая 2016 г.).

Научно-методическим советом Белорусского государственного университета (протокол 6 от 31 мая 2016 г.). 2 Учебная программа составлена на основе ОСВО 1-31 04 03-2013 и учебных планов УВО G31-165/уч. 2013 г. и G31и-188уч 2013 г. СОСТАВИТЕЛИ: П.И.Гайдук, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ТЭДС (термо ЭДС) Теоретическая часть

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ТЭДС (термо ЭДС) Теоретическая часть ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ТЭДС (термо ЭДС) Теоретическая часть Явлением термоэлектродвижущей силы (ТЭДС или термо-эдс) называется возникновение разности потенциалов на концах однородного или

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

1. Цели и задачи дисциплины Цель изучения дисциплины «Физические основы микроэлектроники» - формирование у студента представление о физических

1. Цели и задачи дисциплины Цель изучения дисциплины «Физические основы микроэлектроники» - формирование у студента представление о физических 2 1. Цели и задачи дисциплины Цель изучения дисциплины «Физические основы микроэлектроники» - формирование у студента представление о физических процессах, протекающих в твердотельных электронных устройствах

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

Методическая разработка по дисциплине ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Методическая разработка по дисциплине ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Федеральное агентство связи Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ПОВОЛЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ И ИНФОРМАТИКИ КАФЕДРА ЭЛЕКТРОДИНАМИКИ

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода.

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. 3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. Задачи. 1. Получение вольт-амперных характеристик кремневого и германиевого диодов,

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Работа 40 Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны может быть найдена с помощью измерений электропроводности или постоянной Холла в зависимости от температуры, а также

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

1. Пояснительная записка (методические указания)

1. Пояснительная записка (методические указания) 1. Пояснительная записка (методические указания) Требования к студентам Для усвоения данного курса студенты должны обладать определенным исходным уровнем знаний, навыков и компетенций. 1. Общенаучные компетенции:

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника»

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» 1 Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача 1 Время выполнения задания 180 мин. Дано: Е 1 =100 В; Е 2 =500 В; R 1 =1 ком; R 2 =4 ком; R 3 =5 ком; R 4 =500 Ом; R 5 =10 ком; R 6 =100 Ом; Найти показания

Подробнее

РАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В КРИСТАЛЛАХ

РАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В КРИСТАЛЛАХ Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физического факультета БГУ В.М. Анищик 26.06.2009 Регистрационный УД-2037 /баз. РАВНОВЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В КРИСТАЛЛАХ Учебная программа для специальности

Подробнее

по дисциплине «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» (ПЦ. Б.3.В.09)

по дисциплине «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» (ПЦ. Б.3.В.09) Р А Б О Ч А Я П Р О Г Р А М М А по дисциплине «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ» (ПЦ. Б.3.В.09) для направления подготовки бакалавров 20200.62 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» 2

Подробнее

ИС УИТС

ИС УИТС Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест (контрольное задание) по ГОС уч. план переат. лкц. лбр. прз. ауд. Учебный план основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Теоретическое и экспериментальное изучение температурной зависимости проводимости полупроводников. ПРИБОРЫ

Подробнее

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида)

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Кроме доноров и акцепторов, в полупроводнике есть центры, энергия ионизации которых не является малой величиной по сравнению

Подробнее

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники Полупроводники занимают по электропроводности промежуточное положение между металлами (проводниками электрического тока) и диэлектриками.

Подробнее

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ факультет естественнонаучный кафедра микроэлектроники Рабочая программа дисциплины

Подробнее

Структура и содержание рабочей программы

Структура и содержание рабочей программы 1 2 Структура и содержание рабочей программы Раздел 1. Общие положения 1.1 Цели и задачи дисциплины, ее место в учебном процессе. Целями освоения дисциплины "Физические основы измерений" являются: изучение

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет УТВЕРЖДАЮ: Декан физического факультета В.М. Кузнецов " " 2012 г. Рабочая программа дисциплины

Подробнее

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора Цель работы: изучение фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Задача: 1) Снять семейство вольтамперных характеристик и с их помощью определить оптимальные сопротивления нагрузки; 2) Установить зависимость

Подробнее

Программа дисциплины Физические основы микро- и наноэлектроники

Программа дисциплины Физические основы микро- и наноэлектроники Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" Московский институт электроники и математики Департамент

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Физика полупроводников Физика полупроводников

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Физика полупроводников Физика полупроводников МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел».

ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел». ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел». Билет 1 1.Химическая связь в кристаллах. Ионная, ковалентная, металлическая,

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тихоокеанский государственный университет»

Подробнее

Тырышкин Игорь Сергеевич. ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие

Тырышкин Игорь Сергеевич. ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Новосибирский государственный технический университет Кафедра Теоретические основы радиотехники Тырышкин Игорь Сергеевич ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие Аннотация Кратко изложены основные

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Конспект лекций

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Конспект лекций МИНОБРНАУКИ РОССИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Томский политехнический университет» (УГТУ) А. В. Глазачѐв, В. П. Петрович ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Подробнее

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА

ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики РАБОЧАЯ ПРОГРАММА Дисциплина Физические основы микроэлектроники Для студентов специальности 2205 Курс 3 семестр 4 Учебных занятий

Подробнее

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности Полупроводниковые диоды - технологии изготовления 1. исторически первые полупроводниковые диоды - т.н. кристаллический детектор - поликристалл PbS (природный минерал галенит, далее такие образцы PbS научились

Подробнее

Институт экономики и управления Кафедра "Экономическая кибернетика" Подпись Ф.И.О. Подпись Ф.И.О. 200 г. 200 г.

Институт экономики и управления Кафедра Экономическая кибернетика Подпись Ф.И.О. Подпись Ф.И.О. 200 г. 200 г. Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест (контр. задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего учебный план основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

Лекция 7. Полупроводниковые материалы

Лекция 7. Полупроводниковые материалы Лекция 7. Полупроводниковые материалы Характеристика полупроводников Полупроводники наиболее распространенная в природе группа веществ. К ним относят химические элементы: бор (В), углерод (С), кремний

Подробнее

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом.

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Made by NNEfimov.narod.ru Другие названия этих транзисторов: транзисторы на электронах с высокой подвижностью, ГМеП транзисторы,

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию

Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение по естественнонаучному образованию УТВЕРЖДАЮ грвый заместитель Министра образования ^Республики Беларусь В.А. Богуш о?0. ов-^о/^

Подробнее

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел

Подробнее

Учебная программа составлена на основе ОСВО и учебного плана Р98-286/уч от

Учебная программа составлена на основе ОСВО и учебного плана Р98-286/уч от 2 Учебная программа составлена на основе ОСВО 1-98 80 03-2012 и учебного плана Р98-286/уч от 26.05.2017 СОСТАВИТЕЛИ: П.И.Гайдук, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий Белорусского государственного

Подробнее

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации

Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации Транзистор Транзистор прибор, используемый в электрических устройствах (схемах), предназначенных для усиления, генерации, преобразования и коммутации сигналов в электрических цепях. Термин «транзистор»

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет. Рабочая программа дисциплины

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет. Рабочая программа дисциплины МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет УТВЕРЖДАЮ: Декан физического факультета В.М. Кузнецов " " 2012 г. Рабочая программа дисциплины

Подробнее

Содержание. Предисловие 11. Структура книги 15

Содержание. Предисловие 11. Структура книги 15 Предисловие 11 Структура книги 15 Глава 1. Мезоскопическая физика и нанотехнологии 17 1.1. книги 17 1.2. Основные тенденции развития нанои оптоэлектроники 18 1.3. Характеристические длины в мезоскопических

Подробнее

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода 1 Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода Студент: группа: Допуск Выполнение Защита Цель работы: изучение принципа

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА Федеральное агентство железнодорожного транспорта Уральский государственный университет путей сообщения Кафедра «Электрические машины» Ю. В. Новоселов Г. Л. Штрапенин ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА Методические

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Лекция 6 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) РАЗНОВИДНОСТИ n-р-n ТРАНЗИСТОРОВ

Лекция 6 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) РАЗНОВИДНОСТИ n-р-n ТРАНЗИСТОРОВ Лекция 6 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) 1) Многоэмиттерные и-р-и-транзисторы. 2) Многоколлекторные транзисторы. 3) Транзисторы с барьером шотки.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: исследование электрофизических характеристик полупроводников методом эффекта Холла. 2.1 Теоретические сведения о полупроводниках

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt.

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt. 3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

Подробнее

Электроника, микроэлектроника и автоматика

Электроника, микроэлектроника и автоматика С.Д. Дунаев Электроника, микроэлектроника и автоматика Утверждено Департаментов кадров и учебных заведений МПС России в качестве учебника для студентов техникумов и колледжей железнодорожного транспорта

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Избранные главы физики полупроводников II

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Избранные главы физики полупроводников II МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Юридический факультет. Кафедра «Государственно-правовые дисциплины» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. «Основы документооборота и режима секретности»

Юридический факультет. Кафедра «Государственно-правовые дисциплины» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. «Основы документооборота и режима секретности» Аббревиатура направления экзамен зачёт КП КР РГР контрольная работа тест Трудоемкость по учебному плану ООП переаттестация (зач.ед.) лкц лбр прз ауд всего на сес Юридический факультет Кафедра «Государственно-правовые

Подробнее

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ Г. МОСКВЫ ГБОУ СПО КИГМ 23 АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ (для проведения внутренней экспертизы) по учебной дисциплине ОП 04 «Основы радиоэлектроники» Для

Подробнее

Элементы физики твердого тела

Элементы физики твердого тела Новосибирский государственный технический университет Элементы физики твердого тела Кафедра прикладной и теоретической физики Суханов И.И. Предметный указатель Дискретные уровни энергии электрона в атоме

Подробнее