РЕФЕРАТ. Отчет 260 с., 148 рис., 14 табл., 102 источника.

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "РЕФЕРАТ. Отчет 260 с., 148 рис., 14 табл., 102 источника."

Транскрипт

1

2 РЕФЕРАТ Отчет 260 с., 148 рис., 14 табл., 102 источника. ПОЛУМЕТАЛЛЫ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, МЕМБРАННЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ПОРИСТЫЕ СТЕКЛА, НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ, НАНОСТРУКТУРЫ, ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ, АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, МЕССБАУЭРОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ Объектом исследования являются низкоразмерные и наноразмерные структуры на основе полупроводников, полуметаллов и композитных материалов. Цель работы установление закономерностей изменения свойств конденсированных систем от массивного состояния до наноструктур, разработка материалов для микро- и наноэлектроники, подготовка квалифицированных физиков-исследователей. Методы исследования имеют комплексный характер, основанный на применении основных современных методик исследования структуры и физикохимических свойств конденсированных сред, включающих электронную и атомносиловую микроскопию, диэлектрическую, мессбауэровскую, оптическую и ИКспектроскопию. В ходе исследования получены следующие результаты: 1) На кремниевых подложках (SiC/Si) сформированы тонкопленочные гетероструктуры Pb(Zr,Ti)O 3 и (Ba,Sr)TiO 3, исследованы их диэлектрические, пьезоэлектрические и пироэлектрические характеристики. Разработана технология травления тонкопленочной сегнетоэлектрической мембраны на подложке SiC/(111)Si, исследованы физические свойства. 2) Проведено исследование причин деградации транспортных параметров 10

3 оксидных электродов. Установлено, что причиной деградации является миграция кислородных вакансий и образование объемного заряда вблизи интерфейсов, а также инжекция носителей зарядов из электродов. 3) Моделирование процессов переключения и релаксации спонтанной поляризации и эффекта резистивного переключения в оксидах переходных металлов и родственных соединениях показало, что знак изменения высоты барьеров для той или иной ориентации вектора спонтанной поляризации объясняется перераспределением электронов между металлом и сегнетоэлектриком в результате обусловленного спонтанной поляризацией изменения работы выхода сегнетоэлектрика. 4) Установлено влияние состава, геометрических размеров, дефектности на температурные и магнитополевые зависимости удельного сопроитвления, магнетосопротивления, коэффициентов Холла и термоэдс монокристаллов, пленок и нитей висмута и твердых растворов висмут-сурьма в интервале температур К и магнитного поля до 0, 6 Тл. 5) Определены концентрации и подвижности носителей заряда в кристаллах, монокристаллических и блочных пленках, нитях висмута и твердых растворов висмут-сурьма в интервале температур К в зависимости от состава, дефектности, геометрических размеров, соотношения коэффициентов температурного расширения подложки и материала низкоразмерных и наноразмерных объектов. Установлено изменение параметров зонной структуры и концентрации носителей заряда, обусловленное различием коэффициентов температурного расширения подложки и исследуемых структур. Установлены закономерности ограничения подвижности электронов и дырок в пленках и нитях висмута и твердых растворов висмут-сурьма в зависимости от геометрических размеров, наличия и концентрации дефектов. Существенным достижением является разработка способов изготовления монокристаллических пленок и нитей полуметаллов, определение подвижности носителей заряда и установление закономерностей классического размерного эффекта 11

4 ограничения подвижности электронов и дырок, обусловленное их взаимодействием с поверхностью, что обеспечило выделение вклада границ кристаллитов и других дефектов в ограничение подвижности носителей заряда в пленках и нитях, имеющих блочную структуру. 6) Исследованы электрофизические свойства композитных пленок на основе полиэтилена высокого давления и полдипропилена с наноразмерными включениями талька, диоксида алюминия, саим методами термоактивационной и диэлектрической спектроскопии. В частности, получены спектры термостимулированной деполяризации при контактной поляризации и поляризации в коронном разряде. Изучена диэлектрическая проницаемость, тангенс диэлектрических потерь, активная и реактивная емкость композитных пленок с наноразмерными дисперсными наполнителями в диапазоне частот Гц и температурном диапазоне от 20 до 100ºС. 7) Разработаны методы, обеспечивающие получение наночастиц серебра варьируемой размерности в перфторсульфоновых мембранах Nafion. Определена термическая устойчивость модифицированных мембран. Исследованы процессы специфической сорбции пирена и установлена сенсибилизация им люминесценции серебряных наночастиц. 8) Выполнено экспериментальное исследование неравновесных фотоструктурных превращений в халькогенидных стеклах Pb-Ge-Se, As- Sb-S-Te, As-Sb-Se-Te с использованием современных структурночувствительных методик. Облучение с целью наведения неравновесных фотоструктурных перестроений стекол Pb-Ge-Se, As-Sb-S-Te и As-Sb-Se- Te проводилось интегральным светом при освещенности лк в течение 1800 c. Для облученных образцов обнаружено изменение характера процесса нарастания и спада фототока (после облучения кинетика спада становится более быстрой), что, объясняется более интенсивной рекомбинацией носителей. Обнаруженные изменения оптических и фотоэлектрических свойств стекол после облучения обусловлены 12

5 изменением структуры ближнего порядка в данном классе материалов, что было подтверждено путем исследования структуры ближнего порядка стекол методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 129 Te( 129 I). 9) Определены механизм и количественные характеристики процессов переноса заряда в полимерных комплексах поли[m(schiff)]. Установлена связь между составом и строением исходных соединений, условиями функционирования полимерных покрытий и скоростью переноса в них заряда. Определена температурная устойчивость полимеров в зависимости от их химической природы и толщины синтезированного слоя. 10) Синтезированы высокоструктурированные электродные металлокомплексные ансамбли в форме нанопроводов; исследованы электро- и фотохромные свойства полученных тонкопленочных структур. 11) Разработана программа внедрения результатов научно-исследовательской работы в учебный процесс. 12) Проведена оценка возможности использования результатов проведенной НИР и создания конкурентоспособной продукции и услуг. Степень внедрения начальная. Полученные образцы и результаты их исследования будут использованы при экспериментальном исследовании классических и квантовых размерных эффектов, установлении закономерностей изменения свойств вещества при переходе от массивного состояния к наноструктурам для дальнейшего развития физики мезоскопических структур и наноструктур, физики электронных состояний и электронных явлений в мезоскопических структурах и наноструктурах. Область применения фундаментальная и прикладная физика конденсированного состояния, микроэлектроника, электронная промышленность, система подготовки квалифицированных физиков-исследователей и кадров высшей квалификации. К исследованиям по проекту в рамках выполнения курсовых, дипломных проектов, магистерских диссертаций привлечено 23 студента и 27 аспирантов 13

6 факультетов физики и химии. За счет средств контракта на работу в научнообразовательный центр приняты 20 человек. Результаты научных исследований используются в образовательном процессе как в существующих, так и вновь разработанных программах учебных дисциплин основных образовательных программ подготовки бакалавров, магистров и аспирантов факультетов физики и химии. 14

РЕФЕРАТ. Отчет 249 с., 92 рис., 20 табл., 270 источников.

РЕФЕРАТ. Отчет 249 с., 92 рис., 20 табл., 270 источников. РЕФЕРАТ Отчет 249 с., 92 рис., 20 табл., 270 источников. ПОЛУМЕТАЛЛЫ, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, МЕМБРАННЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ПОРИСТЫЕ СТЕКЛА, НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ

Подробнее

ФИЗИКА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

ФИЗИКА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физического факультета БГУ В.М. Анищик 26.06.2009 Регистрационный УД 2044 /баз. ФИЗИКА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ Учебная программа для специальности

Подробнее

Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута и сплавов висмут сурьма на подложках с различным температурным расширением

Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута и сплавов висмут сурьма на подложках с различным температурным расширением 13,12 Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута и сплавов висмут сурьма на подложках с различным температурным расширением В.М. Грабов, В.А. Комаров, Н.С. Каблукова Российский государственный педагогический

Подробнее

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физического факультета БГУ В.М. Анищик 26.06.2009 Регистрационный УД- 2054 /баз. МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ Учебная программа для специальности

Подробнее

«ОПТИКА НАНОСИСТЕМ» Программа обязательного курса по специализации «Наносистемы и наноустройства» НОЦ МГУ по нанотехнологиям 9 семестр (36 часов)

«ОПТИКА НАНОСИСТЕМ» Программа обязательного курса по специализации «Наносистемы и наноустройства» НОЦ МГУ по нанотехнологиям 9 семестр (36 часов) «ОПТИКА НАНОСИСТЕМ» Программа обязательного курса по специализации «Наносистемы и наноустройства» НОЦ МГУ по нанотехнологиям 9 семестр (36 часов) Аннотация Курс предназначен для студентов старших курсов,

Подробнее

по дисциплине «Электротехническое материаловедение»

по дисциплине «Электротехническое материаловедение» МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН ИННОВАЦИОННЫЙ ЕВРАЗИЙСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Научно-образовательный комплекс по специальности 050718 «Электроэнергетика» РАБОЧАЯ УЧЕБНАЯ ПРОГРАММА по дисциплине

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 12 февраля 06.2;12 Пассивация поверхности кремния диэлектрическими пленками из оксида эрбия М.А. Родионов, В.А. Рожков Самарский государственный университет E-mail: rozhkov@ssu.samara.ru Поcтупило в Редакцию

Подробнее

PACS: Ps, Jk

PACS: Ps, Jk В.М. Грабов, Е.В. Демидов, В.А. Комаров Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия E-mail: vmgrabov@yandex.ru (Поступила в Редакцию 12 ноября

Подробнее

Тонкие пленки в микроэлектронике

Тонкие пленки в микроэлектронике 3 Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) К.И. Смирнова Тонкие пленки в микроэлектронике Учебно-методическое пособие по аудиторным

Подробнее

Композитные материалы

Композитные материалы Композитные материалы В современном материаловедении лидирующие позиции занимают «умные» материалы с нелинейными свойствами, изменяющие свои характеристики в зависимости от внешних воздействий, к числу

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Моди

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Моди МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от

Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от Г.Матаре ЭЛЕКТРОНИКА ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен

Подробнее

Учреждение образования «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

Учреждение образования «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» Учреждение образования «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» УТВЕРЖДАЮ Декан факультета компьютерного проектирования Осипов А.Н. " " 2003 г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ПО МАТЕРИАЛАМ

Подробнее

К читателю Предисловие... Глава 1. Классификация и методы получения нанокластеров и наноструктур... Глава 2. Методы исследования

К читателю Предисловие... Глава 1. Классификация и методы получения нанокластеров и наноструктур... Глава 2. Методы исследования Оглавление К читателю (Ю.Д. Третьяков)... 8 Предисловие... 9 Глава 1. Классификация и методы получения нанокластеров и наноструктур... 16 1.1. Молекулярные кластеры... 16 1.2. Газовые безлигандные кластеры...

Подробнее

Интерес к исследованию кристаллов и наноструктур ZnO обусловлен как уже имеющимися многочисленными применениями этого материала (сенсоры, прозрачное

Интерес к исследованию кристаллов и наноструктур ZnO обусловлен как уже имеющимися многочисленными применениями этого материала (сенсоры, прозрачное ОТЗЫВ официального оппонента на диссертацию Гурина Александра Сергеевича «ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ И НАНОСТРУКТУР A 2 B 6 С МАГНИТНЫМИ ПРИМЕСЯМИ МЕТОДОМ ОПТИЧЕСКИ ДЕТЕКТИРУЕМОГО МАГНИТНОГО

Подробнее

Основы нанохимии и нанотехнологии

Основы нанохимии и нанотехнологии ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» ИОНЦ «Нанотехнологии и перспективные

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 26 июня 06.2;12 Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия М.А. Родионов, В.А. Рожков, А.В. Пашин Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная

Подробнее

Опыт организации межвузовского обучения в области нанотехнологий

Опыт организации межвузовского обучения в области нанотехнологий Опыт организации межвузовского обучения в области нанотехнологий А.В. Заблоцкий 1, П.А. Тодуа 1, С.И. Мухин 2 1) Московский физико-технический институт 2) Московский институт стали и сплавов Межвузовское

Подробнее

Платформа ALIROOT для анализа событий в экспериментах физики высоких. энергий Научно-исследовательская работа МК.2664.

Платформа ALIROOT для анализа событий в экспериментах физики высоких. энергий Научно-исследовательская работа МК.2664. Приложение 1 к протоколу 9 заседания учено-методической комиссии физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета от 05.05.2015 Перечень рабочих программ учебных дисциплин и процедур

Подробнее

Структура дисциплины Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 з.е. (144 часа), из них 32 часа лекций и 112 часов - самостоятельная работа.

Структура дисциплины Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 з.е. (144 часа), из них 32 часа лекций и 112 часов - самостоятельная работа. Дисциплина «Элементы строения вещества» относится к блоку математических и естественно-научных дисциплин (региональный компонент), является обязательным курсом. Эти лекции являются заключительной частью

Подробнее

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ НА ФОТОПАМЯТЬ ПИРОЛИТИЧЕСКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА КАДМИЯ

ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ НА ФОТОПАМЯТЬ ПИРОЛИТИЧЕСКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА КАДМИЯ КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ И МЕЖФАЗНЫЕ ГРАНИЦЫ, Том 10, 4, С. 256 260 УДК 539.232:546.221;661.143 ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСИ НА ФОТОПАМЯТЬ ПИРОЛИТИЧЕСКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА КАДМИЯ 2008 Т. Л. Майорова, В. Г. Клюев, М. Фам

Подробнее

Введение Основной результат дальнейшего процесса миниатюризации электронных систем заключается не только в уменьшении геометрических размеров, но

Введение Основной результат дальнейшего процесса миниатюризации электронных систем заключается не только в уменьшении геометрических размеров, но 4 Предисловие Развитие интегральной электроники показывает, что в настоящее время достигнут настолько высокий уровень интеграции, что приходится считаться с рядом физических ограничений при ее дальнейшем

Подробнее

ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ. Физика реального кристалла. Направление подготовки магистров

ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ. Физика реального кристалла. Направление подготовки магистров МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС» Утверждено

Подробнее

ПЕРЕЧЕНЬ ЭКЗАМЕНОВ И ЗАЧЕТОВ ЛЕТНЕЙ СЕССИИ 2016/2017 учебного года 4 курс

ПЕРЕЧЕНЬ ЭКЗАМЕНОВ И ЗАЧЕТОВ ЛЕТНЕЙ СЕССИИ 2016/2017 учебного года 4 курс ПЕРЕЧЕНЬ ЭКЗАМЕНОВ И ЗАЧЕТОВ ЛЕТНЕЙ СЕССИИ 2016/2017 учебного года 4 курс 03.03.02 - Физика 1. Статистическая физика 2. Ядерная физика 1. Квантовая химия 2. Метаболическая биохимия 1. Физика неупорядоченных

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Факультет радиотехники и электроники УТВЕРЖДАЮ

Подробнее

МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ

МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан физического факультета БГУ В.М. Анищик 26.06.2009 Регистрационный УД-2035/баз. МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ Учебная программа для специальности

Подробнее

Рабочая программа дисциплины

Рабочая программа дисциплины Рабочая программа дисциплины 1. тическая спектроскопия низкоразмерных структур 2. Лекторы. 2.1. д.ф.-м.н., профессор Авакянц Лев Павлович, кафедра общей физики физического факультета МГУ, e-mail avakyants@phys.msu.ru,

Подробнее

Лабораторная работа N «Исследование оптических свойств геля пентаоксида ванадия»

Лабораторная работа N «Исследование оптических свойств геля пентаоксида ванадия» Лабораторная работа N «Исследование оптических свойств геля пентаоксида ванадия» Лабораторная работа N «Исследование оптических свойств геля пентаоксида ванадия» Теоретическое введение 1. Общие свойства

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Физика полупроводников Физика полупроводников

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Физика полупроводников Физика полупроводников МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В. ЛОМОНОСОВА. Физический Факультет

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В. ЛОМОНОСОВА. Физический Факультет МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В. ЛОМОНОСОВА Физический Факультет Магистерская программа Данная магистерская программа реализует новую парадигму междисциплинарного образования и лежит на

Подробнее

ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС» Утверждено

Подробнее

Влияние механоактивации наполнителей на параметры термостимулированных токов в полимерных композитах

Влияние механоактивации наполнителей на параметры термостимулированных токов в полимерных композитах 26 августа 06 Влияние механоактивации наполнителей на параметры термостимулированных токов в полимерных композитах В.А. Клюев, Н.Н. Лознецова, А.И. Малкин, Ю.П. Топоров Институт физической химии и электрохимии

Подробнее

ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА. Фотопроводимость

ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА. Фотопроводимость ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Цель работы: ознакомление с явлением фотопроводимости полупроводников, освоение экспериментального метода

Подробнее

Физика твердого тела

Физика твердого тела ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ УРАЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ-УПИ Утверждаю: Проректор УГТУ О.И.Ребрин 2006г. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Физика твердого тела

Подробнее

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ В. В. Груздов Ю.В. Колковский Ю.А. Концевой КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ -1000 О 1000 2000 3000 Омега-2тета (угл. сек.) ТЕХНОСФЕРА СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ...10 ГЛАВА 1 ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ

Подробнее

Требования к уровню освоения учебного курса

Требования к уровню освоения учебного курса Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы по направлению «Наноэлектроника, компонентная база и устройства. Физические принципы. Применяемые технологии

Подробнее

Содержание. Предисловие автора 12. Предисловие редактора русского перевода 14. Глава 1. Введение 17

Содержание. Предисловие автора 12. Предисловие редактора русского перевода 14. Глава 1. Введение 17 Содержание Предисловие автора 12 Предисловие редактора русского перевода 14 Глава 1. Введение 17 Глава 2. Введение в физику твердого тела 23 2.1. Атомарная структура 23 2.1.1. Размерные эффекты 23 2.1.2.

Подробнее

Контур Института «ЛаПлаз» лаборатория взаимодействия плазмы с поверхностью и плазменных технологий. кафедра физики лазерного термоядерного синтеза

Контур Института «ЛаПлаз» лаборатория взаимодействия плазмы с поверхностью и плазменных технологий. кафедра физики лазерного термоядерного синтеза Москва: кафедра лазерной физики лазерный центр НИЯУ МИФИ кафедра физики плазмы лаборатория взаимодействия плазмы с поверхностью и плазменных технологий кафедра теоретической ядерной физики кафедра физики

Подробнее

Раздел дисциплины Лекции ПЗ (С) ЛР

Раздел дисциплины Лекции ПЗ (С) ЛР 1. Цели и задачи дисциплины: Цель: ознакомление с областью науки, связанной с получением, изучением физикохимических свойств наночастиц и наноматериалов. Задачи дисциплины: 1. изучить особенности получения

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

Дефектыкристаллическойструктуры. 2. Протяжённыедефекты

Дефектыкристаллическойструктуры. 2. Протяжённыедефекты Дефектыкристаллическойструктуры 2. Протяжённыедефекты Дефекты в кристаллах (от лат. defectus недостаток, изъян), нарушения периодичности кристаллической структуры в реальных монокристаллах. БСЭ Различают

Подробнее

Влияние на поляризацию образцов поливинилхлорида компонентов моторного масла

Влияние на поляризацию образцов поливинилхлорида компонентов моторного масла Влияние на поляризацию образцов поливинилхлорида компонентов моторного масла к. т. н. Макаров А. Р. МГТУ «МАМИ» к. ф-м. н. Бендик М. М., к. х. н. Ходяков А. А. Российский университет дружбы народов При

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Дагестанский государственный университет» УТВЕРЖДАЮ Ректор ДГУ М.Х. Рабаданов 30

Подробнее

Н. С. Каблукова, В. А. Комаров, Е. В. Демидов, Е. Е. Христич

Н. С. Каблукова, В. А. Комаров, Е. В. Демидов, Е. Е. Христич REFERENCES 1. Shelimova L. E., Tomashik V. N. and Grytsiv V. I. The constitutional diagrams in semiconductor material science (the systems based on Si, Ge, Sn and Pb chalcogenides) (in Russian). Moscow:

Подробнее

Министерство образования Республики Беларусь. Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию

Министерство образования Республики Беларусь. Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию Министерство образования Республики Беларусь Учебно-методическое объединение вузов Республики Беларусь по естественнонаучному образованию УТВЕРЖД Первый 3! Республи а образования "J /тип. ФИЗИКО-ХИМИЯ

Подробнее

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон Содержание: 1. Происхождение энергетических зон в кристаллах 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон 4. Полупроводники с точки зрения зонной теории

Подробнее

Информатика и информационные технологии в образовании и научных исследованиях

Информатика и информационные технологии в образовании и научных исследованиях История и философия науки Программа кандидатского экзамена по дисциплине «История и философия науки» состоит из двух разделов: «Основы философии науки» и «Философские проблемы конкретной дисциплины своей

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура)

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е..Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN

ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN А.А. Попов Научный руководитель Т.И. Данилина профессор каф. ФЭ г. Томск ТУСУР Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Подробнее

Введение в оптоэлектронику

Введение в оптоэлектронику ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» Физический факультет Кафедра

Подробнее

«ДИЭЛЕКТРИКИ В СЛАБЫХ ПОЛЯХ

«ДИЭЛЕКТРИКИ В СЛАБЫХ ПОЛЯХ 1. Содержание дисциплины «ДИЭЛЕКТРИКИ В СЛАБЫХ ПОЛЯХ» Тема 1. ОБЩИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МАГНИТНЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ДИЭЛЕКТРИКОВ Термодинамические аспекты влияния внешних воздействий на физико-химические

Подробнее

Научную новизну и значимость работы можно сформулировать

Научную новизну и значимость работы можно сформулировать отзыв официального оппонента на диссертационную работу Тимашева Петра Сергеевича «Твердофазные композиционные системы в среде сверхкритического диоксида углерода», представленную на соискание ученой степени

Подробнее

Наливкин Вячеслав Юрьевич

Наливкин Вячеслав Юрьевич На правах рукописи Наливкин Вячеслав Юрьевич Зависимость параметров электронной системы в кристаллах твёрдых растворов Bi -x Sb x Te 3 (0

Подробнее

ПРИРОДА ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В НАНОКРИСТАЛЛАХ CdS

ПРИРОДА ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В НАНОКРИСТАЛЛАХ CdS КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ И МЕЖФАЗНЫЕ ГРАНИЦЫ, Том 16, 1, С. 27 31 УДК 535.37: 538971 ПРИРОДА ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В НАНОКРИСТАЛЛАХ CdS 2014 В. Г. Клюев, Фам Тхи Хан Мьен, Ю. С. Бездетко Воронежский государственный

Подробнее

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) МИРЭА

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) МИРЭА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ, ЭЛЕКТРОНИКИ И АВТОМАТИКИ (ТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов

Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов Л9 Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов Удивительный прогресс в микро- и оптоэлектронике, преобразовавший информационный мир за короткий период непосредственно

Подробнее

Дефекты кристаллической структуры. 2. Протяжённые дефекты

Дефекты кристаллической структуры. 2. Протяжённые дефекты Дефекты кристаллической структуры 2. Протяжённые дефекты Дефекты в кристаллах (от лат. defectus недостаток, изъян), нарушения периодичности кристаллической структуры в реальных монокристаллах. БСЭ Различают

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Дагестанский государственный университет» УТВЕРЖДАЮ Ректор ДГУ

Подробнее

СОДЕРЖАНИЕ. Предисловие ко второму изданию...5

СОДЕРЖАНИЕ. Предисловие ко второму изданию...5 СОДЕРЖАНИЕ Предисловие ко второму изданию...5 Глава 1. Введение...11 1.1. Вступление...11 1.2. Появление нанотехнологии...14 1.3. Подходы «снизу вверх» и «сверху вниз»...18 1.4. Основные проблемы нанотехнологии...19

Подробнее

Учебное издание Серия: «Нанотехнологии»

Учебное издание Серия: «Нанотехнологии» УДК 621.3 ББК 32.844.1я73 B24 Серия основана в 2006 году. Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий : B24 учебное пособие для вузов : в 2 т. / под общ. ред. Ю. Н. Коркишко. М. : БИНОМ. Лаборатория

Подробнее

Спектроскопические методы для исследования (нано)материалов

Спектроскопические методы для исследования (нано)материалов Спектроскопические методы для исследования (нано)материалов Ирина Колесник Факультет наук о материалах МГУ материалы экспериментального тура IV Всероссийской Интернет олимпиады по нанотехнологиям Гетерополи-

Подробнее

).

). Свойства межфазовой границы Al 2 O 3 /Si А.С. Шулаков, А.П. Брайко, С.В. Букин, В.Е. Дрозд Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, 198904

Подробнее

Краткое описание задачи 1 Знакомство с методами рентгеновской дифракции

Краткое описание задачи 1 Знакомство с методами рентгеновской дифракции Краткое описание задачи 1 Знакомство с методами рентгеновской дифракции (доц. М.Г. Розова, Химический факультет МГУ) Методы, основанные на дифракции рентгеновских лучей, являются наиболее широко используемыми

Подробнее

Белорусский государственный университет

Белорусский государственный университет Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной работе А.Л. Толстик (подпись) 06.07.016 (дата утверждения) Регистрационный УД- /уч. 539 ВВЕДЕНИЕ В ФИЗИКУ КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ

Подробнее

1. Квантовая и оптическая электроника. 2. Кинетические явления в полупроводниках, Физические основы наноэлектроники

1. Квантовая и оптическая электроника. 2. Кинетические явления в полупроводниках, Физические основы наноэлектроники 1. Квантовая и оптическая электроника 1. Атом водорода. Квантовые числа. Энергетические состояния атомов. 2. Квантовые переходы. Вероятность перехода. Матричный элемент. 3. Спонтанное и индуцированное

Подробнее

Физика конденсированных сред и наносистем (наименование дисциплины) Направление подготовки физика

Физика конденсированных сред и наносистем (наименование дисциплины) Направление подготовки физика 1 Аннотация рабочей программы дисциплины Физика конденсированных сред и наносистем (наименование дисциплины) Направление подготовки 03.03.02 физика Профиль подготовки «Фундаментальная физика», «Физика

Подробнее

ОСНОВЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ

ОСНОВЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ Ю.И. ГОЛОВИН ОСНОВЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ МОСКВА «МАШИНОСТРОЕНИЕ» 2012 УДК 620.22 ББК 30.3 Г61 Г61 Головин Ю.И. Основы нанотехнологий. М.: Машиностроение, 2012. 656 с.: ил. ISBN 978-5-94275-662-8 Изложены физико-химические

Подробнее

Конкурс «Академический подход» - 1. Наноматериалы прошлого 1. Название: «Лазерный синтез оксидных полупроводниковых стекол». 2. Сведения об авторе:

Конкурс «Академический подход» - 1. Наноматериалы прошлого 1. Название: «Лазерный синтез оксидных полупроводниковых стекол». 2. Сведения об авторе: 1 Конкурс «Академический подход» - 1. Наноматериалы прошлого 1. Название: «Лазерный синтез оксидных полупроводниковых стекол». 2. Сведения об авторе: Новикова Анастасия Александровна, Херсонский национальный

Подробнее

Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe

Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe 12 августа 07 Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, И.А. Горбачев, Е.Г. Глуховской Саратовский национальный исследовательский государственный

Подробнее

Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии

Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии УДК 53.086 Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия

Подробнее

Целью образовательной программы Электроника и наноэлектроника, направленность/профиль Технологии в наноэлектронике является подготовка

Целью образовательной программы Электроника и наноэлектроника, направленность/профиль Технологии в наноэлектронике является подготовка Общая характеристика образовательной программы по направлению подготовки 11.03.04 Электроника и наноэлектроника, направленность/профиль Технологии в наноэлектронике По итогам освоения образовательной программы

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет. Рабочая программа дисциплины

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет. Рабочая программа дисциплины МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Томский государственный университет Физический факультет УТВЕРЖДАЮ: Декан физического факультета В.М. Кузнецов " " 2012 г. Рабочая программа дисциплины

Подробнее

Физика конденсированного состояния

Физика конденсированного состояния МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Термоэлектрическая эффективность в твердых растворах p-типа на основе халькогенидов висмута и сурьмы при температурах

Термоэлектрическая эффективность в твердых растворах p-типа на основе халькогенидов висмута и сурьмы при температурах Термоэлектрическая эффективность в твердых растворах p-типа на основе халькогенидов висмута и сурьмы при температурах выше комнатной Л.Н. Лукьянова, В.А. Кутасов, П.П. Константинов, В.В. Попов Физико-технический

Подробнее

ФИЗИКА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

ФИЗИКА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» Физический факультет Кафедра

Подробнее

Физика конденсированного состояния

Физика конденсированного состояния МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Белорусский государственный университет

Белорусский государственный университет Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной работе А.Л. Толстик (подпись) 06.07.2016 (дата утверждения) (дата утверждения) Регистрационный УД-2538 / уч. ЛАБОРАТОРИЯ СПЕЦИАЛИЗАЦИИ

Подробнее

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Факультет радиотехники и электроники УТВЕРЖДАЮ

Подробнее

Исследование влияния состава электролита на оптические свойства получаемого в ходе электролитического травления пористого кремния

Исследование влияния состава электролита на оптические свойства получаемого в ходе электролитического травления пористого кремния УДК 538.958:621.357.12 Китаева В.А. 1 1 Самарский государственный аэрокосмический университет им. акад. С.П. Королѐва (Национальный исследовательский университет) Исследование влияния состава электролита

Подробнее

Поляризация образцов резины протектора шины

Поляризация образцов резины протектора шины Поляризация образцов резины протектора шины Московский государственный технический университет «МАМИ» к.ф-м.н. Бендик М. М., к.х.н. Ходяков А. А. Российский университет дружбы народов Общеизвестно, что

Подробнее

Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники УДК 621.385.833 Сигай Олег Сергеевич Модификация поверхности стекла

Подробнее

РАДИАЦИОННАЯ ЭЛЕКТРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ

РАДИАЦИОННАЯ ЭЛЕКТРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ Таким образом, совершенствование технологии сжигания водоугольного топлива является актуальной проблемой при его использовании в котлах малой и средней мощности. РАДИАЦИОННАЯ ЭЛЕКТРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Подробнее

очная форма обучения

очная форма обучения МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Р.Е.

Подробнее

07;12. PACS: Vb

07;12.   PACS: Vb 26 февраля 07;12 Устройство оптической памяти на основе планарных щелевых структур Б.Н. Денисов, Е.М. Бибанина, В.И. Беглов Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск E-mail: bib-em@mail.ru

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

Предисловие... 3 Введение... 4

Предисловие... 3 Введение... 4 494 Предисловие..................................................... 3 Введение........................................................ 4 Глава 1. Законы и понятия стехиометрии.............................

Подробнее

PACS: Fi, b, m

PACS: Fi, b, m 26 марта 06 Определение изменений ширины запрещенной зоны непрямозонных полупроводников по спектрам краевой люминесценции А.М. Емельянов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

Подробнее

Материалы VII Международной научно-технической конференции, 7 11 декабря 2009 г. ГИГАНТСКОЕ УСИЛЕНИЕ СВЕТА В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОАГРЕГАТАХ

Материалы VII Международной научно-технической конференции, 7 11 декабря 2009 г. ГИГАНТСКОЕ УСИЛЕНИЕ СВЕТА В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОАГРЕГАТАХ Материалы VII Международной научно-технической конференции 7 декабря 9 г. МОСКВА IEMAIC 9 часть МИРЭА ГИГАНТСКОЕ УСИЛЕНИЕ СВЕТА В МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОАГРЕГАТАХ 9 г. К.К. АЛТУНИН Ульяновский государственный

Подробнее

ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел».

ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел». ТЕСТЫ (экзаменационные билеты) итогового контроля знаний по курсу «Твердые материалы. Химия дефектов. структура и свойства твердых тел». Билет 1 1.Химическая связь в кристаллах. Ионная, ковалентная, металлическая,

Подробнее

Содержание. Предисловие 11. Структура книги 15

Содержание. Предисловие 11. Структура книги 15 Предисловие 11 Структура книги 15 Глава 1. Мезоскопическая физика и нанотехнологии 17 1.1. книги 17 1.2. Основные тенденции развития нанои оптоэлектроники 18 1.3. Характеристические длины в мезоскопических

Подробнее

ПОЛУЧЕНИЕ КОМПОЗИЦИОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, РАЗМЕЩЕННОГО В ОРГАНИЧЕСКОЙ МАТРИЦЕ И ИЗУЧЕНИЕ ИХ НЕКОТОРЫХ СВОЙСТВ

ПОЛУЧЕНИЕ КОМПОЗИЦИОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, РАЗМЕЩЕННОГО В ОРГАНИЧЕСКОЙ МАТРИЦЕ И ИЗУЧЕНИЕ ИХ НЕКОТОРЫХ СВОЙСТВ УДК:546.284-31+547.68 ПОЛУЧЕНИЕ КОМПОЗИЦИОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, РАЗМЕЩЕННОГО В ОРГАНИЧЕСКОЙ МАТРИЦЕ И ИЗУЧЕНИЕ ИХ НЕКОТОРЫХ СВОЙСТВ 2015 Ю. О. Веляев 1, Р. Н. Беленьков 2 1 канд.

Подробнее

радиоэлектроники, Минск, Беларусь, Беларусь, радиоматериалов, Минск, Беларусь,

радиоэлектроники, Минск, Беларусь, Беларусь, радиоматериалов, Минск, Беларусь, УДК 621.317.39.084.2 ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ДВУХСЕНСОРНАЯ МИКРОСИСТЕМА НА НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЙ ПОДЛОЖКЕ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ В ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЕ А.И. Захлебаева 1, О.Г. Реутская 2, Г.Г. Горох

Подробнее

ОГЛАВЛЕНИЕ. Предисловие... 5 Предисловие к русскому изданию... 7 Глава 1. Введение в электроосаждение. Важнейшие термины и представления

ОГЛАВЛЕНИЕ. Предисловие... 5 Предисловие к русскому изданию... 7 Глава 1. Введение в электроосаждение. Важнейшие термины и представления ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие... 5 Предисловие к русскому изданию... 7 Глава 1. Введение в электроосаждение. Важнейшие термины и представления... 9 1.1. Электроосаждение металлов... 9 1.2. Примеры электрокристаллизации...

Подробнее

ВЛИЯНИЕ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПОЛЯРИЗАЦИЮ КРИСТАЛЛОВ ТГС

ВЛИЯНИЕ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПОЛЯРИЗАЦИЮ КРИСТАЛЛОВ ТГС КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ И МЕЖФАЗНЫЕ ГРАНИЦЫ, Том 10, 2, С. 161 165 УДК 539.21:539.12.04 ВЛИЯНИЕ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПОЛЯРИЗАЦИЮ КРИСТАЛЛОВ ТГС 2008 г. В. А. Терехов, С.

Подробнее

Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике»

Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике» Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике» п/п Лекционные занятия Варианты курсов Прим. Наименование раздела, темы «Оператор» 0лк 0 пр., нед.

Подробнее

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИЗУЧЕНИЯ КЛАСТЕРОВ, НАНОСТРУКТУР И НАНОМАТЕРИАЛОВ

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИЗУЧЕНИЯ КЛАСТЕРОВ, НАНОСТРУКТУР И НАНОМАТЕРИАЛОВ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Тверской государственный университет» ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ

Подробнее

ДИСЦИПЛИНА Химия. Направление: педагогическое образование. Квалификация (степень): бакалавр

ДИСЦИПЛИНА Химия. Направление: педагогическое образование. Квалификация (степень): бакалавр ДИСЦИПЛИНА Химия Направление: педагогическое образование Квалификация (степень): бакалавр Объем трудоемкости: кредита (7 часа, из них 36 часов аудиторной нагрузки, 36 часов самостоятельной работы). 1.

Подробнее

Диэлектрическая проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры SrTiO3/Al2O3

Диэлектрическая проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры SrTiO3/Al2O3 12 мая 05.2;06;07;12 Диэлектрическая проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры SrTiO 3 /Al 2 O 3 А.М. Прудан, Е.К. Гольман, А.Б. Козырев, А.А. Козлов, В.Л. Логинов С.-Петербургский

Подробнее