Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка"

Транскрипт

1 Полупроводниковые диоды. План. 1. Классификация, условное графическое обозначение, маркировка. 2. Основные параметры диодов. 3. Выпрямительные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 4. Высокочастотные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 5. Сверхвысокочастотные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 6. Импульсные диоды: устройство, принцип действия, параметры, 7. Кремниевый стабилитрон: устройство, принцип действия, параметры, 8. Варикап: устройство, принцип действия, параметры, характеристики, применение. 9. Туннельный диод: устройство, принцип действия, параметры, 1. Классификация, УГО, маркировка Полупроводниковым диодом называется прибор, содержащий элемент с одним р-п переходом. Принцип действия диодов основан на использовании односторонней электропроводимости, электрического пробоя и других свойств р-п перехода. Диоды различают по назначению, используемым материалам, типам р-п переходов, конструктивному исполнению, мощности и другим признакам. Широко распространены выпрямительные, импульсные диоды, стабилитроны, туннельные диоды, варикапы. Основными материалами для изготовления диодов являются кремний и германий с примесями трех- и пятивалентных элементов, а так же различные соединения типа арсенида галлия. По конструктивному исполнению р-п переходов диоды подразделяют на плоскостные и точечные. Плоскостные диоды изготовляют сплавным или диффузионным методом, они обладают значительной площадью перехода и предназначаются для использования в цепях с большими выпрямленными токами. Рис.1. УГО диодов: выпрямительный. СВЧ; б - стабилитрон; в - туннельный; г - варикал; д - светодиод; е - фотодиод Маркировка: Первый элемент обозначения - буква или цифра - означающие исходный материал: Г или 1 - германий; К или 2 - кремний; А или 3 - арсенид галлия. Второй элемент - буква, указывающая тип диода: Д - выпрямительные или преобразовательные. В - варикапы, А - сверхвысокочастотные и т.д. Третий элемент -

2 цифра - назначение диода (расшифровывается с помощью таблиц). Четвертый, пятый и шестой элементы - числа от 01 до порядковый номер технологического типа. 2. Основные параметры. 1. ВАХ - зависит от температуры окружающей среды. 2. Постоянный обратный ток диода 1^ 3. Постоянный прямой ток диода, 1 р 4. Постоянное обратное напряжение диода, U o6p 5. Постоянное прямое напряжение диода, U np 6. Диапазон частот диода Δf 7. Емкость диода, С д 8. Максимально допустимая мощность, рассеиваемая диодом, Рмах 3. Выпрямительные диоды Выпрямительные диоды применяются для преобразования переменного тока в постоянный. Это плоскостные диоды с относительно большой площадью р- п перехода. По величине выпрямленного тока выпрямительные диоды делят на диоды малой мощности (1 пр <0,ЗА), средней мощности (1пр до 10А), большой мощности (1 пр свыше 10А). Параметры выпрямительных диодов характеризуют электрические и эксплуатационные свойства и подразделяются на статические и динамические. Статические параметры свойственны диодам, работающим при постоянном напряжении: Iпр, U np, U обр, Rобр, Рmах, ΔТ. Динамические параметры отражают реакцию диодов на малые приращения тока (напряжения), а так же частотные свойства прибора: дифференциальное сопротивление г д =ΔU/ΔI, емкость диода С, и граничная частота f гр. Выпрямительные свойства диодов оцениваются с помощью коэффициента выпрямления: К вып = I np / I обр. В качестве основних материалов для производства выпрямительных диодов используют германий, кремний и селен. 4. Высокочастотные диоды. Высокочастотные диоды применяют для детектирования, модуляции, преобразования частоты, а так же в маломощных измерительных схемах. В качестве ВЧ диодов обычно используют точечные диоды. Т.к. площадь р-п перехода у точечных диодов мала, то емкость перехода составляет не более 1 пф, а диапазон частот определяется несколькими сотнями мегагерц, эти диоды имеют значительно меньшую Р мах по сравнению с плоскостными диодами и допускают меньшие выпрямленные токи. Для изготовления ВЧ диодов материал берется низкоомный, чтобы уменьшить сопротивление r s. Параметры: I обр,u np, U обр мах, I пр. мах R обр,р max,δf,с д. 5. Сверх высокочастотные диоды. Диоды Шоттки - это диод, работа которого основана на выпрямляющем действии контакта: металл полупроводник. Контакт представляет собой тонкую пленку металла (золото, никель, платина, молибден). Достоинства: малый коэффициент шумов, эти диоды обладают наименьшей способностью накопления неравновесных носителей заряда.

3 Эти диоды характеризуются малым прямым сопротивлением, невысокой барьерной емкостью, что позволяет применять их в СВЧ. Предельная частота СВЧ-диодов Шоттки доведена до 500 ГГц. 6. Импульсные диоды. Импульсный диод - это диод, имеющий малую длительность переходных процессов, предназначенный для применения в импульсных режимах работы. По технологии изготовления импульсные диоды подразделяются на точечные, сплавные и диффузионные. Принцип работы: под воздействием входного напряжения положительной полярности через диод протекает прямой ток, величина которого определяется амплитудой импульса, сопротивлением нагрузки и сопротивлением открытого диода. При подаче обратного напряжения диод запирается, но не полностью. Первый момент наблюдается резкое увеличение обратного тока, а затем через время он уменьшится до установившегося значения. Такое явление связано со спецификой работы р-п перехода и представляет собой проявление так называемого эффекта накопления. Сущность его заключается в следующем: при прохождении прямого тока через р-п переход происходит инжекция носителей. В результате инжекции, в непосредственной близости к переходу, создается концентрация неравновесных не основных носителей, которая во много раз превышает концентрацию равновесных носителей в области р-п перехода. Т.к. время жизни неравновесных носителей ограничено, то концентрация их за счет рекомбинации уменьшается, а так же за счет перехода через р-п переход, а, следовательно, обратный ток уменьшается до определенного значения. следовательно, основной характеристикой импульсного диода является переходная характеристика, которая отображает процесс восстановления обратного тока обратного сопротивления диода при воздействии на него импульсного напряжения обратной полярности. Основные параметры: время восстановления 1^ заряд переключения Q n, - это часть заряда, вытекающего во внешнюю цепь при изменении тока с прямого на обратный; импульсное U пр ; импульсный I пр 7. Кремниевый стабилитрон. Стабилитрон - это диод, напряжение на котором в области электрического пробоя при обратном смещении слабо зависит от тока в заданном его диапазоне и который служит для стабилизации напряжения. Кремниевые стабилитроны используют для стабилизации напряжений источников питания, а так же для фиксации уровней напряжений (и токов) в схемах и для некоторых других целей. Стабилитрон включают в схему так, чтобы р-п переход был смещен в обратном направлении. Параметры: 1.Напряжение стабилизации U CT - значение напряжения на стабилитроне при протекании заданного тока стабилизации. 2. Максимальный и минимальный токи стабилизации Imax и Imin 3. Дифференциальное сопротивление: Rст.. =du ст./di ст.;. этот параметр характеризует основное свойство стабилитрона. Чем меньше сопротивление стабилизации, тем лучше осуществляется стабилизация.

4 4. Статическое сопротивление R ст =U ст /I ст 5. Температурный коэффициент напряжения, который является одним из наиболее важных параметров стабилитрона: α ст =ΔU ст. /ΔI ст *1/ΔТ - он показывает относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры на один градус при постоянном значении тока 8. Варикап. Варикап - это диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью. Принцип действия варикапа основан на свойстве зарядной емкости, обратно смещенного р-п перехода, изменять свою величину в зависимости от приложенного к нему напряжения. Варикапы широко используют в схемах автоматической подстройки частоты, амплитудной и частотной модуляции и др. Параметры: С в - емкость между выводами варикапа при заданном обратном напряжении; С min, ; С max ; коэффициент переключения K c =C max /C min ; Q - добротность - отношение реактивного сопротивления к полному сопротивлению потерь; U max ; температурный коэффициент емкости ТКЕ= 1 EE EE TT Варикапы широко используют в схемах автоматической подстройки частоты, амплитудной и частотной модуляции, в схемах параметрических усилителей и др. 9, Туннельный диод. Туннельный диод представляет собой полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на ВАХ при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости. Туннельные диоды применяют в схемах генераторов, усилителей и переключателей СВЧ-диапазонов, в быстродействующих импульсных устройствах и других схемах. Туннельные диоды изготовляют в основном из германия и арсенида галлия. В качестве донор используют фосфор или мышьяк, а в качестве акцепторов - галлий или алюминий для германиевых диодов. Для арсенид-галлиевых применяют олово, свинец, серу, селен, теллур (доноры), цинк, кадмий (акцепторы). Основными параметрами туннельных диодов являются: ВАХ, пиковый ток I П ; ток впадины I В ; отношение токов Iп/Iв напряжение пика, соответствующее пиковому току U n ; напряжение впадины U B ; напряжение раствора U рр. Достоинства: работают в широком диапазоне частот. Недостатки: т.к. они являются двухполюсниками, то в ряде схем, созданных на туннельных диодах возникают определенные сложности с разделением цепей входа и выхода.

5 Основные характеристики диодов. Рис. 1 Схемы для снятия вольт-амперной характеристики диодов (а, 6); вольтамперная характеристика диода (в) Рис. 2. Влияние температуры на вольтамперную характеристику германиевого диода типа ГД102 Рис. 3. Влияние температуры на вольтамперную характеристику кремниевого диода типа КД205

6 Рис. 4. Временные диаграммы токов и напряжений, иллюстрирующие работу диодного ключа СТАБИЛИТРОНЫ Рис. 5 Вольт-амперная характеристика (б) и схема включения (а) стабилитрона Рис. 5. Построения, поясняющие принцип действий варикапа; а зависимость зарядной емкости от t напряжения смещения; б и в временные диаграммы управляющего напряжения и изменения зарядной емкости; г эквивалентная схема варикапа.

7 Рис. 6. Энергетические диаграммы туннельного диода при различных напряжениях смещения и его вольт-амперная характеристика Литература. 1. Гершунский Б.С. Основы электроники и МЭ,К:В.Ш.1989г. 2. Криштафович А.К., Тифонюк В.В. Основы пром.. электроники М.В.Ш,1979г Контрольные вопросы. 1.Маркировка диодов. 2.Дать определение полупроводниковому диоду. 3.Какое свойство p-n-перехода заложено в работу выпрямительного диода? 4.Дать определение туннельному диоду. 5.Какой эффект заложен в работу туннельного диода? 6.Что называется варикапом? 7.Назначение кремниевого стабилитрона. 8.Основные параметры диодов. 9.Применение импульсных диодов. 10. Почему в ВЧ ИСВЧ диодах переходы выполняют точечными?

варикапы, стабилитроны и др.

варикапы, стабилитроны и др. 2.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковыми диодами называют полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом и двумя выводами. Они применяются для выпрямления переменного тока, детектирования

Подробнее

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 3 Лекция 1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 1. Введение 2. Выпрямительные диоды 3. Стабилитроны 4. Диоды Шоттки 5. Выводы План Введение Энергетическая электроника представляет область

Подробнее

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 4 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Назначение, классификация и параметры диодов. 2. Устройство диодов малой, средней и большой мощности.

Подробнее

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 -

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 - ТИРИСТОРЫ ПЛАН 1. Общие сведения: классификация, маркировка, УГО. 2. Динистор: устройство, принцип работы, ВАХ, параметры и применение. 3. Тринистор. 4. Симистор. Тиристор - это полупроводниковый прибор

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1 ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1 Тема: Работа с полупроводниковыми ми Рабочее место: аудитория. Время проведения занятия: 80мин Цель: Научиться работать с полупроводниковыми ми, определять их маркировку по справочным

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых диодов. Ознакомиться с методикой снятия вольтамперных

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы ЛЕЦИЯ 2 ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы План занятия: Структура и принцип работы биполярных транзисторов 2 лассификация биполярных транзисторов 3 Основные параметры биполярных транзисторов 4 Режимы работы

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. 1. Выпрямительные диоды

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. 1. Выпрямительные диоды ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Выпрямительные диоды Выпрямительный диод - полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания.

Подробнее

Температурная зависимость параметров диодов.

Температурная зависимость параметров диодов. НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» www.opprib.ru e-mail: info@opprib.ru

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ План занятия: 1. Классификация и условные графические обозначения тиристоров 2. Принцип работы тиристоров 3. Управляемые тиристоры 4. Симисторы 5. Основные параметры тиристоров 6. Области

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковые диоды Полупроводниковые диоды Электроника Полупроводниковые диоды приборы с одним p-n-переходом и двумя выводами, обладающие односторонней проводимостью тока. Вольт-амперная характеристика диода ВАХ диода -

Подробнее

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ Г. МОСКВЫ ГБОУ СПО КИГМ 23 АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ (для проведения внутренней экспертизы) по учебной дисциплине ОП 04 «Основы радиоэлектроники» Для

Подробнее

Контрольная работа рейтинг 1

Контрольная работа рейтинг 1 Контрольная работа рейтинг 1 ЗАДАНИЕ 1 1. Дать определение потенциального барьера n-p перехода, от чего зависит его величина и толщина перехода. Их влияние на параметры диода. 2. Определить внутреннее

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Руководство к лабораторной работе. "Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов"

Руководство к лабораторной работе. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра телевидения и управления (ТУ) Утверждаю: Зав. кафедрой ТУ И.Н. Пустынский 2008

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Лабораторная работа 3 ДИОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ U, B 0,5. Рис. 3.1

Лабораторная работа 3 ДИОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ U, B 0,5. Рис. 3.1 Лабораторная работа 3 ДИОДЫ Цель работы - изучение принципов построения и основных характеристик выпрямителей сигналов, одно и двусторонних ограничителей на диодах. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ I Диод 0,5 U,

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения (напряжения смещения) приводит к изменению условий переноса заряда через

Подробнее

Лабораторная работа 5.1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Лабораторная работа 5.1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Лабораторная работа 5.1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ 5.1.1. Полупроводниковые диоды Полупроводниковый диод двухполюсный прибор, имеющий один p n переход. По функциональному назначению диоды делят

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Лекция 4. Назначение и классификация диодов. Общие параметры диодов

Лекция 4. Назначение и классификация диодов. Общие параметры диодов Лекция 4. Назначение и классификация диодов. Общие параметры диодов Полупроводниковым диодом называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом, имеющий два вывода.

Подробнее

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности Полупроводниковые диоды - технологии изготовления 1. исторически первые полупроводниковые диоды - т.н. кристаллический детектор - поликристалл PbS (природный минерал галенит, далее такие образцы PbS научились

Подробнее

Лабораторная работа 17 Исследование работы диодных ограничителей

Лабораторная работа 17 Исследование работы диодных ограничителей 1 Лабораторная работа 17 Исследование работы диодных ограничителей Четырехполюсник, на выходе которого напряжение () остается практически неизменным и равным U 0, в то время как входное напряжение () может

Подробнее

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» Методические указания к лабораторной работе 6.3 ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ

Подробнее

1. Назначение и устройство выпрямителей

1. Назначение и устройство выпрямителей Тема 16. Выпрямители 1. Назначение и устройство выпрямителей Выпрямители это устройства, служащие для преобразования переменного тока в постоянный. На рис. 1 представлена структурная схема выпрямителя,

Подробнее

ограничительных и выпрямительно-ограничительных

ограничительных и выпрямительно-ограничительных Анатолий Нефедов (г. Москва) Новые ограничительные и выпрямительноограничительные диоды Радиоэлектронное и электротехническое оборудование должно содержать элементы защиты, гарантирующие безопасную и надежную

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора План занятия: 1. Динамический режим работы транзистора 2. Ключевой режим работы транзистор 3. Динамические

Подробнее

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ ОКБ при НЗПП Применение ускорителя ИЛУ-6 для улучшения свойств высоковольтных выпрямительных столбов.

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ ОКБ при НЗПП Применение ускорителя ИЛУ-6 для улучшения свойств высоковольтных выпрямительных столбов. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ ОКБ при НЗПП Применение ускорителя ИЛУ-6 для улучшения свойств высоковольтных выпрямительных столбов. Авторы : Синекаев В. В., Стрыгин В. И., Попов Б. В., Почуева Л. И., Сербин В.И.,

Подробнее

Лабораторная работа 19 Исследование оптоэлектронных приборов и устройств

Лабораторная работа 19 Исследование оптоэлектронных приборов и устройств 1 Лабораторная работа 19 Исследование оптоэлектронных приборов и устройств Оптоэлектронные приборы являются элементной базой оптоэлектроники сравнительно нового и перспективного направления электронной

Подробнее

Вопросы и задачи к экзамену по дисциплине «Электротехника и электроника»

Вопросы и задачи к экзамену по дисциплине «Электротехника и электроника» Вопросы и задачи к экзамену по дисциплине «Электротехника и электроника» Свойства и методы расчета линейных электрических цепей постоянного тока Теоретические вопросы 1. Понятие электрической цепи, электрической

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

1948г. - усиление сигнала в системе двух сближенных точечных диодов, выполненных на общем Ge кристалле - т.н. точечный транзистор

1948г. - усиление сигнала в системе двух сближенных точечных диодов, выполненных на общем Ge кристалле - т.н. точечный транзистор иполярные транзисторы 1948г. - усиление сигнала в системе двух сближенных точечных диодов, выполненных на общем Ge кристалле - т.н. точечный транзистор 1949г. - аналогичное устройство на основе сплавной

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе.

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора и усилителя

Подробнее

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ Основные понятия

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ Основные понятия 4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ 4.. Основные понятия Электрические цепи могут содержать линейные и нелинейные элементы. Сопротивление линейных элементов не зависит от величины и полярности приложенного

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к выполнению лабораторной работы

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к выполнению лабораторной работы ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УЧЕБНО- НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ КОМПЛЕКС» УЧЕБНО-НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ

Подробнее

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Национальный исследовательский Томский политехнический университет Энергетический институт Кафедра: ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Тема: СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Преподаватель: доцент

Подробнее

«Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов»

«Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов» МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) Лабораторная работа «Изучение характеристик и моделей полупроводниковых диодов» Москва, 26 г. В основе идеализированной модели

Подробнее

У выпрямительного диода анодом называется электрод,

У выпрямительного диода анодом называется электрод, Вывод диода, помеченный цифрой "1" называется база эмиттер катод анод коллектор 1 2 Вывод диода, помеченный цифрой "2" 1 2 называется база эмиттер катод анод коллектор У выпрямительного диода анодом называется

Подробнее

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики 2 возникает слой с особыми свойствами, который и называется p-n переходом или электронно-дырочным

Подробнее

СОДЕРЖАНИЕ 1. ПАСПОРТ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ 2. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ

СОДЕРЖАНИЕ 1. ПАСПОРТ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ 2. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ СОДЕРЖАНИЕ 1. ПАСПОРТ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ. СТРУКТУРА И СОДЕРЖАНИЕ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ 3. УСЛОВИЯ РЕАЛИЗАЦИИ РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЫ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ 4. КОНТРОЛЬ И ОЦЕНКА РЕЗУЛЬТАТОВ ОСВОЕНИЯ

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1.

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1. Вариант 1. 1. Назначение, устройство, принцип действия, условное графическое обозначение и вольт-амперная характеристика электровакуумного диода. 2. Назначение и структурная схема выпрямителей. Основные

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор:. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 5 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Последовательное и параллельное соединение диодов. 2. Выпрямитель переменного тока на одном диоде.

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНА И ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. Составитель: Н.Н. Муравлева

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНА И ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. Составитель: Н.Н. Муравлева ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНА И ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. Методические указания к самостоятельной виртуальной практической работе по дисциплине «Электротехника и электроника» для студентов

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Отчет по лабораторной работе 1 Тема: ИССЛЕДОВАНИЕ СХЕМ НА ДИОДАХ Вы полнил: студент группы СП 08а Кириченко Е. С.

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы Модуль 1 1. Полупроводниковые материалы имеют удельное сопротивление 1) больше, чем проводники 2) меньше, чем проводники 3) больше, чем диэлектрики 4)

Подробнее

нелинейные цепи - коэффициенты уравнений зависят от величин сигналов, их интегралов или производных;

нелинейные цепи - коэффициенты уравнений зависят от величин сигналов, их интегралов или производных; Нелинейные цепи Ранее - линейные инвариантные по времени цепи (ЛИВ-цепи) системы дифференциальных уравнений с коэффициентами, не зависящими ни от времени, ни от величин сигналов (токов и напряжений). Но

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Запираемые тиристоры, в отличие от тринисторов, которые были рассмотрены ранее, - это полностью управляемые приборы, и под воздействием

Подробнее

ДИОДЫ СВЧ 2А551А-3 2А551Г-3

ДИОДЫ СВЧ 2А551А-3 2А551Г-3 2А551А-3 2А551Г-3 Диоды 2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3 бескорпусные кремниевые диффузионные СВЧ переключательные p-i-n предназначены для управления фазой и уровнем СВЧ сигнала. Диоды поставляют

Подробнее

Составитель: Н.Н. Муравлева

Составитель: Н.Н. Муравлева ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Методические указания к самостоятельной виртуальной практической работе по дисциплине «Электротехника и электроника» для студентов всех

Подробнее

АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫЙ ЦЕПЕЙ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ

АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫЙ ЦЕПЕЙ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ Вопросы для подготовки к экзамену по курсу «Основы теории цепей» 1 АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫЙ ЦЕПЕЙ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ 1. Понятие напряжения, тока, мощности, энергии. 2. Модели элементов цепи, вольт-амперная характеристика

Подробнее

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. Часть II. Электроника

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. Часть II. Электроника ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Часть II. Электроника 2 ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ ЭЛЕКТРОВАКУМНЫЕ ПРИБОРЫ Принцип работы электровакуумных приборов основан на явлении термоэлектронной эмиссии. Электровакуумные приборы

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Полевые транзисторы. Лекция 10. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Полевые транзисторы. Лекция 10. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 10 Полевые транзисторы 1. Устройство, принцип работы и ВАХ транзистора с управляемым р-n-переходом. 2. Устройство, принцип

Подробнее

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода»

Лабораторная работа. «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового диода» Государственное образовательное учреждение Московский государственный технологический университет «СТАНКИН» Кафедра физики Лабораторная работа «Изучение вольтамперной характеристики полупроводникового

Подробнее

ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Составлен в соответствии с государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по направлению 210100 и Положением «Об

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода.

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. 3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. Задачи. 1. Получение вольт-амперных характеристик кремневого и германиевого диодов,

Подробнее

парка технологической аппаратуры, то диапазон линейных размеров элементов 0,1-0,05 мкм это фундаментальный физический барьер, за которым все свойства

парка технологической аппаратуры, то диапазон линейных размеров элементов 0,1-0,05 мкм это фундаментальный физический барьер, за которым все свойства Лекция 1. Электроника как наука и стоящие перед ней задачи. Электронные приборы, понятие их надежности. Основные этапы и направления развития электроники Электроника область науки, изучающая теорию и практику

Подробнее

Исследование статической вольтамперной характеристики

Исследование статической вольтамперной характеристики СВЧ-диод Полупроводниковые диоды большой класс двухэлектродных полупроводниковых приборов, характерным признаком которых является нелинейность вольтамперной характеристики. Насчитываются десятки типов

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

Полупроводниковые нелинейные резисторы. План

Полупроводниковые нелинейные резисторы. План Полупроводниковые нелинейные резисторы План 1. Общие сведения. 2. Терморезисторы: устройство, принцип действия, основные параметры, вольтамперная характеристика, УГО, маркировка, применение. 3. Варисторы:

Подробнее

СОДЕРЖАНИЕ. Список сокращений...3 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

СОДЕРЖАНИЕ. Список сокращений...3 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ СОДЕРЖАНИЕ Список сокращений...3 308 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ Глава 26. Теоретические основы электроники.контактные явления...5 26.1.

Подробнее

РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НЕФТИ И ГАЗА имени И.М. ГУБКИНА

РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НЕФТИ И ГАЗА имени И.М. ГУБКИНА Министерство образования и науки Российской Федерации РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НЕФТИ И ГАЗА имени И.М. ГУБКИНА Кафедра теоретической электротехники и электрификации нефтяной и газовой промышленности

Подробнее

idt sin tdt 0,32I T R R R R

idt sin tdt 0,32I T R R R R Лабораторная работа 1 Выпрямитель переменного тока Цель: изучение работы однополупериодного и двухполупериодного выпрямителей и их характеристик. Выпрямителем называется устройство для преобразования напряжения

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

Основные электрические характеристики оптоэлектронных коммутаторов серии К294КП.

Основные электрические характеристики оптоэлектронных коммутаторов серии К294КП. Основные электрические характеристики оптоэлектронных коммутаторов серии К294КП. В современной электронной технике всё более широкое распространение получает новый тип твёрдотельных реле оптоэлектронные

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

По признаку наличия источника электрической энергии НР делятся на активные и пассивные. Если ВАХ проходит через начало координат, то НР. Рис.6.

По признаку наличия источника электрической энергии НР делятся на активные и пассивные. Если ВАХ проходит через начало координат, то НР. Рис.6. 6. Нелинейные электрические цепи Нелинейными элементами электрической цепи называются такие элементы параметры, которых зависят от напряжений, токов, магнитных потоков и других величин, т.е. это элементы

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКИ В РАДИОЭЛЕКТРОНИКЕ

ПОЛУПРОВОДНИКИ В РАДИОЭЛЕКТРОНИКЕ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ХАРЬКОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ В. Н. КАРАЗИНА ЧЕБОТАРЕВ В. И., ДУМИН А. Н., ХОЛОДОВ В. И. ПОЛУПРОВОДНИКИ В РАДИОЭЛЕКТРОНИКЕ Учебно-методическое пособие

Подробнее

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 95 Лекция 0 ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План. Введение. Понижающие импульсные регуляторы 3. Повышающие импульсные регуляторы 4. Инвертирующий импульсный регулятор 5. Потери и КПД импульсных регуляторов

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНОЙ ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА

ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНОЙ ЦЕПИ ПОСТОЯННОГО ТОКА Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «КУБАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факультет Кафедра оптоэлектроники

Подробнее

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Составитель: Н.Н. Муравлева

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Составитель: Н.Н. Муравлева МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования «Томский государственный архитектурно-строительный университет» (ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Подробнее

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ Оптоэлектронным называют полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой,

Подробнее

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» Заместитель директора по учебной работе

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» Заместитель директора по учебной работе ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» ОДОБРЕНЫ ЦМК «РТД» Протокол от «23» ноября 2009 г. 5 Председатель ЦМК УТВЕРЖДАЮ Заместитель директора по учебной работе Д.В. Колесников 20

Подробнее

Цели урока: К концу урока вы должны знать: Назначение. Обозначение на Э3. Основные параметры. Маркировку.

Цели урока: К концу урока вы должны знать: Назначение. Обозначение на Э3. Основные параметры. Маркировку. Тема урока: «Полупроводниковые транзисторы». Цели урока: К концу урока вы должны знать: Назначение. Обозначение на Э3. Основные параметры. Маркировку. К концу урока вы должны уметь: Различать структуру

Подробнее

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника»

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» 1 Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача 1 Время выполнения задания 180 мин. Дано: Е 1 =100 В; Е 2 =500 В; R 1 =1 ком; R 2 =4 ком; R 3 =5 ком; R 4 =500 Ом; R 5 =10 ком; R 6 =100 Ом; Найти показания

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТРАНСПОРТА» Кафедра микропроцессорной техники и информационно-управляющих систем ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 53 3943 Ф 503 ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО ФИЗИКЕ Методические

Подробнее

( 3 2 Щ ^ ипах. Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: Диод 2А547А-3 aa ТУ

( 3 2 Щ ^ ипах. Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: Диод 2А547А-3 aa ТУ ДИОДЫ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ 2AS47A-3 2А547Г-3 Диоды 2А547А-3, 2А547Б-3, 2А547В-3, 2А547Г-3 кремниевые диффузионные с малым током управления быстродействующие СВЧ переключательные бескорпусные предназначены

Подробнее

Моделирование переключения p-n диода в

Моделирование переключения p-n диода в Моделирование переключения p-n диода в программе SPICE Платонов Д. Е., ИПАИТ, ОрелГУ Турин В.О., ФМФ, ОрелГУ Введение SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) симулятор электронных схем

Подробнее

Кафедра «Электроснабжение промышленных предприятий» ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ И ФОРМУЛЫ ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ. СПРАВОЧНИК. Часть I. Методические указания

Кафедра «Электроснабжение промышленных предприятий» ОСНОВНЫЕ СХЕМЫ И ФОРМУЛЫ ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ. СПРАВОЧНИК. Часть I. Методические указания МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОЛГОГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» КАМЫШИНСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ

Подробнее

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов Лекция 4 Контактные явления 4.1 Контактная разность потенциалов Из модели сильной связи в зонной теории твердого тела следует, что энергия электронов в кристалле - величина отрицательная. Физически это

Подробнее

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНА И ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. Методические указания к самостоятельной практической работе

(ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНА И ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО СТАБИЛИЗАТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. Методические указания к самостоятельной практической работе МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное бюджетное образовательное учреждение Высшего профессионального образования «Томский государственный архитектурно-строительный университет» (ТГАСУ) ИССЛЕДОВАНИЕ СТАБИЛИТРОНА

Подробнее