Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме.

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме."

Транскрипт

1 Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме. д.т.н. Григорьянц А.Г., к.т.н. Мисюров А.И., аспирант Макаров В.В. Проведен анализ вакуумных методов формирования квантоворазмерных наноструктур. В тексте представлены наиболее распространенные методы, с их особенностями, принципиальными схемами и условиями формирования тонких пленок. Повышенный интерес уделен методу лазерного парофазного осаждения, обладающего преимуществами по сравнению с другими методами. Также рассмотрены стадии процесса роста тонких пленок и механизмы их роста в вакууме. Ключевые слова: лазерная абляция, эпитаксия, наноструктура. Введение. Квантоворазмерные наноструктуры являются одним из наиболее перспективных объектов нанотехнологии, предназначенных для усиления изоляционных, оптических и магнитных эффектов в тонких пленках, а также повышения автоэмиссионных характеристик поверхностей с нанорельефом. Повышенный интерес исследователей к наноструктурам вызван проявлением у них так называемых «квантовых размерных эффектов» и связан с необычными физическими и химическими свойствами. Одной из главных причин изменения физических и химических свойств малых частиц по мере уменьшения их размеров является возрастание в них относительной доли «поверхностных» атомов. С энергетической точки зрения уменьшение размеров частицы приводит к возрастанию доли поверхностной энергии в ее химическом потенциале. Существует большое количество методов и процессов получения тонких пленок. Чаще всего пленки получают методами осаждения. Различают четыре стадии процесса роста пленок: Образование зародышей и островковой структуры; Срастание и коалесценция островков; Образование каналов; Образование непрерывной пленки. На данный момент существуют три механизма роста пленок, подходящие для вакуумных методов:

2 Послойный рост или рост Франка-ван дер Мерве каждый последующий слой пленки начинает формироваться только после полного завершения роста предыдущего слоя. При послойном росте взаимодействие между подложкой и слоем атомов значительно больше, чем между ближайшими атомами в слое. Островковый рост или рост Вольмера-Вебера полная противоположность послойному росту. Условием его реализации является преобладание взаимодействия между ближайшими атомами над взаимодействием этих атомов с подложкой. При островковом механизме роста вещество с самого начала оседает на поверхности в виде многослойных конгломератов атомов. Промежуточным между этими двумя механизмами является рост Странски- Крастанова первый слой полностью покрывает поверхность подложки, а на нем происходит рост трехмерных островков пленки. К этому механизму могут приводить многие факторы, в частности достаточно большое несоответствие между параметрами кристаллических решеток пленки и подложки. Вакуумные методы формирования. Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). При данном методе тонкие монокристаллические слои формируются за счет реакций между молекулярными или атомными пучками и нагретой монокристаллической подложкой. Высокая температура подложки способствует миграции атомов по поверхности, в результате которой атомы занимают строго определенные положения. Этим определяется ориентировочный рост кристалла формируемой пленки на монокристаллической подложке. Эпитаксия зависит от соотношения между параметрами решетки пленки и подложки, правильно выбранных соотношений между интенсивностями падающих пучков и температуры подложки. МЛЭ характеризуется малой скоростью роста и относительно низкой температурой роста, по сравнению с другими технологиями. Однако обладает высокой точностью задания концентрации легирующих примесей. Также этот метод позволяет размещать в оборудовании для МЛЭ приборы, дающие возможность анализировать параметры слоев непосредственно в процесс выращивания.

3 Рис.1 Схема молекулярно-лучевой эпитаксии. Метод термического испарения в вакууме. При пропускании тока через контакты испаритель разогревается и передаёт своё тепло материалу будущей плёнки, в камере создают вакуум, при этом материал будущей плёнки разогревается и начинает испаряться. Расстояние от подложки до испарителя выбирают так, чтобы длина свободного пробега испаряемых атомов была на порядок выше, чем расстояние от подложки до испарителя. Чтобы улучшить адгезию, подложка разогревается нагревательным элементом. Пока давление паров испаряемого материала меньше давления вакуума, подложка закрыта заслонкой. Как только давление паров испаряемого материала превысит давление вакуума, заслонку отодвигают, и на поверхности подложки происходит интенсивное осаждение плёнки. Рис.2 Схема процесса термического испарения в вакууме. 1-стеклянный колпак; 2- нагреватель подложки; 3-подложкодержатель; 4-подложка; 5-заслонка; 6- испаритель вещества; 7-резиновая прокладка; 8-опорная плита.

4 Эпитаксия из газовой фазы. Метод, основанный на осаждении из газовой фазы вещества, полученного в результате химических реакций. Процессы осуществляются в реакторах; газовая система обеспечивает подачу в реакторную камеру газовой смеси требуемого состава. Добавляя к газовой смеси соединения легирующих элементов, выращивают эпитаксиальные слои. Температура процесса определяется кинетикой химической реакции и обычно находится в пределах С. Рис.3 Схема горизонтальной и вертикальной реакторных камер для эпитаксии из газовой фазы.1 - реакторная камера; 2 - нагреватель; 3 - подставка для подложек; 4 - подложка. Метод магнетронного распыления. Метод основан на распылении материала мишеникатода при его бомбардировке ионами рабочего газа, образующимися в плазме аномального тлеющего разряда, возбуждаемого в скрещенных электрическом и магнитном полях. Магнетронные распылительные системы на постоянном токе могут работать только с мишенями из проводящих материалов. Использование высокочастотных источников питания позволяет также распылять и мишени из непроводящих материалов.

5 Рис.4 Схема магнетронного распыления. 1-колпак; 2-катод-мишень; 3-подложка; 4-анод. Ионно-плазменное распыление. При ионно-плазменном распылении в систему анод - катод-мишень вводят вспомогательный источник электронов - термокатод (Рис. 5). Перед началом работы рабочая камера откачивается до вакуума 10-4 Па и на термокатод подается ток, достаточный для разогрева его и создания термоэлектронного тока (термоэлектронная эмиссия). После разогрева термокатода между ним и анодом прикладывается напряжение, а рабочая камера наполняется инертным газом до давления Па - возникает газовый плазменный разряд. Если подать отрицательный потенциал на катод-мишень, то положительные ионы, возникающие вследствие ионизации инертного газа электронами, будут бомбардировать поверхность катодамишени, распылять его, а частицы материала оседать на подложке, формируя тонкую пленку. Рис.5 Схема ионно-плазменного распыления. 1-колпак; 2-термокатод; 3-подложка; 4- катод-мишень; 5-анод. Импульсная лазерная абляция. (Лазерное парофазное осаждение) (ЛПА или PLD pulsed laser deposition) это процесс быстрого плавления и испарения материала мишени в результате воздействия на него высокоэнергетического лазерного излучения, с последующим переносом в вакууме распыленного материала от мишени к подложке и его осаждения. Механизм лазерной абляции включает в себя процесс абляции материала мишени лазерным облучением, развитие плазменного факела с содержанием ионов и

6 электронов с высокой энергией, а также кристаллический рост самого покрытия на подложке (рис.6). Процесс лазерной абляции в целом можно разделить на четыре этапа: 1. взаимодействие лазерного излучения с мишенью абляция материала мишени и создание плазмы; 2. динамика плазмы ее расширение; 3. нанесение материала на подложку; 4. рост пленки на поверхности подложки. К преимуществам метода импульсной лазерной абляции относятся: высокая скорость осаждения, по сравнению с другими технологиями; быстрый нагрев и охлаждение осаждаемого материала, при этом стехиометрия испаренного вещества соответствует стехиометрии исходной мишени; непосредственная связь энергетических параметров излучения с кинетикой роста слоя; возможность конгруэнтного испарения многокомпонентных мишеней; строгая дозировка подачи материала, в том числе многокомпонентного с высокой температурой испарения; агрегация в кластеры разного размера, заряда и кинетической энергии, позволяющая проводить селекцию с помощью электрического поля для получения определённой структуры осаждаемой плёнки. Рис. 6 Схема импульсной лазерной абляции в вакууме. В МГТУ им. Н.Э. Баумана недавно начаты работы по исследованию особенностей процесса лазерной абляции. Эксперименты проводятся на установке, имеющей в своем составе модуль импульсного лазерного

7 осаждения. Он базируется на эксимерном KrF-лазере, и позволяет осаждать монослои, многослойные структуры и комбинированные слои из различных материалов с неоднородностью по толщине < 5 %. К технологическим возможностям модуля относится: - Осаждение диэлектрических окисных слоев с термостатированием в атмосфере кислорода; - Осаждение нитридных слоев с термостатированием в атмосфере азота; - Осаждение металлических слоев нанометрового диапазона в атмосфере инертного газа; - Получение нанотрубок и нанопроволок германия, кремния, золота и полупроводниковых соединений. Рис. 7 Внешний вид модуля импульсного лазерного осаждения. Первые эксперименты по нанесению оксида алюминия, графита, теллурида висмута на кремниевую подложку показали возможность получения качественных напыленных покрытий, толщина которых составляет менее 100 нм. (рис. 8).

8 Толщина напыленного слоя, нм а Область сканирования, мкм ПОДЛОЖКА ПЕРЕХОДНАЯ ЗОНА НАПЫЛЕННОГО СЛОЯ б Рис. 8 Напыленный слой Al 2 O 3 на кремниевую подложку (а) и распределение толщины слоя на краю напыленной области (б).

9 Распределение толщины слоя на краю напыленной области выполнялось на зондовом микроскопе Ntegra Spectra. Особое внимание уделяется формированию слоев из теллурида висмута для создания термоэлектрических приборов криогенной техники. Исследования показывают существенную зависимость качества напыления от режимов лазерной обработки и технологических приемов, применяемых при проведении операций парофазного осаждения. Список использованной литературы: 1. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. В.Г. Дубровский. Учебное пособие, Магнитные наночастицы: методы получения, строения и свойства. С.П. Губин, Ю.А. Кокшаров, Г.Б. Хомутов, Г.Ю. Юрков. Успехи химии, т.6, Особенности образования структур при вакуумном напылении. Котельников А.М. МИРЭА, Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и дополненное. А.И. Гусев. Москва: Наука-Физматлит, Особенности импульсного лазерного напыления пленок в фоновом газе. О.Ф. Бобренок. Автореферат Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. М Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга, К. Плога, пер. с англ., М., 1989.

RU (11) (51) МПК H01J 37/30 ( ) C23C 14/00 ( )

RU (11) (51) МПК H01J 37/30 ( ) C23C 14/00 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01J 37/30 (2006.01) C23C 14/00 (2006.01) 172 351 (13) U1 R U 1 7 2 3 5 1 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ

Подробнее

Содержание. Введение... 8

Содержание. Введение... 8 Содержание Введение... 8 ЧАСТЬ 1. НАПЫЛЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК...11 Глава 1. Технологические особенности нанесения резистивных слоев...11 1.1 Резисторы из силицидов тугоплавких металлов...11 1.2. Способы получения

Подробнее

Ñîäåðæàíèå. Предисловие 11. Введение 12

Ñîäåðæàíèå. Предисловие 11. Введение 12 Ñîäåðæàíèå Предисловие 11 Введение 12 Глава 1. Пробои на катоде магнетрона 16 1.1. Что такое пробой 16 1.2. Механизм возникновения пробоев на катоде 17 1.3. Причины пробоев на катоде при реактивном магнетронном

Подробнее

Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов

Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов Л9 Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов Удивительный прогресс в микро- и оптоэлектронике, преобразовавший информационный мир за короткий период непосредственно

Подробнее

Нанесение покрытий с использованием несбалансированных магнетронов.

Нанесение покрытий с использованием несбалансированных магнетронов. Нанесение покрытий с использованием несбалансированных магнетронов. Схема процесса нанесения покрытий методом магнетронного распыления с использованием несбалансированных магнетронов (НМ) показана на рис.1.

Подробнее

Исследованы параметры аномального тлеющего разряда в вакууме и разработана ионно-плазменная технология получения широкополосных стоматологических

Исследованы параметры аномального тлеющего разряда в вакууме и разработана ионно-плазменная технология получения широкополосных стоматологических УДК 539.216.2, 621.793.18 Р. Т. Галяутдинов, М. В. Елхин, Н. Ф. Кашапов АНОМАЛЬНЫЙ ТЛЕЮЩИЙ РАЗРЯД В ВАКУУМЕ В ПРОЦЕССЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКООТРАЖАЮЩИХ СТОМАТОЛОГИЧЕСКИХ ЗЕРКАЛ Ключевые слова: аномально тлеющий

Подробнее

Тонкие пленки в микроэлектронике

Тонкие пленки в микроэлектронике 3 Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) К.И. Смирнова Тонкие пленки в микроэлектронике Учебно-методическое пособие по аудиторным

Подробнее

Влияние парциального состава газовой смеси на характеристики магнетронного разряда с алюминиевым катодом

Влияние парциального состава газовой смеси на характеристики магнетронного разряда с алюминиевым катодом УДК 67.05 Влияние парциального состава газовой смеси на характеристики магнетронного разряда с алюминиевым катодом Зимин Д.Д., студент Россия, 105005, г. Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра «Плазменные

Подробнее

Особенности электронно-лучевого испарения керамики на основе оксида алюминия в форвакуумной области давлений

Особенности электронно-лучевого испарения керамики на основе оксида алюминия в форвакуумной области давлений Особенности электронно-лучевого испарения керамики на основе оксида алюминия в форвакуумной области давлений Авторы: С. С. Хващевская, студентка каф. ФЭ, А. А. Кузнецов, студент каф. ЭП, ФЭТ, ТУСУР Научный

Подробнее

Физика конденсированного состояния

Физика конденсированного состояния МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

МЕТАЛЛЫ И ПОЛУПРОВОДНИКИ: ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССЫ

МЕТАЛЛЫ И ПОЛУПРОВОДНИКИ: ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССЫ МЕТАЛЛЫ И ПОЛУПРОВОДНИКИ: ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССЫ МОДУЛЬ 3. Тонкие пленки и покрытия Лекция 14 Эпитаксиальный рост полупроводников. Эпитаксия из газовой фазы. Жидкофазная эпитаксия. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

Подробнее

ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК РАСПЫЛЕНИЕМ МАТЕРИАЛА ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ

ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК РАСПЫЛЕНИЕМ МАТЕРИАЛА ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ УДК 621.923 ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК РАСПЫЛЕНИЕМ МАТЕРИАЛА ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКОЙ С.И.Шкурат, кандидат химических наук, доцент Национальный кораблестроительный университет им.адм. Макарова П.Н.Полянский, асистент

Подробнее

Регулирование механических свойств углеродных покрытий путем их многокомпонентного легирования

Регулирование механических свойств углеродных покрытий путем их многокомпонентного легирования Регулирование механических свойств углеродных покрытий путем их многокомпонентного легирования 1. Цели и задачи исследования Разработка методов получения твердых, износостойких покрытий на основе углерода

Подробнее

Физика. Простые задачи. Задача 1. Задача 2

Физика. Простые задачи. Задача 1. Задача 2 Физика Простые задачи Задача 1 Для элементного анализа пробу наночастиц подготавливают следующим образом: сперва её испаряют, а затем ионизируют электронным пучком. Температура кипения серебра T = 2485

Подробнее

2.4. Вакуумные системы.

2.4. Вакуумные системы. 2.4. Вакуумные системы. Вакуум (vacuum пустота) пространство, свободное от вещества. В технике и прикладной физике под вакуумом понимают среду, содержащую газ при давлениях значительно ниже атмосферного.

Подробнее

Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике»

Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике» Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике» п/п Лекционные занятия Варианты курсов Прим. Наименование раздела, темы «Оператор» 0лк 0 пр., нед.

Подробнее

МЕТАЛЛЫ И ПОЛУПРОВОДНИКИ: ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССЫ

МЕТАЛЛЫ И ПОЛУПРОВОДНИКИ: ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССЫ МЕТАЛЛЫ И ПОЛУПРОВОДНИКИ: ТЕХНОЛОГИИ И ПРОЦЕССЫ МОДУЛЬ 3. Тонкие пленки и покрытия Лекция 11 Физические методы нанесения тонких пленок. Термическое испарение. Вакуумнодуговое напыление. Методы нанесения

Подробнее

С. Н. Бобраков (1), зам. гл. инженера, к.т.н. В. Д. Малыгин (1), зам. гл. инженера, к.т.н. Г. П. Малышев (2), профессор, к.т.н.

С. Н. Бобраков (1), зам. гл. инженера, к.т.н. В. Д. Малыгин (1), зам. гл. инженера, к.т.н. Г. П. Малышев (2), профессор, к.т.н. УДК 621.793.6:669.35 С. Н. Бобраков (1), зам. гл. инженера, к.т.н. В. Д. Малыгин (1), зам. гл. инженера, к.т.н. Г. П. Малышев (2), профессор, к.т.н. МАГНЕТРОННЫЙ МЕТОД НАНЕСЕНИЯ СЕРЕБРЯНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ

Подробнее

Получение пленок методом распылительной сушки

Получение пленок методом распылительной сушки Получение пленок методом распылительной сушки Список основных характеристик качества пленки 1. Чистота. В большинстве случаев требуется высокочистая пленка для модификации электрических, магнитных, механических

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ (6 ЧАСОВ) Тема 7. Расчет критического радиуса зародыша новой фазы (2 часа)

МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ (6 ЧАСОВ) Тема 7. Расчет критического радиуса зародыша новой фазы (2 часа) МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ (6 ЧАСОВ) Тема 7. Расчет критического радиуса зародыша новой фазы (2 часа) К настоящему времени разработано большое количество разнообразных методов и способов,

Подробнее

Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев

Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев ООО «Ионные источники и Технологии», Московская область, Россия. Нанесение оптических покрытий с ионным ассистированием

Подробнее

Требования к уровню освоения учебного курса

Требования к уровню освоения учебного курса Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы по направлению «Планарные материалы (пленки и покрытия, интерфейсы, молекулярные слои, гетероструктуры)

Подробнее

Требования к уровню освоения учебного курса

Требования к уровню освоения учебного курса Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы по направлению «Наноэлектроника, компонентная база и устройства. Физические принципы. Применяемые технологии

Подробнее

УДК МЕХАНИЗМ НАЧАЛЬНОГО ЭТАПА РОСТА ПЛЕНОК CR, ПОЛУЧЕННЫХ ПРИ ПОМОЩИ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ

УДК МЕХАНИЗМ НАЧАЛЬНОГО ЭТАПА РОСТА ПЛЕНОК CR, ПОЛУЧЕННЫХ ПРИ ПОМОЩИ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ УДК 533.9 МЕХАНИЗМ НАЧАЛЬНОГО ЭТАПА РОСТА ПЛЕНОК CR, ПОЛУЧЕННЫХ ПРИ ПОМОЩИ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ В.И.Перекрестов, С.Н.Кравченко Сумский государственный университет, г.сумы Методом

Подробнее

Механизмы роста твердых тонких пленок

Механизмы роста твердых тонких пленок Л14 Механизмы роста твердых тонких пленок Ti-O-N TiO 2 покрытия15 TiON покрытия; 15 и 180 минут Электронная микроскопия и 180 минут 1 Средний размер «зерна» составляет величину 13.83 нм. АСМ изображение

Подробнее

Ионно-плазменные технологии и оборудование

Ионно-плазменные технологии и оборудование Ионно-плазменные технологии и оборудование ИОННО-ПЛАЗМЕННЫЕ УСТАНОВКИ ПО ОБРАБОТКЕ ЛИСТОВОГО СТЕКЛА: СЕРИЯ «ОПАЛ» Предназначены для осаждения низкоэмиссионных, отражающих и тонирующих покрытий на лстовое

Подробнее

Виды электронной эмиссии

Виды электронной эмиссии Виды электронной эмиссии Физические процессы, протекающие в вакуумных электронных приборах и устройствах: эмиссия электронов из накаливаемых, холодных и плазменных катодов; формирование (фокусировка) и

Подробнее

2.4. Механизмы роста пленок на подложках

2.4. Механизмы роста пленок на подложках 2.4. Механизмы роста пленок на подложках Формирование тонких пленок на поверхности подложек наиболее часто происходит в две стадии: а) стадия образования зародышей, на которой возникают критические зародыши,

Подробнее

В. И. Яковлев, Е. В. Аношкина, В. В. Бузаев Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова, г. Барнаул

В. И. Яковлев, Е. В. Аношкина, В. В. Бузаев Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова, г. Барнаул УДК 6. ПОЛУЧЕНИЕ ОБРАЗЦОВ ПОВЕРХНОСТЕЙ С СЕЛЕКТИВНЫМ ПОКРЫТИЕМ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ КОЛЛЕКТОРОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СОВРЕМЕННОГО ПРОИЗВОДСТВЕННОГО ОПЫТА В УСЛОВИЯХ ЛАБОРАТОРНОЙ БАЗЫ В. И. Яковлев, Е. В. Аношкина,

Подробнее

Перспективы получения нанометровой шероховатости поверхности ионно-лучевым методом

Перспективы получения нанометровой шероховатости поверхности ионно-лучевым методом УДК 621.3.049.77 Перспективы получения нанометровой шероховатости поверхности ионно-лучевым методом Е.В. Одинокова, Ю.В. Панфилов, П.И. Юрченко МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, 105005, Россия Анализируются

Подробнее

СОДЕРЖАНИЕ. Предисловие ко второму изданию...5

СОДЕРЖАНИЕ. Предисловие ко второму изданию...5 СОДЕРЖАНИЕ Предисловие ко второму изданию...5 Глава 1. Введение...11 1.1. Вступление...11 1.2. Появление нанотехнологии...14 1.3. Подходы «снизу вверх» и «сверху вниз»...18 1.4. Основные проблемы нанотехнологии...19

Подробнее

Оптимизация кинематических режимов магнетронного напыления на основе расчета неравномерности покрытия

Оптимизация кинематических режимов магнетронного напыления на основе расчета неравномерности покрытия УДК 621.793 Оптимизация кинематических режимов магнетронного напыления на основе расчета неравномерности покрытия Введение Демидов П.С., студент Россия, 105005, г. Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» ИОНЦ «Нанотехнологии и перспективные

Подробнее

Электрофизические свойства пленок пентаоксида тантала, модифицированных углеродом. 1 Введение

Электрофизические свойства пленок пентаоксида тантала, модифицированных углеродом. 1 Введение Электрофизические свойства пленок пентаоксида тантала, модифицированных углеродом И.О.Берков (студент кафедры ФЭ), В.С. Смирнов (студент кафедры ФЭ) ТУСУР. Эл.почта: elias1@inbox.ru, Научный руководитель:

Подробнее

Требования к уровню освоения учебного курса

Требования к уровню освоения учебного курса Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)» Ректор МФТИ УТВЕРЖДАЮ Н.Н. Кудрявцев Программа краткосрочного

Подробнее

Франка ван-дер-мерве Фольмера-Вебера Странского - Крастанова Рис Механизмы роста пленок на подложках

Франка ван-дер-мерве Фольмера-Вебера Странского - Крастанова Рис Механизмы роста пленок на подложках 2.4. Механизмы роста пленок на подложках Формирование тонких пленок на поверхности подложек наиболее часто происходит в две стадии: а) стадия образования зародышей, на которой возникают критические зародыши,

Подробнее

НАЧАЛЬНЫЕ СТАДИИ РОСТА ПЛЕНОК ВОЛЬФРАМА И МЕДИ ПРИ МАГНЕТРОННОМ РАСПЫЛЕНИИ

НАЧАЛЬНЫЕ СТАДИИ РОСТА ПЛЕНОК ВОЛЬФРАМА И МЕДИ ПРИ МАГНЕТРОННОМ РАСПЫЛЕНИИ НАЧАЛЬНЫЕ СТАДИИ РОСТА ПЛЕНОК ВОЛЬФРАМА И МЕДИ ПРИ МАГНЕТРОННОМ РАСПЫЛЕНИИ 1 И.С. Монахов, М.Г. Тюрганов Московский государственный институт электроники и математики (ТУ) E-mail: met@miem.edu.ru, ivmontt@rambler.ru

Подробнее

О классификации видов кристаллизации аморфных пленок по структурно-морфологическим признакам

О классификации видов кристаллизации аморфных пленок по структурно-морфологическим признакам 26 мая 05 О классификации видов кристаллизации аморфных пленок по структурно-морфологическим признакам А.Г. Багмут Национальный технический университет Харьковский политехнический институт E-mail: Bagmut@kpi.Kharkov.ua

Подробнее

Новое технологическое оборудование инновационным технологиям микро-, нано-, радиоэлектроники

Новое технологическое оборудование инновационным технологиям микро-, нано-, радиоэлектроники Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" ОАО НИИТМ Новое технологическое оборудование инновационным технологиям микро-, нано-, радиоэлектроники Сентябрь

Подробнее

Секция: физика Университетский Лицей 1511 предуниверситария НИЯУ МИФИ 115522, г. Москва Пролетарский проспект д. 6, корп. 3 тел: (495) 788-56-99, e-mail: sch_1511@gor.educom.ru Осаждение пористых кремниевых

Подробнее

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК

МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины» В. А. Гольдаде, Н. Н. Федосенко МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК Практическое

Подробнее

Вакуумные установки серий Ника-2012 и Ника-2013

Вакуумные установки серий Ника-2012 и Ника-2013 Берлин Е. В., Григорьев В. Ю. Вакуумные установки серий Ника-2012 и Ника-2013 ВТТ 2015 Санкт-Петербург Серия «Ника-2012» Современный аналог колпаковых машин серии УВН-71. Состав: Камера нерж. Ø400х350

Подробнее

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ

ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПРИОРИТЕТНЫЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ПРОЕКТ "ОБРАЗОВАНИЕ" Проект «Инновационная образовательная среда в классическом университете» Пилотный проект 22 «Разработка и

Подробнее

НИИ СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ И РЕАЛИЗАЦИИ НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

НИИ СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ И РЕАЛИЗАЦИИ НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ПРОМЫШЛЕННЫЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ В. Одиноков, Г. Павлов http://www.niitm.ru/ info@niitm.ru СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ И РЕАЛИЗАЦИИ НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ НИИ точного машиностроения (НИИТМ) основан

Подробнее

Особенности структурирования поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ плазменной обработке в различных газовых средах

Особенности структурирования поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ плазменной обработке в различных газовых средах 12 мая 06;11 Особенности структурирования поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ плазменной обработке в различных газовых средах В.Я. Шаныгин, Р.К. Яфаров Саратовский филиал Института радиотехники

Подробнее

Магнетронное напыление прозрачных электродов ITO из металлической мишени на холодную подложку

Магнетронное напыление прозрачных электродов ITO из металлической мишени на холодную подложку Журнал технической физики, 04, том 84, вып. 0 Магнетронное напыление прозрачных электродов ITO из металлической мишени на холодную подложку Л.П. Амосова, М.В. Исаев Санкт-Петербургский национальный исследовательский

Подробнее

Трехслойные наноструктуры интерференционных фильтров Фабри-Перо высокого разрешения

Трехслойные наноструктуры интерференционных фильтров Фабри-Перо высокого разрешения Трехслойные наноструктуры интерференционных фильтров Фабри-Перо высокого разрешения Денисов А.А. Руководитель: Шахнов В.А., д.т.н., проф. кафедры ИУ4 МГТУ им. Н.Э.Баумана Цель работы Цель работы: Разработка

Подробнее

Богданов Евгений Анатольевич ПОЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ОКСИДНЫХ ПОКРЫТИЙ

Богданов Евгений Анатольевич ПОЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ОКСИДНЫХ ПОКРЫТИЙ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого» На правах рукописи Богданов Евгений Анатольевич ПОЛУЧЕНИЕ,

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Федеральное агентство по образованию

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Федеральное агентство по образованию МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное агентство по образованию Московский государственный институт электроники и математики (Технический университет) Ф.И.ГРИГОРЬЕВ ОСАЖДЕНИЕ

Подробнее

Ключевые слова: единичные наночастицы, наноструктурированные покрытия, адсорбция, химическое взаимодействие

Ключевые слова: единичные наночастицы, наноструктурированные покрытия, адсорбция, химическое взаимодействие Аннотация проекта (ПНИЭР), выполняемого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 2020 годы» Номер Соглашения о предоставлении

Подробнее

Лабораторная работа 1. Изучение процессов молекулярно-лучевой эпитаксии

Лабораторная работа 1. Изучение процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Лабораторная работа 1 Изучение процессов молекулярно-лучевой эпитаксии Цели работы: - ознакомиться с установкой молекулярно-лучевой эпитаксии; - смоделировать и пронаблюдать процессы роста соединений -

Подробнее

УДК Иващенко С.А., Койда С.Г. ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ НАНЕСЕНИЯ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫХ ПОКРЫТИЙ НА ИЗМЕНЕНИЕ МИКРОТВЁРДОСТИ ПОКРЫТИЯ

УДК Иващенко С.А., Койда С.Г. ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ НАНЕСЕНИЯ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫХ ПОКРЫТИЙ НА ИЗМЕНЕНИЕ МИКРОТВЁРДОСТИ ПОКРЫТИЯ внутренняя энергия системы взаимодействующих частиц не меняется, то перезарядка называется резонансной, что характерно для взаимодействия иона и атома одного вещества [3]. Данный процесс применительно

Подробнее

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ МЕМРИСТОРНОГО ТИПА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК TiО 2 TiO x НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ МЕМРИСТОРНОГО ТИПА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК TiО 2 TiO x НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ УДК 537.226.83 ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ МЕМРИСТОРНОГО ТИПА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК TiО 2 TiO x НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ С.Г. Нагайчук, Д.П. Аргунов, П.А. Змановский Разработан метод получения тонких пленок TiO x, получены

Подробнее

образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана», профессор кафедры высшей математики.

образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана», профессор кафедры высшей математики. ЗАКЛЮЧЕНИЕ диссертационного совета Д 212.141.17 на базе федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный технический

Подробнее

ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫМИ МЕТОДАМИ

ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫМИ МЕТОДАМИ Основными достоинствами спирального компрессора являются: надежность; низкий уровень шума, в том числе и во время пуска (начала работы); низкая вибрация; компактность; небольшой вес компрессора; низкое

Подробнее

ФОРМИРОВАНИЕ РОЕВИДНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР В ТВЕРДОФАЗНЫХ ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ 1. Введение

ФОРМИРОВАНИЕ РОЕВИДНЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР В ТВЕРДОФАЗНЫХ ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ 1. Введение ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ 1/2 ФИЗИКА 2011 УДК 544.032 Ю.Г. ГАЛИЦЫН*, Ю.И. МИХАЙЛОВ***,**, Б.Б. БОХОНОВ**, К.Ю. МИХАЙЛОВ***, Д.В. ДМИТРИЕВ*, С.П. МОЩЕНКО*, А.И. ТОРОПОВ*, А.А. ЛЯМКИНА* ФОРМИРОВАНИЕ

Подробнее

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ и НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное агентство по образованию МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ (Технический университет) Кафедра физических основ

Подробнее

ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЙ

ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЙ Рисунок 3 Зависимость удельного расхода электроэнергии турбокомпрессора К500-61-5 от температуры воздуха после промежуточных воздухоохладителей Таким образом, повышение температуры воздуха после промежуточных

Подробнее

Учебная программа дисциплины СД.Ф.03 Материалы и методы нанотехнологии

Учебная программа дисциплины СД.Ф.03 Материалы и методы нанотехнологии Учебная программа дисциплины СД.Ф.03 Материалы и методы нанотехнологии направление подготовки 210600 нанотехнология дипломированных специалистов по специальности 210601 нанотехнология в электронике и бакалавров

Подробнее

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Моди

Рабочая программа дисциплины послевузовского профессионального образования (аспирантура) Моди МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Физика поверхности и тонких пленок

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Физика поверхности и тонких пленок КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "УТВЕРЖДАЮ" Проректор В.С.Бухмин ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ Физика поверхности и тонких пленок Цикл ДС ГСЭ - общие гуманитарные и социально-экономические дисциплины; ЕН

Подробнее

02;04.

02;04. 12 марта 02;04 Особенности переноса распыленных атомов при нанесении пленок Ta 2 O 5 на подложки сложной пространственной конфигурации Ю.А. Быстров, В.Л. Ласка, В.А. Вольпяс, Е.А. Говако, Д.Е. Тимофеев,

Подробнее

Материалы Международной научно-технической конференции, ноября 2011 г.

Материалы Международной научно-технической конференции, ноября 2011 г. Материалы Международной научно-технической конференции, 14 17 ноября 2011 г. МОСКВА INTERMATIC 2 0 1 1, часть 2 МИРЭА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОРАЗМЕОНЫХ ПЛЕНОК НИТРИДА

Подробнее

ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Л.Р. Битнер ВАКУУМНАЯ И ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Учебно-методическое пособие для студентов

Подробнее

Модуль 2 Процессы получения полупроводниковых пленок

Модуль 2 Процессы получения полупроводниковых пленок Модуль 2 Процессы получения полупроводниковых пленок 2.1. Химическая, электрохимическая и ионно-плазменная обработка. Задачи, решаемые с применением химической и электрохимической обработок, можно разбить

Подробнее

удельный заряд электрона

удельный заряд электрона ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В РАЗЛИЧНЫХ СРЕДАХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В МЕТАЛЛАХ 1. Все металлы являются проводниками тока и состоят из пространственной кристаллической решетки, узлы которой совпадают с центрами положительных

Подробнее

ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ»

ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ» ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ» ВВЕДЕНИЕ «ОБЩЕИНЖЕНЕРНАЯ ЭРУДИЦИЯ» Первичные определения и понятия о тонких пленках, вакуумных методах

Подробнее

ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ НАНОМАТЕРИАЛЫ Ю.Панфилов ПРАКТИЧЕСКИЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ (аналитический обзор) В сентябре 2007 года МГТУ им. Н.Э. Баумана и ОАО ЦНИТИ "Техномаш" провели XIII Международную

Подробнее

ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ Садыков Э., Ташполотов Ы. Ошский государственный университет

ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ Садыков Э., Ташполотов Ы. Ошский государственный университет ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ Садыков Э., Ташполотов Ы. Ошский государственный университет В настоящее время создания полупроводниковых структур на основе нанотехнологии

Подробнее

Исследование поверхностных структур плёнок алюминия

Исследование поверхностных структур плёнок алюминия Исследование поверхностных структур плёнок алюминия Автор Трусов Герман Валентинович Москва, лицей 1586 Москва, 2008 Цель, объект и задачи исследования Цель исследования -получение сведений о структуре

Подробнее

05.2;07.

05.2;07. 26 ноября 05.2;07 Экспериментальное исследование поглощения волн миллиметрового диапазона в тонких металлических пленках В.Г. Андреев, В.А. Вдовин, П.С. Воронов Институт радиофизики и электроники РАН,

Подробнее

04;10;12.

04;10;12. 04;10;12 Особенности генерации низкоэнергетичных электронных пучков большого сечения из плазменного источника электронов пеннинговского типа В.Н. Бориско, А.А. Петрушеня Харьковский национальный университет,

Подробнее

Методы уменьшения капельной фазы в установках с эрозионными генераторами плазмы

Методы уменьшения капельной фазы в установках с эрозионными генераторами плазмы УДК 621.793 Методы уменьшения капельной фазы в установках с эрозионными генераторами плазмы Кромов П.В., студент Россия, 105005, г. Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра «Плазменные энергетические установки»

Подробнее

СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ (34) ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ПРОВОДИМОСТЬ ПЕРИОДИЧЕСКИХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР Si/CaF 2.

СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ (34) ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ПРОВОДИМОСТЬ ПЕРИОДИЧЕСКИХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР Si/CaF 2. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ. - 2003. - 4(34) 53-58 УДК 621.382: 539.16.04 ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИИ НА ПРОВОДИМОСТЬ ПЕРИОДИЧЕСКИХ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР Si/CaF 2. А.А. ВЕЛИЧКО, В.А. ИЛЮШИН, Н.И. ФИЛИМОНОВА В работе

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ЕН.Р.2 ЕСТЕСТВЕННОНАУЧНЫЕ ОСНОВЫ ВЫСОКИХ ТЕХНОЛОГИЙ

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ЕН.Р.2 ЕСТЕСТВЕННОНАУЧНЫЕ ОСНОВЫ ВЫСОКИХ ТЕХНОЛОГИЙ РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ЕН.Р.2 ЕСТЕСТВЕННОНАУЧНЫЕ ОСНОВЫ ВЫСОКИХ ТЕХНОЛОГИЙ основной образовательной программы высшего образования программы специалитета Специальность: 100101.65 Сервис Специализация: Сервис

Подробнее

RU (11) (13) C2

RU (11) (13) C2 РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 2319788 (13) C2 (51) МПК C23C14/35 (2006.01) ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Статус:

Подробнее

Влияние режимов магнетронного напыления на оптико-физические свойства медных нанопокрытий

Влияние режимов магнетронного напыления на оптико-физические свойства медных нанопокрытий ВИАМ/2010-205694 Влияние режимов магнетронного напыления на оптико-физические свойства медных нанопокрытий В.А. Богатов С.С. Захаров П.П. Кисляков А.Г. Крынин Ю.А. Хохлов Ноябрь 2010 Всероссийский институт

Подробнее

ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ МОЛЕКУЛЯРНО- ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР СaF 2 /BaF 2 /Si(100).

ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ МОЛЕКУЛЯРНО- ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР СaF 2 /BaF 2 /Si(100). СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ, _ 2005. -.- 1- УДК 621.382: 539.16.04 ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ МОЛЕКУЛЯРНО- ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СТРУКТУР СaF 2 /BaF 2 /Si(100).

Подробнее

ОБРАЗОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР TIN В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЖЕЛЕЗА ПРИ ДЕЙСТВИИ ИОНОВ РАЗЛИЧНЫХ СОРТОВ, ЗАРЯДНОСТЕЙ И ЭНЕРГИЙ. Введение

ОБРАЗОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР TIN В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЖЕЛЕЗА ПРИ ДЕЙСТВИИ ИОНОВ РАЗЛИЧНЫХ СОРТОВ, ЗАРЯДНОСТЕЙ И ЭНЕРГИЙ. Введение 24 УДК 621.865.6 О.М. Мелкозерова ОБРАЗОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР TIN В ПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ЖЕЛЕЗА ПРИ ДЕЙСТВИИ ИОНОВ РАЗЛИЧНЫХ СОРТОВ, ЗАРЯДНОСТЕЙ И ЭНЕРГИЙ Введение Интерес к наноматериалам обусловлен возможностью

Подробнее

S u. Пятаева И.Н. Бакулова Н.В. Страница 1 R 1

S u. Пятаева И.Н. Бакулова Н.В. Страница 1 R 1 Механизм проводимости тока в разных средах. Вне зависимости от среды, условиями возникновения тока являются: наличие зарядов, способных перемещаться при наличии электрического поля. наличие постоянно поддерживаемой

Подробнее

Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p структур в процессе формирования омических никелевых контактов

Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p структур в процессе формирования омических никелевых контактов 26 июня 06.1;06.2 Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых p + n структур в процессе формирования омических никелевых контактов Н.В. Богач, В.Н. Литвиненко, И.Е. Марончук Харьковский

Подробнее

Тема 7. Сварка. Общая характеристика. Сварка металлов плавлением и давлением. Пайка и склеивание материалов

Тема 7. Сварка. Общая характеристика. Сварка металлов плавлением и давлением. Пайка и склеивание материалов Вольфганг Паули «Поверхность создана дьяволом!» Энрико Ферми «Поверхности очень интересны, но ведь их так мало...» Что Ферми имел в виду: поверхность занимает очень малую часть массивного тела ее почти

Подробнее

СВОЙСТВА ФОРМОВАННЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ НАНОСТУКТУР. В. И. Зеленский, П. Е. Троян. K в зависимости от напряжения между элек-

СВОЙСТВА ФОРМОВАННЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ НАНОСТУКТУР. В. И. Зеленский, П. Е. Троян. K в зависимости от напряжения между элек- ВЕСТНИК ЮГОРСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА 2015 г. Выпуск 2 (37). С. 53 57 СВОЙСТВА ФОРМОВАННЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ НАНОСТУКТУР В. И. Зеленский, П. Е. Троян УДК 537.5 Введение Тонкопленочная структура

Подробнее

Современные конструкционные материалы. Лекция 6. Наноструктурные материалы и покрытия

Современные конструкционные материалы. Лекция 6. Наноструктурные материалы и покрытия Современные конструкционные материалы Лекция 6. Наноструктурные материалы и покрытия Введение В настоящее время область исследования наноструктурных объектов является наиболее быстроразвивающейся, поскольку

Подробнее

Спектроскопия комбинационного рассеяния света графена

Спектроскопия комбинационного рассеяния света графена Пятнадцатая научная конференция «Шаг в будущее, Москва» Кафедра ИУ4 МГТУ им. Н.Э. Баумана «Проектирование и технология производства электронно-вычислительных средств» Спектроскопия комбинационного рассеяния

Подробнее

Теллурид кадмия в пленках системы теллур кадмий, сформированной ультрадисперсными частицами

Теллурид кадмия в пленках системы теллур кадмий, сформированной ультрадисперсными частицами 06 Теллурид кадмия в пленках системы теллур кадмий, сформированной ультрадисперсными частицами Ю.Ж. Тулеушев, В.Н. Володин, А.А. Мигунова, В.Н. Лисицын Институт ядерной физики, 050032 Алматы, Казахстан

Подробнее

Физика полупроводников

Физика полупроводников МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова Физический факультет УТВЕРЖДАЮ Проректор по развитию образования Е.В.Сапир " " 2012 г. Рабочая

Подробнее

Курс лекций «Основы нанотехнологии»

Курс лекций «Основы нанотехнологии» Курс лекций «Основы нанотехнологии» 1 Лекция 9 ОСНОВЫ НАНОТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Для этого класса материалов характерно как получение наночастиц (типа CdS, CdSe, InP и др.), так и гетероструктур

Подробнее

Содержание. Предисловие автора 12. Предисловие редактора русского перевода 14. Глава 1. Введение 17

Содержание. Предисловие автора 12. Предисловие редактора русского перевода 14. Глава 1. Введение 17 Содержание Предисловие автора 12 Предисловие редактора русского перевода 14 Глава 1. Введение 17 Глава 2. Введение в физику твердого тела 23 2.1. Атомарная структура 23 2.1.1. Размерные эффекты 23 2.1.2.

Подробнее

Гусев Дмитрий Александрович. ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР GaInPAs-GaAs

Гусев Дмитрий Александрович. ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР GaInPAs-GaAs На правах рукописи Гусев Дмитрий Александрович ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР GaInPAs-GaAs 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной

Подробнее

69 дефектов в кристаллах 1. Новые конфигурации дефектов в алмазной решетке Эксперименты по низкотемпературной миграции и

69 дефектов в кристаллах 1. Новые конфигурации дефектов в алмазной решетке Эксперименты по низкотемпературной миграции и В.С.Вавилов, А.Е.Кив, О.Р.Ниязова МЕХАНИЗМЫ ОБРАЗОВАНИЯ И МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1081 368 с. В книге описаны результаты экспериментального

Подробнее

6. Самосборка сложных наноструктур

6. Самосборка сложных наноструктур 6. Самосборка сложных наноструктур В прошлой главе были рассмотрены примеры самосборки упорядоченных массивов из наночастиц, имеющих одинаковые размеры и форму. Однако, последние исследования показывают,

Подробнее

В. М. МЕДУНЕЦКИЙ, А. А. ШМИДБЕРСКАЯ

В. М. МЕДУНЕЦКИЙ, А. А. ШМИДБЕРСКАЯ 65 УДК.621.384 В. М. МЕДУНЕЦКИЙ, А. А. ШМИДБЕРСКАЯ ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНЫХ МИКРОРЕЛЬЕФОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ ОСТРОСФОКУСИРОВАННЫМ ПУЧКОМ ТЯЖЕЛЫХ ИОНОВ Рассмотрен процесс формирования профиля канавки

Подробнее

Исследование деградации изоляционных материалов с защитными газонепроницаемыми слоями под воздействием факторов открытого космоса /515949

Исследование деградации изоляционных материалов с защитными газонепроницаемыми слоями под воздействием факторов открытого космоса /515949 Исследование деградации изоляционных материалов с защитными газонепроницаемыми слоями под воздействием факторов открытого космоса 77-48211/515949 # 12, декабрь 2012 Башков В.М., Литвак Ю.Н., Макеев М.О.,

Подробнее

Цель работы - исследование влияния параметров сильноточного импульсного магнетронного распыления на структуру, свойства и итоговые эксплуатационные

Цель работы - исследование влияния параметров сильноточного импульсного магнетронного распыления на структуру, свойства и итоговые эксплуатационные ВВЕДЕНИЕ Работа посвящена экспериментальному поиску и теоретическому обоснованию путей управления свойствами ультратонких пленок меди, наносимых методом сильноточного импульсного магнетронного распыления.

Подробнее

Основы нанохимии и нанотехнологии

Основы нанохимии и нанотехнологии ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» ИОНЦ «Нанотехнологии и перспективные

Подробнее

1. Оптический пробой среды. 2. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность.

1. Оптический пробой среды. 2. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность. Лекция 6 ТЕРМООПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ИНТЕНСИВНОСТЯХ СВЕТА Вопросы: 1. Оптический пробой среды.. Ударные и тепловые нелинейные эффекты. Понятие о силовой оптике. Лучевая прочность. Эффективные

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Подробнее

RU (11) (51) МПК H01J 1/30 ( )

RU (11) (51) МПК H01J 1/30 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H01J 1/30 (2006.01) 171 829 (13) U1 R U 1 7 1 8 2 9 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

Рисунки к автоэмиссии.

Рисунки к автоэмиссии. Рисунки к автоэмиссии. Функции Нордгейма... 2 Электронный полевой микроскоп-проектор... 3 Ионный полевой микроскоп-проектор... 4 Оптический томографический атомный зонд... 5 Вольфрамовые одиночные острия...

Подробнее