Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта"

Транскрипт

1 Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта Два десятилетия назад простой на первый взгляд вариант силового кремниевого транзистора МОП начал изменять мир силовой электроники это был биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT). Эта революция продолжилась в 199-х годах и теперь вступила в новое тысячелетие. IGBT обладает очень интересными характеристиками, объединяя в себе структуры МОП и биполярного транзистора и предлагая разработчикам систем питания такие существенные преимущества, как малые потери, высокое входное сопротивление, позволяющее использовать относительно небольшие блоки управления затвором, стойкость к коротким замыканиям и хорошие характеристики отключения. И хотя первые серийно выпускаемые приборы IGBT выдерживали напряжения не более 6 В и токи всего несколько ампер, тенденции разработки были направлены в сторону повышения их мощности. Сегодня высоковольтные IGBT и аналогичные по характеристикам диоды (с номинальным напряжением до 6,5 кв) успешно работают в электросетях постоянного тока напряжением до 3,6 кв. Кроме того, рассчитанные на высокий ток модули IGBT с большим числом параллельно объединенных кристаллов используются во многих установках с номинальными токами до 36 А. Благодаря своей способности работать в широком диапазоне токов и напряжений, приборы IGBT нашли применение во множестве силовых электронных установок, в числе которых следует упомянуть электротранспорт, высоковольтные ЛЭП постоянного тока (HVDC) и промышленные электроприводы. В настоящей статье представлены современные тенденции развития IGBT и диодов, которые позволили сделать мощный скачок в сторону улучшения характеристик этих устройств. Также в статье рассмотрены тенденции будущего развития, направленные на дальнейшее улучшение параметров диодов и IGBT. АББ Ревю 3/28 19

2 1 Модуль IGBT RBSOA на 3,3 кв/12 А при 125 C (Vпост. = 26 В, = 5 A, R З = 1,5 Ом, L П = 28 нг) a Диаграммы напряжения и тока RBSOA б Прямоугольная ВАХ для RBSOA Iк, А; Vкэ V ээ I к SSCM Время (5 нс/дел) V кэ Vзэ Ток, А Время SSCM 15 Область устойчивой работы 1 согласно техническому описанию Напряжение Специалисты, работающие в сфере силовой электроники, имеют обширный список пожеланий, направленных на улучшение электрических характеристик силовых полупроводниковых устройств. Но, несмотря на тот факт, что IGBT предлагает широкий диапазон привлекательных характеристик, пользователи постоянно требуют их дальнейшего улучшения. В последние годы основной тенденцией развития силовых полупроводниковых приборов было повышение удельной мощности для каждого конкретного приложения. С точки зрения самого прибора существуют три ограничения: во-первых, общие потери в приборе; во-вторых, границы области устойчивой работы (SOA); и, наконец, максимальная допустимая рабочая температура перехода. Кроме того, дополнительные ограничения связаны с отводом мощности, рассеиваемой прибором. Впрочем, эти проблемы затрагивают в основном разработчиков корпусов и систем охлаждения. Недавние исследования силовых полупроводниковых приборов в компании АББ были направлены, большей частью, на преодоление двух первых ограничений, и особенно для высоковольтных устройств. SPT: революционное расширение области устойчивой работы Тенденции развития IGBT и диодов всегда были направлены на расширение области устойчивой работы, как того требуют многие силовые электронные системы, работающие в жестких ключевых режимах. До недавнего времени для преодоления недостаточной стойкости особенно в высоковольтных устройствах разработчикам ничего не оставалось, кроме как ограничивать себя некоторыми предельными характеристиками, чтобы обеспечить необходимую коммутационную способность. Эти меры включали снижение номинальных характеристик, применение ограничителей напряжения, снабберов и больших сопротивлений в цепи затвора. Технология SPT+ не только существенно снижает потери, но и расширяет область устойчивой работы по сравнению со стандартной технологией. Внедрение новой концепции SPT (Soft Punch Through), позволяющей использовать более тонкие слои кремния в сочетании с высокопрочной планарной платформой, имеющей ячеистую структуру, существенно повысило стойкость ячейки к защелкиванию и позволило добиться снижения потерь. Эти изменения способствовали также революционному расширению области устойчивой работы. Новая технология позволила выдерживать 2 Снижение напряжения SPT+ IGBT в открытом состоянии Vкэ (нас) для номинальных напряжений до 65 В Vкэ SPT SPT Высоковольтные IGBT Класс напряжения критическую и недопустимую ранее фазу лавинного пробоя и привела к значительному повышению надежности. Таким образом, высоковольтные IGBT смогли работать в новом режиме, получившем название ключевого режима с самоограничением (SSCM), в котором выбросы напряжения достигают уровней, близких к напряжению статического пробоя. Было показано, что IGBT прекрасно выдерживает эти условия, обладая при этом практически прямоугольной областью устойчивой работы. Этот режим работы демонстрируется диаграммами, построенными для модуля IGBT RBSOA на 3,3 кв/ 12 А, которые показаны на рис. 1a, и соответствующей прямоугольной областью устойчивой работы в координатах I/V на рис. 1б. Аналогичным образом была расширена область устойчивой работы в режиме короткого замыкания и область устойчивого обратного восстановления для встречно включенного диода. SPT+: снижение потерь и расширение области устойчивой работы Следующей вехой было снижение общих потерь IGBT и диодов без ухудшения упомянутых выше характеристик. IGBT, созданные с применением технологии SPT+, имели существенно меньшее падение напряжения в открытом состоянии и одновременно обладали повышенной стойкостью в режиме отключения, значительно превышающей стойкость, обеспечиваемую технологией SPT. Технология SPT+ компании АББ позволила установить новые стандарты производительности во всем диапазоне напряжений IGBT от 12 до 65 В (рис. 2). Значения Vкэ (нас) получены при той же плотности тока и для тех же обратных потерь для каждого класса напряжения. В последующих разделах этой статьи на примере высоковольтного модуля на 6,5 кв поясняются и демонстрируются характеристики IGBT и диодов, построенных с применением технологии SPT+. 2 АББ Ревю 3/28

3 IGBT и диоды, созданные с применением технологии SPT+ Улучшенные характеристики приборов IGBT, созданных по технологии SPT+, достигаются за счет улучшения конструкции планарной ячейки и уже хорошо оптимизированной вертикальной структуры, используемой в технологии SPT. Поперечное сечение SPT+ IGBT показано на рис. 3. Планарная технология SPT+ использует расширенный слой n, окружающий углубление p в ячейке IGBT. Слой n повышает концентрацию носителей на стороне катода IGBT, снижая тем самым падение напряжения в открытом состоянии ( ) без заметного повышения потерь в закрытом состоянии. Дальнейшее снижение напряжения достигается путем снижения сопротивления канала за счет поперечного закорачивания канала МОП. Оптимизируя форму расширенного слоя n, область устойчивой работы в закрытом состоянии ячейки SPT+ можно расширить за пределы и без того очень устойчивой ячейки SPT. Таким образом, технология SPT+ не только существенно снижает потери, но и расширяет область устойчивой работы по сравнению со стандартной технологией. На рис. 4 показано поперечное сечение диода SPT+. Технология изготовления диода SPT+ использует метод двойного локального контроля времени жизни для оптимизации формы накопленного заряда. Благодаря улучшенному распределению заряда, можно снизить общие потери, сохранив мягкие характеристики восстановления стандартных диодов SPT. В диодах SPT+ на стороне анода применяется та же конструкция, которая использовалась в стандартной технологии SPT, с сильно легированным эмиттером p+. Эффективность анодного эмиттера регулируется с помощью первого пика He++, расположенного внутри диффузионной области p+. Для контроля концентрации плазмы в области n-базы и на стороне катода, второй пик He++ имплантируется глубоко в n-базу со стороны катода. Таким образом обеспечивается двойной локальный профиль времени жизни, как показано на рис. 4. Такой подход позволяет обойтись без дополнительного гомогенного контроля времени жизни в n-базе. Лучший компромисс между общими потерями диода и мягким восстановлением достигается за счет более оптимального распределения накопленной электронно-дырочной плазмы. Высоковольтный модуль SPT+ HV- HiPak на 6,5 кв Потери нового прибора SPT+ IGBT на 6,5 кв в открытом состоянии примерно на 3 % ниже по сравнению со стандартным прибором SPT. Этот факт, в сочетании с повышенной стойкостью SPT+ IGBT, позволил увеличить номи- 3 Технология SPT+ IGBT P Короткий канал Эмиттер Расширенный слой n Затвор n-база Буфер SPT P+ Коллектор P нальный ток с 6 А для стандартного модуля HiPak на 6,5 кв до 75 А для новой версии SPT+. Показанный на рис. 6 высоковольтный модуль HV-HiPak на 6,5 кв собран в стандартном промышленном корпусе популярного размера 4 Технология диода SPT+ N + Анод P + n-база n-буфер Катод Время жизни носителей Локальный контроль времени жизни 5 Высоковольтный модуль HV-HiPak на 6,5 кв на базе вновь разработанного кристалла SPT+. 6 Прямые характеристики SPT+ IGBT на 6,5 кв (измеренные на уровне модуля) 7 Закрытие SPT+ IGBT на 6,5 кв при номинальных режимах, измеренное на уровне модуля 15 8 = 75 А, Vпост. = 36 В, T перехода = 28 нг 5 IК, А Номинальный ток = 25 C = 125 C IК, А; 1*V ЗЭ V ЗЭ АББ Ревю 3/28 21

4 19 14 мм. В нем используется пластина основания из алюминиево-кремниевого карбида (AlSiC), обладающая превосходными характеристиками теплового расширения, необходимыми для применения в электротранспорте, и изоляция из нитрида алюминия (AlN), обеспечивающая низкое тепловое сопротивление. Высоковольтная версия HV-HiPak, рассчитанная на класс напряжения 6,5 кв, обладает стойкостью изоляции 1,2 кв (ср. кв.). Для проверки технических характеристик кристаллов SPT+ на 6,5 кв и высоковольтного модуля HV-HiPak были выполнены тщательные измерения. Результаты этих измерений представлены в данном разделе статьи. Для динамических измерений номинальное напряжение линии постоянного тока составляло 36 В, тогда как измерения области устойчивой работы и переходных характеристик выполнялись при напряжении 45 В. Характеристики и потери IGBT Характеристики SPT+ IGBT на 6,5 кв в открытом состоянии показаны на рис. 6. Типичное падение напряжения в открытом состоянии ( ) при номинальном токе и T перехода =125 C равно 4. Уже начиная с малых токов, SPT+ IGBT демонстрирует положительный температурный коэффициент напряжения. Это позволяет получить хорошие характеристики распределения тока по отдельным кристаллам модуля. На рис. 7 показана кривая процесса закрытия модуля HiPak на 6,5 кв при номинальных режимах, т. е. при токе 75 А и напряжении 36 В. В этих условиях полные потери модуля достигают значения 5,2 Дж. Модуль закрывался с помощью внешнего резистора в цепи затвора (R З. выкл ), равного 15 Ом, что приводило к росту напряжения со скоростью 2 В/мкс. Оптимизированная область n-базы в сочетании с буфером SPT обеспечивала плавный спад коллекторного тока, что гарантировало мягкий характер отключения без выбросов и колебаний напряжения, даже 8 Кривая поведения SPT+ IGBT на 6,5 кв, полученная на уровне кристалла E выкл, мдж Обратное восстановление SPT+ на 6,5 кв при номинальных режимах, измеренное на уровне модуля, E восст = 2,8 Дж IП, А V пост. = 36 В, = 25 А, T перехода = 6 мкг, R З. выкл = 33 Ом SPT = 75 А, V пост. = 36 В, T перехода = 28 нг SPT 9 Характеристики диода SPT+ на 6,5 кв в прямом включении (измеренные на уровне модуля) IП, А Окончательная конструкция SPT+ Номинальный ток меньше на 3 % = 25 C V П = 125 C при высоких напряжениях в главной цепи и при наличии паразитных индуктивностей. На рис. 8 показана кривая, описывающая компромисс между падением напряжения на IGBT в открытом состоянии и потерями в закрытом состоянии для SPT+, а также аналогичная кривая для стандартного SPT IGBT. Измерения выполнялись на уровне кристалла. Разные точки на технологических кривых соответствуют IGBT с разными анодно-эмиттерными характеристиками. Измерение выполнялось при токе коллектора 25 А, который является номинальным током для SPT IGBT. При равных потерях в закрытом состоянии новый SPT+ IGBT продемонстрировал примерно на 3 % меньшее падение напряжения в открытом состоянии ( ) по сравнению со стандартным кристаллом SPT. Конечная точка на технологической кривой SPT+ IGBT тщательно выбиралась из соображений компромисса между обратным током утечки и мягкостью отключения, при сохранении хорошего баланса между потерями переключения и проводимости. Характеристики и потери диода На рис. 9 показаны характеристики диода SPT+ на 6,5 кв в прямом включении. Благодаря улучшенному формированию областей проводимости с применением схемы двойного облучения He++, диод имел большой положительный температурный коэффициент V П уже при токах, значительно ниже номинального. При номинальном токе и температуре 125 C диод имел типичное падение напряжения при прямом смещении 3,5 В. На рис. 1 показана кривая обратного восстановления диода при номинальных режимах. Путем тщательного подбора пика He++ со стороны катода удалось получить короткий, но попрежнему гладко затухающий бросок тока. В номинальном режиме потери восстановления диода составляют 2,8 Дж. Благодаря высокой стойкости и мягкому характеру восстановления, диод может переключаться с высоким значением di П /dt, что значительно снижает потери IGBT в открытом состоянии. 22 АББ Ревю 3/28

5 Выходной ток модуля Чтобы оценить характеристики модуля SPT+ на 6,5 кв в реальных условиях эксплуатации, было выполнено тепловое моделирование выходного тока в зависимости от частоты коммутации. Результаты этого моделирования показаны на рис. 11. SPT+ IGBT на 6,5 кв были оптимизированы для работы с большими паразитными индуктивностями и малыми частотами коммутации. Для обеспечения гладкого характера переключения IGBT проектировался в расчете на относительно высокую анодно-эмиттерную эффективность. Это повышает электроннодырочную концентрацию на анодной стороне N-базы и обеспечивает гладко затухающий выброс тока во время отключения при наличии больших паразитных индуктивностей и высоких постоянных напряжений. Это позволило создать кристалл с малыми прямыми потерями и повышенными потерями в закрытом состоянии, который идеально подходит для малых частот коммутации. Одним из основных преимуществ нового SPT+ IGBT на 6,5 кв является его исключительно высокая стойкость в закрытом состоянии, устанавливающая новые стандарты для этого класса напряжения. A Зависимость выходного тока модуля SPT+ HiPak на 6,5 кв от частоты коммутации, А (ср. кв.) Iвых cos (π) =,85, V пост. = 36 В, m = 1, T окр. ср. = 4 C, T перехода = 125 C, R th (c-h) = 9,5 K7кВт f коммутации, Гц Отключение и обратное восстановление Одним из основных преимуществ нового SPT+ IGBT на 6,5 кв является его исключительно высокая стойкость в закрытом состоянии, устанавливающая новые стандарты для этого класса напряжения. На рис. 12 показана кривая закрывания на уровне модуля, которая получена при отключении тока 24 А (это более чем в три раза превышает номинальный ток) при постоянном линейном напряжении 45 В и температуре перехода 125 C. Тест выполнялся с внешним резистором в цепи затвора 1, Ом, без применения каких-либо ограничителей или снабберов. Паразитная индуктивность в этом измерении составляла 75 нг, что более чем в два раза превышает значение, которое может встретиться в реальных условиях эксплуатации, даже в худшем случае. Благодаря высокой стойкости ячейки SPT+ приборы IGBT могут выдерживать длительный период сильного динамического пробоя в течение переходных процессов, возникающих во время закрывания, и тем самым демонстрируют превосходную область устойчивой работы. Во время этого теста пиковая мощность отключения достигала значения 11,7 МВт. В ходе стандартного производственного тестирования все модули подвергаются тесту на устойчивую работу в режиме отключения с утроенными номинальным током (225 А), во время которого модули испытывают динамический пробой. Столь жесткий тест выполняется для того, чтобы гарантировать высокое качество и надежность всех выпускаемых высоковольтных модулей HV- HiPak на напряжение 6,5 кв. На рис. 13 показан тест обратного восстановления диода в области устойчивой работы, выполненный на уровне модуля при прямом токе 75 А (номинальный ток) и постоянном напряжении 45 В. Благодаря характеристикам включения IGBT, пиковая мощность диода достигает максимального значения примерно при номинальном токе и начинает снова спадать при больших прямых токах. Коммутация диода выполнялась с помощью внешнего резистора в цепи затвора (R З ) 1,2 Ом, причем скорость коммутации достигала 7 А/мкс, а пиковая мощность 9, МВт. B Закрывание SPT+ IGBT на 6,5 кв в области устойчивой работы, измеренное на уровне модуля, P откл = 11,7 МВт C Обратное восстановление диода SPT+ на 6,5 кв в области устойчивой работы, измеренное на уровне модуля 3 = 24 А, Vпост. = 45 В, T перехода = 75 нг 7 2 = 75 А, V пост. = 45 В, T перехода = 38 нг > 3 x I ном IК, А; 1*V ЗЭ Номинальный ток IП, А P пик = 9, МВт V ЗЭ АББ Ревю 3/28 23

6 D Характеристики SPT+ IGBT на. 6,5 кв в условиях короткого замыкания, измеренные на уровне модуля. E Бросок тока диода SPT+ на 6,5 кв, измеренный на уровне модуля. 6 V пост. = 45 В, T перехода = 28 нг 12. T перех. начальная = 125 C, T К = 125 C, t p = 1 мс ; IК, А; 1*V ЗЭ V П V П Б IПБ, А V ЗЭ Область устойчивой работы в условиях короткого замыкания Кривая тока короткого замыкания для модуля SPT+ на 6,5 кв показана на рис. 14. IGBT спроектирован так, чтобы выдерживать короткое замыкание при V GE = 15 и температуре перехода от 4 C до +125 C. Необходимая стойкость к короткому замыканию достигается за счет оптимизации SPT буфера и повышения анодноэмиттерной эффективности. Стойкость к броскам тока Для проверки стойкости диода SPT+ на 6,5 кв к броскам тока, модуль HiPak подвергся воздействию 1 токовых импульсов с амплитудой 9,9 ка и длительностью 1 мс (I 2 t = 523 ка 2 с), как показано на рис. 15. После 1-го импульса было выполнено повторное тестирование электрических характеристик модуля, чтобы убедиться в отсутствии ухудшений. В ходе последующего теста на разрушение определялась способность диода выдерживать одиночный бросок тока. При этом пиковый ток диода достигал значения 12,3 ка, что соответствовало значению I 2 t равному 75 ка 2 с перед отказом. Столь превосходная стойкость к бросками тока достигнута благодаря сильно легированному p+ эмитеру и малому падению напряжения в открытом состоянии, полученному за счет оптимального распределения плазмы, сформированного схемой двойного облучения He++. Тенденции развития По мере совершенствования современных IGBT и диодов разработчики полупроводниковых устройств сталкиваются с тем, что дальнейшее улучшение характеристик IGBT с помощью традиционных методов оптимизации плазмы и снижения толщины кремния становится все более затруднительным. Сегодня, основные усилия разработчиков направлены на возрождение IGBT с обратной проводимостью (RC IGBT), которые сочетают в одной структуре свойства IGBT и диода, что позволяет обеспечить более высокую мощность в заданном объеме (т. е. для заданного размера модуля). Потенциальные возможности такой технологии весьма велики. Наиболее важная характеристика, а именно максимальная пропускаемая мощность устройства (SOA), была поднята до такого уровня, при котором IGBT теоретически могут работать с токами, значительно превышающими номинальные токи современных систем. Кроме того, все большее внимание уделяется максимальной температуре перехода. Тот факт, что наиболее важная характеристика, а именно максимальная пропускаемая мощность устройства (SOA), была поднята до такого уровня, при котором IGBT теоретически могут работать с токами, значительно превышающими номинальные токи современных систем, дополнительно стимулирует расширение температурного диапазона. Поскольку выходная мощность пропорциональна разности температур (ΔT) между переходом кристалла и охлаждающей средой, повышение допустимой температуры полупроводника приводит к немедленному повышению плотности мощности для устройства заданной площади. Таким образом, повышение температуры на 25 C повышает номинальную мощность на %, в зависимости от условий охлаждения. Более подробная информация о IGBT приведена в статье «Корпус с улучшенными характеристиками» на с. 9 этого выпуска АББ Ревю. Мунаф Рахимо Арност Копта ABB Semiconductors Ленцбург, Швейцария munaf. abb. com arnost. abb. com 24 АББ Ревю 3/28

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Национальный исследовательский Томский политехнический университет Энергетический институт Кафедра: ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Тема: СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Преподаватель: доцент

Подробнее

Д. А. Пресняков, И. Ю. Ветров, А. В. Ставцев, А. М. Сурма

Д. А. Пресняков, И. Ю. Ветров, А. В. Ставцев, А. М. Сурма Высоковольтные тиристоры, адаптированные для применения в последовательных сборках и ключи на их основе для применения в аппаратах плавного пуска электродвигателей Д. А. Пресняков, И. Ю. Ветров, А. В.

Подробнее

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах 6. Импульсные ключи. Ключом в электротехнике называется двухполюсник, имеющий два состояния с нулевой проводимостью (разомкнут) и с бесконечной проводимостью (замкнут). В импульсной технике зачастую приходится

Подробнее

Силовые полупроводниковые приборы

Силовые полупроводниковые приборы Силовые полупроводниковые приборы Часть вторая: технология корпусов и перспективные разработки Стефан Линдер Силовые полупроводниковые приборы в последние десятилетия стали применяться практически повсеместно.

Подробнее

Рис.1. Структура и обозначение тиристора

Рис.1. Структура и обозначение тиристора Тиристоры и симисторы Тиристор Тиристор - это переключающий полупроводниковый прибор, пропускающий ток в одном направлении. Этот радиоэлемент часто сравнивают с управляемым диодом и называют полупроводниковым

Подробнее

Новые силовые полупроводниковые приборы производства ЗАО «Протон-Электротекс» Локтаев Ю.М., Ставцев А. В., Сурма А.М., Черников А.А.

Новые силовые полупроводниковые приборы производства ЗАО «Протон-Электротекс» Локтаев Ю.М., Ставцев А. В., Сурма А.М., Черников А.А. Новые силовые полупроводниковые приборы производства ЗАО «ПротонЭлектротекс» Локтаев Ю.М., Ставцев А. В., Сурма А.М., Черников А.А. ЗАО «ПРОТОНЭЛЕКТРОТЕКС» одна из лидирующих в России компаний в части

Подробнее

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 95 Лекция 0 ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План. Введение. Понижающие импульсные регуляторы 3. Повышающие импульсные регуляторы 4. Инвертирующий импульсный регулятор 5. Потери и КПД импульсных регуляторов

Подробнее

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений ГОСТ 27264-87(СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые. Методы измерений Группа Е69 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДAPT СОЮЗА ССР Дата введения 01.01.1988 ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической

Подробнее

IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON

IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON Компания SEMIKRON является единственным предприятием в мире, которое, начиная с 1975 года, производит изолированные модули для силовой электроники

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ. - 2005. - 1. - 1-6 УДК 62-50:519.216 АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ В.С. ДАНИЛОВ, К.С. ЛУКЬЯНОВ, Е.А. МОИСЕЕВ В настоящее время широкое

Подробнее

Методика выбора драйвера для IGBT- или MOSFET-транзистора

Методика выбора драйвера для IGBT- или MOSFET-транзистора Методика выбора драйвера для IGBT- или MOSFET-транзистора Введение В данных рекомендациях по применению описывается методика расчета параметров управления затвором для заданных условий применения. Приводимые

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d.

Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d. Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d. Рис.1.53 1.4.2.4 Способность периодически передавать мощность

Подробнее

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности Полупроводниковые диоды - технологии изготовления 1. исторически первые полупроводниковые диоды - т.н. кристаллический детектор - поликристалл PbS (природный минерал галенит, далее такие образцы PbS научились

Подробнее

ПОСТРОЕНИЕ ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

ПОСТРОЕНИЕ ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ. 2006. 1(43). 147 152 УДК 62-50:519.216 ПОСТРОЕНИЕ ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Е.А. МОИСЕЕВ Приводятся практические рекомендации по выбору элементов

Подробнее

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов.

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Инна Щукина, Михаил Некрасов mik@icquest.ru Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано

Подробнее

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Запираемые тиристоры, в отличие от тринисторов, которые были рассмотрены ранее, - это полностью управляемые приборы, и под воздействием

Подробнее

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер.

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер. 1 Биполярные транзисторы 1. Основные понятия Лекции профессора Полевского В.И. Лекция 1 Биполярным транзистором называют трѐхэлектродный полупроводниковый прибор, с двумя взаимодействующими между собой

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin

Подробнее

»ÒÔÓÎ ÁÓ ÌËÂ ÒËÎÓ ı. Теоретически, добиться работы в линейном режиме. Силовая элементная база. 68

»ÒÔÓÎ ÁÓ ÌËÂ ÒËÎÓ ı. Теоретически, добиться работы в линейном режиме. Силовая элементная база. 68 »ÒÔÓÎ ÁÓ ÌËÂ ÒËÎÓ ı Úapple ÌÁËÒÚÓappleÓ ÎËÌÂÈÌÓÏ appleâêëïâ При работе в линейном режиме силовой транзистор скорее можно назвать частично открытым, чем полностью закрытым или открытым. Линейный режим дает

Подробнее

Открытое акционерное общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ»

Открытое акционерное общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» Силовые полупроводниковые приборы ОАО «Электровыпрямитель» для транспорта и транспортной инфраструктуры ы ОАО «Электровыпрямитель» (г. Саранск) - современное холдинговое предприятие, в состав которого

Подробнее

ИЛТ Драйвер управления тиристором

ИЛТ Драйвер управления тиристором ИЛТ Драйвер управления тиристором Схемы преобразователей на тиристорах требуют изолированного управления. Логические изоляторы потенциала типа ИЛТ совместно с диодным распределителем допускают простое

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ План занятия: 1. Классификация и условные графические обозначения тиристоров 2. Принцип работы тиристоров 3. Управляемые тиристоры 4. Симисторы 5. Основные параметры тиристоров 6. Области

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGB модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-2N 12 В 2 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15 C o

Подробнее

Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов. Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс»

Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов. Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс» Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс» ВВЕДЕНИЕ Основой конструкции полупроводникового прибора является

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ

Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ Схемы, состоящие из пассивных и нелинейных элементов (LD) и позволяющие уменьшить коммутационные потери, часто называют

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ. В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д.

ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ. В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д. УДК 543.836.3 1 ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д. Чумаков ОАО «Электровыпрямитель», г. Саранск E-mail:

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Тиристорный контактор BEL-TS H2

Тиристорный контактор BEL-TS H2 Техническая документация Тиристорный контактор BEL-TS H2 для быстрой коммутации конденсаторов в низковольтных секциях Содержание: 1. Важная информация:... 3 2. Область применения... 3 3. Компоненты статического

Подробнее

Лекция 11. Тема: Импульсные устройства. VT u. u ВХ. t 1 t 2 t t 3 4 U КЭ. Импульсный режим работы усилителя

Лекция 11. Тема: Импульсные устройства. VT u. u ВХ. t 1 t 2 t t 3 4 U КЭ. Импульсный режим работы усилителя Лекция 11 Тема: Импульсные устройства Импульсный режим работы усилителя Импульсному (ключевому) режиму работы транзистора соответствует два крайних состояния: транзистор либо заперт, или полностью открыт.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 8 ИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР В 948 году Д. ардин и В. раттейн, работая с точечным переходом, обнаружили, что устройство с двумя переходами способно создавать усиление электрических колебаний

Подробнее

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА 1 ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА Мартыненко В.А., Мускатиньев В.Г., Наумов Д.А., Бормотов А.Т., Чибиркин В.В. ОАО "Электровыпрямитель" Россия,

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

ограничительных и выпрямительно-ограничительных

ограничительных и выпрямительно-ограничительных Анатолий Нефедов (г. Москва) Новые ограничительные и выпрямительноограничительные диоды Радиоэлектронное и электротехническое оборудование должно содержать элементы защиты, гарантирующие безопасную и надежную

Подробнее

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш П209, П209А, П210, П210А,, П210Ш Транзисторы большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в аппаратуре в режимах усиления и переключения мощности. Транзисторы конструктивно

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

Лекция 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ

Лекция 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ 1 Лекция 4. (Продолжение темы лекции 3) БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ План 1. Введение. 2. Физическая и математическая модель биполярного транзистора (модель Эберс-Молла). 3. Вольтамперные

Подробнее

Рис. 2 Модуль "Транзисторы"

Рис. 2 Модуль Транзисторы Глава 2 Исследование полевого и биполярного транзисторов Цель проведения работ Знание устройств, изучение характеристик и параметров электронных полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов.

Подробнее

ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М. В. ЛОМОНОСОВА Физический факультет Практикум кафедры физики колебаний Описание задачи ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Составитель:

Подробнее

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Реализация элементарных логических функций. Основные логические элементы: НЕ, И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ Таблица истинности:

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ В САПР TCAD

МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ В САПР TCAD 1 УДК 621.3.049.77 МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ183-2000 В САПР TCAD Горячкин Юрий Викторович 1, Калюжная Евгения Сергеевна 2 1 ФГБОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802А Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802А в металлостеклянном корпусе

Подробнее

В центре тихой революции

В центре тихой революции Силовые полупроводниковые приборы В центре тихой революции Штефан Линдер За последние тридцать лет силовые полупроводниковые приборы практически полностью вытеснили электромеханические преобразователи

Подробнее

АНАЛИЗ СХЕМ ВЫПРЯМЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ

АНАЛИЗ СХЕМ ВЫПРЯМЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ Общие сведения АНАЛИЗ СХЕМ ВЫПРЯМЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ Во многих областях науки и техники требуются источники энергии постоянного тока. Потребителям энергии постоянного тока являются

Подробнее

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее:

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее: П416, П416А, Транзисторы германиевые диффузионные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в импульсных схемах и радиотехнических устройствах в диапазоне коротких и ультракоротких

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

1393ЕУ014. Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом БЛОК СХЕМА ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ

1393ЕУ014. Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом БЛОК СХЕМА ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Радиационная стойкость; Диапазон входных напряжений 8,5 36В; Ток потребления

Подробнее

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля MI-HB12F-3N Информационный лист IGB модуля Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора

Подробнее

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( )

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H03K 17/00 (2006.01) 168 443 (13) U1 R U 1 6 8 4 4 3 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс»

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Типы серийно выпускаемых твердотельных реле Реле переменного тока: с контролем перехода

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

БЕСКОНТАКТНОЕ УПРАВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЯМИ В СИСТЕМАХ АВТОМАТИКИ ЖЕЛЕЗНЫХ ДОРОГ И МЕТРОПОЛИТЕНОВ

БЕСКОНТАКТНОЕ УПРАВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЯМИ В СИСТЕМАХ АВТОМАТИКИ ЖЕЛЕЗНЫХ ДОРОГ И МЕТРОПОЛИТЕНОВ Проблемы безопасности и надежности микропроцессорных комплексов УДК 625.42:656.25 А. Н. Ковкин, канд. техн. наук Кафедра «Автоматика и телемеханика на железных дорогах», Петербургский государственный университет

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 4 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Назначение, классификация и параметры диодов. 2. Устройство диодов малой, средней и большой мощности.

Подробнее

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э Общие данные Германиевые плоскостные (сплавные) p-n-p транзисторы. Основные области применения - усилители мощности низкой частоты (0,5 10 вт), преобразователи

Подробнее

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 -

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 - ТИРИСТОРЫ ПЛАН 1. Общие сведения: классификация, маркировка, УГО. 2. Динистор: устройство, принцип работы, ВАХ, параметры и применение. 3. Тринистор. 4. Симистор. Тиристор - это полупроводниковый прибор

Подробнее

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ Микросхема IZ9921, IZ9922, IZ9923 микросхема высоковольтного LED - драйвера со встроенным MOSFET-ключом, предназначена для управления светодиодными

Подробнее

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика 7. Базовые элементы цифровых интегральных схем. 7.1. Диодно-транзисторная логика Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как элемент с двумя состояниями, или логический

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы Модуль 1 1. Полупроводниковые материалы имеют удельное сопротивление 1) больше, чем проводники 2) меньше, чем проводники 3) больше, чем диэлектрики 4)

Подробнее

МДП-ТРАНЗИСТОРЫ КАК ДИОДЫ

МДП-ТРАНЗИСТОРЫ КАК ДИОДЫ МДП-ТРАНЗИСТОРЫ КАК ДИОДЫ Карзов Б.Н., Кастров М.Ю., Малышков Г.М. При проектировании синхронных выпрямителей необходимо провести моделирование вольтамперных характеристик основных схем диодных включений

Подробнее

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э III иполярные транзисторы 1 «иполярные транзисторы. Принцип работы» иполярный транзистор трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными p-n переходами.

Подробнее

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 84 Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План 1. Введение 2. Параметрические стабилизаторы 3. Компенсационные стабилизаторы 4. Интегральные стабилизаторы напряжения 5. Выводы 1. Введение Для работы электронных

Подробнее

Технология SiC в модулях SEMIKRON

Технология SiC в модулях SEMIKRON Технология SiC в модулях SEMIKRON Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям

Подробнее

2Т9]7(А-2, Б-2). КТ937(А-2, Б-2)

2Т9]7(А-2, Б-2). КТ937(А-2, Б-2) 2Т937А-2, 2Т937Б-2, 2Т937А-5, КТ937А-2, КТ937Б 2 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот

Подробнее

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений.

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений. Комплексные токи и напряжения. Комплексные токи и напряжения вводят для рассмотрения гармонически изменяющихся токов и напряжений. Комплексные токи и напряжения позволяют заменить дифференциальные уравнения

Подробнее

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ 97 Лекция 9. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ План. Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).. Элементы КМОП-логики. 3. Основные параметры логических элементов. 4. Выводы.. Элементы транзисторно-транзисторной

Подробнее

Лабораторная работа 3 ДИОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ U, B 0,5. Рис. 3.1

Лабораторная работа 3 ДИОДЫ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ U, B 0,5. Рис. 3.1 Лабораторная работа 3 ДИОДЫ Цель работы - изучение принципов построения и основных характеристик выпрямителей сигналов, одно и двусторонних ограничителей на диодах. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ I Диод 0,5 U,

Подробнее

5.3 Определить, как будет меняться во времени сила тока I(t) через катушку

5.3 Определить, как будет меняться во времени сила тока I(t) через катушку 5.1 Через некоторое время τ после замыкания ключа К напряжение на конденсаторе С 2 стало максимальным и равным / n, где ЭДС батареи. Пренебрегая индуктивностью элементов схемы и внутренним сопротивлением

Подробнее

Некоторые вопросы. Введение

Некоторые вопросы. Введение Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей Быстрое развитие отечественного рынка энергосберегающих приводов определяет большой интерес производителей электронного оборудования к разработкам и производству

Подробнее

I К max. I К И max. Р К мах

I К max. I К И max. Р К мах Биполярные транзисторы с приемкой «5» Наимен. Максимально допустимые параметры V КЭ огр V КБО проб I К max I К И max Р К мах Основные электрические параметры h 21Э U КЭ max t рас t сп B B А А Вт ед. B

Подробнее

Лекция 16 ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ УСТРОЙСТВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

Лекция 16 ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ УСТРОЙСТВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 159 Лекция 16 ТЕПЛОВОЙ РАСЧЕТ УСТРОЙСТВ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ План 1. Введение 2. Способы передачи и отвода тепла 3. Методы расчета теплопередачи, основанные на аналогии с электрическими цепями 4.

Подробнее

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе.

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора и усилителя

Подробнее

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ ОКБ при НЗПП Применение ускорителя ИЛУ-6 для улучшения свойств высоковольтных выпрямительных столбов.

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ ОКБ при НЗПП Применение ускорителя ИЛУ-6 для улучшения свойств высоковольтных выпрямительных столбов. ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СТОЛБЫ ОКБ при НЗПП Применение ускорителя ИЛУ-6 для улучшения свойств высоковольтных выпрямительных столбов. Авторы : Синекаев В. В., Стрыгин В. И., Попов Б. В., Почуева Л. И., Сербин В.И.,

Подробнее

ПРИМЕНЕНИЕ ТЯГОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА БАЗЕ ТРАНЗИСТОРОВ IGBT

ПРИМЕНЕНИЕ ТЯГОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА БАЗЕ ТРАНЗИСТОРОВ IGBT ПРИМЕНЕНИЕ ТЯГОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА БАЗЕ ТРАНЗИСТОРОВ IGBT Тяговые преобразователи являются типичным примером применения современной силовой электроники. Расширяющееся использование асинхронных двигателей

Подробнее

Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск

Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск E-mail: bnn48@mail.ru Аннотация.

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ План 1. Введение. 2. Усилительные каскады на полевых транзисторах.

Подробнее

Защита блока питания от перегрузки.

Защита блока питания от перегрузки. Защита блока питания от перегрузки. (с изменениями) Рассмотрим изначальную схему, показанную на Рис. 1. И возьмем для примера в качестве VT1 транзистор ГТ404Д. Согласно справочным данным статический коэффициент

Подробнее

Корпус с улучшенными характеристиками

Корпус с улучшенными характеристиками Корпус с улучшенными характеристиками Разработка корпуса модуля IGBT для повышения качества и надежности Даниэль Шнайдер, Лидия Феллер, Доминик Трюссель, Самуэл Хартман, Свен Клака Роль корпуса интегральной

Подробнее

Установление исходного состояния. Принципиальная схема симметричного транзисторного триггера с коллекторно-базовыми

Установление исходного состояния. Принципиальная схема симметричного транзисторного триггера с коллекторно-базовыми 12.2. СИММЕТРИЧНЫЙ ТРИГГЕР НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С КОЛЛЕКТОРНО-БАЗОВЫМИ СВЯЗЯМИ Установление исходного состояния. Принципиальная схема симметричного транзисторного триггера с коллекторно-базовыми

Подробнее

РЕЛЕ ВРЕМЕНИ ВЛ-63, ВЛ-64, ВЛ-65, ВЛ-66, ВЛ-67, ВЛ-68, ВЛ-69

РЕЛЕ ВРЕМЕНИ ВЛ-63, ВЛ-64, ВЛ-65, ВЛ-66, ВЛ-67, ВЛ-68, ВЛ-69 РЕЛЕ ВРЕМЕНИ ВЛ-63, ВЛ-64, ВЛ-65, ВЛ-66, ВЛ-67, ВЛ-68, ВЛ-69 1 ОПИСАНИЕ И РАБОТА РЕЛЕ 1.1 Назначение реле Реле времени ВЛ-63 ВЛ-69 предназначены для коммутации электрических цепей с определенными, предварительно

Подробнее

варикапы, стабилитроны и др.

варикапы, стабилитроны и др. 2.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковыми диодами называют полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом и двумя выводами. Они применяются для выпрямления переменного тока, детектирования

Подробнее

2.2. Примерный тематический план и содержание учебной дисциплины «Электротехника и электроника»

2.2. Примерный тематический план и содержание учебной дисциплины «Электротехника и электроника» .. Примерный тематический план и содержание учебной дисциплины «Электротехника и электроника» Тема.. Электрические цепи постоянного тока Практическое занятие Расчет электрических цепей при последовательном,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор

КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах

Подробнее

колебание напряжения на выходе схемы Uвых зависит от дифференциального сопротивления стабилитрона du Rдифф дифф

колебание напряжения на выходе схемы Uвых зависит от дифференциального сопротивления стабилитрона du Rдифф дифф Стабилитрон. Стабилитрон это диод, предназначенный для стабилизации напряжения. На диод подается через резистор запирающее напряжение, которое превышает напряжение пробоя диода. При этом через диод протекает

Подробнее

Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей

Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей 1 Лабораторная работа 18 Исследование работы транзисторных ключей ТРАНЗИСТОРНЫЕ КЛЮЧИ. Режим работы транзистора, при котором он находится в установившемся состоянии либо в области отсечки, либо в области

Подробнее

Н. Н. Беспалов, С. А. Зинин. Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, Тел. (834-2) ,

Н. Н. Беспалов, С. А. Зинин. Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, Тел. (834-2) , УК 68.586.69 ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ТОКА УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ Н. Н. Беспалов, С. А. Зинин Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева, Тел. (834-4-7-77, 4-37-05. -mail: bnn48@mail.ru

Подробнее

Нелинейные элементы в электрических цепях

Нелинейные элементы в электрических цепях Можаев Виктор Васильевич Кандидат физико-математических наук, доцент кафедры общей физики Московского физико-техническиго института (МФТИ). Нелинейные элементы в электрических цепях В статье на конкретных

Подробнее

Руководство к лабораторной работе. "Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов"

Руководство к лабораторной работе. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра телевидения и управления (ТУ) Утверждаю: Зав. кафедрой ТУ И.Н. Пустынский 2008

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее