Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта"

Транскрипт

1 Переключение на лучшие характеристики Эволюция технологии IGBT Мунаф Рахимо, Арност Копта Два десятилетия назад простой на первый взгляд вариант силового кремниевого транзистора МОП начал изменять мир силовой электроники это был биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT). Эта революция продолжилась в 199-х годах и теперь вступила в новое тысячелетие. IGBT обладает очень интересными характеристиками, объединяя в себе структуры МОП и биполярного транзистора и предлагая разработчикам систем питания такие существенные преимущества, как малые потери, высокое входное сопротивление, позволяющее использовать относительно небольшие блоки управления затвором, стойкость к коротким замыканиям и хорошие характеристики отключения. И хотя первые серийно выпускаемые приборы IGBT выдерживали напряжения не более 6 В и токи всего несколько ампер, тенденции разработки были направлены в сторону повышения их мощности. Сегодня высоковольтные IGBT и аналогичные по характеристикам диоды (с номинальным напряжением до 6,5 кв) успешно работают в электросетях постоянного тока напряжением до 3,6 кв. Кроме того, рассчитанные на высокий ток модули IGBT с большим числом параллельно объединенных кристаллов используются во многих установках с номинальными токами до 36 А. Благодаря своей способности работать в широком диапазоне токов и напряжений, приборы IGBT нашли применение во множестве силовых электронных установок, в числе которых следует упомянуть электротранспорт, высоковольтные ЛЭП постоянного тока (HVDC) и промышленные электроприводы. В настоящей статье представлены современные тенденции развития IGBT и диодов, которые позволили сделать мощный скачок в сторону улучшения характеристик этих устройств. Также в статье рассмотрены тенденции будущего развития, направленные на дальнейшее улучшение параметров диодов и IGBT. АББ Ревю 3/28 19

2 1 Модуль IGBT RBSOA на 3,3 кв/12 А при 125 C (Vпост. = 26 В, = 5 A, R З = 1,5 Ом, L П = 28 нг) a Диаграммы напряжения и тока RBSOA б Прямоугольная ВАХ для RBSOA Iк, А; Vкэ V ээ I к SSCM Время (5 нс/дел) V кэ Vзэ Ток, А Время SSCM 15 Область устойчивой работы 1 согласно техническому описанию Напряжение Специалисты, работающие в сфере силовой электроники, имеют обширный список пожеланий, направленных на улучшение электрических характеристик силовых полупроводниковых устройств. Но, несмотря на тот факт, что IGBT предлагает широкий диапазон привлекательных характеристик, пользователи постоянно требуют их дальнейшего улучшения. В последние годы основной тенденцией развития силовых полупроводниковых приборов было повышение удельной мощности для каждого конкретного приложения. С точки зрения самого прибора существуют три ограничения: во-первых, общие потери в приборе; во-вторых, границы области устойчивой работы (SOA); и, наконец, максимальная допустимая рабочая температура перехода. Кроме того, дополнительные ограничения связаны с отводом мощности, рассеиваемой прибором. Впрочем, эти проблемы затрагивают в основном разработчиков корпусов и систем охлаждения. Недавние исследования силовых полупроводниковых приборов в компании АББ были направлены, большей частью, на преодоление двух первых ограничений, и особенно для высоковольтных устройств. SPT: революционное расширение области устойчивой работы Тенденции развития IGBT и диодов всегда были направлены на расширение области устойчивой работы, как того требуют многие силовые электронные системы, работающие в жестких ключевых режимах. До недавнего времени для преодоления недостаточной стойкости особенно в высоковольтных устройствах разработчикам ничего не оставалось, кроме как ограничивать себя некоторыми предельными характеристиками, чтобы обеспечить необходимую коммутационную способность. Эти меры включали снижение номинальных характеристик, применение ограничителей напряжения, снабберов и больших сопротивлений в цепи затвора. Технология SPT+ не только существенно снижает потери, но и расширяет область устойчивой работы по сравнению со стандартной технологией. Внедрение новой концепции SPT (Soft Punch Through), позволяющей использовать более тонкие слои кремния в сочетании с высокопрочной планарной платформой, имеющей ячеистую структуру, существенно повысило стойкость ячейки к защелкиванию и позволило добиться снижения потерь. Эти изменения способствовали также революционному расширению области устойчивой работы. Новая технология позволила выдерживать 2 Снижение напряжения SPT+ IGBT в открытом состоянии Vкэ (нас) для номинальных напряжений до 65 В Vкэ SPT SPT Высоковольтные IGBT Класс напряжения критическую и недопустимую ранее фазу лавинного пробоя и привела к значительному повышению надежности. Таким образом, высоковольтные IGBT смогли работать в новом режиме, получившем название ключевого режима с самоограничением (SSCM), в котором выбросы напряжения достигают уровней, близких к напряжению статического пробоя. Было показано, что IGBT прекрасно выдерживает эти условия, обладая при этом практически прямоугольной областью устойчивой работы. Этот режим работы демонстрируется диаграммами, построенными для модуля IGBT RBSOA на 3,3 кв/ 12 А, которые показаны на рис. 1a, и соответствующей прямоугольной областью устойчивой работы в координатах I/V на рис. 1б. Аналогичным образом была расширена область устойчивой работы в режиме короткого замыкания и область устойчивого обратного восстановления для встречно включенного диода. SPT+: снижение потерь и расширение области устойчивой работы Следующей вехой было снижение общих потерь IGBT и диодов без ухудшения упомянутых выше характеристик. IGBT, созданные с применением технологии SPT+, имели существенно меньшее падение напряжения в открытом состоянии и одновременно обладали повышенной стойкостью в режиме отключения, значительно превышающей стойкость, обеспечиваемую технологией SPT. Технология SPT+ компании АББ позволила установить новые стандарты производительности во всем диапазоне напряжений IGBT от 12 до 65 В (рис. 2). Значения Vкэ (нас) получены при той же плотности тока и для тех же обратных потерь для каждого класса напряжения. В последующих разделах этой статьи на примере высоковольтного модуля на 6,5 кв поясняются и демонстрируются характеристики IGBT и диодов, построенных с применением технологии SPT+. 2 АББ Ревю 3/28

3 IGBT и диоды, созданные с применением технологии SPT+ Улучшенные характеристики приборов IGBT, созданных по технологии SPT+, достигаются за счет улучшения конструкции планарной ячейки и уже хорошо оптимизированной вертикальной структуры, используемой в технологии SPT. Поперечное сечение SPT+ IGBT показано на рис. 3. Планарная технология SPT+ использует расширенный слой n, окружающий углубление p в ячейке IGBT. Слой n повышает концентрацию носителей на стороне катода IGBT, снижая тем самым падение напряжения в открытом состоянии ( ) без заметного повышения потерь в закрытом состоянии. Дальнейшее снижение напряжения достигается путем снижения сопротивления канала за счет поперечного закорачивания канала МОП. Оптимизируя форму расширенного слоя n, область устойчивой работы в закрытом состоянии ячейки SPT+ можно расширить за пределы и без того очень устойчивой ячейки SPT. Таким образом, технология SPT+ не только существенно снижает потери, но и расширяет область устойчивой работы по сравнению со стандартной технологией. На рис. 4 показано поперечное сечение диода SPT+. Технология изготовления диода SPT+ использует метод двойного локального контроля времени жизни для оптимизации формы накопленного заряда. Благодаря улучшенному распределению заряда, можно снизить общие потери, сохранив мягкие характеристики восстановления стандартных диодов SPT. В диодах SPT+ на стороне анода применяется та же конструкция, которая использовалась в стандартной технологии SPT, с сильно легированным эмиттером p+. Эффективность анодного эмиттера регулируется с помощью первого пика He++, расположенного внутри диффузионной области p+. Для контроля концентрации плазмы в области n-базы и на стороне катода, второй пик He++ имплантируется глубоко в n-базу со стороны катода. Таким образом обеспечивается двойной локальный профиль времени жизни, как показано на рис. 4. Такой подход позволяет обойтись без дополнительного гомогенного контроля времени жизни в n-базе. Лучший компромисс между общими потерями диода и мягким восстановлением достигается за счет более оптимального распределения накопленной электронно-дырочной плазмы. Высоковольтный модуль SPT+ HV- HiPak на 6,5 кв Потери нового прибора SPT+ IGBT на 6,5 кв в открытом состоянии примерно на 3 % ниже по сравнению со стандартным прибором SPT. Этот факт, в сочетании с повышенной стойкостью SPT+ IGBT, позволил увеличить номи- 3 Технология SPT+ IGBT P Короткий канал Эмиттер Расширенный слой n Затвор n-база Буфер SPT P+ Коллектор P нальный ток с 6 А для стандартного модуля HiPak на 6,5 кв до 75 А для новой версии SPT+. Показанный на рис. 6 высоковольтный модуль HV-HiPak на 6,5 кв собран в стандартном промышленном корпусе популярного размера 4 Технология диода SPT+ N + Анод P + n-база n-буфер Катод Время жизни носителей Локальный контроль времени жизни 5 Высоковольтный модуль HV-HiPak на 6,5 кв на базе вновь разработанного кристалла SPT+. 6 Прямые характеристики SPT+ IGBT на 6,5 кв (измеренные на уровне модуля) 7 Закрытие SPT+ IGBT на 6,5 кв при номинальных режимах, измеренное на уровне модуля 15 8 = 75 А, Vпост. = 36 В, T перехода = 28 нг 5 IК, А Номинальный ток = 25 C = 125 C IК, А; 1*V ЗЭ V ЗЭ АББ Ревю 3/28 21

4 19 14 мм. В нем используется пластина основания из алюминиево-кремниевого карбида (AlSiC), обладающая превосходными характеристиками теплового расширения, необходимыми для применения в электротранспорте, и изоляция из нитрида алюминия (AlN), обеспечивающая низкое тепловое сопротивление. Высоковольтная версия HV-HiPak, рассчитанная на класс напряжения 6,5 кв, обладает стойкостью изоляции 1,2 кв (ср. кв.). Для проверки технических характеристик кристаллов SPT+ на 6,5 кв и высоковольтного модуля HV-HiPak были выполнены тщательные измерения. Результаты этих измерений представлены в данном разделе статьи. Для динамических измерений номинальное напряжение линии постоянного тока составляло 36 В, тогда как измерения области устойчивой работы и переходных характеристик выполнялись при напряжении 45 В. Характеристики и потери IGBT Характеристики SPT+ IGBT на 6,5 кв в открытом состоянии показаны на рис. 6. Типичное падение напряжения в открытом состоянии ( ) при номинальном токе и T перехода =125 C равно 4. Уже начиная с малых токов, SPT+ IGBT демонстрирует положительный температурный коэффициент напряжения. Это позволяет получить хорошие характеристики распределения тока по отдельным кристаллам модуля. На рис. 7 показана кривая процесса закрытия модуля HiPak на 6,5 кв при номинальных режимах, т. е. при токе 75 А и напряжении 36 В. В этих условиях полные потери модуля достигают значения 5,2 Дж. Модуль закрывался с помощью внешнего резистора в цепи затвора (R З. выкл ), равного 15 Ом, что приводило к росту напряжения со скоростью 2 В/мкс. Оптимизированная область n-базы в сочетании с буфером SPT обеспечивала плавный спад коллекторного тока, что гарантировало мягкий характер отключения без выбросов и колебаний напряжения, даже 8 Кривая поведения SPT+ IGBT на 6,5 кв, полученная на уровне кристалла E выкл, мдж Обратное восстановление SPT+ на 6,5 кв при номинальных режимах, измеренное на уровне модуля, E восст = 2,8 Дж IП, А V пост. = 36 В, = 25 А, T перехода = 6 мкг, R З. выкл = 33 Ом SPT = 75 А, V пост. = 36 В, T перехода = 28 нг SPT 9 Характеристики диода SPT+ на 6,5 кв в прямом включении (измеренные на уровне модуля) IП, А Окончательная конструкция SPT+ Номинальный ток меньше на 3 % = 25 C V П = 125 C при высоких напряжениях в главной цепи и при наличии паразитных индуктивностей. На рис. 8 показана кривая, описывающая компромисс между падением напряжения на IGBT в открытом состоянии и потерями в закрытом состоянии для SPT+, а также аналогичная кривая для стандартного SPT IGBT. Измерения выполнялись на уровне кристалла. Разные точки на технологических кривых соответствуют IGBT с разными анодно-эмиттерными характеристиками. Измерение выполнялось при токе коллектора 25 А, который является номинальным током для SPT IGBT. При равных потерях в закрытом состоянии новый SPT+ IGBT продемонстрировал примерно на 3 % меньшее падение напряжения в открытом состоянии ( ) по сравнению со стандартным кристаллом SPT. Конечная точка на технологической кривой SPT+ IGBT тщательно выбиралась из соображений компромисса между обратным током утечки и мягкостью отключения, при сохранении хорошего баланса между потерями переключения и проводимости. Характеристики и потери диода На рис. 9 показаны характеристики диода SPT+ на 6,5 кв в прямом включении. Благодаря улучшенному формированию областей проводимости с применением схемы двойного облучения He++, диод имел большой положительный температурный коэффициент V П уже при токах, значительно ниже номинального. При номинальном токе и температуре 125 C диод имел типичное падение напряжения при прямом смещении 3,5 В. На рис. 1 показана кривая обратного восстановления диода при номинальных режимах. Путем тщательного подбора пика He++ со стороны катода удалось получить короткий, но попрежнему гладко затухающий бросок тока. В номинальном режиме потери восстановления диода составляют 2,8 Дж. Благодаря высокой стойкости и мягкому характеру восстановления, диод может переключаться с высоким значением di П /dt, что значительно снижает потери IGBT в открытом состоянии. 22 АББ Ревю 3/28

5 Выходной ток модуля Чтобы оценить характеристики модуля SPT+ на 6,5 кв в реальных условиях эксплуатации, было выполнено тепловое моделирование выходного тока в зависимости от частоты коммутации. Результаты этого моделирования показаны на рис. 11. SPT+ IGBT на 6,5 кв были оптимизированы для работы с большими паразитными индуктивностями и малыми частотами коммутации. Для обеспечения гладкого характера переключения IGBT проектировался в расчете на относительно высокую анодно-эмиттерную эффективность. Это повышает электроннодырочную концентрацию на анодной стороне N-базы и обеспечивает гладко затухающий выброс тока во время отключения при наличии больших паразитных индуктивностей и высоких постоянных напряжений. Это позволило создать кристалл с малыми прямыми потерями и повышенными потерями в закрытом состоянии, который идеально подходит для малых частот коммутации. Одним из основных преимуществ нового SPT+ IGBT на 6,5 кв является его исключительно высокая стойкость в закрытом состоянии, устанавливающая новые стандарты для этого класса напряжения. A Зависимость выходного тока модуля SPT+ HiPak на 6,5 кв от частоты коммутации, А (ср. кв.) Iвых cos (π) =,85, V пост. = 36 В, m = 1, T окр. ср. = 4 C, T перехода = 125 C, R th (c-h) = 9,5 K7кВт f коммутации, Гц Отключение и обратное восстановление Одним из основных преимуществ нового SPT+ IGBT на 6,5 кв является его исключительно высокая стойкость в закрытом состоянии, устанавливающая новые стандарты для этого класса напряжения. На рис. 12 показана кривая закрывания на уровне модуля, которая получена при отключении тока 24 А (это более чем в три раза превышает номинальный ток) при постоянном линейном напряжении 45 В и температуре перехода 125 C. Тест выполнялся с внешним резистором в цепи затвора 1, Ом, без применения каких-либо ограничителей или снабберов. Паразитная индуктивность в этом измерении составляла 75 нг, что более чем в два раза превышает значение, которое может встретиться в реальных условиях эксплуатации, даже в худшем случае. Благодаря высокой стойкости ячейки SPT+ приборы IGBT могут выдерживать длительный период сильного динамического пробоя в течение переходных процессов, возникающих во время закрывания, и тем самым демонстрируют превосходную область устойчивой работы. Во время этого теста пиковая мощность отключения достигала значения 11,7 МВт. В ходе стандартного производственного тестирования все модули подвергаются тесту на устойчивую работу в режиме отключения с утроенными номинальным током (225 А), во время которого модули испытывают динамический пробой. Столь жесткий тест выполняется для того, чтобы гарантировать высокое качество и надежность всех выпускаемых высоковольтных модулей HV- HiPak на напряжение 6,5 кв. На рис. 13 показан тест обратного восстановления диода в области устойчивой работы, выполненный на уровне модуля при прямом токе 75 А (номинальный ток) и постоянном напряжении 45 В. Благодаря характеристикам включения IGBT, пиковая мощность диода достигает максимального значения примерно при номинальном токе и начинает снова спадать при больших прямых токах. Коммутация диода выполнялась с помощью внешнего резистора в цепи затвора (R З ) 1,2 Ом, причем скорость коммутации достигала 7 А/мкс, а пиковая мощность 9, МВт. B Закрывание SPT+ IGBT на 6,5 кв в области устойчивой работы, измеренное на уровне модуля, P откл = 11,7 МВт C Обратное восстановление диода SPT+ на 6,5 кв в области устойчивой работы, измеренное на уровне модуля 3 = 24 А, Vпост. = 45 В, T перехода = 75 нг 7 2 = 75 А, V пост. = 45 В, T перехода = 38 нг > 3 x I ном IК, А; 1*V ЗЭ Номинальный ток IП, А P пик = 9, МВт V ЗЭ АББ Ревю 3/28 23

6 D Характеристики SPT+ IGBT на. 6,5 кв в условиях короткого замыкания, измеренные на уровне модуля. E Бросок тока диода SPT+ на 6,5 кв, измеренный на уровне модуля. 6 V пост. = 45 В, T перехода = 28 нг 12. T перех. начальная = 125 C, T К = 125 C, t p = 1 мс ; IК, А; 1*V ЗЭ V П V П Б IПБ, А V ЗЭ Область устойчивой работы в условиях короткого замыкания Кривая тока короткого замыкания для модуля SPT+ на 6,5 кв показана на рис. 14. IGBT спроектирован так, чтобы выдерживать короткое замыкание при V GE = 15 и температуре перехода от 4 C до +125 C. Необходимая стойкость к короткому замыканию достигается за счет оптимизации SPT буфера и повышения анодноэмиттерной эффективности. Стойкость к броскам тока Для проверки стойкости диода SPT+ на 6,5 кв к броскам тока, модуль HiPak подвергся воздействию 1 токовых импульсов с амплитудой 9,9 ка и длительностью 1 мс (I 2 t = 523 ка 2 с), как показано на рис. 15. После 1-го импульса было выполнено повторное тестирование электрических характеристик модуля, чтобы убедиться в отсутствии ухудшений. В ходе последующего теста на разрушение определялась способность диода выдерживать одиночный бросок тока. При этом пиковый ток диода достигал значения 12,3 ка, что соответствовало значению I 2 t равному 75 ка 2 с перед отказом. Столь превосходная стойкость к бросками тока достигнута благодаря сильно легированному p+ эмитеру и малому падению напряжения в открытом состоянии, полученному за счет оптимального распределения плазмы, сформированного схемой двойного облучения He++. Тенденции развития По мере совершенствования современных IGBT и диодов разработчики полупроводниковых устройств сталкиваются с тем, что дальнейшее улучшение характеристик IGBT с помощью традиционных методов оптимизации плазмы и снижения толщины кремния становится все более затруднительным. Сегодня, основные усилия разработчиков направлены на возрождение IGBT с обратной проводимостью (RC IGBT), которые сочетают в одной структуре свойства IGBT и диода, что позволяет обеспечить более высокую мощность в заданном объеме (т. е. для заданного размера модуля). Потенциальные возможности такой технологии весьма велики. Наиболее важная характеристика, а именно максимальная пропускаемая мощность устройства (SOA), была поднята до такого уровня, при котором IGBT теоретически могут работать с токами, значительно превышающими номинальные токи современных систем. Кроме того, все большее внимание уделяется максимальной температуре перехода. Тот факт, что наиболее важная характеристика, а именно максимальная пропускаемая мощность устройства (SOA), была поднята до такого уровня, при котором IGBT теоретически могут работать с токами, значительно превышающими номинальные токи современных систем, дополнительно стимулирует расширение температурного диапазона. Поскольку выходная мощность пропорциональна разности температур (ΔT) между переходом кристалла и охлаждающей средой, повышение допустимой температуры полупроводника приводит к немедленному повышению плотности мощности для устройства заданной площади. Таким образом, повышение температуры на 25 C повышает номинальную мощность на %, в зависимости от условий охлаждения. Более подробная информация о IGBT приведена в статье «Корпус с улучшенными характеристиками» на с. 9 этого выпуска АББ Ревю. Мунаф Рахимо Арност Копта ABB Semiconductors Ленцбург, Швейцария munaf. abb. com arnost. abb. com 24 АББ Ревю 3/28

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Национальный исследовательский Томский политехнический университет Энергетический институт Кафедра: ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Тема: СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Преподаватель: доцент

Подробнее

Д. А. Пресняков, И. Ю. Ветров, А. В. Ставцев, А. М. Сурма

Д. А. Пресняков, И. Ю. Ветров, А. В. Ставцев, А. М. Сурма Высоковольтные тиристоры, адаптированные для применения в последовательных сборках и ключи на их основе для применения в аппаратах плавного пуска электродвигателей Д. А. Пресняков, И. Ю. Ветров, А. В.

Подробнее

Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением

Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением 12 октября 06.2 Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением И.В.Грехов,Л.С.Костина,А.В.Рожков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург E-mail:

Подробнее

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах

6. Импульсные ключи Ключи на биполярных транзисторах 6. Импульсные ключи. Ключом в электротехнике называется двухполюсник, имеющий два состояния с нулевой проводимостью (разомкнут) и с бесконечной проводимостью (замкнут). В импульсной технике зачастую приходится

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

Силовые полупроводниковые приборы

Силовые полупроводниковые приборы Силовые полупроводниковые приборы Часть вторая: технология корпусов и перспективные разработки Стефан Линдер Силовые полупроводниковые приборы в последние десятилетия стали применяться практически повсеместно.

Подробнее

Постоянное ужесточение требований к удельной мощности

Постоянное ужесточение требований к удельной мощности Александр Русу (г. Одесса) Как выбрать оптимальные полевые транзисторы для синхронных выпрямителей Применение синхронных выпрямителей лучший способ снижения потерь во вторичных цепях преобразователей энергии.

Подробнее

Новые силовые полупроводниковые приборы производства ЗАО «Протон-Электротекс» Локтаев Ю.М., Ставцев А. В., Сурма А.М., Черников А.А.

Новые силовые полупроводниковые приборы производства ЗАО «Протон-Электротекс» Локтаев Ю.М., Ставцев А. В., Сурма А.М., Черников А.А. Новые силовые полупроводниковые приборы производства ЗАО «ПротонЭлектротекс» Локтаев Ю.М., Ставцев А. В., Сурма А.М., Черников А.А. ЗАО «ПРОТОНЭЛЕКТРОТЕКС» одна из лидирующих в России компаний в части

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30017К одиночный ключ, на основе IGBTкристаллов с вертикальным каналом (Trench Gate технология) встроенный быстродействующий диод обратного тока корпус с изолированным основанием

Подробнее

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin эффективное значение напряжения пробоя

Подробнее

Методика выбора драйвера для IGBT- или MOSFET-транзистора

Методика выбора драйвера для IGBT- или MOSFET-транзистора Методика выбора драйвера для IGBT- или MOSFET-транзистора Введение В данных рекомендациях по применению описывается методика расчета параметров управления затвором для заданных условий применения. Приводимые

Подробнее

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 95 Лекция 0 ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План. Введение. Понижающие импульсные регуляторы 3. Повышающие импульсные регуляторы 4. Инвертирующий импульсный регулятор 5. Потери и КПД импульсных регуляторов

Подробнее

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений ГОСТ 27264-87(СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые. Методы измерений Группа Е69 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДAPT СОЮЗА ССР Дата введения 01.01.1988 ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической

Подробнее

IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON

IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON Компания SEMIKRON является единственным предприятием в мире, которое, начиная с 1975 года, производит изолированные модули для силовой электроники

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-1N 12 В 1 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji -го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора План занятия: 1. Динамический режим работы транзистора 2. Ключевой режим работы транзистор 3. Динамические

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-15N 12 В 15 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при

Подробнее

АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ. - 2005. - 1. - 1-6 УДК 62-50:519.216 АНАЛИЗ И ВЫБОР ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ В.С. ДАНИЛОВ, К.С. ЛУКЬЯНОВ, Е.А. МОИСЕЕВ В настоящее время широкое

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

ËÓ Ó ÿóúúíë IGBT-ËÌ ÂappleÚÓapple ı Ò ÊÂÒÚÍËÏ ÔÂappleÂÍÎ ÂÌËÂÏ

ËÓ Ó ÿóúúíë IGBT-ËÌ ÂappleÚÓapple ı Ò ÊÂÒÚÍËÏ ÔÂappleÂÍÎ ÂÌËÂÏ SE#7(1).qxd 3/3/2006 1:3 PM Page 102 œappleëïâìâìëâ Í apple Ë -ÍappleÂÏÌËÂ ı ËÓ Ó ÿóúúíë IGBT-ËÌ ÂappleÚÓapple ı Ò ÊÂÒÚÍËÏ ÔÂappleÂÍÎ ÂÌËÂÏ Â ñòàòüå ðàññìîòðåíû âîïðîñû ïðèìåíåíèÿ êàðáèä-êðåìíèåâûõ äèîäîâ

Подробнее

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности

2. точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности Полупроводниковые диоды - технологии изготовления 1. исторически первые полупроводниковые диоды - т.н. кристаллический детектор - поликристалл PbS (природный минерал галенит, далее такие образцы PbS научились

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм IGB модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB17FA-75N 17 В 75 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ мкс при 15 C o

Подробнее

Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d.

Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d. Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d. Рис.1.53 1.4.2.4 Способность периодически передавать мощность

Подробнее

ПОСТРОЕНИЕ ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

ПОСТРОЕНИЕ ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ НГТУ. 2006. 1(43). 147 152 УДК 62-50:519.216 ПОСТРОЕНИЕ ДЕМПФИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ДЛЯ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Е.А. МОИСЕЕВ Приводятся практические рекомендации по выбору элементов

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin

Подробнее

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Запираемые тиристоры, в отличие от тринисторов, которые были рассмотрены ранее, - это полностью управляемые приборы, и под воздействием

Подробнее

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер.

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер. 1 Биполярные транзисторы 1. Основные понятия Лекции профессора Полевского В.И. Лекция 1 Биполярным транзистором называют трѐхэлектродный полупроводниковый прибор, с двумя взаимодействующими между собой

Подробнее

Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ И ПРИБОРЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ И ПРИБОРЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Лекция 18 Тема: Основы функциональной электроники (Продолжение) 1) Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. 2) Микроминиатюризация МДП-приборов. 3) Физические явления, ограничивающие микроминиатюризацию

Подробнее

Открытое акционерное общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ»

Открытое акционерное общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» Силовые полупроводниковые приборы ОАО «Электровыпрямитель» для транспорта и транспортной инфраструктуры ы ОАО «Электровыпрямитель» (г. Саранск) - современное холдинговое предприятие, в состав которого

Подробнее

ИЛТ Драйвер управления тиристором

ИЛТ Драйвер управления тиристором ИЛТ Драйвер управления тиристором Схемы преобразователей на тиристорах требуют изолированного управления. Логические изоляторы потенциала типа ИЛТ совместно с диодным распределителем допускают простое

Подробнее

»ÒÔÓÎ ÁÓ ÌËÂ ÒËÎÓ ı. Теоретически, добиться работы в линейном режиме. Силовая элементная база. 68

»ÒÔÓÎ ÁÓ ÌËÂ ÒËÎÓ ı. Теоретически, добиться работы в линейном режиме. Силовая элементная база. 68 »ÒÔÓÎ ÁÓ ÌËÂ ÒËÎÓ ı Úapple ÌÁËÒÚÓappleÓ ÎËÌÂÈÌÓÏ appleâêëïâ При работе в линейном режиме силовой транзистор скорее можно назвать частично открытым, чем полностью закрытым или открытым. Линейный режим дает

Подробнее

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ МОП РЕЛЕ ВОПРОСЫ ПО ПРИМЕНЕНИЮ. Вопросы по применению

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ МОП РЕЛЕ ВОПРОСЫ ПО ПРИМЕНЕНИЮ. Вопросы по применению Вопросы по применению Оптоэлектронные МОП - реле Как работает оптоэлектронное МОП - реле Входной ток срабатывания реле Почему реле срабатывает при выключенном светодиоде Повышение помехоустойчивости реле

Подробнее

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов.

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Инна Щукина, Михаил Некрасов mik@icquest.ru Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано

Подробнее

Тиристорный контактор BEL-TS H2

Тиристорный контактор BEL-TS H2 Техническая документация Тиристорный контактор BEL-TS H2 для быстрой коммутации конденсаторов в низковольтных секциях Содержание: 1. Важная информация:... 3 2. Область применения... 3 3. Компоненты статического

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGB модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-2N 12 В 2 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15 C o

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ План занятия: 1. Классификация и условные графические обозначения тиристоров 2. Принцип работы тиристоров 3. Управляемые тиристоры 4. Симисторы 5. Основные параметры тиристоров 6. Области

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

Расчёт тепловых потерь транзисторного ключа относительным графическим методом

Расчёт тепловых потерь транзисторного ключа относительным графическим методом 1 Автор: Новиков П.А. Наш сайт: www.electrum-av.com Расчёт тепловых потерь транзисторного ключа относительным графическим методом Современная силовая электроника всё ближе подбирается к области высоких

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ МДТКИ60017 одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин) встроенный быстродействующий

Подробнее

Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ

Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ Схемы, состоящие из пассивных и нелинейных элементов (LD) и позволяющие уменьшить коммутационные потери, часто называют

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ. В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д.

ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ. В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д. УДК 543.836.3 1 ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д. Чумаков ОАО «Электровыпрямитель», г. Саранск E-mail:

Подробнее

(21), (22) Заявка: /09, (24) Дата начала отсчета срока действия патента:

(21), (22) Заявка: /09, (24) Дата начала отсчета срока действия патента: РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11)2229769 (13) C2 (51) МПК 7 H04B1/04 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ (21), (22) Заявка:

Подробнее

МДТКИ / МТКИД

МДТКИ / МТКИД МДТКИ220017 / МТКИД220017 I IGBTT моодуулии СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ с диодом чоппера в цепи коллектора (МДТКИ220017) или эмиттера (МТКИД220017) встроенный быстродействующий диод обратного тока

Подробнее

Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов. Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс»

Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов. Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс» Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс» ВВЕДЕНИЕ Основой конструкции полупроводникового прибора является

Подробнее

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 3 Лекция 1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 1. Введение 2. Выпрямительные диоды 3. Стабилитроны 4. Диоды Шоттки 5. Выводы План Введение Энергетическая электроника представляет область

Подробнее

Лекция 11. Тема: Импульсные устройства. VT u. u ВХ. t 1 t 2 t t 3 4 U КЭ. Импульсный режим работы усилителя

Лекция 11. Тема: Импульсные устройства. VT u. u ВХ. t 1 t 2 t t 3 4 U КЭ. Импульсный режим работы усилителя Лекция 11 Тема: Импульсные устройства Импульсный режим работы усилителя Импульсному (ключевому) режиму работы транзистора соответствует два крайних состояния: транзистор либо заперт, или полностью открыт.

Подробнее

ограничительных и выпрямительно-ограничительных

ограничительных и выпрямительно-ограничительных Анатолий Нефедов (г. Москва) Новые ограничительные и выпрямительноограничительные диоды Радиоэлектронное и электротехническое оборудование должно содержать элементы защиты, гарантирующие безопасную и надежную

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш П209, П209А, П210, П210А,, П210Ш Транзисторы большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в аппаратуре в режимах усиления и переключения мощности. Транзисторы конструктивно

Подробнее

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003

Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Источник: И.П. Степаненко, «Основы микроэлектроники», Лаборатория базовых знаний, 2003 Реализация элементарных логических функций. Основные логические элементы: НЕ, И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ Таблица истинности:

Подробнее

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА 1 ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА Мартыненко В.А., Мускатиньев В.Г., Наумов Д.А., Бормотов А.Т., Чибиркин В.В. ОАО "Электровыпрямитель" Россия,

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ М2ТКИ220017 СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Подробнее

П13, П13А, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А

П13, П13А, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А П13,, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А Германиевые плоскостные транзисторы типа П13,, П14, П15 предназначены для усиления электрических сигналов промежуточной частоты. Транзистор П13Б предназначен для

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 8 ИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР В 948 году Д. ардин и В. раттейн, работая с точечным переходом, обнаружили, что устройство с двумя переходами способно создавать усиление электрических колебаний

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел

Подробнее

Лекция 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ

Лекция 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ 1 Лекция 4. (Продолжение темы лекции 3) БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ План 1. Введение. 2. Физическая и математическая модель биполярного транзистора (модель Эберс-Молла). 3. Вольтамперные

Подробнее

Рахматов А.З., Скорняков С.П. Импульсная стойкость кремниевых ограничителей напряжения

Рахматов А.З., Скорняков С.П. Импульсная стойкость кремниевых ограничителей напряжения Рахматов А.З., Скорняков С.П. Импульсная стойкость кремниевых ограничителей напряжения Для защиты РЭУ от перенапряжений используют различные схемные решения и, помимо плавких отключающих элементов, - специальные

Подробнее

Рис. 2 Модуль "Транзисторы"

Рис. 2 Модуль Транзисторы Глава 2 Исследование полевого и биполярного транзисторов Цель проведения работ Знание устройств, изучение характеристик и параметров электронных полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов.

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802Б Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802Б в металлостеклянном корпусе

Подробнее

ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени М. В. ЛОМОНОСОВА Физический факультет Практикум кафедры физики колебаний Описание задачи ЧАСТОТНЫЕ И ПЕРЕХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Составитель:

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802А Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802А в металлостеклянном корпусе

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ОПТРОН К294ПП1АП.

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ОПТРОН К294ПП1АП. ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ОПТРОН К294ПП1АП. Стремление к микро миниатюризации функциональных элементов электрических цепей привело к созданию нового класса оптоэлектронных интегральных микросхем, так называемых

Подробнее

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-1N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля MI-HB12F-3N Информационный лист IGB модуля Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора

Подробнее

Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.)

Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.) Рогов 1 А.П. (Rogov A.P.), Турин 2 В.О. (Turin V. O.) 1 Госуниверситет-УНПК, студент 2 Госуниверситет-УНПК, к.ф-м.н., профессор ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ШИРИНЫ ВЕРТИКАЛЬНОЙ ЧАСТИ

Подробнее

параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов

параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов Выбор конструктивнотехнологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе карбида кремния М.Черных Уникальные свойства карбида кремния (SiC) обеспечивают характеристики, недостижимые для кремниевых

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

1393ЕУ014. Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом БЛОК СХЕМА ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ

1393ЕУ014. Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом БЛОК СХЕМА ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Радиационная стойкость; Диапазон входных напряжений 8,5 36В; Ток потребления

Подробнее

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее:

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее: П416, П416А, Транзисторы германиевые диффузионные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в импульсных схемах и радиотехнических устройствах в диапазоне коротких и ультракоротких

Подробнее

АНАЛИЗ СХЕМ ВЫПРЯМЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ

АНАЛИЗ СХЕМ ВЫПРЯМЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ Общие сведения АНАЛИЗ СХЕМ ВЫПРЯМЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ Во многих областях науки и техники требуются источники энергии постоянного тока. Потребителям энергии постоянного тока являются

Подробнее

В центре тихой революции

В центре тихой революции Силовые полупроводниковые приборы В центре тихой революции Штефан Линдер За последние тридцать лет силовые полупроводниковые приборы практически полностью вытеснили электромеханические преобразователи

Подробнее

2Т950А, 2Т950Б 2Т950(А,Б) Электрические параметры

2Т950А, 2Т950Б 2Т950(А,Б) Электрические параметры 2Т950А, 2Т950Б Транзисторы кремниевые эпитаксиальнопланарные структуры прп усилительные линейные. Транзистор 2Т950А предназначен для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот 30...80 МГц

Подробнее

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( )

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H03K 17/00 (2006.01) 168 443 (13) U1 R U 1 6 8 4 4 3 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-2N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы Модуль 1 1. Полупроводниковые материалы имеют удельное сопротивление 1) больше, чем проводники 2) меньше, чем проводники 3) больше, чем диэлектрики 4)

Подробнее

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс»

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Типы серийно выпускаемых твердотельных реле Реле переменного тока: с контролем перехода

Подробнее

МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ В САПР TCAD

МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ В САПР TCAD 1 УДК 621.3.049.77 МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЩНОГО ИМПУЛЬСНОГО ТИРИСТОРА ТИ183-2000 В САПР TCAD Горячкин Юрий Викторович 1, Калюжная Евгения Сергеевна 2 1 ФГБОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н.

Подробнее

Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением

Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением 07 Высоковольтный интегральный тиристор с полевым управлением И.В. Грехов, 1 А.В. Рожков, 1 Л.С. Костина, 1 А.В. Коновалов, 2 Ю.Л. Фоменко 2 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург,

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров

Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров Губарев Владимир, Семенов Александр, Сурма Алексей, Столбунов Валерий Введение Управление

Подробнее

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э Общие данные Германиевые плоскостные (сплавные) p-n-p транзисторы. Основные области применения - усилители мощности низкой частоты (0,5 10 вт), преобразователи

Подробнее

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ Микросхема IZ9921, IZ9922, IZ9923 микросхема высоковольтного LED - драйвера со встроенным MOSFET-ключом, предназначена для управления светодиодными

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 4 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Назначение, классификация и параметры диодов. 2. Устройство диодов малой, средней и большой мощности.

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 -

) j 1 и j з - j 2 - j2 - j 2. V2. j2 - ТИРИСТОРЫ ПЛАН 1. Общие сведения: классификация, маркировка, УГО. 2. Динистор: устройство, принцип работы, ВАХ, параметры и применение. 3. Тринистор. 4. Симистор. Тиристор - это полупроводниковый прибор

Подробнее

Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск

Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СТОКОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Беспалов Н.Н., Ильин М.В., Лысенков А.Е. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск E-mail: bnn48@mail.ru Аннотация.

Подробнее

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика 7. Базовые элементы цифровых интегральных схем. 7.1. Диодно-транзисторная логика Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как элемент с двумя состояниями, или логический

Подробнее

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 84 Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План 1. Введение 2. Параметрические стабилизаторы 3. Компенсационные стабилизаторы 4. Интегральные стабилизаторы напряжения 5. Выводы 1. Введение Для работы электронных

Подробнее

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э

III Биполярные транзисторы 1 «Биполярные транзисторы. Принцип работы» К Э III иполярные транзисторы 1 «иполярные транзисторы. Принцип работы» иполярный транзистор трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными p-n переходами.

Подробнее