МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ"

Транскрипт

1 МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ V DRM /V RRM = В I T(AV) = 80 А (T C = 87 C) I TSM = 1,6 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание прижимная конструкция высокая энерготермоциклостойкость (10 5 при ΔТ С = 70 ºС) ширина корпуса 20 мм МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ Наименование параметра Условное обозначение Значения параметров мин. тип. макс. Единица измерения Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии / Повторяющееся импульсное обратное напряжение, T j = - 60 C C Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии / Неповторяющееся импульсное обратное напряжение, T j = - 60 C C V DRM / V RRM V DSM / V RSM Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии / Повторяющийся импульсный обратный I DRM / I RRM ма ток, T j = 125 C, V D / V R = V DRM / V RRM Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, I T(AV) - - f = 50 Гц, Т С = 87 C 80 Действующий прямой ток I RMS Ударный ток в открытом состоянии, V R = 0, T j = 125 C, t p = 10 мс I TSM - - 1,6 ка Защитный показатель I 2 t ,8 ка 2 c В А Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, V = 0,67V DRM, I T = А, I FG = 1 A, t r = 1 мкс, f = 50 Гц, T j = 125 C Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, V D = 0,67V DRM, T j = 125 C Максимальная мощность управления, постоянный ток (di T /dt) crit A/мкс (dv D /dt) crit В/мкс P GM Вт Температура перехода T j Температура хранения T stg C стр. 1

2 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Импульсное напряжение в открытом состоянии, I T = 250 A, T j = 25 C Пороговое напряжение, T j = 125 C, I T = A Динамическое сопротивление, T j = 125 C, I T = A Время задержки включения, V = 0,67V DRM, I T = 80 А, I FG = 1 A, t r = 1 мкс, T j = 25 C Время выключения, I T = 80 A, di T /dt = - 5 A/мкс, V R 100 В, V D = 0,67V DRM, (dv D /dt) = 50 В/мкс, T j = 125 C Заряд обратного восстановления, di T /dt = - 5 A/мкс, T j = 125 C, I T = 80 А, V R 100 В Ток удержания, V D =12 В, T j = 25 C Отпирающее постоянное напряжение управления, V D = 12 В, T j = - 60 C T j = 25 C T j = 125 C Отпирающий постоянный ток управления, V D = 12 В, T j = - 60 C T j = 25 C T j = 125 C Неотпирающее постоянное напряжение управления, V D = 0,67V DRM, T j = 125 C Неотпирающий постоянный ток управления, V D = 0,67V DRM, T j = 125 C Электрическая прочность изоляции (эффективное значение), f = 50 Гц, t = 1сек/1мин V TM - - 1,50 V (TO) - - 0,90 r T - - 2,00 мом t d - - 1,0 t q В мкс Q rr мккл I H ма V GT - - 5,0 3,5 3,0 I GT В ма V GD 0, В I GD ма V isol /3000 В стр. 2

3 ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ Тепловое сопротивление переход - корпус, на тиристор (диод) на модуль Тепловое сопротивление корпус - охладитель, на тиристор (диод) на модуль МЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ R thjc - - 0,370 0,185 R thch - - 0,2 0,1 С/Вт Масса w - 0,2 - кг Крутящий момент на токоведущих шинах M t 2,5-3,5 Нм Крутящий момент на охладителе M s 4-6 Hм Наибольшее допустимое постоянное ускорение a м/с 2 ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ Климатическое исполнение по ГОСТ УХЛ4, Т2 стр. 3

4 Рис. 1. Предельные вольт-амперные характеристики в открытом состоянии Уравнение вольт-амперной характеристики в открытом состоянии Tj = 125 ºC Tj = 25 ºC V T = A + B I T + C ln(i T + 1) + D IT A Справедливо для Iт = А B C D стр. 4

5 Рис. 2. Переходное тепловое сопротивление переход-корпус ( постоянный ток ) стр. 5

6 Рис. 3. Предельные характеристики цепи управления Позиция на рисунке 3 Скважность Длительность импульса тока управления, t p, мс Допустимая импульсная мощность управления, P GM, Вт 1 1 Постоянный ток , , ,1 75 стр. 6

7 Рис. 4. Мощность потерь в открытом состоянии (однополупериодный синусоидальный импульс) Рис. 5. Мощность потерь в открытом состоянии (прямоугольный импульс) стр. 7

8 Рис. 6. Максимально допустимая температура корпуса при различных углах проводимости и различных формах тока стр. 8

9 Рис. 7. Зависимость допустимой амплитуды ударного тока от длительности импульса (полусинусоида) Рис. 8. Зависимость допустимой амплитуды ударного тока от числа импульсов синусоидальной формы (10 мс, 50 Гц) стр. 9

10 Рис. 9. Зависимость заряда обратного восстановления от скорости спада тока Рис. 10. Зависимость тока обратного восстановления от скорости спада тока стр. 10

11 Рис. 11. Рекомендуемая форма импульса тока управления t p (I Gon )- определяется характеристиками тиристора и режимом работы преобразователя стр. 11

12 Рис. 12. Габаритные и установочные размеры Россия, Мордовия, Саранск, , ул. Пролетарская, 126 Тел. +7 (8342) Факс: +7 (8342) , , (сбыт) , (техническая поддержка) (сбыт), (техническая поддержка) (техническая поддержка) (сбыт) Internet: стр. 12

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250 М О Д У Л И Т И Р И С Т О Р Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 250 А (T C = 85 C) I TSM = 8 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 300-1800 В I T(AV) = 100 А (T C = 85 C) I TSM = 2 кa (T j = 140 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ герметичный металлокерамический корпус низкие потери в открытом состоянии МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс V DRM /V RRM = 400-1000 В I T(AV) = 165 А (T C = 85 C) I TSM = 3,5 кa (T j = 125 C) фланцевая конструкция корпуса ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ допускают эксплуатацию в условиях центробежных и тангенциальных ускорений

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 600 А (T C = 85 C) I T(AV) = 750 А (T C = 70 C) I TSM = 11 кa (T j = 125 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ внутреннее усиление сигнала управления минимальные потери в открытом

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-00, ÒÑ5-5, ÒÑ5-60 Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ m, m - êîíòðîëüíûå òî êè èçìåðåíèÿ èìïóëüñíîãî íàïðÿæåíèÿ â îòêðûòîì ñîñòîÿíèè; m - â îäíîé èç äâóõ òî åê; L =,0 ìì - ìèíèìàëüíîå

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå (ÌÒÎÒÎ) ñîñòîÿò èç äâóõ îïòîòèðèñòîðíûõ ýëåìåíòîâ ñî âñòðå íî-ïàðàëëåëüíîé ñõåìîé ñîåäèíåíèÿ â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ33-50, ТБ33-30, ТБ33-400, ТБ43-400, ТБ43-500, ТБ43-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ773-2000-25

Подробнее

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50,

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË6-00, ÄË6-50, ÄË7-30, ÄË7-400 Äèîäû ëàâèííûå íèçêî àñòîòíûå ñ ãèáêèì âûâîäîì ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â âûïðÿìèòåëüíûõ óñòðîéñòâàõ, èñòî íèêàõ ïèòàíèÿ è óñòðîéñòâàõ çàùèòû îò ïåðåíàïðÿæåíèé.

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË5350, ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53, ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ ÄÈÎÄÛ Ä730, Ä7400, Ä7400Õ, Ä7500, Ä7500Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Ä3500, Ä33600, Ä43000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3500, Ä33600, Ä43000 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin эффективное значение напряжения пробоя

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ М2ТКИ220017 СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30017К одиночный ключ, на основе IGBTкристаллов с вертикальным каналом (Trench Gate технология) встроенный быстродействующий диод обратного тока корпус с изолированным основанием

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ МДТКИ60017 одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин) встроенный быстродействующий

Подробнее

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Тиристор ысокая стойкость к электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Разработан для промышленного применения Средний прямой ток Повторяющееся

Подробнее

МДТКИ / МТКИД

МДТКИ / МТКИД МДТКИ220017 / МТКИД220017 I IGBTT моодуулии СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ с диодом чоппера в цепи коллектора (МДТКИ220017) или эмиттера (МТКИД220017) встроенный быстродействующий диод обратного тока

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

ТБ , ТБ

ТБ , ТБ ТБ153-630, ТБ153-800 Тиристоры кремниевые диффузионные р

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-15N 12 В 15 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-1N 12 В 1 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji -го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм IGB модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB17FA-75N 17 В 75 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ мкс при 15 C o

Подробнее

модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ"

модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО ЭЛЕКТРУМ АВ 01.01.01 модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ" ДИОДНЫЕ, ТИРИСТОРНЫЕ И ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ МОДУЛИ М1, М1.1, М1., М, М, М4, М4.1, М4., М4. 000 г. Орел, Наугорское шоссе, тел. (486) 44-0-44,

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 1800 А и блокирующее

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь ПРИБОРЫ, ПОСТАВЛЯЕМЫЕ ОАО «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» Д Л Я Н У Ж Д В П К Основные особенности силовых полупроводниковых приборов с приемкой «5»: ٠расширенный диапазон температур окружающей среды (от минус 60

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGB модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-2N 12 В 2 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15 C o

Подробнее

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-1N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля MI-HB12F-3N Информационный лист IGB модуля Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора

Подробнее

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-2N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1К-1

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1К-1 ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 Драйвер двухканальный ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления двумя IGBT (одиночными или входящими в модуль) на ток

Подробнее

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах Дерменжи П. Г., Локтаев Ю. М., Сурма А.М., Черников А. А 2 Несмотря на значительное

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-60-17-3ФП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-60-17-3ФП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 3600 А и блокирующее

Подробнее

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор Назначение Тиристоры КУ405А (8А, 600В) и КУ405Б (8А, 800В) кремниевые триодные, не проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду. Предназначены

Подробнее

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1К-3

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1К-3 ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-3ФП1К-3 Драйвер двухканальный ДРИ21-10-17-3ФП1К-3 (далее - драйвер) предназначен для управления двумя IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

Буквенные обозначения параметров тиристоров

Буквенные обозначения параметров тиристоров Согласно ГОСТ 15133-77 переключательные полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми состояниями, имеющими три или более р-п переходов, объединяются под общим названием тиристоры. Тиристоры работают как

Подробнее

Мощные диоды и тиристоры для преобразовательной техники нового поколения

Мощные диоды и тиристоры для преобразовательной техники нового поколения Мощные диоды и тиристоры для преобразовательной техники нового поколения А.Гришанин,.Елисеев,.Мартыненко martin@moris.ru Развитие компонентной базы силовой электроники связано с увеличением преобразуемой

Подробнее

СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50

СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50 СОЕДИНИТЕЛИ ТИПА СНО49, СНО50 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ Соединители электрические низкочастотные прямоугольные типов СНО49 (одинарные) и СНО50 (сдвоенные) внутреннего монтажа, предназначенные для работы в электрических

Подробнее

Силовые полупроводниковые модули. Общие сведения. Назначение и область применения

Силовые полупроводниковые модули. Общие сведения. Назначение и область применения Общие сведения Назначение и область применения Модули представляют собой два полупроводниковых элемента, соединенных последовательно с выводом средней точки, в одном корпусе. В зависимости от набора составляющих

Подробнее

Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов. Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс»

Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов. Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс» Особенности эксплуатации и монтажа силовых полупроводниковых приборов Станислав Стригунов, инженер-конструктор ЗАО «Протон-Электротекс» ВВЕДЕНИЕ Основой конструкции полупроводникового прибора является

Подробнее

КУ613 симметричный триодный тиристор (триак)

КУ613 симметричный триодный тиристор (триак) КУ613 симметричный триодный тиристор (триак) Назначение Тиристоры КУ613А, КУ613Б кремниевые планарные симметричные триодные, в пластмассовом корпусе, функционирующие в трех квадрантах полярности напряжения

Подробнее

Маркировка анализируемого прибора

Маркировка анализируемого прибора Анализ силового полупроводникового прибора таблеточной сборки типа Т353-800-32-82-УХЛ2 азиатского производства под маркировкой ЗАО «Протон- Электротекс» г. Орел 1. Результат осмотра внешнего вида. Был

Подробнее

ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ серии ТРМ3-Т Паспорт АЛЕИ ПC

ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ серии ТРМ3-Т Паспорт АЛЕИ ПC 07.09.2015 ТРМ3-Т_изм.2. doc 1 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ АО "ЭЛЕКТРУМ АВ" ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ серии ТРМ3-Т Паспорт АЛЕИ.435341.001 ПC Тиристорный регулятор мощности ТРМ3-Т предназначен для управления мощностью

Подробнее

elektroservice.com.ua

elektroservice.com.ua Реле открытое РЕЛЕ МКУ 48 Реле в кожухе Реле МКУ 48-С, МКУ 48-Т слаботочное электромагнитное с замыкающими, размыкающими и переключающими контактами предназначено для коммутации электрических цепей постоянного

Подробнее

Реле электромагнитные серии МКУ48-С

Реле электромагнитные серии МКУ48-С Реле электромагнитные серии МКУ48-С Е01000137 Слаботочные электромагнитные реле МКУ48-С предназначены для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой 50 Гц. Классификация Реле

Подробнее

ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ ТРМ3-Т

ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ ТРМ3-Т ТИРИСТОРНЫЙ РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ ТРМ3-Т ООО «Автоматика-НН» г.нижний Новгород. СОДЕРЖАНИЕ 2 1. НАЗНАЧЕНИЕ И ФУНКЦИИ... 3 2. ВЫПУСКАЕМЫЕ ТРМ... 3 3. ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ ТРМ... 4 4. ОСНОВНЫЕ И ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80

ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС , ТС142-80 ТИРИСТОРЫ СИММЕТРИЧНЫЕ ( СИМИСТОРЫ ) ТС106-10, ТС112-10, ТС112-16, ТС122-20, ТС122-25, ТС13240, ТС132-50, ТС-132-63, ТС142-80 Симметричные тиристоры (симисторы) изготовлены на основе пятислойной кремниевой

Подробнее

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Номинальное напряжение: - постоянного тока, В от 6 до 220 - переменного тока, В от 6 до 380 Номинальный ток, А 16, 25, 32, 40 Номинальная частота переменного тока, Гц

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

Реле РЭС90, РЭС90-1 ЯЛ ТУ

Реле РЭС90, РЭС90-1 ЯЛ ТУ Реле РЭС90, РЭС90- ЯЛ0..0ТУ Электромагнитные низкочастотные неполяризованные одностабильные, управляемые постоянным током, с двумя переключающими контактами. Предназначены для коммутации электрических

Подробнее

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности:

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности: Микросхема мощного стабилизатора напряжения В/0мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE470G ф. Siemens) ILE470G (аналог TLE470G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения

Подробнее

РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т

РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т ОКП 66 7111 2700 Реле открытое РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т Реле в кожухе Реле МКУ 48 С, МКУ 48 Т слаботочное электромагнитное с замыкающими, размыкающими и переключающими контактами предназначено

Подробнее

Полупроводниковый тиристор (симистор). triatron.ru. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации.

Полупроводниковый тиристор (симистор). triatron.ru. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации. ОСОБЕННОСТИ: BTA8-6B Полупроводниковый тиристор (симистор). Q технологии для повышения помехоустойчивости. Высокая возможность коммутации с максимальной защитой ложных срабатываний. Высокая устойчивость

Подробнее

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений ГОСТ 27264-87(СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые. Методы измерений Группа Е69 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДAPT СОЮЗА ССР Дата введения 01.01.1988 ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической

Подробнее

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ

Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации: ВНЕШНИЕ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИЕ ФАКТОРЫ ДИОДЫ СВЧ 2А542А1 Диоды 2А542А1 полупроводниковые СВЧ, кремниевые эпитаксиальные переключательные в металлокерамическом корпусе предназначены для работы в коммутационных устройствах СВЧ диапазона волн

Подробнее

ТИРИСТОРНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ МОЩНОСТИ ТРМ1, ТРМ3

ТИРИСТОРНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ МОЩНОСТИ ТРМ1, ТРМ3 ТИРИСТОРНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ МОЩНОСТИ ТРМ1, ТРМ3 ООО «Автоматика-НН» г.нижний Новгород. СОДЕРЖАНИЕ 2 1. НАЗНАЧЕНИЕ И ФУНКЦИИ... 3 2. ВЫПУСКАЕМЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ... 3 3. ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ РЕГУЛЯТОРА... 4 4. ОСНОВНЫЕ

Подробнее

РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т ОКП

РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т ОКП РЕЛЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МКУ 48 С, МКУ 48 Т ОКП 66 7111 2700 Реле открытое Реле в кожухе Реле МКУ 48-С, МКУ 48-Т слаботочное электромагнитное с замыкающими, размыкающими и переключающими контактами предназначено

Подробнее

Соединители электрические низкочастотные прямоугольные для печатного монтажа СНП381 ЦСНК ТУ

Соединители электрические низкочастотные прямоугольные для печатного монтажа СНП381 ЦСНК ТУ Соединители электрические низкочастотные прямоугольные для печатного монтажа ЦСНК.430421.013 ТУ Тип соединителя: соединители электрические низкочастотные прямоугольные, предназначенные для работы в электрических

Подробнее

Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров

Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров Технология протонного облучения и возможности ее применения для улучшения характеристик силовых диодов и тиристоров Губарев Владимир, Семенов Александр, Сурма Алексей, Столбунов Валерий Введение Управление

Подробнее

тел./факс: (812) (многоканальный)

тел./факс: (812) (многоканальный) . ОГРАНИЧИТЕЛИ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ НЕЛИНЕЙНЫЕ КЛАССА НАПРЯЖЕНИЯ КВ Ограничители перенапряжений нелинейные с полимерной изоляцией серии ОПНп (именуемые в дальнейшем ограничители) предназначены для защиты изоляции

Подробнее

Переключатели модульные серии ПКн61, ПКн81

Переключатели модульные серии ПКн61, ПКн81 Переключатели модульные серии ПКн1, ПКн1 (9) 99--7, (1) -0-7 www.elektromark.ru, elektromark@elektromark.ru Переключатели модульные серии ПКн1, ПКн1 предназначены для коммутации электрических цепей постоянного

Подробнее

зависящая от нагрузки.

зависящая от нагрузки. Микросхема маломощного стабилизатора напряжения 5 В/150мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4268G ф. Siemens) ILE4268G (аналог TLE4268G ф. Siemens) - однокристальная интегральная микросхема маломощного

Подробнее

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением ILE426G (аналог TLE426G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения 5В/400 ма с низким

Подробнее

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением ILE426G (аналог TLE426G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения 5В/400 ма с низким

Подробнее

КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б

КД510А, КД521А, КД521В, КД522Б ФГУП "Саранский завод точных приборов" 430003 Россия Республика Мордовия г. Саранск ул. Рабочая 111 т./ф.(8-8342) 24-24-90 24-43-86 E-mail: sztp@saransk-com.ru sztp@moris.ru КД510А КД521А КД521В КД522Б

Подробнее

Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. Технические условия ОЖО ТУ.

Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. Технические условия ОЖО ТУ. Резисторы постоянные металлофольговые Р2-67. 1 Технические условия ОЖО.467.563 ТУ. 1 Основные параметры Постоянные прецизионные защищенные изолированные металлофольговые резисторы Р2-67 предназначены для

Подробнее

тел./факс: (812) (многоканальный)

тел./факс: (812) (многоканальный) 4. ОГРАНИЧИТЕЛИ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ НЕЛИНЕЙНЫЕ КЛАССА НАПРЯЖЕНИЯ 500 КВ Ограничители перенапряжений нелинейные с полимерной изоляцией серии ОПНп (именуемые в дальнейшем ограничители) предназначены для защиты

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП82А КП82Б аа. 336. 82 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП82А, КП82Б в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного

Подробнее

Ограничители перенапряжений 0,4-1кВ

Ограничители перенапряжений 0,4-1кВ Ограничители перенапряжений 0,4-1кВ 1.1. ОГРАНИЧИТЕЛИ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ НЕЛИНЕЙНЫЕ КЛАССА НАПРЯЖЕНИЯ 0,4 КВ. Ограничители предназначены для защиты изоляции электроустановок класса напряжения 0,4 кв переменного

Подробнее

Соединители электрические низкочастотные прямоугольные субминиатюрные типа РПС1-М

Соединители электрические низкочастотные прямоугольные субминиатюрные типа РПС1-М Соединители электрические низкочастотные прямоугольные субминиатюрные типа РПС1-М ЦСНК.430421.010 ТУ Тип соединителя: соединители электрические низкочастотные прямоугольные субминиатюрные для объёмного

Подробнее

тел./факс: (812) (многоканальный)

тел./факс: (812) (многоканальный) 1.1. ОГРАНИЧИТЕЛИ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ НЕЛИНЕЙНЫЕ КЛАССА НАПРЯЖЕНИЯ 110 КВ ВТОРОГО КЛАССА ПРОПУСКНОЙ СПОСОБНОСТИ Ограничители перенапряжений нелинейные с полимерной изоляцией серии ОПНп (именуемые в дальнейшем

Подробнее

РЕЛЕ РЭН18. Реле РЭН18 соответствует требованиям ГОСТ и техническим условиям РА ТУ.

РЕЛЕ РЭН18. Реле РЭН18 соответствует требованиям ГОСТ и техническим условиям РА ТУ. * При атмосферном давлении от 13 10 7 или 130 В переменного тока. до 666 Па напряжение на разомкнутых контактах более 170 В постоянного тока ** Обмотки реле и нагрузок шунтированы диодами. РЕЛЕ РЭН18 Реле

Подробнее

СОЕДИНИТЕЛИ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ КОМБИНИРОВАННЫЕ ОКП

СОЕДИНИТЕЛИ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ КОМБИНИРОВАННЫЕ ОКП СОЕДИНИТЕЛИ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ КОМБИНИРОВАННЫЕ ОКП ОКП 63 1591 0000 ОКП-ВС-1 - cоединители электрические низкочастотные комбинированные прямоугольные для внутриблочного объемного и печатного монтажа предназначены

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ. В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д.

ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ. В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д. УДК 543.836.3 1 ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ВАХ МОЩНЫХ ТИРИСТОРОВ В ПРОВОДЯЩЕМ СОСТОЯНИИ В.А. Мартыненко; В.В. Сорокин; А.А. Хапугин; Г.Д. Чумаков ОАО «Электровыпрямитель», г. Саранск E-mail:

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

ГРПМ 3-14 Ш(Г) - (х) п -(1) П - В Тип соединителя

ГРПМ 3-14 Ш(Г) - (х) п -(1) П - В Тип соединителя Соединители электрические низкочастотные прямоугольные типа ГРПМ3, ГРПП3 Ке0.364.003 ТУ Тип соединителя: соединители электрические низкочастотные прямоугольные типа ГРПМ3 для объёмного монтажа и типа ГРПП3

Подробнее

Модули питания серий MС15 и МС15 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 15 Вт

Модули питания серий MС15 и МС15 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 15 Вт Декабрь 26 ММП-ИРБИС Модули питания серий MС15 и МС15 4С (1 и 2 канала): ход ~22 ; ыход 15 т Модули питания серий МС15 и МС15 4С изготовлены с использованием технологии комбинированного монтажа на импортной

Подробнее

I К max. I К И max. Р К мах

I К max. I К И max. Р К мах Биполярные транзисторы с приемкой «5» Наимен. Максимально допустимые параметры V КЭ огр V КБО проб I К max I К И max Р К мах Основные электрические параметры h 21Э U КЭ max t рас t сп B B А А Вт ед. B

Подробнее

Одноканальные AC/DC ИВЭП Серия МПC 1К0 15 Вт, 25 Вт, 50 Вт

Одноканальные AC/DC ИВЭП Серия МПC 1К0 15 Вт, 25 Вт, 50 Вт Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения наземного и морского базирования. Пример обозначения: МПС 1К0 15 5,0 ОВ МПС модуль питания с питанием от сети переменного тока 1 количество

Подробнее

Мощные тиристоры с прямым управлением светом

Мощные тиристоры с прямым управлением светом Мощные тиристоры с прямым управлением светом и лазерные волоконно-оптические модули управления для высоковольтных применений Представлены результаты разработки серии высоковольтных тиристоров, управляемых

Подробнее

ГОСТ Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия.

ГОСТ Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия. ГОСТ 30617-98. Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия. Дата введения 1 июля 2002 г. Взамен ГОСТ 20859.1-89 в части модулей 1 Область применения Настоящий стандарт распространяется

Подробнее

Основные типономиналы

Основные типономиналы Одноканальные DC/DC ИВЭП Серия МП Вт, 10 Вт, 1 Вт, 2 Вт, 0 Вт Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения наземного и морского базирования, авиационной, ракетной и космической техники

Подробнее

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА 1 ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА Мартыненко В.А., Мускатиньев В.Г., Наумов Д.А., Бормотов А.Т., Чибиркин В.В. ОАО "Электровыпрямитель" Россия,

Подробнее

СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПЕРЕДАЧ ПОСТОЯННОГО ТОКА

СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПЕРЕДАЧ ПОСТОЯННОГО ТОКА СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПЕРЕДАЧ ПОСТОЯННОГО ТОКА Докладчик: ГРИШАНИН АЛЕКСЕЙ, начальник отдела 8 декабря 2016 г. г. Москва Применения силовых тиристоров для преобразовательного

Подробнее

К1482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий

К1482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий К482 электронный фильтр импульсов избыточного напряжения для защиты телефонных линий Назначение Интегральное однокристальное устройство, включающее транзисторные, тиристорные и диодные элементы. Микросхема

Подробнее

Основные типономиналы

Основные типономиналы Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения наземного и морского базирования, авиационной, ракетной и космической техники классы 1-5 по ГОСТ РВ 20.39.304. Входное напряжение: 18 3

Подробнее

при воздействии повышенной рабочей температуры: Электрическая прочность изоляции между любыми выводами при поставке (амплитудное значение)

при воздействии повышенной рабочей температуры: Электрическая прочность изоляции между любыми выводами при поставке (амплитудное значение) ОКПО 63 1300 0000 СОЕДИНИТЕЛИ ЛЕНТОЧНОГО ТИПА СРЛМИ 2 СРЛМИ 2 соединители электрические низкочастотные, прямоугольные, ленточные для печатного и объемного монтажа, предназначены для работы в электрических

Подробнее

ИЛ151А ГИРИКОНД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ. Фотолюминесцентные излучатели, полупроводниковые, инфракрасные. Технические условия: АДБК

ИЛ151А ГИРИКОНД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ. Фотолюминесцентные излучатели, полупроводниковые, инфракрасные. Технические условия: АДБК ИЛ5 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗЛУЧТЕЛИ Фотолюминесцентные излучатели, полупроводниковые, инфракрасные. Технические условия: ДБК.48.04 ТУ Предназначены для эксплуатации, преимущественно, в составе спектрально-аналитической

Подробнее