ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ МЕМРИСТОРНОГО ТИПА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК TiО 2 TiO x НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ МЕМРИСТОРНОГО ТИПА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК TiО 2 TiO x НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ"

Транскрипт

1 УДК ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ МЕМРИСТОРНОГО ТИПА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК TiО 2 TiO x НАНОМЕТРОВОЙ ТОЛЩИНЫ С.Г. Нагайчук, Д.П. Аргунов, П.А. Змановский Разработан метод получения тонких пленок TiO x, получены структуры типа Mo TiO x TiO 2 Cu на подложках типа «керн». Сняты вольт-амперные характеристики полученных структур до формовки, после формовки в вакууме и при атмосферном давлении, а также исследован эффект памяти. Ключевые слова: мемристор, эффект памяти, формовка, пленки оксида титана. Введение Наблюдаемое усложнение вычислительных задач в гражданском и военном секторах экономики требует создания высокопроизводительной вычислительной техники, а также разработки новых методов их решения. Внедрение новых перспективных мемристорных элементов позволит создать эффективные вычислительные системы для решения поставленных задач. Мемристор это пассивный элемент электроники, ключевой особенностью которого является способность изменять свое электрическое сопротивление в зависимости от прошедшего через него электрического заряда. Применение мемристорных элементов обеспечит не только совершенствование цифровых и аналого-цифровых вычислительных схем, которые потребуют гораздо меньшее количество активных элементов, но и возможность разработки таких новых систем, как самообучающиеся адаптивные системы управления и вычислений, основанные на нейроморфных принципах [1]. Целью данной работы является разработка технологии получения тонких пленок недоокисленного оксида титана, а также получение мемристорных структур, которые будут обладать эффектом памяти. Экспериментальная часть В данной работе пленки диоксида титана получались магнетронным распылением, в котором титановая мишень распыляется бомбардировкой ионов газа (Ar) и испускает атомы, которые затем осаждаются в газовой смеси аргона и кислорода на подложке в виде тонкой оксидной пленки [2]. Пленки TiO x получались также магнетронным распылением, но уже с использованием только аргона. Напыление пленок TiO 2 производилось в атмосфере аргона и кислорода при давлении 1 2 мм рт. ст., разрядный ток составлял 3 ма, время напыления 9 минут. Толщина полученных пленок ~54 нм. Скорость распыления пленки составляет приблизительно 6 н/мин. При напылении пленок TiO x в атмосфере аргона давлении в камере было порядка 1 2 мм рт. ст., разрядный ток составлял 3 ма, время напыления 5,5 минут. Толщина полученных пленок ~25 нм. Скорость распыления пленки составляет приблизительно 4,5 н/мин. Был проведен рентгеноструктурный микроанализ полученных пленок (рис. 1), нанесённых на стеклянную подложку. Рис. 1. Процентный состав полученных пленок

2 Из анализа состава полученной пленки TiO 2 следует, что содержание кислорода составляет 69,2%, а содержание титана 3,8%. В идеальном случае, при полном окислении на каждый атом титана должно приходится два атома кислорода (TiO 2 ), то есть содержание кислорода должно составлять 66%, а титана 33%. Наличие излишнего кислорода можно объяснить адсорбцией воды на поверхности пленки и окислением подложки. Из анализа состава полученной пленки TiO x следует, что содержание кислорода составляет 59,9%, а содержание титана 4,1%. Полученное соотношения говорит о том, что в пленке имеется избыток титана. Можно сказать, что на каждый атом титана приходится полтора атома кислорода. Проведенный рентгеноструктурный микроанализ показал, что титан в полученных пленках имеет состав необходимый для получения мемристорных структур. Для исследования эффекта памяти были получены структуры Mo TiO x TiO 2 Cu, в качестве подложки использовались конструкции типа «керн» (рис. 2). Рис. 2. Схематическое изображение полученных структур на подложке типа «керн» [3] В качестве нижнего электрода использовался массивный металл молибден (Мо). Для выделения рабочей области площадью,25 мм 2 и для устранения возможных обрывов пленки диэлектрика на стыке между молибденовым стержнем и стеклом наносилась методом термического испарения в вакууме защитная пленка SiO толщиной 1 мкм. Первый слой диэлектрика TiO x наносился путем магнетронного распыления титановой мишени в атмосфере аргона с не продутыми капиллярами, второй слой TiO 2 был нанесен также методом магнетронного распыления, но уже в атмосфере аргона и кислорода, при давлении 1 2 мм рт. ст. на холодную подложку, толщина пленки составляла 25 и 54 нм соответственно. Пленки верхнего электрода наносились путем термического испарения Cu в вакууме при давлении мм рт. ст. Толщина пленки верхнего электрода составляла 3 нм. Для лучшего контакта на верхний электрод напылялся толстый слой алюминия по краям керна, который не накрывает рабочую зону. С готовых структур были сняты вольт-амперные характеристики в обратной полярности при атмосферном давлении. Типичная вольт-амперные характеристика структуры Mo TiO x TiO 2 Cu представлена на рисунке 3.

3 I, мка Рис. 3. ВАХ тока структуры Mo TiO x TiO 2 Cu при атмосферном давлении Как видно из рисунка 3 ВАХ имеют монотонно возрастающий вид без участка отрицательного дифференциального сопротивления. Из этого следует, что формовка структуры при атмосферном давлении невозможна. Образцы были помещены в вакуум при давлении 1 1 мм рт. ст. Формовка проводилась подачей напряжения 1 В и выдержкой в течении 1 минут при обратной полярности. При меньшем времени формовки вид вольт-амперной характеристики не менялся. После формовки были сняты ВАХ со структур (рис. 4). I, ма Рис. 4. Вольт-амперные характеристики состояний с различной проводимостью 1, 2 Исходное низкоомное состояние 3 Высокоомное состояние, полученное импульсом 12 В Для достижения состояния 1, на структуру плавно подавалось напряжение, затем, при достижении напряжения в 12 вольт, напряжение на структуре плавно уменьшалось, что соответствет состоянию 2, для того, чтобы отценить наличия гестерезиса на структуре. После этого напряжение на структуре поднималось до 12 вольт, а затем происходило отключение, для перехода в состояние 3. Также были сняты ВАХ структур после формовки, типичная ВАХ структуры представлена на рисунке 5. Из данных характеристик можно сделать вывод, что структура Mo TiO x TiO 2 Cu формуется только на воздухе, также имеется одно характерное переключение после формовки в вакууме,а затем ВАХ становится монотонно возрастающей

4 I, мка 1,2 1,8,6,4, Рис. 5. ВАХ тока формованной структуры Mo TiO x TiO 2 Cu на воздухе Из приведенных ВАХ можно сделать вывод, что структуры Mo TiO x TiO 2 Cu очень не стабильны. Причина этого может быть связана с материалом диэлектрика TiO x так как сам диэлектрик TiO x имеет очень неонородное распределение сопротивления пленки. За счет этого, токи в структурах могут отличаться на несколько порядков. Заключение В ходе рыботы была разработана технология наплыния тонких пленок недоокисленного оксида титана. Исследован состав пленки недоокисленного оксида титана. Получены структуры Mo TiO x TiO 2 Cu на подложках типа «керн», сняты вольт-амперные характеристики полученных структур. Проведенные исследования показали, что структуры Mo TiO x TiO 2 Cu формуются в вакууме, процесс формовки занимает около 1 минут. При атмосферном давлении формовка не происходит. Формованные структуры Mo TiO x TiO 2 Cu обладают эффектом переключения и памяти, в высокоомном состоянии токи уменьшались по сравнению с низкоомным. Вольтамперная характеристика формованных структур при атмосферном давлении вернулась в исходное состояние. Из полученных результатов можно сделать вывод, что эффект памяти проявляется в формованных структурах Mo TiO x TiO 2 Cu, помещенных в вакуум. Литература 1. Влияние структурных параметров мемристора на основе оксида титана на его электрические характеристики [Электронный ресурс]. Режим доступа: section/195_zanaveskinml_stand.pdf, свободный (дата обращения: ). 2. Балагуров Л.А. Магнетронное осаждение слоев диоксида титана с диагностикой плазмы высокочастотного разряда методом оптической эмиссионной спектроскопии / Л.А. Балагуров, И.В. Кулеманов, А.Ф. Орлов, Е.А Петрова // Материалы электронной техники С Троян П.Е. Электрическая формовка тонкопленочных структур металл диэлектрик металл в сильных электрических полях / П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та систем упр. и радиоэлектроники, с. Нагайчук Сергей Геннадьевич Тел.: Эл. почта:

5 Аргунов Дмитрий Пантелеевич Тел.: Эл. почта: Змановский Петр Алексеевич Тел.:

Влияние парциального состава газовой смеси на характеристики магнетронного разряда с алюминиевым катодом

Влияние парциального состава газовой смеси на характеристики магнетронного разряда с алюминиевым катодом УДК 67.05 Влияние парциального состава газовой смеси на характеристики магнетронного разряда с алюминиевым катодом Зимин Д.Д., студент Россия, 105005, г. Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра «Плазменные

Подробнее

Исследование свойств пленок пористого диоксида кремния нанометровой толщины

Исследование свойств пленок пористого диоксида кремния нанометровой толщины 8 УДК 62-8.48:59.26.2:546.28- П.Е. Троян, Ю.В. Сахаров, С.П. Усов Исследование свойств пленок пористого диоксида кремния нанометровой толщины Рассмотрены вопросы синтеза и исследованы свойства пористых

Подробнее

Ñîäåðæàíèå. Предисловие 11. Введение 12

Ñîäåðæàíèå. Предисловие 11. Введение 12 Ñîäåðæàíèå Предисловие 11 Введение 12 Глава 1. Пробои на катоде магнетрона 16 1.1. Что такое пробой 16 1.2. Механизм возникновения пробоев на катоде 17 1.3. Причины пробоев на катоде при реактивном магнетронном

Подробнее

Государственный университет «Дубна»

Государственный университет «Дубна» Разработка технологии вакуумного осаждения для серийного производства гибких фотоэлектрических модулей на основе сульфида и теллурида кадмия Государственный университет «Дубна» Общая информация о проекте

Подробнее

Вакуумные установки серий Ника-2012 и Ника-2013

Вакуумные установки серий Ника-2012 и Ника-2013 Берлин Е. В., Григорьев В. Ю. Вакуумные установки серий Ника-2012 и Ника-2013 ВТТ 2015 Санкт-Петербург Серия «Ника-2012» Современный аналог колпаковых машин серии УВН-71. Состав: Камера нерж. Ø400х350

Подробнее

Вестник Челябинского государственного университета (254). Физика. Вып. 12. С ЭЛЕКТРОФИЗИКА. (MoO 3

Вестник Челябинского государственного университета (254). Физика. Вып. 12. С ЭЛЕКТРОФИЗИКА. (MoO 3 Вестник Челябинского государственного университета. 2011. 39 (254). Физика. Вып. 12. С. 57 62. ЭЛЕКТРОФИЗИКА Л. Н. Котов И. В. Антонец Р. И. Королев П. А. Макаров СопРОТИвЛЕнИЕ и окисление плёнок железа

Подробнее

ИЗМЕНЕНИЕ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ SiO 2 ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ СРЕДНЕЙ ИНТЕНСИВНОСТИ

ИЗМЕНЕНИЕ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ SiO 2 ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ СРЕДНЕЙ ИНТЕНСИВНОСТИ УДК 621.382(6) ПОДВАЛЬНЫЙ Л.С. ИЗМЕНЕНИЕ ПРОБИВНОГО НАПРЯЖЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ SiO 2 ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ СРЕДНЕЙ ИНТЕНСИВНОСТИ Институт микроэлектроники и информатики РАН (Российская Федерация,

Подробнее

Магнетронное напыление прозрачных электродов ITO из металлической мишени на холодную подложку

Магнетронное напыление прозрачных электродов ITO из металлической мишени на холодную подложку Журнал технической физики, 04, том 84, вып. 0 Магнетронное напыление прозрачных электродов ITO из металлической мишени на холодную подложку Л.П. Амосова, М.В. Исаев Санкт-Петербургский национальный исследовательский

Подробнее

Использование метода Оже-спектроскопии для анализа степени окисления поверхности. Мурашов С.В.

Использование метода Оже-спектроскопии для анализа степени окисления поверхности. Мурашов С.В. Методическое пособие Использование метода Оже-спектроскопии для анализа степени окисления поверхности Мурашов С.В. В основе электронной Оже-спектроскопии (ЭОС) лежит измерение энергии и количества Оже-электронов,

Подробнее

04;12. PACS: Jj

04;12.   PACS: Jj 04;12 Распыление мишени магнетронного диода в присутствии внешнего ионного пучка В.В. Жуков, В.П. Кривобоков, С.Н. Янин Федеральное государственное научное учреждение Научно-исследовательский институт

Подробнее

Несбалансированные магнетронные распылительные системы с усиленной ионизацией плазмы.

Несбалансированные магнетронные распылительные системы с усиленной ионизацией плазмы. Несбалансированные магнетронные распылительные системы с усиленной ионизацией плазмы. Ю.В.Агабеков, А.М.Сутырин Из кн. Труды постоянно действующего научно-технического семинара. "Электровакуумная техника

Подробнее

Измерение поглощения и отражения защитных пленочных покрытий космических аппаратов в дальнем ИК диапазоне

Измерение поглощения и отражения защитных пленочных покрытий космических аппаратов в дальнем ИК диапазоне Измерение поглощения и отражения защитных пленочных покрытий космических аппаратов в дальнем ИК диапазоне Разработка и изготовление поглотитель/излучатель (модели черного тела) Поглотитель/излучатель должен

Подробнее

М.С.Кузнецова, студент группа Х-121, V курс ФГБОУ ВПО «Кемеровский государственный университет» г. Кемерово

М.С.Кузнецова, студент группа Х-121, V курс ФГБОУ ВПО «Кемеровский государственный университет» г. Кемерово УДК ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОБАЛЬТА И СИСТЕМЫ КОБАЛЬТ-ОКСИД МОЛИБДЕНА(VI) ПРИ Т=К М.С.Кузнецова, студент группа Х-, V курс ФГБОУ ВПО «Кемеровский государственный университет»

Подробнее

СИСТЕМЫ РЕАЛИЗАЦИИ ВАКУУМНОЙ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ И ИХ СОЕДИНЕНИЙ

СИСТЕМЫ РЕАЛИЗАЦИИ ВАКУУМНОЙ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ И ИХ СОЕДИНЕНИЙ Статья поступила в редакцию 15.01.2014 2014.02.1 СИСТЕМЫ РЕАЛИЗАЦИИ ВАКУУМНОЙ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ И ИХ СОЕДИНЕНИЙ Хуболов Б. М., Подлинов В. П. Кабардино-Балкарский государственный

Подробнее

Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления

Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления На правах рукописи Пинаев Вячеслав Владимирович Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления Специальность: 05.7.06 Технология и оборудование для производства

Подробнее

Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния

Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния УДК 538.915 Свойства проводящего канала в тонких пленках субоксида кремния П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия Проведен анализ вольт-амперных

Подробнее

ПРИМЕНЕНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ САПР ДЛЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ВАКУУМНОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ МОДУЛЬНОГО ТИПА

ПРИМЕНЕНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ САПР ДЛЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ВАКУУМНОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ МОДУЛЬНОГО ТИПА УДК 621.793.06 Студенческая научная весна 2010: Машиностроительные технологии ПРИМЕНЕНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ САПР ДЛЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ВАКУУМНОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ МОДУЛЬНОГО ТИПА Куликов Игорь Николаевич,

Подробнее

Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев

Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев Оптические пленки, напыленные с ионным ассистированием при помощи источника HCS Е.В. Клюев ООО «Ионные источники и Технологии», Московская область, Россия. Нанесение оптических покрытий с ионным ассистированием

Подробнее

Оптимизация кинематических режимов магнетронного напыления на основе расчета неравномерности покрытия

Оптимизация кинематических режимов магнетронного напыления на основе расчета неравномерности покрытия УДК 621.793 Оптимизация кинематических режимов магнетронного напыления на основе расчета неравномерности покрытия Введение Демидов П.С., студент Россия, 105005, г. Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 26 июня 06.2;12 Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия М.А. Родионов, В.А. Рожков, А.В. Пашин Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная

Подробнее

Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов

Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов Л9 Методы получения и механизмы роста твердых тонких пленок неорганических материалов Удивительный прогресс в микро- и оптоэлектронике, преобразовавший информационный мир за короткий период непосредственно

Подробнее

05.2;07.

05.2;07. 26 ноября 05.2;07 Экспериментальное исследование поглощения волн миллиметрового диапазона в тонких металлических пленках В.Г. Андреев, В.А. Вдовин, П.С. Воронов Институт радиофизики и электроники РАН,

Подробнее

Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Лекция 7 Тема: Пассивные и активные элементы полупроводниковых интегральных микросхем (Продолжение) 1) Полевые транзисторы. 2) Конструкция МДП-транзистора. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Полевые транзисторы (ПТ),

Подробнее

Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств

Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств В.В. Волков, В.Н. Вьюгинов, Ю.С. Кузьмичёв, В.С. Макушина, С.Н. Морозов, В. А. Петров ЗАО «Светлана-Электронприбор» Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств Представлены

Подробнее

Электрический ток в газах

Электрический ток в газах Электрический ток в газах В обычных условиях газы состоят из нейтральных атомов и молекул и являются диэлектриками. Распад атомов на положительные ионы и электроны называется ионизацией, обратный процесс

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Работа 1а ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Цель работы: снятие вольт-амперной характеристики фотоэлемента, определение красной границы фотоэффекта, работы выхода электрона и постоянной

Подробнее

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР 1 В.В. Андреев 1, Г.Г. Бондаренко 2,3, А.А.Столяров 1, М.С. Васютин 1, С.И. Коротков 1 1 Московский государственный

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

ВЛИЯНИЕ ВОДОРОДНОЙ ПЛАЗМЫ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТОВ

ВЛИЯНИЕ ВОДОРОДНОЙ ПЛАЗМЫ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТОВ УДК 608.2 ВЛИЯНИЕ ВОДОРОДНОЙ ПЛАЗМЫ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТОВ (Co 40 Fe 40 Zr 20 ) х (Al 2 O 3 ) 100-х Трегубов И.М., Татьянкин Г.К., Гребенников А.А., Стогней О.В. Воронежский государственный

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 12 февраля 06.2;12 Пассивация поверхности кремния диэлектрическими пленками из оксида эрбия М.А. Родионов, В.А. Рожков Самарский государственный университет E-mail: rozhkov@ssu.samara.ru Поcтупило в Редакцию

Подробнее

Исследование оптических свойств тонких пленок сульфида цинка и оксида цинка. Выполнила аспирант ОмГУ: Богданова Елизавета Владимировна

Исследование оптических свойств тонких пленок сульфида цинка и оксида цинка. Выполнила аспирант ОмГУ: Богданова Елизавета Владимировна Исследование оптических свойств тонких пленок сульфида цинка и оксида цинка Выполнила аспирант ОмГУ: Богданова Елизавета Владимировна Цель работы: получение экспериментальных данных об оптических свойствах

Подробнее

Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме.

Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме. Методы формирования наноразмерных тонких пленок в вакууме. д.т.н. Григорьянц А.Г., к.т.н. Мисюров А.И., аспирант Макаров В.В. Проведен анализ вакуумных методов формирования квантоворазмерных наноструктур.

Подробнее

Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний двуокись кремния

Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний двуокись кремния 12 февраля 05;06;10 Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний двуокись кремния А.П. Барабан, Л.В. Милоглядова, В.И. Тер-Нерсесянц НИИ физики С.-Петербургского

Подробнее

Курс лекций: «Моделирование и проектирование микро- и наносистем»

Курс лекций: «Моделирование и проектирование микро- и наносистем» Курс лекций: «Моделирование и проектирование микро- и наносистем» Лекция 13: «Конструктивно-технологические варианты реализации тонко- и толстопленочных микросборок» Лектор: д.т.н., доцент И.Е.Лысенко

Подробнее

Исследование процессов окисления и сегрегации на поверхности никелида титана

Исследование процессов окисления и сегрегации на поверхности никелида титана 12 июля 05.3;11;12 Исследование процессов окисления и сегрегации на поверхности никелида титана С.П. Беляев, Ф.З. Гильмутдинов, О.М. Канунникова Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск Научно-исследовательский

Подробнее

Лямбда зонды DENSO. Quality. Driven by

Лямбда зонды DENSO. Quality. Driven by Лямбда зонды DENSO 1 Что такое λ «лямбда»? λ параметр указывающий на пропорцию топливновоздушной смеси (ТВС) в камере сгорания λ=1 стехиометрическая (идеальная) смесь, когда ТВС=14,7:1 (14,7 кг воздуха

Подробнее

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВ НА ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И ЗАЩИТНЫЕ СТЕКЛА ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГОРЯЧЕЙ МАГНИТОСФЕРНОЙ ПЛАЗМОЙ Н.Е. Маслякова 1, Л.С. Гаценко 1, Л.С. Новиков

Подробнее

СТРУКТУРА ПЛАЗМЕННОГО КАНАЛА В РАЗРЯДЕ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ С СУБНАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ ИМПУЛЬСА НА ПРОВОДНИКИ МИКРОННОГО РАЗМЕРА

СТРУКТУРА ПЛАЗМЕННОГО КАНАЛА В РАЗРЯДЕ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ С СУБНАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ ИМПУЛЬСА НА ПРОВОДНИКИ МИКРОННОГО РАЗМЕРА СТРУКТУРА ПЛАЗМЕННОГО КАНАЛА В РАЗРЯДЕ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ С СУБНАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ ИМПУЛЬСА НА ПРОВОДНИКИ МИКРОННОГО РАЗМЕРА С.В. Барахвостов, М.Б. Бочкарев, Н.Б. Волков, К.А. Нагаев,

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

Подготовка диэлектрических образцов для исследования методом растровой электронной микроскопии

Подготовка диэлектрических образцов для исследования методом растровой электронной микроскопии УДК 542.8 Подготовка диэлектрических образцов для исследования методом растровой электронной микроскопии Демидов Павел Сергеевич (1) Литвак Юрий Николаевич (2) Беляков Илья Владимирович (3) Студент 3 курса

Подробнее

Материалы Международной научно-технической конференции, ноября 2011 г.

Материалы Международной научно-технической конференции, ноября 2011 г. Материалы Международной научно-технической конференции, 14 17 ноября 2011 г. МОСКВА INTERMATIC 2 0 1 1, часть 2 МИРЭА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОРАЗМЕОНЫХ ПЛЕНОК НИТРИДА

Подробнее

Лабораторная работа 2 Исследование электрического поля

Лабораторная работа 2 Исследование электрического поля Лабораторная работа 2 Исследование электрического поля Цель работы: исследование электрического поля построением эквипотенциальных поверхностей и линий напряженности. Приборы и принадлежности: 1. вольтметр

Подробнее

Секция: физика Университетский Лицей 1511 предуниверситария НИЯУ МИФИ 115522, г. Москва Пролетарский проспект д. 6, корп. 3 тел: (495) 788-56-99, e-mail: sch_1511@gor.educom.ru Осаждение пористых кремниевых

Подробнее

s qi E nds =. (4) ε Левая часть выражения (4) представляет собой поток вектора напряженности через произвольную замкнутую поверхность. E n o проекция

s qi E nds =. (4) ε Левая часть выражения (4) представляет собой поток вектора напряженности через произвольную замкнутую поверхность. E n o проекция ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 0 ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ Цель и содержание работы Целью работы является изучение электростатического поля. Содержание работы состоит в построении эквипотенциалей двумерных

Подробнее

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов I. Физические основы полупроводниковой электроники 1. Виды электронных приборов Электронными называют приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике. В своем развитии

Подробнее

Рисунок 1 Элементы тепловой защиты ОК «Буран»

Рисунок 1 Элементы тепловой защиты ОК «Буран» Условия работы изделий авиационной техники обуславливают высокие требования к материалам, из которых они изготавливаются. Материалы должны обладать высокой прочностью, коррозионной стойкостью, низким удельным

Подробнее

Усиление магнитооптического эффекта Керра в мультислойных пленках Co/TiO 2

Усиление магнитооптического эффекта Керра в мультислойных пленках Co/TiO 2 Письма в ЖТФ, 2012, том 38, вып. 20 26 октября 09 Усиление магнитооптического эффекта Керра в мультислойных пленках Co/TiO 2 В.В. Поляков, К.П. Полякова, В.А. Середкин, Г.С. Патрин Институт физики им.

Подробнее

Исследование взаимодействия метана и кислорода с поверхностью нанокомпозита. пористый кремний ферромагнитный металл

Исследование взаимодействия метана и кислорода с поверхностью нанокомпозита. пористый кремний ферромагнитный металл 26 мая 03;06 Исследование взаимодействия метана и кислорода с поверхностью нанокомпозита пористый кремний ферромагнитный металл И.М. Антропов, Г.Б. Демидович, С.Н. Козлов Московский государственный университет

Подробнее

Раздел 2. Биполярные структуры

Раздел 2. Биполярные структуры Раздел 2. Биполярные структуры Рис. 2.1. Операции по созданию скрытого слоя. а) исходная пластина Si после очистки, отмывки, сушки; б) пластина с выращенным термическим окислом; в) вскрытие окон; г) диффузия

Подробнее

Попова К.В. Механизм процесса осаждения защитных пленок SiO 2

Попова К.В. Механизм процесса осаждения защитных пленок SiO 2 Научный альманах 016 N 6-(0) Технические науки 15 DOI: 10.17117/na.016.06.0.15 Поступила (Received):.06.016 http://ucom.ru/doc/na.016.06.0.15.pdf Попова К.В. Механизм процесса осаждения защитных пленок

Подробнее

Индикация упругих напряжений в магниторезистивной среде с однонаправленной анизотропией

Индикация упругих напряжений в магниторезистивной среде с однонаправленной анизотропией Индикация упругих напряжений в магниторезистивной среде с однонаправленной анизотропией Исполнитель Кудюков Егор Владимирович Научный руководитель: Балымов К.Г. Актуальность Многослойные плёнки обладающий

Подробнее

ЗАХАРОВ ПАВЕЛ СЕРГЕЕВИЧ ЭФФЕКТ ОБРАТИМОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТИ В ТОНКИХ ПЛЁНКАХ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ

ЗАХАРОВ ПАВЕЛ СЕРГЕЕВИЧ ЭФФЕКТ ОБРАТИМОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТИ В ТОНКИХ ПЛЁНКАХ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ Акционерное общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО «НИИМЭ») Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический

Подробнее

образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана», профессор кафедры высшей математики.

образования «Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана», профессор кафедры высшей математики. ЗАКЛЮЧЕНИЕ диссертационного совета Д 212.141.17 на базе федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный технический

Подробнее

Технологические особенности выбора материалов и методов напыления узлов гироприборов 73 С. Н. БЕЛЯЕВ

Технологические особенности выбора материалов и методов напыления узлов гироприборов 73 С. Н. БЕЛЯЕВ Технологические особенности выбора материалов и методов напыления узлов гироприборов 73 УДК 621. 793. 18 С. Н. БЕЛЯЕВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ВЫБОРА МАТЕРИАЛОВ И МЕТОДОВ НАПЫЛЕНИЯ УЗЛОВ ГИРОПРИБОРОВ

Подробнее

Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике»

Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике» Типовая программа повышения квалификации по курсу «Технология вакуумных тонкопленочных покрытий в оптике» п/п Лекционные занятия Варианты курсов Прим. Наименование раздела, темы «Оператор» 0лк 0 пр., нед.

Подробнее

ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ»

ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ» ТИПОВАЯ ПРОГРАММА ОБУЧЕНИЯ ПО НАПРАВЛЕНИЮ «ИНЖЕНЕР-ТЕХНОЛОГ ВАКУУМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ В ОПТИКЕ» ВВЕДЕНИЕ «ОБЩЕИНЖЕНЕРНАЯ ЭРУДИЦИЯ» Первичные определения и понятия о тонких пленках, вакуумных методах

Подробнее

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик полевого транзистора и усилителя на его основе.

Подробнее

Наносенсоры. Введение

Наносенсоры. Введение Наносенсоры Введение Общие понятия Сенсор - прибор для наблюдения за объектом, процессом или средой, преобразующий физико-химические свойства в сигнал. Наносенсор сенсор, имеющий нанометровый (менее 100

Подробнее

Материал катода литий-ионного аккумулятора на основе Li 2 FeSiO 4

Материал катода литий-ионного аккумулятора на основе Li 2 FeSiO 4 Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Подробнее

Лабораторная работа 8. Электрография. 1. Цель работы. Изучение и экспериментальное исследование работы узлов электрографических аппаратов.

Лабораторная работа 8. Электрография. 1. Цель работы. Изучение и экспериментальное исследование работы узлов электрографических аппаратов. Лабораторная работа 8 Электрография 1. Цель работы Изучение и экспериментальное исследование работы узлов электрографических аппаратов. 2. Предварительные сведения Электрографический способ воспроизведения

Подробнее

02;12. PACS: Vp

02;12.   PACS: Vp 12 января 02;12 Влияние защитного слоя на длительность горения и излучение кварцевых газоразрядных ламп низкого давления А.И. Васильев, Л.М. Василяк, С.В. Костюченко, Н.Н. Кудрявцев, М.Е. Кузьменко, В.Я.

Подробнее

Рисунок 1 - Компоненты установки микродугового оксидирования.

Рисунок 1 - Компоненты установки микродугового оксидирования. Технология и оборудование упрочнения поверхностей деталей методом микродугового оксидирования Жуковский А.В., к.ф-м.н. Морозов Е.М. к.т.н., проф. Шандров Б.В. МГТУ «МАМИ» Метод микродугового оксидирования

Подробнее

Л Е К Ц И Я 4. Нелинейные цепи постоянного тока.

Л Е К Ц И Я 4. Нелинейные цепи постоянного тока. Л Е К Ц И Я 4 Нелинейные цепи постоянного тока. 1. Нелинейные элементы и цепи. 2. Вольт-амперные характеристики нелинейных элементов. 3. Графоаналитические методы расчета нелинейных цепей. 1. Нелинейные

Подробнее

Задания А1 по химии 1. Одинаковое число электронов содержат частицы 1) 2) 3) 4)

Задания А1 по химии 1. Одинаковое число электронов содержат частицы 1) 2) 3) 4) Задания А1 по химии 1. Одинаковое число электронов содержат частицы Порядковый номер элемента определяет количество электронов в атоме. При образовании положительно заряженных ионов количество электронов

Подробнее

ГОРЕНИЕ И ПЛАЗМОХИМИЯ, 2014, том 12, 3, с ИОННОЕ - И ИОННО-ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ В ПЛОТНОЙ ПЛАЗМЕ ВЧ ИНДУКЦИОННОГО РАЗРЯДА

ГОРЕНИЕ И ПЛАЗМОХИМИЯ, 2014, том 12, 3, с ИОННОЕ - И ИОННО-ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ В ПЛОТНОЙ ПЛАЗМЕ ВЧ ИНДУКЦИОННОГО РАЗРЯДА УДК: 539.141;537.868.531, 2014, том 12, 3, с. 189-193 ИОННОЕ - И ИОННО-ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ В ПЛОТНОЙ ПЛАЗМЕ ВЧ ИНДУКЦИОННОГО РАЗРЯДА Амиров И.И., Изюмов М.О., Наумов В.В. Ярославский Филиал

Подробнее

Тесты текущего контроля успеваемости по дисциплине

Тесты текущего контроля успеваемости по дисциплине Приложение Б-1 Тесты текущего контроля успеваемости по дисциплине 1. Какой процесс называют коррозией металлов? а) разрушение металлов от статических механических нагрузок; б) разрушение металлов при циклических

Подробнее

Требования к уровню освоения учебного курса

Требования к уровню освоения учебного курса Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)» Ректор МФТИ УТВЕРЖДАЮ Н.Н. Кудрявцев Программа краткосрочного

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых диодов. Ознакомиться с методикой снятия вольтамперных

Подробнее

Работа 2 ПОЛНАЯ ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РАЗРЯДА В ГАЗЕ

Работа 2 ПОЛНАЯ ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РАЗРЯДА В ГАЗЕ Работа 2 ПОЛНАЯ ВОЛЬТАМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РАЗРЯДА В ГАЗЕ Цель: ознакомление с основными видами электрического разряда в газах низкого и среднего давления, исследование вольтамперной характеристики

Подробнее

Получение пленок оксида церия на сапфире методом ВЧ магнетронного распыления

Получение пленок оксида церия на сапфире методом ВЧ магнетронного распыления Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып. 11 12 июня 11;12 Получение пленок оксида церия на сапфире методом ВЧ магнетронного распыления Е.К. Гольман, С.В. Разумов, А.В. Тумаркин Государственный электротехнический

Подробнее

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ На правах рукописи РАБОТКИН СЕРГЕЙ ВИКТОРОВИЧ НАНЕСЕНИЕ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО

Подробнее

ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА

ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА Абрамов С. А., Бухаров А. А., Великанов А. Н. ГОУВПО «Мордовский государственный университет

Подробнее

Структура, механические и фрикционные свойства пленок нитрида титана, подвергнутых облучению непрерывными потоками ионов

Структура, механические и фрикционные свойства пленок нитрида титана, подвергнутых облучению непрерывными потоками ионов Письма в ЖТФ, 1998, том 24, 3 12 февраля 05.1;10 Структура, механические и фрикционные свойства пленок нитрида титана, подвергнутых облучению непрерывными потоками ионов И.Г. Романов, И.Н. Царева, Л.А.

Подробнее

Сергеев Владимир Олегович ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛАХ, НАСЫЩЕННЫХ ВОДОРОДОМ

Сергеев Владимир Олегович ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛАХ, НАСЫЩЕННЫХ ВОДОРОДОМ На правах рукописи Сергеев Владимир Олегович ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛАХ, НАСЫЩЕННЫХ ВОДОРОДОМ 01.04.10 - физика полупроводников Автореферат диссертации на

Подробнее

Электрофизические характеристики газов, эффект генерации ионов

Электрофизические характеристики газов, эффект генерации ионов 1666 Электрофизические характеристики газов, эффект генерации ионов Зайцев Ю.В., Соловьёв А.В.(mcsly@feemail.u), Носачёв К.В. Московский энергетический институт Атмосферный воздух представляет собой смесь

Подробнее

PACS: y, Hg, Fv

PACS: y, Hg, Fv Немонотонные размерные зависимости работы выхода нанопленок иттербия, осаждаемых на поверхность Si(111)7 7 при комнатной температуре М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев Физико-технический институт

Подробнее

Электрические свойства структуры металл наночастицы диэлектрика металл

Электрические свойства структуры металл наночастицы диэлектрика металл 12 Электрические свойства структуры металл наночастицы диэлектрика металл В.Ф. Харламов, Д.А. Коростелёв, И.Г. Богораз, О.А. Миловидова Орловский государственный технический университет, Орел, Россия E-mail:

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

Вариант 3. Критерии оценки выполнения заданий с развернутым ответом. На шелковой нити, прикрепленной

Вариант 3. Критерии оценки выполнения заданий с развернутым ответом. На шелковой нити, прикрепленной C Вариант / 4 Вариант На шелковой нити, прикрепленной к штативу, висит незаряженный легкий шарик из алюминиевой фольги. Отрицательно заряженную эбонитовую палочку медленно подносят к шарику, и шарик приходит

Подробнее

Лекция 11 Минск 2014

Лекция 11 Минск 2014 Лекция 11 Минск 2014 1 Рисунок 1 Экологическая стоимость различных видов энергии 2 ПРИРОДА И СПЕКТРАЛЬНЫЙ СОСТАВ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА Рис.2.0 Интенсивность падающего на Землю солнечного излучения (Н 1 ) в

Подробнее

Гарифулина Марьям Равильевна

Гарифулина Марьям Равильевна Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э. Баумана На правах рукописи Гарифулина Марьям Равильевна УДК 542.08 ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СОЛНЕЧНОЙ БАТАРЕИ С ВЫСОКИМ КПД НА БАЗЕ

Подробнее

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при ФТИ им. А.Ф. Иоффе ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ Оглавление: Введение 3 Взаимодействие электронного пучка с твердым телом

Подробнее

МОРФОЛОГИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННЫХ РЕАКТИВНЫМ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ Ващилин В.С., канд. биол. наук, ст. науч. сотр.

МОРФОЛОГИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННЫХ РЕАКТИВНЫМ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ Ващилин В.С., канд. биол. наук, ст. науч. сотр. МОРФОЛОГИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННЫХ РЕАКТИВНЫМ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ vvs25@yandex.ru Ващилин В.С., канд. биол. наук, ст. науч. сотр., Корнилов А.В. канд. физ-мат. наук, доц., Нарцев В.М., канд.

Подробнее

О возможности электронно-лучевой обработки диэлектриков плазменным источником электронов в форвакуумной области давлений

О возможности электронно-лучевой обработки диэлектриков плазменным источником электронов в форвакуумной области давлений 12 июня 04;10 О возможности электронно-лучевой обработки диэлектриков плазменным источником электронов в форвакуумной области давлений В.А. Бурдовицин, А.С. Климов, Е.М. Окс Томский государственный университет

Подробнее

ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК ПУТЕМ КОНДЕНСАЦИИ ПАРА, ОБРАЗУЮЩЕГОСЯ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ НА МИШЕНЬ

ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК ПУТЕМ КОНДЕНСАЦИИ ПАРА, ОБРАЗУЮЩЕГОСЯ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ НА МИШЕНЬ ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ УГЛЕРОДНЫХ ПЛЕНОК ПУТЕМ КОНДЕНСАЦИИ ПАРА, ОБРАЗУЮЩЕГОСЯ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ НА МИШЕНЬ Соломатин К.В. (solomatin@phys.asu.ru), Ярцев В.И. (viyartsev@me.com) Алтайский государственный

Подробнее

07;12. PACS: Vb

07;12.   PACS: Vb 26 февраля 07;12 Устройство оптической памяти на основе планарных щелевых структур Б.Н. Денисов, Е.М. Бибанина, В.И. Беглов Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск E-mail: bib-em@mail.ru

Подробнее

Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики

Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики Министерство образования Российской Федерации Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики «УТВЕРЖДАЮ» Декан ЕНМФ Ю.И. Тюрин 2003 г. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМЫ ПОЛОЖИТЕЛЬНОГО

Подробнее

5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РАЗРЯДЫ ПО ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДО- ГО ДИЭЛЕКТРИКА

5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РАЗРЯДЫ ПО ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДО- ГО ДИЭЛЕКТРИКА 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РАЗРЯДЫ ПО ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДО- ГО ДИЭЛЕКТРИКА Цель работы: изучение характеристик разряда по поверхности твердого диэлектрика в зависимости от конфигурации поля, расстояния между электродами

Подробнее

Новое технологическое оборудование инновационным технологиям микро-, нано-, радиоэлектроники

Новое технологическое оборудование инновационным технологиям микро-, нано-, радиоэлектроники Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения" ОАО НИИТМ Новое технологическое оборудование инновационным технологиям микро-, нано-, радиоэлектроники Сентябрь

Подробнее

Ключевые слова: единичные наночастицы, наноструктурированные покрытия, адсорбция, химическое взаимодействие

Ключевые слова: единичные наночастицы, наноструктурированные покрытия, адсорбция, химическое взаимодействие Аннотация проекта (ПНИЭР), выполняемого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 2020 годы» Номер Соглашения о предоставлении

Подробнее

Лекция 7. 1.Высокочастотные емкостные плазмотроны

Лекция 7. 1.Высокочастотные емкостные плазмотроны Лекция 7. 1.Высокочастотные емкостные плазмотроны В настоящее время имеются различные конструкции ВЧЕ плазмотронов. Мы рассмотрим особенности их функционирования на основе схемы плазмотрона, приведенного

Подробнее

УДК ВЫЯВЛЕНИЕ СКРЫТЫХ ОТПЕЧАТКОВ ПАЛЬЦЕВ ПРИ ПОМОЩИ ВАКУУМНОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛОВ

УДК ВЫЯВЛЕНИЕ СКРЫТЫХ ОТПЕЧАТКОВ ПАЛЬЦЕВ ПРИ ПОМОЩИ ВАКУУМНОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛОВ УДК 539.231 ВЫЯВЛЕНИЕ СКРЫТЫХ ОТПЕЧАТКОВ ПАЛЬЦЕВ ПРИ ПОМОЩИ ВАКУУМНОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛОВ Михаил Александрович Пронин (1), Андрей Александрович Рогожин (1), Максим Алексеевич Мартыненко (2) Студент 3 курса

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИЗУЧЕНИЯ КЛАСТЕРОВ, НАНОСТРУКТУР И НАНОМАТЕРИАЛОВ

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИЗУЧЕНИЯ КЛАСТЕРОВ, НАНОСТРУКТУР И НАНОМАТЕРИАЛОВ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Тверской государственный университет» ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ

Подробнее

УДК : ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОТОПОГРАФИИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЁНОК Al 2 O 3, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ ПРИ НИЗКОМ ДАВЛЕНИИ

УДК : ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОТОПОГРАФИИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЁНОК Al 2 O 3, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ ПРИ НИЗКОМ ДАВЛЕНИИ УДК 539.23: 681.723.7 ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОТОПОГРАФИИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЁНОК Al 2 O 3, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ ПРИ НИЗКОМ ДАВЛЕНИИ В.В. Тесленко-Пономаренко Окончила Харьковский Национальный

Подробнее

РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ

РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ООО Прикладная Электроника РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ИОННЫЙ ИСТОЧНИК С ЗАМКНУТЫМ ДРЕЙФОМ ЭЛЕКТРОНОВ APEL-IS-7CELL ТОМСК 2012 ОГЛАВЛЕНИЕ 1. ВВЕДЕНИЕ...3 2. НАЗНАЧЕНИЕ...3 3. СОСТАВ ИИ...3 4. ПРИНЦИП РАБОТЫ

Подробнее

Ядерная физика Спектрометрия быстрых нейтронов Физика пылевой плазмы Ядерный микроанализ

Ядерная физика Спектрометрия быстрых нейтронов Физика пылевой плазмы Ядерный микроанализ Развитие ускорительного комплекса ГНЦ РФ-ФЭИФЭИ Романов В.А.,Бажал С.В.,Глотов А.И.,Резвых К.А. КГ-2,5 УСКОРИТЕЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС ГНЦ РФ-ФЭИФЭИ ЭГП-15 ЭГ-1 Ядерная физика Радиационное материаловедение Физика

Подробнее

Группа: Дата выполнения работы: Лабораторная работа СВОЙСТВА Р ЭЛЕМЕНТОВ И ИХ СОЕДИНЕНИЙ

Группа: Дата выполнения работы: Лабораторная работа СВОЙСТВА Р ЭЛЕМЕНТОВ И ИХ СОЕДИНЕНИЙ Общая химия Студент: Группа: Дата выполнения работы: Лабораторная работа Цель работы: СВОЙСТВА Р ЭЛЕМЕНТОВ И ИХ СОЕДИНЕНИЙ Основные понятия: Электронная конфигурация внешнего энергетического уровня атомов:

Подробнее

Конспект лекций по курсу общей физики Часть II Электричество и магнетизм Лекция 7 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ГАЗАХ

Конспект лекций по курсу общей физики Часть II Электричество и магнетизм Лекция 7 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ГАЗАХ Конспект лекций по курсу общей физики Часть II Электричество и магнетизм Лекция 7 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ГАЗАХ 5.1. Ионизация газов Газы представляют собой хорошие изоляторы. Это означает, что их молекулы

Подробнее

Определение удельного сопротивления проводника

Определение удельного сопротивления проводника Определение удельного сопротивления проводника. Введение. Электрическим током называют упорядоченное движение заряженных частиц. Сами эти частицы называются носителями тока. В металлах и полупроводниках

Подробнее