На этом рисунке приняты следующие обозначения:

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "На этом рисунке приняты следующие обозначения:"

Транскрипт

1 Полупроводники Полупроводники вещества, электропроводность которых при комнатной температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов ( Ом см и диэлектриков ( Ом см. Основой полупроводниковых приборов является монокристаллические вещества, атомы которых пространственно упорядочены и образуют трехмерную периодическую структуру, называемую кристаллической решёткой. Свойства кристаллов и прежде всего связь атомов в кристалле определяются внешними (валентными электронами. Известно, что наибольшей стабильностью обладают вещества, атомы которых имеют замкнутую внешнюю электронную оболочку (восемь валентных электронов. У наиболее распространенных полупроводниковых материалов кремния и германия во внешней оболочке 4 электрона, так что для её заполнения не хватает 4-х электронов. Для создания замкнутой оболочки каждый атом в этих кристаллах образует ковалентные связи со своими четырьмя соседями. При такой связи происходит попарное обобществление электронов между каждой парой соседних атомов. Схематически ковалентная связь в кремнии выглядит следующим образом (рис.. а б Рис. а - участок кристаллической решётки кремния, б - участок кристаллической решётки кремния со свободным электроном и образовавшейся вакансией (дыркой. При температуре абсолютного нуля все электроны удерживаются в указанных связях и ни один из них не может принимать участие в создании тока проводимости. Иными словами полупроводник ведет себя как идеальный изолятор. С ростом температуры тепловая энергия разрывает некоторые из связей, в результате чего появляются свободные электроны способные под действием электрического поля создавать ток проводимости. На месте ушедшего электрона остается незаполненная связь (вакансия, получившая название дырки. На рис.б показан участок кристаллической решётки кремния со свободным электроном и образовавшейся вакансией (дыркой. На место появившейся вакансии может перейти электрон из соседней связи и оставить за собой другую вакансию. В результате происходит движение вакантной связи в направлении противоположном движению электронов. Если к полупроводнику приложено электрическое поле, то вакантная связь (дырка перемещается так, как будто она имеет положительный заряд.

2 Таким образом, в полупроводниках в отличие от металлов существует два механизма проводимости: электронный и дырочный. Первый это движение свободных электронов; второй движение связанных электронов по вакансиям, понимаемый как движение дырок. С точки зрения зонной теории рассмотренная модель ковалентной связи может быть интерпретирована следующим образом. Свойства полупроводников определяются двумя верхними энергетическими зонами с разрешенными уровнями энергии: валентной зоной и зоной проводимости, а также расположенной между ними запрещенной зоной, в которой разрешенных уровней энергии нет. При температуре абсолютного нуля валентная зона целиком заполнена (все разрешенные энергетические уровни заняты электронами, а зона проводимости пуста (ни один из разрешенных уровней не занят. Разрыв связи под действием термогенерации означает переход электрона из валентной зоны в зону проводимости с одновременным образованием в валентной зоне дырки. Такой переход возможен только в том случае, если энергия, сообщенная электрону, превышает энергетический барьер равный ширине запрещенной зоны. На рис. приведены диаграммы энергетических уровней полупроводника при температуре абсолютного нуля Т К (рис.а и в условиях термогенерации Т > К (рис.б. Рис. Диаграмма энергетических уровней собственного полупроводника: а - при температуре абсолютного нуля; б - при термическом возбуждении через запрещенную зону - обозначение свободного электрона. - обозначение дырки. На этом рисунке приняты следующие обозначения: энергия уровня вакуума, равная энергии, которую нужно сообщить электрону для того, чтобы он покинул полу-

3 проводник; C энергия дна зоны проводимости; V энергия потолка валентной зоны; g C V ширина запрещенной зоны; F энергия уровня Ферми. Понятие уровня Ферми F связано с функцией распределения Ферми- Дирака f (, определяющей распределение электронов по энергиям с учетом принципа Паули. Эта функция описывает вероятность того, что разрешенное состояние с энергией Е занято электроном f ( + e F kt Из выражения f( следует, что F это энергетическое состояние, которое занято с вероятностью. Тот факт, что на уровне Ферми должно существовать разрешенное состояние, не является обязательным. Отметим, что на данной диаграмме и на всех последующих энергия электронов увеличивается вверх, а энергия дырок вниз. Собственные и примесные полупроводники В собственном полупроводнике в узлах кристаллической решетки располагаются только атомы исходного вещества (например, кремния, а атомы каких либо примесей отсутствуют. В таких полупроводниках электроны и дырки образуются одновременно, т.е. генерируются электронно-дырочные пары, например, за счет термогенерации или облучения светом. Следовательно, их концентрации равны. Величины концентраций электронов и дырок в полупроводниках определяются положением уровня Ферми относительно дна зоны проводимости и потолка валентной зоны C C F kt F V e, e kt. ( V В этих выражениях и концентрации свободных электронов и дырок, C и и потолка ва- V эффективные плотности состояний у дна зоны проводимости лентной зоны V соответственно. Они равны числу разрешенных уровней в единице объема, приходящихся на единицу энергии у дна зоны проводимости и потолка валентной зоны. В кремнии C,8 9 см -3, V 9 см -3, k 8,63-5 эв/к постоянная Больцмана, Т абсолютная температура. Так как в собственном полупроводнике концентрации электронов и дырок равны, а, то непосредственно из ( следует F F C C C F kt V F V kt e e, откуда 3

4 F kt C V C l. V Второе слагаемое в правой части последнего выражения мало по сравнению с первым и им обычно пренебрегают. Следовательно, уровень Ферми в собственном полупроводнике располагается в середине запрещенной зоны F C + V. Величину называют собственным уровнем Ферми. Если перемножить концентрации электронов и дырок в ( и учесть равенство этих концентраций, то получим выражением собственной концентрации g kt C V e, ( где g ширина запрещенной зоны. C V В таблице приведены собственные концентрации основных полупроводниковых материалов при комнатной температуре Т 3 К. Таблица Материал Ширина запрещённой зоны, эв Германий Ge,7,5 3 Кремний S,,5 Арсенид галлия GAs,4,8 6 Собственная концентрация, см -3 Из выражения ( следует, что собственная концентрация тем ниже, чем больше ширина запрещенной зоны. С ростом температуры величина, быстро увеличивается. Этот фактор ограничивает максимально допустимую температуру Т макс. у большинства полупроводниковых приборов. У германиевых приборов величина Т макс не превышает 8 С, у кремниевых 75 С, у арсенид галлиевых более 3 С. Концентрации электронов и дырок, определенные в (, можно выразить через собственную концентрацию и собственный уровень Ферми. Для этого сначала положим в ( и найдем выражения собственной концентрации в виде F C ( C ( V kt V e kt e (а Далее прибавим и вычтем величину в числителях показателей обеих экспонент в (. Тогда с учетом полученных выражений (а придем к следующим выражениям концентраций электронов и дырок F kt F kt e, e (б Согласно (а расстояние от уровня Ферми до собственного уровня Ферми является мерой того, насколько концентрации электронов и дырок в полупроводниках выше 4

5 собственной концентрации. Таким образом положение уровня Ферми определяет концентрации свободных носителей, как в собственном, так и в примесном полупроводниках. Для получения больших концентраций свободных электронов и дырок осуществляется легирование полупроводников, т.е. введение в кристаллическую решетку полупроводника примесных атомов. Эти атомы замещают в узлах решетки атомы исходного вещества (обычно вводится не более атома примеси на атомов исходного вещества. Существуют два типа примесей: доноры и акцепторы. Применительно к наиболее распространенным полупроводникам кремнию и германию доноры это пятивалентные элементы (фосфор Р, мышьяк As, олово Sb, а акцепторы трехвалентные элементы (Бор B, аллюминий Al, галлий G. Полупроводники, легированные донорами, имеют преимущественно электронную проводимость, а акцепторами дырочную. Поэтому первые называют полупроводниками - типа, а вторые - - типа. Рис.3 Атом донорной примеси в кристаллической решетке кремния. У атома фосфора 5 электронов в валентной оболочке, Четыре из них принимают участие в образовании ковалентной связи с соседними атомами кремния, а пятый оказывается слабо связанным с атомом фосфора (рис.3. При Е К все электроны локализованы у своих атомов и свободных электронов нет. Однако, уже при комнатной температуре за счет термогенерации практически все атомы доноров оказываются ионизированы. При этом каждый атом донорной примеси порождает один свободный электрон и один положительно заряженный ион. Таким образом, концентрация свободных электронов практически равна концентрации донорной примеси. Свободные электроны создают электронный механизм проводимости. С точки зрения зонной теории пятый электрон атома фосфора не может разместиться в валентной зоне, так как она целиком заполнена четырьмя электронами на атом. Вследствие этого для каждого атома фосфора образуется новый разрешенный донорный уровень с энергией, располагающийся в запрещенной зоне рядом с дном зоны проводимости (рис.4. 5

6 а б Рис.4 Диаграмма энергетических уровней примесного полупроводника - типа: а - при температуре абсолютного нуля TK; б - при комнатной температуре T3K, когда практически все доноры ионизированы. При Т К все донорные уровни заняты электронами (рис.4а. Занятый уровень определяется как нейтральный, так как атом примеси при этом нейтрален. Из-за низкой энергии ионизации доноров (~,5 эв уже при комнатной температуре практически все электроны переходят с донорных уровней в зону проводимости (рис.4б. Пустой донорный уровень определяется как положительно заряженный, так как атом примеси при этом является положительным ионом. У атома Бора в валентной оболочке 3 электрона, Для образования исходной структуры ковалентной связи этот атом захватывает недостающий электрон у соседнего атома кремния. При этом появляется вакансия, понимаемая как положительная дырка (рис.5. При Т К ни один электрон не может перейти от атома кремния к атому Бора. Однако, уже при комнатной температуре за счет термогенерации практически все акцепторы ионизированы. При этом каждый атом акцепторной примеси порождает одну дырку и один отрицательно заряженный ион. Таким образом, концентрация дырок практически равна концентрации акцепторной примеси. Рис.5 Атом акцепторной примеси в кристаллической решетке кремния. Дырки создают дырочный механизм проводимости. С точки зрения зонной теории акцепторы создают новый разрешенный акцептор- 6

7 ный уровень (рис.6., расположенный в запрещенной зоне рядом с потолком валентной зоны а б Рис.6 Диаграмма энергетических уровней примесного полупроводника - типа: а - при температуре абсолютного нуля TK; б - при комнатной температуре T3K, когда практически все акцепторы ионизированы. При Т К все акцепторные уровни пусты (рис.6а. Пустой акцепторный уровень определяется как нейтральный, так как атом примеси при этом нейтрален. Из-за низкой энергии ионизации акцепторов (~,5 эв уже при комнатной температуре практически все акцепторные уровни оказываются заполненными электронами из валентной зоны. Это эквивалентно появлению в валентной зоне равного количества дырок (рис.6б. Занятый акцепторный уровень определяется как отрицательно заряженный, так как атом примеси при этом является отрицательным ионом. Если полупроводник одновременно легирован донорами и акцепторами, то ионизируются оба типа примеси. При этом количество носителей определяется как разность доноров и акцепторов, т.к. акцепторные уровни в первую очередь заполняются электронами с донорных уровней. Этот эффект называется компенсацией примеси. Определим концентрации электронов и дырок в примесных полупроводниках. Будем считать, что все доноры и акцепторы ионизированы. Тогда концентрация электронов в полупроводнике - типа равна концентрации доноров, а концентрация дырок в полупроводнике - типа равна концентрации акцепторов,. (3 Электроны в полупроводнике типа и дырки в полупроводнике типа называются основными носителями, а дырки в полупроводнике типа и электроны в полупроводнике типа неосновными носителями. 7

8 и, то результирующая концентрация Если полупроводник одновременно легирован донорами с концентрацией акцепторами с концентрацией, причем электронов равна. равной Если напротив. > >, то результирующая концентрация дырок оказывается Для расчета концентраций неосновных носителей воспользуемся законом действующих масс, который может быть получен при перемножении концентраций электронов и дырок в выражении ( C V e C V kt C V e g kt. (4 Тогда выражения концентраций электронов в полупроводнике -типа и дырок в полупроводнике - типа принимают вид,. (5 В выражениях(3 и (5 индексы и указывают на тип полупроводника. В случае полупроводника, легированного одновременно донорами и акцепторами, выражения и в (5 принимают вид,. Пример. Определить концентрации электронов и дырок в следующих образцах кремния: - в собственном полупроводнике, - в полупроводнике -типа, легированном донорами с концентрацией 5 см -3, - в полупроводнике -типа, легированном акцепторами с концентрацией 7 см -3, - в полупроводнике, легированном донорами с концентрацией 8 6 см -3 и акцепторами с концентрацией 6 см -3. Образцы находятся при комнатной температуре (3 К. Все доноры и акцепторы считать ионизированными. Собственную концентрацию носителей принять равной,5 см -3.,5 5 см -3 ;,5 3 см -3 ; Решение: - в собственном полупроводнике,5 cм -3 ; - в полупроводнике - типа - в полупроводнике - типа 5 см -3 (,5, 5 см -3 7 см -3 (,5, 7 см -3 8

9 - в полупроводнике, легированном донорами и акцепторами. Так как >, то образец является полупроводником - типа см, (,5 см -3 3,75 3 см Положение уровня Ферми в примесных полупроводниках относительно дна зоны проводимости или потолка валентной зоны может быть определено ( C F ( F V из выражений и в (. Если все доноры и акцепторы ионизированы, то. При этом непосредственно из ( находим и C C F kt l, F V V kt l. (6 Если полупроводник одновременно легирован донорами с концентрацией и акцепторами с концентрацией, то выражения (6 принимают вид C C F kt l при >, F V V kt l при >. Из выражений (6 следует, что при очень сильном легировании полупроводников, когда > C или > V, уровень Ферми находится либо в зоне проводимости, либо в валентной зоне. Такие полупроводники называются вырожденными. Многие электронные свойства вырожденных полупроводников напоминают свойства металлов. В данном курсе эти свойства нами анализироваться не будут. Пример: Определить положение уровня Ферми в образцах кремния, рассмотренных в предыдущем примере. Принять C,8 9 см -3, V 9 см -3, kt,6 эв. Проиллюстрировать полученные результаты зонными диаграммами для каждого из образцов. а в собственном полупроводнике C + V F g,55 эв. Здесь уровень Ферми отсчитывается от потолка валентной зоны. 9

10 б в полупроводнике типа C,8 C F kt l,6 l 5 9,66 эв. в в полупроводнике типа V F V kt l,6 l 7 9, эв.

11 г в полупроводнике, легированном донорами и акцепторами 9 C,8 C F kt l,6 l,6 эв. 6 6 Явление переноса Дрейфовый ток В однородном полупроводнике при отсутствии внешнего поля свободные электроны и дырки имеют тепловую энергию kt и перемещаются со случайными скоростя- 3 ми, имеющими порядок 7 см/с. При этом суммарный ток носителей равен. Если к полупроводнику приложить электрическое поле Е, то на фоне хаотического движения носителей возникает средняя скорость упорядоченного движения, называемая средней скоростью дрейфа. Плотность дрейфовых токов электронов и дырок (ток на единицу площади пропорциональны концентрациям и их дрейфовым скоростям ( qv, ( qv, где v и v дрейфовые скорости электронов и дырок, q,6-9 К - заряд электрона. Дрейфовые скорости в свою очередь пропорциональны полю Е: v µ, v µ. Коэффициенты пропорциональности µ и µ носят названия подвижностей электронов и дырок. Их величины определяются механизмами рассеяния носителей в кристаллической решетке полупроводника. В кремнии подвижности электронов и дырок соответственно равны µ 35 см /В с, µ 48 см /В с. Различие величин подвижностей

12 электронов и дырок связано с различием их эффективных масс. Подвижности падают с увеличением концентраций доноров и акцепторов, с ростом температуры и величины напряженности поля. При полях, превышающих 4 В/см, происходит насыщение дрейфовых скоростей электронов и дырок на уровне 7 см/с. После этого дрейфовые скорости перестают увеличиваться с ростом поля Е. Носители, движущиеся с насыщенными дрейфовыми скоростями, называют горячими. в виде С учетом выражений v и v плотности дрейфовых токов можно представить ( q, ( q. (7 µ µ ( и ( поясняется следующей диаграммой Направление дрейфовых токов Тип носителей Направление поля Направление скорости носителей v Направление тока ( ( v ( ( Сравнивая выражения ( и ( в (7 с записью закона Ома в дифференциальной форме σ, определим удельные проводимости, обусловленные движением электронов и дырок, ( ( σ qµ, σ qµ. Полный ток дрейфа определяется как сумма электронной и дырочной составляющих J ( + ( q( µ + µ σ. (8 Величина σ - удельная проводимость материала. Обратная ей величина ρ является удельным сопротивлением материала. Размерность ρ [ Ом см]. В полупроводнике - типа,, а в полупроводнике - типа,. Следо- σ вательно, справедливы следующие приближенные равенства qµ σ, qµ σ.

13 Пример. Определить удельное сопротивление образцов кремния, рассмотренных в предыдущих примерах. Принять,5 cм -3, µ 35 cм /В с, µ 48 м /В с. а в собственном полупроводнике ρ 9 σ q ( µ + µ,6,5 ( ,8 5 Ом см ; б в полупроводнике типа 9 σ qµ,6 ρ ,63 Ом см ; в в полупроводнике р типа ρ 7 48,3 Ом см. 9 σ qµ,6 > г в полупроводнике легированном донорами и акцепторами. Учитывая, что, найдем ρ,77 Ом см σ qµ (,6 Диффузионный ток Если концентрация свободных электронов или дырок оказывается пространственно неоднородной (рис.7, то на фоне хаотического теплового движения носителей наблюдается направленный перенос носителей из области с с высокой концентрацией в область с низкой концентрацией. Этот процесс называется диффузией, а порождаемый им ток называется диффузионным. Плотности диффузионных токов электронов ( D и дырок ( D пропорциональны градиентам концентраций этих носителей ( D qd, x ( D qd (9 x Величины D и D называются коэффициентами диффузии электронов и дырок соответственно. В кремнии D см /с. Отрицательный знак в выражении D D 33 см /с, ( связан с тем, что направление диффузионного тока дырок противоположно направлению градиента концентрации. Приведенная ниже диаграмма поясняет направление диффузионных токов 3

14 Тип носителей Направление градиента концентрации Направление потока Направление тока носителей /x электроны ( D /x дырки ( D Коэффициенты диффузии электронов D и дырок D, характеризующие скорость диффузионного процесса, связаны соотношением Эйнштейна с подвижностями носителей µ и µ, характеризующими скорость дрейфового процесса ktµ D ϕ µ q T, D Tµ ktµ ϕ. ( q kt Величина ϕ T называется тепловым (или температурным потенциалом. q При Т 3 К ϕ T,6 В. Физический смысл этой связи ( в том, что ограничение скорости, обоих механизмов движения определяется одной причиной: столкновениями носителей с дефектами кристаллической решётки. Поэтому коэффициенты диффузии зависят от температуры и концентрации легирующей примеси так же, как соответствующие подвижности. В общем случае свободные носители движутся под действием диффузии и дрейфа одновременно. При этом полный ток электронов и дырок равен сумме диффузионного и дрейфового токов. С учетом выражений (7 и (9 запишем уравнения переноса для электронов и дырок ( + ( D qµ qd ( x + ( + ( D qµ qd ( x + Если полупроводник с пространственно неоднородным распределением концентрации электронов или дырок находится в состоянии термодинамического равновесия (без внешнего воздействия, то результирующий ток электронов и дырок очевидно равен нулю. Это означает, что согласно ( и ( диффузионный ток уравновешивается соответствующим дрейфовым током. Пусть для определенности полупроводник легирован акцепторами, концентрация которых изменяется с координатой как (x. Если все акцепторы ионизированы, то концентрация дырок в каждом объеме полупроводника равна концентрации акцепторов, т.е. ( x ( x. Полагая в (, найдем величину поля, которая соответствует имеющемуся градиенту концентрации дырок D ϕt µ x x Это поле называется встроенным. Оно появляется вследствие того, что ушедшие за счет диффузии дырки оставляют за собой отрицательные ионы акцепторов, которые и создают поле, препятствующее дальнейшему движению дырок. 4

15 Пример. Определить величину электрического поля в базе транзистора шириной W Б -3 см.концентрация акцепторов в пределах базы изменяется экспоненциально от ( 7 см -3 до ( W Б 5 см -3. Все атомы акцепторной примеси считать ионизированными. Запишем распределение концентрации акцепторов в базе α x ( x ( e. Постоянную спада α найдем из уравнения ( W ( e Б ( α W Б 7 3 α l l 4,6 3 см -. 5 WБ ( WБ Определим величину поля в базе ϕ T α ( e ( e α x α x αϕ - 4, В/см. T Знак минус в выражении поля означает, что поле направлено противоположно направлению координаты (рис x,мкм Рис.7 Распределение концентраций акцепторов (x и направление встроенного поля Пример. Определить время пролета электронов через базу транзистора, Ширина базы и распределение концентрации акцепторов в базе такие же, как в предыдущем примере. Электроны поступают в базу через границу с координатой х (рис.7 и имеют подвижность см /В с. Механизм движения электронов через базу считать дрейфовым. WБ WБ t -3 / 3,8-8 c 8 нс. v µ 5

16 Генерация и рекомбинация Если полупроводник выходит из состояния термодинамического равновесия, то нарушается закон действующих масс:. При этом в полупроводнике проявляются кинетические процессы, приводящие к восстановлению равновесия. Если >, происходит рекомбинация носителей (взаимное исчезновение электрона и дырки.если <, происходит генерация носителей. Взаимосвязанные процессы генерации и рекомбинации носителей называют процессом рекомбинации. Рассмотрим два основных механизма рекомбинации: - рекомбинация зона-зона (прямые переходы носителей из зоны проводимости в валентную зону или обратно; - рекомбинация через центры рекомбинации (разрешенные энергетические состояния в запрещенной зоне. Переходы электронов из одной зоны в другую через рекомбинационные центры называют непрямыми переходами. При прямых переходах электрон непосредственно рекомбинирует с дыркой. Сохранение энергии при рекомбинации обеспечивается за счет испускания светового кванта. Такая рекомбинация называется излучательной. Генерационный процесс обратный излучательной рекомбинации это оптическое возбуждение электронно-дырочных пар. Полупроводники, для которых характерна излучательная рекомбинация, например GAs, используются в светодиодах и полупроводниковых лазерах. При непрямых переходах рекомбинационные центры играют роль переходной ступени. Электроны из зоны проводимости попадают сначала в центр рекомбинации, затем переходят на вакантное состояние в валентной зоне, рекомбинируя таким образом с дыркой. Энергия, выделяющаяся при непрямых переходах, передается колебаниям решётки, в результате чего температура решётки увеличивается. Такая рекомбинация называется безизлучательной. В полупроводниковых приборах на основе кремния рекомбинация является безизлучательной, поэтому они не могут использоваться в качестве источников излучения. Количественной характеристикой интенсивности рекомбинационного процесса является скорость рекомбинации R. Это количество носителей, рекомбинирующих в единице объема в единицу времени. Иными словами это изменение концентрации носителей за счет рекомбинации в единицу времени. При низком уровне инжекции, когда избыточная концентрация неосновных носителей много меньше концентрации основных ( «o или «o, скорость рекомбинации пропорциональна избыточной концентрации носителей: - для электронов в области р-типа R t ( τ o τ, (4 - для дырок в области -типа R t ( τ o τ. (5 В этих выражениях и текущие концентрации, o и o равновесные концентрации, - o и o избыточные концентрации электронов и дырок в областях и типов соответственно. Величины τ и τ времена жизни электронов в области и дырок в области. Знак минус в выражениях R и R отражает факт снижения концентраций носителей за счет механизма рекомбинации. Однородные уравнения (4 и (5 описывают изменение избыточной концентрации неосновных носителей за счет рекомбинации, когда внешнее возбуждение исчезает 6

17 t τ ( t ( e, t τ ( t ( e. (6 Здесь ( и ( избыточные концентрации электронов и дырок в момент исчезновения внешнего возбуждения. Из (6 следует, что время жизни это интервал времени, в течение которого избыточная концентрация неосновных носителей уменьшается за счет рекомбинации в е раз. Величины времени жизни в различных полупроводниках в зависимости от их назначения изменяются от единиц наносекунд до единиц миллисекунд. Пример. В полупроводнике -типа за счет фотогенерации избыточная концентрация дырок составила ( 6 см -3. Через t -4 с после прекращения генерации величина уменьшилась за счет рекомбинации на порядок и составила (t 5 см -3. Определить время жизни дырок τ в полупроводнике. После прекращения генерации избыточная концентрация дырок изменяется по закону t τ ( t ( e. Величину τ найдем из уравнения 4 t τ,43-4 c 43мкс. ( l l ( t t τ ( t ( e. Уравнения непрерывности и Пуассона В уравнениях переноса ( и ( помимо нестационарных концентраций электронов и дырок (x,t, (x,t неизвестными величинами являются соответствующие плотности токов (x,t, (x,t и электрическое поле Е. Таким образом, уравнения переноса должны быть дополнены ещё тремя уравнениями. Два из них могут быть получены из условия непрерывности потоков электронов и дырок, а в качестве третьего может быть использовано уравнение Пуассона. Для получения уравнения непрерывности рассмотрим слой полупроводника площадью S и толщиной x вблизи координаты x (рис.8. Результирующее изменение числа электронов за единицу времени в слое равно S x, где -изменение числа t t электронов в единице объема в единицу времени, а S x - объем слоя. Это изменение количества электронов равно алгебраической сумме 4 компонент: ( x + x S - числа q электронов, поступающих в слой в единицу времени; Рис.8 К выводу уравнения непрерывности. 7

18 ( x S - числа электронов, выходящих из слоя в единицу времени; q G Sx - числа электронов, генерированных в слое в единицу времени; R Sx - числа электронов, прорекомбинировавших в слое в единицу времени S x t ( x + x S q ( x S q + ( G R S x. Разложим в ряд Тейлора член ( x + x, ограничиваясь двумя членами ряда ( x + x ( x + x. x После подстановки ( x + x в исходное уравнение получим уравнение непрерывности для электронов t q x + G R. (7 Аналогичное уравнение для дырок имеет вид t q x + G R. (8 Знак минус в этом уравнении связан с изменением знака заряда носителей. Уравнение Пуассона связывает распределение поля Е(х или потенциала φ(х с распределением плотности заряда ρ(х x ϕ ρ(x, (9 x ε ε где ε 9-4 Ф/см, ε диэлектрическая проницаемость полупроводника, ρ ( x q [ ( x ( x + ( x ( x] Уравнения переноса (, (, непрерывности (7, (8 и Пуассона (9, дополненные начальными и граничными условиями, позволяют определить величины,,, и Е как функции координаты и времени. 8

19 Контактные явления в полупроводниках - переход P переход в равновесном состоянии Рассмотрим два равномерно легированных участка кремния: - типа с концентрацией доноров и - типа с концентрацией. Каждому атому донорной примеси в - области соответствует положительно заряженный ион и свободный электрон в зоне проводимости. Каждому атому акцепторной примеси в - области соответствует отрицательный ион и дырка в валентной зоне. Следовательно, в - области много свободных электронов (, а в - области много дырок (. Согласно закону действующих масс в равновесной системе области практически нет дырок ( cost. Это означает, что в -, а в - области практически нет электронов (. Предположим, что эти две области соединены в единый монокристалл кремния (рис.9. Рис.9 Схематическое изображение - перехода. Область, прилегающую к границе между и областями, называют - переходом. Большие перепады концентраций электронов и дырок между и -областями порождают в области перехода большие токи диффузии электронов ( D и дырок ( D. Электроны диффундируют в область - типа, оставляя за собой неподвижные положительные ионы доноров. Дырки диффундируют в область - типа, оставляя за собой неподвижные отрицательные ионы акцепторов. Фиксированные в переходной области - - перехода заряды ионов доноров и акцепторов образуют дипольный слой с электрическим полем Е, направ- 9

20 ленным от к - области. Поле препятствует переходу основных носителей из одной области в другую. Иными словами между и - областями образуется потенциальный барьер. Одновременно поле порождает токи дрейфа электронов ( и дырок (, направленные встречно соответствующим токам диффузии. В условиях термодинамического равновесия (при отсутствии внешнего напряжения токи диффузии и дрейфа равны по величине и противоположны по направлению. Поэтому суммарные токи электронов и дырок равны нулю. Область вблизи перехода, в которой существует сильное электрическое поле Е, называется областью пространственного заряда (ОПЗ или обедненной областью. Эта область обеднена подвижными носителями (электронами и дырками, поскольку они удалены оттуда электрическим полем. Следовательно, объемный заряд в ОПЗ практически полностью состоит из ионов доноров и акцепторов. За пределами ОПЗ области и типов нейтральны, так как неподвижные заряды ионов доноров и акцепторов в этих областях скомпенсированы подвижными зарядами электронов и дырок. Изобразим энергетические диаграммы и - областей до соприкосновения (рис.а и б и после образования - - перехода (рис.в. Рис. Диаграмма энергетических уровней: а и б разделенных монокристаллов и типов соответственно; в - перехода, возникшего после контакта областей и типов. На рис. помимо рассмотренных ранее показаны новые энергетические параметры полупроводника: qф и qф работы выхода полупроводников и - типов соответственно. Это разности между энергией вакуума Е и энергией уровня Ферми.qχ сродство к электрону полупроводника. Оно равно энергии электрона, переходящего со дна зоны про-

21 водимости Е с на уровень вакуума Е. Е - энергия середины запрещенной зоны, практически совпадающая с уровнем Ферми в собственном полупроводнике. При построении диаграммы - - перехода исходили из того, что в равновесной системе, в которой выполняется закон действующих масс, уровень Ферми в обеих областях постоянен. Для реализации этого условия диаграмма полупроводника - типа (рис.б смещена вниз относительно диаграммы полупроводника - типа (рис.а так, чтобы уровни Ферми на обеих диаграммах совпали. При этом, как видно из рис.в, потенциальный барьер между и - областями равен исходной разности уровней Ферми в разделенных областях полупроводника qu F - F. Так как энергия сродства к электрону qχ величина, не зависящая ни от типа, ни от концентрации легирующей примеси, то она должна быть постоянна во всех точках диаграммы - перехода (рис.в. Это значит, что уровень вакуума Е изменяется так же, как уровни Е с и Е v. Изгиб зон осуществляется в пределах ОПЗ, которая располагается между координатами x и x, т.е. там, где имеется электрическое поле Е. При x<x и x>x поля нет (нейтральные области, там энергии уровней Е, Е с и Е v постоянны. Таким образом, вдали от - - перехода энергетические диаграммы, такие же как в разделенных и - областях (рис.а и б. Вопрос о ширине ОПЗ W x x, будет рассмотрен ниже. На диаграмме, приведенной на рис.в, отсчет всех уровней энергии производится относительно уровня вакуума Е. Однако в тех случаях, когда все рассматриваемые области состоят из одного материала (например, из кремния, а, следовательно, величина qχ постоянна во всех точках диаграммы, за точку отсчета можно принять любой уровень собственно полупроводника, например Е v, Е с или Е. При этом, нет надобности показывать на диаграмме уровень вакуума и связанные с ним параметры, что упрощает саму диаграмму (рис.. Рис. Диаграмма энергетических уровней - перехода в условиях термодинамического равновесия. Рассчитаем в условиях термодинамического равновесия величину контактной разности потенциалов U (рис.в и, полагая в уравнении переноса ( суммарный ток дырок равным qµ qd. x

22 ϕ Учитывая, что, где φ- потенциал, а также используя соотношение Эйнштейна x D ϕt µ, получим ϕ ϕ T. x x Выполним разделение переменных и проинтегрируем это уравнение в пределах ОПЗ, т.е. от x до x (рис.9. Как следует из рис.9 ( x, ( x, а контактная разность потенциалов U ϕ ( x ϕ( x. ϕ ( x ϕ ( x ϕ ϕt. После выполнения интегрирования получим U ϕ T l. (, то выражение ( можно пере- Так как согласно закону действующих масс писать в виде U ϕ T l ϕt l. (а Из выражения ( можно найти соотношение концентраций дырок по обе стороны ОПЗ (рис.9 Аналогичное соотношение может быть записано для электронов U ϕτ e. ( U ϕτ e. ( Пример. В кремниевом - переходе концентрация акцепторов в области 8 см -3, концентрация доноров в - области 6 4 см -3, собственная концентрация в кремнии,5 см -3, тепловой потенциал φ T,6 В. Определить контактную разность потенциалов U, считая все акцепторы и доноры ионизированными U ϕt l,6 l,7в.,5

23 P переход при прямом смещении В условиях термодинамического равновесия (при нулевом внешнем напряжении на переходе токи диффузии и дрейфа уравновешивают друг друга. При прямом смещении, когда к выводам перехода прикладывается прямое напряжение U пр (рис., это равновесие нарушается. В ОПЗ появляется компонент электрического поля Е внеш, направленный встречно полю Е, образованному зарядами ионов доноров и акцепторов (рис.. Это эквивалентно снижению потенциального барьера перехода на величину приложенного напряжения U - U пр. За счет ослабления поля в переходе уменьшаются дрейфовые токи электронов и дырок (7, и токи диффузии (9 становятся преобладающими. Дырки диффундируют через переход в область - типа, а электроны в область типа. Этот процесс называется инжекцией носителей. В результате инжекции возрастают концентрации неосновных носителей (x и (x по обе стороны перехода. Под действием градиента концентрации неосновные носители диффундируют вглубь областей и типов. По мере движения они рекомбинируют с основными носителями, поэтому вдали от перехода снова восстанавливаются равновесные концентрации неосновных носителей и. Исчезнувшие в результате рекомбинации неосновные носители пополняются за счет диффузии со стороны перехода, а основные за счет дрейфа со стороны омических контактов. В итоге возникает постоянный прямой ток. Рис. - переход при прямом смещении. Найдем отношение электронного и дырочного токов через переход, считая их диффузионными (9 J ( ~, x W W J ( ~. x W W 3

24 В этих выражениях и перепады концентрации электронов и дырок по обе стороны перехода, W ширина ОПЗ, в пределах которой реализуются эти перепады. Таким образом, J J ( (. В резко ассимметричных - переходах» или». Это означает, что инжекция в таких переходах практически односторонняя. Сильнолегированная область, из которой осуществляется инжекция основных носителей, называется эмиттером. Слаболегированная область, в которую инжектируются эти носители, называется базой. Отметим, что носители, инжектированные в базу, становятся в ней неосновными. При построении энергетических диаграмм прямосмещенного перехода необходимо иметь в виду, что условие термодинамического равновесия нарушено. В неравновесной системе закон действующих масс, сформулированный в виде, неприменим, а уровень Ферми в и областях не является постоянным. По этой причине вместо уровней Ферми используется понятие квазиуровней Ферми: F в области типа и F в области типа. Их определяют таким образом, чтобы сохранить соотношение между собственной концентрацией и концентрациями электронов и дырок в том же виде как при термодинамическом равновесии (б F kt F kt e, e. (4 Выполнив подстановки ϕ F, q F ϕ, q ϕ, q представим выражения концентраций электронов и дырок в виде ϕ ϕ ϕ ϕ ϕt ϕt e, e. (5 В этих выражениях φ и φ называют квазипотенциалами электронов и дырок соответственно, φ электростатическим потенциалом. Найдем произведение концентраций электронов и дырок e F F kt e ϕ ϕ ϕ T. (6 Из выражения (6 следует, что расстояние между квазиуровнями Ферми представляет собой меру отклонения полупроводника от состояния термодинамического равновесия.на рис.3 показана диаграмма энергетических уровней прямосмещенного перехода. Там же для сравнения приведена диаграмма несмещенного перехода, изображенная на рис.. 4

25 а б Рис.3 Диаграммы энергетических уровней: а - - перехода в равновесном состоянии; б - - перехода при прямом смещении. Построение диаграммы прямосмещенного перехода выполнено в следующей последовательности. Первоначально произвольно устанавливается квазиуровень Ферми в одной из областей, например в р области F. Далее он дополнен собственным уровнем Ферми согласно выражению (4, в котором, F kt l( /. Так как уровень располагается посредине запрещенной зоны шириной g, то диаграмма дополнялась изображением дна зоны проводимости (энергия c и потолка валентной зоны (энергия v в области р типа. Учитывая, что расстояние между квазиуровнями Ферми в р и областях равно qu, где U приложенное напряжение, следующим шагом устанавливается квазиуровень Ферми в - области F. Так же как в области диаграмма дополнялась собственным уровнем Ферми, а также уровнями c и v в области. Наконец, зоны проводимости и валентные зоны обеих областей (уровни Е с и Е v соединяли через область пространственного заряда (ОПЗ, ширина которой W x - x.напомним, что на данной диаграмме, как и на всех предшествующих, энергия электронов увеличивается вверх, а энергия дырок вниз. 5

26 Вольт-амперная характеристика перехода при прямом смещении Уравнение Шокли При выводе вольт-амперной характеристики (ВАХ будем использовать обозначения, принятые на рис.9. Для упрощения анализа примем следующие допущения.. В ОПЗ (-x <x <x выполняется условие обеднения, согласно которому концентрации электронов и дырок в ОПЗ пренебрежимо малы. Это допущение оправдано наличием в ОПЗ сильного электрического поля Е, которое перебрасывает подвижные носители (электроны и дырки, попавшие в ОПЗ, в соответствующие нейтральные области.. В ОПЗ электроны и дырки не рекомбинируют. Это эквивалентно тому, что токи электронов и дырок в пределах ОПЗ неизменны. Следовательно, токи электронов и дырок на левой границе ОПЗ (х - х р равны соответствующим токам на правой границе (х х. Такое допущение оправдано тем, что в ОПЗ практически отсутствует накопление концентраций подвижных носителей. 3. Все внешнее напряжение U приложено к ОПЗ, так как это самая высокоомная область перехода. 4. Уровень инжекции в обеих областях низкий. 5. Генерация носителей отсутствует G G, а скорости рекомбинации электронов и дырок пропорциональны их избыточным концентрациям. Согласно допущению анализ физических процессов в ОПЗ и в нейтральных областях может производиться независимо. При в этом в ОПЗ анализируется только уравнение Пуассона (9, а в нейтральных областях только уравнения непрерывности (7 и (8. Вывод вольт-амперной характеристики прямосмещенного перехода связан с анализом уравнений непрерывности. Согласно допущению 4 концентрации неосновных носителей, инжектированных в и области, много меньше концентраций основных носителей в этих областях. «и «. Так как в силу зарядовой нейтральности избыточные концентрации основных и неосновных носителей равны и, то полные концентрации основных носителей + и + в результате инжекции практически не меняются. Вместе с тем, концентрации неосновных носителей + и + изменяются на несколько порядков. Таким образом, можно ограничиться анализом уравнений непрерывности только для неосновных носителей. Согласно допущению 3 электрическое поле в нейтральных областях практически отсутствует. Это позволяет пренебречь дрейфовыми компонентами в уравнениях переноса ( и (, а оставшиеся диффузионные члены подставить непосредственно в уравнения непрерывности (7 и (8. Согласно допущению (5 генерационные члены G и G в уравнениях непрерывности можно опустить, а скорости рекомбинации электронов и дырок R и R представить в виде выражений (4 и (5. Наконец в силу того, что выводится стационарная воль-амперная характеристика при постоянном напряжении смещения U, следует решать стационарные уравнения непрерывности, полагая в (7 и (8. t t С учетом сформулированных допущений уравнения непрерывности (7 и (8 приводятся к виду 6

27 D x τ, (7 D x τ. (8 Разделим все члены уравнения (7 на D, а уравнения (8 на D и введем обозначения L D τ и L D τ. Имея в виду, что и являются константами, вычтем их под знаками дифференциалов в (7 и(8 соответственно из и. При этом уравнения (7 и (8 будут записаны относительно избыточных концентраций неосновных носителей и x L, (9. (3 x L Уравнения (9 и (3 называются уравнениями диффузии, а входящие в них параметры L и L диффузионными длинами электронов и дырок соответственно. Физически диффузионная длина есть среднее расстояние, проходимое диффундирующей частицей (электроном или дыркой до рекомбинации. Для завершения математической модели процесса диффузии неосновных носителей необходимо сформулировать граничные условия к уравнениям (9 и (3. Так как анализ этих уравнений совершенно идентичен, ограничимся нахождением решения уравнения (3 для дырок в области. Будем считать, что ширина нейтральной -области превосходит диффузионную длину дырок в ней не менее чем в 3 раза: w 3L. Тогда при удалении от перехода на две диффузионные длины концентрация инжектированных дырок снижается практически до равновесного значения и перестает изменяться с ростом координаты. Граничное условие, соответствующее данному случаю, выражается следующим образом lm ( x x Учитывая, что (x + (x, это условие можно представить в более удобном виде lm ( x. (3 x В качестве второго граничного условия установим соотношение равновесной и неравновесной концентраций дырок на границе ОПЗ с нейтральной областью (x x. Это соотношение может быть получено так же, как было получено выражение ( для несмещенного перехода. Однако, проще и нагляднее его получить иначе. Согласно выражению (6 произведение неравновесных концентраций основных и неосновных носителей в точке x x имеет вид F F kt ( x ( x e (6а 7

28 F F Как уже отмечалось, при низком уровне инжекции неравновесные концентрации основных носителей в нейтральных областях практически равны равновесным. Следовательно ( x. В соответствии с законом действующих масс. Из диаграммы энергетических уровней на рис.3 следует, что qu. После подстановки указанных величин в (6а приходим к следующему граничному условию U ϕt ( x e, где kt ϕ T. q Переходя к избыточной концентрации дырок (x, полученное условие представим в виде U ϕt ( x ( e. (3 Уравнение (3 является линейным, однородным дифференциальным уравнением второго порядка с постоянными коэффициентами. Его решение представляет линейную комбинацию экспонент x x L L ( x A e + B e. (33 Постоянные интегрирования А и В находятся из граничных условий, сформулированных выше. Из граничного условия (3 следует, что В. При этом выражение (33 упрощается x L ( x A e. (33 Постоянная интегрирования А находится из граничного условия (3 U ϕt A ( e e x L. Таким образом, распределение избыточной концентрации дырок в области имеет вид U ϕt ( x ( x ( e e x x L при x x. (34 Если повторить выполненный анализ для электронов в р - области, то получим аналогичное выражение распределения избыточной концентрации электронов в р-области U ϕt ( x ( x ( e e x + x L при x -x. (35 8

29 Предлагаем самостоятельно получить это выражение, решив уравнение диффузии (9 с граничными условиями lm ( x x ϕt ; ( x ( e. U Плотности токов электронов и дырок найдем из уравнений переноса ( и ( с учетом того, что согласно допущению 3 электрическое поле в нейтральных областях отсутствует (Е. qd x ; qd (36 x После подстановки в (36 (x и (x из (34 и (35 найдем плотности электронного и дырочного токов как функции координаты ( x U qd T ( e L x + x L ϕ e при x - x, (37 ( x U qd ( e T L x x L ϕ e при x x. (38 Из выражений (34, (35 и (37, (38 следует, что избыточные концентрации и плотности токов неосновных носителей экспоненциально снижаются по мере удаления от перехода. Это связано с рекомбинацией носителей в процессе их диффузионного движения. На рис.4а в логарифмическом масштабе показаны распределения концентраций основных и неосновных носителей в р и областях. Концентрации неосновных носителей показаны сплошными линиями, а основных штриховыми. а б Рис.4 Распределение концентраций и плотности токов электронов и дырок в и областях. а - распределение концентраций основных (штриховые кривые и неосновных (сплошные кривые носителей в и областях, б - плотности токов основных (штриховые кривые и неосновных (сплошные кривые носителей в и областях. 9

30 Так как анализ выполнен в предположении низкого уровня инжекции, то концентрации основных носителей и в результате инжекции практически не изменились. В то же время концентрации неосновных носителей по сравнению со своими равновесными значениями изменились на несколько порядков. На рис.4б сплошными кривыми показано изменение плотностей токов неосновных носителей в р и областях, а штриховыми основных носителей. В верхней части рисунка показана результирующая плотность тока через переход, которая постоянна в каждой точке х и равна сумме плотностей токов основных и неосновных носителей. Напомним, что ток инжектированных неосновных носителей является током диффузии, а ток основных носителей током дрейфа, идущим на компенсацию рекомбинационных потерь. Плотность тока в каждом сечении полупроводника равна сумме электронной и дырочной составляющих в данном сечении (в данной координате x. Запишем выражение плотности тока в точке x x x + ( x. ( Согласно допущению x ( x. Следовательно ( x + ( x, ( (39 т.е. плотность тока через переход равна сумме плотностей токов неосновных носителей на границах ОПЗ (рис.9. Подставляя в (39 значения (-x из (37 и (x из (38, получим уравнение вольт-амперной характеристики перехода qd qd ϕt ( + ( e L L U. (4 Введем обозначение (4 в виде s qd qd qd qd + + и перепишем уравнение L L L L U ϕ s ( e T (4 Это уравнение называют формулой Шокли. Величину s называют плотностью тока насыщения. Важно отметить, что она определяется только параметрами полупроводника и не зависит от режима работы перехода (от тока через переход и напряжения на переходе. Оценим порядок величины s в кремниевом переходе, считая ее равной слагаемому, обусловленному дырочным током через переход. Напомним, что в резко ассимметричных переходах инжекция практически односторонняя. Зададимся типичными значениями параметров: q,6-9 K, D см /с,,5 - см -3, L мкм -3 см, 5 см -3 9 qd qd qd,6 (,5 s 4,3 А/см. 3 5 L L L 3

31 Таким образом величина s имеет порядок - А/см. Столь низкое значение плотности тока насыщения определяет специфику вольт-амперной характеристики перехода. Проанализируем вид этой характеристики. Рабочие плотности тока диодных структур имеют порядок А/см. Определим из уравнения (4а напряжение на переходе, при котором плотность тока оказывается на три порядка меньше, т.е., А/см. При s - А/см для реализации указанного условия множитель ex(u/φ T должен составить 9. Этому соответствует напряжение U φ T l 9,55 В. При меньших значениях напряжения ток через - - переход пренебрежимо мал. Эту величину напряжения будем называть напряжением отсечки. Для кремниевых приборов оно составляет,5,6 В. Отметим, что величина потенциального барьера U, являющегося теоретическим пределом прямого напряжения на - - переходе, согласно ( примерно равна,75 В, т.е. отличается от напряжения отсечки всего на, В. Для понимания дальнейшего хода вольт-амперной характеристики определим какое напряжение U необходимо приложить к переходу, чтобы ток через переход увеличился в раз. Графическая иллюстрация этой задачи приведена на рис.5. Пренебрежём в (4а единицей по сравнению с экспоненциальным членом. Тогда в точке вольтамперной харатеристики можно записать U ϕt I s e. I Аналогично в точке имеем I U ϕt I s e. Последние два уравнения записаны относительно токов, а не плотностей токов. Поделим второе уравнение на первое Рис.5 Вольт амперная U U U I ϕt ϕt характеристика - перехода. e e. I I Так как по условию, то после выполнения логарифмирования получим I U I ϕt l ϕt l,6 B. I Таким образом, для увеличения тока на порядок необходимо приращение напряжения на переходе всего 6 мв. Следовательно, при напряжениях, превышающих напряжение отсечки, вольт-амперная характеристика очень крутая. По этой причине во всем диапазоне изменения рабочих токов напряжение на переходе изменяется не более чем на, В. Пример. Напряжение на переходе уменьшилось на величину U φ Т 6 мв. Во сколько раз изменится ток через переход. Запишем отношение первоначального тока через - переход I к току I после изменения напряжения на переходе 3

32 I I I I U ϕt se U ϕt se e U ϕt, где U U U. По условию U φ T. Следовательно, I e.таким образом, ток через переход умень- I шился в e,7 раз. Рассмотренный вид вольт-амперной характеристики типичен для переходов, изготовленных из различных материалов. Вместе с тем, они существенно различаются напряжениями отсечки, что связано с различием их собственных концентраций. Так как плотность тока насыщения s пропорциональна квадрату собственной концентрации, то в германиевых переходах величина s на 6 порядков выше, а в арсенидгаллиевых на 8 порядков ниже, чем в кремниевых. Этому соответствует напряжение отсечки,5, В в германиевых приборах и, В в арсенидгаллиевых. На рис.6 приведены вольтамперные характеристики трех --переходов из различных материалов. Рис.6 Вольт - амперные характеристики германиевого, кремниевого и арсенидгаллиевого - переходов. Рассмотрим температурную зависимость напряжения на прямосмещенном -переходе. Пренебрежем в (4а единицей и выразим напряжение как функцию плотности тока U ϕ T l. С ростом температуры s g kt ϕ T пропорционально растет. Одновременно растет и плот- q kt ность тока насыщения s ~ ~ e. В итоге зависимость U(T слабо выражена. С ростом температуры напряжение линейно уменьшается со скоростью мв/ С. При этом вольт-амперная характеристика смещается в сторону меньших напряжений (рис.7. 3

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt.

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt. 3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

Подробнее

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники Полупроводники занимают по электропроводности промежуточное положение между металлами (проводниками электрического тока) и диэлектриками.

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода

Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода 1 Ст. преподаватель Кирильчук О.В., Ст. преподаватель Виноглядов В.Н. Лабораторная работа 5-9(н): Изучение полупроводникового диода Студент: группа: Допуск Выполнение Защита Цель работы: изучение принципа

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов Лекция 4 Контактные явления 4.1 Контактная разность потенциалов Из модели сильной связи в зонной теории твердого тела следует, что энергия электронов в кристалле - величина отрицательная. Физически это

Подробнее

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида)

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Кроме доноров и акцепторов, в полупроводнике есть центры, энергия ионизации которых не является малой величиной по сравнению

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 325 ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель и содержание работы Целью работы является изучение свойств полупроводникового диода. Содержание работы состоит

Подробнее

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» Методические указания к лабораторной работе 6.3 ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ

Подробнее

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон

1. Происхождение энергетических зон в кристаллах. 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон Содержание: 1. Происхождение энергетических зон в кристаллах 2. Металлы, распределение энергетических зон 3. Диэлектрики, распределение энергетических зон 4. Полупроводники с точки зрения зонной теории

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики 2 возникает слой с особыми свойствами, который и называется p-n переходом или электронно-дырочным

Подробнее

КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики

КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 290300, 290600, 290700, 290800, 291000, 240400,

Подробнее

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ЛЕКЦИЯ 10 ЗОННАЯ ТЕОРИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ Образование энергетических зон. Заполнение энергетических зон электронами. Проводники, полупроводники и изоляторы. Движение

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел.

Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. Элементы физики твердого тела. Зонная теория твердых тел. 1 1. Энергетические зоны в кристаллах. 2. Зонная структура металлов, диэлектриков, и полупроводников. 3. Собственная проводимость полупроводников.

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 53 3943 Ф 503 ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО ФИЗИКЕ Методические

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов

I. Физические основы полупроводниковой электроники. 1. Виды электронных приборов I. Физические основы полупроводниковой электроники 1. Виды электронных приборов Электронными называют приборы, в которых ток создается движением электронов в вакууме, газе или полупроводнике. В своем развитии

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Подробнее

Полупроводниковые приборы и устройства

Полупроводниковые приборы и устройства ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Белгородский государственный технологический университет им. В. Г. Шухова Д. В. Величко, В. Г. Рубанов Полупроводниковые приборы и устройства УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ БЕЛГОРОД

Подробнее

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ Выполнил: Проверил: студент

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения (напряжения смещения) приводит к изменению условий переноса заряда через

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника»

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» 1 Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача 1 Время выполнения задания 180 мин. Дано: Е 1 =100 В; Е 2 =500 В; R 1 =1 ком; R 2 =4 ком; R 3 =5 ком; R 4 =500 Ом; R 5 =10 ком; R 6 =100 Ом; Найти показания

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода.

Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода. Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода. 1 Цель работы: Изучить основные физические закономерности, определяющих свойства и параметры фотодиодов. Исследовать вольт-амперные

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.17* ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: измерение температурной зависимости электропроводности металла (медь) и полупроводника

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: исследование электрофизических характеристик полупроводников методом эффекта Холла. 2.1 Теоретические сведения о полупроводниках

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Элементная база электронной аппаратуры Полупроводниковые компоненты

Элементная база электронной аппаратуры Полупроводниковые компоненты Элементная база электронной аппаратуры Полупроводниковые компоненты Электронные полупроводниковые приборы Электроника Первые электронные приборы электровакуумные лампы - электронные лампы (радиолампы).

Подробнее

Проводимость полупроводников

Проводимость полупроводников Проводимость полупроводников Электроны и дырки В предыдущей лекции, в параграфе «Оптические переходы», мы говорили о внутреннем фотоэффекте, приводящем к переходу электронов из валентной зоны в зону проводимости,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. 1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. 1. КРАТКАЯ ТЕОРИЯ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 16 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ. Цель работы: ознакомление со структурой и краткой зонной теорией полупроводников, теорией р-n перехода и изучение выпрямляющих свойств

Подробнее

Температурная зависимость параметров диодов.

Температурная зависимость параметров диодов. НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» www.opprib.ru e-mail: info@opprib.ru

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Полупроводники И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru Полупроводники Темы кодификатора ЕГЭ: полупроводники, собственная и примесная проводимость полупроводников. До сих пор, говоря о способности веществ проводить

Подробнее

ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр)

ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) ПРОГРАММА КУРСА «ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ЧАСТЬ 1» (кафедра физики низких температур и сверхпроводимости, магистратура, 1 семестр) 1. ЗОННАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ* Классификация полупроводниковых

Подробнее

ОСНОВЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

ОСНОВЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С. П. КОРОЛЕВА (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)»

Подробнее

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Лабораторная работа 2.19. ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: знакомство с основами природы электропроводности полупроводников и механизмами возникновения в них электрического тока; знакомство

Подробнее

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи»

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике для студентов всех форм обучения всех

Подробнее

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов.

Лабораторная работа 6.3. Исследование работы полупроводниковых диодов. Лабораторная работа 6.3 Исследование работы полупроводниковых диодов. Цель работы: Определить и сравнить зависимости силы тока от напряжения для полупроводниковых диодов различных типов. Приборы и принадлежности:

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА 1. Цель работы Целью работы является изучение физики явлений, происходящих на р-n-переходах - основных элементарных

Подробнее

по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Полупроводники

по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Полупроводники Министерство образования Российской Федерации РОСТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ А.В.Солдатов, Г.Э.Яловега, И.Е.Штехин, А.Н. Кравцова МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по курсу ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Часть 8 Полупроводники

Подробнее

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е Лабораторная работа 324 БИПОЛЯРНЫЙ

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА p-n-перехода

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА p-n-перехода Правительство Российской Федерации Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

Подробнее

Элементы физики твердого тела

Элементы физики твердого тела Новосибирский государственный технический университет Элементы физики твердого тела Кафедра прикладной и теоретической физики Суханов И.И. Предметный указатель Дискретные уровни энергии электрона в атоме

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Основы физики твердого тела

Основы физики твердого тела Зонная теория: два подхода Используют два подхода к нахождению энергий электронов в периодическом потенциале кристаллической решетки Подход #1: приближение связанных электронов (одноатомные уровни энергий!)

Подробнее

Неделя 11. Контактные явления в полупроводниках. Построение энергетических диаграмм контактов полупроводников.

Неделя 11. Контактные явления в полупроводниках. Построение энергетических диаграмм контактов полупроводников. Неделя 11. Контактные явления в полупроводниках. Построение энергетических диаграмм контактов полупроводников. Оглавление Задача 4.24...2 Задача 4.18...5 Задача Т.11.1...7 стр. 1 из 10 Задача 4.24 Если

Подробнее

10 ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК. ЗАКОН ОМА

10 ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК. ЗАКОН ОМА 10 ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК. ЗАКОН ОМА Электрическим током называется упорядоченное (направленное) движение заряженных частиц в пространстве. В связи с этим свободные заряды принято называть также

Подробнее

ГЛАВА 1 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Классификация

ГЛАВА 1 ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Классификация ГЛАВА ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ.. Классификация лектронным прибором (П) называют устройство, в котором в результате взаимодействия свободных или связанных носителей заряда с электрическим,

Подробнее

Электропроводность твердых тел А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1

Электропроводность твердых тел А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1 Электропроводность твердых тел 27.08.2013 А.В. Шишкин, АЭТУ, НГТУ 1 1. Классификация твердых тел по электропроводности R = (l / S); = 1 /. По электропроводности все твердые тела можно разделить на три

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 39 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 290300,

Подробнее

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Лабораторная работа 4 ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Теоретическое и экспериментальное изучение температурной зависимости проводимости полупроводников. ПРИБОРЫ

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

S u. Пятаева И.Н. Бакулова Н.В. Страница 1 R 1

S u. Пятаева И.Н. Бакулова Н.В. Страница 1 R 1 Механизм проводимости тока в разных средах. Вне зависимости от среды, условиями возникновения тока являются: наличие зарядов, способных перемещаться при наличии электрического поля. наличие постоянно поддерживаемой

Подробнее

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

Краткая теория р-п-перехода

Краткая теория р-п-перехода МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ Кафедра «Физические основы электронной техники» Краткая теория р-п-перехода Методические указания

Подробнее

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ 1 Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана И. Н. ФЕТИСОВ ПРОВЕРКА ФОРМУЛЫ ШОКЛИ ДЛЯ p-n-перехода И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ГЕРМАНИЯ Методические указания к выполнению

Подробнее

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра физики твердого тела В.В. ПАРФЕНОВ, Р.Х. ЗАКИРОВ, Н.В. БОЛТАКОВА КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД Методическое пособие

Подробнее

Глава. Электроны и дырки в полупроводниках.

Глава. Электроны и дырки в полупроводниках. Глава Электроны и дырки в полупроводниках Зонная структура полупроводников, диэлектриков Определим валентную зону как наивысшую энергетическую зону электронов в твердом теле, которая целиком заполнена

Подробнее

9. СТАТИСТИКА КВАНТОВЫХ ЧАСТИЦ. ЭЛЕКТРОНЫ В МЕТАЛЛЕ

9. СТАТИСТИКА КВАНТОВЫХ ЧАСТИЦ. ЭЛЕКТРОНЫ В МЕТАЛЛЕ f(),5 9 СТАТИСТИКА КВАНТОВЫХ ЧАСТИЦ ЭЛЕКТРОНЫ В МЕТАЛЛЕ Квантовые частицы в зависимости от спина s делятся на бозоны (целый спин, s =,,, фотоны, фононы) и фермионы (полуцелый спин, s = /, /,, электроны)

Подробнее

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом.

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Made by NNEfimov.narod.ru Другие названия этих транзисторов: транзисторы на электронах с высокой подвижностью, ГМеП транзисторы,

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра радиофизики Г.В. ТАЮРСКАЯ, Ю.С. МАСЛЕННИКОВА ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Конспект лекций Казань 015 УДК 61.38 ББК Ж/О Принято на заседании кафедры

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В p-n-переходе

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В p-n-переходе МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) А.П. Лысенко ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В -n-переходе Рекомендовано

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.8. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК Введение Явление фотопроводимости заключается в возрастании электропроводности полупроводника под действием света. Это явление используется

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 1: «Физические основы твердотельной электроники» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Тематический план вебинаров по дисциплине

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 Электропроводность полупроводниковых материалов Цель работы Изучение стандартных методов определения удельной электрической проводимости полупроводниковых материалов при различных

Подробнее

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя.

Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного выпрямителя. Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, знакомство с работой одно- и двухполупериодного Задача: 1. Построить вольт-амперные характеристики германиевого и меднозакисного

Подробнее

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода.

3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. 3 Цель работы. Изучение зонной теории электропроводности полупроводников и основных физических свойств p-n перехода. Задачи. 1. Получение вольт-амперных характеристик кремневого и германиевого диодов,

Подробнее

доп.лекция (план на 15.03): 10 мая (вторник) в в Гл.физ.

доп.лекция (план на 15.03): 10 мая (вторник) в в Гл.физ. В.Н.Глазков, «Квантовая макрофизика», 15.03.2016 Квантовая макрофизика. Лекция 7. Контактные явления в полупроводниках. Построение энергетических диаграмм контактов полупроводников. доп.лекция (план на

Подробнее

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник»

Лабораторная работа 14 «Контакт металл полупроводник» Лабораторная работа 4 «онтакт металл полупроводник» Цель работы: определение контактной разности потенциалов контакта металл-полупроводник. онтактная разность потенциалов и толщина слоя объемного заряда

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-10 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение 1 ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомление с явлением поглощения оптического излучения полупроводником, измерение спектров поглощения кристаллов CdS и GaAs при комнатной

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: а) ознакомление с явлениями фото- и электролюминесценции в полупроводниках; б) воздействие спектральных характеристик

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы ЛЕЦИЯ 2 ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы План занятия: Структура и принцип работы биполярных транзисторов 2 лассификация биполярных транзисторов 3 Основные параметры биполярных транзисторов 4 Режимы работы

Подробнее