1000. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки SiO2 в буферном травителе состава HF : NH

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "1000. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки SiO2 в буферном травителе состава HF : NH"

Транскрипт

1 РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА СОЗДАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА В ПРОСВЕТЛЯЮЩЕМ ПОКРЫТИИ МЕТОДОМ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ВНЕШНЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА СВЕТОДИОДОВ А. П. Молева Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, факультет электронной техники (ФЭТ), кафедра физической электроники (ФЭ), 32 гр. В настоящее время разработка высокоэффективных мощных светодиодных кристаллов GaN, излучающих в синем и ультрафиолетовом диапазонах, является одной из основных задач в исследовании полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия и его твердых растворов. Одной из главных проблем является выведение света из полупроводникового кристалла. Основным физическим эффектом, ограничивающим эффективность вывода света, является эффект полного внутреннего отражения на границе материала с высокой оптической плотностью (полупроводника) и материала с низкой оптической плотностью (сапфировой подложки и (или) воздуха). Одним из решений повышения внешнего квантового выхода светодиодов является формирование микрорельефной поверхности в просветляющем покрытии. Целью работы является формирование упорядоченной, регулярной структуры методом контактной фотолитографии в просветляющем покрытии, в виде микроострий. В качестве экспериментальных образцов использовались полупроводниковые подложки арсенида галлия (GaAs). На обработанную пластину GaAs плазмохимическим методом осаждался диэлектрик с толщиной,2 мкм. Нанесение фоторезиста осуществляли методом центрифугирования на установке SAWATEC. Сушку маски фоторезиста проводили на горячих плитах при температурах сушки 85 C и 1 C (паспортные данные для фоторезистов). Экспонирование проводили на установке совмещения и экспонирования АМК с длиной волны нм, через стеклянный фотошаблон (рис. 1). Проявление маски резиста осуществляли в,6 % КОН (гидрооксида калия). Контроль качества сформированного изображения осуществляли на оптическом микроскопе LATIMET при кратности увеличения 5, 1, 2, 5, 1. Проведя необходимый контроль, производилось травление плёнки в буферном травителе состава HF : NH 4 : H 2O через сформированный рисунок в резисте. В дальнейшем после проведения операции травления, удалялся резист с поверхности образцов в органическом растворители диметилформамида. Рисунок 1 Топология фотошаблона

2 Для формирования микрорельефа в просветляющем покрытии требуется маска из фоторезиста, для чего осуществлялся подбор фотолитографических режимов для различных марок фоторезиста. Подбор фотолитографических режимов для различных фоторезистов Таблица 1 Нанесение фоторезистов с различными скоростями вращения ротора центрифуги 3об / мин 4об / мин 5об / мин Марка ФР tэкспониров АНИЯ, с tэкспониров АНИЯ, с tэкспониров АНИЯ, с ФП-51-Шу-, tсушки 3мин, TСУШКИ 85 С AZ tсушки 2мин, TСУШКИ 1 С S 185 tсушки 1,5 мин, TСУШКИ 1 С По результатам эксперимента построен график зависимости толщины фоторезиста от скорости его нанесения (рис.2).,7 d мкм,6,5,4,3,2, об / ФП-51-Шу-,5 AZ 155 S 185 мин Рисунок 2 Зависимость толщины фоторезиста от скорости вращения ротора центрифуги Результаты эксперимента показали, что из всех отработанных режимов наилучшие результаты (равномерность, однородность по всей площади нанесения) были получены для фоторезиста ФП-51-Шу-,5 t ЭКСПОНИРОВ АНИЯ 1с, 5 об / мин. Исходя из этого, с помощью выбранного резиста и его фотолитографичеких режимов был сформирован микрорельеф в просветляющем покрытии.

3 Рисунок 3 Топология поверхности микрорельефа после травления ФР По предложенному технологическому маршруту с подобранными режимами нанесения фоторезиста был сформирована регулярная структура в виде наноострий, высотой,2 мкм, диаметр нижнего основания,8 мкм, представленная на рис. 3. Технологическая карта изготовления микрорельефа с помощью контактной фотолитографии представлена в приложении А. ЗАКЛЮЧЕНИЕ: В данной работе была сформирована микрорельефная поверхность в просветляющем покрытии, полученная методом контактной фотолитографии с подобранными режимами нанесения фоторезиста и его времени экспонирования. Микрорельеф имеет строго упорядоченную структуру в виде наноострий, высотой,2 мкм и диаметром нижнего основания,8 мкм. Данная технология рекомендуется для создания микрорельефа в световыводящей поверхности светодиодов на GaN для массового производства, в связи с её простотой и экономической выгодой.

4 Приложение А. Технологический маршрут изготовления микрорельефа с применением контактной фотолитографии. Очистка пластины арсенида галлия (GaAs). Нанесение плёнки диоксида кремния () плазмохимическим методом. ФП-51Шу-,5 Нанесение позитивного фоторезиста ФП-51Шу-,5.

5 ФП-51Шу-,5 Экспонирование через фотошаблон. Результат процесса экспонирования и проявление фоторезиста. ФП-51Шу-,5 Травление. ФП-51Шу-,5

6 Удаление фоторезиста.


ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» ИОНЦ «Нанотехнологии и перспективные

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уральский государственный университет им. А.М. Горького» ИОНЦ «Нанотехнологии и перспективные

Подробнее

Типовая программа повышения квалификации «специалистов (инженеров-технологов, наладчиков, операторов) в области фотолитографических процессов»

Типовая программа повышения квалификации «специалистов (инженеров-технологов, наладчиков, операторов) в области фотолитографических процессов» Типовая программа повышения квалификации «специалистов (инженеров-технологов, наладчиков, операторов) в области фотолитографических процессов» п/п Лекционные занятия Варианты курсов Прим. Наименование

Подробнее

Метод формирования изображения в тонком приповерхностном слое электронного резиста

Метод формирования изображения в тонком приповерхностном слое электронного резиста Метод формирования изображения в тонком приповерхностном слое электронного резиста Работа осуществляется на базе проекта ФТИАН по исследованию формирования маскирующих покрытий электронно-лучевой литографией

Подробнее

Издательский Дом ИНТЕЛЛЕКТ В.Ю. КИРЕЕВ НАНОТЕХНОЛОГИИ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. НАНОЛИТОГРАФИЯ - ПРОЦЕССЫ И ОБОРУДОВАНИЕ

Издательский Дом ИНТЕЛЛЕКТ В.Ю. КИРЕЕВ НАНОТЕХНОЛОГИИ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. НАНОЛИТОГРАФИЯ - ПРОЦЕССЫ И ОБОРУДОВАНИЕ Издательский Дом ИНТЕЛЛЕКТ В.Ю. КИРЕЕВ НАНОТЕХНОЛОГИИ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. НАНОЛИТОГРАФИЯ - ПРОЦЕССЫ И ОБОРУДОВАНИЕ ОГЛАВЛЕНИЕ Оглавление...3 Список используемых сокращений... 8 Введение...15 Глава 1 ОСНОВНЫЕ

Подробнее

К импортонезависимости через новые технологии сборки ИЭТ на отечественном оборудовании

К импортонезависимости через новые технологии сборки ИЭТ на отечественном оборудовании К импортонезависимости через новые технологии сборки ИЭТ на отечественном оборудовании Санкт-Петербург 3 декабря 2015 г. ПЛАНАР «в отечественной электронике следует развивать концепцию импортонезависимости,

Подробнее

Таблица 1 Исследуемые образцы люминофоров Образец Толщина, мкм

Таблица 1 Исследуемые образцы люминофоров Образец Толщина, мкм Исследование деградации люминофорных покрытий для светодиодов белого свечения. А.В. Белоножко, Р.А. Соколова, студенты каф. ФЭ Научный руководитель С.В. Смирнов, проф., д.т.н. г.томск,тусур, anastasiya.belonozhko@gmail.com

Подробнее

Оптическая и электронная литография

Оптическая и электронная литография Оптическая и электронная литография Фоторезисты. Дозы экспонирования. Прямые и обратные процессы. Процесс Lift-off. Электронные резисты. Двухслойные резисты. Голикова Татьяна ИФТТ РАН, Черноголовка Лаборатория

Подробнее

Исследование влияния состава электролита на оптические свойства получаемого в ходе электролитического травления пористого кремния

Исследование влияния состава электролита на оптические свойства получаемого в ходе электролитического травления пористого кремния УДК 538.958:621.357.12 Китаева В.А. 1 1 Самарский государственный аэрокосмический университет им. акад. С.П. Королѐва (Национальный исследовательский университет) Исследование влияния состава электролита

Подробнее

Исследование процесса сухого травления нитрида алюминия ионным пучком

Исследование процесса сухого травления нитрида алюминия ионным пучком 26 июня 06;10;12 Исследование процесса сухого травления нитрида алюминия ионным пучком Д.М. Демидов, Р.В. Леус, В.П. Чалый Центр перспективных технологий и разработок, С.-Петербург Поступило в Редакцию

Подробнее

Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств

Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств В.В. Волков, В.Н. Вьюгинов, Ю.С. Кузьмичёв, В.С. Макушина, С.Н. Морозов, В. А. Петров ЗАО «Светлана-Электронприбор» Разработка карбид-кремниевых pin-диодов для мощных защитных СВЧ устройств Представлены

Подробнее

Постановление Минтруда РФ от 5 декабря 1994 г. N 75 "О внесении

Постановление Минтруда РФ от 5 декабря 1994 г. N 75 О внесении Постановление Минтруда РФ от 5 декабря 1994 г. N 75 "О внесении дополнений в Единый тарифноквалификационный справочник работ и профессий рабочих, выпуск 20" Министерство труда Российской Федерации в связи

Подробнее

ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ ВЛИЯНИЕ РАСХОДА ПОЛИМЕРИЗУЮЩЕГО ГАЗА CHF3 НА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ

ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ ВЛИЯНИЕ РАСХОДА ПОЛИМЕРИЗУЮЩЕГО ГАЗА CHF3 НА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ Технические науки ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Осипов Артем Арменакович аспирант Санкт-Петербургский институт машиностроения ФГБОУ ВПО «Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого» г. Санкт Петербург

Подробнее

Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии

Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии УДК 53.086 Исследование границы металлизации микроэлектронных структур с помощью конфокальной микроскопии П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия

Подробнее

Двухсторонняя литография решение проблем отвода тепла и разводки межсоединений в ИМС

Двухсторонняя литография решение проблем отвода тепла и разводки межсоединений в ИМС Двухсторонняя литография решение проблем отвода тепла и разводки межсоединений в ИМС В. Плебанович, к. т.н. Vpleba@kbtem-omo.by По мере повышения степени интеграции ИМС возникают две проблемы. Первая в

Подробнее

ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени МАГИСТРА

ДИССЕРТАЦИЯ на соискание учёной степени МАГИСТРА Министерство образования и науки Российской Федерации Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого Институт металлургии, машиностроения и транспорта Кафедра физико-химии и технологии

Подробнее

ОБОРУДОВАНИЕ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОУЗЛОВ НА КРЕМНИЕВЫХ И АЛЮМИНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ. [Фрагмент проекта]

ОБОРУДОВАНИЕ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОУЗЛОВ НА КРЕМНИЕВЫХ И АЛЮМИНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ. [Фрагмент проекта] ОБОРУДОВАНИЕ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОУЗЛОВ НА КРЕМНИЕВЫХ И АЛЮМИНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ [Фрагмент проекта] Эволюция технологий 3D сборки 2 Стандартные подложки для

Подробнее

ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА

ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА ИСКЛЮЧЕНИЕ ПОТЕМНЕНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПРИ ФОТОЛИТОГРАФИИ ПО ЗАЩИТНОМУ СЛОЮ ОКИСЛА Абрамов С. А., Бухаров А. А., Великанов А. Н. ГОУВПО «Мордовский государственный университет

Подробнее

Применение несплавного омического контакта Cr/Au в технологии изготовления планарного арсенидгаллиевого p i n -диода балочного типа Введение.

Применение несплавного омического контакта Cr/Au в технологии изготовления планарного арсенидгаллиевого p i n -диода балочного типа Введение. 26 июля 06.1;06.2;12 Применение несплавного омического контакта Cr/Au в технологии изготовления планарного арсенидгаллиевого p i n-диода балочного типа С.Е. Александров, В.В. Волков, В.П. Иванова, Ю.С.

Подробнее

СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 4 ПОЗИТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ 5 Фоторезист ФП Фоторезист ФП-25 6 Фоторезист ФП Фоторезист ФП-25Т 7 Фоторезист ФП-4-04Т 7 Фо

СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 4 ПОЗИТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ 5 Фоторезист ФП Фоторезист ФП-25 6 Фоторезист ФП Фоторезист ФП-25Т 7 Фоторезист ФП-4-04Т 7 Фо «ФРАСТ-М» ФОТОРЕЗИСТЫ ЖИДКИЕ ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Москва 2017 СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 4 ПОЗИТИВНЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ 5 Фоторезист ФП-383 5 Фоторезист ФП-25 6 Фоторезист ФП-201 6 Фоторезист ФП-25Т 7 Фоторезист ФП-4-04Т

Подробнее

А.Балакирев А.Туркин, к.ф.-м.н.

А.Балакирев А.Туркин, к.ф.-м.н. ПЕРСПЕКТИВЫ НИТРИДА ГАЛЛИЯ В СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКЕ РЕШЕНИЯ КОМПАНИИ RFHIC А.Балакирев balakirev@prochip.ru, А.Туркин, к.ф.-м.н. turkin@prochip.ru На протяжении многих лет нитрид галлия (GaN) представляет интерес

Подробнее

Лабораторные работы по теме «Электронно-лучевая литография»

Лабораторные работы по теме «Электронно-лучевая литография» Лабораторные работы по теме «Электронно-лучевая литография» Теоретические основы электронно-лучевой литографии Введение Литография это метод получения заданной структуры на поверхности с использованием

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 12 февраля 06.2;12 Пассивация поверхности кремния диэлектрическими пленками из оксида эрбия М.А. Родионов, В.А. Рожков Самарский государственный университет E-mail: rozhkov@ssu.samara.ru Поcтупило в Редакцию

Подробнее

Модуль 2 Процессы получения полупроводниковых пленок

Модуль 2 Процессы получения полупроводниковых пленок Модуль 2 Процессы получения полупроводниковых пленок 2.1. Химическая, электрохимическая и ионно-плазменная обработка. Задачи, решаемые с применением химической и электрохимической обработок, можно разбить

Подробнее

1 ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ ПО ПРОВЕДЕНИЮ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ПРИЕМУ В МАГИСТРАТУРУ НА НАПРАВЛЕНИЕ

1 ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ ПО ПРОВЕДЕНИЮ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ПРИЕМУ В МАГИСТРАТУРУ НА НАПРАВЛЕНИЕ 1 ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ ПО ПРОВЕДЕНИЮ ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ПРИЕМУ В МАГИСТРАТУРУ НА НАПРАВЛЕНИЕ 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств» 1.1 Настоящая Программа составлена в соответствии

Подробнее

Малошумящие GaAs PHEMT транзисторы с нулевым смещением на затворе

Малошумящие GaAs PHEMT транзисторы с нулевым смещением на затворе А.В. Крутов, Н.А. Кувшинова, А.С. Ребров АО «Научно-производственное предприятие «Исток» им. Шокина» Малошумящие GaAs PHEMT транзисторы с нулевым смещением на затворе Представлены результаты разработки

Подробнее

I 0 интенсивность падающего света

I 0 интенсивность падающего света Поглощение света углеродной плёнкой Трофимов А.Н., Гуляева К.Н., Шустов Д.Б., Гончаров В.В. Объект Углеродная плёнка, напыляемая на диэлектрические объекты с целью обеспечения стока заряда при исследовании

Подробнее

Гетероструктуры на основе нитрида Галлия (GaN) и технологии компании OMMIC на их основе

Гетероструктуры на основе нитрида Галлия (GaN) и технологии компании OMMIC на их основе ООО «НПК «Фотоника» 197022, г.санкт-петербург, ул. Инструментальная, дом. 3, литер Б, помещение 01Н Тел./факс.: +7 (812) 740-71-28 www.npk-photonica.ru Евгений Бунтов, НПК «ФОТОНИКА», eugene.b@npk-photonica.ru

Подробнее

Получение пленок методом распылительной сушки

Получение пленок методом распылительной сушки Получение пленок методом распылительной сушки Список основных характеристик качества пленки 1. Чистота. В большинстве случаев требуется высокочистая пленка для модификации электрических, магнитных, механических

Подробнее

«Конструкторскотехнологическое. производства» (КТОП)

«Конструкторскотехнологическое. производства» (КТОП) «Конструкторскотехнологическое обеспечение производства» (КТОП) для образовательной программы 09.03.01 «Информатика и вычислительная техника» Лекция 3 Лектор Трубочкина Надежда Константиновна, д.т.н.,

Подробнее

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОФИЛЯ ПРОВОДНИКОВ ПРИ ТРАВЛЕНИИ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ ДЛЯ СВЧ-ТЕХНИКИ

ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОФИЛЯ ПРОВОДНИКОВ ПРИ ТРАВЛЕНИИ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ ДЛЯ СВЧ-ТЕХНИКИ УДК 621.3.049.75 ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОФИЛЯ ПРОВОДНИКОВ ПРИ ТРАВЛЕНИИ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ ДЛЯ СВЧ-ТЕХНИКИ Алексей Александрович Бушмаков Студент 6 курса, кафедра «Электронные технологии в машиностроении»

Подробнее

Возможности фотолитографии определяются. комплект оборудования. для проекционной субмикронной литографии. Новые технологии

Возможности фотолитографии определяются. комплект оборудования. для проекционной субмикронной литографии. Новые технологии DOI: 10.22184/1992-4178.2017.164.4.62.69 комплект оборудования для проекционной субмикронной литографии В.Плебанович, к.т.н. 1, С.Воронин 2 УДК 621.38 ВАК 05.27.06 Фотолитография ключевая операция в микроэлектронике,

Подробнее

Библиотека БГУИР. Формирование микроизображений методом бесшаблонной иммерсионной литографии

Библиотека БГУИР. Формирование микроизображений методом бесшаблонной иммерсионной литографии Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники УДК 621.382.049 Рымко Вячеслав Михайлович Формирование микроизображений

Подробнее

ООО «МИНАТЕХ» Микро и нано технологии тел. +7 (495)

ООО «МИНАТЕХ» Микро и нано технологии тел. +7 (495) NANO MASTER, технологии очистки больших подложек и одной пластины/фотошаблона, очистка дисплея панели. Ультразвуковая и xимическая очистка без повреждения: Последние разработки в области ультразвуковой

Подробнее

Аспирант (2-й год) Кафедра «Электронные технологии в машиностроении» Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.

Аспирант (2-й год) Кафедра «Электронные технологии в машиностроении» Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э. УДК 621.382.029.6.002, УДК 621.315.616 МОНТАЖ КРИСТАЛЛОВ ПРИ СБОРКЕ ВЫСОКОПЛОТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ Боброва Юлия Сергеевна Аспирант (2-й год) Кафедра «Электронные технологии в машиностроении» Московский

Подробнее

микровыводов припоя Формирование на уровне пластины техподдержка

микровыводов припоя Формирование на уровне пластины техподдержка 56 техподдержка Формирование микровыводов припоя на уровне пластины Текст: Александр Скупов В статье приведён обзор технологий и материалов, применяемых для формирования столбиковых выводов на полупроводниковых

Подробнее

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем М. А. Королёв, Т. Ю. Крупкина, М. А. Ревелева Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем Под общей редакцией члена-корр. РАН профессора Ю. А. Чаплыгина Часть 1 Технологические

Подробнее

Введение. Цель и задачи исследования УДК ; ; г. С. Н. Корешев*, доктор техн. наук; В. П. Ратушный**

Введение. Цель и задачи исследования УДК ; ; г. С. Н. Корешев*, доктор техн. наук; В. П. Ратушный** УДК 535.417; 535.317; 778.38 ПРЕДЕЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ, РЕАЛИЗУЕМОЙ В ВИДИМОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА НА ТОНКИХ СЛОЯХ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛООБРАЗНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА 212 г. С. Н. Корешев*,

Подробнее

Исследование оптических свойств тонких пленок сульфида цинка и оксида цинка. Выполнила аспирант ОмГУ: Богданова Елизавета Владимировна

Исследование оптических свойств тонких пленок сульфида цинка и оксида цинка. Выполнила аспирант ОмГУ: Богданова Елизавета Владимировна Исследование оптических свойств тонких пленок сульфида цинка и оксида цинка Выполнила аспирант ОмГУ: Богданова Елизавета Владимировна Цель работы: получение экспериментальных данных об оптических свойствах

Подробнее

ЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ТЕХНОЛОГИИ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

ЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ТЕХНОЛОГИИ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ФЕДЕРАЛЬНОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» ЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

Подробнее

Инвестиции в российский хай-тек: от идеи до работающей фабрики за два года. Денис Шамирян

Инвестиции в российский хай-тек: от идеи до работающей фабрики за два года. Денис Шамирян Инвестиции в российский хай-тек: от идеи до работающей фабрики за два года Денис Шамирян Содержание Что такое Mapper Lithography? Почему фабрика в России? Как это было сделано? Что из этого получилось?

Подробнее

Курс лекций: «Моделирование и проектирование микро- и наносистем»

Курс лекций: «Моделирование и проектирование микро- и наносистем» Курс лекций: «Моделирование и проектирование микро- и наносистем» Лекция 13: «Конструктивно-технологические варианты реализации тонко- и толстопленочных микросборок» Лектор: д.т.н., доцент И.Е.Лысенко

Подробнее

Приповерхностный тонкий слой в полимерной пленке

Приповерхностный тонкий слой в полимерной пленке 26 декабря 03;11;12 Приповерхностный тонкий слой в полимерной пленке В.И. Тригуб, А.В. Плотнов, А.Н. Киселев Нижегородский государственный технический университет Поступило в Редакцию 13 марта 2001 г.

Подробнее

Кафедра физики полупроводников

Кафедра физики полупроводников МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н.Г. ЧЕРНЫШЕВСКОГО»

Подробнее

Технологии производства печатных плат

Технологии производства печатных плат Технологии производства печатных плат Цель: формирование у слушателей структурированных знаний об особенностях современных технологий изготовления печатных плат. Категории слушателей: инженеры-технологи,

Подробнее

На рисунке 5 показаны спектры возбуждения люминесценции люминофора ФЛЖ-7-11 при разной толщине слоя.

На рисунке 5 показаны спектры возбуждения люминесценции люминофора ФЛЖ-7-11 при разной толщине слоя. Исследование люминофорных покрытий для полупроводниковых источников света с целью повышения их эффективности. А.В. Белоножко, Р.А. Соколова, студенты каф. ФЭ Научный руководитель С.В. Смирнов, проф., д.т.н.

Подробнее

КБТЭМ - ОМО. Инновационные технологические решения изготовления МЭМС. Плебанович В.И., к.т.н. моб: +375 (29)

КБТЭМ - ОМО. Инновационные технологические решения изготовления МЭМС. Плебанович В.И., к.т.н. моб: +375 (29) Инновационные технологические решения изготовления МЭМС Плебанович В.И., к.т.н. моб: +375 (29) 678-57-42 Инновационные решения: Безмассочная литография Организация высокопрецизионной двухсторонней литографии

Подробнее

ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОИЗВОДСТВЕ ОПТИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ

ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОИЗВОДСТВЕ ОПТИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ Д. Ю. КРУЧИНИН Е. П. ФАРАФОНТОВА ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ В ПРОИЗВОДСТВЕ ОПТИЧЕСКИХ ДЕТАЛЕЙ Учебное пособие Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 26 июня 06.2;12 Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия М.А. Родионов, В.А. Рожков, А.В. Пашин Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная

Подробнее

Проектирование рабочих программ дисциплин для образовательных программ высшего образования. Цветков Ю.Б. Т , ауд.

Проектирование рабочих программ дисциплин для образовательных программ высшего образования. Цветков Ю.Б. Т , ауд. Проектирование рабочих программ дисциплин для образовательных программ высшего образования Цветков Ю.Б. tsvetkov@bmstu.ru Т. 59-58, ауд. 380 2015 Цель актуализации учебно-методической работы в Университете

Подробнее

Серия малошумящих GAAS PHEMT транзисторов 3П3102.

Серия малошумящих GAAS PHEMT транзисторов 3П3102. А. В. Крутов, Н. А. Кувшинова, А. С. Ребров ФГУП "Научно-производственное предприятие "Исток" Серия малошумящих GAAS PHEMT транзисторов 3П3102. Представлены результаты разработки серии малошумящих гетероструктурных

Подробнее

ПРИМЕНЕНИЕ КОНТУРНОЙ МАСКИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ДИФРАКЦИОННОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДОЭ С КУСОЧНО-НЕПРЕРЫВНЫМ РЕЛЬЕФОМ

ПРИМЕНЕНИЕ КОНТУРНОЙ МАСКИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ДИФРАКЦИОННОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДОЭ С КУСОЧНО-НЕПРЕРЫВНЫМ РЕЛЬЕФОМ УДК 535.44 ПРИМЕНЕНИЕ КОНТУРНОЙ МАСКИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ДИФРАКЦИОННОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДОЭ С КУСОЧНО-НЕПРЕРЫВНЫМ РЕЛЬЕФОМ Виктор Павлович Корольков Институт автоматики и электрометрии СО РАН, 630090, Россия,

Подробнее

дисковой резки для повышения эффективности Новые решения ТЕХПОДДЕРЖКА

дисковой резки для повышения эффективности Новые решения ТЕХПОДДЕРЖКА 58 ТЕХПОДДЕРЖКА Новые решения для повышения эффективности дисковой резки Текст: Илья Нотин С активным развитием рынка микроэлектроники неизбежно растут требования к качеству компонентов. В связи с этим

Подробнее

Лекция 1 Основные понятия. Роль химических и структурных факторов

Лекция 1 Основные понятия. Роль химических и структурных факторов Лекция 1 Основные понятия. Роль химических и структурных факторов При изучении материаловедения как науки о взаимосвязи строения, состава материала и его физико-химических свойств, необходимо систематизировать

Подробнее

Соглашение от г. Уникальный идентификатор прикладных научных исследований RFMEFI58414X0001

Соглашение от г. Уникальный идентификатор прикладных научных исследований RFMEFI58414X0001 Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 2020 годы» Соглашение 14.584.21.0001 от 22.08.2014 г. Уникальный

Подробнее

БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» Кафедра микро- и наноэлектроники БАЗОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Методические указания

Подробнее

«КОМБИНИРОВАННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПЛАТ» Докладчик: инженер-химик 2 кат. Солодовникова О. И г.

«КОМБИНИРОВАННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПЛАТ» Докладчик: инженер-химик 2 кат. Солодовникова О. И г. «КОМБИНИРОВАННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КЕРАМИЧЕСКИХ ПЛАТ» Докладчик: инженер-химик 2 кат. Солодовникова О. И. 2016 г. Для создания надежных устройств микроэлектроники встаѐт вопрос о создании

Подробнее

ПРИМЕНЕНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ УПРАВЛЕНИЯ КАЧЕСТВОМ К ПРОЦЕССУ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАТ, ВХОДЯЩИХ В СОСТАВ МОДУЛЯ ДЕТЕКТОРНОГО

ПРИМЕНЕНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ УПРАВЛЕНИЯ КАЧЕСТВОМ К ПРОЦЕССУ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАТ, ВХОДЯЩИХ В СОСТАВ МОДУЛЯ ДЕТЕКТОРНОГО Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Подробнее

УДК ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ КРЕМНИЕВОЙ МИКРООБРАБОТКИ Иванов Сергей Викторович, Карелин Евгений Юрьевич

УДК ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ КРЕМНИЕВОЙ МИКРООБРАБОТКИ Иванов Сергей Викторович, Карелин Евгений Юрьевич УДК 621.39 ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ КРЕМНИЕВОЙ МИКРООБРАБОТКИ Иванов Сергей Викторович, Карелин Евгений Юрьевич Воронежский государственный технический университет, Россия, Воронеж e-mail: muratovav@kipr.vorstu.ru

Подробнее

2. Сканирующий профилометр на основе хроматических конфокальных датчиков (СП)

2. Сканирующий профилометр на основе хроматических конфокальных датчиков (СП) для производства шкал, сеток, фотошаблонов и синтезированных голограмм на основе лазерной трехмерной микро и нанообработки Полещук Александр Григорьевич, д.т.н., профессор 1, В.П. Корольков 1, В.П. Бессмельцев

Подробнее

Материалы Международной научно-технической конференции, ноября 2011 г.

Материалы Международной научно-технической конференции, ноября 2011 г. Материалы Международной научно-технической конференции, 14 17 ноября 2011 г. МОСКВА INTERMATIC 2 0 1 1, часть 2 МИРЭА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОРАЗМЕОНЫХ ПЛЕНОК НИТРИДА

Подробнее

Синтез и оптические свойства диэлектрических наноструктур на основе пористого анодного оксида алюминия

Синтез и оптические свойства диэлектрических наноструктур на основе пористого анодного оксида алюминия МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИСЛЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Н.Г. ЧЕРНЫШЕВСКОГО»

Подробнее

Н.И. Каргин Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва

Н.И. Каргин Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», г. Москва Потенциал ЦКП «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников» в области физики и технологии приборов на основе нитридов III группы Н.И. Каргин Национальный исследовательский ядерный

Подробнее

Мощные светодиоды Philips Lumileds от истоков до новинок рынка

Мощные светодиоды Philips Lumileds от истоков до новинок рынка Мощные светодиоды Philips Lumileds от истоков до новинок рынка Игорь Матешев, Алина Муленкова, Андрей Туркин, Константин Шамков (Москва) Данная статья является обзором полупроводниковых светодиодов Philips

Подробнее

OrCAD Layout редактор печатных плат (с) 2002 ВГУ, ФКН, ИС, Коваль А.С. 1

OrCAD Layout редактор печатных плат (с) 2002 ВГУ, ФКН, ИС, Коваль А.С. 1 OrCAD Layout редактор печатных плат 04.09.2002 (с) 2002 ВГУ, ФКН, ИС, Коваль А.С. 1 Цикл разработки в OrCAD Ввод описаний проекта Верификация Проектирование платы Формирование файлов для инструментов 04.09.2002

Подробнее

Активируемая озоном очистка пластин Si от фоторезиста.

Активируемая озоном очистка пластин Si от фоторезиста. Активируемая озоном очистка пластин Si от фоторезиста. Мантузов А.В., НИФХИ им.л.я.карпова, Москва, Россия Потапова Г.Ф., НИФХИ им.л.я.карпова, Москва, Россия Клочихин В.Л., ИБРАЭ РАН и МГУПИ, Москва,

Подробнее

радиоэлектроники, Минск, Беларусь, Беларусь, радиоматериалов, Минск, Беларусь,

радиоэлектроники, Минск, Беларусь, Беларусь, радиоматериалов, Минск, Беларусь, УДК 621.317.39.084.2 ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ДВУХСЕНСОРНАЯ МИКРОСИСТЕМА НА НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЙ ПОДЛОЖКЕ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ В ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЕ А.И. Захлебаева 1, О.Г. Реутская 2, Г.Г. Горох

Подробнее

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ

КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ В. В. Груздов Ю.В. Колковский Ю.А. Концевой КОНТРОЛЬ новых ТЕХНОЛОГИЙ В ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКЕ -1000 О 1000 2000 3000 Омега-2тета (угл. сек.) ТЕХНОСФЕРА СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ...10 ГЛАВА 1 ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ

Подробнее

Высокоскоростной лазерный конфокальный микроскоп NS-3000

Высокоскоростной лазерный конфокальный микроскоп NS-3000 Высокоскоростной лазерный конфокальный микроскоп NS-3000 Высокоскоростной лазерный конфокальный микроскоп NS-3000 Модель NS-3000 представляет собой высокоскоростной лазерный конфокальный сканирующий микроскоп,

Подробнее

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ГИДРОАКУСТИЧЕСКОГО СИГНАЛА

ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ГИДРОАКУСТИЧЕСКОГО СИГНАЛА DOI 10.21661/r-115756 Егоров Федор Андреевич канд. физ.-мат. наук, ведущий научный сотрудник Фрязинский филиал ФГБУН «Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН» г. Фрязино, Московская

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ПОКАЗАТЕЛИ КАЧЕСТВА И ТЕХНОЛОГИЧНОСТИ СТРУКТУР ТИПА Ag-GaAs

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ПОКАЗАТЕЛИ КАЧЕСТВА И ТЕХНОЛОГИЧНОСТИ СТРУКТУР ТИПА Ag-GaAs УДК 621.382. 2/3 Е.Я. Швец, первый проректор, к.т.н., профессор, Л.Б. Дмитриева, доцент, к.т.н. В.С. Дмитриев, магистрант ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ПОКАЗАТЕЛИ КАЧЕСТВА И ТЕХНОЛОГИЧНОСТИ

Подробнее

Лекция 4 Тема: Гибридные интегральные микросхемы (Продолжение)

Лекция 4 Тема: Гибридные интегральные микросхемы (Продолжение) Лекция 4 Тема: Гибридные интегральные микросхемы (Продолжение) 1. Толстопленочные гибридные ИС. 2. Формирование проводящих пленок. 3. Формирование резистивных пленок. 4. Элементы интегральных схем. Пассивные

Подробнее

Безмасочная литография Optical MaskLess Lithography OML 2 КБТЭМ - ОМО. Плебанович В.И., к.т.н. Стенд 110 моб: +375 (29)

Безмасочная литография Optical MaskLess Lithography OML 2 КБТЭМ - ОМО. Плебанович В.И., к.т.н. Стенд 110 моб: +375 (29) Безмасочная литография Optical MaskLess Lithography OML 2 Плебанович В.И., к.т.н. Стенд 110 моб: +375 (29) 678-57-42 1 Маршрут создания ИМС (108 156 недель) Разработка поведенческой модели ИС и моделирование

Подробнее

Электронная литография

Электронная литография Электронная литография -Фокусировка электронного пучка в точку < 10 nm -Очень маленькая длина волны нет дифракционных ограничений -Прямая зарисовка структуры, не нужны маски -Разрешение зависит от используемого

Подробнее

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ И ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ МАГНИТНЫХ МИКРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРНАТА

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ И ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ МАГНИТНЫХ МИКРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ЖЕЛЕЗОИТТРИЕВОГО ГРНАТА Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Подробнее

CCI & MEC Ваши партнеры по подготовке поверхности. Virginie HENRIOT марта 2015 Москва, Россия

CCI & MEC Ваши партнеры по подготовке поверхности. Virginie HENRIOT марта 2015 Москва, Россия CCI & MEC Ваши партнеры по подготовке поверхности Virginie HENRIOT 24-26 марта 2015 Москва, Россия 1 ОБЗОР Растворы для снятия фоторезиста и защитной паяльной маски o RISTOFF C-8 o RISTOFF C-53 o RISTOFF

Подробнее

Комплексные Решения Технологического Оборудования

Комплексные Решения Технологического Оборудования Комплексные Решения Технологического Оборудования Нанесение, Сушка, Проявление и Задубливание резистов Травление, Очистка и «Взрывная» Литография OPTIMUS LINE Полуавтоматические системы для: Нанесения,

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ С ПОМОЩЬЮ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК CDS, ИЗГОТОВЛЕННЫХ МЕТОДОМ ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ

ИССЛЕДОВАНИЕ С ПОМОЩЬЮ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК CDS, ИЗГОТОВЛЕННЫХ МЕТОДОМ ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ УДК 621.383.51 В.В. Трегулов, В.А. Степанов, Г.Н. Скопцова ИССЛЕДОВАНИЕ С ПОМОЩЬЮ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК CDS, ИЗГОТОВЛЕННЫХ МЕТОДОМ ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ Приведены результаты

Подробнее

РОСНАНО входит в проект по расширению производства сапфира и сапфировых пластин для светодиодной промышленности

РОСНАНО входит в проект по расширению производства сапфира и сапфировых пластин для светодиодной промышленности ПРЕСС-РЕЛИЗ 16.08.2011 РОСНАНО входит в проект по расширению производства сапфира и сапфировых пластин для светодиодной промышленности РОСНАНО инвестирует в ЗАО «Монокристалл» с целью расширения промышленного

Подробнее

Оптико-механическое оборудование для формирования изображения на подложках и полупроводниковых пластинах

Оптико-механическое оборудование для формирования изображения на подложках и полупроводниковых пластинах Оптико-механическое оборудование для формирования изображения на подложках и полупроводниковых пластинах Оборудование для непосредственного генерирования изображений на полупроводниковые пластины Оборудование

Подробнее

Гидрофобные и олеофобные покрытия технологии нанесения и применения

Гидрофобные и олеофобные покрытия технологии нанесения и применения Гидрофобные и олеофобные покрытия технологии нанесения и применения О компании Группа компаний «Изовак» построила сотни систем вакуумного нанесения тонких пленок и разработала сопутствующие тонкопленочные

Подробнее

Автоматический контроль микродефектности на полупроводниковых пластинах

Автоматический контроль микродефектности на полупроводниковых пластинах Автоматический контроль микродефектности на полупроводниковых пластинах В. Плебанович, к. т.н. Vpleba@kbtem-omo.by Производство микросхем сложный технологический процесс. Для получения предельных характеристик

Подробнее

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ В ИССЛЕДОВАНИИ КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ В ИССЛЕДОВАНИИ КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ В ИССЛЕДОВАНИИ КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ МОДУЛЬ 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ Лекция 10. Оптическая микроскопия. Оптическая профилометрия. Металлографические

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ. Основы технологии электронной компонентной базы

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ. Основы технологии электронной компонентной базы МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

Подробнее

А.И. Михайлов, А.В. Митин, И.О. Кожевников

А.И. Михайлов, А.В. Митин, И.О. Кожевников А.И. Михайлов, А.В. Митин, И.О. Кожевников Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных

Подробнее

ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЙ

ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ПОКРЫТИЙ Рисунок 3 Зависимость удельного расхода электроэнергии турбокомпрессора К500-61-5 от температуры воздуха после промежуточных воздухоохладителей Таким образом, повышение температуры воздуха после промежуточных

Подробнее

Требования к уровню освоения учебного курса

Требования к уровню освоения учебного курса Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы по направлению «Наноэлектроника, компонентная база и устройства. Физические принципы. Применяемые технологии

Подробнее

Лекция 3 Тема: Гибридные интегральные микросхемы

Лекция 3 Тема: Гибридные интегральные микросхемы Лекция 3 Тема: Гибридные интегральные микросхемы 1. Тонкопленочные гибридные ИС. 2. Формирование проводящих пленок. 3. Формирование резистивных пленок. 4. Монтажные операции. Гибридные ИС представляют

Подробнее

Школа производства ГПИС. Фотолитография.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Школа производства ГПИС. Фотолитография. Первый этап: формирование слоя резиста Трудно представить себе производство микроэлектроники без процесса литографии. Сегодня данный процесс применяется не только

Подробнее

ПРИМЕНЕНИЕ ОСТРОСФОКУСИРОВАННОГО ИОННОГО ПУЧКА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ЗАРОЖДЕНИЯ ПОР НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ

ПРИМЕНЕНИЕ ОСТРОСФОКУСИРОВАННОГО ИОННОГО ПУЧКА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ЗАРОЖДЕНИЯ ПОР НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИМЕНЕНИЕ ОСТРОСФОКУСИРОВАННОГО ИОННОГО ПУЧКА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ЗАРОЖДЕНИЯ ПОР НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ Е.Ю. Гаврилин, В.В. Старков, Ю.Б. Горбатов, А.Ф. Вяткин Институт проблем технологии микроэлектроники

Подробнее

УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ

УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ УДК 621.382 ИССЛЕДОВАНИЕ КОНТАКТНОЙ СИСТЕМЫ Ti/Al/Ni/Au ДЛЯ ДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ А.В.Желаннов, В.Е.Удальцов, А.В.Падорин* Институт электронных и информационных

Подробнее

ELECTROPHYSICAL COMPLEX ON BASIS OF THE ELECTROSTATIC ACCELERATOR ESA-2 FOR FUNDAMENTAL AND APPLIED INVESTIGATIONS

ELECTROPHYSICAL COMPLEX ON BASIS OF THE ELECTROSTATIC ACCELERATOR ESA-2 FOR FUNDAMENTAL AND APPLIED INVESTIGATIONS ELECTROPHYSICAL COMPLEX ON BASIS OF THE ELECTROSTATIC ACCELERATOR ESA-2 FOR FUNDAMENTAL AND APPLIED INVESTIGATIONS Lagutin A.E., Boyko E.B., Kamyshan A.S., Komarov F.F. Institute of Applied Physics Problems,

Подробнее

Инновационные решения для достижения нового качества производства КБТЭМ - ОМО

Инновационные решения для достижения нового качества производства КБТЭМ - ОМО Инновационные решения для достижения нового качества производства Зам. директора ОАО «КБТЭМ-ОМО» В.И.Плебанович к.т.н. моб: +375 (296) 78-57-42 Инновационные решения 0 дефектов на фотошаблоне Безмасочная

Подробнее

ОСНОВЫ ОПТИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ МИКРОЭЛЕТРОНИКИ Радиофизика

ОСНОВЫ ОПТИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ МИКРОЭЛЕТРОНИКИ Радиофизика Белорусский государственный университет УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной работе А. Л. Толстик Регистрационный УД- /уч. ОСНОВЫ ОПТИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ МИКРОЭЛЕТРОНИКИ Учебная программа учреждения высшего

Подробнее

Сухой пленочный фоторезист ORDYL FP 400

Сухой пленочный фоторезист ORDYL FP 400 Описание продукта Сухой пленочный фоторезист ORDYL FP 400 Технологический паспорт Редакция октябрь 2011 Ordyl FP 400 - негативный, водопроявляемый сухой пленочный фоторезист высокого разрешения, разработанный

Подробнее

Таблица кольцо, две точки

Таблица кольцо, две точки ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОКУСАТОРОВ В КОЛЬЦО И В ДВЕ ТОЧКИ А.В. Волков, Н.Л. Казанский, Г.В. Успленьев Институт систем обработки изображений РАН Введение В статье сообщается об изготовлении

Подробнее

МЕЖОТРАСЛЕВАЯ ПРОГРАММА РАЗВИТИЯ КОНКУРЕНТОСПОСОБНЫХ НАПРАВЛЕНИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В УКРАИНЕ

МЕЖОТРАСЛЕВАЯ ПРОГРАММА РАЗВИТИЯ КОНКУРЕНТОСПОСОБНЫХ НАПРАВЛЕНИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В УКРАИНЕ МЕЖОТРАСЛЕВАЯ ПРОГРАММА РАЗВИТИЯ КОНКУРЕНТОСПОСОБНЫХ НАПРАВЛЕНИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ В УКРАИНЕ поручения Президента Украины от 24.06.98 г. 1-14/473 и Кабинета Министров Украины от 30.06.98 г. 1999-2002 Исполнителями

Подробнее

Развитие технологии нитрида галлия

Развитие технологии нитрида галлия Развитие технологии нитрида галлия и перспективы его применения в СВЧ-электронике Александр Балакирев, Андрей Туркин (Москва) В настоящее время структуры на основе нитрида галлия и его твёрдых растворов

Подробнее

Б.А. Лапшинов ТЕХНОЛОГИЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ. Утверждено Редакционно-издательским советом института в качестве учебного пособия

Б.А. Лапшинов ТЕХНОЛОГИЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ. Утверждено Редакционно-издательским советом института в качестве учебного пособия МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРАЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ (ТЕХНИЧЕСКИЙ

Подробнее

Трехслойные наноструктуры интерференционных фильтров Фабри-Перо высокого разрешения

Трехслойные наноструктуры интерференционных фильтров Фабри-Перо высокого разрешения Трехслойные наноструктуры интерференционных фильтров Фабри-Перо высокого разрешения Денисов А.А. Руководитель: Шахнов В.А., д.т.н., проф. кафедры ИУ4 МГТУ им. Н.Э.Баумана Цель работы Цель работы: Разработка

Подробнее