Лабораторная работа 19

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Лабораторная работа 19"

Транскрипт

1 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления. Определить ширину запрещённой зоны полупроводника. Требуемое оборудование Модульно учебные комплексы: 1. Модульный учебный комплекс МУК-ОК Приборы: 1. Блок амперметра-вольтметра АВ1 1 шт. 2. Стенд с объектами исследования С3-ОК01 и источник питания ИПС1 1 комплект 3. Проводники Ш4/Ш1,6-60 см 6 шт. Общие сведения Явление вырывания электронов из вещества при освещении его светом получило название фотоэлектрического эффекта. Различают внешний и внутренний фотоэффект. При внешнем фотоэффекте электроны освобождаются светом из поверхностного слоя вещества и переходят в другую среду, в частности в вакуум. В кристаллических полупроводниках и диэлектриках, помимо внешнего фотоэффекта, наблюдается внутренний фотоэффект. При внутреннем фотоэффекте оптически возбужденные электроны остаются внутри освещаемого тела, не нарушая электрическую нейтральность последнего. Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием электромагнитного излучения и не связанное с его нагреванием, называется внутренним фотоэффектом. Внутренний фотоэффект возникает за счет изменения концентрации свободных носителей заряда в результате их оптического возбуждения, то есть под действием света происходит перераспределение электронов по энергетическим уровням. В теории полупроводников выделяют также понятие вентильного фотоэффекта, когда фотоэдс возникает при освещении вентильного, то есть выпрямляющего, контакта. Выпрямляющими свойствами обладают контакты полупроводников различного типа электропроводности (как p-n-переход), металла

2 Фоторезистором называется полупроводниковый прибор, действие которого основано на фотопроводимости изменении проводимости полупроводника при освещении (внутренний фотоэффект). В полупроводнике под действием света генерируются свободные носители заряда (в отличие от внешнего фотоэффекта, когда электроны под действием света выходят из вещества). Электропроводность собственного полупроводника, обусловленная тепловым возбуждением, называется темновой проводимостью: (1) q n ) T e ( n p где n концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне; μ n и μ p подвижность электронов и дырок соответственно; q e заряд носителя тока. При освещении полупроводника возникают дополнительные свободные носители заряда, обусловленные внутренним фотоэффектом. При поглощении кванта света один из валентных электронов переходит в зону проводимости, а в валентной зоне образуется дырка. Очевидно, такойпереход возможен, если энергия фотона hν равна или несколько больше ширины запрещённой зоны ΔЕ hν ΔE (2) Из сказанного ясно, что полная электропроводность складывается из темновой и фотопроводимости: (3) T Ф Основными характеристиками фоторезистора являются вольтамперная, световая и спектральная. Вольтамперной характеристикой называется зависимость тока, протекающего через фоторезистор, от величины приложенного напряжения при постоянном световом потоке I f ( U ) Ф const I C S U l ( T Ф ) U l I T I Ф (4) где IC - световой ток, IT темновой ток, IФ - фототок, S - площадь поперечного сечения, l - длина проводника. В частности, если световой поток равен нулю, то характеристика называется темновой. Из уравнения (4) видно, что вольтамперная характеристика как темновая, так и при освещении, является линейной, поскольку при постоянной температуре и постоянном световом потоке

3 электропроводность не зависит от напряжения. Следует отметить, что в области обычно реализуемых освещенностей световой ток намного больше темнового, т. е. IC» IФ. Рис. 1. Световая характеристика Световой характеристикой фоторезистора называется зависимость фототока от величины падающего светового потока при постоянном значении приложенного напряжения IФ=f(Ф)U=const. Световая характеристика фоторезистора обычно нелинейная (рис. 1). При больших освещенностях увеличение фототока отстает от роста светового потока, намечается тенденция к насыщению. Это объясняется тем, что при увеличении светового потока наряду с ростом концентрации генерируемых носителей заряда растет вероятность их рекомбинации, однако при небольших и средних освещенностях характеристика практически совпадает с прямой линией. Спектральной характеристикой называется зависимость фототока от длины волны при постоянной энергии падающего излучения IФ=f(λ)E=const, U=const. Фототок в собственном полупроводнике появляется, начиная с длины волны λ0, соответствующей равенству: hc 0 E (5) где Е ширина запрещенной зоны полупроводника; λ0 - край собственного поглощения (красная граница фотоэффекта). Зная ширину запрещённой зоны, можно определить полупроводник, из которого сделан фоторезистор (таблица 1) Таблица 1. Полупроводник Ge Si JnSb GaAs GaP CdS CdSe PbS ΔE, эв 0,72 1,12 0,17 1,42 2,26 2,42 1,70 0,41 Казалось бы, что спектральная характеристика должна иметь вид ступени (рис.2, кривая «а»), но

if ($this->show_pages_images && $page_num < DocShare_Docs::PAGES_IMAGES_LIMIT) { if (! $this->doc['images_node_id']) { continue; } // $snip = Library::get_smart_snippet($text, DocShare_Docs::CHARS_LIMIT_PAGE_IMAGE_TITLE); $snips = Library::get_text_chunks($text, 4); ?>

4 Рис.2. Спектральные характеристики фоторезистора: a) идеальная, б) реальная такой вид она могла бы иметь лишь при абсолютном нуле. При повышении температуры тепловое движение «размывает» край собственного поглощения (рис.2, кривая «б»). Вблизи края собственного поглощения у некоторых полупроводников возникает так называемое экситонное поглощение, несколько снижающее величину фототока. (Электрон, возбужденный фотоном, покидает валентную зону, но зоны проводимости не достигает; эта система электрон-дырка, связанная кулоновским взаимодействием, и называется экситоном. Экситоны, будучи нейтральными образованиями, вклада в электропроводность не дают.) С увеличением энергии фотона в реальной спектральной характеристике фототок быстро достигает максимума, а затем начинает уменьшаться (рис.2, кривая «б»), хотя энергии фотона более чем достаточно для возникновения фотопроводимости. Это объясняется тем, что с уменьшением λ растет коэффициент оптического поглощения, а это приводит к поглощению света в тонком приповерхностном слое вещества, к повышению концентрации неравновесных носителей и соответственно повышенной скорости рекомбинации в этом слое. Другими словами, носители заряда активно рекомбинируют на поверхности, не успевая диффундировать в объеме полупроводника, что приводит к уменьшению фотопроводимости. Методика эксперимента. В качестве источников света в лабораторной установке используется набор светодиодов (кластер), излучающих в различных узких диапазонах длин волн. Эти диапазоны лежат в видимой и инфракрасной частях спектра. На рис. 3 представлена электрическая схема. В качестве источника ЭДС используется генератор регулируемого постоянного напряжения блока ИПС1, работающий в диапазоне 0..6,3 В. Такое включение измерительных приборов позволяет исключить шунтирование вольтметром фоторезистора. При этом в рабочем диапазоне токов влияние внутреннего сопротивления амперметра на показания вольтметра незначительное. При выполнении работы необходимо учитывать, что в лабораторной установке устанавливается не абсолютная, а относительная интенсивность излучения J/J0. Где J0

5 некоторая константа, задаваемая измерительным прибором и регулируется пользователем с помощью регулятора. Рис Соберите схему, показанную на рис 3. Выполнение работы. 2. Снимите семейство вольтамперных характеристик I f ( U ) J const, const 3. Снимите семейство световых характеристик IФ f ( J ) U const, const 4. Снимите спектральную характеристику фоторезистора IФ f ( ) J const, U const 5. По результатам измерений в пп. 2,3 и 4 постройте графики полученных характеристик. 6. Определите по спектральной характеристике край собственного поглощения λ0. По формуле (5) оцените ширину запрещённой зоны полупроводника, из которого изготовлен фоторезистор. Пользуясь таблицей 1 определите материал полупроводника. Контрольные вопросы. 1. Что такое внутренний фотоэффект? Чем он отличается от внешнего фотоэффекта? 2. Почему при освещении полупроводника его сопротивление уменьшается? 3. Что такое вольамперная, световая и спектральная характеристики фотосопротивлений? 4. Что такое длинноволновая граница фотопроводимости и как её определить?

6

7

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта.

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ. Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. Модульно учебные комплексы: 1. Модульный учебный

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. По спектральной характеристике фотоэлемента определить

Подробнее

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА С.В. Раткевич

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА С.В. Раткевич Лабораторная работа 3.12 ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА С.В. Раткевич Цели работы: 1. Изучить основы теории проводимости полупроводников. 2. Изучить явление внутреннего фотоэффекта. 3. Исследовать зависимость

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.8. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК Введение Явление фотопроводимости заключается в возрастании электропроводности полупроводника под действием света. Это явление используется

Подробнее

Работа 5.2 Изучение фотоэффекта

Работа 5.2 Изучение фотоэффекта Работа 5. Изучение фотоэффекта Оборудование: фотоэлементы, блок питания, регулятор напряжения, источники света, монохроматор, вольтметр, гальванометр. Введение Среди различных явлений, в которых проявляется

Подробнее

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: 1. Ознакомиться с внутренней ионизацией полупроводников под действием света на примере работы полупроводниковых фотоприемников. 2. Построить спектральную

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS

ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра физики твердого тела В.В. ПАРФЕНОВ ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS Методическое пособие к лабораторной

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 108

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 108 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Каедра изики ОТЧЁТ по лабораторной работе 108 ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (внутренний отоэект)

Подробнее

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный.

С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА. Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. С Т Р О Е Н И Е В Е Щ Е С Т В А ИЗУЧЕНИЕ ЯВЛЕНИЕ ФОТОЭФФЕКТА Цель работы: Изучить три вида фотоэффекта: внешний, внутренний и вентильный. 1. Краткое теоретическое введение Различают три вида фотоэффекта:

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение 1 ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомление с явлением поглощения оптического излучения полупроводником, измерение спектров поглощения кристаллов CdS и GaAs при комнатной

Подробнее

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта фотоэффект фотоэлектронов Внешним фотоэффектом Внутренний фотоэффект

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта фотоэффект фотоэлектронов Внешним фотоэффектом Внутренний фотоэффект ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Виды фотоэлектрического эффекта Среди физических явлений, в которых проявляется взаимодействие света с веществом, важным является фотоэлектрический эффект фотоэффект, открытый Г. Герцем

Подробнее

С.О. Зубович, Т.А. Сухова

С.О. Зубович, Т.А. Сухова МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

19. Типы фотоэффекта Внешний фотоэффект. Законы Столетова

19. Типы фотоэффекта Внешний фотоэффект. Законы Столетова 19. Типы фотоэффекта Гипотеза М. Планка о квантах света получила свое подтверждение и дальнейшее развитие при объяснении явления фотоэффекта. Как известно, в зависимости от способности проводить электрический

Подробнее

Изучение внешнего фотоэффекта

Изучение внешнего фотоэффекта Лабораторная работа 8 Изучение внешнего фотоэффекта ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Построить вольтамперную характеристику фотоэлемента;. Построить световую характеристику и определить чувствительность фотоэлемента. ПРИБОРЫ

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-17М

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-17М НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ ФКЛ-17М ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОРЕЗИСТОРА.

Подробнее

4. Какое из предложенных ниже выражений представляет собой закон Столетова?

4. Какое из предложенных ниже выражений представляет собой закон Столетова? ВАРИАНТ 1 1. На алюминиевый шарик, удаленный от других тел, направляют видимое излучение. Будет ли наблюдаться внешний фотоэффект? 1) Будет, если интенсивность излучения по величине не меньше работы выхода

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках

Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках 1. Поглощение света 2. Собственное поглощение света 3. Экситонное поглощение 4. Поглощение света носителями заряда 5. Фотопроводимость 6. Фоторезисторы

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 67 ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭФФЕКТА 1. СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 67 ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭФФЕКТА 1. СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 67 ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭФФЕКТА 1. СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА 1.1. Цель работы Целью работы является изучение явления внешнего фотоэффекта, исследование

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА

ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Хабаровск 2000 Министерство образования Российской Федерации Хабаровский государственный технический университет ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНОЙ

Подробнее

Исследование спектральной характеристики экспонометрического

Исследование спектральной характеристики экспонометрического Фоторезистор Исследование спектральной характеристики экспонометрического фоторезистора. Экспонометры для фото- и киноаппаратуры используют полупроводниковые фоточувствительные элементы. В течение многих

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 350. Введение

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 350. Введение 1 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 350 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА Цель работы: Экспериментально исследовать ВАХ фотосопротивления при разных длинах волн и неизменном значении освещенности; определить

Подробнее

Цель работы: изучение внешнего фотоэффекта. Задача: определение световой и вольт-амперной характеристики фотоэлемента. ВВЕДЕНИЕ

Цель работы: изучение внешнего фотоэффекта. Задача: определение световой и вольт-амперной характеристики фотоэлемента. ВВЕДЕНИЕ 3 Цель работы: изучение внешнего фотоэффекта. Задача: определение световой и вольт-амперной характеристики фотоэлемента. Техника безопасности: напряжение 0 В подается от сети на трансформатор и выпрямитель,

Подробнее

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи»

Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-упи» ПОЛУПРОВОДНИКИ Вопросы для программированного контроля по физике для студентов всех форм обучения всех

Подробнее

МОДУЛЬНЫЙ УЧЕБНЫЙ КОМПЛЕКС МУК-ОК «КВАНТОВАЯ ОПТИКА»

МОДУЛЬНЫЙ УЧЕБНЫЙ КОМПЛЕКС МУК-ОК «КВАНТОВАЯ ОПТИКА» МОДУЛЬНЫЙ УЧЕБНЫЙ КОМПЛЕКС МУК-ОК «КВАНТОВАЯ ОПТИКА» НАЗНАЧЕНИЕ Модульный учебный комплекс МУК-ОК предназначен для проведения практикума по физике в высших и средних учебных заведениях. Комплекс позволяет

Подробнее

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников

Лекц ия 13 Электропроводность полупроводников Лекц ия 3 Электропроводность полупроводников Вопросы. Понятие о собственной и примесной проводимости полупроводников, зависимость ее от температуры и освещенности. 3.. Основные свойства полупроводников

Подробнее

Т. 8 Корпускулярные свойства света. 2. Гипотеза о световых квантах. Уравнение Эйнштейна.

Т. 8 Корпускулярные свойства света. 2. Гипотеза о световых квантах. Уравнение Эйнштейна. Т. 8 Корпускулярные свойства света. 1. Экспериментальные данные о внешнем фотоэффекте. Законы внешнего фотоэффекта. 2. Гипотеза о световых квантах. Уравнение Эйнштейна. 3. Эффект Комптона. 4. Давление

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Лабораторная работа ФТ. 5 Определение времени жизни неравновесных носителей тока

Лабораторная работа ФТ. 5 Определение времени жизни неравновесных носителей тока Лабораторная работа Т. 5 Определение времени жизни неравновесных носителей тока Цель работы: исследование зависимости релаксирующего фототока как функции приложенного к фоторезистору опорного напряжения,

Подробнее

9 ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

9 ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ Лекция 9 ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ К полупроводникам относят класс веществ, характеризующихся значениями удельной электропроводности, промежуточными между удельной электропроводностью металлов

Подробнее

Методические указания к выполнению лабораторной работы ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОТОКА ОТ НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ РАЗНЫХ СВЕТОВЫХ ПОТОКАХ

Методические указания к выполнению лабораторной работы ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОТОКА ОТ НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ РАЗНЫХ СВЕТОВЫХ ПОТОКАХ Методические указания к выполнению лабораторной работы 3.3.4 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ФОТОТОКА ОТ НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ РАЗНЫХ СВЕТОВЫХ ПОТОКАХ Степанова Л.Ф., Рябов С.Е., Некрасов В.В., Добрынина В.В. Квантовая

Подробнее

Лабораторная работа 3.3

Лабораторная работа 3.3 Лабораторная работа 3.3 ИЗУЧЕНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И.Л. Дорошевич Цели работы: 1. Изучить основные закономерности внешнего фотоэффекта. 2. Построить вольт-амперные характеристики фотоэлемента при различных

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 107 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЁННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ПО ФОТОЭМИССИИ

Подробнее

Лабораторная работа 11 А

Лабораторная работа 11 А Лабораторная работа 11 А ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА И РАБОТЫ ВЫХОДА ФОТОКАТОДА МЕТОДОМ ЗАДЕРЖИВАЮЩЕГО ПОТЕНЦИАЛА Цель работы экспериментальная проверка уравнения Эйнштейна для внешнего фотоэффекта;

Подробнее

КВАНТОВАЯ ТЕОРИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.

КВАНТОВАЯ ТЕОРИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ для решения Контрольной работы 3 Основные формулы и примеры решения задач 1,, 3 приведены в задачнике под ред. А.Г. Чертова, стр.147-158 Основные формулы и примеры решения задач 4,

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет

Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет ВНЕШНИЙ ФОТОЭФФЕКТ Методические указания к выполнению лабораторной

Подробнее

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида)

Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Глава 6. Люминесценция кристаллов с глубокими центрами (статистика Шокли-Рида) Кроме доноров и акцепторов, в полупроводнике есть центры, энергия ионизации которых не является малой величиной по сравнению

Подробнее

Определение удельного сопротивления проводника

Определение удельного сопротивления проводника Определение удельного сопротивления проводника. Введение. Электрическим током называют упорядоченное движение заряженных частиц. Сами эти частицы называются носителями тока. В металлах и полупроводниках

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ. Кафедра физики МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тихоокеанский государственный университет»

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Работа 1а ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕМЕНТА Цель работы: снятие вольт-амперной характеристики фотоэлемента, определение красной границы фотоэффекта, работы выхода электрона и постоянной

Подробнее

ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ УДК 621.315.5 + 06 Березницкий А.Ю., Михайлов Н.В., Буданов И.Н. студенты 3 курс, факультет «Энергетический» Научный руководитель: Воронова Н.П., кандидат технических наук, доцент кафедры «Теоретические

Подробнее

Температурная зависимость параметров диодов.

Температурная зависимость параметров диодов. НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» www.opprib.ru e-mail: info@opprib.ru

Подробнее

Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта

Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 300 ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ. ВНЕШНЕГО ФОТОЭФЕКТА Цель и содержание работы Целью работы является ознакомление c явлением внешнего фотоэффекта. Содержание работы состоит в получении

Подробнее

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов

Заметная проводимость есть у проводников и полупроводников. 1) электропроводность полупроводников обычно существенно ниже, чем металлов Полупроводники и их свойства. По характеру электропроводности - три типа твердых тел : проводники (обычно - металлы) полупроводники диэлектрики (изоляторы) (+ твердые электролиты) Заметная проводимость

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИССЛЕДОВАНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА. Введение

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИССЛЕДОВАНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА. Введение ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.09. ИССЛЕДОВАНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА Введение Внешним фотоэлектрическим эффектом называется явление испускания (эмиссии) электронов поверхностью вещества под действием света, (поэтому

Подробнее

Кафедра физики. Лаборатория оптики ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 41 ИЗУЧЕНИЕ ЗАКОНОВ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА

Кафедра физики. Лаборатория оптики ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 41 ИЗУЧЕНИЕ ЗАКОНОВ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ДИЗАЙНА И ТЕХНОЛОГИИ НОВОСИБИРСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ

Подробнее

Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка

Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка Лабораторная работа Изучение внешнего фотоэффекта и определение постоянной Планка ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Изучить внешний фотоэффект;. Построить вольтамперную характеристику фотоэлемента; 3. Экспериментально определить

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ 2.5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ Оптоэлектронным называют полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой,

Подробнее

Измерение параметров фотодиодных приемников излучения (работа 3-1)

Измерение параметров фотодиодных приемников излучения (работа 3-1) Министерство образования Российской федерации Санкт-Петербургский Государственный университет информационных технологий, механики и оптики Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода.

Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода. Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода. 1 Цель работы: Изучить основные физические закономерности, определяющих свойства и параметры фотодиодов. Исследовать вольт-амперные

Подробнее

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей

Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Федеральное агентство по образованию РФ Ухтинский государственный технический университет 32 Изучение работы полупроводниковых выпрямителей Методические указания к лабораторной работе для студентов всех

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

Исследование некоторых закономерностей фотоэффекта

Исследование некоторых закономерностей фотоэффекта ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра «Общая физика и физика нефтегазового производства»

Подробнее

ВНЕШНИЙ ФОТОЭФФЕКТ Методические указания для работы с программой «Открытая Физика 1.1»

ВНЕШНИЙ ФОТОЭФФЕКТ Методические указания для работы с программой «Открытая Физика 1.1» ВИРТУАЛЬНАЯ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 7в (3_1) ВНЕШНИЙ ФОТОЭФФЕКТ Методические указания для работы с программой «Открытая Физика 1.1» Цель работы: Знакомство с квантовой моделью внешнего фотоэффекта. Экспериментальное

Подробнее

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора

Цель работы: Задача: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ зонная фосфора Цель работы: изучение фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Задача: 1) Снять семейство вольтамперных характеристик и с их помощью определить оптимальные сопротивления нагрузки; 2) Установить зависимость

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Работа 40 Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны может быть найдена с помощью измерений электропроводности или постоянной Холла в зависимости от температуры, а также

Подробнее

ЛАБОРАТОНАЯ РАБОТА 53 ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА V П. Рис. 1 Схема установки для исследования фотоэффекта

ЛАБОРАТОНАЯ РАБОТА 53 ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА V П. Рис. 1 Схема установки для исследования фотоэффекта ЛАБОРАТОНАЯ РАБОТА 53 ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА Цель работы экспериментальная проверка уравнения Эйнштейна для внешнего фотоэффекта; определение постоянной Планка и работы

Подробнее

Элементы электрических цепей постоянного тока.

Элементы электрических цепей постоянного тока. 030101. Элементы электрических цепей постоянного тока. Цель работы: Ознакомиться с основными элементами электрических цепей постоянного тока. Ознакомиться с составом модульного учебного комплекса МУК-ЭТ1.

Подробнее

Изучение некоторых закономерностей внутреннего фотоэффекта в полупроводниках

Изучение некоторых закономерностей внутреннего фотоэффекта в полупроводниках ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧЕРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра «Общая физика и физика нефтегазового производства»

Подробнее

Нижегородский государственный университет им.н.и.лобачевского. Национальный исследовательский университет

Нижегородский государственный университет им.н.и.лобачевского. Национальный исследовательский университет Нижегородский государственный университет им.н.и.лобачевского Национальный исследовательский университет Учебно-научный и инновационный комплекс "Новые многофункциональные материалы и нанотехнологии" Демидов

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

Исследование электрической цепи источника ЭДС.

Исследование электрической цепи источника ЭДС. 0300. Исследование электрической цепи источника ЭДС. Цель работы: определение электродвижущей силы источника (ЭДС), внутреннего сопротивления источника ЭДС, исследование зависимостей полезной и полной

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ СВЕТА НА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД В ПОЛУПРОВОДНИКЕ

ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ СВЕТА НА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД В ПОЛУПРОВОДНИКЕ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НЕФТЕГАЗОВЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Подробнее

Цепи переменного тока. Реактивные сопротивления

Цепи переменного тока. Реактивные сопротивления 010401. Цепи переменного тока. Реактивные сопротивления Цель работы: Ознакомиться с основными элементами электрических цепей синусоидального тока. Освоить методы электрических измерений в цепях синусоидального

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4 ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: а) ознакомление с явлениями фото- и электролюминесценции в полупроводниках; б) воздействие спектральных характеристик

Подробнее

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ ВБЛИЗИ КРАЯ СОБСТВЕННОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ ВБЛИЗИ КРАЯ СОБСТВЕННОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра «Физика и технология материалов и компонентов электронной техники»

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Московский Авиационный Институт (Государственный технический университет) Исследование характеристик фоторезистора Утверждено на заседании каф. 405 31.08.06 (Протокол 1) как учебно-методическое руководство

Подробнее

Кафедра «Общая физика» ИЗУЧЕНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА

Кафедра «Общая физика» ИЗУЧЕНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Курганский государственный университет Кафедра

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ

ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ Выполнил: Проверил: студент

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

Кафедра физики. Квантовая физика

Кафедра физики. Квантовая физика ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физики Квантовая физика Фотоэффект Учебное пособие для лабораторного практикума по физике. Для дневного и

Подробнее

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома

Рис Энергетическая диаграмма изолированного атома Лекция 1. Электропроводность полупроводников. Беспримесные полупроводники Полупроводники занимают по электропроводности промежуточное положение между металлами (проводниками электрического тока) и диэлектриками.

Подробнее

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента.

Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента. Цель работы: Измерение вольтамперной характеристики солнечного элемента 1 Изучить устройство и принцип действия солнечных элементов 2 Экспериментально построить вольтамперную и нагрузочную характеристики

Подробнее

С.А. Курашова КВАНТОВАЯ ОПТИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ

С.А. Курашова КВАНТОВАЯ ОПТИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ С.А. Курашова КВАНТОВАЯ ОПТИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ Санкт-Петербург 2016 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ УНИВЕРСИТЕТ ИТМО С.А. Курашова КВАНТОВАЯ

Подробнее

Вопросы для подготовки к зачету 2 семестр. Постоянный ток.

Вопросы для подготовки к зачету 2 семестр. Постоянный ток. Вопросы для подготовки к зачету 2 семестр. Постоянный ток. 1. Какой заряд будет перенесен через поперечное сечение проводника за 2с при силе тока 10 А? А). 12 Кл. Б). 0,2 Кл. В). 20 Кл. Г). 5 Кл. 2. В

Подробнее

Виды электронной эмиссии

Виды электронной эмиссии Виды электронной эмиссии Физические процессы, протекающие в вакуумных электронных приборах и устройствах: эмиссия электронов из накаливаемых, холодных и плазменных катодов; формирование (фокусировка) и

Подробнее

ФОТОЭФФЕКТ Учебно-методическое пособие

ФОТОЭФФЕКТ Учебно-методическое пособие МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ ФОТОЭФФЕКТ Учебно-методическое пособие Томск Издательский Дом Томского государственного

Подробнее

1.Тормозное рентгеновское излучение

1.Тормозное рентгеновское излучение 1.Тормозное рентгеновское излучение Квантовая природа излучения подтверждается также существованием коротковолновой границы тормозного рентгеновского спектра. Рентгеновские лучи возникают при бомбардировке

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ЗАКОНОВ ФОТОЭФФЕКТА

ИЗУЧЕНИЕ ЗАКОНОВ ФОТОЭФФЕКТА Министерство образования и науки Российской едерации. едеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный строительный университет»

Подробнее

Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации. Московский энергетический институт (технический университет)

Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации. Московский энергетический институт (технический университет) УДК 621.38 Л-556 Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Московский энергетический институт (технический университет) В. А. Лигачев, А. И. Попов Лабораторная работа Спектральная

Подробнее

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1

W e. И.В. Музылёва, 2014 год Страница 1 1. Классификация твердых тел по проводимости в соответствии с зонной теорией. В соответствии с принципом квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться

Подробнее

Конспект лекций по курсу общей физики Часть II Электричество и магнетизм Лекция 7 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ГАЗАХ

Конспект лекций по курсу общей физики Часть II Электричество и магнетизм Лекция 7 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ГАЗАХ Конспект лекций по курсу общей физики Часть II Электричество и магнетизм Лекция 7 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ГАЗАХ 5.1. Ионизация газов Газы представляют собой хорошие изоляторы. Это означает, что их молекулы

Подробнее

Дисперсия света Поляризация. Волновая оптика

Дисперсия света Поляризация. Волновая оптика Дисперсия света Поляризация Волновая оптика Дисперсия света зависимость показателя преломления n вещества от частоты ν (длины волны λ) света, или зависимость фазовой скорости v световых волн от его частоты

Подробнее

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА I.НЕОБХОДИМЫЕ СВЕДЕНИЯ Целью настоящего эксперимента является исследование основных характеристик солнечного элемента. Солнечный элемент поглощает электромагнитную

Подробнее

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин

Лабораторная работа ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин Лабораторная работа 3.66. ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА Ю.В. Коробкин Цель работы: определить интегральную и спектральную чувствительность полупроводникового фотоэлемента, оценить ширину запрещенной

Подробнее

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ПРОВЕРКА УРАВНЕНИЯ ЭЙНШТЕЙНА ДЛЯ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА ПРИ ИЗУЧЕНИИ КВАНТОВОЙ КОНЦЕПЦИИ СВЕТА

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ПРОВЕРКА УРАВНЕНИЯ ЭЙНШТЕЙНА ДЛЯ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА ПРИ ИЗУЧЕНИИ КВАНТОВОЙ КОНЦЕПЦИИ СВЕТА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ПРОВЕРКА УРАВНЕНИЯ ЭЙНШТЕЙНА ДЛЯ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОСТОЯННОЙ ПЛАНКА ПРИ ИЗУЧЕНИИ КВАНТОВОЙ КОНЦЕПЦИИ СВЕТА Аксёнов А.В., Филатов В.А., Кучер М.И., Френкель Е.Э. Вольский

Подробнее

Квантовая физика. Кванты света. Энергия излучается и поглощается квантами (порциями). Световая корпускула (частица), квант электромагнитного

Квантовая физика. Кванты света. Энергия излучается и поглощается квантами (порциями). Световая корпускула (частица), квант электромагнитного Квантовая физика Кванты света Энергия излучается и поглощается квантами (порциями) Световая корпускула (частица), квант электромагнитного излучения называется фотоном Масса покоя фотона равна нулю (покоящихся

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. 1. Выпрямительные диоды

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ. 1. Выпрямительные диоды ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Выпрямительные диоды Выпрямительный диод - полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания.

Подробнее