РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ"

Транскрипт

1 Министерство образования Российской Федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА Филиал "Восток" РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Учебно-методическое пособие Казань 00

2 УДК 6.75 Авторы-составители: С.Г.Прохоров В.Г.Трусенев Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе: Учебнометодическое пособие: Для студентов заочного и очного обучения / Сост. С.Г.Прохоров, В.Г.Трусенев. / Казань: Изд-во Казан. гос. техн. ун-та, с. Учебно-методическое пособие предназначено для проведения практических занятий по электронике в дисциплине "Электроника и микропроцессорная техника" федеральной составляющей Государственного образовательного стандарта по направлению подготовки дипломированного специалиста "Приборостроение". Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных специальностей, в том числе и радиотехнического профиля. Табл. 5. Ил.. Библиогр.: назв. Рецензент: докт. физ.-мат. наук В.Ю.Петухов (Казанский государственный университет). Рекомендовано к изданию Учебно-методическим центром КГТУ им. А.Н.Туполева

3 Расчет усилителей на транзисторах включает следующие основные этапы:. Выбор транзистора и элементной базы.. Расчет статического режима (т.е. расчет транзистора по постоянному току).. Расчет динамического режима (т.е. расчет транзистора по переменному току). Как правило, на практике при проектировании усилителя инженеру даются исходные данные: входное (U вх ) и выходное (U вых ) напряжение усилителя (или коэффициенты усиления усилителя по току К I и по напряжению K U ); входное сопротивление усилителя ( вх ); сопротивление нагрузки ( н ); полоса пропускания усилителя Δf f в f н, где f н, f в нижняя и верхняя граничные частоты усиления; диапазон рабочих температур Т 0 ±ΔТ; напряжение источника питания Е к. Число исходных параметров, формируемых потребителем, может быть больше, либо меньше приведенных. Расчет статического режима работы биполярного транзистора по постоянному току Расчет статического режима состоит в определении постоянных токов и напряжений на выводах транзисторов, а также потребляемой мощности. Расчет начинается с задания рабочей точки на входной и выходной вольтамперной характеристиках (ВАХ) транзистора. После этого по закону Ома рассчитываются сопротивления резисторов для выбранной схемы каскада. Расчет завершается определением коэффициента температурной нестабильности S и приращения коллекторного тока при изменении температуры Т. Задание рабочей точки означает задание ее положения на входной и выходной характеристиках (рис. ). Из рисунка видно, что задание сопротивления коллекторной нагрузки к фиксирует положение рабочей точки в пределах нагрузочной прямой. Задание тока базы (в данном случае ) фиксирует положение рабочей точки уже на одной точке нагрузочной прямой (точка "А" на рис. ).

4 0,8 (ма) U к 0 U к 5В 40 I к (ма) 6 5 0, ,4 А 0 A 0, , 0, 0,5 U бэ (В) U кэ (В) Рис.. Положение рабочей точки "А" на входной и выходной характеристиках транзистора Задать ток базы можно с помощью источника тока (напряжения), включенного в цепь базы. Однако включение в схему дополнительного источника напряжения нерационально, поэтому используют другие способы. Способ фиксированного тока базы Рассмотрим следующую схему (рис.). Здесь резистор к задает нагрузочный режим, т.е. нагрузочную прямую, на которой выбираем рабочую точку "А". Составим уравнение равновесия напряжений по второму правилу Кирхгофа для входной цепи: Eк UбэА Eк IбА б + UбэА б. I U вх 4 ба б к I к Е к U бэ U кэ U вых Рис.. Схема для задания фиксированного тока базы Отметим, что в данной формуле Е к задано в исходных данных, ток базы в точке "А" А и напряжение базаэмиттер в точке "А" U бэа мы выбираем сами на входной характеристике, ориентируясь на выходную ВАХ (рис.). Учитывая, что Е к >>U бэа, то ток базы в точке "А" получается фиксированным при заданном напряжении питания, не зависимым от влияния температуры и равным: Eк IбА. б Недостаток схемы заключается в том, что транзисторы имеют разброс параметров и при замене транзистора надо заново рассчитывать величину базового резистора б. Заметим также, что причинами температурной нестабильности коллекторного тока являются увеличение обратного коллекторного тока и уменьшение U бэа с увеличением температуры. Данная схема не стабилизирует ни один из этих параметров.

5 Принято характеризовать влияние изменения обратного тока коллектора I к0 на ток коллектора I к коэффициентом температурной нестабильности S: diк S. diк0 Для схемы с общим эмиттером + D S, α + D β э э э к где α, D + +. β + Здесь э сопротивление в цепи эмиттера. В данном случае э 0, поэтому D 0 и, следовательно, S β +, α где β э коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (β э ~00), т.е. коэффициент температурной нестабильности S очень велик. Способ фиксированного напряжения базы В схему включения транзистора вместо одного базового резистора вводим делитель из двух сопротивлений (рис. ). Напряжение источника питания Е к задано в исходных данных. Считаем также известными ток базы транзистора в точке "А" А и падение напряжения на транзисторе в точке "А" U бэа, поскольку рабочую точку "А" выбираем сами на нагрузочной прямой. По второму правилу Кирхгофа запишем уравнение равновесия напряжений для входной цепи: E к I + I, или, с другой стороны, E к I + U, причем I + бэа I IбА. Если известен параметр э входное сопротивление транзистора, то сопротивление, которое включено ему параллельно, выбирают в 5 раз больше входного сопротивления транзистора э. Зная э, находим 5 э, затем находим ток через резистор U бэа Eк U бэа I. I + I ба 5 I к I к U вх I Е к U бэ U кэ U вых Рис.. Схема задания фиксированного напряжения базы

6 Однако входное сопротивление транзистора известно не всегда и чтобы не определять его графическим методом по входной ВАХ, обычно поступают следующим образом. Выбирают ток делителя I для маломощных транзисторов в 5 0 раз больше тока базы А : I (5 0)А. U бэа Eк U бэа I I IбА. I I Преимущество схемы: в случае замены транзистора не требуется менять сопротивления в схеме, т.к. напряжение на базе не изменится, поскольку оно фиксировано делителем,. Недостаток: как и в предыдущей схеме отсутствует резистор в цепи эмиттера ( э 0), поэтому коэффициент температурной нестабильности S попрежнему очень велик S β +. α Задание рабочей точки с помощью отрицательной обратной связи по току Задача расчета транзистора по постоянному току состоит в определении номинальных значений резисторов в схеме, которые задают рабочую точку транзистора. Рассмотрим схему на рис. 4. В данном случае мы должны найти величины сопротивлений к,,, I к I к э, а также коэффициент температурной нестабильности S и приращение коллекторного тока ΔI к при заданном диапазоне изменения температуры ΔТ. Решим эту задачу для конкретного случая. Выберем стандартный источник питания Е к В, транзистор КТ-Б. Для данного транзистора в справочнике приведены все необходимые характеристики (рис. 5 8). Выбираем режим работы транзистора. Пусть это будет режим работы класса А. Выберем рабочую точку "А" транзистора с параметрами U кэа 5 В, I кэа 8 ма. Проводим нагрузочную прямую через точку "А" и через точку с координатами U кэ Е к В, I кэ 0 до пересечения с осью тока. По нагрузочной характеристике находим максимальное значение тока насыщения транзистора. Для рассматриваемого случая оно равно I кн 0 ма. Зная ток насыщения транзистора, можем теперь найти величину резистора в цепи коллектора к Eк Eк В I кн к 400 Ом. I 0 0 А к U вх I Е к U бэ U кэ Uвых э Рис. 4. Схема с ООС по току кн 6

7 I к (ма) 0,7мА ,6мА 0,5мА 0,4мА 0 A 0,мА 0 0,мА 0,мА U кэ (В) Рис. 5. Выходные характеристики транзистора КТБ 0,8 0,7 0,6 0,5 (ма) U к 0 U к 5В 0,4 А 0, 0, 0, 0 0, 0, 0, 0,4 0,5 U бэ (В) U бэа Рис. 6. Входные характеристики транзистора КТБ Из стандартного ряда сопротивлений выбираем ближайший номинал к 40 Ом или 90 Ом, в зависимости от требований к коэффициенту усиления К U или полосе пропускания. Если нам необходимо получить максимальный коэффициент усиления К U, то нужно выбрать значение коллекторного сопротивления, равное к 40 Ом, если же нам требуется максимальная полоса пропускания, то нужно взять к 90 Ом. 7

8 Далее по выходной характеристике транзистора определяем ток базы в точке "А" А (рис. 5). В данном случае он равен: А 0,4 ма. Затем по входной характеристике находим значение напряжения на базе в точке "А" U бэа. В нашем примере падение напряжения на базе будет равно: U бэа 0,46 В. Ток эмиттера является суммой токов коллектора и базы, т.е. I эа IкA + IбА 8 ма + 0,4 ма 8,4 ма. Составляем уравнение равновесия напряжений по второму правилу Кирхгофа для цепи эмиттер-коллектор Eк IкA к + U кэ + I эа э. () Для входной цепи по второму правилу Кирхгофа можно составить два уравнения равновесия напряжений: Eк I + I ; () Eк I + U бэа + U э I + U бэа + I эа э. () Из уравнений () и () следует, что U I U э + U бэа I эа э + U бэа. Сопротивление э осуществляет отрицательную обратную связь по току (ООС). Падение напряжения на нем должно быть небольшим, поэтому обычно из практических соображений выбирают U э (0, 0,)Е к. Возьмем в нашем случае U э 0,Е к, тогда из этого условия можно найти значение сопротивления в цепи эмиттера: U э 0. Eк 0, В э 66 Ом. I эа I эа 8,4 0 А Выбираем номинал резистора по стандартному ряду сопротивлений типа МЛТ, равный 00 Ом. Тогда падение напряжения на эмиттерном сопротивлении будет равно: U э I эа э 8,4 0 А 00 Ом,84 В. Для задания фиксированного напряжения на базе транзистора необходимо, чтобы U U э + U бэ,84 + 0,46, В. Для расчета сопротивления необходимо знать величину тока I. Как и в предыдущем случае из практических соображений выбираем значения токов I и I равными: I 5 IбА 5 0,4 ма ма, I I IбА 0,4,6 ма. Теперь можем рассчитать величину резистора : U, В 48 Ом. I,6 ма Выбираем ближайший номинал из стандартного ряда сопротивлений типа МЛТ, равный,5. Далее по уравнению () для входной цепи рассчитываем величину резистора : 8

9 (,) Eк U В 4850 Ом. I 0 А Выбираем номинал из стандартного ряда, равный 5,. Рассчитаем теперь мощность рассеяния на выбранных нами сопротивлениях: P P к э I P I P I I к э к э ( 0 ) 5, 0 0,4 0 Вт; (,6 0 ),5 0,84 0 Вт; ( 8 0 ) 40 9, 0 Вт; ( 8,4 0 ) 00,856 0 Вт. Таким образом, в нашу схему для задания рабочей точки необходимо поставить резисторы следующих номиналов: МЛТ 0,5 Вт 5, ; МЛТ 0,5 Вт,5 ; к МЛТ 0,50 Вт 40 Ом; э МЛТ 0,5 Вт 00 Ом. Далее рассчитаем коэффициент температурной нестабильности. Пусть начальная температура окружающей среды будет равна Т 0 0 о С, интервал изменения температуры ΔТ+40 о С. Значение коэффициента передачи тока транзистора схемы с общим эмиттером для начальной и конечной температуры находим по графику на рис. 7. Рассчитаем параметры D и α: э э э к D ,00 + 0, ,006 0,09; α э э 50 0, э (β) Т о С Рис. 7. Зависимость коэффициента усиления тока базы от температуры Теперь можно определить коэффициент температурной нестабильности для схемы с ООС по току: 9

10 + D + 0,09,09 S 9,67. α + D - 0,98 + 0,09 0, Зная коэффициент температурной нестабильности, можно найти величину приращения коллекторного тока ΔI к при изменении температуры в заданном интервале ΔТ. Величину изменения обратного коллекторного тока ΔI к0 находим по графику на рис I к0 (мка) где T о C Рис. 8. Зависимость обратного тока коллектора от температуры ε ΔT Δэ ΔI к S ΔIк0 + + ( Iб + Iк0 ), э + б э б, ε,5 мв/град. + Δ э э ( T0 + ΔT ) э ( T0 ) находим из графика на рис. 7. Δ I к 0 Iк ( T 0+ΔT ) Iк ( T0 ) определяем из графика на рис. 8. В нашем случае получаем следующий результат: о о Δ (60 ) (0 ) ; э э э о о к0 Iк (60 ) Iк (0 ),05 0, ΔI 0,85 мка ; б 60 Ом ; ΔI к S ΔI к0 9,67 0,85 0 9,67 (0, ,67,55 0 ε ΔT + + э 6 б + 79,4 0 ( I + I ) б 6,098 0 к0 Δ э э (,5) (0, , 0, 0 6 ) А + 0, ) 50 0

11 Далее следует учесть то, что реальные сопротивления всегда имеют технологический разброс значений, зависящий от класса точности изготовления резисторов. Поэтому необходимо определить значения коэффициента температурной нестабильности и приращения коллекторного тока, если резисторы,, к, э имеют разброс параметров ±δ. Допустим, что в нашем случае разброс параметров сопротивлений равен ±δ0%. Рассчитаем два варианта, когда коэффициент температурной нестабильности и, следовательно, приращение коллекторного тока будут иметь максимальное и минимальное значения. Это произойдет в том случае, когда параметр D будет принимать минимальное и максимальное значения соответственно. Если сопротивления к, э изменятся на δ, а, на +δ, то параметр D, будет иметь минимальное значение. Если резисторы к, э изменятся на +δ, а, на δ, то параметр D достигнет максимального значения. Определим, какие значения примут резисторы при заданном разбросе параметров: min 500 δ 570 Ом; max δ 660 Ом; min 500 δ 050 Ом; max δ 950 Ом; кmin 40 δ 0 Ом; кmax 40 + δ 559 Ом; эmin 00 δ 70 Ом; эmax 00 + δ 0 Ом. Рассчитаем минимальное и максимальное значение параметра D: D D min max , , ,006 0,048; , ,8 + 0, Далее найдем максимальное и минимальное значения S: S S max min + D α + D + D α + D min max min max + 0,048 5,4; 0,98 + 0, ,796 5,9. 0,98 + 0,796 Теперь определим приращения коллекторного тока: ΔI к max 5,4,55 0 ΔI к min S S max min ΔI 5,9, ΔI к0 6 к0 ε ΔT + +,749 0 э э ε ΔT + + б б 0, ( I + I ),7 0 ( I + I ) 0,67 0 На этом расчет статического режима работы транзистора закончен. б б к0 к0 Δ А; Δ э э э э А.

12 Задачи для самостоятельной работы По числовым данным, приведенным в табл., рассчитать статический режим работы транзистора КТ-Б, характеристики которого даны на рис Схема усилительного каскада приведена на рис. 4. В таблице даны: положение рабочей точки (U кэа, I кэа ), напряжение питания каскада (Е к ), номинальное значение температуры окружающей среды (Т), интервал изменения температуры (ΔТ), интервал разброса параметров резисторов (δ). Определить номинальные значения резисторов,, к, э, коэффициент температурной нестабильности S, приращение коллекторного тока ΔI к в заданных интервалах температуры и разброса параметров. Таблица Номер U кэа, I кэа, Е к, Т, ΔТ, δ, варианта В ма В С С % ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ± ±0 7, ±0 4, ±0 5, ± ± ± ± ± ± ±0 7, ±0 7, ± ± ± ± ±0

13 Окончание таблицы Номер U кэа, I кэа, Е к, Т, ΔТ, δ, варианта В ма В С С % ± ±0 0 7, ± ± ± ± ± ± ± ±0 Расчет динамического режима работы биполярного транзистора по переменному току Общий подход к задачам расчета усилителей переменного тока Расчет усилителя по переменному току состоит в определении усилительных характеристик и параметров схемы усилителя. На первом этапе по известным математическим моделям транзисторов составляется математическая модель всей схемы (так называемая электрическая эквивалентная схема). На втором этапе рассматривают по этой модели искомые характеристики и параметры известными методами расчета электрических цепей. По отношению к сигналам малой амплитуды (это вполне естественно, т.к. усилители собственно и предназначены для усиления слабых сигналов) транзистор можно рассматривать как линейное устройство. Это существенно упрощает расчет, т.к. возможно применение хорошо развитых методов расчета линейных электрических цепей. В частности, в этом случае транзистор можно представить в виде линейного четырехполюсника, т.е. в виде стандартной гибридной -схемы. В табл. даны три схемы включения транзистора и соответствующие им эквивалентные электрические схемы в -параметрах транзистора включенного по схеме с общим эмиттером. Схемы представлены только для переменного сигнала, а все источники постоянного напряжения заменены короткозамкнутыми цепями. В данных эквивалентных электрических схемах не учтены емкости p-n-переходов и емкость нагрузки. Во всех схемах даны -параметры для схемы с общим эмиттером, поскольку в справочниках приведены вольт-амперные характеристики транзистора именно для схемы с общим эмиттером.

14 Схема включения транзистора Б К Эквивалентная электрическая схема (-модель) Б Н U U ВХ Э I э U. э / э. э I Э К I н U Таблица Упрощенная эквивалентная электрическая схема Б U I Э Э. I Э К I / Э Н U Э Б К н Э U I э э. I / э К н I Э U I Э Э. I К I Н U. э Б U Б U Э Э I I э Э I Б К н I э U. э U К / э н э. I U U э. I К U н В упрощенных эквивалентных электрических схемах пренебрегаем генератором напряжения э. U, т.к. параметр э мал (~ ), а также пренебрегаем выходным сопротивлением транзистора / э, которое включено параллельно генератору тока ( э ~ ). В некоторых случаях, например при больших номиналах сопротивлений нагрузки и коллекторных резисторов, выходное сопротивление транзистора необходимо учитывать. U I /. I U. Рис. 9. Универсальная эквивалентная электрическая схема транзистора I н U 4 В целом эквивалентная электрическая схема, представленная на рис. 9 (аналог схемы включения транзистора с общим эмиттером в табл. ), является универсальной для всех схем включения транзистора. Но в этом случае все -параметры транзистора должны соответствовать данной схеме включения транзистора, т.е. для схемы с общей базой это должны быть б, б, б, б, а для схемы с общим коллектором к, к, к, к соответственно.

15 Переход от -параметров схемы с общим эмиттером к -параметрам схемы с общей базой или общим коллектором можно осуществить по формулам табл.. Таблица -параметры схемы с общим эмиттером э э э э -параметры схемы с общей базой э б э + э + Δэ Δэ э б + э + э + Δэ ( э + Δэ ) б э + э + Δэ э б э + э + Δэ Δ -параметры схемы с общим коллектором к э к э ( + ) к э к э э э э Если в справочнике не приведены -параметры транзистора, а даны только вольтамперные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером, то -параметры определяются графическим путем с помощью заданных вольтамперных характеристик. Например, входное сопротивление транзистора э может быть определено по входной характеристике f(u БЭ ) при U кэ const (рис. 0). Пусть задан ток базы А, определяющий статический режим работы транзистора. На входной характеристике находим I рабочую точку "А", соответствующую б (ма) U к 0 U к 5В этому току. Выбираем вблизи 0,8 рабочей точки "А" две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определяем приращение 0,6 тока базы Δ и напряжения ΔU бэ, по которым находим дифференциальное сопротивление ΔI 0,4 А б ѓўu áý ý, U ѓўi кэ const. á 0, Параметры э и э определяются из семейства выходных характеристик I к f(u кэ ). Параметр э находится 0 0, 0, 0,5 U бэ (В) при заданном напряжении коллектора U кэ const, проходящем Рис. 0. Графический способ ΔU бэ нахождения параметра э через рабочую точку "А" (рис. ). э э 5

16 40 I к (ма) 0,7мА 0,6мА 0 0,5мА 0,4мА ΔI к 0 0 A 0,мА 0,мА 0,мА U кэ (В) U кэ const Рис.. Графическое определение параметра э Приращение тока базы Δ следует брать вблизи заданного значения тока базы А как Δ. Этому приращению Δ соответствует приращение коллекторного тока ΔI к I к I к. Тогда параметр э находится как ѓўi ê ý, U ѓўi кэ const. á Параметр э определяется по наклону выходной характеристики. Из семейства выходных характеристик выбирается та характеристика, на которой находится рабочая точка "А". На этой характеристике (т.е. при А const) вблизи точки "А" выбираются две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определяется приращение коллекторного напряжения ΔU кэ, вызывающее приращение коллекторного тока ΔI к (рис. ). Тогда параметр э будет равен ΔIк э, const. ΔU ΔI к кэ I к (ма) A 0,7мА 0,6мА 0,5мА 0,4мА 0,мА 0,мА 0,мА ΔU кэ Uкэ (В) Рис.. Графический способ нахождения параметра э 6

17 Графическое определение параметра э затруднено, поскольку семейство входных характеристик при различных U кэ >0 практически сливается в одну (рис. 0). Параметр э равен ѓўu áý ý, I ѓўu б const. êý Учитывая, что значение параметра э весьма мало (~ ) и им, как правило, всегда пренебрегают, определять его графическим способом нет необходимости. Расчет основных параметров усилителя на биполярных транзисторах Основными параметрами усилителя принято считать: коэффициент усиления по напряжению К U ; коэффициент усиления по току К I ; входное сопротивление усилителя вх ; выходное сопротивление усилителя вых. Названные параметры, как правило, рассчитываются на средних частотах, т.е. в полосе пропускания усилителя, когда влиянием всех реактивных элементов схемы можно пренебречь, поскольку в полосе пропускания коэффициент усиления К 0 усилителя должен оставаться неизменным, как показано на рис.. Здесь f н и f в нижняя и верхняя граничные частоты усиления усилителя, а Δf f в f н полоса пропускания усилителя. K 0 0,707K 0 K(ω) f н f в f Рис.. Амплитудно-частотная характеристика широкополосного усилителя Вне полосы частот пропускания усилителя его параметры К U, К I, вх, вых приобретают комплексный характер, т.е. становятся частотнозависимыми. Для расчета параметров транзисторного усилителя вне полосы пропускания необходимо учесть инерционные свойства транзистора включением в эквивалентную схему транзистора емкостей коллекторного и эмиттерного переходов, а также реактивные элементы схемы усилителя (конденсаторы, катушки индуктивности, реактивный характер нагрузки). Последовательность расчета следующая:. Составляют эквивалентную электрическую схему усилителя. При этом рекомендуется воспользоваться табл... Рассчитывают основные параметры К U, К I, вх, вых для каждого каскада усилителя по составленной эквивалентной схеме. Для упрощения расчетов можно воспользоваться формулами табл. 4 как в точном, так и в приближенном виде. 7

18 Параметры Общий эмиттер Общая база Общий коллектор K U э н э + Δэ э н + г.экв н э Таблица 4 ( э + Δэ ) н ( + э ) н э + Δэ н э + ( -э + э + Δэ ) н э г.экв + н э э + э н э э + Δэ + э + э н -э + э + Δэ + э н + э н K I э э + э + э н э + э н + э н э + Δэ н э + Δэ н э + ( э + э + Δэ ) + э н -э + э + Δэ + э н Δэ + э н вх э э + д э э + ( э + ) н э э э + г э + ( э + э + Δэ ) г э + г Δэ + э г Δэ + э г -э + э + Δэ + э н вых э + э г э + г э э г э Примечания:. Нижние значения в таблице являются приближенными.. Δ э э э э э.. г сопротивление источника входного сигнала (сопротивление генератора). э н н 8

19 При расчетах необходимо учитывать, что входное сопротивление вх следующего (n+) каскада является сопротивлением нагрузки н предыдущего n-го каскада. При этом выходное сопротивление n-го каскада является сопротивлением г ( с ) источника сигнала для последующего (n+) каскада. Сказанное можно выразить следующим образом: ; ). вх( n+ ) н( n) вых( n) г( n+ При расчетах полезно воспользоваться структурным представлением усилителя в виде последовательно соединенных "черных ящиков", как показано на рис. 4, что позволяет избежать ошибок и наглядно, в целом, представить процесс расчета, не теряясь в мелких деталях. I вх Усилитель U вх г вых вых вых вх вх вх н ~ ~ ~ ~ Каскад Каскад Каскад Рис. 4. Структурная схема усилителя Рассчитывают параметры К U, К I всего усилителя по формулам: K K U I K K U I K K U I K K I U Входное и выходное сопротивления усилителя определяются соответствующими сопротивлениями входного и выходного каскадов. Примеры. Рассчитать основные параметры усилительного каскада с емкостной связью, схема которого приведена на рис. 5. Параметры транзистора:, 50, , 0-5 См. Поскольку мы рассматриваем только параметры транзистора для схемы включения с общим эмиттером, то здесь и ниже в индексах параметров букву "э" будем опускать. Параметром пренебрегаем. Составим эквивалентную электрическую схему каскада для всего рабочего диапазона усилителя, пользуясь табл., учитывая как емкости p-n-переходов транзистора, так и емкость нагрузки. Введем обозначения: С входная ем- 9 U вх C р б 0к 5,к к C р Е к н Рис. 5. Схема усилительного каскада с емкостной связью к

20 кость транзистора или емкость эмиттерного p-n-перехода, С 0 суммарная емкость выходной цепи каскада, равная C +, 0 C + Cм Сн где С выходная емкость транзистора или емкость коллекторного p-n-перехода, С м емкость монтажа, С н емкость нагрузки. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером (рис. 6). С р С р б C э. э I / э C 0 н к Рис. 6. Полная эквивалентная электрическая схема каскада с емкостной связью Удобно проводить расчет усилителя отдельно для областей нижних, средних и верхних частот. Для каждой области составляется своя эквивалентная электрическая схема, по которой и рассчитываются параметры усилителя. Так в области нижних частот необходимо учесть, что величины емкостей С и С 0 невелики и при низких частотах сопротивление этих конденсаторов гораздо больше, чем параллельно включенные им резисторы б, и к, н, соответственно. Поэтому влиянием этих емкостей на работу схемы можно пренебречь (рис. 7). С р С р б э. э I / э к н Рис. 7. Эквивалентная электрическая схема усилителя в области нижних частот Номиналы емкостей С р и С р достаточно велики (~мкф), поэтому их сопротивления в области верхних частот становятся очень малыми и ими при расчетах каскада в данной области можно пренебречь. Соответственно уменьшается и сопротивление емкостей С и С 0. Эти конденсаторы начинают шунтировать включенные параллельно им резисторы б, и к, н, соответственно. Следовательно, в области верхних частот необходимо учитывать влияние емкостей p-n-переходов и емкости нагрузки на работу усилителя (рис. 8). В следующих примерах эквивалентная электрическая схема усилителя в области верхних частот приводиться не будет. 0

21 э. б C э I / э к C 0 н Рис. 8. Эквивалентная электрическая схема усилителя в области верхних частот Учитывая, что мы рассчитываем основные параметры каскада в области средних частот, где коэффициенты усиления по току и напряжению не зависят от частоты (см. рис.), то всеми реактивными элементами в схеме замещения можно пренебречь. Тогда эквивалентная электрическая схема упрощается (рис. 9). б э. э I / э к н Рис. 9. Эквивалентная электрическая схема каскада с емкостной связью в области средних частот Используем полученные результаты для проведения расчетов. Из схемы замещения видно, что входное сопротивление каскада в данном случае будет равно параллельному соединению резисторов б и : б 0 вх 0,9. б Сопротивление нагрузки равно параллельному соединению резисторов к и н : к н 5, н 0, , + к н Теперь можно рассчитать коэффициенты усиления каскада по напряжению и току. Поскольку в данной схеме отсутствует сопротивление генератора, которое может понадобиться для дальнейших расчетов, то обычно в таких случаях его принимают равным г 60 Ом. В аналоговой электронике чаще имеют дело с усилителями напряжения, поэтому в качестве источника сигнала используется генератор напряжения. В эквивалентной электрической схеме замещения сопротивление генератора г по отношению к транзистору или параметру будет включено последовательно (рис. 0, а).

22 С другой стороны, биполярные транзисторы управляются током, поэтому генератор напряжения можно заменить эквивалентным ему генератором тока. Тогда сопротивление г по отношению к резистору б и входному сопротивлению транзистора будет включено параллельно (рис. 0, б). Относительно входного сопротивления транзистора все внешние резисторы в эквивалентной схеме можно считать сопротивлением генератора, поэтому их можно заменить одним эквивалентным сопротивлением г.экв (рис. 0, в). г ~ б э г б э г.экв э а б в Рис. 0. Определение эквивалентного сопротивления генератора и б : В данном случае, г.экв равно параллельному соединению резисторов г г б г.экв 59,6 60 Ом г б Таким образом, когда параллельно включенные сопротивления отличаются по величине более чем на порядок, то результирующее сопротивление можно приблизительно считать равным меньшему из них. Тогда коэффициенты усиления будут равны: K K U I н г.экв + + н ,6; , Если учитывать ток, протекающий только по резистору нагрузки н, т.е. учитывать только полезную мощность отдаваемую в нагрузку, то коэффициент усиления по току будет равен: к 49,6 5, K I н 4, , + н к н Выходное сопротивление каскада будет равно параллельному соединению выходного сопротивления транзистора и резистора к : ( / ) к 00 5, вых 4,85. / , к

23 . Рассчитать основные параметры усилительного каскада, схема которого приведена на рис.. Параметры транзистора: 800 Ом, 48, , См. Е к Прежде всего, составим соответствующую эквивалентную электриче- к 5,к скую схему. Параметром пренебрегаем, как и в предыдущем примере. г Поскольку схема не содержит реактивных элементов, то сразу составляем эк- к U вх вивалентную схему для области средних частот. Транзистор включен по э 0,5к схеме с общим эмиттером, причем в данном каскаде используется последовательно-последовательная н 0к отрица- Рис.. Схема усилительного каскада тельная обратная связь (ООС), которая с общим эмиттером увеличивает входное и выходное сопротивление транзистора в (+ э ) раз, поэтому эмиттерный резистор включен во входную и выходную цепи (рис. ). г э э. I /э к н (+ э ). э Рис.. Эквивалентная электрическая схема каскада с ОЭ для области средних частот Тогда входное сопротивление каскада будет равно: вх + ( + ) э ( + 48) Ом 5,8. Нагрузкой транзистора является параллельное соединение резисторов к и н, обозначим его н. к н 5, 0 н,8. к + н 5, + 0 Рассчитав нагрузку усилительного каскада, можно определить коэффициенты усиления по напряжению и току, пользуясь формулами табл. 4: н 48,8 KU 6,05; г + вх + 5, K I 7, ,8 0,7 н

24 При расчете коэффициента усиления по напряжению мы учли, что во входной цепи каскада стоит сопротивление генератора и что входное сопротивление транзистора не просто, а увеличилось из-за ООС. Следует также иметь в виду, что мы рассчитали общий коэффициент усиления транзистора по току. Однако из эквивалентной электрической схемы следует, что в сопротивление нагрузки н передается только часть тока транзистора и электрической мощности, которая собственно и является полезной. Если это учесть, то коэффициент усиления по току именно в нагрузке будет: к 7,8 5, K I н,8. + н к + н 5, + 0 Теперь рассчитаем выходное сопротивление каскада. Из эквивалентной электрической схемы следует, что оно равно параллельному соединению резисторов к и / : ( / ) к,5 5, вых,6. / + к,5 + 5, Однако мы не учли, что в каскаде имеется последовательнопоследовательная ООС, которая увеличивает выходное сопротивление транзистора. Если учесть этот момент, то выходное сопротивление транзистора уже будет равно не /, а вых.тр ( + ), ,5. Тогда выходное сопротивление всего каскада будет равно также параллельному сопротивлению резистора к и выходному сопротивлению транзистора, т.е. к вых.тр 5, 6,5 вых 5,06. к + вых.тр 5, + 6,5 Таким образом, выходное сопротивление усилительного каскада практически равно сопротивлению резистора в коллекторной цепи к.. Рассчитать основные параметры усилительного каскада, схема которого приведена на рис.. 0к к к C р C р 6,к э С э к Е к н к Рис.. Схема усилительного каскада с термостабилизацией Параметры транзистора:, 50, 0-5 См. Параметром пренебрегаем. Как и в предыдущем примере, составляем эквивалентную электрическую схему каскада, пользуясь табл.. Транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Полная эквивалентная схема замещения данного каскада с учетом всех элементов схемы представлена на рис. 4. 4

25 С р С р э э. I / э н к э C э Рис. 4. Эквивалентная электрическая схема каскада с термостабилизацией для области нижних частот Учитывая то, что мы по-прежнему проводим расчет усилительного каскада в области средних частот, где коэффициенты усиления являются частотнонезависимыми, разделительными емкостями С р и С р можно пренебречь. Следует также учесть, что емкость С э в цепь эмиттера ставится для того, чтобы шунтировать резистор э и исключить ООС по переменному току, которая была в примере. Для этого величину конденсатора С э подбирают такой, чтобы его сопротивление на нижней граничной частоте пропускания усилителя f н было в 0 раз меньше, чем сопротивление резистора э. Например, допустим, мы рассчитываем усилитель низкой частоты с полосой пропускания кгц 0 кгц, т.е. f н 000 Гц. Тогда 0 ϖ C 0 π f 0, э Сэ н э н э,59 мкф. Таким образом, чтобы исключить ООС по переменному току нам необходимо в цепь эмиттера поставить конденсатор емкостью,59 мкф. Из стандартного ряда емкостей выбираем ближайший номинал емкости,5 мкф. В результате сделанных допущений и расчетов наша схема замещения упрощается (рис. 5): э. э I / э к к Рис. 5. Упрощенная эквивалентная электрическая схема каскада для области средних частот Далее расчет проводится как и в предыдущих примерах. Входное сопротивление каскада будет равно параллельному сопротивлению входного сопротивления транзистора и сопротивления делителя D, где D это параллельное соединение резисторов и : 5

26 0 6, D 4,7 ; , D 4,7 вх 0,8. D + 4,7 + Нагрузкой транзистора н является параллельное соединение резисторов к и н : к н н,. к + н + Эквивалентное сопротивление генератора г.экв, как и в примере, равно параллельному соединению г 60 Ом и D : г D г.экв 59, 60 Ом. г + D Тогда коэффициенты усиления по напряжению и току будут: н KU 57,7; г.экв K I 49, н Если учитывать ток, протекающий только по сопротивлению нагрузки н, т.е. учитывать только полезную мощность отдаваемую в нагрузку, то коэффициент усиления по току будет равен: к 49,4 K I н 9,6. + н к + н + Выходное сопротивление каскада будет равно параллельному соединению выходного сопротивления транзистора и резистора к : ( / ) к 00 вых,9. / к 4. Рассчитать основные параметры усилительного каскада, схема которого приведена на рис. 6. Е к Параметры транзистора:, 0к 50, 0-5 См. Параметром пренебрегаем. Как и в предыдущем примере, составляем эквивалентную электрическую н к схему каскада, пользуясь табл.. Транзистор включен по схеме с общим коллектором и эта схема носит название эмиттерный повторитель. Схема замещения данного каскада представлена на рис. 7. В данном случае мы пренебрега- г к 5,к э к Рис. 6. Схема эмиттерного повторителя 6

27 ем сопротивлением /, поскольку оно велико (~ 00 ) и включено параллельно резисторам э и н (см. табл. ). г э э э. I н Рис. 7. Эквивалентная электрическая схема эмиттерного повторителя Проводим расчет по формулам табл. 4. Нагрузкой транзистора н являются параллельно включенные резисторы э и н : э н н 0,5. э + н + Тогда входное сопротивление транзистора вх.тр будет равно: ,5 6. вх.тр н Входное сопротивление каскада это параллельное включенные сопротивление делителя D, которое определяется также как в примере, и входное сопротивление транзистора вх.тр : D вх D + D + 0 5,,8 ; 0 + 5,5 вх.тр вх.тр,8 6,99.,8 + 6 Эквивалентное сопротивление генератора равно параллельному сопротивлению резисторов г и D : г D,8 г.экв 0,77. г + D +,8 Выходное сопротивление транзистора равно (табл.4): + г.экв вых.тр 5,4 Ом. 50 Выходное сопротивление всего каскада равно параллельному соединению резистора э и выходного сопротивления транзистора вых.тр : э вых.тр 000 5,4 вых 4, Ом ,4 э вых.тр Коэффициенты усиления каскада по напряжению и току: 7

28 K K U I н + ( + ) + н н 50 0,5 5 0,96; , ,005 50,7. Если по-прежнему учитывать ток, протекающий только по сопротивлению нагрузки н, т.е. учитывать только полезную мощность отдаваемую в нагрузку, то коэффициент усиления по току будет равен: ( + ) э ( 50,7) K I 5, н э н 5. Рассчитать основные параметры усилителя, схема которого приведена на рис. 8. к к VT к 5,к VT н Рис. 8. Схема двухкаскадного усилителя Е к к Это двухкаскадный усилитель, оба транзистора которого включены по схеме с общим эмиттером. Параметры транзисторов: э э, э 0, э 0, э э 0-5 См. Параметром пренебрегаем. Как и в предыдущем примере, сразу составляем эквивалентную электрическую схему усилителя для области средних частот, пользуясь табл.. Схема замещения усилителя представлена на рис. 9. э э. I / э к э э. I / э к н Рис. 9. Эквивалентная электрическая схема двухкаскадного усилителя для области средних частот Входное сопротивление усилителя равно входному сопротивлению первого каскада. В данном случае вх э. Нагрузкой первого каскада н является параллельное сопротивление резистора к и входного сопротивления второго каскада, которое в данном усилителе равно э : к э н 0, к э 8

29 Нагрузкой второго каскада является параллельное соединение резисторов к и н : к н 5, н,89. к + н 5, + Выходные сопротивления первого и второго каскадов равны параллельному соединению выходных сопротивлений транзисторов / и соответствующих резисторов в цепи коллектора. В данном случае выходное сопротивление транзисторов более чем на порядок превышает сопротивления в цепях коллекторов, поэтому для инженерных расчетов можно считать выходные сопротивления каскадов усилителя приблизительно равными номиналам соответствующих коллекторных резисторов, т.е. вых к, вых к 5,. При этом следует иметь в виду, что выходное сопротивление первого каскада является сопротивлением генератора г для второго каскада, а выходное сопротивление второго каскада одновременно является выходным сопротивлением всего усилителя, т.е. г вых, вых вых 5,. Теперь можно рассчитать коэффициент усиления каждого каскада и всего усилителя: K K K U U U K U э г э г + K U н э + н э ,; ,89 4,; + ( 4,) ( 4,) 0,64 0. Здесь следует иметь в виду, что поскольку сопротивление генератора для данной схемы не дано, то, как и в предыдущих примерах, мы считаем его равным 60 Ом. В формулах для расчета коэффициента усиления по напряжению для первого каскада все сопротивления подставлены в омах, а для второго каскада в килоомах. Определим коэффициенты усиления по току каждого каскада и усилителя в целом: K K I I + + э э э э н н K I K I K I 9,9 9,4 585, Здесь мы рассчитали общие коэффициенты усиления транзисторов и усилителя в целом без учета того, что во втором каскаде усиливается только 9 0,0075 0,089 9,9; 9,4;

30 та часть тока, которая попадает на входное сопротивление второго транзистора VT, и только часть тока передается в нагрузку. Если учесть все эти моменты, то полезный коэффициент усиления по току будет: э вых 9,9 K Iн 4,95 4,9; K K I н Iн + K Iн э э э K I н н н вых к + к э н 9,4 5, 8,5 8,5; 5, + 4,9 8,5 75,65 75,7. 6. Рассчитать основные параметры усилителя, схема которого приведена на рис. 0. Е к к к 5к VT VT VT U вх 0к 00к э 5,к U вых Е к Рис. 0. Схема трехкаскадного усилителя Это трехкаскадный усилитель, первый транзистор которого включен по схеме с общим эмиттером, второй по схеме с общей базой, третий по схеме с общим коллектором. Параметры транзисторов: э э э, э : э : э 40 : 0 : 0, э э э 0-4 См. Параметром, как обычно, пренебрегаем. Поскольку в заданной схеме отсутствуют конденсаторы, сразу составляем эквивалентную электрическую схему усилителя для области средних частот, пользуясь табл.. Схема замещения усилителя представлена на рис.. э э э. I э. э I / э к э э. I Рис.. Эквивалентная электрическая схема трехкаскадного усилителя 0

31 Определим сначала входные и выходные сопротивления всех каскадов и усилителя в целом. Входное сопротивление каскада одновременно является входным сопротивлением усилителя: вх вх э. Сопротивлением нагрузки третьего каскада является резистор в эмиттерной цепи, т.е. н э 5,. Тогда входное сопротивление каскада будет: вх э + ( э + ) э + 5, 08. Выходное сопротивление каскада есть параллельное соединение выходного сопротивления транзистора VT и резистора к : (/ э) к вых 08 Ом,. (/ э) + к Входное сопротивление второго каскада определяется по формулам табл. 4, но здесь необходимо учесть, что последовательно с э включено сопротивление делителя D, которое равно параллельному соединению резисторов и 50 0 D 4, ; вх э + э D Ом. 0 Выходное сопротивление первого каскада является сопротивлением генератора для каскада, т.е. г вых. Тогда выходное сопротивление транзистора второго каскада будет: ( + ) + э D э г вых.тр э г 66,5 67. ( + 4,) 0 + 0, Поскольку к выходу каскада подключен резистор, то выходное сопротивление второго каскада определяется как параллельное соединение: вых.тр вых вых.тр Выходное сопротивление второго каскада является сопротивлением генератора для третьего каскада г вых. Тогда выходное сопротивление транзистора третьего каскада рассчитать по формуле: э + г + 9 вых.тр 6,5. 0 э К выходу каскада подключен резистор э, являющийся нагрузкой этого каскада, поэтому выходное сопротивление третьего каскада и всего усилителя будет их параллельным соединением:

32 э вых.тр 5, 6,5 вых вых,86. э + вых.тр 5, + 6,5 Прежде чем рассчитывать коэффициенты усиления по напряжению и току нужно определить нагрузку каждого каскада. Нагрузку третьего каскада и всего усилителя мы уже нашли выше. Нагрузкой первого каскада является параллельное соединение входного сопротивления каскада и резистора к : к вх н 46 Ом. к + вх Нагрузкой второго каскада является параллельное соединение входного сопротивления третьего каскада и резистора : вх 0008 н 70 + вх Теперь рассчитаем коэффициенты усиления каждого каскада и усилителя в целом, пользуясь формулами табл. 4: K K K K U U U U K э г э U э г + + э + K н э U н э э ,5; ;, + н K U н 0 5, 0,99; + 0 5, 4 ( 6,5) 66 0,99 089,04 0. Далее найдем коэффициенты усиления по току каждого каскада и усилителя в целом. Сразу учтем, что транзисторы каждого каскада усиливают только ту часть тока, которая попадает на входное сопротивление каскада. K Iн , 0,855,8; э KI н + + э э э э KI + э н э н к н к + вх вх ,8 0,66 0,5; ,; , 0 KI н KIн KI н KI,8 0,5 (,) 9,5 0. Если к выходу усилителя подключить сопротивление нагрузки н, то коэффициент усиления по току будет несколько меньше.

33 Задачи для самостоятельной работы По заданной в табл. 5 схеме рассчитать следующие основные параметры усилителя: коэффициент усиления по напряжению К U, коэффициент усиления по току К I, входное сопротивление вх, выходное сопротивление усилителя вых. Таблица 5 п/п Схема Э Э Э Э, Э, Э,, Ом - В VT VT VT B к VT VT к к 0мкФ H к B 50к 5к VT VT к к 0мкФ к

34 п/п Схема Э Э Э Э, Продолжение табл. 5 Э, Э,, Ом - 5B 0к 5к 4 VT VT 0к 0B 0к 0к 8к 5 VT VT В 6 VT VT к VT к 0B 0к 5к 50к к 7 С Р VT С Р VT С Р к к С Э 0к к С Э к 4

35 п/п Схема Э Э Э Э, Продолжение табл. 5 Э, Э,, Ом - 5B 0к к 8 VT VT С Р к С Р 70к к С Э к 5B 9 к VT VT 50к VT B 0к 0к 0 VT VT VT к 0B 00к 5к С Р VT VT С Э С Р 0к к 0к к к 5

36 п/п Схема Э Э Э Э, Продолжение табл. 5 Э, Э,, Ом - 0 В VT VT к VT к 5 В 0к 50к к C VT 0к C VT к C H к 0к 5 В 4 VT VT C к H - 5 В B VT 00K K 5 VT K C VT 0K

37 Продолжение табл. 5 п/п Схема Э Э Э Э, Э, Э,, Ом - 6 K VT 0K VT K C VT K 5 B B 00K 0K 00K K C C4 C VT VT K 0K K C 8 0K 0K 56K K C C VT VT K B B 9 5K 50K 00K Cр VT 0K 0K K Cэ K K VT Cэ B 0 00K VTCp K 0K K Cp VT 0K K

38 п/п ~ 00K г 0K eвх Схема Э Э Э Э, 5 B 0K K VT VT н 0K Продолжение табл. 5 Э, Э,, Ом B 00K 0K 0K 00K C VT 5K C VT 0K B VT 00K VT K 0K VT B 4 00K 0K VT VT K 5 B 5 00K Cp 0K Cp VT 90K 0K VT K K Cp 8

39 п/п Схема Э Э Э Э, Продолжение табл. 5 Э, Э,, Ом - 6 г K 5K 0K K K C VT 00K C K VT 5 B B 7 0 B 50K 5K 0K 00K г VT VT VT 4 K 00K 0K K 0K K 00K г C K VT 0mkФ 50K 5K 00K VT K 5 B C K 5K г Cp VT 5K VT 00K 0K K C 5 B B к 5,к 68к к 0 VT VT VT ,к 0,5к 4к 70к,7к к 0B 9

40 п/п Схема Э Э Э Э, Окончание табл. 5 Э, Э,, Ом - 00K 5 B г K VT 00K VT VT 4 K Расчет основных параметров усилителя предлагается дополнить построением качественных временных диаграмм напряжения в точках, которые обозначены на схемах цифрами от до 4. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ. Березкина Т.Ф., Гусев Н.Г., Масленников В.В. Задачник по общей электротехнике с основами электроники. М.: Высшая школа, Головатенко-Абрамова М.П., Лапидес А.М. Задачи по электронике. М.: Энергоатомиздат, 99.. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. М.: Энергоатомиздат, Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. М.: Высшая школа, Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л.: Энергоатомиздат, Каяцкас А.А. Основы радиоэлектроники. М.: Высшая школа, Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. М.: Радио и связь, Опадчий В.Г. Аналого-цифровая электроника. М.: Высшая школа, Прянишников В.А. Электроника, курс лекций. С.-П., Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. / Под общ. ред. Н.Н.Горюнова. М.: Энергия, Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия,

41 ПРОХОРОВ Сергей Григорьевич ТРУСЕНЕВ Виталий Георгиевич Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе Учебно-методическое пособие Для студентов заочного и очного обучения Ответственный за выпуск Б.А.Малкина Технический редактор С.В.Фокеева ЛР от Формат 60х84 /6. Бумага газетная. Печать офсетная. Печ. л.. Усл. печ. л.. Усл. кр.-отт.. Уч.-изд. л.. Тираж 00. Заказ. Издательство Казанского государственного технического университета Типография Издательства Казанского государственного технического университета 40, Казань, К. Маркса, 0 4

ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Рисунок 1. Рисунок 2

ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ. Рисунок 1. Рисунок 2 ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Методические указания по темам курса Изучение данного раздела целесообразно проводить, базируясь на курсе физики и руководствуясь программой курса. Усилители на биполярных транзисторах

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НИЗКОЙ

Подробнее

5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ В усилителе на БТ транзистор должен работать в активном режиме, при котором эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный в обратном.

Подробнее

Принцип действия усилительного каскада на биполярном транзисторе. Принцип построения усилительных каскадов

Принцип действия усилительного каскада на биполярном транзисторе. Принцип построения усилительных каскадов Принцип действия усилительного каскада на биполярном транзисторе Принцип построения усилительных каскадов Электроника Базовым звеном любого усилителя является усилительный каскад (УК). Несмотря на разнообразие

Подробнее

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе.

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора и усилителя

Подробнее

ЗАДАНИЕ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНО-КУРСОВОЙ РАБОТЫ ГРАФОАНАЛИТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

ЗАДАНИЕ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНО-КУРСОВОЙ РАБОТЫ ГРАФОАНАЛИТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ ЗАДАНИЕ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНО-КУРСОВОЙ РАБОТЫ ГРАФОАНАЛИТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ 1 Цель и задачи контрольно-курсовой работы Изучение структуры,

Подробнее

3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току)

3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току) 3.Транзисторные усилительные каскады (расчет по переменному току) Введение Приведенные ниже задачи связаны с расчетом параметров усилительных каскадов, схемы которых рассчитаны по постоянному току в предыдущей

Подробнее

Напряж.U Вольт, В Схема Тип А Б В Г Д А Б В Г Д

Напряж.U Вольт, В Схема Тип А Б В Г Д А Б В Г Д Блок 3 Задание 1. 1. Для заданной схемы выпрямителя определить для режима холостого хода изобразить схему выпрямителя и осциллограммы напряжений на: 1 напряжения на вторичной обмотке трансформатора; 2

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора План занятия: 1. Динамический режим работы транзистора 2. Ключевой режим работы транзистор 3. Динамические

Подробнее

2. Транзисторные усилительные каскады (расчет по постоянному току)

2. Транзисторные усилительные каскады (расчет по постоянному току) . Транзисторные усилительные каскады (расчет по постоянному току) Введение Приведенные ниже задачи связаны с расчетами простейших усилительных каскадов по постоянному току. Для их успешного решения необходимо

Подробнее

Напряж.U Вольт, В Схема Тип А Б В Г Д А Б В Г Д

Напряж.U Вольт, В Схема Тип А Б В Г Д А Б В Г Д Блок 3 Задание 1. 1. Для заданной схемы выпрямителя изобразить для режима холостого хода схему выпрямителя и осциллограммы напряжений: 1 на вторичной обмотке трансформатора; 2 на нагрузке; 3 на диоде.

Подробнее

а Рис.2 б называют напряжением отрицательной обратной связи (ООС), а резистор R

а Рис.2 б называют напряжением отрицательной обратной связи (ООС), а резистор R ТЕМА 7 Температурная стабилизация При повышении температуры окружающей среды ток транзистора увеличивается и его характеристики смещаются вверх (рис. 1). Рис.1 Эмиттерная стабилизация. Заключается в использовании

Подробнее

E U / U ВХ, где U ВХ - изменение входного напряжения ВХ U ; U РАСЧЕТ СТАБИЛИЗАТОРОВ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

E U / U ВХ, где U ВХ - изменение входного напряжения ВХ U ; U РАСЧЕТ СТАБИЛИЗАТОРОВ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ РАСЧЕТ СТАБИЛИЗАТОРОВ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ. Основные сведения об интегральных ах и схемы их включения Стабилизаторами напряжения (СН) называются устройства, автоматически поддерживающие напряжение на

Подробнее

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 84 Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План 1. Введение 2. Параметрические стабилизаторы 3. Компенсационные стабилизаторы 4. Интегральные стабилизаторы напряжения 5. Выводы 1. Введение Для работы электронных

Подробнее

1.1 Усилители мощности (выходные каскады)

1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Лекция 7 Тема: Специальные усилители 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены

Подробнее

R К I Б I К. Лекция 7. Тема 7 Предварительные усилители, их принципиальные и эквивалентные схемы. Динамические характеристики усилительного элемента

R К I Б I К. Лекция 7. Тема 7 Предварительные усилители, их принципиальные и эквивалентные схемы. Динамические характеристики усилительного элемента Лекция 7 Тема 7 Предварительные усилители, их принципиальные и эквивалентные схемы Динамические характеристики усилительного элемента В реальных цепях к выходу усилительных (активных) элементов обычно

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПОВ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПОВ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ САМАРСКИЙ ордена ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П.КОРОЛЕВА ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПОВ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА САМАРА

Подробнее

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ План 1. Введение. 2. Усилительные каскады на полевых транзисторах.

Подробнее

Расчёт усилительных каскадов на транзисторах

Расчёт усилительных каскадов на транзисторах Расчёт усилительных каскадов на транзисторах лектронным усилителем называют устройство, преобразующее энергию источника питания в энергию выходного сигнала, который по форме аналогичен входному сигналу,

Подробнее

На этом рисунке U 1, U 2, I 1 и I 2 комплексные амплитуды напряжений и токов, соответственно. Рис Условное изображение четырехполюсника.

На этом рисунке U 1, U 2, I 1 и I 2 комплексные амплитуды напряжений и токов, соответственно. Рис Условное изображение четырехполюсника. 2. ПРИЦИПЫ ПОСТРОЕИЯ УСИЛИТЕЛЬЫХ ЗВЕЬЕВ ААЛИЗ РАБОТЫ ТИПОВЫХ УСИЛИТЕЛЬЫХ ЗВЕЬЕВ В РЕЖИМЕ МАЛОГО СИГАЛА 2.. Усилительное звено и его обобщенная схема. Малосигнальные параметры биполярных и полевых транзисторов,

Подробнее

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ Лекция 8 Тема 8 Специальные усилители Усилители постоянного тока Усилителями постоянного тока (УПТ) или усилителями медленно изменяющихся сигналов называются усилители, которые способны усиливать электрические

Подробнее

1.1 Усилители мощности (выходные каскады)

1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Лекция 9 Тема 9 Выходные каскады 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены

Подробнее

Методические указания

Методические указания МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ДОНБАССКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ МАШИНОСТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ Методические указания к выполнению контрольной работы по дисциплине ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОСХЕМОТЕХНИКА для студентов

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы ЛЕЦИЯ 2 ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы План занятия: Структура и принцип работы биполярных транзисторов 2 лассификация биполярных транзисторов 3 Основные параметры биполярных транзисторов 4 Режимы работы

Подробнее

1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ

1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ 1 1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ Цель курса ознакомление студентов с современным состоянием и перспективами развития электроники, включая элементную базу, типовые аналоговые электронные устройства преобразования

Подробнее

Усилители мощности (УПТ)

Усилители мощности (УПТ) Электроника и МПТ Усилители мощности (УПТ) Усилитель мощности усилительный каскад, предназначенный для передачи в нагрузку заданной либо максимально возможной мощности при максимально возможном КПД и минимальных

Подробнее

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ Лекция 8 Тема: Интегральные усилители 1 Усилители постоянного тока Усилителями постоянного тока (УПТ) или усилителями медленно изменяющихся сигналов называются усилители, которые способны усиливать электрические

Подробнее

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер.

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер. 1 Биполярные транзисторы 1. Основные понятия Лекции профессора Полевского В.И. Лекция 1 Биполярным транзистором называют трѐхэлектродный полупроводниковый прибор, с двумя взаимодействующими между собой

Подробнее

Кафедра автоматизации производственных процессов ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ СХЕМ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ

Кафедра автоматизации производственных процессов ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ СХЕМ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Курганский государственный университет» Кафедра

Подробнее

Электроника Стабилизация положения рабочей точки усилительного элемента

Электроника Стабилизация положения рабочей точки усилительного элемента Электроника Стабилизация положения рабочей точки усилительного элемента В процессе работы положение рабочей точки усилительного элемента изменяется. Это происходит вследствие действия дестабилизирующих

Подробнее

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РЭЛ 2 НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Биполярные

Подробнее

Рабочее задание. 1.3 Для схемы усилительного каскада ОК (рисунок 2) и указанных

Рабочее задание. 1.3 Для схемы усилительного каскада ОК (рисунок 2) и указанных Лабораторная работа 2 Исследование усилительных каскадов на биполярных транзисторах Цель работы Изучение работы усилительных каскадов на биполярных транзисторах, определение основных параметров и их расчет

Подробнее

Исследование биполярного транзистора

Исследование биполярного транзистора ГУАП ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ ПРЕПОДАВАТЕЛЬ должность, уч. степень, звание подпись, дата инициалы, фамилия ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ Исследование биполярного транзистора по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ

Подробнее

ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПАССИВНЫХ УЧАСТКОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПАССИВНЫХ УЧАСТКОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ИНСТИТУТ УПРАВЛЕНИЯ, ИНФОРМАЦИИ И БИЗНЕСА КАФЕДРА АИС ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПАССИВНЫХ УЧАСТКОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ Методические указания к практическому

Подробнее

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени Н.Э. БАУМАНА. Методические указания по выполнению лабораторных работ по курсу

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени Н.Э. БАУМАНА. Методические указания по выполнению лабораторных работ по курсу МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени Н.Э. БАУМАНА Методические указания по выполнению лабораторных работ по курсу «Электроника и микроэлектроника» МГТУ имени Н.Э. Баумана МОСКОВСКИЙ

Подробнее

Защита блока питания от перегрузки.

Защита блока питания от перегрузки. Защита блока питания от перегрузки. (с изменениями) Рассмотрим изначальную схему, показанную на Рис. 1. И возьмем для примера в качестве VT1 транзистор ГТ404Д. Согласно справочным данным статический коэффициент

Подробнее

ТЕМА 6 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ.

ТЕМА 6 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ. ТЕМА 6 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ. Электронный усилитель - устройство, преобразующее маломощный электрический сигнал на входе в сигнал большей мощности на выходе с минимальными искажениями формы. По функциональному

Подробнее

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ В статическом режиме связь между токами и напряжениями на электродах транзистора описывается системой нелинейных алгебраических уравнений. Графически эта

Подробнее

Пример решения задачи 1.

Пример решения задачи 1. Введение Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ», часть 2. Требования к контрольной работе:

Подробнее

Рис Структурная схема усилителя с ОС

Рис Структурная схема усилителя с ОС 3. ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ В ТРАКТАХ УСИЛЕНИЯ 3.. Структурная схема идеального управляемого источника с однопетлевой отрицательной обратной связью (ООС) и ее использование для анализа влияния ООС на параметры и

Подробнее

Транзисторы. transfer переносить resistor сопротивление transistor переменное сопротивление. 2 функции: - усилитель; - ключ.

Транзисторы. transfer переносить resistor сопротивление transistor переменное сопротивление. 2 функции: - усилитель; - ключ. Транзисторы Транзисторы полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Позволяют регулировать ток в электрической цепи. transfer переносить

Подробнее

РАСЧЕТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ТРАНЗИСТОРЕ

РАСЧЕТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ТРАНЗИСТОРЕ Федеральное агентство по образованию Уральский государственный технический университет УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина В.В. Муханов, В.И. Паутов РАСЧЕТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ТРАНЗИСТОРЕ

Подробнее

Теоретическое введение

Теоретическое введение Глава 1 Теоретическое введение 1.1. Биполярный транзистор 1.1.1. Принцип работы биполярного транзистора Рис. 1.1. Упрощённая структура биполярного транзистора Биполярный транзистор, это полупроводниковый

Подробнее

определение коэффициента подавления синфазного сигнала.

определение коэффициента подавления синфазного сигнала. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА (ДУ) Цель работы знакомство с принципом работы ДУ; знакомство со схемой и принципом работы источника

Подробнее

Рис Блок-схема установки для исследования лабораторного модуля «УБТ».

Рис Блок-схема установки для исследования лабораторного модуля «УБТ». Лабораторная работа Усилители на биполярных транзисторах («УБТ»). Цель работы. Изучение принципов работы, исследование амплитудных и частотных характеристик и параметров усилителей на основе биполярных

Подробнее

АПЕРИОДИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ

АПЕРИОДИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» (ННГУ) Радиофизический

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Подробнее

Задания для индивидуальной работы

Задания для индивидуальной работы Министерство науки и образования РФ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА Кафедра "Радиотехнические устройства" Задания для индивидуальной работы Методические

Подробнее

А. А. ТИТОВ ЗАЩИТА ПОЛОСОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ ОТ ПЕРЕГРУЗОК И МОДУЛЯЦИЯ АМПЛИТУДЫ МОЩНЫХ СИГНАЛОВ

А. А. ТИТОВ ЗАЩИТА ПОЛОСОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ ОТ ПЕРЕГРУЗОК И МОДУЛЯЦИЯ АМПЛИТУДЫ МОЩНЫХ СИГНАЛОВ 58 А. А. Титов УДК 621.375.026 А. А. ТИТОВ ЗАЩИТА ПОЛОСОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ ОТ ПЕРЕГРУЗОК И МОДУЛЯЦИЯ АМПЛИТУДЫ МОЩНЫХ СИГНАЛОВ Показано, что биполярный транзистор представляет собой управляемый ограничитель

Подробнее

Усилители постоянного тока (УПТ)

Усилители постоянного тока (УПТ) Электроника Усилители постоянного тока (УПТ) Назначение: усиление медленно меняющихся во времени сигналов, включая постоянную составляющую. В УПТ нельзя использовать в качестве элементов связи элементы,

Подробнее

По признаку наличия источника электрической энергии НР делятся на активные и пассивные. Если ВАХ проходит через начало координат, то НР. Рис.6.

По признаку наличия источника электрической энергии НР делятся на активные и пассивные. Если ВАХ проходит через начало координат, то НР. Рис.6. 6. Нелинейные электрические цепи Нелинейными элементами электрической цепи называются такие элементы параметры, которых зависят от напряжений, токов, магнитных потоков и других величин, т.е. это элементы

Подробнее

М. С. Родюков РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

М. С. Родюков РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И ИНФОРМАТИКИ М. С. Родюков

Подробнее

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ 5.1. ПРИНЦИП УСИЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Назначение и классификация усилителей. Усилители переменного напряжения являются наиболее распространенным типом электронных

Подробнее

Лекция 11 Тема: Аналоговые интегральные микросхемы (Продолжение). ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ

Лекция 11 Тема: Аналоговые интегральные микросхемы (Продолжение). ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ Лекция 11 Тема: Аналоговые интегральные микросхемы (Продолжение). 1) Операционные усилители. 2) Параметры ОУ. 3) Схемотехника ОУ. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ Операционными усилителями (ОУ) называют усилители

Подробнее

УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ

УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ Министерство образования и науки Российской Федерации Саратовский государственный технический университет УСИЛИТЕЛЬЫЙ АСАД С ОЩИМ МИТТЕРОМ Методические указания к лабораторным работам по дисциплинам «Основы

Подробнее

РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ

РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ И ПИЩЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

Подробнее

5.12. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

5.12. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ 5.12. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Усилители низкой частоты. УНЧ в интегральном исполнении это, как правило, апериодические усилители, охваченные общей (по постоянному и переменному току)

Подробнее

Лекция 27 СХЕМОТЕХНИКА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ. План

Лекция 27 СХЕМОТЕХНИКА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ. План 280 Лекция 27 СХЕМОТЕХНИКА ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ План 1. Введение. 2. Операционные усилители на биполярных транзисторах. 3. Операционные усилители на МОП-транзисторах. 4. Выводы. 1. Введение Операционный

Подробнее

Тестовые задания по курсу САЭУ ( уч. год.)

Тестовые задания по курсу САЭУ ( уч. год.) Тестовые задания по курсу САЭУ (2013-2014 уч. год.) 1. Чему численно равен фактор обратной связи по постоянному току в приведенной на рис 1 схеме усилительного каскада, крутизну S в выбранной рабочей точке

Подробнее

Рабочий протокол и отчёт по лабораторной работе 1

Рабочий протокол и отчёт по лабораторной работе 1 САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Факультет: РФФ Группа: 3091/2 Бригада : 3 Студенты: Нарыков А. Егоров П. Ефремов Д. Преподаватель: Нечаев Д.А. Рабочий протокол и отчёт по

Подробнее

Электроника и МПТ Способы задания рабочей точки усилительного элемента

Электроника и МПТ Способы задания рабочей точки усилительного элемента Электроника и МПТ Способы задания рабочей точки усилительного элемента Существует 3 способа задания (смещения) рабочей точки: от отдельного источника смещения; фиксированным током; фиксированным напряжением

Подробнее

8. Интегральные логические элементы

8. Интегральные логические элементы 8. Интегральные логические элементы Введение В логических элементах биполярные транзисторы могут использоваться в трёх режимах: режим отсечки оба p-n перехода транзистора закрыты, режим насыщения оба p-n

Подробнее

Работа 4.7. Исследование многокаскадных усилителей мощности

Работа 4.7. Исследование многокаскадных усилителей мощности Работа 4.7. Исследование многокаскадных усилителей мощности Одиночные усилительные каскады, как правило, не могут обеспечить требуемый коэффициент усиления напряжения, тока и мощности. Для получения необходимого

Подробнее

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1.

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1. Вариант 1. 1. Назначение, устройство, принцип действия, условное графическое обозначение и вольт-амперная характеристика электровакуумного диода. 2. Назначение и структурная схема выпрямителей. Основные

Подробнее

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ Основные понятия

4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ Основные понятия 4. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ 4.. Основные понятия Электрические цепи могут содержать линейные и нелинейные элементы. Сопротивление линейных элементов не зависит от величины и полярности приложенного

Подробнее

Ю.И. Кузнецов, А.С. Логгинов, В.П. Митрофанов УСИЛИТЕЛИ И RC-ГЕНЕРАТОРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

Ю.И. Кузнецов, А.С. Логгинов, В.П. Митрофанов УСИЛИТЕЛИ И RC-ГЕНЕРАТОРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В. ЛОМОНОСОВА ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ Ю.И. Кузнецов, А.С. Логгинов, В.П. Митрофанов УСИЛИТЕЛИ И C-ГЕНЕРАТОРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

Подробнее

Тема: Сглаживающие фильтры. План. Активно-индуктивный (R-L) сглаживающий фильтр

Тема: Сглаживающие фильтры. План. Активно-индуктивный (R-L) сглаживающий фильтр Тема: Сглаживающие фильтры План 1. Пассивные сглаживающие фильтры 2. Активный сглаживающий фильтр Пассивные сглаживающие фильтры Активно-индуктивный (R-L) сглаживающий фильтр Он представляет собой катушку

Подробнее

«Математические модели и САПР электронных приборов и устройств»

«Математические модели и САПР электронных приборов и устройств» Федеральное агентство по образованию Российской Федерации (РФ) ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра Электронных приборов (ЭП) УТВЕРЖДАЮ Заведующий кафедрой

Подробнее

РАЗРАБОТКА ФУНКЦИОНАЛЬНОГО ГЕНЕРАТОРА ЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩЕГОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ

РАЗРАБОТКА ФУНКЦИОНАЛЬНОГО ГЕНЕРАТОРА ЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩЕГОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ К.В. Киреев (студент), В.М. Чайковский (к.т.н., доцент) РАЗРАБОТКА ФУНКЦИОНАЛЬНОГО ГЕНЕРАТОРА ЛИНЕЙНО ИЗМЕНЯЮЩЕГОСЯ НАПРЯЖЕНИЯ г. Пенза, Пензенский государственный университет В зависимости от электрофизических

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА Расчёт усилительного каскада с общим эмиттером

ЭЛЕКТРОНИКА Расчёт усилительного каскада с общим эмиттером Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный университет приборостроения и информатики М. С. Родюков, Н. Н. Коновалов ЭЛЕКТРОНИКА Расчёт усилительного

Подробнее

5. СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЕЙ НА БАЗЕ АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ 5.1. Этапы синтеза широкополосных усилителей. Интегральные широкополосные усилительные

5. СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЕЙ НА БАЗЕ АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ 5.1. Этапы синтеза широкополосных усилителей. Интегральные широкополосные усилительные 5. СТРУКТУРНЫЕ СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЕЙ НА БАЗЕ АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ 5.1. Этапы синтеза широкополосных усилителей. Интегральные широкополосные усилительные секции До недавнего времени проектирование функциональных

Подробнее

ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ХАНТЫ-МАНСИЙСКОГО АВТОНОМНОГО ОКРУГА- ЮГРА

ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ХАНТЫ-МАНСИЙСКОГО АВТОНОМНОГО ОКРУГА- ЮГРА ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ХАНТЫ-МАНСИЙСКОГО АВТОНОМНОГО ОКРУГА- ЮГРА ГБОУ ВПО «Сургутский государственный университет Ханты-Мансийского автономного округа - Югры» Е.Л. Шошин РЕЗИСТОРНЫЙ КАСКАД С

Подробнее

Лекция 6. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ ПЕРЕМЕННОГО И ПОСТОЯННОГО ТО- КА НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Лекция 6. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ ПЕРЕМЕННОГО И ПОСТОЯННОГО ТО- КА НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Лекция 6. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ ПЕРЕМЕННОГО И ПОСТОЯННОГО ТО- КА НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ План 1. Введение. 2. Классификация усилителей. 3. Технические характеристики и параметры усилительного каскада.

Подробнее

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова. Физический факультет. Кафедра общей физики

Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова. Физический факультет. Кафедра общей физики Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова Физический факультет Кафедра общей физики Л а б о р а т о р н ы й п р а к т и к у м п о о б щ е й ф и з и к е (электричество и магнетизм) Лабораторная

Подробнее

Дано. Определить - требуемое сопротивление резистора в коллекторной цепи R к;

Дано. Определить - требуемое сопротивление резистора в коллекторной цепи R к; к = 22 В; кэ = 9,4 В; к = 14 ма; н = 1,8 ком; Тип транзистора: КТ312Б Дано Определить - требуемое сопротивление резистора в коллекторной цепи R к; - ток смещения базы I б и напряжение смещения базы U бэ,

Подробнее

значения. Другое название действующих значений эффективные, а также среднеквадратичные.

значения. Другое название действующих значений эффективные, а также среднеквадратичные. Глава 3 Переменный ток Теоретические сведения Большая часть электрической энергии вырабатывается в виде ЭДС, изменяющейся во времени по закону гармонической (синусоидальной) функции Источниками гармонической

Подробнее

РАСЧЕТ И АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ НА ТРАНЗИСТОРАХ

РАСЧЕТ И АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ НА ТРАНЗИСТОРАХ РАСЧЕТ И АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ НА ТРАНЗИСТОРАХ УДК 621.375.4 ББК з846 С 291 Издательство ТГТУ Утверждено Редакционно-издательским советом университета Рецензент Доктор технических наук, профессор

Подробнее

Аналитически они записываются следующим образом:

Аналитически они записываются следующим образом: Синусоидальный ток «на ладони» Большая часть электрической энергии вырабатывается в виде ЭДС, изменяющейся во времени по закону гармонической (синусоидальной) функции. Источниками гармонической ЭДС служат

Подробнее

Лекция 8. Усилители мощности Обратные связи в усилительных каскадах. Каскодные схемы.

Лекция 8. Усилители мощности Обратные связи в усилительных каскадах. Каскодные схемы. Лекция 8. Усилители мощности Обратные связи в усилительных каскадах. Каскодные схемы. План 1. Введение. 2. Усилители мощности 3. Обратные связи в усилительных каскадах 4. Каскодные схемы. 1. Введение.

Подробнее

Биполярные транзисторы (BJT)

Биполярные транзисторы (BJT) Транзисторы лектроника и МПТ Транзисторы полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Позволяют регулировать ток в электрической цепи.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 8 ИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР В 948 году Д. ардин и В. раттейн, работая с точечным переходом, обнаружили, что устройство с двумя переходами способно создавать усиление электрических колебаний

Подробнее

Способы включения транзистора в схему усилительного каскада

Способы включения транзистора в схему усилительного каскада Способы включения транзистора в схему усилительного каскада Как указывалось в разделе 6 усилительный каскад может быть представлен 4-полюсником ко входным зажимам которого подключен источник сигнала а

Подробнее

ЗАЩИТА ВИДЕОВХОДА ОТ «ЗЕМЛЯНОЙ ПЕТЛИ» PROTECTION OF THE VIDEO INPUT FROM THE "GROUND LOOP"

ЗАЩИТА ВИДЕОВХОДА ОТ «ЗЕМЛЯНОЙ ПЕТЛИ» PROTECTION OF THE VIDEO INPUT FROM THE GROUND LOOP УДК 622:658.011.56 Бабойцев Алексей Геннадиевич бакалавр кафедра Автоматизации и управления в технических системах Московский государственный горный университет ЗАЩИТА ВИДЕОВХОДА ОТ «ЗЕМЛЯНОЙ ПЕТЛИ» PROTECTION

Подробнее

Физический факультет. Кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Физический факультет. Кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского» Физический факультет

Подробнее

ЧАСТЬ Ι ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ И.А. РУБИНШТЕЙН 1. ВВЕДЕНИЕ

ЧАСТЬ Ι ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ И.А. РУБИНШТЕЙН 1. ВВЕДЕНИЕ ЧАСТЬ Ι ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ И.А. РУБИНШТЕЙН. ВВЕДЕНИЕ Операционные усилители представляют собой широкий класс аналоговых микросхем, которые позволяют производить усиление аналоговых

Подробнее

Усилитель. A= Uа/ Uе = Uкэ/ Uбэ = Iк*Rк/ Uбэ 4 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ

Усилитель. A= Uа/ Uе = Uкэ/ Uбэ = Iк*Rк/ Uбэ 4 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ 4 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ 4.1 Цель работы Изучение принципа работы и экспериментальное исследование характеристик усилителей переменного тока на биполярном транзисторе,

Подробнее

Лекция 10 Тема 10 Операционные усилители

Лекция 10 Тема 10 Операционные усилители Лекция 10 Тема 10 Операционные усилители Операционным усилителем (ОУ) называют усилитель электрических сигналов, предназначенный для выполнения различных операций над аналоговыми и импульсными величинами

Подробнее

Аналогові електронні пристрої

Аналогові електронні пристрої Навчальна програма з дисципліни Аналогові електронні пристрої 1. Вступ 1.1. Об єкт вивчення Объектом изучения курса является схемотехника усилительных устройств, в том числе дифференциальных каскадов и

Подробнее

Тема 4 Основные показатели и характеристики усилителей

Тема 4 Основные показатели и характеристики усилителей Лекция 4 Тема 4 Основные показатели и характеристики усилителей Основные определения Устройства, с помощью которых путем затраты небольшого количества электрической энергии управляют энергией существенно

Подробнее

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 1 Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 Интегральная микросхема (ИМС), или, короче, микросхема, представляет собой изделие на активных и пассивных элементов

Подробнее

Контрольная работа рейтинг 1

Контрольная работа рейтинг 1 Контрольная работа рейтинг 1 ЗАДАНИЕ 1 1. Дать определение потенциального барьера n-p перехода, от чего зависит его величина и толщина перехода. Их влияние на параметры диода. 2. Определить внутреннее

Подробнее

7. УСИЛИТЕЛИ ВЫСОКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ

7. УСИЛИТЕЛИ ВЫСОКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ 7. УСИЛИТЕЛИ ВЫСОКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ 7.1. Шумы усилительного тракта Эквивалентные умовые схемы пассивных и активных элементов Принято считать [4], что усилители высокой (предельной) чувствительности это

Подробнее

Лекция 25. УСИЛИТЕЛИ

Лекция 25. УСИЛИТЕЛИ 247 Лекция 25 УСИЛИТЕЛИ План Классификация и новные параметры усилителей 2 Обратные связи в усилителях 3 Влияние обратных связей на характеристики усилителей 4 Выводы Классификация и новные параметры усилителей

Подробнее

Лабораторная работа 4 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР

Лабораторная работа 4 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР Лабораторная работа 4 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР Цель работы Изучить теорию резонансных радиотехнических цепей колебательных контуров (последовательного и параллельного). Исследовать АЧХ и ФЧХ

Подробнее

«УЛЬЯНОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

«УЛЬЯНОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «УЛЬЯНОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

Формируемые Код Знать Уметь Владеть 1 способность

Формируемые Код Знать Уметь Владеть 1 способность Место дисциплины в структуре образовательной программы Дисциплина «Основы электротехники и электроники» является дисциплиной базовой части. Рабочая программа составлена в соответствии с требованиями Федерального

Подробнее

не выходящее за приделы линейного участка, то ток в цепи коллектора

не выходящее за приделы линейного участка, то ток в цепи коллектора Лекция Тема Преобразование частоты сигнала Нелинейный резонаторный усилитель изображен на рисунке 9. На входе его действует переменное напряжение m cos t и постоянное напряжение смещения. Будем полагать,

Подробнее