ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ"

Транскрипт

1 УДК 63096: АН Поспелов СГГА, Новосибирск ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ При исследовании модуляции сверхвысокочастотной (СВЧ) волны в полупроводниковом (ПП) рабочем теле модулятора, можно видеть, что за счѐт изменения проводимости под действием света с ростом плотности потока светового излучения увеличивается мнимая часть показателя преломления Вещественная часть практически постоянна Данное обстоятельство приводит к модуляции СВЧ волны по амплитуде При дальнейшем увеличении фотопроводимости начинает изменяться и Помещая ПП в таком состоянии внутрь волновода, можно модулировать коэффициенты пропускания и отражения СВЧ волны по амплитуде и фазе Например, фазовую модуляцию, проходящей по прямоугольному волноводу волны H 0 можно получить, создавая светом слой с достаточной проводимостью в ПП пластине, расположенной параллельно его узкой стенке Для получения значительного уровня модуляции при сравнительно небольших значениях целесообразно применять высокоомный ПП с высокой фоточувствительностью [] Когда высокоомная фоточувствительная пластина, размещѐнная на металлической зеркальной поверхности, освещается со стороны падения СВЧ волны, то при относительно большой, вследствие развивающегося достаточного (приближение к полуметаллу, металлу по значению объѐмная удельная электропроводность материала) значения величины, узел СВЧ волны с поверхности зеркала перемещается на освещаемую поверхность Таким образом, модулируя величину можно получать изменение фазы волны от 0 до 80 При меньших значениях возможно получать амплитудную модуляцию СВЧ глубиной до 00% вследствие явления интерференции, когда волны, отражѐнные от зеркала и освещаемой поверхности, равны по величине и противоположны по фазе Для управляющего устройства проходного типа при тех же значениях возможна модуляция амплитуды волны СВЧ до 50% [] Освещение ПП короткими импульсами обеспечивает значительно меньший нагрев его Время релаксации фотопроводимости ПП определяет быстродействие прибора Поэтому при проектировании фотоуправляемых приборов необходимо рассматривать условия нестационарной фотопроводимости Самое оптимальное условие скорости рекомбинации и диффузии не зависят от [3] Возможно эффективное световое управление амплитудой или фазой СВЧ миллиметровой волны (ММВ) в ПП (G, Si, GaAs) волноводах, аналогичных диэлектрическим, и в композиционных структурах на электромагнитносвязанных отрезках поликоровых зеркальных волноводов и кремниевых зеркальных волноводов (КЗВ) или кремниевых резонаторов [4, 5] Эффекты

2 управления обусловлены увеличением концентрации неравновесных носителей заряда в КЗВ за счѐт изменения, т е комплексной диэлектрической проницаемости при его освещении Уменьшение амплитуды заметно уже при небольшом значении, а заметный фазовый сдвиг требует мощного лазерного источника облучения, работающего в импульсном режиме Применение фотоуправляемых модулирующих устройств вместо фазированных антенных решѐток на основе p-i--диодов позволяет продвинуться в существенно более коротковолновую область СВЧ область ММВ и исключает необходимость в сложных коммутирующих устройствах, повышает устойчивость к импульсным СВЧ перегрузкам, поскольку взаимодействие с СВЧ волной происходит в большом объѐме рабочего тела ПП Эффективность таких приборов определяется фотоэлектрическими свойствами используемого ПП Перспективными ПП к использованию являются: Si, G, GaAs, CdS, CdS Изменяя фотоэлектрические свойства ПП и условия его освещения можно варьировать параметры проектируемых приборов Уменьшая, например, время жизни неравновесных носителей заряда, повышают быстродействие прибора Если неравновесные носители заряда сконцентрированы в тонком приповерхностном слое ПП, в толще которого СВЧ поле практически постоянно, т е толщина фотопроводящего слоя много меньше половины СВЧ стоячей волны, то L d «d, «d, L d «, «, где L диффузионная длина фотоэффекта, d толщина ПП, показатель d поглощения света, длина СВЧ волны в вакууме В этом случае коэффициент отражения СВЧ волны определяется только значением N S концентрации неравновесных носителей заряда на поверхности ПП [, 6] Если за время t 0 импульса света рекомбинация в объѐме и на поверхности незначительна ( t 0 << ), то форма этого импульса несущественна и при d >> N S ( t 0 ) Q( R) ( h ), где Q плотность энергии светового импульса, R коэффициент отражения света, h постоянная Планка; частота световых электромагнитных колебаний При выполнении условий d >> L d, d >> необходимо учитывать поверхностную рекомбинацию на неосвещѐнной стороне ПП Для нахождения N S ( x, t) ( x расстояние от освещѐнной поверхности вглубь радиоматериала; t время) применяют методы разделения переменных или разложения в ряд Фурье величин, зависящих от времени В первом случае N S ( x, t) представляет собой сумму экспонент с различными постоянными времени Если фотопроводимость заметно изменяется на протяжении от узла до пучности, что имеет место при толщине фотопроводящего слоя, сравнимой с

3 половиной длины стоячей СВЧ волны, то модуляцию можно просчитать только с помощью численных методов При независимости от x изменение максимально при условии d m, где m натуральное число мощности P можно представить в виде: и модуль коэффициента отражения 4 d j cth d j cth d ; 4 d, где m - натуральное число мощности P можно представить в виде: 4 d j cth d j cth d ; и модуль коэффициента отражения 4 d Рассматриваемая структура даѐт возможность осуществлять фазовую модуляцию на 80º, поскольку изменяется от + при 0 до - при» Амплитудная модуляция глубиной до 00% достигается при 4 d зависимость: 8 d 8 cos 4 d0 d cos 4 d0 С другой стороны имеет место где 0 значение при 0 Смм Если приравнять P к нулю, то можно найти полосу СВЧ, в которой возможна эффективная амплитудная модуляция, при изменении от до 0 ( < 0, ) В этой полосе W 0 0rS 0 0 P, 0rS 0 0 где W 0 волновое сопротивление вакуума, S сопротивление рабочего тела Если P 0, то r S 0 l 0 0, r поверхностное

4 Зная r S возможно оценить Зависимости P кривая и фазы отражѐнной волны P кривая от 7 r S, вычисленные по приведѐнным формулам для Si при 0 3, 4, N S,4 0 м -, 0, 0 м длина СВЧ волны в среде, и m приведены на рис Если СВЧ волна поглощается освещаемой поверхностью в фотопроводящем слое толщиной, много меньшей, то модуляция также максимальна при условии d m При этом rs rs Видно, что рассматриваемая структура позволяет получать фазовую модуляцию до 80º, так как изменяется от + при r S >> W 0 до - при r S << W 0, а также амплитудную модуляцию глубиной до 00 % при r S На рис кривыми 3 и 4 даны зависимости Ð и Ð от r S, вычисленные при толщине фотопроводящего слоя мкм ( d << ) Нужно отметить, что практически полосы СВЧ, в которых возможна эффективная амплитудная модуляция при объѐмной и поверхностной фотопроводимости, отличаются незначительно Если толщина фотопроводящего слоя сравнима с P стоячей волны, то P зависимость объѐмной концентрации N 0,6 неравновесных носителей 0 º заряда от x влияет на 0,4 0, º 40 0 º r S, Îì Рис Зависимости P кривая и фазы отражённой волны P кривая от r S ; зависимости P кривая 3 и P кривая 4 от r S при d «значение Когда за время освещения фотопроводящий слой не успевает расшириться благодаря диффузии носителей заряда, те, когда t 0 D «, где D коэффициент диффузии, и выполня-ются условия t 0 <<, d >>, то в момент выключения света имеет место выражение: N x, t NS t0 фотопроводящего x Толщина слоя

5 возрастает по закону Dt При этом уменьшение концентрации неравновесных носителей заряда вблизи осве-щаемой поверхности может происходить быстрее, чем в объѐме Поэтому максимум N x смещается вглубь ПП, что влияет на зависимость t По-скольку подвижность носителей заряда, D,,, R и концентрация равновесных носителей заряда зависят от температуры, то нагрев ПП при больших значениях может привести к дополнительным нелинейностям Например, при увеличении температуры Ò Si выше комнатной на 00 ºС значения подвижности электронов, значения подвижности дырок P и D уменьшаются примерно в раза При таком изменении T значение R практически постоянно, а значение несколько возрастает при увеличении T в тех же пределах под действием излучения рубинового лазера изменяется в интервале ( 3) 0 5 м -, а под действием излучения неодимового лазера в интервале (,5 6) 0 3 м - Изменения могут заметно влиять на работу опторадиоэлектронных приборов (ОРЭП) если сравнимо с 4 СВЧ волны Для чистого Si при комнатной температуре и отсутствии света < 0,0 Смм и с нагревом быстро увеличивается до 0,4 Смм, в рассматриваемом интервале температур В Si при d > поглощается около 70 % энергии света, поэтому влиянием нагрева можно пренебречь, т е изменения температуры Si в известных пределах практически не влияют на амплитудную фотомодуляцию, и таковую паразитную не создают Фазовая модуляция на Si без заметного нагрева может быть получена лишь при использовании относительно коротких световых импульсов БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК Поспелов АН Оптоэлектронные СВЧ-приборы с лазерным управлением Материалы международной научно-практической конф «Электронные средства и системы управления» Часть : Томск 004 С 4 7 Кошелев ОГ Физические явления в фотоуправляемых модуляторах СВЧ на основе кремния при стационарных условиях Изв вузов Радиоэлектроника С Буторин ОВ, Швецов ВП Кинетика спада затухания в фотоуправляемых СВЧ модуляторах на основе высокоомного кремния Радиотехника С Гигоян СС, Мурмужев БА Оптически управляемые устройства миллиметрового диапазона Радиотехника С Posplow AN, Mizo ID Vry high frqucy modulators of millimtric-wav bad with cotrol of a lasr radiatio Procdigs of th 4th IEEE-Russia cofrc 003 Microwav lctroics: masurmts, idtificatio, applicatios Mmia 003, p Novosibirs, Russia 6 Кошелев ОГ, Плескачѐва ТБ Физические явления в фотоприемных модуляторах СВЧ на основе кремния при нестационарных условиях Изв ВУЗов Радиоэлектроника С АН Поспелов, 005

Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ Рассмотрим качественно физические принципы экранирования. Анализ проведем для плоского проводящего экрана. На рис. ХХ представлен бесконечно протяженный плоский металлический

Подробнее

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: 1. Ознакомиться с внутренней ионизацией полупроводников под действием света на примере работы полупроводниковых фотоприемников. 2. Построить спектральную

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS

ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра физики твердого тела В.В. ПАРФЕНОВ ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS Методическое пособие к лабораторной

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

АНОМАЛЬНАЯ ДИСПЕРСИЯ ВОЛН, РАСПРОСТРАНЯЮЩИХСЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ

АНОМАЛЬНАЯ ДИСПЕРСИЯ ВОЛН, РАСПРОСТРАНЯЮЩИХСЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ АНОМАЛЬНАЯ ДИСПЕРСИЯ ВОЛН, РАСПРОСТРАНЯЮЩИХСЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ Б. А. Мурмужев, Р. Н. Денисюк Институт Радиотехники и Электроники имени В. А. Котельникова РАН, Фрязинский

Подробнее

Экзамен. Циркулярно поляризованный свет или свет круговой поляризации (продолжение).

Экзамен. Циркулярно поляризованный свет или свет круговой поляризации (продолжение). Экзамен. Циркулярно поляризованный свет или свет круговой поляризации (продолжение). e + ie. Квадрат длины вектора равен Найдем длину вектора ( x y) скалярному произведению вектора самого на себя. Скалярное

Подробнее

Занятие 21 Тема: Цель: Краткая теория модель абсолютно черного тела серых квантов фотон энергетической светимостью Закон Стефана-Больцмана

Занятие 21 Тема: Цель: Краткая теория модель абсолютно черного тела серых квантов фотон энергетической светимостью Закон Стефана-Больцмана Занятие 1 Тема: Равновесное тепловое излучение Квантовая природа излучения Цель: Законы Стефана-Больцмана, Вина Фотоны Формула Планка Давление излучения Плотность потока фотонов Краткая теория Нагретое

Подробнее

= 0 0 y 2. 2) Для света длиной волны см показатели преломления в кварце n =1, 0

= 0 0 y 2. 2) Для света длиной волны см показатели преломления в кварце n =1, 0 ) Под каким углом должен падать пучок света из воздуха на поверхность жидкости, чтобы при отражении от дна стеклянного сосуда (n =,5) наполненного водой (n 2 =,33) свет был полностью поляризован. 2) Какова

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение 1 ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомление с явлением поглощения оптического излучения полупроводником, измерение спектров поглощения кристаллов CdS и GaAs при комнатной

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1 Вариант 1 1. Для простейшей кубической решетки изобразить плоскость (120). 2. Для кремния n-типа с концентрацией примеси N D = 1 10 24 м -3 (Т = 300 К) заряда, если к образцу кремния n-типа (N D = 1 10

Подробнее

ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА. Фотопроводимость

ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА. Фотопроводимость ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Цель работы: ознакомление с явлением фотопроводимости полупроводников, освоение экспериментального метода

Подробнее

ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ 4 ( ) ( ) Выражение мгновенного значения вектора E через комплексную амплитуду E m

ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ 4 ( ) ( ) Выражение мгновенного значения вектора E через комплексную амплитуду E m ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ 1 Уравнение Максвелла, несправедливое для электростатического поля А. divd = ρ Б. divd = В. rot E = Г. rot H = j ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ 2 Формула связи напряженности электрического поля и электростатического

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН Федеральное агентство связи Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики Кафедра электродинамики

Подробнее

05.2;07.

05.2;07. 26 ноября 05.2;07 Экспериментальное исследование поглощения волн миллиметрового диапазона в тонких металлических пленках В.Г. Андреев, В.А. Вдовин, П.С. Воронов Институт радиофизики и электроники РАН,

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 12 февраля 06.2;12 Пассивация поверхности кремния диэлектрическими пленками из оксида эрбия М.А. Родионов, В.А. Рожков Самарский государственный университет E-mail: rozhkov@ssu.samara.ru Поcтупило в Редакцию

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

1. ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ

1. ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ 3 1 ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ Система уравнений электродинамики (уравнений Максвелла) описывает наиболее общие законы электромагнитного поля Эти законы связывают между собой электрические

Подробнее

Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение

Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение 12 ноября 06.2;07 Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение П.Г. Кашерининов, А.Н. Лодыгин, И.С. Тарасов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.8. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК Введение Явление фотопроводимости заключается в возрастании электропроводности полупроводника под действием света. Это явление используется

Подробнее

Отрицательная терагерцовая проводимость графена при накачке оптическими плазмонами

Отрицательная терагерцовая проводимость графена при накачке оптическими плазмонами 12 июня 07;13 Отрицательная терагерцовая проводимость графена при накачке оптическими плазмонами И.М. Моисеенко 1,2, М.Ю. Морозов 1, В.В. Попов 1,2 1 Саратовский филиал Института радиотехники и электроники

Подробнее

Коэффициент поглощения электромагнитных волн в слоистой структуре «немагнитный проводник феррит»

Коэффициент поглощения электромагнитных волн в слоистой структуре «немагнитный проводник феррит» Вестник Челябинского государственного университета. 1. 4 (5). Физика. Вып. 8. С. 5 54. Коэффициент поглощения электромагнитных волн в слоистой структуре «немагнитный проводник феррит» Теоретически исследовано

Подробнее

H j+1 = γ j+1 H(x)(A j+1 e γ j+1z B j+1 e γ j+1z ). (1) H j = γ j H(x)(A j e γ j z B j e γ j z ), + γ j+1 B j+1 e γ j+1z j, j+1

H j+1 = γ j+1 H(x)(A j+1 e γ j+1z B j+1 e γ j+1z ). (1) H j = γ j H(x)(A j e γ j z B j e γ j z ), + γ j+1 B j+1 e γ j+1z j, j+1 Журнал технической физики 2006 том 76 вып. 5 05;06;09;11 Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл полупроводник по спектрам отражения и прохождения

Подробнее

ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ РЕАКТИВНЫХ КОМПОНЕНТ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ. А.А. Колоколов,

ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ РЕАКТИВНЫХ КОМПОНЕНТ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ. А.А. Колоколов, Декабрь 1992 г. Том 162, 12 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ РЕАКТИВНЫХ КОМПОНЕНТ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ А.А. Колоколов, (Московский физико-технический институт, Московский станкоинструментальный

Подробнее

Физика. Простые задачи. Задача 1. Задача 2

Физика. Простые задачи. Задача 1. Задача 2 Физика Простые задачи Задача 1 Для элементного анализа пробу наночастиц подготавливают следующим образом: сперва её испаряют, а затем ионизируют электронным пучком. Температура кипения серебра T = 2485

Подробнее

Лабораторная работа 3

Лабораторная работа 3 Лабораторная работа 3 Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках Основные понятия Если в полупроводник каким-либо способом (облучение, инжекция) ввести

Подробнее

Лабораторная работа. Цель работы. излучения с поверхностью металлической пленки исследование оптических

Лабораторная работа. Цель работы. излучения с поверхностью металлической пленки исследование оптических Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ПОСТОЯННЫХ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА Кононов М.А. Наими Е.К. Компьютерная модель «Оптические свойства металлических пленок» в

Подробнее

λ, поэтому и говорят, что при

λ, поэтому и говорят, что при Экзамен. Потеря полуволны при отражении от оптически более плотной среды. Рассмотрим нормальное падение света на границу раздела двух сред = =, тогда ( α 1) ( α ) α 1 α 0 cos = cos = 1, откуда 1 r = r

Подробнее

E E. 2, (2) c где c м/с скорость света в вакууме. tg (5)

E E. 2, (2) c где c м/с скорость света в вакууме. tg (5) Дисперсия света Известно что для однородной линейной изотропной (=onst) немагнитной (=) среды в отсутствии зарядов и токов (=; j=) из уравнений Максвелла можно получить волновое уравнение в виде: E E t

Подробнее

Качественные соображения.

Качественные соображения. Поглощение света оптическими фононами. ИК-спектроскопия. Оглавление Качественные соображения...1 Соотношение Лиддейна-Сакса-Теллера...2 Постановка эксперимента и примеры экспериментальных данных...6 Список

Подробнее

ЭФФЕКТИВНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ РАССЕЯНИЯ И ПОВЕРХНОСТНЫЙ ИМПЕДАНС РЕЗОНАТОРА СО СВОЙСТВАМИ ИСКУССТВЕННОГО МАГНИТНОГО ПРОВОДНИКА

ЭФФЕКТИВНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ РАССЕЯНИЯ И ПОВЕРХНОСТНЫЙ ИМПЕДАНС РЕЗОНАТОРА СО СВОЙСТВАМИ ИСКУССТВЕННОГО МАГНИТНОГО ПРОВОДНИКА РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА, 214, том 9, 12, с. 1188 1194 УДК 621.396.67.1 ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН ЭФФЕКТИВНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ РАССЕЯНИЯ И ПОВЕРХНОСТНЫЙ ИМПЕДАНС РЕЗОНАТОРА СО СВОЙСТВАМИ

Подробнее

ОБЩАЯ ФИЗИКА ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИЯ 8 ДИСПЕРСИЯ СВЕТА. (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2)

ОБЩАЯ ФИЗИКА ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИЯ 8 ДИСПЕРСИЯ СВЕТА. (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2) ОБЩАЯ ФИЗИКА ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИЯ 8 ДИСПЕРСИЯ СВЕТА (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2) Содержание лекции 1. Понятие о дисперсии света. Нормальная и аномальная дисперсия 2. Классическая

Подробнее

заряд электронной оболочки.

заряд электронной оболочки. Взаимодействие света с веществом Экзамен Модель атома Томсона Комплексная поляризуемость атомов Когда Томсон придумывал свою модель атома, еще не было известно, что в атоме есть положительное ядро Томсон

Подробнее

. Это - для нестационарного состояния. В стационарном состоянии просто заменяем D на D(t).

. Это - для нестационарного состояния. В стационарном состоянии просто заменяем D на D(t). 3. Параметрический резонанс 3. Концентрационные волны в среде с изменяющимся во времени коэффициентом диффузии Рассмотрим теперь ситуацию, когда концентрационная волна с некоторой частотой распространяется

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

Экзамен. Закон преломления (закон Снеллиуса) и закон отражения.

Экзамен. Закон преломления (закон Снеллиуса) и закон отражения. Экзамен Закон преломления (закон Снеллиуса и закон отражения Закон Снеллиуса можно доказать с помощью построений Гюйгенса Мы сделаем это при рассмотрении кристаллооптики, а сейчас докажем его иначе При

Подробнее

Волновая оптика. Световая волна

Волновая оптика. Световая волна Волновая оптика Свет - сложное явление: в одних случаях свет ведет себя как электромагнитная волна, в других - как поток особых частиц. Будем сначала изучать волновую оптику - круг явлений, в основе которых

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом.

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Made by NNEfimov.narod.ru Другие названия этих транзисторов: транзисторы на электронах с высокой подвижностью, ГМеП транзисторы,

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 26 июня 06.2;12 Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия М.А. Родионов, В.А. Рожков, А.В. Пашин Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная

Подробнее

I. Материалы для аттестации по первому циклу изучения дисциплины (1-8 недели семестра)

I. Материалы для аттестации по первому циклу изучения дисциплины (1-8 недели семестра) Методические материалы для проведения аттестаций по дисциплине «Приборы СВЧ и оптического диапазона» для подготовки студентов специальности 210404.65 «Многоканальные телекоммуникационные системы» I. Материалы

Подробнее

Плазмонный парогенератор T2

Плазмонный парогенератор T2 Введение В этой задаче мы исследуем эффективный процесс получения водяного пара, который был реализован в эксперименте. В водном растворе содержатся шарообразные наноразмерные частицы серебра (в концентрации

Подробнее

= j+ c c t для границы раздела принимают следующий вид. Те же соотношения должны выполняться и для комплексных величин, тогда

= j+ c c t для границы раздела принимают следующий вид. Те же соотношения должны выполняться и для комплексных величин, тогда Экзамен Формулы Френеля Амплитудные коэффициенты отражения и пропускания Найдем амплитуды отраженной и преломленной волн из граничных условий, с учетом поперечности световых волн и с учетом законов отражения

Подробнее

Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах

Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах 07 Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах Н.А. Гусак Институт повышения квалификации и переподготовки кадров по новым

Подробнее

Тема 1. Электростатика

Тема 1. Электростатика Домашнее задание по курсу общей физики для студентов 3-го курса. Варианты 1-9 - Задача 1.1 Варианты 10-18 - Задача 1.2 Варианты 19-27 - Задача 1.3 Тема 1. Электростатика По результатам проведённых вычислений

Подробнее

ПЛОСКИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ

ПЛОСКИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ Глава пятая ПЛОСКИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ 5 ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Плоские лектромагнитные волны существуют в однородных безграничных средах В случае полей, изменяющихся во времени по гармоническому

Подробнее

ОБЪЕМНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ. Глава десятая ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

ОБЪЕМНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ. Глава десятая ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Глава десятая ОБЪЕМНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ 1.1. ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Объемный резонатор представляет собой замкнутую полость ограниченную металлическими стенками внутри которой существуют электромагнитные

Подробнее

Исследование разупорядоченных слоистых структур с переменной эффективной диэлектрической проницаемостью

Исследование разупорядоченных слоистых структур с переменной эффективной диэлектрической проницаемостью Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Подробнее

21. Расстояния от бипризмы Френеля до узкой щели и экрана равны соответственно

21. Расстояния от бипризмы Френеля до узкой щели и экрана равны соответственно ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ СВЕТА 1. Какой частоте колебаний соответствует длина волны излучения в инфракрасной области (λ 1 = 2,5 мкм) и в ультрафиолетовой (λ 2 = 200 нм) области спектра? 2. Сколько длин волн монохроматического

Подробнее

ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ к самостоятельной работе студентов по курсу «Физика СВЧ» 1. Элементы теории поля

ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ к самостоятельной работе студентов по курсу «Физика СВЧ» 1. Элементы теории поля ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ к самостоятельной работе студентов по курсу «Физика СВЧ» 1 Элементы теории поля 11 Подсчитать поток вектора A = 5/ rlr сквозь сферическую поверхность радиуса r = Центр сферы совпадает

Подробнее

Урок Волны в пространстве времени 59

Урок Волны в пространстве времени 59 1. Волны в пространстве времени 59 Урок 9 Контрольная работа по электродинамике 1.46. 1. По бесконечно длинному идеальному пустому волноводу, сечение которого квадрат со стороной, вдоль оси z бегут одновременно

Подробнее

КВАНТОВАЯ ОПТИКА. Задачи

КВАНТОВАЯ ОПТИКА. Задачи КВАНТОВАЯ ОПТИКА. Задачи 1 Качественные задачи 1. Зависит ли энергия фотона от длины волны света? 2. Металлическая пластинка под действием рентгеновских лучей зарядилась. Каков знак заряда? 3. Чему равно

Подробнее

34. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ

34. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ 34. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ Большинство методов измерения электрических параметров материалов на СВЧ основано на исследовании распространения электромагнитных волн в среде или волновых

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Подробнее

5 Волновая оптика. Основные формулы и определения

5 Волновая оптика. Основные формулы и определения 5 Волновая оптика Основные формулы и определения Интерференцией света называется сложение когерентных волн, в результате которого происходит перераспределение световой энергии в пространстве, что приводит

Подробнее

Индивидуальное задание N 6. «Волновая оптика»

Индивидуальное задание N 6. «Волновая оптика» Индивидуальное задание N 6 «Волновая оптика» 1.1. Экран освещается двумя когерентными источниками света, находящимися на расстоянии 1 мм друг от друга. Расстояние от плоскости источников света до экрана

Подробнее

Интерференция света. = 0,50 мкм) заменить красным ( λ 2. , - фазы колебаний. Воспользовавшись методом векторных диаграмм, получим

Интерференция света. = 0,50 мкм) заменить красным ( λ 2. , - фазы колебаний. Воспользовавшись методом векторных диаграмм, получим Интерференция света Примеры решения задач Пример Во сколько раз увеличится расстояние между соседними интерференционными полосами на экране в опыте Юнга если зеленый светофильтр ( = 5 мкм) заменить красным

Подробнее

Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами

Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами Оборудование: фотоэлектрический колориметр-нефелометр ФЭК-60, набор образцов твердого тела, набор кювет с растворами разной концентрации.

Подробнее

RU (11) (51) МПК G01R 27/06 ( )

RU (11) (51) МПК G01R 27/06 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (1) МПК G01R 27/06 (06.01) 170 734 (13) U1 R U 1 7 0 7 3 4 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22) Заявка:

Подробнее

Вариант 1. s 2 s 1 f f. б) Продолжить ход луча, показанного на рисунке, для двух случаев: 1) если линза Л рассеивающая и 2) если линза Л собирающая.

Вариант 1. s 2 s 1 f f. б) Продолжить ход луча, показанного на рисунке, для двух случаев: 1) если линза Л рассеивающая и 2) если линза Л собирающая. Вариант 1. 1. a) Источник света с яркостью L = 200 кд/м 2 находится на расстоянии s 1 = 20 см от тонкой линзы с фокусным расстоянием = 10 см. Построить ход лучей, найти, на каком расстоянии s 2 расположено

Подробнее

ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИИ 1-2 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ. (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2)

ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИИ 1-2 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ. (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2) ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИИ 1-2 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2) Содержание лекции Уравнения Максвелла Волновое уравнение для электромагнитного поля Свойства электромагнитных

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

ОГЛАВЛЕНИЕ Граничные условия для касательных составляющих. векторов электрического поля...59

ОГЛАВЛЕНИЕ Граничные условия для касательных составляющих. векторов электрического поля...59 ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие... 8 Глава 1. Основы электромагнетизма... 9 1.1. Электромагнитное поле...9 1.2. Плотность тока проводимости...12 1.3. Закон сохранения заряда...14 1.4. Закон Гаусса...15 1.5. Закон

Подробнее

Нестационарный фототок в кристалле Bi12SiO20, выращенном в атмосфере аргона

Нестационарный фототок в кристалле Bi12SiO20, выращенном в атмосфере аргона 12 мая 05;07;12 Нестационарный фототок в кристалле Bi 12 SiO 20, выращенном в атмосфере аргона М.А. Брюшинин, И.А. Соколов Институт проблем машиноведения РАН, С.-Петербург Поступило в Редакцию 25 декабря

Подробнее

Раздел 17. Квантовые модели материи

Раздел 17. Квантовые модели материи Раздел 17. Квантовые модели материи Тема 1. Фотонный газ Тема 2. Электронный газ в металле Тема 3. Квантовая теория электропроводности Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость Тема 5. Фононы Для работы

Подробнее

О НЕКОТОРЫХ ТИПАХ КИНЕТИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ, СВОДЯЩИХСЯ К УРАВНЕНИЯМ В ЧАСТНЫХ ПРОИЗВОДНЫХ

О НЕКОТОРЫХ ТИПАХ КИНЕТИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ, СВОДЯЩИХСЯ К УРАВНЕНИЯМ В ЧАСТНЫХ ПРОИЗВОДНЫХ 12 ПРИКЛАДНАЯ МЕХАНИКА И ТЕХНИЧЕСКАЯ ФИЗИКА. 2007. Т. 48, N- 5 УДК 539.1 О НЕКОТОРЫХ ТИПАХ КИНЕТИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ, СВОДЯЩИХСЯ К УРАВНЕНИЯМ В ЧАСТНЫХ ПРОИЗВОДНЫХ С. О. Гладков, И. Г. Табакова Московский

Подробнее

Свободные и вынужденные колебания. Сложение колебаний.

Свободные и вынужденные колебания. Сложение колебаний. ТИПОВЫЕ ВОПРОСЫ К ТЕСТУ (ч. ) Уравнения Максвелла 1. Полная система уравнений Максвелла для электромагнитного поля имеет вид: Укажите следствием каких уравнений являются следующие утверждения: в природе

Подробнее

Экзамен. Полное внутреннее отражение. Рассмотрим закон Снеллиуса: n n. sin α > 1 для угла преломления α 2 нет

Экзамен. Полное внутреннее отражение. Рассмотрим закон Снеллиуса: n n. sin α > 1 для угла преломления α 2 нет Экзамен. Полное внутреннее отражение. Рассмотрим закон Снеллиуса: si( α = si( α => si( α = si( α Если si( α >, то ( si α > для угла преломления α нет решения, удовлетворяющего закону Снеллиуса. Это и есть

Подробнее

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ ВБЛИЗИ КРАЯ СОБСТВЕННОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ ВБЛИЗИ КРАЯ СОБСТВЕННОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра «Физика и технология материалов и компонентов электронной техники»

Подробнее

Экзамен. Пленка Троицкого. Селекция лазерных мод.

Экзамен. Пленка Троицкого. Селекция лазерных мод. Экзамен Пленка Троицкого Селекция лазерных мод Обычно внутри частотного контура усиления лазерной среды при условии усиления больше потерь b ℵ g>ℵ0 помещается несколько продольных c мод с интервалом ν

Подробнее

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

7. Определить импульсы и массы фотонов с длинами волн 500 нм, 250 нм и 400 нм.

7. Определить импульсы и массы фотонов с длинами волн 500 нм, 250 нм и 400 нм. Вариант 1 1. Между стеклянной пластинкой и лежащей на ней плосковыпуклой линзой находится жидкость. Найти показатель преломления жидкости, если радиус r 3 третьего темного кольца Ньютона при наблюдении

Подробнее

Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОКУСНЫХ РАССТОЯНИЙ СОБИРАЮЩЕЙ И РАССЕИВАЮЩЕЙ ЛИНЗ. Теоретическое введение

Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОКУСНЫХ РАССТОЯНИЙ СОБИРАЮЩЕЙ И РАССЕИВАЮЩЕЙ ЛИНЗ. Теоретическое введение Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ ФОКУСНЫХ РАССТОЯНИЙ СОБИРАЮЩЕЙ И РАССЕИВАЮЩЕЙ ЛИНЗ Теоретическое введение Для описания распространения и взаимодействия электромагнитного излучения с веществом используют

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее

УДК НЕМОНОТОННЫЙ ХАРАКТЕР ИСПАРЕРИЯ ЛЕЖАЩЕЙ КАПЛИ

УДК НЕМОНОТОННЫЙ ХАРАКТЕР ИСПАРЕРИЯ ЛЕЖАЩЕЙ КАПЛИ УДК 532.6 + 531.715.1 НЕМОНОТОННЫЙ ХАРАКТЕР ИСПАРЕРИЯ ЛЕЖАЩЕЙ КАПЛИ В.Л. Ушаков, Г.П. Пызин По результатам проведенных экспериментов с испаряющейся каплей воды установлено, что скорость ее испарения носит

Подробнее

МБОУ «Физико-математический лицей» Г. Сергиев Посад

МБОУ «Физико-математический лицей» Г. Сергиев Посад МБОУ «Физико-математический лицей» Г. Сергиев Посад Областной конкурс научно - исследовательской и проектной деятельности обучающихся «Юный исследователь» Секция: Научно-техническое творчество Тема: «Управление

Подробнее

Лоренцевская форма линии поглощения. Нормальная и аномальная дисперсия света (продолжение). 2

Лоренцевская форма линии поглощения. Нормальная и аномальная дисперсия света (продолжение). 2 Лоренцевская форма линии поглощения Нормальная и аномальная дисперсия света (продолжение) ℵ= πn f mc Ω + Ω n' = πn f m Ω + Здесь N концентрация атомов, f оптическая сила осциллятора, модуль заряда электрона,

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

Оптика (наименование дисциплины) Направление подготовки физика. Профиль подготовки «Фундаментальная физика», «Физика атомного ядра и частиц»

Оптика (наименование дисциплины) Направление подготовки физика. Профиль подготовки «Фундаментальная физика», «Физика атомного ядра и частиц» 1 Аннотация рабочей программы дисциплины Оптика (наименование дисциплины) Направление подготовки 03.03.02 физика Профиль подготовки «Фундаментальная физика», «Физика атомного ядра и частиц» Квалификация

Подробнее

3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники.

3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники. 3 3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники. Физический маятник. Физическим маятником называется твёрдое тело, совершающее под действием силы тяжести колебания вокруг

Подробнее

Экзаменационный билет 1

Экзаменационный билет 1 Экзаменационный билет 1 1. Гармонические колебания. Колебательный контур, состоящий из конденсатора и катушки индуктивности. 2. Интерференция света. Монохроматичность и временная когерентность световых

Подробнее

Глава. Электроны и дырки в полупроводниках.

Глава. Электроны и дырки в полупроводниках. Глава Электроны и дырки в полупроводниках Зонная структура полупроводников, диэлектриков Определим валентную зону как наивысшую энергетическую зону электронов в твердом теле, которая целиком заполнена

Подробнее

Дисперсия света Поляризация. Волновая оптика

Дисперсия света Поляризация. Волновая оптика Дисперсия света Поляризация Волновая оптика Дисперсия света зависимость показателя преломления n вещества от частоты ν (длины волны λ) света, или зависимость фазовой скорости v световых волн от его частоты

Подробнее

Он должен обладать низкими прямыми потерями и высокими обратными. - вентильное отношение в дб. Резонансный вентиль.

Он должен обладать низкими прямыми потерями и высокими обратными. - вентильное отношение в дб. Резонансный вентиль. Ферритовые устройства СВЧ Состоят из трѐх основных элементов: передающая линия, ферритовый элемент, намагничивающая система. Основная задача этих устройств: управлять СВЧ волной между генератором и антенной.

Подробнее

Тест по квантовой физике система подготовки к тестам Gee Test. oldkyx.com

Тест по квантовой физике система подготовки к тестам Gee Test. oldkyx.com Тест по квантовой физике система подготовки к тестам Gee Test oldkyx.com Список вопросов по квантовой физике 1. Какому условию должна удовлетворять длина волны света λ, падающего на поверхность металла,

Подробнее

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МЭИ» «УТВЕРЖДАЮ» Директор ИРЭ Мирошникова И.Н. подпись

Подробнее

ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN

ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДА НА GaN А.А. Попов Научный руководитель Т.И. Данилина профессор каф. ФЭ г. Томск ТУСУР Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

Подробнее

Работа ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СВЕТА В.И.Сафаров

Работа ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СВЕТА В.И.Сафаров Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ Работа 3.02 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОГО СВЕТА В.И.Сафаров ЗАДАЧА Исследование и преобразование поляризации света с помощью поляризатора и фазовых пластинок. Проверка

Подробнее

ДИДАКТИЧЕСКАЯ ЕДИНИЦА 5: Волновая и квантовая оптика

ДИДАКТИЧЕСКАЯ ЕДИНИЦА 5: Волновая и квантовая оптика ДИДАКТИЧЕСКАЯ ЕДИНИЦА 5: Волновая и квантовая оптика Задание На расстоянии м от лампы энергетическая освещенность небольшого листа бумаги, расположенном перпендикулярно световым лучам, равнялась Вт/м.

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВИБРАЦИЙ НА ДИАГРАММУ НАПРАВЛЕННОСТИ ВОЛНОВОДНО-ЩЕЛЕВОЙ АНТЕННЫ

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВИБРАЦИЙ НА ДИАГРАММУ НАПРАВЛЕННОСТИ ВОЛНОВОДНО-ЩЕЛЕВОЙ АНТЕННЫ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВИБРАЦИЙ НА ДИАГРАММУ НАПРАВЛЕННОСТИ ВОЛНОВОДНО-ЩЕЛЕВОЙ АНТЕННЫ Н.А. Талибов, А.Н. Якимов, В.В. Смогунов Пензенский государственный университет (г. Пенза) Проводится модельное исследование

Подробнее

Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме

Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме АГ Быков ДВ Лосев ДС Бардашов Национальный исследовательский Томский государственный университет Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме Рассмотрена задача определения временной

Подробнее

1. Волны в пространстве времени 43

1. Волны в пространстве времени 43 42 Урок 6 Соотношение неопределенностей 1.28. (Задача 2.24.) Пользуясь соотношением неопределенностей, оценить размер области, в которой применимо понятие луча в оптике. Решение Геометрическая оптика рассматривает

Подробнее

МОДУЛЬ 3 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ И ВОЛНЫ. ВОЛНОВАЯ И КВАНТОВАЯ ОПТИКА

МОДУЛЬ 3 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ И ВОЛНЫ. ВОЛНОВАЯ И КВАНТОВАЯ ОПТИКА 1 МОДУЛЬ 3 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ И ВОЛНЫ. ВОЛНОВАЯ И КВАНТОВАЯ ОПТИКА Раздел 9. Электромагнитные колебания Тема 35 9. 35.1 ПЕРИОД КОЛЕБАНИЙ C КОНТУРА ИЗМЕНИТСЯ ЕСЛИ ЕМКОСТЬ КОНДЕНСАТОРА УВЕЛИЧИТЬ

Подробнее

2. Когерентность, интерференция, дифракция Урок 10

2. Когерентность, интерференция, дифракция Урок 10 2. Когерентность, интерференция, дифракция 65 2. Когерентность, интерференция, дифракция Урок 10 Интерференция. Схема Юнга и Ллойда Интерференция это взаимодействие 2 х и более волн, когда они взаимодействуют

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЧАСТОТЫ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ГИДРАТОПАРАФИНОВЫЕ ОТЛОЖЕНИЯ В ПОДЗЕМНОМ ОБОРУДОВАНИИ СКВАЖИН

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЧАСТОТЫ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ГИДРАТОПАРАФИНОВЫЕ ОТЛОЖЕНИЯ В ПОДЗЕМНОМ ОБОРУДОВАНИИ СКВАЖИН УДК 6. +6.6.+48.6 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЧАСТОТЫ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ГИДРАТОПАРАФИНОВЫЕ ОТЛОЖЕНИЯ В ПОДЗЕМНОМ ОБОРУДОВАНИИ СКВАЖИН Фатыхов М.А., Багаутдинов Н.Я., Фатыхов Л.М. Башкирский государственный

Подробнее