ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ"

Транскрипт

1 УДК 63096: АН Поспелов СГГА, Новосибирск ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СРЕДОЙ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ОПТОРАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ При исследовании модуляции сверхвысокочастотной (СВЧ) волны в полупроводниковом (ПП) рабочем теле модулятора, можно видеть, что за счѐт изменения проводимости под действием света с ростом плотности потока светового излучения увеличивается мнимая часть показателя преломления Вещественная часть практически постоянна Данное обстоятельство приводит к модуляции СВЧ волны по амплитуде При дальнейшем увеличении фотопроводимости начинает изменяться и Помещая ПП в таком состоянии внутрь волновода, можно модулировать коэффициенты пропускания и отражения СВЧ волны по амплитуде и фазе Например, фазовую модуляцию, проходящей по прямоугольному волноводу волны H 0 можно получить, создавая светом слой с достаточной проводимостью в ПП пластине, расположенной параллельно его узкой стенке Для получения значительного уровня модуляции при сравнительно небольших значениях целесообразно применять высокоомный ПП с высокой фоточувствительностью [] Когда высокоомная фоточувствительная пластина, размещѐнная на металлической зеркальной поверхности, освещается со стороны падения СВЧ волны, то при относительно большой, вследствие развивающегося достаточного (приближение к полуметаллу, металлу по значению объѐмная удельная электропроводность материала) значения величины, узел СВЧ волны с поверхности зеркала перемещается на освещаемую поверхность Таким образом, модулируя величину можно получать изменение фазы волны от 0 до 80 При меньших значениях возможно получать амплитудную модуляцию СВЧ глубиной до 00% вследствие явления интерференции, когда волны, отражѐнные от зеркала и освещаемой поверхности, равны по величине и противоположны по фазе Для управляющего устройства проходного типа при тех же значениях возможна модуляция амплитуды волны СВЧ до 50% [] Освещение ПП короткими импульсами обеспечивает значительно меньший нагрев его Время релаксации фотопроводимости ПП определяет быстродействие прибора Поэтому при проектировании фотоуправляемых приборов необходимо рассматривать условия нестационарной фотопроводимости Самое оптимальное условие скорости рекомбинации и диффузии не зависят от [3] Возможно эффективное световое управление амплитудой или фазой СВЧ миллиметровой волны (ММВ) в ПП (G, Si, GaAs) волноводах, аналогичных диэлектрическим, и в композиционных структурах на электромагнитносвязанных отрезках поликоровых зеркальных волноводов и кремниевых зеркальных волноводов (КЗВ) или кремниевых резонаторов [4, 5] Эффекты

2 управления обусловлены увеличением концентрации неравновесных носителей заряда в КЗВ за счѐт изменения, т е комплексной диэлектрической проницаемости при его освещении Уменьшение амплитуды заметно уже при небольшом значении, а заметный фазовый сдвиг требует мощного лазерного источника облучения, работающего в импульсном режиме Применение фотоуправляемых модулирующих устройств вместо фазированных антенных решѐток на основе p-i--диодов позволяет продвинуться в существенно более коротковолновую область СВЧ область ММВ и исключает необходимость в сложных коммутирующих устройствах, повышает устойчивость к импульсным СВЧ перегрузкам, поскольку взаимодействие с СВЧ волной происходит в большом объѐме рабочего тела ПП Эффективность таких приборов определяется фотоэлектрическими свойствами используемого ПП Перспективными ПП к использованию являются: Si, G, GaAs, CdS, CdS Изменяя фотоэлектрические свойства ПП и условия его освещения можно варьировать параметры проектируемых приборов Уменьшая, например, время жизни неравновесных носителей заряда, повышают быстродействие прибора Если неравновесные носители заряда сконцентрированы в тонком приповерхностном слое ПП, в толще которого СВЧ поле практически постоянно, т е толщина фотопроводящего слоя много меньше половины СВЧ стоячей волны, то L d «d, «d, L d «, «, где L диффузионная длина фотоэффекта, d толщина ПП, показатель d поглощения света, длина СВЧ волны в вакууме В этом случае коэффициент отражения СВЧ волны определяется только значением N S концентрации неравновесных носителей заряда на поверхности ПП [, 6] Если за время t 0 импульса света рекомбинация в объѐме и на поверхности незначительна ( t 0 << ), то форма этого импульса несущественна и при d >> N S ( t 0 ) Q( R) ( h ), где Q плотность энергии светового импульса, R коэффициент отражения света, h постоянная Планка; частота световых электромагнитных колебаний При выполнении условий d >> L d, d >> необходимо учитывать поверхностную рекомбинацию на неосвещѐнной стороне ПП Для нахождения N S ( x, t) ( x расстояние от освещѐнной поверхности вглубь радиоматериала; t время) применяют методы разделения переменных или разложения в ряд Фурье величин, зависящих от времени В первом случае N S ( x, t) представляет собой сумму экспонент с различными постоянными времени Если фотопроводимость заметно изменяется на протяжении от узла до пучности, что имеет место при толщине фотопроводящего слоя, сравнимой с

3 половиной длины стоячей СВЧ волны, то модуляцию можно просчитать только с помощью численных методов При независимости от x изменение максимально при условии d m, где m натуральное число мощности P можно представить в виде: и модуль коэффициента отражения 4 d j cth d j cth d ; 4 d, где m - натуральное число мощности P можно представить в виде: 4 d j cth d j cth d ; и модуль коэффициента отражения 4 d Рассматриваемая структура даѐт возможность осуществлять фазовую модуляцию на 80º, поскольку изменяется от + при 0 до - при» Амплитудная модуляция глубиной до 00% достигается при 4 d зависимость: 8 d 8 cos 4 d0 d cos 4 d0 С другой стороны имеет место где 0 значение при 0 Смм Если приравнять P к нулю, то можно найти полосу СВЧ, в которой возможна эффективная амплитудная модуляция, при изменении от до 0 ( < 0, ) В этой полосе W 0 0rS 0 0 P, 0rS 0 0 где W 0 волновое сопротивление вакуума, S сопротивление рабочего тела Если P 0, то r S 0 l 0 0, r поверхностное

4 Зная r S возможно оценить Зависимости P кривая и фазы отражѐнной волны P кривая от 7 r S, вычисленные по приведѐнным формулам для Si при 0 3, 4, N S,4 0 м -, 0, 0 м длина СВЧ волны в среде, и m приведены на рис Если СВЧ волна поглощается освещаемой поверхностью в фотопроводящем слое толщиной, много меньшей, то модуляция также максимальна при условии d m При этом rs rs Видно, что рассматриваемая структура позволяет получать фазовую модуляцию до 80º, так как изменяется от + при r S >> W 0 до - при r S << W 0, а также амплитудную модуляцию глубиной до 00 % при r S На рис кривыми 3 и 4 даны зависимости Ð и Ð от r S, вычисленные при толщине фотопроводящего слоя мкм ( d << ) Нужно отметить, что практически полосы СВЧ, в которых возможна эффективная амплитудная модуляция при объѐмной и поверхностной фотопроводимости, отличаются незначительно Если толщина фотопроводящего слоя сравнима с P стоячей волны, то P зависимость объѐмной концентрации N 0,6 неравновесных носителей 0 º заряда от x влияет на 0,4 0, º 40 0 º r S, Îì Рис Зависимости P кривая и фазы отражённой волны P кривая от r S ; зависимости P кривая 3 и P кривая 4 от r S при d «значение Когда за время освещения фотопроводящий слой не успевает расшириться благодаря диффузии носителей заряда, те, когда t 0 D «, где D коэффициент диффузии, и выполня-ются условия t 0 <<, d >>, то в момент выключения света имеет место выражение: N x, t NS t0 фотопроводящего x Толщина слоя

5 возрастает по закону Dt При этом уменьшение концентрации неравновесных носителей заряда вблизи осве-щаемой поверхности может происходить быстрее, чем в объѐме Поэтому максимум N x смещается вглубь ПП, что влияет на зависимость t По-скольку подвижность носителей заряда, D,,, R и концентрация равновесных носителей заряда зависят от температуры, то нагрев ПП при больших значениях может привести к дополнительным нелинейностям Например, при увеличении температуры Ò Si выше комнатной на 00 ºС значения подвижности электронов, значения подвижности дырок P и D уменьшаются примерно в раза При таком изменении T значение R практически постоянно, а значение несколько возрастает при увеличении T в тех же пределах под действием излучения рубинового лазера изменяется в интервале ( 3) 0 5 м -, а под действием излучения неодимового лазера в интервале (,5 6) 0 3 м - Изменения могут заметно влиять на работу опторадиоэлектронных приборов (ОРЭП) если сравнимо с 4 СВЧ волны Для чистого Si при комнатной температуре и отсутствии света < 0,0 Смм и с нагревом быстро увеличивается до 0,4 Смм, в рассматриваемом интервале температур В Si при d > поглощается около 70 % энергии света, поэтому влиянием нагрева можно пренебречь, т е изменения температуры Si в известных пределах практически не влияют на амплитудную фотомодуляцию, и таковую паразитную не создают Фазовая модуляция на Si без заметного нагрева может быть получена лишь при использовании относительно коротких световых импульсов БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК Поспелов АН Оптоэлектронные СВЧ-приборы с лазерным управлением Материалы международной научно-практической конф «Электронные средства и системы управления» Часть : Томск 004 С 4 7 Кошелев ОГ Физические явления в фотоуправляемых модуляторах СВЧ на основе кремния при стационарных условиях Изв вузов Радиоэлектроника С Буторин ОВ, Швецов ВП Кинетика спада затухания в фотоуправляемых СВЧ модуляторах на основе высокоомного кремния Радиотехника С Гигоян СС, Мурмужев БА Оптически управляемые устройства миллиметрового диапазона Радиотехника С Posplow AN, Mizo ID Vry high frqucy modulators of millimtric-wav bad with cotrol of a lasr radiatio Procdigs of th 4th IEEE-Russia cofrc 003 Microwav lctroics: masurmts, idtificatio, applicatios Mmia 003, p Novosibirs, Russia 6 Кошелев ОГ, Плескачѐва ТБ Физические явления в фотоприемных модуляторах СВЧ на основе кремния при нестационарных условиях Изв ВУЗов Радиоэлектроника С АН Поспелов, 005


Лабораторная работа 19

Лабораторная работа 19 Лабораторная работа 19 ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную, световую и спектральную характеристики фотосопротивления.

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

План Оптические явления на границе раздела сред: отражение и преломление поляризованного света на границе раздела. Формулы Френеля. Эффект Брюстера.

План Оптические явления на границе раздела сред: отражение и преломление поляризованного света на границе раздела. Формулы Френеля. Эффект Брюстера. Лекция 11 План 1. Оптические явления на границе раздела сред: отражение и преломление поляризованного света на границе раздела.. Формулы Френеля. 3. Эффект Брюстера. 4. Изменение фазы световой волны при

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ Рассмотрим качественно физические принципы экранирования. Анализ проведем для плоского проводящего экрана. На рис. ХХ представлен бесконечно протяженный плоский металлический

Подробнее

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

Глава 8. Взаимодействие световых волн со свободными электронами [14]

Глава 8. Взаимодействие световых волн со свободными электронами [14] 67 Глава 8. Взаимодействие световых волн со свободными электронами [14] В предыдущих главах чаще всего предполагалось, что электроны, с которыми взаимодействует световая волна, находятся в связанном состоянии.

Подробнее

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1 ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: 1. Ознакомиться с внутренней ионизацией полупроводников под действием света на примере работы полупроводниковых фотоприемников. 2. Построить спектральную

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS

ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS КАЗАНСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ Кафедра физики твердого тела В.В. ПАРФЕНОВ ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ЛЮКС-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА ИЗ CdS Методическое пособие к лабораторной

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

АНОМАЛЬНАЯ ДИСПЕРСИЯ ВОЛН, РАСПРОСТРАНЯЮЩИХСЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ

АНОМАЛЬНАЯ ДИСПЕРСИЯ ВОЛН, РАСПРОСТРАНЯЮЩИХСЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ АНОМАЛЬНАЯ ДИСПЕРСИЯ ВОЛН, РАСПРОСТРАНЯЮЩИХСЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ Б. А. Мурмужев, Р. Н. Денисюк Институт Радиотехники и Электроники имени В. А. Котельникова РАН, Фрязинский

Подробнее

Светодиоды. Лекция 2.

Светодиоды. Лекция 2. Светодиоды. Лекция 2. Люминесценция равновесного полупроводника Концентрация носителей заряда в полупроводнике GaAs при комнатной температуре равна n1=1,8*106 см-3, а коэффициент радиационной электрондырочной

Подробнее

Занятие 21 Тема: Цель: Краткая теория модель абсолютно черного тела серых квантов фотон энергетической светимостью Закон Стефана-Больцмана

Занятие 21 Тема: Цель: Краткая теория модель абсолютно черного тела серых квантов фотон энергетической светимостью Закон Стефана-Больцмана Занятие 1 Тема: Равновесное тепловое излучение Квантовая природа излучения Цель: Законы Стефана-Больцмана, Вина Фотоны Формула Планка Давление излучения Плотность потока фотонов Краткая теория Нагретое

Подробнее

Экзамен. Циркулярно поляризованный свет или свет круговой поляризации (продолжение).

Экзамен. Циркулярно поляризованный свет или свет круговой поляризации (продолжение). Экзамен. Циркулярно поляризованный свет или свет круговой поляризации (продолжение). e + ie. Квадрат длины вектора равен Найдем длину вектора ( x y) скалярному произведению вектора самого на себя. Скалярное

Подробнее

= 0 0 y 2. 2) Для света длиной волны см показатели преломления в кварце n =1, 0

= 0 0 y 2. 2) Для света длиной волны см показатели преломления в кварце n =1, 0 ) Под каким углом должен падать пучок света из воздуха на поверхность жидкости, чтобы при отражении от дна стеклянного сосуда (n =,5) наполненного водой (n 2 =,33) свет был полностью поляризован. 2) Какова

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

Фотодиод. Фотодиод. ФД активная площадь-10х10 мм². ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах

Фотодиод. Фотодиод. ФД активная площадь-10х10 мм². ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодиод Материал из Википедии свободной энциклопедии Фотодиод ФД-10-100 активная площадь-10х10 мм² ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) Обозначение на схемах Фотодио д приёмник оптического излучения

Подробнее

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1

Лабораторная работа 1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ. Вариант 1 Вариант 1 1. Для простейшей кубической решетки изобразить плоскость (120). 2. Для кремния n-типа с концентрацией примеси N D = 1 10 24 м -3 (Т = 300 К) заряда, если к образцу кремния n-типа (N D = 1 10

Подробнее

r х 0 β 1 β Определите индукцию магнитного поля внутри бесконечно длинного соленоида Â

r х 0 β 1 β Определите индукцию магнитного поля внутри бесконечно длинного соленоида Â Условия задач 11 класс. РФО г. Могилев, 4 8 марта 14 г. Задача 11-1 1. Край соленоида В цилиндрической катушке длины L и радиуса r с числом витков N индукция магнитного поля в любой точке с координатой

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ 4 ( ) ( ) Выражение мгновенного значения вектора E через комплексную амплитуду E m

ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ 4 ( ) ( ) Выражение мгновенного значения вектора E через комплексную амплитуду E m ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ 1 Уравнение Максвелла, несправедливое для электростатического поля А. divd = ρ Б. divd = В. rot E = Г. rot H = j ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ 2 Формула связи напряженности электрического поля и электростатического

Подробнее

ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА. Фотопроводимость

ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА. Фотопроводимость ОПРЕДЛЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПО ИССЛЕДОВАНИЮ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА Цель работы: ознакомление с явлением фотопроводимости полупроводников, освоение экспериментального метода

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1. Время жизни носителей заряда 2. Дрейфовое движение

Подробнее

1E+09 1E+07 1E+05 1E+03 1E+01. RaФ

1E+09 1E+07 1E+05 1E+03 1E+01. RaФ Основные характеристики ФР Сопротивление ФР Различают: темновое сопротивление ФР; характеристику зависимости сопротивления от падающего потока излучения R(Ф) или освещенности R(E). Величина темнового сопротивления

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 12 февраля 06.2;12 Пассивация поверхности кремния диэлектрическими пленками из оксида эрбия М.А. Родионов, В.А. Рожков Самарский государственный университет E-mail: rozhkov@ssu.samara.ru Поcтупило в Редакцию

Подробнее

05.2;07.

05.2;07. 26 ноября 05.2;07 Экспериментальное исследование поглощения волн миллиметрового диапазона в тонких металлических пленках В.Г. Андреев, В.А. Вдовин, П.С. Воронов Институт радиофизики и электроники РАН,

Подробнее

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ 11 ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ Неметаллы отличаются от проводников наличием зоны запрещенных энергий g для электронов Структуры энергетических зон собственного полупроводника приведены на рис14 Состояния,

Подробнее

ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ Т. 56, 1 ФИЗИКА 2013 * * * ДВУХСЛОЙНЫЙ ТОНКИЙ ЦИЛИНДР В ОТКРЫТОМ СВЧ-РЕЗОНАТОРЕ

ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ Т. 56, 1 ФИЗИКА 2013 * * * ДВУХСЛОЙНЫЙ ТОНКИЙ ЦИЛИНДР В ОТКРЫТОМ СВЧ-РЕЗОНАТОРЕ ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ Т. 56, 1 ФИЗИКА 2013 * * * УДК 621.317.332, 335 И.О. ДОРОФЕЕВ, Г.Е. ДУНАЕВСКИЙ ДВУХСЛОЙНЫЙ ТОНКИЙ ЦИЛИНДР В ОТКРЫТОМ СВЧ-РЕЗОНАТОРЕ Рассмотрено включение в открытый квазиоптический

Подробнее

Отрицательная терагерцовая проводимость графена при накачке оптическими плазмонами

Отрицательная терагерцовая проводимость графена при накачке оптическими плазмонами 12 июня 07;13 Отрицательная терагерцовая проводимость графена при накачке оптическими плазмонами И.М. Моисеенко 1,2, М.Ю. Морозов 1, В.В. Попов 1,2 1 Саратовский филиал Института радиотехники и электроники

Подробнее

Вариант 1 / КР-5 Вариант 2 / КР-5 Вариант 3 / КР-5

Вариант 1 / КР-5 Вариант 2 / КР-5 Вариант 3 / КР-5 Вариант 1 / КР-5 1. Интенсивность электромагнитной волны, падающей нормально на поверхность тела равна 2.7 мвт/м 2. Давление этой волны на поверхность 12 ппа. Чему равняется коэффициент отражения света.

Подробнее

Физика. Простые задачи. Задача 1. Задача 2

Физика. Простые задачи. Задача 1. Задача 2 Физика Простые задачи Задача 1 Для элементного анализа пробу наночастиц подготавливают следующим образом: сперва её испаряют, а затем ионизируют электронным пучком. Температура кипения серебра T = 2485

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение 1 ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомление с явлением поглощения оптического излучения полупроводником, измерение спектров поглощения кристаллов CdS и GaAs при комнатной

Подробнее

H j+1 = γ j+1 H(x)(A j+1 e γ j+1z B j+1 e γ j+1z ). (1) H j = γ j H(x)(A j e γ j z B j e γ j z ), + γ j+1 B j+1 e γ j+1z j, j+1

H j+1 = γ j+1 H(x)(A j+1 e γ j+1z B j+1 e γ j+1z ). (1) H j = γ j H(x)(A j e γ j z B j e γ j z ), + γ j+1 B j+1 e γ j+1z j, j+1 Журнал технической физики 2006 том 76 вып. 5 05;06;09;11 Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл полупроводник по спектрам отражения и прохождения

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

Качественные соображения.

Качественные соображения. Поглощение света оптическими фононами. ИК-спектроскопия. Оглавление Качественные соображения...1 Соотношение Лиддейна-Сакса-Теллера...2 Постановка эксперимента и примеры экспериментальных данных...6 Список

Подробнее

Коэффициент поглощения электромагнитных волн в слоистой структуре «немагнитный проводник феррит»

Коэффициент поглощения электромагнитных волн в слоистой структуре «немагнитный проводник феррит» Вестник Челябинского государственного университета. 1. 4 (5). Физика. Вып. 8. С. 5 54. Коэффициент поглощения электромагнитных волн в слоистой структуре «немагнитный проводник феррит» Теоретически исследовано

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.8. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК Введение Явление фотопроводимости заключается в возрастании электропроводности полупроводника под действием света. Это явление используется

Подробнее

Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение

Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение 12 ноября 06.2;07 Полупроводниковые преобразователи непрерывного лазерного излучения в импульсное излучение П.Г. Кашерининов, А.Н. Лодыгин, И.С. Тарасов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,

Подробнее

1. ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ

1. ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ 3 1 ОСНОВНЫЕ ЗАКОНЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ Система уравнений электродинамики (уравнений Максвелла) описывает наиболее общие законы электромагнитного поля Эти законы связывают между собой электрические

Подробнее

УДК И.Н. БОНДАРЕНКО, д-р физ.-мат. наук, Е. А. ГОРБЕНКО, В.И. КРАСНОЩОК

УДК И.Н. БОНДАРЕНКО, д-р физ.-мат. наук, Е. А. ГОРБЕНКО, В.И. КРАСНОЩОК УДК 621.136.933 И.Н. БОНДАРЕНКО, д-р физ.-мат. наук, Е. А. ГОРБЕНКО, В.И. КРАСНОЩОК МИКРОВОЛНОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ НА ОСНОВЕ ВОЛНОВОДНОГО ТРОЙНИКА ДЛЯ КОМПРЕССИОННОГО РЕЗОНАТОРНОГО ФОРМИРОВАТЕЛЯ ИМПУЛЬСОВ

Подробнее

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН Федеральное агентство связи Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики Кафедра электродинамики

Подробнее

ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ

ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ AIRES ФОНД РАЗВИТИЯ НОВЫХ МЕДИЦИНСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ "АЙРЭС" ~ Н АУ Ч Н О- И С С ЛЕД О ВАТЕЛЬС К И Й ЦЕН ТР ~ ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ «Моделирование взаимодействия электромагнитного излучения

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ИЗУЧЕНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИЗУЧЕНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомиться с явлением фотопроводимости полупроводников, измерение спектрального распределения фотопроводимости в кристаллах сульфида кадмия (CdS).

Подробнее

Лабораторная работа 3

Лабораторная работа 3 Лабораторная работа 3 Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей тока в полупроводниках Основные понятия Если в полупроводник каким-либо способом (облучение, инжекция) ввести

Подробнее

Лабораторная работа. Цель работы. излучения с поверхностью металлической пленки исследование оптических

Лабораторная работа. Цель работы. излучения с поверхностью металлической пленки исследование оптических Лабораторная работа ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ПОСТОЯННЫХ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА Кононов М.А. Наими Е.К. Компьютерная модель «Оптические свойства металлических пленок» в

Подробнее

ЭФФЕКТИВНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ РАССЕЯНИЯ И ПОВЕРХНОСТНЫЙ ИМПЕДАНС РЕЗОНАТОРА СО СВОЙСТВАМИ ИСКУССТВЕННОГО МАГНИТНОГО ПРОВОДНИКА

ЭФФЕКТИВНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ РАССЕЯНИЯ И ПОВЕРХНОСТНЫЙ ИМПЕДАНС РЕЗОНАТОРА СО СВОЙСТВАМИ ИСКУССТВЕННОГО МАГНИТНОГО ПРОВОДНИКА РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА, 214, том 9, 12, с. 1188 1194 УДК 621.396.67.1 ЭЛЕКТРОДИНАМИКА И РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН ЭФФЕКТИВНАЯ ПОВЕРХНОСТЬ РАССЕЯНИЯ И ПОВЕРХНОСТНЫЙ ИМПЕДАНС РЕЗОНАТОРА СО СВОЙСТВАМИ

Подробнее

5. Направляемые волны

5. Направляемые волны 5 Направляемые волны Направляемая волна это волна которая распространяется вдоль заданного направления Приоритетность направления обеспечивается направляющей системой 5 Основные свойства и параметры направляемой

Подробнее

E E. 2, (2) c где c м/с скорость света в вакууме. tg (5)

E E. 2, (2) c где c м/с скорость света в вакууме. tg (5) Дисперсия света Известно что для однородной линейной изотропной (=onst) немагнитной (=) среды в отсутствии зарядов и токов (=; j=) из уравнений Максвелла можно получить волновое уравнение в виде: E E t

Подробнее

ОБЩАЯ ФИЗИКА ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИЯ 8 ДИСПЕРСИЯ СВЕТА. (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2)

ОБЩАЯ ФИЗИКА ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИЯ 8 ДИСПЕРСИЯ СВЕТА. (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2) ОБЩАЯ ФИЗИКА ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИЯ 8 ДИСПЕРСИЯ СВЕТА (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2) Содержание лекции 1. Понятие о дисперсии света. Нормальная и аномальная дисперсия 2. Классическая

Подробнее

заряд электронной оболочки.

заряд электронной оболочки. Взаимодействие света с веществом Экзамен Модель атома Томсона Комплексная поляризуемость атомов Когда Томсон придумывал свою модель атома, еще не было известно, что в атоме есть положительное ядро Томсон

Подробнее

λ, поэтому и говорят, что при

λ, поэтому и говорят, что при Экзамен. Потеря полуволны при отражении от оптически более плотной среды. Рассмотрим нормальное падение света на границу раздела двух сред = =, тогда ( α 1) ( α ) α 1 α 0 cos = cos = 1, откуда 1 r = r

Подробнее

06.2;12.

06.2;12. 26 июня 06.2;12 Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия М.А. Родионов, В.А. Рожков, А.В. Пашин Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

Оптика твердого тела и наноструктур Гончар Кирилл Александрович Тимошенко Виктор Юрьевич

Оптика твердого тела и наноструктур Гончар Кирилл Александрович Тимошенко Виктор Юрьевич Оптика твердого тела и наноструктур Гончар Кирилл Александрович Тимошенко Виктор Юрьевич Московский Государственный Университет им. М. В. Ломоносова, Физический факультет Лекция. Эмиссия света из твердых

Подробнее

Волновая оптика. Световая волна

Волновая оптика. Световая волна Волновая оптика Свет - сложное явление: в одних случаях свет ведет себя как электромагнитная волна, в других - как поток особых частиц. Будем сначала изучать волновую оптику - круг явлений, в основе которых

Подробнее

I. Материалы для аттестации по первому циклу изучения дисциплины (1-8 недели семестра)

I. Материалы для аттестации по первому циклу изучения дисциплины (1-8 недели семестра) Методические материалы для проведения аттестаций по дисциплине «Приборы СВЧ и оптического диапазона» для подготовки студентов специальности 210404.65 «Многоканальные телекоммуникационные системы» I. Материалы

Подробнее

Экзамен. Угол Брюстера и брюстеровские окна лазерных трубок. + =. Подставим это значение в. tg α + α. и получим

Экзамен. Угол Брюстера и брюстеровские окна лазерных трубок. + =. Подставим это значение в. tg α + α. и получим Экзамен Угол Брюстера и брюстеровские окна лазерных трубок π Рассмотрим условие α + α =, где α угол падения света на границу раздела двух сред, α угол преломления π Если α α tg α α выражение r = tg α +

Подробнее

Плазмонный парогенератор T2

Плазмонный парогенератор T2 Введение В этой задаче мы исследуем эффективный процесс получения водяного пара, который был реализован в эксперименте. В водном растворе содержатся шарообразные наноразмерные частицы серебра (в концентрации

Подробнее

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом.

Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл полупроводник и гетеропереходом. Made by NNEfimov.narod.ru Другие названия этих транзисторов: транзисторы на электронах с высокой подвижностью, ГМеП транзисторы,

Подробнее

1. Какова взаимная ориентация векторов в электромагнитной волне?

1. Какова взаимная ориентация векторов в электромагнитной волне? Вариант 1 Начальный уровень 1. Какова взаимная ориентация векторов в электромагнитной волне? А. Вектор совпадает с направлением вектора и перпендикулярен вектору Б. Все три вектора взаимно перпендикулярны.

Подробнее

Уметь вычислять вектор напряженности поля двух неподвижных точечных зарядов (Пр).

Уметь вычислять вектор напряженности поля двух неподвижных точечных зарядов (Пр). Сокращения: Опр Ф-ка Ф-ла - Пр - определение формулировка формула пример 1. Электрическое поле 1) Фундаментальные свойства заряда (перечислить) 2) Закон Кулона (Ф-ла, рис) 3) Вектор напряженности электрического

Подробнее

. Это - для нестационарного состояния. В стационарном состоянии просто заменяем D на D(t).

. Это - для нестационарного состояния. В стационарном состоянии просто заменяем D на D(t). 3. Параметрический резонанс 3. Концентрационные волны в среде с изменяющимся во времени коэффициентом диффузии Рассмотрим теперь ситуацию, когда концентрационная волна с некоторой частотой распространяется

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РА ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РА ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ РФ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РА ГОУ ВПО РОССИЙСКО-АРМЯНСКИЙ (СЛАВЯНСКИЙ) УНИВЕРСИТЕТ Инженерно-физический институт ВОПРОСЫ вступительного экзамена в магистратуру

Подробнее

). В общем случае, скорость света в веществе (а, значит, и показатель преломления) зависит от длины волны света. Это явление

). В общем случае, скорость света в веществе (а, значит, и показатель преломления) зависит от длины волны света. Это явление Работа 3.06 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ СРЕД Цель работы Определить показатели преломления оптически прозрачных сред воды, синтетической смолы и оптического стекла. Задачи.

Подробнее

Свойства спиновых волн в ферритовых структурах с «магнитной стенкой» и проводящей плоскостью (на основе уравнений Максвелла)

Свойства спиновых волн в ферритовых структурах с «магнитной стенкой» и проводящей плоскостью (на основе уравнений Максвелла) Э.Г. Локк Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Свойства спиновых волн в ферритовых структурах с «магнитной стенкой» и проводящей плоскостью (на основе уравнений

Подробнее

Тема 1. Электростатика

Тема 1. Электростатика Домашнее задание по курсу общей физики для студентов 3-го курса. Варианты 1-9 - Задача 1.1 Варианты 10-18 - Задача 1.2 Варианты 19-27 - Задача 1.3 Тема 1. Электростатика По результатам проведённых вычислений

Подробнее

Лекция 14. Взаимодействие света с веществом. Дисперсия света Групповая скорость. Элементарная теория дисперсии. Поглощение света Рассеяние света

Лекция 14. Взаимодействие света с веществом. Дисперсия света Групповая скорость. Элементарная теория дисперсии. Поглощение света Рассеяние света Лекция 14 Взаимодействие света с веществом Сегодня: вторник, 12 ноября 2013 г. Содержание лекции: Дисперсия света Групповая скорость Элементарная теория дисперсии Поглощение света Рассеяние света 1. Дисперсия

Подробнее

Несоответствие времени формирования и релаксации решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах

Несоответствие времени формирования и релаксации решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах 01;05;07 Несоответствие времени формирования и релаксации решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах Н.А. Гусак Институт повышения квалификации и переподготовки кадров по новым направлениям

Подробнее

21. Расстояния от бипризмы Френеля до узкой щели и экрана равны соответственно

21. Расстояния от бипризмы Френеля до узкой щели и экрана равны соответственно ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ СВЕТА 1. Какой частоте колебаний соответствует длина волны излучения в инфракрасной области (λ 1 = 2,5 мкм) и в ультрафиолетовой (λ 2 = 200 нм) области спектра? 2. Сколько длин волн монохроматического

Подробнее

ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ РЕАКТИВНЫХ КОМПОНЕНТ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ. А.А. Колоколов,

ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ РЕАКТИВНЫХ КОМПОНЕНТ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ. А.А. Колоколов, Декабрь 1992 г. Том 162, 12 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ РЕАКТИВНЫХ КОМПОНЕНТ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ А.А. Колоколов, (Московский физико-технический институт, Московский станкоинструментальный

Подробнее

Экзамен. Стоячие световые волны Факультатив. Коэффициенты Эйнштейна.

Экзамен. Стоячие световые волны Факультатив. Коэффициенты Эйнштейна. Экзамен Стоячие световые волны (продолжение) Если металлическое зеркало не идеально, то поверхностные токи имеют заметную толщину Для оптического диапазона длин волн толщина слоя токов имеет порядок λ

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

БРЭГГОВСКИЕ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ВОЛНОВОДНО-ЩЕЛЕВЫХ ЛИНИЯХ С ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, УПРАВЛЯЕМЫМИ P I N-ДИОДАМИ

БРЭГГОВСКИЕ СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ВОЛНОВОДНО-ЩЕЛЕВЫХ ЛИНИЯХ С ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, УПРАВЛЯЕМЫМИ P I N-ДИОДАМИ Министерство образования и науки Российской Федерации ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САРАТОВСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Подробнее

Урок Волны в пространстве времени 59

Урок Волны в пространстве времени 59 1. Волны в пространстве времени 59 Урок 9 Контрольная работа по электродинамике 1.46. 1. По бесконечно длинному идеальному пустому волноводу, сечение которого квадрат со стороной, вдоль оси z бегут одновременно

Подробнее

КВАНТОВАЯ ОПТИКА. Задачи

КВАНТОВАЯ ОПТИКА. Задачи КВАНТОВАЯ ОПТИКА. Задачи 1 Качественные задачи 1. Зависит ли энергия фотона от длины волны света? 2. Металлическая пластинка под действием рентгеновских лучей зарядилась. Каков знак заряда? 3. Чему равно

Подробнее

Оптика. Полутень это область пространства, куда частично попадает свет от источника.

Оптика. Полутень это область пространства, куда частично попадает свет от источника. Оптика Оптика это раздел физики, в котором изучаются закономерности световых явлений, природа света и его взаимодействие с веществом. Световой луч это линия, вдоль которой распространяется свет. Закон

Подробнее

34. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ

34. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ 34. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ Большинство методов измерения электрических параметров материалов на СВЧ основано на исследовании распространения электромагнитных волн в среде или волновых

Подробнее

Экзамен. Диапазоны электромагнитных волн и источники излучения.

Экзамен. Диапазоны электромагнитных волн и источники излучения. Экзамен Диапазоны электромагнитных волн и источники излучения Для волны любой природы произведение длины волны на частоту равно фазовой скорости волны: λν = c С 983 года значение скорости света в вакууме

Подробнее

5 Волновая оптика. Основные формулы и определения

5 Волновая оптика. Основные формулы и определения 5 Волновая оптика Основные формулы и определения Интерференцией света называется сложение когерентных волн, в результате которого происходит перераспределение световой энергии в пространстве, что приводит

Подробнее

3.6. Классическая теория дисперсии света

3.6. Классическая теория дисперсии света 1 3.6. Классическая теория света 3.6.1. Дисперсия. Дисперсия зависимость показателя преломления и, следовательно, скорости распространения электромагнитных волн от длины волны. Влияние проявляется лишь

Подробнее

Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами

Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами Оборудование: фотоэлектрический колориметр-нефелометр ФЭК-60, набор образцов твердого тела, набор кювет с растворами разной концентрации.

Подробнее

Лекция 1 АВТОГЕНЕРАТОРЫ С ВНУТРЕННЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ И RC СТРУКТУРОЙ

Лекция 1 АВТОГЕНЕРАТОРЫ С ВНУТРЕННЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ И RC СТРУКТУРОЙ Лекция АВТОГЕНЕРАТОРЫ С ВНУТРЕННЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ И RC СТРУКТУРОЙ Рассматривается автогенератор на туннельном диоде. Показана аналогия с генератором Ван-дер-Поля. Анализируется работа широко распространенного

Подробнее

ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ к самостоятельной работе студентов по курсу «Физика СВЧ» 1. Элементы теории поля

ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ к самостоятельной работе студентов по курсу «Физика СВЧ» 1. Элементы теории поля ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ к самостоятельной работе студентов по курсу «Физика СВЧ» 1 Элементы теории поля 11 Подсчитать поток вектора A = 5/ rlr сквозь сферическую поверхность радиуса r = Центр сферы совпадает

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Подробнее

Исследование однопроводной линии передач

Исследование однопроводной линии передач МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УТВЕРЖДАЮ Зав. кафедрой радиофизики, профессор В.П. Якубов "_3 " г. Исследование однопроводной линии передач Методические

Подробнее

ОГЛАВЛЕНИЕ Граничные условия для касательных составляющих. векторов электрического поля...59

ОГЛАВЛЕНИЕ Граничные условия для касательных составляющих. векторов электрического поля...59 ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие... 8 Глава 1. Основы электромагнетизма... 9 1.1. Электромагнитное поле...9 1.2. Плотность тока проводимости...12 1.3. Закон сохранения заряда...14 1.4. Закон Гаусса...15 1.5. Закон

Подробнее

Вариант 1. s 2 s 1 f f. б) Продолжить ход луча, показанного на рисунке, для двух случаев: 1) если линза Л рассеивающая и 2) если линза Л собирающая.

Вариант 1. s 2 s 1 f f. б) Продолжить ход луча, показанного на рисунке, для двух случаев: 1) если линза Л рассеивающая и 2) если линза Л собирающая. Вариант 1. 1. a) Источник света с яркостью L = 200 кд/м 2 находится на расстоянии s 1 = 20 см от тонкой линзы с фокусным расстоянием = 10 см. Построить ход лучей, найти, на каком расстоянии s 2 расположено

Подробнее

Интерференция света. = 0,50 мкм) заменить красным ( λ 2. , - фазы колебаний. Воспользовавшись методом векторных диаграмм, получим

Интерференция света. = 0,50 мкм) заменить красным ( λ 2. , - фазы колебаний. Воспользовавшись методом векторных диаграмм, получим Интерференция света Примеры решения задач Пример Во сколько раз увеличится расстояние между соседними интерференционными полосами на экране в опыте Юнга если зеленый светофильтр ( = 5 мкм) заменить красным

Подробнее

ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИИ 1-2 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ. (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2)

ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИИ 1-2 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ. (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2) ВОЛНОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ЛЕКЦИИ 1-2 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ (Для студентов элитного технического отделения ЭТО-2) Содержание лекции Уравнения Максвелла Волновое уравнение для электромагнитного поля Свойства электромагнитных

Подробнее

Лабораторная работа 91 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФОТОЭЛЕМЕНТА

Лабораторная работа 91 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФОТОЭЛЕМЕНТА Лабораторная работа 91 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФОТОЭЛЕМЕНТА Цель работы: изучение принципа работы фотоэлемента и определение его чувствительности. Приборы и материалы: Лабораторная установка

Подробнее

ПРИМЕРНЫЕ КОНТРОЛЬНЫЕ РАБОТЫ ПО ОСНОВНЫМ ТЕМАМ Х класса.

ПРИМЕРНЫЕ КОНТРОЛЬНЫЕ РАБОТЫ ПО ОСНОВНЫМ ТЕМАМ Х класса. ПРИМЕРНЫЕ КОНТРОЛЬНЫЕ РАБОТЫ ПО ОСНОВНЫМ ТЕМАМ Х класса. Контрольная работа на 15 минут по теме «Механические колебания». 1. Груз, прикрепленный к пружине, колеблется на горизонтальном стержне. Смешение

Подробнее

Раздел 17. Квантовые модели материи

Раздел 17. Квантовые модели материи Раздел 17. Квантовые модели материи Тема 1. Фотонный газ Тема 2. Электронный газ в металле Тема 3. Квантовая теория электропроводности Тема 4. Полупроводники. Сверхпроводимость Тема 5. Фононы Для работы

Подробнее

Экзамен. Угол Брюстера и брюстеровские окна лазерных трубок (продолжение). Сравнивая этот результат с другим выражением для коэффициента ( )

Экзамен. Угол Брюстера и брюстеровские окна лазерных трубок (продолжение). Сравнивая этот результат с другим выражением для коэффициента ( ) Экзамен Угол Брюстера и брюстеровские окна лазерных трубок (продолжение Сравнивая этот результат с другим выражением для коэффициента cos( α cos( α отражения r = получаем cos( α cos( α = cos α + cos α

Подробнее

Экзамен. Закон преломления (закон Снеллиуса) и закон отражения.

Экзамен. Закон преломления (закон Снеллиуса) и закон отражения. Экзамен Закон преломления (закон Снеллиуса и закон отражения Закон Снеллиуса можно доказать с помощью построений Гюйгенса Мы сделаем это при рассмотрении кристаллооптики, а сейчас докажем его иначе При

Подробнее

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г

информационных технологий Кафедра вычислительной техники Воронин В.В. Иванищев Ю.Г. подпись ФИО подпись ФИО 2009г. 2009г Аббревиатура специальности экзамен зачет КП КР РГР контрольная работа тест(контрольное задание) по ГОС уч. план переат лкц лбр прз ауд всего Учебный план Основной траектории ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Подробнее

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. Термины и определения основных электрофизических параметров

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ. Термины и определения основных электрофизических параметров ГОСТ 22622-77 УДК 001.4:621.315:006.354 Группа Е00 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ MКC 01.040.29 29.045 МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Термины и определения основных электрофизических параметров Semiconductor

Подробнее

Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах

Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах 07 Управляемое внешним переменным электрическим полем поведение решеток пространственного заряда в фоторефрактивных кристаллах Н.А. Гусак Институт повышения квалификации и переподготовки кадров по новым

Подробнее

ОБЪЕМНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ. Глава десятая ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

ОБЪЕМНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ. Глава десятая ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Глава десятая ОБЪЕМНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ 1.1. ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ Объемный резонатор представляет собой замкнутую полость ограниченную металлическими стенками внутри которой существуют электромагнитные

Подробнее

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор

1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Полевой транзистор 1 «Униполярные транзисторы. Общие понятия» Работа униполярных транзисторов основана на использовании носителей заряда одного знака: либо электронов, либо дырок. В биполярных транзисторах работают оба типа

Подробнее