ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ"

Транскрипт

1 Этот файл загружен с сайта кафедры ФОЭТ Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на PDF-версия от 6 апреля 27 г. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) Кафедра «Физические основы электронной техники» ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ Методические указания к лабораторной работе 3 по дисциплине «Микроэлектроника» Москва 25

2 2 Составитель: д.т.н., профессор А.П. Лысенко УДК /3 Исследование основных параметров стабилитронов: Методические указания к лабораторной работе по дисциплине «Микроэлектроника» / Моск. гос. ин-т электроники и математики; Сост.: А.П. Лысенко. Ил.7 Библиогр.: 2 назв. Изложена теория работы стабилитронов и рассмотрены их основные параметры. Для студентов 4 курса ФЭ по специальности 21 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».

3 3 ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ Цель работы: - изучение влияния температуры на вольтамперную характеристику (BAХ) кремниевых стабилитронов и определение их параметров. Краткие теоретические сведения Стабилитронами или опорными диодами называют кремниевые диоды, работающие в режиме электрического пробоя. Стабилитроны предназначены для стабилизации электрического напряжения. Вольтамперная характеристика стабилитрона показана на рис.1. Рис.1. Вольтамперная характеристика стабилитрона Стабилизирующие свойства прибора обусловлены чрезвычайно резкой зависимостью тока через прибор oт напряжения в области пробоя. Эта область называется рабочей областью ВАХ стабилитрона. Основными параметрами стабилитрона являются: 1) Напряжение стабилизации U ст, которое практически совпадает с напряжением пробоя диода;

4 2) Динамическое (или дифференциальное) сопротивление r диф на рабочем участке характеризует качество стабилизации напряжения; 3) Температурный коэффициент напряжения стабилизации 1 du ст ТКH = 1% V dt ст 4 du = диода dj представляет собой относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры на один градус. С точки зрения практического использования необходимы стабилитроны на любые напряжения. Однако, реально на базе кремниевых р- п-переходов можно сделать приборы с более или менее приличными параметрами на рабочие напряжения, лежащие в диапазоне от 1 до 2 вольт. Что касается динамического сопротивления и TKU cт, тo их надо стараться делать как можно меньше. Чтобы понять, от чего зависят указанные основные параметры стабилитронов и как ими управлять, надо разобраться в механизмах, приводящих к пробою р-п-перехода. Механизмов, которые можно использоваться для создания качественных приборов, всего два: лавинный и туннельный. Лавинный пробой р-п-перехода При обратном смещении р-п-перехода через него протекает ток, обусловленный тепловой генерацией неосновных носителей заряда в базе диода и тепловой генерацией электронно-дырочных пар в слое объемного заряда перехода. Энергетическая диаграмма р-п-перехода при обратном смещении изображена на рис.2. Электронная составляющая тока насыщения такого перехода будет обусловлена тепловой генерацией электронов из валентной зоны в зону проводимости в р-области (в пределах диффузионной длины от границы области пространственного заряда) и их последующей диффузией к р-п-переходу, где они подхватываются электрическим полем

5 5 перехода и перебрасываются в п-область. Двигаясь в поле перехода, электроны разгоняются (за счет кулоновской силы) на длине Рис.2. Энергетическая диаграмма р-п-перехода при обратном смещении и схема перемещения электрона из р-области в п-область свободного пробега и их кинетическая энергия в конце свободного пробега равна E кин = q λ где q -заряд электрона; - электрическое поле перехода, которое, вообще говоря, зависит от координаты; λ - длина свободного пробега, зависящая от количества структурных дефектов и температуры (т.е. от концентрации фононов и ионов примеси). В конце свободного пробега электрон рассеивается и набранную кинетическую энергию теряет, т.e. опускается на дно зоны проводимости (см.

6 6 рис.2). Естественно, возникает вопрос - куда девается потерянная электронами энергия. Оказывается, это зависит от того, как велика эта энергия. Если величина теряемой энергия невелика, то она идет на увеличение интенсивности тепловых колебаний кристаллической решетки (т.е. на генерацию фононов). Если же кинетическая энергия электрона превышает ширину запрещенной зовы полупроводника, то возможна передача этой энергии электрону валентной зоны, в результате чего происходит генерация электронно-дырочной пары. Такой механизм образования пар называется ударным. А сам процесс называется ударной ионизацией вещества. В результате ударной ионизации растет число свободных носителей заряда в полупроводнике, так как после каждого акта ударной ионизации к первичным электронам (которые все равно остаются в зоне проводимости) добавляется еще два носителя - электрон, возбужденный из валентной зоны, и дырка. Рассмотрим процесс ударной ионизации несколько подробнее. Существует несколько возможных (и одинаково правомочных) подходов такого рассмотрения. Ниже излагается вариант, предложенный Пикусом Г.Е. Электрон (или дырка) с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны Е g может в принципе создать новую пару. Однако для образования новой пары необходимы определенные условия. Дело в том, что при образовании электроном с энергией Е новой пары при E g 2m < E < m n n + m + m закон сохранения энергии и импульса выполняется лишь при участии фонона или примесного центра, так как сумма импульсов медленных электрона и дырки и порождающего их электрона после ионизации оказывается меньше первоначального импульса быстрого электрона. Поэтому ионизация не очень быстрыми электронами может происходить только с одновременной отдачей импульса фонону или примесному центру и лишь для электронов с энергией, превышающей p p E g (1)

7 E n 7 mn + mp > 2 Eg (2) m + m p закон сохранения энергии и импульса может выполняться без участия фононов. Поэтому для не очень быстрых электронов или дырок вероятность ионизации оказывается меньшей, чем вероятность столкновения с фононом без ионизации. При больших запирающих напряжениях, когда поле в р-п-переходе велико, основным механизмом рассеяния носителей является генерация оптических фононов с энергией kθ, где θ - температура Дебая. При этом средняя энергия электронов, как правило, вплоть до пробоя, мала по сравнению с Е g, и лишь небольшая часть электронов может достичь энергии, превышающей Е g так как для этого электрон должен пройти в поле столкновений путь, равный Δ= Е g /q без. Если средняя длина свободного пробега равна λ, то вероятность пройти без столкновения расстояние Δ, равна Электрон, получивший энергию Δ exp = exp( Eg / qλ ) (3) λ E > Eg, может либо рассеяться без ионизации, либо создать пару. Обозначим вероятность ионизации через 1/r, тогда вероятность рассеяния без ионизации будет (1-1/r). Если вероятность ионизации велика, то r 1, если же, наоборот, вероятность ионизации мала, как это обычно и бывает, то r >> 1. Очевидно, что вероятность того, что один из электронов со средней энергией <Е> << Е g создаст пару, равна произведению 1/r на вероятность приобретения энергии Р E > Eg, т. е. 1 = exp( Eg qλ ) (4) r i / Таким образом, на N актов генерации фонона приходится NР i случаев рождения пар, т. е. на одну рожденную пару (NР i = 1) генерируется N= фононов. На их генерацию надо затратить энергию, равную 1 P i

8 8 kθ N kθ = (5) P i Эта энергия, конечно, забирается у электрического поля. Taк как kθ P i обычно много больше E g, то средняя энергия, затрачиваемая на генерацию одной пары, равна E * kθ kθ + Eg = rkθ exp( Eg / qλ ) (6) P P i i Для того чтобы набрать энергию Е *, электрон должен пройти в поле путь Δ ген =Е * /q (7) и, следовательно, среднее число пар, генерируемых одним электроном на 1 см пути, равно α = (1/Δ) = (q /E * ) = {q / [ rkθ exp( E / g qλ )]} (8) а на пути dx каждый электрон создает α dx пар. Рассмотри теперь генерацию пар в р-п-переходе. Для определенности будем считать, что р-область легирована сильно, а п-область - слабо, так что в базовой области р-п-перехода при большом обратном смещении, когда qv>> ϕ, ход потенциала определяется выражением: ϕ (х) = 2 q 2εε N D x 2 = qv 2 x d, (9) где εε V - толщина слоя объемного заряда, а х отсчитывается от d d n = qn D границы объемного заряда в п-области в сторону р-области. При N A >> N D, можно считать, что тепловая генерация происходят только в п-области, т. е. дырочный ток на ее границе при х = j ( ) = j = j (1) p ps s

9 9 а электронный ток на границе р-области (х = d) можно положить равным нулю, так как j ns << j ps т.е. j n ( d) = (11) При больших запирающих напряжениях, когда в р-п-переходе происходит генерация пар, через него проходят и электронный ток j n и дырочный j p. При этом пары могут создаваться как первичными дырками, идущими из п- области, так и вторичными электронами и дырками, рожденными в самом р- п-переходе. Рассчитаем ток через р-п-переход в условиях такой генерации. Выделим область длиной dx. Через 1 см 2 поверхности этого слоя за 1 сек проходят j n q электронов и j p q дырок. Каждый из электронов или дырок генерирует α dx пар, т.е. общее число пар, рожденных за 1 сек в выделенном объеме, равно g dx jn + q j p q α j α dx = dx q = (12) В стационарном режиме в отсутствие рекомбинации увеличение тока на участке dx равно числу пар, рожденных в этом слое, умноженное на заряд электрона. Следовательно, jn x j p = x = qg = α j j p При этом дырочный ток растет по мере удаления от п-области ( > ), а x j n электронный - по мере приближения к ней ( <), при этом полный ток j x остается постоянным. Интегрируя (13) по всей длине р-n-перехода, найдем j p x ( x) = C + j dx = js + j α dx x (13) α (14)

10 1 Константа интегрирования С в (14) определена из условия (1). Так как согласно (11) j p = j при х = d, то Отношение 1 d j = j s 1 α dx (15) M = j j s называется коэффициентом размножения; он показывает, сколько пар рождается на одну входящую дырку. Из(15) следует, что d 1 1 = α dx = N, (16) M где N среднее количество электронно-дырочных пар, рождаемых вследствие ударной ионизации одним носителем (электроном или дыркой) при прохождении им слоя объемного заряда. Отсюда коэффициент размножения определяется соотношением: М = 1. (17) 1 N Таким образом, если к р-п-переходу прикладывать все большее обратное напряжение, электрическое поле в переходе будет увеличиваться и, соответственно, будет увеличиваться N. Когда N станет равно 1 (т.е. каждый свободный носитель заряда, проходя через область пространственного заряда, в среднем рождает за счет ударной ионизации одну электроннодырочную пару), коэффициент размножения обратится в бесконечность, что будет соответствовать резкому увеличению обратного тока через диод. Это условие (N = 1) и является критерием возникновения в р-п-переходе лавинного пробоя. Остается выяснить, при каком обратном напряжении будет выполняться этот критерий. Так как d=d(v), то соотношение (16) при условии, что N =1, определяет пробивное напряжение V проб.

11 11 Следует иметь в виду, что α является крайне резкой функцией электрического поля (приближенно можно считать, что α~ 7 ), а само электрическое поле в переходе есть функция координаты х. Для резкого р + -пперехода зависимость (х) изображена на рис.3(а) для разных обратных напряжений на переходе, а на рис.3(б) показана (качественно) зависимость α(х) для напряжения на переходе, равного пробивному. Поскольку при М максимальное поле в ОПЗ больше расти не может, а значит и напряжение на переходе не может быть больше, чем V проб. При этом толщина объемного заряда достигает максимально возможного значения d max для данного перехода. α

12 12 С учетом сказанного критерий возникновения лавинного пробоя примет вид: d max α [ (х)]dx =1. (18) Из рис.3 видно, что основной вклад в интеграл (19) дает область перехода в близи максимума электрического поля. Вклад же остальной части ОПЗ в этот интеграл незначителен, и в первом приближении им можно пренебречь. При этом можно полагать, что должно существовать критическое электрическое поле ( кр), при котором интеграл в (18) обратится в 1 и, следовательно, начнется пробой. Теперь нетрудно подсчитать, при каком обратном напряжении максимальное поле в переходе достигнет критического значения. Напряжение на переходе равно d max V = (х) dx (19) В случае резкого р + -п-перехода интеграл (19) приближенно равен площади прямоугольного треугольника: Если учесть, что d и V проб = d max 2 max связаны соотношением: d ε ε d = n qn D кр. (2) max (21) то при = d = d max кр. max : ε ε = qn D d max кр (22) С учетом (22) выражение (2) примет вид: V проб ε ε 2qN = ( кр ) 2 (23) D

13 13 Таким образом, напряжение лавинного пробоя в первом приближении обратно пропорционально степени легирования базовой области резкого р-пперехода. Для более строгого анализа необходимо учесть, что величина критического поля для лавинного пробоя должна зависеть от уровня легирования. Качественно эта зависимость приведена на рис.4. Рис.4. Зависимость критического поля лавинного пробоя от концентрации примеси в базе диода; пунктиром показано критическое поле для туннельного пробоя Дело в том, что длина свободного пробега носителей заряда определяется не только рассеянием на фононах (при комнатной температуре это основной механизм рассеяния), но и рассеянием на ионах примеси. Увеличение легирования базовой области перехода добавляет центры рассеяния, что приводит к сокращению средней длины свободного пробега носителей заряда и, как следствие, к увеличению критического поля, при котором начинается лавинный пробой. На практике напряжение лавинного пробоя определяют по приближенным эмпирическим формулам или номограммам. Так, для резкого несимметричного перехода при Т = 3К имеем:

14 E 2 g N 4 Б V. 6 лав проб 16 (24) 1,1 1 где N Б - концентрация примеси в базе диода в см -3. В планарных р-п-переходах необходимо учитывать очень сильное влияние кривизны перехода. Поскольку напряженность электрического поля на цилиндрических или сферических областях перехода выше, то напряжения пробоя определяется именно этими областями. На рис.5 приведена номограмма для расчета напряжения пробоя таких переходов Рис.5. Зависимость отношения напряжения пробоя цилиндрического или сферического перехода к напряжению пробоя плоского перехода в зависимости от отношения радиуса закругления к максимальной толщине объемного заряда Для плоских переходов с линейным распределением примеси напряжение лавинного пробоя определяется по формуле: V лав. проб E g a ,1 3 где а градиент концентрации примеси в см -4., (25)

15 15 Что касается пробоя планарных переходов с линейным распределением примеси, то из результатов вычислений следует сравнительно слабая зависимость напряжения пробоя от кривизны перехода. Туннельный пробой р-п-перехода Как видно из рис.4, напряженность электрического поля в переходе, необходимая для развития лавинного пробоя, увеличивается с ростом концентрации примеси в базе диода. Однако когда напряженность поля в полупроводнике (необязательно в р-п-переходе) достигает ~1 б В/см, становится существенной вероятность квантовомеханического туннелирования электронов из валентной зоны в зону проводимости. Этот процесс показан на рис.6 на примере обратно смещенного р-п-перехода, где электроны из валентной зоны р-области туннелируют в зону проводимости п- области. При этом можно считать, что на пути электронов стоит потенциальный барьер треугольной формы (на рис.6 он затушеван). Рис.6. Туннелирование электрона из валентной зоны р-области в зону проводимости п-области Высота этого барьера равна ширине запрещенной зоны Е g, а его ширина зависит от максимальной напряженности поля в переходе.

16 16 Квантовомеханический расчет показывает, что вероятность туннелирования электронов через такой барьер: P тун * 3/2 ( m Eg ) ~exp[ 4 2 / ]. (26) Поскольку максимальная напряженность поля в резком р-п-переходе пропорциональна корню квадратному из приложенного обратного напряжения, то начиная с определенного напряжения (которое называется напряжением туннельного пробоя), когда напряженность поля в переходе достигает I 6 В/см, через переход начинает протекать заметная туннельная компонента тока, которая с ростом обратного смещения будет резко возрастать (но не так резко, как при лавинном пробое): J обр AE ~exp V 3/2 g 1/2 обр (27) Величину напряжения, при котором начинается туннельный пробой, можно подсчитать (так же, как и для лавинного пробоя), зная критическую напряженность поля (~1 6 В/см): V тун.проб.= кр 2 εε V 2q ND NA (28) где N A и N D - концентрации акцепторов и доноров в р- и п-областях перехода соответственно, V - равновесная контактная ревность потенциалов. Из рис.4 видно, что если концентрация принеси в базе диода меньше, чем ~ 1 18 см -3, тo раньше в переходе возникают условия для ударной ионизации и лавинного пробоя. Практически это означает, что напряжение лавинного пробоя должно быть больше, чем 6 Eg q Если же напряжение пробоя меньше, чем 4 Eg q механизм пробоя чисто туннельный. В промежутке работают оба механизма., то Теперь можно оценить основные параметры стабилитронов, в которых использован либо лавинный, либо туннельный механизм пробоя.

17 17 1. Напряжение стабилизации зависит от уровня легирования базы диода. Чем слабее легирована база, тем выше напряжение пробоя (т.е. напряжение стабилизации). 2. Дифференциальное сопротивление стабилитрона на рабочем участке (т.е. на участке пробоя) зависит от механизма пробоя и от сопротивления базы диода (R базы ), включенного последовательно с ПЗ перехода. Если пренебречь R базы, то при лавинном пробое ток устремляется в бесконечность при V= V проб, т.е. r dif.=. В этом случае единственным ограничением для тока в реальном случае является R базы. Следовательно, r dif = R базы для стабилитронов, работающих на лавинном пробое. Сопротивление базы зависит от легирования базы и геометрии. При прочих равных условиях, чем слабее легирована база диода, тем больше удельное сопротивление базовой области и больше R базы. При использовании туннельного пробоя R базы мало, но ток при V= V проб не стремится к бесконечности, а нарастает по достаточно сложному закону, т.е. r dif определяется зависимостью (27). 3. Температурный коэффициент напряжения стабилизация (TKН) имеет разный знак для стабилитронов разных типов. При лавинном пробое напряжение пробоя растет с температурой, поскольку растет концентрация фононов и, соответственно, уменьшается средняя длина свободного пробега <λ>. Следовательно, для того, чтобы носители набрали энергию, достаточную для ударной генерации электронно-дырочных пар, потребуется большее электрическое поле, т.е. большее обратное напряжение на переходе. У стабилитронов, работающих на туннельном пробое, TKН отрицательный. То есть напряжение стабилизации уменьшается с ростом температуры. Это связано с тем, что с ростом температуры уменьшается ширина запрещенной зоны полупроводника Е g, и, в соответствии с (26), те же уровни туннельных токов будут достигаться при меньших обратных напряжениях. Принципиальная схема использования стабилитрона для стабилизации постоянного напряжения и для защиты различных приборов и узлов схемы

18 18 от перенапряжений показана на рис.7. Такой стабилизатор напряжения содержит 2 элемента: стабилитрон, включенный параллельно нагрузке R н, и балластное сопротивление R балл. Рис.7. Схема стабилизатора напряжения с использованием стабилитрона При изменении входного напряжения на величину ΔV вх в цепи возникает приращение тока ΔJ, которое практически полностью, ответвляется на стабилитрон, так как его сопротивление в режиме пробоя существенно меньше сопротивления нагрузки. Поскольку при изменении тока на рабочем участке стабилитрона напряжение на его зажимах меняется мало, то практически все приращение входного напряжения приходится на балластное сопротивление. В результате напряжение на нагрузке изменяется незначительно. При правильном выборе параметров схемы удается в десятки раз уменьшить нестабильность напряжения на нагрузке. При изменении сопротивления нагрузки изменяется ток нагрузки и ток через стабилитрон, но общий ток остается практически неизменным. Поэтому наиболее тяжелым режимом работы стабилитрона является режим холостого хода (когда нагрузка отсутствует), т.к. в этом случае через стабилитрон протекает весь ток J 1.

19 19 Качество работы стабилизатора напряжения характеризует коэффициент стабилизации, определяемый по формуле: k ст ΔVвх / Vвх = Δ V / V, (29) вых вых где ΔV вх и ΔV вых - изменение входного и выходного напряжения; V вх и V вых средние значения этих напряжений. Поскольку режим пробоя никак не связан с инжекцией неосновных носителей заряда, в полупроводниковом стабилитроне отсутствуют инерционные явления (накопления и рассасывания неосновных носителей заряда) при переходе из области пробоя в область запирании и обратно. Эта особенность делает возможным применение полупроводниковых стабилитронов не только в стабилизаторах напряжения, но и в импульсных схемах. К числу таких схем относятся ограничители и фиксаторы уровня напряжения. Кроме того, полупроводниковые стабилитроны могут применяться в качестве шунтов, защищающих от перенапряжений, в качестве элементов межкаскадной связи в усилителях постоянного тока, триггерах и других схемах. Предварительная подготовка к работе 1. Ознакомиться со схемой установки и методикой измерения. 2. Ознакомиться с порядком выполнения работы. 3. Подготовить таблицы для записи экспериментальных результатов. 4. Получить у преподавателя 2 стабилитрона для исследований. 5. Не включая питания подсоединять к схеме один из стабилитронов и приборы, необходимые для исследований. 6. Получить у преподавателя допуск к выполнению работы. Схема установки и методика измерений Электрическая схема для изучения изменения ВАХ стабилитрона в зависимости от температуры изображена на сменной панели лабораторного стенда и показана на рис.8.

20 2 Рис.8. Схема установки Напряжение смещения на стабилитрон подается от внешнего источника питания. Величина поданного напряжения на исследуемый стабилитрон определяется с помощью цифрового вольтметра типа В7-27. Ток, протекающий через стабилитрон, измеряется прибором В7-4. Нагрев стабилитрона осуществляется в печи резистивного типа. Температура в печи измеряется термопарой. В работе используется термопара медьконстантан. ЭДС термопары регистрируется милливольтметром типа В7-21. Температура в печи рассчитывается по формуле: Т печи = Т комн + ΔТ, где Т комн определяется по настенному термометру, а ΔТ = V тп /α (V тп ЭДС термопары, а =38 мкв/ С - коэффициент термопары). Для снятия ВАХ стабилитрона необходимо: менять сначала прямое, а затем обратное смещение на стабилитроне, при этом фиксируя изменение

21 21 тока через прибор. Особенно внимательно надо следить за тем, чтобы ток через стабилитрон как в прямой, так и в обратной ветви ВАХ не превышал 5 ма. Для построения ВАХ достаточно снять не менее 5-6 показаний приборов для прямой и 8-9 показаний для обратной ветви характеристики. Особенно тщательно следует снимать характеристику на участке стабилизации (пробоя), так как здесь в широком диапазоне изменений тока стабилитрона напряжение меняется незначительно. Порядок выполнения работы 1. Снять ВАХ двух предложенных стабилитронов при комнатной температуре (не включая нагревателя). 2. поместить первый стабилитрон в нагреватель и при фиксированном токе на участке стабилизации (например, при токе 2 ма) снять зависимость напряжения стабилизации от температуры (в диапазоне от комнатной до температуры, которая установится в печи (порядка 1 С)). 3. При установившейся температуре, не выключая нагревателя, убедившись, что температура нагревателя не изменяется со временем, снять ВAX 1-го стабилитрона, а затем второго. При снятии ВАХ 2-го стабилитрона необходимо его прогреть в нагревателе не менее 1 мин. Критерием того, что температура стабилитрона сравнялась с температурой нагревателя, может служить ток насыщения стабилитрона. Когда он перестанет меняться, можно приступать к измерениям. 4. Снять зависимость напряжения стабилизация от температуры для 2- го стабилитрона. Для этого установить фиксированный ток стабилитрона (например, 2 ма), на участие стабилизации и, выключив нагреватель, в процессе остывания прибора снять указанную зависимость. 5. Построить ВАХ исследуемых стабилитронов на одном графике. 6. Методом графического дифференцирования для всех четырех ВAX определить дифференциальное сопротивление прибора на рабочем участке (при одинаковых токах).

22 22 7. Построить графики зависимости напряжения стабилизации от температуры (для 2-х стабилитронов на одном графике). Вопросы к защите лабораторной работы I. В чем состоит принцип работы кремниевого стабилитрона? Какой вид пробоя р-п-перехода используется в этих приборах? 1, Почему в качестве материала для изготовления данного типа диодов используется кремний? 3. Расскажите о конструктивном оформлении, условном графическом обозначении и маркировке кремниевого стабилитрона. 4. Начертите и объясните схему включения кремниевого стабилитрона. 5. Нарисуйте ВАХ кремниевого стабилитрона и расскажите о физических процессах, определяющих форму характеристики на разных участках. 6. Укажите основные параметры кремниевого стабилитрона и поясните их физический смысл. 7. Что такое ТКН кремниевого стабилитрона и чем оно определяется? 8. Расскажите о применении кремниевых стабилитронов в электронной аппаратуре. Рекомендуемая литература 1. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. М, Высшая школа, Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.; Энергия, 1977.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности

Лабораторная работа N2 «Температурная зависимость электропроводности Лабораторная работа «Температурная зависимость электропроводности полупроводников» Цель работы:. Экспериментально определить температурную зависимость электропроводности германия.. По данным эксперимента

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И ОСНОВЫ МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ

ЭЛЕКТРОНИКА И ОСНОВЫ МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Оренбургский государственный университет» Кафедра промышленной электроники

Подробнее

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния

Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния 12 мая 06.2;10 Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния И.В. Грехов, Л.С. Костина, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, А.В. Рожков Физико-технический

Подробнее

Электроника, микроэлектроника и автоматика

Электроника, микроэлектроника и автоматика С.Д. Дунаев Электроника, микроэлектроника и автоматика Утверждено Департаментов кадров и учебных заведений МПС России в качестве учебника для студентов техникумов и колледжей железнодорожного транспорта

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФГБОУ ВПО «ГОСУНИВЕРСИТЕТ-УНПК» УЧЕБНО-НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Кафедра «Приборостроение, метрология и сертификация»

Подробнее

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА

2.18. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Лабораторная работа.8. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА ИЗ ВОЛЬФРАМА Цель работы: построение и изучение вольтамперной характеристики вакуумного диода; исследование зависимости плотности тока насыщения

Подробнее

Исследование зависимости сопротивления полупроводников и металлов от температуры

Исследование зависимости сопротивления полупроводников и металлов от температуры Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Общий физический практикум Лабораторная работа 3.5 Исследование зависимости сопротивления

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм

ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского ФИЗИЧЕСКИЙ ПРАКТИКУМ Электричество и магнетизм ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Учебно-методическое

Подробнее

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций

А.В. Глазачев, В.П. Петрович. Физические основы электроники. Конспект лекций ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ 5 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 6 1.1. Энергетические уровни и зоны 6 1.2. Проводники, полупроводники и диэлектрики 6 1.3. Собственная электропроводность полупроводников

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ = (1)

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ = (1) ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5.1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРОНОВ ПО СКОРОСТЯМ Цель работы: экспериментальное исследование распределения Максвелла. Литература: [4] гл. 3 3.1, 3.; [7]

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ «БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТРАНСПОРТА» Кафедра микропроцессорной техники и информационно-управляющих систем ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ КРИВЫХ ПАШЕНА. Цель работы: получение и исследование зависимостей напряжения пробоя от давления (кривых Пашена) для аргона и воздуха.

ИССЛЕДОВАНИЕ КРИВЫХ ПАШЕНА. Цель работы: получение и исследование зависимостей напряжения пробоя от давления (кривых Пашена) для аргона и воздуха. ИССЛЕДОВАНИЕ КРИВЫХ ПАШЕНА Цель работы: получение и исследование зависимостей напряжения пробоя от давления (кривых Пашена) для аргона и воздуха. 1. Введение Закон Пашена экспериментально наблюдаемая закономерность

Подробнее

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ 2.1. Общие сведения о полупроводниках. Собственная проводимость полупроводников Полупроводники по величине удельного электрического сопротивления занимают промежуточное место

Подробнее

Исследование полевых транзисторов

Исследование полевых транзисторов Министерство общего и профессионального образования Российской федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Подробнее

Кафедра теоретических основ теплотехники ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА МЕТОДОМ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО СЛОЯ

Кафедра теоретических основ теплотехники ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА МЕТОДОМ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО СЛОЯ Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный энергетический университет

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Министерство образования и науки Российской Федерации М.Ю. Бородин, А.В. Кириллов, Н.Д. Ясенев ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ КУРС ЛЕКЦИЙ Учебное пособие предназначено для студентов всех форм обучения по

Подробнее

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1)

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1) МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1) Утверждено на заседании каф. 405 31.08.06 (Протокол 1) как учебно-методическое

Подробнее

4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ

4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ 4 ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ ПРИ НАЛИЧИИ ПРОВОДНИКОВ Проводники электричества это вещества, содержащие свободные заряжённые частицы. В проводящих телах электрические заряды могут свободно перемещаться в пространстве.

Подробнее

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах. Министерство образования Российской Федерации Саратовский ордена Трудового красного знамени государственный университет имени Н. Г. Чернышевского. кафедра прикладной физики Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4.8. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА НА СВЧ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4.8. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА НА СВЧ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4.8. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТУННЕЛЬНОГО ЭФФЕКТА НА СВЧ Ц е л ь р а б о т ы : Ознакомление с основными закономерностями туннельного эффекта на СВЧ-модели. П р и б о р ы и п р и н а д л е ж н

Подробнее

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ Оглавление: ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ И ОФОРМЛЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ... 2 ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ... 2 РАБОТА 1. ЗАКОНЫ

Подробнее

4-5. Расчет параметров электрической цепи с параллельным соединением. Методические рекомендации

4-5. Расчет параметров электрической цепи с параллельным соединением. Методические рекомендации МИНОБРНАУКИ РОССИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Иркутский государственный университет» (ФГБОУ ВПО «ИГУ») 4-5 Расчет параметров

Подробнее

РАСЧЕТ МОЩНОСТИ ПОТЕРЬ В МОСТОВОМ ВЫПРЯМИТЕЛЕ С АКТИВНО-ЕМКОСТНОЙ НАГРУЗКОЙ. Падеров В. П., Виль А. В., Симкин А. В.

РАСЧЕТ МОЩНОСТИ ПОТЕРЬ В МОСТОВОМ ВЫПРЯМИТЕЛЕ С АКТИВНО-ЕМКОСТНОЙ НАГРУЗКОЙ. Падеров В. П., Виль А. В., Симкин А. В. РАСЧЕТ МОЩНОСТИ ПОТЕРЬ В МОСТОВОМ ВЫПРЯМИТЕЛЕ С АКТИВНО-ЕМКОСТНОЙ НАГРУЗКОЙ Падеров В. П., Виль А. В., Симкин А. В. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск Тел. (834)965,

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Компьютерные системы и комплексы

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Компьютерные системы и комплексы Рыльский авиационный технический колледж филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет

Подробнее

Датчики на основе эффекта Холла

Датчики на основе эффекта Холла - 1 - Датчики на основе эффекта Холла 1. Введение Применение датчиков на основе эффекта Холла включает в себя выбор магнитной системы и сенсора Холла с соответствующими рабочими характеристиками. Эти два

Подробнее

ϕ(r) = Q a + Q 2a a 2

ϕ(r) = Q a + Q 2a a 2 1 Урок 14 Энергия поля, Давление. Силы 1. (Задача.47 Внутри плоского конденсатора с площадью пластин S и расстоянием d между ними находится пластинка из стекла, целиком заполняющая пространство между пластинами

Подробнее

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности

1.3. Модельные представления о механизме электропроводности К.В.Шалимова ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ М.: Энергоатомиздат, 1985. 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний

Подробнее

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation)

Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation) Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation) Микросхема IZ1937 представляет собой повышающий DC/DC конвертер, разработанный специально для управления

Подробнее

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Самоиндукция. B (увеличивается) E вихр. Рис. 1. Вихревое поле препятствует увеличению тока

И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru. Самоиндукция. B (увеличивается) E вихр. Рис. 1. Вихревое поле препятствует увеличению тока И. В. Яковлев Материалы по физике MathUs.ru Самоиндукция Темы кодификатора ЕГЭ: самоиндукция, индуктивность, энергия магнитного поля. Самоиндукция является частным случаем электромагнитной индукции. Оказывается,

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Московский технический университет связи и информатики. Кафедра телевидения. Лабораторная работа 5

МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Московский технический университет связи и информатики. Кафедра телевидения. Лабораторная работа 5 МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Московский технический университет связи и информатики Кафедра телевидения Лабораторная работа 5 ИССЛЕДОВАНИЕ БЕСТРАНСФОРМАТОРНОГО ГЕНЕРАТОРА КАДРОВОЙ РАЗВЕРТКИ

Подробнее

3. Анализ и синтез электрических структурной и функциональной схем Анализ и синтез электрической структурной схемы вольтметра

3. Анализ и синтез электрических структурной и функциональной схем Анализ и синтез электрической структурной схемы вольтметра Содержание Введение... 5 1. Обзор методов и средств измерения постоянного и переменного напряжения... 7 1.1 Обзор методов измерения постоянного и переменного напряжений... 7 1.1.1. Метод непосредственной

Подробнее

Лабораторная работа 4 Двигатель постоянного тока. I a =(U-E)/r a (1)

Лабораторная работа 4 Двигатель постоянного тока. I a =(U-E)/r a (1) Лабораторная работа 4 Двигатель постоянного тока Цель: изучение принципа работы двигателя постоянного тока с последовательным и параллельным возбуждением и их характеристик. Машина постоянного тока может

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 10 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ, ПОЛЕЗНОЙ МОЩНОСТИ И К.П.Д. ИСТОЧНИКА ТОКА ОТ НАГРУЗКИ.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 10 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОЛНОЙ МОЩНОСТИ, ПОЛЕЗНОЙ МОЩНОСТИ И К.П.Д. ИСТОЧНИКА ТОКА ОТ НАГРУЗКИ. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 10 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ОЙ МОЩНОСТИ, ПОЛЕЗНОЙ МОЩНОСТИ И К.П.Д. ИСТОЧНИКА ТОКА ОТ НАГРУЗКИ. Цель работы: Научиться определять зависимость полной мощности, полезной мощности и К.П.Д.

Подробнее

4. Электромагнитная индукция

4. Электромагнитная индукция 1 4 Электромагнитная индукция 41 Закон электромагнитной индукции Правило Ленца В 1831 г Фарадей открыл одно из наиболее фундаментальных явлений в электродинамике явление электромагнитной индукции: в замкнутом

Подробнее

Г.А. Рахманкулова, С.О. Зубович

Г.А. Рахманкулова, С.О. Зубович МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ МПД-СТРУКТУР МЕТОДОМ ВОЛЬТФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

ИЗУЧЕНИЕ МПД-СТРУКТУР МЕТОДОМ ВОЛЬТФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Министерство образования и науки РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального «Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева»

Подробнее

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ В статическом режиме связь между токами и напряжениями на электродах транзистора описывается системой нелинейных алгебраических уравнений. Графически эта

Подробнее

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов.

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Инна Щукина, Михаил Некрасов mik@icquest.ru Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано

Подробнее

10. Измерения импульсных сигналов.

10. Измерения импульсных сигналов. 0. Измерения импульсных сигналов. Необходимость измерения параметров импульсных сигналов возникает, когда требуется получить визуальную оценку сигнала в виде осциллограмм или показаний измерительных приборов,

Подробнее

а) Минимальной расстояние между кораблями есть расстояние от точки А до прямой ВС, которое равно

а) Минимальной расстояние между кораблями есть расстояние от точки А до прямой ВС, которое равно 9 класс. 1. Перейдем в систему отсчета, связанную с кораблем А. В этой системе корабль В движется с относительной r r r скоростью Vотн V V1. Модуль этой скорости равен r V vcos α, (1) отн а ее вектор направлен

Подробнее

Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург:

Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург: Генкин Б.И. Элементы содержания, проверяемые на ЕГЭ по физике. Пособие для повторения учебного материала. Санкт-Петербург: http://audto-um.u, 013 3.1 ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ 3.1.1 Электризация тел Электрический

Подробнее

IL235Z. Интегральная микросхема температурного датчика

IL235Z. Интегральная микросхема температурного датчика Интегральная микросхема температурного датчика (аналог LM235Z, ф. SGSThomson) Микросхема представляет собой точный датчик контроля температуры с возможностью калибровки. Микросхема функционирует как диод

Подробнее

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР

ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР ДИАГНОСТИКА ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕНСОРОВ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР 1 В.В. Андреев 1, Г.Г. Бондаренко 2,3, А.А.Столяров 1, М.С. Васютин 1, С.И. Коротков 1 1 Московский государственный

Подробнее

Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ

Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ СОДЕРЖАНИЕ 2.1.Интенсивность отказов как основная характеристика надежности элементов...30 2.2. Коэффициенты электрической нагрузки

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ ГОСУТАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ Редько Р.А., Горыня Л.М., Кременецкая Я.А. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО КУРСУ ФИЗИКИ Издание Часть ІІ Семестр Киев 04 Утверждено

Подробнее

РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Министерство образования Российской Федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА Филиал "Восток" РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Учебно-методическое

Подробнее

Бать С.Д. Токовый усилитель глазами инженера

Бать С.Д. Токовый усилитель глазами инженера Бать С.Д. Токовый усилитель глазами инженера Начнем с определения. Под токовым усилителем мы будем понимать устройство, которое создает в нагрузке изменения тока, строго соответствующие изменениям сигнала

Подробнее

«ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд. Техническое описание и инструкция по эксплуатации

«ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд. Техническое описание и инструкция по эксплуатации «ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд Техническое описание и инструкция по эксплуатации Содержание стр. 1. Назначение... 2 2. Технические характеристики... 2 3. Конструкция стенда... 3 4. Лабораторная

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ

ИЗУЧЕНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ ИЗУЧЕНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ В реальных электрических приборах и элементах электрической цепи при протекании тока возникает магнитное поле, выделяется теплота, и могут накапливаться

Подробнее

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЮРИИ ЗАВРАЖНОВ, ИРИНА КАГАНОВА, ЕВГЕНИИ МАЗЕЛЬ АЛЬБЕРТ МИРКИН МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (c) Издательство «Радио и связь», 1985 ПРЕДИСЛОВИЕ В современной электронике все большую роль играет микроэлектроника,

Подробнее

3 Магнетизм. Основные формулы и определения

3 Магнетизм. Основные формулы и определения 3 Магнетизм Основные формулы и определения Вокруг проводника с током существует магнитное поле, направление которого определяется правилом правого винта (или буравчика). Согласно этому правилу, нужно мысленно

Подробнее

Лабораторная работа 18 Опыт Резерфорда

Лабораторная работа 18 Опыт Резерфорда I II III Лабораторная работа 18 Опыт Резерфорда Цель работы Теоретическая часть 1 Введение 2 Рассеяние α -частиц 3 Дифференциальное сечение рассеяния 4 Формула Резерфорда Экспериментальная часть 1 Методика

Подробнее

РАЗДЕЛ III. ЭЛЕКТРОСТАТИКА. ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК. Основные формулы E =

РАЗДЕЛ III. ЭЛЕКТРОСТАТИКА. ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК. Основные формулы E = 35 РАЗДЕЛ III. ЭЛЕКТРОСТАТИКА. ПОСТОЯННЫЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК Основные формулы Закон Кулона F =, где F - сила взаимодействия точечных зарядов и ; r - расстояние между зарядами; ε - диэлектрическая проницаемость;

Подробнее

Неравновесная населенность и релаксация по состояниям мелких примесей в полупроводниках. Е.Е. Орлова

Неравновесная населенность и релаксация по состояниям мелких примесей в полупроводниках. Е.Е. Орлова Неравновесная населенность и релаксация по состояниям мелких примесей в полупроводниках Е.Е. Орлова Содержание 1. Почему интересны мелкие примесные центры в полупроводниках 2. Особенности спектра состояний

Подробнее

МОСТОВЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ

МОСТОВЫЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ КАЗАНСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АРХИТЕКТУРНО-СТРОИТЕЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ Кафедра физики МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ ПО ФИЗИКЕ для студентов специальностей 2903, 2906, 2907, 2908, 2910 Лабораторная

Подробнее

САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра динамического моделирования и биомедицинской инженерии

САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра динамического моделирования и биомедицинской инженерии САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра динамического моделирования и биомедицинской инженерии CАРАТОВСКИЙ ФИЛИАЛ ИНСТИТУТА РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ ИМ. В.А. КОТЕЛЬНИКОВА РАН ПРИХОДЬКО С.В, Б.П.

Подробнее

Рис. 1. А - основное символьное обозначение ОУ, Б - зависимость коэффициента усиления ОУ от частоты

Рис. 1. А - основное символьное обозначение ОУ, Б - зависимость коэффициента усиления ОУ от частоты УСИЛИТЕЛИ Большинство пассивных датчиков обладают очень слабыми выходными сигналами. Их величина часто не превышает нескольких микровольт или пикоампер. С другой стороны входные сигналы стандартных электронных

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

Подробнее

ПОДГОТОВКА К ЕГЭ по ФИЗИКЕ

ПОДГОТОВКА К ЕГЭ по ФИЗИКЕ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ПОДГОТОВКА К ЕГЭ по ФИЗИКЕ Преподаватель: кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики, Грушин Виталий Викторович Напряжённость и

Подробнее

Ôèçè åñêèå ïðèëîæåíèÿ îïðåäåëåííîãî èíòåãðàëà

Ôèçè åñêèå ïðèëîæåíèÿ îïðåäåëåííîãî èíòåãðàëà Ôèçè åñêèå ïðèëîæåíèÿ îïðåäåëåííîãî èíòåãðàëà Âîë åíêî Þ.Ì. Ñîäåðæàíèå ëåêöèè Работа переменной силы. Масса и заряд материальной кривой. Статические моменты и центр тяжести материальной кривой и плоской

Подробнее

Функциональная электроника рабочая программа дисциплины

Функциональная электроника рабочая программа дисциплины МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" (ФГБОУ ВПО «АлтГУ») УТВЕРЖДАЮ Декан Поляков

Подробнее

СПЕКТРОФЛУОРИМЕТР. В.И. Кочубей. Руководство по работе на приборе

СПЕКТРОФЛУОРИМЕТР. В.И. Кочубей. Руководство по работе на приборе ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Г. ЧЕРНЫШЕВСКОГО» В.И. Кочубей СПЕКТРОФЛУОРИМЕТР

Подробнее

02;04;10. PACS: j

02;04;10.   PACS: j 12 августа 02;04;10 О стабильности частоты излучения плазменных релятивистских СВЧ-генераторов И.Л. Богданкевич, О.Т. Лоза, Д.А. Павлов Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва E-mail: loza@fpl.gpi.ru

Подробнее

Работа 2.1 Исследование затухающих колебаний в. колебательного контура.

Работа 2.1 Исследование затухающих колебаний в. колебательного контура. Работа 2.1 Исследование затухающих колебаний в колебательном контуре Цель работы: изучение параметров и характеристик колебательного контура. Приборы и оборудование: генератор звуковых сигналов, осциллограф,

Подробнее

Пример 1. Два точечных заряда = 1 нкл и q = 2 нкл находятся на расстоянии d = 10 см друг от

Пример 1. Два точечных заряда = 1 нкл и q = 2 нкл находятся на расстоянии d = 10 см друг от Примеры решения задач к практическому занятию по темам «Электростатика» «Электроемкость Конденсаторы» Приведенные примеры решения задач помогут уяснить физический смысл законов и явлений способствуют закреплению

Подробнее

МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ)

МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ) Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ) ФАКУЛЬТЕТ ФИЗИЧЕСКОЙ И КВАНТОВОЙ

Подробнее

Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов

Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов Определять параметры полевых транзисторов с p-n-переходом на затворе, как n-канальных, так и p-канальных, поможет описанная ниже простая

Подробнее

Турнир имени М.В. Ломоносова Заключительный тур 2015 г. ФИЗИКА

Турнир имени М.В. Ломоносова Заключительный тур 2015 г. ФИЗИКА Задача Турнир имени МВ Ломоносова Заключительный тур 5 г ФИЗИКА Небольшой кубик массой m = г надет на прямую горизонтальную спицу, вдоль которой он может перемещаться без трения Спицу закрепляют над горизонтальным

Подробнее

Постоянный электрический ток. Электрические измерения

Постоянный электрический ток. Электрические измерения Юльметов А. Р. Постоянный электрический ток. Электрические измерения Методические указания к выполнению лабораторных работ Оглавление P3.2.4.1. Амперметр как омическое сопротивление в цепи.............

Подробнее

УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ БИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ

УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ БИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ МИНИСТЕРСТВО ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛГОГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА БИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ И ТЕХНОЛОГИИ УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ БИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ

Подробнее

ϕ =, если положить потенциал на

ϕ =, если положить потенциал на . ПОТЕНЦИАЛ. РАБОТА СИЛ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ Потенциал, создаваемый точечным зарядом в точке A, находящейся на, если положить потенциал на бесконечности равным нулю: φ( ). Потенциал, создаваемый в

Подробнее

Решение задачи рассеяния на протяженных цилиндрических телах различного сечения

Решение задачи рассеяния на протяженных цилиндрических телах различного сечения Электронный журнал «Труды МАИ». Выпуск 68 www.a.ru/scece/rudy/ УДК 537.87+6.37 Решение задачи рассеяния на протяженных цилиндрических телах различного сечения Гиголо А. И. * Кузнецов Г. Ю. ** Московский

Подробнее

Лабораторная работа 3.15. ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА КАК СПЕКТРАЛЬНЫЙ ПРИБОР А.И. Бугрова

Лабораторная работа 3.15. ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА КАК СПЕКТРАЛЬНЫЙ ПРИБОР А.И. Бугрова Лабораторная работа 3.15. ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА КАК СПЕКТРАЛЬНЫЙ ПРИБОР А.И. Бугрова Цель работы: Экспериментальное определение периода и угловой дисперсии дифракционной решетки как спектрального прибора.

Подробнее

Критерии оценивания заданий с развёрнутым ответом. Ионизационный дымовой извещатель

Критерии оценивания заданий с развёрнутым ответом. Ионизационный дымовой извещатель Физика. 9 класс. Вариант ФИ90103 1 Критерии оценивания заданий с развёрнутым ответом Ионизационный дымовой извещатель Пожары в жилых и производственных помещениях, как известно, представляют серьёзную

Подробнее

Высокоэффективные нагреватели воды

Высокоэффективные нагреватели воды Высокоэффективные нагреватели воды Фролов Александр Владимирович http://alexfrolov.narod.ru Задача в целом выглядит, как получение максимального нагрева рабочего тела (теплового выхода) при минимальных

Подробнее

1. Цели освоения дисциплины

1. Цели освоения дисциплины 1. Цели освоения дисциплины Цели освоения дисциплины: формирование у обучающихся: в области обучения формирование специальных знаний, умений, навыков выбора материала в зависимости от предъявляемых требований

Подробнее

Скорость распространения сигнала в линии также зависит от L и C и выражается фазовой скоростью: 1 v ф

Скорость распространения сигнала в линии также зависит от L и C и выражается фазовой скоростью: 1 v ф 4. Длинные линии 4.1. Распространение сигнала по длинной линии При передаче импульсных сигналов по двухпроводной линии часто приходится учитывать конечную скорость распространения сигнала вдоль линии.

Подробнее

Кафедра физики ИЗУЧЕНИЕ КОНДЕНСАТОРОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОЕМКОСТИ КОНДЕНСАТОРОВ. Методические указания

Кафедра физики ИЗУЧЕНИЕ КОНДЕНСАТОРОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОЕМКОСТИ КОНДЕНСАТОРОВ. Методические указания Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Могилевский государственный университет продовольствия» Кафедра физики ИЗУЧЕНИЕ КОНДЕНСАТОРОВ. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОЕМКОСТИ КОНДЕНСАТОРОВ

Подробнее

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ ПОЛЕ

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ ПОЛЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ ПОЛЕ 1 Превращения в цепи постоянного тока Рассмотрим участок проводника, по которому идет постоянный электрический ток. Если сопротивление участка есть R

Подробнее

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1 Цифровые устройства Цифровые устройства это электронные функциональные узлы, которые обрабатывают цифровые сигналы. Цифровые сигналы представляются двумя дискретными уровнями напряжений: высоким и низким

Подробнее

y велики; y = p x + 1 Re v t + u v = p y + 1 Re u x + v y = 0 = v y=0 y=0 t=0

y велики; y = p x + 1 Re v t + u v = p y + 1 Re u x + v y = 0 = v y=0 y=0 t=0 Система уравнений пограничного слоя. Знаменательный успех в исследованиях движений жидкости при больших числах Рейнольдса был достигнут в 904 году и связан с именем Л. Прандтля. Прандтль показал как можно

Подробнее

4.4. Энергия магнитного поля. da (4.4.1) 1 E (4.4.2)

4.4. Энергия магнитного поля. da (4.4.1) 1 E (4.4.2) .. Энергия магнитного поля....еще раз об энергии взаимодействующих токов. Ранее мы показали, что при изменении любого потока через контур с током магнитное поле совершает работу d da (..) Это соотношение

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ БЛОКОВ ПИТАНИЯ РТИПЛ-5 ПАСПОРТ. РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ.

ИЗУЧЕНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ БЛОКОВ ПИТАНИЯ РТИПЛ-5 ПАСПОРТ. РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ. ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» ИЗУЧЕНИЕ ИМПУЛЬСНЫХ БЛОКОВ ПИТАНИЯ РТИПЛ-5 ПАСПОРТ. РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ. 2 1. Назначение. Учебная лабораторная установка РТИПЛ-5 (РадиоТехника

Подробнее

В. Н. МАСЛЕННИКОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ

В. Н. МАСЛЕННИКОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ УД 61.391.8:61.375,11 В. Н. МАСЛЕННИОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ Рассматриваются шумовые характеристики ламп и транзисторов в видеоусилителях, работающих

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ СКОРОСТИ СВЕТА

ИЗМЕРЕНИЕ СКОРОСТИ СВЕТА Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ, Работа 3.6 ИЗМЕРЕНИЕ СКОРОСТИ СВЕТА ВВЕДЕНИЕ М. Ю. Липовская Ю. П. Яшин Скорость света является одной из основных констант нашего мира и определяет предельную скорость

Подробнее

1) координата 3) кинетическая энергия 2) скорость 4) потенциальная энергия. Ответ:

1) координата 3) кинетическая энергия 2) скорость 4) потенциальная энергия. Ответ: ФИЗИК, класс, класс ВСОШ Вариант, Март 0 Краевая диагностическая работа по ФИЗИКЕ ВРИНТ Часть При выполнении заданий,, 7, 0 в бланке ответов под номером выполняемого задания поставьте номер одного выбранного

Подробнее

Лабораторная работа 1. Генератор импульсов

Лабораторная работа 1. Генератор импульсов Лабораторная работа 1. Генератор импульсов Кафедра ВС СибГУТИ 2012 год Содержание 1. Цель работы... 3 2. Генераторы периодических сигналов.... 3 3. Описание элементной базы, используемой в работе.... 4

Подробнее

СБОРНИК ЗАДАЧ ПО ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ

СБОРНИК ЗАДАЧ ПО ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ В.В. АФОНИН И.Н. АКУЛИНИН А.А. ТКАЧЕНКО СБОРНИК ЗАДАЧ ПО ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ Часть ИЗДАТЕЛЬСТВО ТГТУ Министерство образования и науки Российской Федерации Тамбовский государственный технический университет

Подробнее

Эффект стабилизации фазы СВЧ-колебаний наносекундных генераторов Ганна

Эффект стабилизации фазы СВЧ-колебаний наносекундных генераторов Ганна 12 ноября 13 Эффект стабилизации фазы СВЧ-колебаний наносекундных генераторов Ганна В.Ю. Конев, А.И. Климов, О.Б. Ковальчук, В.П. Губанов, В.Ю. Кожевников, А.В. Козырев, Н.А. Торхов Институт сильноточной

Подробнее

Идеальные и реальные вольтметры и амперметры в цепях постоянного тока

Идеальные и реальные вольтметры и амперметры в цепях постоянного тока 28 Ефимов Василий Васильевич Заслуженный учитель РФ, Почётный работник общего образования РФ. Учитель физики Муниципальной общеобразовательной средней школы 3, г. Березники, Пермский край. Идеальные и

Подробнее

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ по образовательной программе высшего образования программе подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре ФГБОУ ВО «Орловский государственный университет имени

Подробнее

К основным параметрам АЦП относятся: рис. 1 Рис.1. Схема входного каскада с делителем. рис.1

К основным параметрам АЦП относятся: рис. 1 Рис.1. Схема входного каскада с делителем. рис.1 К основным параметрам АЦП относятся: число разрядов, максимальная частота дискретизации, весовое значение шума. При этом под числом разрядов понимают сразу два значения: собственно разрядность АЦП и эффективное

Подробнее

Минобрнауки России. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Минобрнауки России. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Минобрнауки России Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.Е.АЛЕКСЕЕВА» (НГТУ)

Подробнее

МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor»)

МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor») МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor») Микросхема IL7500B устройство, управляющее широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и предназначено

Подробнее

Ранее : рассмотрение цепей с постоянными элементами и с источниками постоянной или строго периодической ЭДС - расчет т.н. стационарных процессов.

Ранее : рассмотрение цепей с постоянными элементами и с источниками постоянной или строго периодической ЭДС - расчет т.н. стационарных процессов. Переходные процессы - классический подход Ранее : рассмотрение цепей с постоянными элементами и с источниками постоянной или строго периодической ЭДС - расчет т.н. стационарных процессов. Но часто - нестационарные

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по проведению практического занятия 6

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по проведению практического занятия 6 МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по проведению практического занятия 6 Тема занятия: КОМПЬЮТЕРНЫЕ РАСЧЁТЫ ШУМОВ И НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ В ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЯХ 6.1. Компьютерные расчѐты уровня внутреннего шума

Подробнее