ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ"

Транскрипт

1 Этот файл загружен с сайта кафедры ФОЭТ Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на PDF-версия от 6 апреля 27 г. МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) Кафедра «Физические основы электронной техники» ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ Методические указания к лабораторной работе 3 по дисциплине «Микроэлектроника» Москва 25

2 2 Составитель: д.т.н., профессор А.П. Лысенко УДК /3 Исследование основных параметров стабилитронов: Методические указания к лабораторной работе по дисциплине «Микроэлектроника» / Моск. гос. ин-т электроники и математики; Сост.: А.П. Лысенко. Ил.7 Библиогр.: 2 назв. Изложена теория работы стабилитронов и рассмотрены их основные параметры. Для студентов 4 курса ФЭ по специальности 21 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».

3 3 ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ Цель работы: - изучение влияния температуры на вольтамперную характеристику (BAХ) кремниевых стабилитронов и определение их параметров. Краткие теоретические сведения Стабилитронами или опорными диодами называют кремниевые диоды, работающие в режиме электрического пробоя. Стабилитроны предназначены для стабилизации электрического напряжения. Вольтамперная характеристика стабилитрона показана на рис.1. Рис.1. Вольтамперная характеристика стабилитрона Стабилизирующие свойства прибора обусловлены чрезвычайно резкой зависимостью тока через прибор oт напряжения в области пробоя. Эта область называется рабочей областью ВАХ стабилитрона. Основными параметрами стабилитрона являются: 1) Напряжение стабилизации U ст, которое практически совпадает с напряжением пробоя диода;

4 2) Динамическое (или дифференциальное) сопротивление r диф на рабочем участке характеризует качество стабилизации напряжения; 3) Температурный коэффициент напряжения стабилизации 1 du ст ТКH = 1% V dt ст 4 du = диода dj представляет собой относительное изменение напряжения стабилизации при изменении температуры на один градус. С точки зрения практического использования необходимы стабилитроны на любые напряжения. Однако, реально на базе кремниевых р- п-переходов можно сделать приборы с более или менее приличными параметрами на рабочие напряжения, лежащие в диапазоне от 1 до 2 вольт. Что касается динамического сопротивления и TKU cт, тo их надо стараться делать как можно меньше. Чтобы понять, от чего зависят указанные основные параметры стабилитронов и как ими управлять, надо разобраться в механизмах, приводящих к пробою р-п-перехода. Механизмов, которые можно использоваться для создания качественных приборов, всего два: лавинный и туннельный. Лавинный пробой р-п-перехода При обратном смещении р-п-перехода через него протекает ток, обусловленный тепловой генерацией неосновных носителей заряда в базе диода и тепловой генерацией электронно-дырочных пар в слое объемного заряда перехода. Энергетическая диаграмма р-п-перехода при обратном смещении изображена на рис.2. Электронная составляющая тока насыщения такого перехода будет обусловлена тепловой генерацией электронов из валентной зоны в зону проводимости в р-области (в пределах диффузионной длины от границы области пространственного заряда) и их последующей диффузией к р-п-переходу, где они подхватываются электрическим полем

5 5 перехода и перебрасываются в п-область. Двигаясь в поле перехода, электроны разгоняются (за счет кулоновской силы) на длине Рис.2. Энергетическая диаграмма р-п-перехода при обратном смещении и схема перемещения электрона из р-области в п-область свободного пробега и их кинетическая энергия в конце свободного пробега равна E кин = q λ где q -заряд электрона; - электрическое поле перехода, которое, вообще говоря, зависит от координаты; λ - длина свободного пробега, зависящая от количества структурных дефектов и температуры (т.е. от концентрации фононов и ионов примеси). В конце свободного пробега электрон рассеивается и набранную кинетическую энергию теряет, т.e. опускается на дно зоны проводимости (см.

6 6 рис.2). Естественно, возникает вопрос - куда девается потерянная электронами энергия. Оказывается, это зависит от того, как велика эта энергия. Если величина теряемой энергия невелика, то она идет на увеличение интенсивности тепловых колебаний кристаллической решетки (т.е. на генерацию фононов). Если же кинетическая энергия электрона превышает ширину запрещенной зовы полупроводника, то возможна передача этой энергии электрону валентной зоны, в результате чего происходит генерация электронно-дырочной пары. Такой механизм образования пар называется ударным. А сам процесс называется ударной ионизацией вещества. В результате ударной ионизации растет число свободных носителей заряда в полупроводнике, так как после каждого акта ударной ионизации к первичным электронам (которые все равно остаются в зоне проводимости) добавляется еще два носителя - электрон, возбужденный из валентной зоны, и дырка. Рассмотрим процесс ударной ионизации несколько подробнее. Существует несколько возможных (и одинаково правомочных) подходов такого рассмотрения. Ниже излагается вариант, предложенный Пикусом Г.Е. Электрон (или дырка) с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны Е g может в принципе создать новую пару. Однако для образования новой пары необходимы определенные условия. Дело в том, что при образовании электроном с энергией Е новой пары при E g 2m < E < m n n + m + m закон сохранения энергии и импульса выполняется лишь при участии фонона или примесного центра, так как сумма импульсов медленных электрона и дырки и порождающего их электрона после ионизации оказывается меньше первоначального импульса быстрого электрона. Поэтому ионизация не очень быстрыми электронами может происходить только с одновременной отдачей импульса фонону или примесному центру и лишь для электронов с энергией, превышающей p p E g (1)

7 E n 7 mn + mp > 2 Eg (2) m + m p закон сохранения энергии и импульса может выполняться без участия фононов. Поэтому для не очень быстрых электронов или дырок вероятность ионизации оказывается меньшей, чем вероятность столкновения с фононом без ионизации. При больших запирающих напряжениях, когда поле в р-п-переходе велико, основным механизмом рассеяния носителей является генерация оптических фононов с энергией kθ, где θ - температура Дебая. При этом средняя энергия электронов, как правило, вплоть до пробоя, мала по сравнению с Е g, и лишь небольшая часть электронов может достичь энергии, превышающей Е g так как для этого электрон должен пройти в поле столкновений путь, равный Δ= Е g /q без. Если средняя длина свободного пробега равна λ, то вероятность пройти без столкновения расстояние Δ, равна Электрон, получивший энергию Δ exp = exp( Eg / qλ ) (3) λ E > Eg, может либо рассеяться без ионизации, либо создать пару. Обозначим вероятность ионизации через 1/r, тогда вероятность рассеяния без ионизации будет (1-1/r). Если вероятность ионизации велика, то r 1, если же, наоборот, вероятность ионизации мала, как это обычно и бывает, то r >> 1. Очевидно, что вероятность того, что один из электронов со средней энергией <Е> << Е g создаст пару, равна произведению 1/r на вероятность приобретения энергии Р E > Eg, т. е. 1 = exp( Eg qλ ) (4) r i / Таким образом, на N актов генерации фонона приходится NР i случаев рождения пар, т. е. на одну рожденную пару (NР i = 1) генерируется N= фононов. На их генерацию надо затратить энергию, равную 1 P i

8 8 kθ N kθ = (5) P i Эта энергия, конечно, забирается у электрического поля. Taк как kθ P i обычно много больше E g, то средняя энергия, затрачиваемая на генерацию одной пары, равна E * kθ kθ + Eg = rkθ exp( Eg / qλ ) (6) P P i i Для того чтобы набрать энергию Е *, электрон должен пройти в поле путь Δ ген =Е * /q (7) и, следовательно, среднее число пар, генерируемых одним электроном на 1 см пути, равно α = (1/Δ) = (q /E * ) = {q / [ rkθ exp( E / g qλ )]} (8) а на пути dx каждый электрон создает α dx пар. Рассмотри теперь генерацию пар в р-п-переходе. Для определенности будем считать, что р-область легирована сильно, а п-область - слабо, так что в базовой области р-п-перехода при большом обратном смещении, когда qv>> ϕ, ход потенциала определяется выражением: ϕ (х) = 2 q 2εε N D x 2 = qv 2 x d, (9) где εε V - толщина слоя объемного заряда, а х отсчитывается от d d n = qn D границы объемного заряда в п-области в сторону р-области. При N A >> N D, можно считать, что тепловая генерация происходят только в п-области, т. е. дырочный ток на ее границе при х = j ( ) = j = j (1) p ps s

9 9 а электронный ток на границе р-области (х = d) можно положить равным нулю, так как j ns << j ps т.е. j n ( d) = (11) При больших запирающих напряжениях, когда в р-п-переходе происходит генерация пар, через него проходят и электронный ток j n и дырочный j p. При этом пары могут создаваться как первичными дырками, идущими из п- области, так и вторичными электронами и дырками, рожденными в самом р- п-переходе. Рассчитаем ток через р-п-переход в условиях такой генерации. Выделим область длиной dx. Через 1 см 2 поверхности этого слоя за 1 сек проходят j n q электронов и j p q дырок. Каждый из электронов или дырок генерирует α dx пар, т.е. общее число пар, рожденных за 1 сек в выделенном объеме, равно g dx jn + q j p q α j α dx = dx q = (12) В стационарном режиме в отсутствие рекомбинации увеличение тока на участке dx равно числу пар, рожденных в этом слое, умноженное на заряд электрона. Следовательно, jn x j p = x = qg = α j j p При этом дырочный ток растет по мере удаления от п-области ( > ), а x j n электронный - по мере приближения к ней ( <), при этом полный ток j x остается постоянным. Интегрируя (13) по всей длине р-n-перехода, найдем j p x ( x) = C + j dx = js + j α dx x (13) α (14)

10 1 Константа интегрирования С в (14) определена из условия (1). Так как согласно (11) j p = j при х = d, то Отношение 1 d j = j s 1 α dx (15) M = j j s называется коэффициентом размножения; он показывает, сколько пар рождается на одну входящую дырку. Из(15) следует, что d 1 1 = α dx = N, (16) M где N среднее количество электронно-дырочных пар, рождаемых вследствие ударной ионизации одним носителем (электроном или дыркой) при прохождении им слоя объемного заряда. Отсюда коэффициент размножения определяется соотношением: М = 1. (17) 1 N Таким образом, если к р-п-переходу прикладывать все большее обратное напряжение, электрическое поле в переходе будет увеличиваться и, соответственно, будет увеличиваться N. Когда N станет равно 1 (т.е. каждый свободный носитель заряда, проходя через область пространственного заряда, в среднем рождает за счет ударной ионизации одну электроннодырочную пару), коэффициент размножения обратится в бесконечность, что будет соответствовать резкому увеличению обратного тока через диод. Это условие (N = 1) и является критерием возникновения в р-п-переходе лавинного пробоя. Остается выяснить, при каком обратном напряжении будет выполняться этот критерий. Так как d=d(v), то соотношение (16) при условии, что N =1, определяет пробивное напряжение V проб.

11 11 Следует иметь в виду, что α является крайне резкой функцией электрического поля (приближенно можно считать, что α~ 7 ), а само электрическое поле в переходе есть функция координаты х. Для резкого р + -пперехода зависимость (х) изображена на рис.3(а) для разных обратных напряжений на переходе, а на рис.3(б) показана (качественно) зависимость α(х) для напряжения на переходе, равного пробивному. Поскольку при М максимальное поле в ОПЗ больше расти не может, а значит и напряжение на переходе не может быть больше, чем V проб. При этом толщина объемного заряда достигает максимально возможного значения d max для данного перехода. α

12 12 С учетом сказанного критерий возникновения лавинного пробоя примет вид: d max α [ (х)]dx =1. (18) Из рис.3 видно, что основной вклад в интеграл (19) дает область перехода в близи максимума электрического поля. Вклад же остальной части ОПЗ в этот интеграл незначителен, и в первом приближении им можно пренебречь. При этом можно полагать, что должно существовать критическое электрическое поле ( кр), при котором интеграл в (18) обратится в 1 и, следовательно, начнется пробой. Теперь нетрудно подсчитать, при каком обратном напряжении максимальное поле в переходе достигнет критического значения. Напряжение на переходе равно d max V = (х) dx (19) В случае резкого р + -п-перехода интеграл (19) приближенно равен площади прямоугольного треугольника: Если учесть, что d и V проб = d max 2 max связаны соотношением: d ε ε d = n qn D кр. (2) max (21) то при = d = d max кр. max : ε ε = qn D d max кр (22) С учетом (22) выражение (2) примет вид: V проб ε ε 2qN = ( кр ) 2 (23) D

13 13 Таким образом, напряжение лавинного пробоя в первом приближении обратно пропорционально степени легирования базовой области резкого р-пперехода. Для более строгого анализа необходимо учесть, что величина критического поля для лавинного пробоя должна зависеть от уровня легирования. Качественно эта зависимость приведена на рис.4. Рис.4. Зависимость критического поля лавинного пробоя от концентрации примеси в базе диода; пунктиром показано критическое поле для туннельного пробоя Дело в том, что длина свободного пробега носителей заряда определяется не только рассеянием на фононах (при комнатной температуре это основной механизм рассеяния), но и рассеянием на ионах примеси. Увеличение легирования базовой области перехода добавляет центры рассеяния, что приводит к сокращению средней длины свободного пробега носителей заряда и, как следствие, к увеличению критического поля, при котором начинается лавинный пробой. На практике напряжение лавинного пробоя определяют по приближенным эмпирическим формулам или номограммам. Так, для резкого несимметричного перехода при Т = 3К имеем:

14 E 2 g N 4 Б V. 6 лав проб 16 (24) 1,1 1 где N Б - концентрация примеси в базе диода в см -3. В планарных р-п-переходах необходимо учитывать очень сильное влияние кривизны перехода. Поскольку напряженность электрического поля на цилиндрических или сферических областях перехода выше, то напряжения пробоя определяется именно этими областями. На рис.5 приведена номограмма для расчета напряжения пробоя таких переходов Рис.5. Зависимость отношения напряжения пробоя цилиндрического или сферического перехода к напряжению пробоя плоского перехода в зависимости от отношения радиуса закругления к максимальной толщине объемного заряда Для плоских переходов с линейным распределением примеси напряжение лавинного пробоя определяется по формуле: V лав. проб E g a ,1 3 где а градиент концентрации примеси в см -4., (25)

15 15 Что касается пробоя планарных переходов с линейным распределением примеси, то из результатов вычислений следует сравнительно слабая зависимость напряжения пробоя от кривизны перехода. Туннельный пробой р-п-перехода Как видно из рис.4, напряженность электрического поля в переходе, необходимая для развития лавинного пробоя, увеличивается с ростом концентрации примеси в базе диода. Однако когда напряженность поля в полупроводнике (необязательно в р-п-переходе) достигает ~1 б В/см, становится существенной вероятность квантовомеханического туннелирования электронов из валентной зоны в зону проводимости. Этот процесс показан на рис.6 на примере обратно смещенного р-п-перехода, где электроны из валентной зоны р-области туннелируют в зону проводимости п- области. При этом можно считать, что на пути электронов стоит потенциальный барьер треугольной формы (на рис.6 он затушеван). Рис.6. Туннелирование электрона из валентной зоны р-области в зону проводимости п-области Высота этого барьера равна ширине запрещенной зоны Е g, а его ширина зависит от максимальной напряженности поля в переходе.

16 16 Квантовомеханический расчет показывает, что вероятность туннелирования электронов через такой барьер: P тун * 3/2 ( m Eg ) ~exp[ 4 2 / ]. (26) Поскольку максимальная напряженность поля в резком р-п-переходе пропорциональна корню квадратному из приложенного обратного напряжения, то начиная с определенного напряжения (которое называется напряжением туннельного пробоя), когда напряженность поля в переходе достигает I 6 В/см, через переход начинает протекать заметная туннельная компонента тока, которая с ростом обратного смещения будет резко возрастать (но не так резко, как при лавинном пробое): J обр AE ~exp V 3/2 g 1/2 обр (27) Величину напряжения, при котором начинается туннельный пробой, можно подсчитать (так же, как и для лавинного пробоя), зная критическую напряженность поля (~1 6 В/см): V тун.проб.= кр 2 εε V 2q ND NA (28) где N A и N D - концентрации акцепторов и доноров в р- и п-областях перехода соответственно, V - равновесная контактная ревность потенциалов. Из рис.4 видно, что если концентрация принеси в базе диода меньше, чем ~ 1 18 см -3, тo раньше в переходе возникают условия для ударной ионизации и лавинного пробоя. Практически это означает, что напряжение лавинного пробоя должно быть больше, чем 6 Eg q Если же напряжение пробоя меньше, чем 4 Eg q механизм пробоя чисто туннельный. В промежутке работают оба механизма., то Теперь можно оценить основные параметры стабилитронов, в которых использован либо лавинный, либо туннельный механизм пробоя.

17 17 1. Напряжение стабилизации зависит от уровня легирования базы диода. Чем слабее легирована база, тем выше напряжение пробоя (т.е. напряжение стабилизации). 2. Дифференциальное сопротивление стабилитрона на рабочем участке (т.е. на участке пробоя) зависит от механизма пробоя и от сопротивления базы диода (R базы ), включенного последовательно с ПЗ перехода. Если пренебречь R базы, то при лавинном пробое ток устремляется в бесконечность при V= V проб, т.е. r dif.=. В этом случае единственным ограничением для тока в реальном случае является R базы. Следовательно, r dif = R базы для стабилитронов, работающих на лавинном пробое. Сопротивление базы зависит от легирования базы и геометрии. При прочих равных условиях, чем слабее легирована база диода, тем больше удельное сопротивление базовой области и больше R базы. При использовании туннельного пробоя R базы мало, но ток при V= V проб не стремится к бесконечности, а нарастает по достаточно сложному закону, т.е. r dif определяется зависимостью (27). 3. Температурный коэффициент напряжения стабилизация (TKН) имеет разный знак для стабилитронов разных типов. При лавинном пробое напряжение пробоя растет с температурой, поскольку растет концентрация фононов и, соответственно, уменьшается средняя длина свободного пробега <λ>. Следовательно, для того, чтобы носители набрали энергию, достаточную для ударной генерации электронно-дырочных пар, потребуется большее электрическое поле, т.е. большее обратное напряжение на переходе. У стабилитронов, работающих на туннельном пробое, TKН отрицательный. То есть напряжение стабилизации уменьшается с ростом температуры. Это связано с тем, что с ростом температуры уменьшается ширина запрещенной зоны полупроводника Е g, и, в соответствии с (26), те же уровни туннельных токов будут достигаться при меньших обратных напряжениях. Принципиальная схема использования стабилитрона для стабилизации постоянного напряжения и для защиты различных приборов и узлов схемы

18 18 от перенапряжений показана на рис.7. Такой стабилизатор напряжения содержит 2 элемента: стабилитрон, включенный параллельно нагрузке R н, и балластное сопротивление R балл. Рис.7. Схема стабилизатора напряжения с использованием стабилитрона При изменении входного напряжения на величину ΔV вх в цепи возникает приращение тока ΔJ, которое практически полностью, ответвляется на стабилитрон, так как его сопротивление в режиме пробоя существенно меньше сопротивления нагрузки. Поскольку при изменении тока на рабочем участке стабилитрона напряжение на его зажимах меняется мало, то практически все приращение входного напряжения приходится на балластное сопротивление. В результате напряжение на нагрузке изменяется незначительно. При правильном выборе параметров схемы удается в десятки раз уменьшить нестабильность напряжения на нагрузке. При изменении сопротивления нагрузки изменяется ток нагрузки и ток через стабилитрон, но общий ток остается практически неизменным. Поэтому наиболее тяжелым режимом работы стабилитрона является режим холостого хода (когда нагрузка отсутствует), т.к. в этом случае через стабилитрон протекает весь ток J 1.

19 19 Качество работы стабилизатора напряжения характеризует коэффициент стабилизации, определяемый по формуле: k ст ΔVвх / Vвх = Δ V / V, (29) вых вых где ΔV вх и ΔV вых - изменение входного и выходного напряжения; V вх и V вых средние значения этих напряжений. Поскольку режим пробоя никак не связан с инжекцией неосновных носителей заряда, в полупроводниковом стабилитроне отсутствуют инерционные явления (накопления и рассасывания неосновных носителей заряда) при переходе из области пробоя в область запирании и обратно. Эта особенность делает возможным применение полупроводниковых стабилитронов не только в стабилизаторах напряжения, но и в импульсных схемах. К числу таких схем относятся ограничители и фиксаторы уровня напряжения. Кроме того, полупроводниковые стабилитроны могут применяться в качестве шунтов, защищающих от перенапряжений, в качестве элементов межкаскадной связи в усилителях постоянного тока, триггерах и других схемах. Предварительная подготовка к работе 1. Ознакомиться со схемой установки и методикой измерения. 2. Ознакомиться с порядком выполнения работы. 3. Подготовить таблицы для записи экспериментальных результатов. 4. Получить у преподавателя 2 стабилитрона для исследований. 5. Не включая питания подсоединять к схеме один из стабилитронов и приборы, необходимые для исследований. 6. Получить у преподавателя допуск к выполнению работы. Схема установки и методика измерений Электрическая схема для изучения изменения ВАХ стабилитрона в зависимости от температуры изображена на сменной панели лабораторного стенда и показана на рис.8.

20 2 Рис.8. Схема установки Напряжение смещения на стабилитрон подается от внешнего источника питания. Величина поданного напряжения на исследуемый стабилитрон определяется с помощью цифрового вольтметра типа В7-27. Ток, протекающий через стабилитрон, измеряется прибором В7-4. Нагрев стабилитрона осуществляется в печи резистивного типа. Температура в печи измеряется термопарой. В работе используется термопара медьконстантан. ЭДС термопары регистрируется милливольтметром типа В7-21. Температура в печи рассчитывается по формуле: Т печи = Т комн + ΔТ, где Т комн определяется по настенному термометру, а ΔТ = V тп /α (V тп ЭДС термопары, а =38 мкв/ С - коэффициент термопары). Для снятия ВАХ стабилитрона необходимо: менять сначала прямое, а затем обратное смещение на стабилитроне, при этом фиксируя изменение

21 21 тока через прибор. Особенно внимательно надо следить за тем, чтобы ток через стабилитрон как в прямой, так и в обратной ветви ВАХ не превышал 5 ма. Для построения ВАХ достаточно снять не менее 5-6 показаний приборов для прямой и 8-9 показаний для обратной ветви характеристики. Особенно тщательно следует снимать характеристику на участке стабилизации (пробоя), так как здесь в широком диапазоне изменений тока стабилитрона напряжение меняется незначительно. Порядок выполнения работы 1. Снять ВАХ двух предложенных стабилитронов при комнатной температуре (не включая нагревателя). 2. поместить первый стабилитрон в нагреватель и при фиксированном токе на участке стабилизации (например, при токе 2 ма) снять зависимость напряжения стабилизации от температуры (в диапазоне от комнатной до температуры, которая установится в печи (порядка 1 С)). 3. При установившейся температуре, не выключая нагревателя, убедившись, что температура нагревателя не изменяется со временем, снять ВAX 1-го стабилитрона, а затем второго. При снятии ВАХ 2-го стабилитрона необходимо его прогреть в нагревателе не менее 1 мин. Критерием того, что температура стабилитрона сравнялась с температурой нагревателя, может служить ток насыщения стабилитрона. Когда он перестанет меняться, можно приступать к измерениям. 4. Снять зависимость напряжения стабилизация от температуры для 2- го стабилитрона. Для этого установить фиксированный ток стабилитрона (например, 2 ма), на участие стабилизации и, выключив нагреватель, в процессе остывания прибора снять указанную зависимость. 5. Построить ВАХ исследуемых стабилитронов на одном графике. 6. Методом графического дифференцирования для всех четырех ВAX определить дифференциальное сопротивление прибора на рабочем участке (при одинаковых токах).

22 22 7. Построить графики зависимости напряжения стабилизации от температуры (для 2-х стабилитронов на одном графике). Вопросы к защите лабораторной работы I. В чем состоит принцип работы кремниевого стабилитрона? Какой вид пробоя р-п-перехода используется в этих приборах? 1, Почему в качестве материала для изготовления данного типа диодов используется кремний? 3. Расскажите о конструктивном оформлении, условном графическом обозначении и маркировке кремниевого стабилитрона. 4. Начертите и объясните схему включения кремниевого стабилитрона. 5. Нарисуйте ВАХ кремниевого стабилитрона и расскажите о физических процессах, определяющих форму характеристики на разных участках. 6. Укажите основные параметры кремниевого стабилитрона и поясните их физический смысл. 7. Что такое ТКН кремниевого стабилитрона и чем оно определяется? 8. Расскажите о применении кремниевых стабилитронов в электронной аппаратуре. Рекомендуемая литература 1. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. М, Высшая школа, Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.; Энергия, 1977.


где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода.

где ε 0 - диэлектрическая постоянная, ε - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала, d - ширина ОПЗ; S - площадь p-n перехода. 5 «Барьерная емкость p-n перехода» Двойной пространственный слой p-n перехода напоминает обкладки конденсатора с разнополярным зарядом на них (рисунок 2.7, рисунок 2.13). Увеличение обратного напряжения

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 3 Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения 1. Прямое включение p-n-перехода 2. Обратное включение

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода

ЛЕКЦИЯ 10 Свойства p-n переходов. Пробой p-n перехода ЛЕКЦИЯ Свойства p-n переходов План занятия:. Пробой p-n перехода 2. Температурные свойства p-n перехода 3. Емкость p-n перехода Пробой p-n перехода При рабочих величинах обратного напряжения протекает

Подробнее

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода

Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Работа 44 Изучение характеристик электронно-дырочного перехода Цель работы Исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и ее зависимость от температуры. Вывод уравнения вольт-амперной

Подробнее

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния.

напряжение. Все тиристорные структуры изготовляются на основе кремния. ТИРИСТОРЫ Тиристор это полупроводниковый прибор, основой которого служат три или более трех последовательно включенных p nпереходов. Область его применения бесконтактное переключение и управление в электрических

Подробнее

Лекция. P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов.

Лекция. P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов. Лекция P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов. 1 На основе специальных технологий соединения примесных полупроводников n и p типов можно создать p-n переход, являющийся основой многих электронных

Подробнее

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник)

Анастасия А. Мигунова Полупроводниковые приборы. Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Лекция 1 Элементы зонной теории твердых тел. Барьерные структуры. Диод Шоттки (контакт металл-полупроводник) Одиночные атомы имеют отдельные уровни энергии электронов. При объединении их в кристаллическую

Подробнее

Температурная зависимость параметров диодов.

Температурная зависимость параметров диодов. НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» www.opprib.ru e-mail: info@opprib.ru

Подробнее

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды»

II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» II Полупроводниковые переходы и контакты 1 «Полупроводниковые диоды» Простейшим полупроводниковым прибором является диод представляющий полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным (-) переходом. На

Подробнее

Лекция 11. Электронно-дырочный переход

Лекция 11. Электронно-дырочный переход Лекция 11. Электронно-дырочный переход Контакт двух примесных полупроводников с различными типами проводимости называется электронно-дырочным переходом или сокращенно p-n-переходом. Обычно он создается

Подробнее

Электронно-дырочный переход

Электронно-дырочный переход Кафедра экспериментальной физики СПбПУ Электронно-дырочный переход Методические указания к лабораторному практикуму по общей физике СПбПУ 2014 Лабораторная работа 2.08 «Электронно-дырочный переход» 1 http://physics.spbstu.ru

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt.

3 «Вольтамперная характеристика p-n перехода» q k U, (2.6) U внешнее напряжение. Баланс токов через переход можно записать в виде: диф. qu kt. 3 «Вольтамперная характеристика - перехода» Если области - перехода находятся при одной и той же температуре, при отсутствии приложенного к --переходу напряжения, ток через него равен нулю, т.е. все потоки

Подробнее

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле»

0,5. 10 «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» «Расчет концентрации носителей заряда в кристалле» Приводимость любых твердых тел определяется, прежде всего, концентрацией электронов и дырок, способных переносить заряд. Концентрация носителей заряда

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника»

Задача 1. Время выполнения задания 180 мин. Направление «Электроника и наноэлектроника» 1 Направление «Электроника и наноэлектроника» Задача 1 Время выполнения задания 180 мин. Дано: Е 1 =100 В; Е 2 =500 В; R 1 =1 ком; R 2 =4 ком; R 3 =5 ком; R 4 =500 Ом; R 5 =10 ком; R 6 =100 Ом; Найти показания

Подробнее

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОР- НОЙ РАБОТЫ ФКЛ-16

НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОР- НОЙ РАБОТЫ ФКЛ-16 НПО УЧЕБНОЙ ТЕХНИКИ «ТУЛАНАУЧПРИБОР» МЕТОИЧЕСКОЕ РУКОВОСТВО ПО ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОР- НОЙ РАБОТЫ ФКЛ-16 ОПРЕЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПИРАЮЩЕГО СЛОЯ P-N ПЕРЕХОА И КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ В ОБЛАСТИ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ Тула,

Подробнее

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции:

Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА. План лекции: Лекция 2 Раздел 1. АНАЛОГОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА Тема 1.1: ДИОДЫ, ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА План лекции: 1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения. 2. Электронно-дырочный

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 106 СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Выполнил

Подробнее

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Специальные диоды. Лекция 7. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 7 Специальные диоды 1. Варикапы. 2. Сверхвысокочастотные диоды. 3. Диоды Ганна. 4. Лавинно-пролетные диоды (ЛПД). 5. Туннельные

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Контрольная работа ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал Кафедра математических

Подробнее

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА. Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Цель работы: снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Полупроводниковый диод полупроводниковый прибор с двумя выводами, принцип действия

Подробнее

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ЛЕКЦИЯ 11 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ Механизмы электропроводности. Измерения электропроводности, объемная и поверхностная электропроводность. Эмиссия: термоэлектронная, автоэлектронная,

Подробнее

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант)

Дополнение к лабораторной работе «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Дополнение к лабораторной работе 2.02 «Температурные зависимости удельного сопротивления металлов и полупроводников» (автоматизированный вариант) Работа состоит из двух независимых частей: "Проводимость

Подробнее

Две области с разным типом легирования - n-область (концентрация доноров N d ) и p-область (концентрация акцепторов N a )

Две области с разным типом легирования - n-область (концентрация доноров N d ) и p-область (концентрация акцепторов N a ) Электронно-дырочный переход Две области с разным типом легирования - n-область (концентрация доноров N d ) и -область (концентрация акцепторов N a ) Концентрации основных носителей электронов в n-области

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

Изучение работы p-n перехода НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: if@rib.ru 010804. Изучение работы -

Подробнее

Оглавление Введение 4 1. Лавинный пробой Вольт-амперная характеристика р-п-перехода в области лавинного пробоя

Оглавление Введение 4 1. Лавинный пробой Вольт-амперная характеристика р-п-перехода в области лавинного пробоя 3 Оглавление Введение 4 1. Лавинный пробой 5 1.1. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода в области лавинного пробоя 19 1.2. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя 19 2. Лавинный пробой

Подробнее

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I

Решение задачи 2. Ответ. Амперметр покажет 0,1 А. Решение задачи 3. E В цепи будет протекать ток, равный I Олимпиада для студентов и выпускников вузов 03 г. Направление «Электроника и телекоммуникация» Профили: «Инжиниринг в электронике» «Измерительные технологии наноиндустрии» I. ОБЩАЯ ЧАСТЬ Решение задачи.

Подробнее

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ

ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ Для возникновения фотоэдс в полупроводнике при возбуждении его светом должны существовать причины, приводящие к разделению в пространстве неравновесных

Подробнее

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения

Электрические процессы в p-n-переходе в отсутствие внешнего напряжения ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 2 Электрические процессы в --переходе в отсутствие внешнего напряжения 1. Время жизни носителей заряда 2. Дрейфовое движение

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников

ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД. Проводимость полупроводников ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. P - N - ПЕРЕХОД Проводники, полупроводники, диэлектрики. Зонная энергетическая диаграмма У проводников большое количество свободных электронов, у диэлектриков валентные электроны

Подробнее

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»

13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда» Образование свободных электронов и дырок генерация носителей заряда происходит при воздействии теплового хаотического движения атомов кристаллической решетки

Подробнее

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда

Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Лекция 2. Время жизни носителей заряда. Дрейфовое и диффузионное движение носителей заряда Таким образом, в примесных полупроводниках концентрации основных носителей заряда (пп электронного полупроводника

Подробнее

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Методические указания ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Государственное высшее учебное заведение «Национальный горный университет» Методические указания к лабораторной работе 6.3 ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ

Подробнее

к изучению дисциплины

к изучению дисциплины МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ. С.Г.Камзолова ПОСОБИЕ к изучению дисциплины «Общая электротехника и электроника», раздел «Электронные приборы» Часть 1. для студентов

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С p -n ПЕРЕХОДОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.15 ВОЛЬТ - АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА С - ПЕРЕХОДОМ ЦЕЛЬ РАБОТЫ 1. Осмыслить основные физические процессы в р- -переходе. 2. Научиться снимать вольт-амперные характеристики диодов. 3.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ. Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: изучить принцип действия и характеристики полупроводниковых диодов. Ознакомиться с методикой снятия вольтамперных

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

А. А. ДУРНАКОВ В. И. ЕЛФИМОВ ЭЛЕКТРОНИКА. Учебно-методическое пособие

А. А. ДУРНАКОВ В. И. ЕЛФИМОВ ЭЛЕКТРОНИКА. Учебно-методическое пособие 7 7 17 7 А. А. ДУРНАКОВ В. И. ЕЛФИМОВ ЭЛЕКТРОНИКА Учебно-методическое пособие Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода

Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода ВСГУТУ. афедра «Физика». Лабораторная работа 6 Изучение вольтамперных характеристик полупроводникового триода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучение двух семейств характеристик: 1. f Б1 и f Б 2 2. f и f Б 1 ; Б 2 ; СПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ

Подробнее

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения

Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Лекция 3. Электрические процессы в p-n-переходе при наличии внешнего напряжения Подключение к p-n-структуре внешнего напряжения (напряжения смещения) приводит к изменению условий переноса заряда через

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 64 ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩЕГО ДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА 1. Цель работы Целью работы является изучение физики явлений, происходящих на р-n-переходах - основных элементарных

Подробнее

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА Министерство образования и науки Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 53 3943 Ф 503 ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО ФИЗИКЕ Методические

Подробнее

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры

Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Лекция 6. Структура и устройство биполярных транзисторов. Принцип действия биполярного транзистора и его основные параметры Транзистор, или полупроводниковый триод, являясь управляемым элементом, нашел

Подробнее

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 3 Лекция 1 ВВЕДЕНИЕ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 1. Введение 2. Выпрямительные диоды 3. Стабилитроны 4. Диоды Шоттки 5. Выводы План Введение Энергетическая электроника представляет область

Подробнее

Работа 8. Эффект Холла

Работа 8. Эффект Холла Работа 8. Эффект Холла Цель работы: Изучение теории эффекта Холла в сильных и слабых магнитных полях в примесных и собственных полупроводниках Выполняются упражнения: 8а Измерение при комнатной температуре

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

Для акцепторного полупроводника из постоянства произведений концентраций носителей p p n p = p i n i получаем концентрацию неосновных носителей

Для акцепторного полупроводника из постоянства произведений концентраций носителей p p n p = p i n i получаем концентрацию неосновных носителей Основы мехатроники и робототехники Тема 3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Теория Полупроводниковый диод прибор, состоящий из двух областей с различными свойствами и одного перехода соответствующего типа. Большинство

Подробнее

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды?

Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? Итоговые контрольные вопросы по курсу Вопрос 1 (1 балл) Какой из перечисленных материалов позволяет создать более высокотемпературные диоды? a. GaAs b. Ge c. Si Вопрос 2 (1 балл) В какой из трех схем включения

Подробнее

1. Электропроводность полупроводников. Общие сведения

1. Электропроводность полупроводников. Общие сведения Цель работы. Исследовать проводимости полупроводников с собственной и примесной проводимостью. Задача. 1. Определить вольт-амперную характеристику полупроводника и зависимость тока через полупроводник

Подробнее

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода

Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода Лабораторная работа 5 Изучение характеристик полупроводникового диода ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучить вольтамперную характеристику (ВАХ) полупроводникового диода. ПРИБОРЫ И ПРИНАДЛЕЖНОСТИ Полупроводниковый диод; Миллиамперметр;

Подробнее

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника

Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Работа 40 Определение ширины запрещенной зоны полупроводника Ширина запрещенной зоны может быть найдена с помощью измерений электропроводности или постоянной Холла в зависимости от температуры, а также

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров

ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ. Классификация и условные графические обозначения тиристоров ЛЕКЦИЯ 15 ТИРИСТОРЫ План занятия: 1. Классификация и условные графические обозначения тиристоров 2. Принцип работы тиристоров 3. Управляемые тиристоры 4. Симисторы 5. Основные параметры тиристоров 6. Области

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

Руководство к лабораторной работе. "Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов"

Руководство к лабораторной работе. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра телевидения и управления (ТУ) Утверждаю: Зав. кафедрой ТУ И.Н. Пустынский 2008

Подробнее

Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)

Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) Этот файл загружен с сайта кафедры ФОЭТ http://foet.miem.edu.ru Обо всех обнаруженных неточностях и опечатках просьба сообщать на e-mail serj@foet.miem.edu.ru PDF-версия от 6 апреля 2007 г. МИНИСТЕРСТВО

Подробнее

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Лабораторная работа 44 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Цель работы: исследовать вольт-амперную характеристику плоскостного перехода и температурную зависимость прямого и обратного

Подробнее

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов

Московский государственный технический университет. Изучение свойств p-n-переходов Московский государственный технический университет им. Н.Э.Баумана Изучение свойств p-n-переходов Москва Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана 2009 Рецензент В. Н. Атаманов. Изучение свойств p-n-переходов

Подробнее

Лабораторная работа 5.1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Лабораторная работа 5.1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Лабораторная работа 5.1 ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ 5.1.1. Полупроводниковые диоды Полупроводниковый диод двухполюсный прибор, имеющий один p n переход. По функциональному назначению диоды делят

Подробнее

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры

Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Работа 3.9 Исследование зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры Оборудование: исследуемые образцы, цифровые электронные приборы Щ433 и M89G, термостат, двойной переключатель,

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучение основных физических закономерностей, определяющих свойства и параметры фотодиодов, исследование вольтамперных

Подробнее

Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ 109 Лекция ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ План 1. Анализ цепей с диодами.. Источники вторичного электропитания. 3. Выпрямители. 4. Сглаживающие фильтры. 5. Стабилизаторы напряжения. 6. Выводы. 1. Анализ

Подробнее

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Лекция 3 ЭЛЕМЕНТЫ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Движение свободных носителей заряда в металлах и полупроводниках. Полупроводники в микроэлектронике. Носители заряда в полупроводнике.

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: исследование электрофизических характеристик полупроводников методом эффекта Холла. 2.1 Теоретические сведения о полупроводниках

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н.

Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Министерство образования и науки Российской Федерации Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА Методические указания к лабораторной

Подробнее

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики

Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики Специализированный учебно-научный центр - факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Школа имени А.Н. Колмогорова Кафедра физики 2 возникает слой с особыми свойствами, который и называется p-n переходом или электронно-дырочным

Подробнее

Олимпиада для студентов и выпускников 2017 г. Направление: «Электроника и наноэлектроника» Профиль: «Электроника и наноэлектроника» КОД -170

Олимпиада для студентов и выпускников 2017 г. Направление: «Электроника и наноэлектроника» Профиль: «Электроника и наноэлектроника» КОД -170 1 Направление: «Электроника и наноэлектроника» Профиль: «Электроника и наноэлектроника» КОД -170 Время выполнения задания 180 мин. Задача 1 (5 баллов) Вольтметр подключен к зажимам батареи с ЭДС 100 В

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 65 ИЗУЧЕНИЕ РАОТЫ ИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. Цель работы Целью работы является ознакомление с устройством, физикой явлений, способами включения и некоторыми характеристиками транзистора.

Подробнее

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе.

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора и усилителя

Подробнее

Эффект Холла в примесных полупроводниках.

Эффект Холла в примесных полупроводниках. 00807. Эффект Холла в примесных полупроводниках. Цель работы: Изучить эффект Холла в примесных полупроводниках. Ознакомиться с методом измерения концентрации и подвижности основных носителей тока в примесных

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы

ЛЕКЦИЯ 12 ТРАНЗИСТОРЫ Биполярные транзисторы ЛЕЦИЯ 2 ТРАНЗИСТОРЫ иполярные транзисторы План занятия: Структура и принцип работы биполярных транзисторов 2 лассификация биполярных транзисторов 3 Основные параметры биполярных транзисторов 4 Режимы работы

Подробнее

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО Кафедра экспериментальной физики СПбГПУ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 202 ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛА И ПОЛУПРОВОДНИКА ЦЕЛЬ РАБОТЫ Определение температурного коэффициента сопротивления

Подробнее

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ 84 Лекция 9 СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План 1. Введение 2. Параметрические стабилизаторы 3. Компенсационные стабилизаторы 4. Интегральные стабилизаторы напряжения 5. Выводы 1. Введение Для работы электронных

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЛАОРАТОРНАЯ РАОТА 8 ИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР В 948 году Д. ардин и В. раттейн, работая с точечным переходом, обнаружили, что устройство с двумя переходами способно создавать усиление электрических колебаний

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации

Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации ТУЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Л.Н. Толстого Лабораторная работа 6 Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации Тула 9 Цель

Подробнее

АЦП N. для различных ЦАП и АЦП, составляет от долей микросекунды до десятков

АЦП N. для различных ЦАП и АЦП, составляет от долей микросекунды до десятков 5.4. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СИГНАЛОВ ЦАП И АЦП Перевод цифровых кодов в аналоговый сигнал и аналоговых данных в цифровой формат осуществляется при помощи цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей (рис.

Подробнее

Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Электроника и наноэлектроника

Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Электроника и наноэлектроника Институт Направление подготовки Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова 11.04.04 Электроника и наноэлектроника Банк заданий по специальной части вступительного испытания в магистратуру Задание

Подробнее

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 176 Лекция 18. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ План 1. Общие сведения о полупроводниках. 2. Характеристики p n-перехода. 3. Полупроводниковые диоды. 4. Выводы. 1. Общие сведения о

Подробнее

СЕРТИФИКАЦИЯ ОРГАНИЗАЦИЙ АВИАТОПЛИВООБЕСПЕЧЕНИЯ

СЕРТИФИКАЦИЯ ОРГАНИЗАЦИЙ АВИАТОПЛИВООБЕСПЕЧЕНИЯ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ А.Н. Тимошенко, А.Н. Козлов С.Г. Камзолова СЕРТИФИКАЦИЯ ОРГАНИЗАЦИЙ АВИАТОПЛИВООБЕСПЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА Учебно-методическое

Подробнее

Исследование характеристик фоторезистора

Исследование характеристик фоторезистора Работа 42 Исследование характеристик фоторезистора Цель работы Ознакомиться с принципом действия фоторезистора и исследовать его вольт-амперные, световые и спектральную характеристики, оценить ширину запрещенной

Подробнее

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЛАСТИ ИОНИЗАЦИИ В ПЛАВНЫХ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЛАСТИ ИОНИЗАЦИИ В ПЛАВНЫХ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЛАСТИ ИОНИЗАЦИИ В ПЛАВНЫХ ФОСФИДГАЛЛИЕВЫХ p-n-переходах Ионычев В.К., Шестеркина А.А., Шарамазанов Р.М. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск Тел.

Подробнее

Лабораторная работа 2.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков.

Лабораторная работа 2.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков. Лабораторная работа.08 ИЗМЕРЕНИЕ УДЕЛЬНОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОНА ПО ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ ВАКУУМНОГО ДИОДА А.М. Попов, В.И. Рябенков. 3 а U а Цель работы: изучение вольт-амперных характеристик вакуумного

Подробнее

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ

11. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ 11 ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ Неметаллы отличаются от проводников наличием зоны запрещенных энергий g для электронов Структуры энергетических зон собственного полупроводника приведены на рис14 Состояния,

Подробнее

Исследование электропроводности полупроводников. Краткое теоретическое введение

Исследование электропроводности полупроводников. Краткое теоретическое введение 040002. Исследование электропроводности полупроводников. Цель работы: Определить сопротивление и его зависимость от температуры для полупроводникового материала. Установить тип материала и уровень его

Подробнее

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник Собственный полупроводник Для изготовления полупроводников применяют в основном германий и кремний, а также некоторые соединения галлия, индия и пр. Для полупроводников характерен отрицательный температурный

Подробнее

Краткая теория р-п-перехода

Краткая теория р-п-перехода МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ Кафедра «Физические основы электронной техники» Краткая теория р-п-перехода Методические указания

Подробнее

Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Лабораторная работа 316 ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА Приборы и принадлежности: лабораторная панель «Полупроводниковый диод», источник питания постоянного тока GPS- 3030DD, вольтметр универсальный

Подробнее

Введение. Полупроводниковый диод. Дифференциальное сопротивление.

Введение. Полупроводниковый диод. Дифференциальное сопротивление. Введение. Лектор Крылов Игорь Ратмирович, комната Б101 физического факультета СПбГУ. Интернет страница: igor-krylov.ru Электронная почта: igor-krylov@yandex.ru Литература. 1. Хоровиц П., Хилл У. Искусство

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов

Лекция 4 Контактные явления. 4.1 Контактная разность потенциалов Лекция 4 Контактные явления 4.1 Контактная разность потенциалов Из модели сильной связи в зонной теории твердого тела следует, что энергия электронов в кристалле - величина отрицательная. Физически это

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФЕРМИ-ДИРАКА ДЛЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДНИКА

ИЗУЧЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФЕРМИ-ДИРАКА ДЛЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДНИКА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тихоокеанский государственный университет» ИЗУЧЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФЕРМИ-ДИРАКА ДЛЯ

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников

ПОЛУПРОВОДНИКИ. Собственная проводимость полупроводников ПОЛУПРОВОДНИКИ Полупроводники твердые тела, у которых при T=0 валентная зона полностью заполнена и отделена от зоны проводимости узкой, по сравнению с диэлектриками, запрещенной зоной Полагается, что ширина

Подробнее

Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода.

Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода. Лабораторная работа 6 Изучение вольт-амперных характеристик фотодиода. 1 Цель работы: Изучить основные физические закономерности, определяющих свойства и параметры фотодиодов. Исследовать вольт-амперные

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Физико-технический факультет УТВЕРЖДАЮ Декан

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА КС-3 ИЗМЕРЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА. Цель работы Изучение зонной теории твердых тел; экспериментальное определение ширины запрещённой зоны на основе температурной

Подробнее

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений.

U t = U 0 e ω Гармонически изменяющееся напряжение можно изобразить на комплексной плоскости напряжений. Комплексные токи и напряжения. Комплексные токи и напряжения вводят для рассмотрения гармонически изменяющихся токов и напряжений. Комплексные токи и напряжения позволяют заменить дифференциальные уравнения

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В p-n-переходе

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В p-n-переходе МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) А.П. Лысенко ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В -n-переходе Рекомендовано

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО

Подробнее