1. Информация из ФГОС, относящаяся к дисциплине

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "1. Информация из ФГОС, относящаяся к дисциплине"

Транскрипт

1

2 1. Информация из ФГОС, относящаяся к дисциплине 1.1. Вид деятельности выпускника Дисциплина охватывает круг вопросов, относящихся к виду деятельности выпускника: научно-исследовательской Задачи профессиональной деятельности выпускника В дисциплине рассматриваются указанные в ФГОС задачи профессиональной деятельности выпускника - научно-исследовательская деятельность: анализ, систематизация и обобщение научно-технической информации по тематике исследования; проведение экспериментальных исследований по синтезу и анализу материалов и компонентов нано- и микросистемнои техники; описание проводимых исследований, анализ результатов, подготовка данных для составления обзоров, отчетов и научных публикаций; 1.3. Перечень компетенций, установленных ФГОС Освоение программы настоящей дисциплины позволит сформировать у обучающегося следующие профессиональные компетенции (ПК): ПК-11, ПК-12, ПК-17, ПК-19, ПК-21, ПК-22 способностью применять методики разработки математических и физических моделей исследуемых процессов, явлений и объектов в области нанотехнологии (ПК-11); способностью планировать и проводить эксперименты в области нанотехнологии, обрабатывать и анализировать их результаты (ПК-12); готовностью использовать современные автоматизированные системы проектирования (CAD), типовые пакеты прикладных профамм, применяемые при моделировании и проектировании материалов и компонентов нано- и микросистемной техники (ПК-17); способностью анализировать, подготавливать и согласовывать технические задания на проектные разработки в области нанотехнологии (ПК-19); готовностью разрабатывать новые методы оценки проектных решений в области нанотехнологии (ПК-21); готовностью разрабатывать нормативно-техническую и отчетную документацию с описанием устройства, принципов действия, обоснованием технических и технологических решений на проектируемые объекты микро- и нанотехнологии (ПК-22). Освоение программы настоящей дисциплины позволит сформировать у обучающегося следующие общекультурные компетенции (ОК): способностью совершенствовать и развивать свой интеллектуальный и общекультурный уровень (ОК-1); 2

3 способностью к самостоятельному обучению новым методам исследования, к изменению научного и научно-производственного профиля своей профессиональной деятельности (ОК-2); способностью использовать на практике умения и навыки в организации исследовательских и проектных работ, в управлении коллективом (ОК-4); 1.4. Перечень умений и знаний, установленных ФГОС Студент после освоения программы настоящей дисциплины должен: знать: физические принципы основных экспериментальных методов исследования материалов и структур, используемых в физике и технологии нано- и микросистем, условия реализации и границы применения этих методов; тенденции развития методов характеризации материалов и структур нано и микросистем; уметь: выбирать оптимальные методы исследования и диагностики необходимых свойств нано- и микросистем; владеть: методами эффективного поиска информации по современным методам исследований, о перспективных направлениях развития устройств для изучения и анализа наноструктур. 2. Цели и задачи освоения программы дисциплины Целью изучения дисциплины «Методы анализа и контроля наноструктурированных материалов и систем» формирование знаний в области экспериментальных методов исследования состава, структуры, физикохимических, оптических и спектральных свойств наноматериалов и наносистем, усвоение фундаментальных принципов, на которых строится функционирование приборов для исследований, формирование у обучающихся общепрофессиональных и профессиональных компетенций. Задачей изучения дисциплины является знакомство с конструкцией исследовательской аппаратуры, условиями эксплуатации, современными методами исследований, освоение студентами основных принципов работы с приборами, получение практических навыков при проведении исследований. 3. Место дисциплины в структуре ООП Для изучения дисциплины, необходимо освоения содержания дисциплин: Дифференциальные уравнения, теория вероятностей и статистика, молекулярная физика и термодинамика, квантовая механика, физическая химия. 3

4 Знания и умения, приобретаемые студентами после освоения содержания дисциплины, будут использоваться при изучении предмета «Физика наносистем», а также полученные студентами ПК и ОК будут использоваться при выполнении курсовых проектов и дипломного проектирования. 4. Компетенции обучающегося, формируемые освоения дисциплины (результаты освоения дисциплины) способностью собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии (ПК-6); способностью собирать, анализировать и систематизировать отечественную и зарубежную научно-техническую информацию по тематике исследования в области нанотехнологии (ПК-8); готовностью определять основные функциональные характеристики компонентов микро- и наносистемной техники (ПК-29); способностью стремиться к саморазвитию, повышению своей квалификации и мастерства (ОК-6); способностью критически оценивать свои достоинства и недостатки, намечать пути и выбирать средства развития достоинств и устранения недостатков (ОК-7); 5. Основная структура дисциплины. Таблица 1. Структура дисциплины. Вид учебной работы Трудоемкость, часов Всего Семестр Общая трудоемкость дисциплины Аудиторные занятия, в том числе: лекции лабораторные работы практические/семинарские занятия Самостоятельная работа Вид промежуточной аттестации (итогового контроля по дисциплине), экзамен экзамен Содержание дисциплины 6.1. Перечень основных разделов и тем дисциплины Современных методы анализа состава, структуры и спектральных параметров микро- и наносистем. Методы анализа, рассматриваемые в рамках данной дисциплины, включают, сканирующую электронную и туннельную микроскопии, атомно-силовую микроскопию, туннельную 4

5 микроскопию, эллипсометрию, ОЖЕ электронную спектроскопию, инфракрасную фурье-спектроскопию, люминесцентную и УФспектроскопию. Краткое описание содержания теоретической части разделов и тем дисциплины Лекция 1. Введение в предмет. Общая классификация электронных микроскопов. Быстрый прогресс ряда областей человеческой деятельности и, прежде всего, полупроводниковой электроники, естественным образом приводил к необходимости использовать нанотехнологические принципы. В ряде технологических областей начала создаваться нанотехнологическая база. И, по-видимому, наиболее важным событием явилось создание в 80-е годы сканирующей туннельной, а затем атомной силовой микроскопии. Это дало возможность не только увидеть объект с атомным разрешением, но и манипулировать атомами и молекулами. Но прежде чем что-то сформировать на наноуровне, нужно научиться видеть, что делаешь. Для того, чтобы создавать объекты микро- и наноразмеров, необходимо, естественно, иметь возможность определять их характеристики форму и структуру, брутто-состав и состав их локальных областей. Это можно сделать с помощью зонда, который может состоять из фотонов, электронов, нейтронов, атомов, ионов. Для наночастиц, зондирующий свет имеет различную длину волны от гамма-излучения до ИК. Собранная информация представляется в виде фотографий или спектров, из которых видно геометрические, структурные детали материалов. Достаточно много методов исследования может быть использовано для изучения наночастиц и наноматериалов. Среди них одно из первых мест занимает микроскопия. Ее несколько форм пригодно для исследования наноматериалов. Области микроскопии: 1) Оптические микроскопы. 2) Электронные микроскопы. 3) Сканирующие зондовые микроскопы. 4) Другие. Далее мы дадим характеристику всем видам микроскопии. Итак, микроскоп это устройство для получения увеличенных изображений. Микроскоп греческое слово, состоящее из двух слов «микрос» маленький и «скоуп» смотреть. Микроскопы непрерывно развиваются и совершенствуются с конца 17 века. Возможности оптической микроскопии ограничены ее невысокой разрешающей способностью, которая определяется длиной волны видимого света. Достигаемое увеличение не превышает кратного. Дадим определения следующим терминам перед тем, как приступить к детальному изучению микроскопии. 5

6 Разрешение мера способности инструмента различать две близко расположенные точки как раздельные. Разрешающая сила разрешение, достигаемое данным инструментом при оптимальных условиях. В то время как разрешающая сила свойство инструмента и количество, которое может быть достигнуто, разрешение равно или ниже разрешающей силы и определяется для инструмента. В отличие от светового излучения электронный пучок оказывается эффективным средством изучения структуры вещества на микро- и наноуровне. В зависимости от энергии электрона отвечающая ему длина волны может составлять нм при не очень высоком ускоряющем электроны напряжении (десятки тысяч вольт). Существует два больших класса электронных микроскопов: Просвечивающие зондовый луч, проходящий через образец, по-разному отражается и поглощается. Сканирующие (растровые) зондовый луч сканирует поверхность. Изображение формируется точка за точкой. Из-за относительной простоты, сканирующие микроскопы будут рассмотрены до просвечивающих. Но основы, необходимые для понимания сканирующих микроскопов, дадут возможность изучить просвечивающие микроскопы за меньшее время. Сканирующие микроскопы делятся на: 1) Scanning Electron Microscope (SEM)(СЭМ) в таких микроскопах электронный пучок проходит по поверхности образца и вызывает изменения в образце. Результирующие частицы, отраженные от образца и создают изображение. Наиболее важное преимущество SEM большая глубина проникновения поля. Хотя кажется, что изображения являются трехмерными, однако действительно трехмерные изображения получают, комбинируя два изображения. 2. Scanning Ion Microscope (SIM) заряженные ионы используются для получения изображений 3. Scanning Acoustical Microscope (SAM) используют ультразвук для получения изображений. Лучшее достигаемое разрешение порядка 2.5 микрон, ограничивается длиной волны ультразвука. Преимущество таких микроскопов то, что они позволяют взглянуть на живые биологические объекты. 4. Scanning Light Microscope (SLM) В таких микроскопах узкий пучок света сканирует образец. Позволяет увеличивать глубину проникновения и улучшение цвета. 5. Scanning Confocal Microscope (SCM) в таких микроскопах тонко сфокусированный пучок белого или монохроматического цвета используется для сканирования образца. Позволяет «разрезать» образец. Используется в биологии. Дать определение следующим терминам: длина волны Де Бройля, критерий Аббе, критерий Релея. 6

7 Лекция 2. Основы сканирующей электронной микроскопии. Основные компоненты сканирующих электронных микроскопов: Электронная пушка. Она служит для создания стабильного пучка электронов. Обычно электронная пушка представляет собой термоэлектронный эмиттер. Используются 2 основных типа электронных пушек: термоэлектронные (ТЭП) (thermoelectronic or thermoionic source) и автоэмиссионные (АЭП или FEG field emission gun). Отметим сразу, что эти два источника не взаимозаменяемы! АЭП дает более монохроматический пучок, но микроскоп с АЭП стоит в ~ 2 раза дороже, чем с ТЭП. В ТЭП используют либо материалы с высокой температурой плавления, либо с очень малой работой выхода. На практике используют либо вольфрамовую нить, либо гексаборид лантана (LaB 6 ), имеющий низкую работу выхода электрона. Еще один тип используемых эмиттеров это эмиттеры, использующие полевую эмиссию. В полевой эмиссии поле на кончике эмиттера достигает величины 10 В/нм и потенциальный барьер становится тоньше и ниже, так что электроны легко могут туннелировать из катода. Обычно используют два типа полевой эмиссии. Холодный полевой эмиттер CFE и полевой эмиттер Шоттки (SFE). 2) Электромагнитные линзы. В электронной микроскопии линзы, так же как и в оптическом микроскопе, являются важнейшей частью, определяющей основные характеристики микроскопа. Линзы используются для собирания лучей, а также для фокусирования лучей в точку на фокальной плоскости линзы. Так же как и в световой оптике, в электронной оптике ПЭМ действует уравнение Ньютона: 1/u + 1/v = 1/f, (1) где u и v - расстояние от линзы до объекта и изображения, соответственно, f фокусное расстояние. Увеличение равно M = v/u (2). Дефекты линз электронных микроскопов Среди многочисленных дефектов электромагнитных линз в ПЭМ основными дефектами, ограничивающими разрешение ПЭМ, являются 4: сферическая аберрация, хроматическая аберрация, дифракция на апертуре, астигматизм. Аберрация линз. Электронная оптика зависит от аберраций, но в отличие от обычной оптики, нет способа избавиться от них. Все, что можно сделать это уменьшить их, правильно проектируя оптическую систему. Краткое описание дефектов: Сферическая аберрация. Электрон, движущийся по траектории, расположенной далеко от оптической оси отклоняется линзой сильнее. В результате электронный пучок, попадающий на линзу, близко к ее краю, фокусируется в пятно, отличное от пятен других электронов, которые летят ближе к центру линзы. В результате точка изображается в виде диска конечного размера. Хроматическая аберрация. Эта аберрация вызвана разным отклонением в электромагнитном поле электронов, отличающихся энергией. Когда пучок 7

8 электронов разных энергии входит в собирающую линзу, то величина отклонения будет зависеть от энергии. Дифракция на апертуре. Волновая природа электронов заставляет пучок подвергаться дифракции при прохождении сквозь узкую щель. Взаимодействуя, они образуют яркое пятно посередине и чередование темных и ярких концентрических колец вокруг него (это происходит в плоскости изображений). Пятно называется диском Эйри. Астигматизм возникает из-за неправильной формы пучка. Астигматизм возникает из-за дефектов в фокусируемых полях, которые могут возникать в силу ряда многих причин: неидеальная симметрия поля, неидеальность обработки деталей микроскопа. Лекция 3. Основы сканирующей электронной микроскопии (продолжение). Основные компоненты сканирующих электронных микроскопов: Отклоняющие катушки - это следующая часть СЭМ. В СЭМ сканируемое изображение формируется точка за точкой и его формируют сканирующие катушки. В СЭМ две пары катушек для осей X и Y. Они располагаются внутри колонны и сдвигают пучок электронов вдоль образца. Они являются электромагнитными и подключены к источнику питания скан генератору. Он присоединен к другим компонентам системы, таким как ЭЛТ и модуль увеличения. Детекторы электронов. Для регистрации электронов в режимах, в основном, используются 2 типа детекторов: полупроводниковый детектор и систему сцинтилляторфотоумножитель. Помимо традиционных и уже практически не используемых фотопластин и фотопленок, для регистрации изображений в ЭМ используют ТВ-камеры, ССД-камеры. ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА В современных ПЭМ давление внутри колонны ~10 7 торр ( Па), т.е. высокий вакуум. В ЭМ постоянно поддерживается высокий вакуум, за исключением периода обслуживания и ремонта. Форвакуумный насос используется для получения чернового вакуума. Необходимо предпринять меры, для того, чтобы механические вибрации, сопутствующие работе этого насоса не передавались на инструмент. Кроме того, трубопроводы, соединяющие насос с микроскопом, должны иметь эффективно работающие ловушки (конденсирующие или адсорбирующие) для паров масла, являющегося рабочей жидкостью в форнасосах. Выхлопные газы должны выводиться из рабочего помещения. Диффузионный насос. Рабочей средой является синтетические масла (полиэфирные) с низким давлением насыщенных паров. Для дальнейшего подавления проникновения паров в вакуумную систему используются ПЭМ используются охлаждаемые жидким азотом ловушки, разделяющие диффузионный насос и ПЭМ. Диффузионные насосы надежны, не вызывают вибрации, дешевы и способны обеспечивать вакуум в диапазоне 8

9 от ~ Па. Дать определения принципов работы отклоняющих катушек, детекторов электронов, форвакуумного и диффузионного насосов. Лекция 4. Взаимодействие электронного пучка с образцом. Взаимодействия можно в основном разделить на два класса: 1) упругие процессы, которые воздействуют на траектории электронов пучка внутри образца без существенного изменения их энергии; 2) неупругие процессы, при которых происходит передача энергии твердому телу, приводящая к образованию вторичных электронов, оже-электронов, характеристического и непрерывного рентгеновского излучений, длинноволнового электромагнитного излучения в видимой, ультрафиолетовой и инфракрасной областях спектра, электронно-дырочных пар, колебаний решетки (фононы) и электронных колебаний (плазмоны). В принципе, все эти взаимодействия могут быть использованы для получения информации о природе объекта формы, состава, кристаллической структуры, электронной структуры, внутренних электрическом или магнитном полях и т. д. Для, того чтобы получить эту информацию из измеряемых сигналов и по зарегистрированным изображениям в ЭМ, исследователю в процессе работы необходимы надежные качественные, а где это возможно, количественные знания о взаимодействиях электронов с образцом. Рассеяние Электронно-оптическая колонна, находящаяся перед образцом, служит для формирования электронного пучка и управления его параметрами: диаметром, током и расходимостью. Типичные пучки состоят из электронов, траектории которых почти параллельны, с расходимостью порядка 10-2 рад (0,5 ) или менее, и которые фокусируются в малый кружок диаметром обычно от 5 нм до 1 мкм. Так как изображение в РЭМ строится по информации, получаемой из точек матрицы положений пучка на образце, по которому он сканирует, то, очевидно, для получения изображений с высоким пространственным разрешением первым требованием является малый диаметр пучка. В идеальном случае диаметр области считывания информации пучком на образце должен равняться диаметру пучка. В действительности, однако, это не реализуется из-за явления рассеяния электронов. В общем случае рассеяние просто означает взаимодействие между электроном пучка и атомами и электронами образца, которое проявляется в изменении траектории и(или) энергии электрона. При обсуждении рассеяния ключевым понятием является сечение или вероятность события. В общем случае сечение, которое обозначается как Q или σ, определяется следующим образом: Q = N/n м n п см 2, (1) где N число соударений в единице объема (см -3 ), п м число атомов, содержащихся в единице объема мишени (см -3 ), а п п число частиц, падающих на единицу площади (см -2 ). Таким образом, сечение имеет размерность число соударений/число падающих частиц/(число частиц мишени/см 2 ) или см 2 и может рассматриваться как эффективный размер 9

10 атома для данного взаимодействия. Из сечения для данного процесса можно рассчитать среднюю длину свободного пробега, или среднее расстояние, которое проходит электрон между определенными соударениями. Средняя длина свободного пробега λ равна λ = A/N а ρq см, (2) где А атомный вес (г/моль), N а число Авогадро, ρ плотность (г/см 3 ) и Q сечение. Упругое рассеяние Рассеяние электронов делится на два типа: упругое и неупругое рассеяние. Если имеет место упругое рассеяние, то изменяется направление вектора скорости электрона v, а ее величина v остается фактически постоянной, так что кинетическая энергия E =1/2*m e v 2, где т е масса электрона, не меняется. От электрона пучка передается образцу лишь энергия менее 1 эв, которая пренебрежимо мала по сравнению с его первоначальной энергией, которая обычно составляет порядка 100 кэв. Упругое рассеяние происходит в результате столкновений электронов высокой энергии с ядрами атомов, частично экранированных связанными электронами. Сечение упругого рассеяния описывается с помощью модели Резерфорда : 2 20 Z 0 Q( 0 ) ctg (3) 2 E 2 где Q (>φ 0 ) вероятность рассеяния на угол, превосходящий φ 0, Z атомный номер рассеивающего атома и Е энергия электрона (кэв). При приближении φ 0 к нулю сечение рассеяния возрастает до бесконечности. Исследование уравнения показывает сильную зависимость от атомного номера и энергии пучка. Неупругое рассеяние Второй основной тип рассеяния это неупругое рассеяние. При неупругом рассеянии энергия передается атомам и электронам мишени и кинетическая энергия электрона пучка уменьшается. Имеется множество возможных процессов неупругого рассеяния. Мы рассмотрим лишь основные процессы, представляющие интерес в растровой электронной микроскопии и рентгеновском микроанализе (дать развернутые определения): а) Возбуждение плазмонов. б) Возбуждение электронов проводимости, приводящее к эмиссии медленных вторичных электронов. в) Ионизация внутренних оболочек. г) Тормозное или непрерывное рентгеновское излучение. д) Возбуждение фотонов. Лекция 5. Просвечивающий электронный микроскоп (TEM) (ПЭМ). ПЭМ во многом подобен световому микроскопу, но только для освещения образцов в нем используется не свет, а пучок электронов. В нем имеются электронная пушка, ряд конденсорных линз, объективная линза и проекционная система, которая соответствует окуляру, но проецирует 10

11 действительное изображение на люминесцентный экран или матрицу фотокамеры. Источником электронов обычно служит нагреваемый катод из вольфрама или гексаборида лантана. Катод электрически изолирован от остальной части прибора, и электроны ускоряются сильным электрическим полем. Для создания такого поля катод поддерживают под потенциалом порядка кв относительно других электродов, фокусирующих электроны в узкий пучок. Рис.1. Схема ПЭМ. Схема ПЭМ представлена на рис. 1. Ряд конденсорных линз фокусирует электронный пучок на образце. Обычно первая из них создает неувеличенное изображение источника электронов, а последняя контролирует размер освещаемого участка на образце. Диафрагмой последней конденсорной линзы определяется ширина пучка в плоскости объекта. Образец помещается в магнитном поле объективной линзы с большой оптической силой - самой важной линзы ПЭМ, которой определяется предельное возможное разрешение прибора. Аберрации объективной линзы ограничиваются ее диафрагмой так же, как это происходит в фотоаппарате или световом микроскопе. Объективная линза дает увеличенное изображение объекта (обычно с увеличением порядка 100); дополнительное увеличение, вносимое промежуточными и проекционной линзами, лежит в пределах величин от несколько меньшей 10 до несколько большей Таким образом, увеличение, которое можно получить в современных ПЭМ, составляет от менее 1000 до Исследуемый объект обычно помещают на очень мелкую сетку, вкладываемую в специальный держатель. Держатель можно механическим или электрическим способом плавно перемещать вверх-вниз и вправовлево. Изображение. Контраст в ПЭМ обусловлен рассеянием электронов при прохождении электронного пучка через образец. Если образец 11

12 достаточно тонок, то доля рассеянных электронов невелика. При прохождении электронов через образец одни из них рассеиваются из-за столкновений с ядрами атомов образца, другие - из-за столкновений с электронами атомов, а третьи проходят, не претерпевая рассеяния. Степень рассеяния в какой-либо области образца зависит от толщины образца в этой области, его плотности и средней атомной массы (числа протонов) в данной точке. Электроны, выходящие из диафрагмы с угловым отклонением, превышающим некоторый предел, уже не могут вернуться в пучок, несущий изображение, а поэтому сильно рассеивающие участки повышенной плотности, увеличенной толщины, места расположения тяжелых атомов выглядят на изображении как темные зоны на светлом фоне. Такое изображение называется светлопольным, поскольку на нем окружающее поле светлее объекта. Но можно сделать так, чтобы электрическая отклоняющая система пропускала в диафрагму объектива только те или иные из рассеянных электронов. Тогда образец выглядит светлым на темном поле. Слабо рассеивающий объект часто бывает удобнее рассматривать в режиме темного поля. Такое изображение называется темнопольным. Разрешение. Электронные пучки имеют свойства, аналогичные свойствам световых пучков. В частности, каждый электрон характеризуется определенной длиной волны. Разрешающая способность ЭМ определяется эффективной длиной волны электронов. Длина волны зависит от скорости электронов, а следовательно, от ускоряющего напряжения; чем больше ускоряющее напряжение, тем больше скорость электронов и тем меньше длина волны, а значит, выше разрешение. Столь значительное преимущество ЭМ в разрешающей способности объясняется тем, что длина волны электронов намного меньше длины волны света. Но поскольку электронные линзы не так хорошо фокусируют, как оптические (числовая апертура хорошей электронной линзы составляет всего лишь 0,09, тогда как для хорошего оптического объектива эта величина достигает 0,95), разрешение ЭМ равно длинам волн электронов. Даже со столь слабыми линзами в электронном микроскопе можно получить предел разрешения ок. 0,17 нм, что позволяет различать отдельные атомы в кристаллах. Для достижения разрешения такого порядка необходима очень тщательная настройка прибора; в частности, требуются высокостабильные источники питания, а сам прибор (который может быть высотой ок. 2,5 м и иметь массу в несколько тонн) и его дополнительное оборудование требуют монтажа, исключающего вибрацию. Лекция 6. Сканирующая зондовая микроскопия. Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) - один из мощных современных методов исследования морфологии и локальных свойств поверхности твердого тела с высоким пространственным разрешением. В настоящее время практически ни одно исследование в области физики поверхности и тонкопленочных технологий не обходится без применения методов СЗМ. Развитие сканирующей зондовой микроскопии послужило 12

13 также основой для развития новых методов в нанотехнологии технологии создания структур с нанометровыми масштабами. Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) первый из семейства зондовых микроскопов - был изобретен в 1981 году швейцарскими учеными Гердом Биннигом и Генрихом Рорером. В 1986 году за создание туннельного микроскопа им была присуждена Нобелевская премия по физике. Вслед за туннельным микроскопом в течение короткого времени были созданы атомно-силовой микроскоп (АСМ), магнитно-силовой микроскоп (МСМ), электросиловой микроскоп (ЭСМ), ближнепольный оптический микроскоп (БОМ) и многие другие приборы, имеющие сходные принципы работы, и называемые сканирующими зондовыми микроскопами. В настоящее время зондовая микроскопия это бурно развивающаяся область техники и прикладных научных исследований. В сканирующих зондовых микроскопах исследование микрорельефа поверхности и ее локальных свойств проводится с помощью специальным образом приготовленных зондов в виде игл. Рабочая часть таких зондов (острие) имеет размеры порядка десяти нанометров. Характерное расстояние между зондом и поверхностью образцов в зондовых микроскопах по порядку величин составляет 0,1 10 нм. Рассмотрим общие черты, присущие различным зондовым микроскопам. Пусть взаимодействие зонда с поверхностью характеризуется некоторым параметром Р. Если существует достаточно резкая и взаимно однозначная зависимость параметра Р от расстояния зонд образец Р = Р(z), то данный параметр может быть использован для организации системы обратной связи (ОС), контролирующей расстояние между зондом и образцом. На рис. 1 схематично показан общий принцип организации обратной связи сканирующего зондового микроскопа. Рис.1. Схема организации системы обратной связи зондового микроскопа. Система обратной связи поддерживает значение параметра Р постоянным, равным величине Ро, задаваемой оператором. Если расстояние зонд поверхность изменяется (например, увеличивается), то происходит изменение (увеличение) параметра Р. В системе ОС формируется разностный сигнал, пропорциональный величине ΔP = P - Po, который 13

14 усиливается до нужной величины и подается на исполнительный элемент ИЭ. Исполнительный элемент отрабатывает данный разностный сигнал, приближая зонд к поверхности или отодвигая его до тех пор, пока разностный сигнал не станет равным нулю. Таким образом можно поддерживать расстояние зонд-образец с высокой точностью. В существующих зондовых микроскопах точность удержания расстояния зонд-поверхность достигает величины ~ 0.01 Å. При перемещении зонда вдоль поверхности образца происходит изменение параметра взаимодействия Р, обусловленное рельефом поверхности. Система ОС отрабатывает эти изменения, так что при перемещении зонда в плоскости X,Y сигнал на исполнительном элементе оказывается пропорциональным рельефу поверхности. Для получения СЗМ изображения осуществляют специальным образом организованный процесс сканирования образца. При сканировании зонд вначале движется над образцом вдоль определенной линии (строчная развертка), при этом величина сигнала на исполнительном элементе, пропорциональная рельефу поверхности, записывается в память компьютера. Затем зонд возвращается в исходную точку и переходит на следующую строку сканирования (кадровая развертка), и процесс повторяется вновь. Записанный таким образом при сканировании сигнал обратной связи обрабатывается компьютером, и затем СЗМ изображение рельефа поверхности Z = f(x,y) строится с помощью средств компьютерной графики. Наряду с исследованием рельефа поверхности, зондовые микроскопы позволяют изучать различные свойства поверхности: механические, электрические, магнитные, оптические и многие другие. Дать определения терминам: пьезокерамика, прямой, обратный пьезоэффект, биморфный элемент, крип пьезокерамики, гистерезис пьезокерамики. Лекция 7. Защита зондовых микроскопов от внешних воздействий. Формирование изображений. Защита от вибраций Любая конструкция сканирующего зондового микроскопа представляет собой колебательную систему, имеющую целый набор собственных резонансных частот kω. Внешние механические воздействия на частотах, совпадающих с kω, вызывают явления резонанса в конструкции измерительных головок, что приводит к колебаниям зонда относительно образца и воспринимается как паразитный периодический шум, искажающий и размывающий СЗМ изображения поверхности образцов. С целью уменьшения влияния внешних вибраций измерительные головки изготавливают из массивных металлических деталей, имеющих высокие (более 100 кгц) частоты Наименьшими резонансными частотами обладают сканирующие элементы зондовых микроскопов. В конструкциях современных микроскопов приходится идти на компромисс между величиной максимального поля обзора сканирующего элемента и его резонансной частотой. Типичными 14

15 для сканеров являются резонансные частоты в диапазоне кгц. Для защиты приборов от внешних вибраций применяются различные типы виброизолирующих систем. Условно виброизолирующие системы можно разделить на пассивные и активные. Основная идея, заложенная в пассивные виброизолирующие системы, заключается в следующем. Амплитуда вынужденных колебаний механической системы быстро спадает при увеличении разницы между частотой возбуждающей силы и собственной резонансной частотой системы. Для обеспечения эффективной защиты необходимо, чтобы резонансная частота виброизолирующей системы была как можно меньше. Для защиты головок СЗМ успешно применяются также активные системы подавления внешних вибраций. Такие устройства представляют собой электромеханические системы с отрицательной обратной связью, которая обеспечивает стабильное положение виброизолирующей платформы в пространстве. Принцип работы активных систем можно рассмотреть на следующем простом примере. На платформе располагается датчик вибраций (акселерометр) устройство, реагирующее на ускорение, испытываемое платформой. Сигнал с датчика поступает в систему обратной связи (СОС), где он усиливается и в противофазе подается на пьезоэлектрические опоры, которые, смещаясь в противоположную сторону, гасят ускорение, испытываемое платформой. Это так называемое пропорциональное регулирование. На практике применяются многоступенчатые конструкции виброизолирующих систем различного типа, позволяющие существенно повысить степень защиты приборов от внешних вибраций. Формирование и обработка СЗМ изображений Процесс сканирования поверхности в сканирующем зондовом микроскопе имеет сходство с движением электронного луча по экрану в ЭЛТ телевизора. Зонд движется вдоль линии (строки) сначала в прямом, а потом в обратном направлении (строчная развертка), затем переходит на следующую строку (кадровая развертка). Движение зонда осуществляется с помощью сканера небольшими шагами под действием пилообразных напряжений, формируемых цифро-аналоговыми преобразователями. Регистрация информации о рельефе поверхности производится, как правило, на прямом проходе. 15

16 Рис.1. Схематическое изображение процесса сканирования. Направление прямого хода сканера обозначено стрелками красного цвета, обратный ход сканера обозначен стрелками синего цвета. Регистрация информации производится в точках на прямом проходе. Информация, полученная с помощью сканирующего зондового микроскопа, хранится в виде СЗМ кадра - двумерного массива целых чисел. Физический смысл данных чисел определяется той величиной, которая оцифровывалась в процессе сканирования. Каждому значению пары индексов ij соответствует определенная точка поверхности в пределах поля сканирования. Координаты точек поверхности вычисляются с помощью простого умножения соответствующего индекса на величину расстояния между точками, в которых производилась запись информации: xi xi 0, y j y0 j. Здесь x0 и y0 расстояния между соседними точками вдоль оси X и Y, в которых производилась запись информации. Как правило, СЗМ кадры представляют собой квадратные матрицы, имеющие размер 2n (в основном и элементов). Лекция 8. Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ). В сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) используется принцип квантового туннелирования электронов между металлическим остриём и близко расположенным по отношению к нему проводящим образцом. Данный принцип был предложен Иваром Гиэвером. Он обнаружил, что если приложить разность потенциалов к двум металлам, разделенным тонкой изолирующей пленкой, будет течь ток в связи со способностью электронов проходить потенциальный барьер. Чтобы измерить туннельный ток, два металла должны быть на расстоянии не более 10 нм друг от друга. Бинниг и др. предложили вакуумное туннелирование в сочетании с горизонтальным сканированием. Вакуум обеспечивает идеальный барьер для туннелирования. Горизонтальное 16

17 сканирование позволяет получать изображение поверхности с высоким разрешением, в горизонтальной плоскости менее 1 нм и в вертикальной менее 0.1 нм, такого разрешения достаточно для определения локализации отдельных атомов. Очень высокое разрешение по вертикали в СТМ получается потому, что туннельный ток I T зависит экспоненциально от расстояния ΔZ между двумя электродами: зондом и сканируемой поверхностью: It exp( 2 k z), (1) где k константа затухания: * 4 2m K, (2) h где m масса электрона, φ* - средняя работа выхода электрона из материала зонда, h постоянная Планка. Обычно для оценок в качественных рассуждениях пользуются упрощённой формулой для туннельного тока: 4 * IT I0( V) exp( 2 m Z), (3) h где I 0 (V) считается не зависящим от изменения расстояния зондобразец. Экспоненциальная зависимость силы тока от ΔZ объясняется в квантовой механике. Согласно законам классической механики, предмет попадающий в непроницаемый барьер не сможет пройти сквозь него. Однако объекты с очень малой массой, такие, как электрон, обладают волновыми свойствами, которые не исключают такое явление как туннелирование. Электроны ведут себя как пучки энергии, и в присутствии потенциального барьера U(Z) (1-мерный случай), энергетические уровни ψ n (Z) электронов можно получить, решая уравнение Шредингера: 2 2 h n( Z) U( Z) ( ) ( ). 2 2 n Z E n Z (4) 8 m Z Если электрон с энергией Е попадает на потенциальный барьер высотой U(Z), волновая функция электрона будет иметь следующий вид: n( Z) n(0) exp( ikz ) (5) Обычно, туннельный ток уменьшается в 2 раза, если расстояние между электродами увеличивается на 0,2 нм. Высокое горизонтальное разрешение зависит от остроты зонда. Принцип работы СТМ прост. Острый кончик зонда (одного из электродов туннельного перехода) подводят достаточно близко (0.3-1 нм) к исследуемой поверхности (второй электрод туннельного перехода), при подходящем рабочем напряжении (10 мв-1в), туннельный ток варьируется от 0.2 до 10 на и его возможно измерить. Зонд сканирует поверхность, на расстоянии нм от неё, в то время как туннельный ток между зондом и поверхностью постоянно измеряется. Существенным недостатком всех методов СТМ является ограничение по материалам, пригодным для исследования: они должны быть электропроводящими, т.к. между зондом и образцом должен протекать ток. Реально туннельная микроскопия может быть применена для 17

18 исследования металлов, сплавов и полупроводников. Данное ограничение можно обойти, пользуясь атомно-силовой микроскопией. Режимы работы сканирующего туннельного микроскопа Туннельный микроскоп может работать либо в режиме постоянного тока или в режиме постоянной высоты. Дать определения. Лекция 9. Атомно-силовая микроскопия Основные принципы Атомно-силовой микроскоп (АСМ) был изобретён в 1986 году Гердом Биннигом, Кэлвином Куэйтом и Кристофером Гербером. АСМ появились как развитие СТМ-технологии, однако заложенные в них совершенно иные принципы позволяют исследовать поверхности любых материалов проводящих, полупроводников, а также изоляторов. АСМ зондируют поверхность образца острой иглой длиной 1 2 мкм и диаметром обычно не более 10 нм. Игла устанавливается на свободном конце макроскопической гибкой консоли (кантилевера). Основной принцип работы АСМ заключается в воздействии сил со стороны поверхности образца на острие сканирующей иглы. Под действием этих сил кантилевер может быть изогнут на достаточно большую величину, чтобы быть измеренной с помощью обычных средств. В дальнейшем для регистрации изгиба кантилевера было использовано много методов, но в настоящее время наиболее удобным и широко используемым является метод, предложенный Амером и Мейером. В соответствии с предложенным методом атомно-силовой микроскоп включает иглу, установленную на микромеханический кантилевер. В процессе сканирования исследуемой поверхности межатомные силы взаимодействия кончика иглы и поверхности образца вызывают смещение иглы и, соответственно, изгиб кантилевера. Виды атомно-силовой микроскопии: Контактная методика. В контактных квазистатических методиках остриё зонда находится в непосредственном соприкосновении с поверхностью, при этом силы притяжения и отталкивания, действующие со стороны образца, уравновешиваются силой упругости консоли. При работе АСМ в таких режимах используются кантилеверы с относительно малыми коэффициентами жесткости, что позволяет обеспечить высокую чувствительность и избежать нежелательного чрезмерного воздействия зонда на образец. Недостаток контактных АСМ методик - непосредственное механическое взаимодействие зонда с поверхностью. Это часто приводит к поломке зондов и разрушению поверхности образцов в процессе сканирования. Кроме того, контактные методики практически не пригодны для 18

19 исследования образцов, обладающих малой механической жесткостью, таких как структуры на основе органических материалов и биологические объекты. Бесконтактная колебательная методика АСМ Бесконтактная колебательная методика (БК) АСМ обладает уникальными возможностями по сравнению с другими методами зондовой микроскопии. Отсутствие сил отталкивания (присутствующих контактной АСМ) в БК АСМ позволяет использовать ее в исследованиях «мягких образцов». БК АСМ использует принцип определения «модуляции амплитуды». Соответствующая измерительная схема использует изменения амплитуды колебаний кантилевера A, обусловленные взаимодействием зонда с образцом. Метод БК АСМ обладает тем преимуществом, что зонд не контактирует с образцом и поэтому не разрушает его и не искажает его изображения. В частности, это может быть важным при исследовании биологических образцов. Полуконтактный" режим колебаний кантилевера АСМ Регистрация изменения амплитуды и фазы колебаний кантилевера в бесконтактном режиме требует высокой чувствительности и устойчивости работы обратной связи. На практике чаще используется так называемый "полуконтактный" режим колебаний кантилевера (иногда его называют прерывисто-контактный). При работе в этом режиме возбуждаются вынужденные колебания кантилевера вблизи резонанса амплитудой порядка нм. Кантилевер подводится к поверхности так, чтобы в нижнем полупериоде колебаний происходило касание поверхности образца. При сканировании образца регистрируется изменение амплитуды и фазы колебаний кантилевера. Взаимодействие кантилевера с поверхностью в "полуконтактном" режиме состоит из ван-дер-ваальсового взаимодействия, к которому в момент касания добавляется упругая сила, действующая на кантилевер со стороны поверхности. Формирование АСМ изображения поверхности в режиме колебаний кантилевера происходит следующим образом. С помощью пьезовибратора возбуждаются колебания кантилевера на частоте ω (близкой к резонансной частоте кантилевера) с амплитудой А ω. При сканировании система обратной связи АСМ поддерживает постоянной амплитуду колебаний кантилевера на уровне A 0, задаваемом оператором (A 0 < А ω ). Одновременно при сканировании образца в каждой точке регистрируется изменение фазы колебаний кантилевера, которое записывается в виде распределения фазового контраста. 19

20 Лекция 10. Электронные спектры поглощения, возбуждения и испускания. Общая схема спектрофлуориметра. Спектр поглощения зависимость интенсивности поглощённого веществом излучения (как электромагнитного, так и акустического) от частоты. Спектр испускания представляет собой зависимость интенсивности испускания от длины волны при фиксированной длине волны возбуждающего света. Спектр возбуждения - это зависимость интенсивности испускания при определенной длине волны от длины волны возбуждения. Спектры изображаются либо в шкале длин волн, либо в шкале волновых чисел. Свет определенной энергии можно описать длиной волны, частотой или волновым числом. Длину полны обычно измеряют в нанометрах, а волновые числа - в обратных сантиметрах. Устройство спекрофлуориметра (люминесцентного спектрометра). В качестве источника возбуждающего света в приборе используется ксеноновая лампа. Такие лампы удобны благодаря высокой интенсивности излучения при всех длинах волн от 250 нм и выше. Прибор снабжен монохроматорами для выделения как возбуждающего, так и испускаемого света. Применение двух решеток в монохроматоре возбуждения повышает монохроматичность возбуждающего света. Дополнительным преимуществом является то, что вогнутые дифракционные решетки, изготовленные голографическим способом, уменьшают рассеянный свет. Оба монохроматора снабжены моторами, что обеспечивает автоматическое сканирование по длинам волн. Флуоресценция попадает на фотоумножители и затем количественно измеряется с помощью соответствующих электронных устройств. Выходной сигнал обычно представляется графически и может быть занесен в память компьютера. Для зашиты от возбуждающего света или для перекрывания канала, по которому идет свет люминесценции, использованы затворы. Па пути потока возбуждающего света помешают систему расщепления светового пучка. Она отражает часть возбуждающего света на эталонный образец, который, как правило, представляет собой устойчивый эталонный флуорофор. Система расщепления состоит из тонкого куска прозрачного кварца, который отражает ~ 4 % падающего света. Этого количества обычно достаточно для эталонного канала, в котором монохроматор не используется. Измеренная интенсивность флуоресценции эталонного образца пропорциональна интенсивности возбуждающего света. Поделив интенсивность люминесценции образца на соответствующую величину для эталона, можно учесть колебания интенсивности излучения дугового источника. Па пути возбуждающего и испускаемого световых потоков ставят поляризаторы. Чаще всего поляризаторы отодвинуты; их вводят только для измерений анизотропии флуоресценции или когда необходимо выделить определенным образом поляризованную компоненту испускаемого и/ или возбуждающего света, Для точного измерения анизотропии флуоресценции требуется расположение поляризаторов под определенным углом, поэтому оправы поляризаторов должны быть хорошо закреплены и 20

21 тщательно проградуированы. Лекция 11. Свойства спектров флуоресценции: правило Стокса, закон Вавилова, правило зеркальной симметрии В.Л. Левшина. Влияние условий освещения образца. Экспериментальным путем Стокс установил, что спектр флуоресценции в целом сдвинут в сторону длинных волн по сравнению со спектром поглощения. Это происходит из-за диссипации энергии в тепло в возбужденном состоянии молекулы. Спектральная область флуоресценции, расположенная в области длин волн, меньших, чем длинноволновый край полосы поглощения, называется антистоксовой областью. В последние годы с помощью пикосекундной хроноскопии прямо показано, что спектр флуоресценции с течением времени после прекращения возбуждения коротким лазерным импульсом постепенно сдвигается в красную область спектра. С.И. Вавилов экспериментально установил для растворов красителей следующее положение, впоследствии названное законом Вавилова: в пределах полосы поглощения квантовый выход флуоресценции красителя не зависит от длины волны возбуждающего света и является постоянной величиной. Это происходит потому, что за время жизни возбужденного состояния молекула красителя разменивает неравновесную, избыточную тепловую энергию до нижнего возбужденного вибронного уровня первого синглетного возбужденного электронного состояния. Постоянство квантового выхода флуоресценции может служить критерием чистоты флуоресцирующего вещества, а также показывает отсутствие химических реакций, которые могут возникнуть под действием возбуждающего света. Для растворов сложных молекул красителей В.Л. Левшиным было установлено правило зеркальной симметрии спектров. Оно состоит в том, что нормированные спектры поглощения и люминесценции, построенные в виде зависимости от частоты или волнового числа, симметричны относительно прямой, проходящей через точку пересечения спектров и перпендикулярной оси абсцисс. Это правило отражает примерно одинаковую колебательную структуру основного и возбужденного состояний молекулы. Наблюдаемая интенсивность флуоресценции и спектральное распределение могут зависеть от оптической плотности образца и от того, как освещается образец. Наиболее удобно при измерениях флуоресценции наблюдение под прямым углом к середине центрально освещенной кюветы. Другие варианты геометрического расположения включают фронтальное освещение и нецентральное освещение. Нецентральное освещение уменьшает длину пути, чего также можно достичь, используя кюветы длиной менее 1 см. Эти способы обычно используют для уменьшения эффектов внутреннего фильтра, обусловленных большими оптическими плотностями или мутностью образца. 21

22 Лекция 12. Аппаратура абсорбционной спектроскопии Оптическая область электромагнитного спектра, в которой наблюдаются электронные переходы, охватывает интервал длин волн от ~ 120 нм, т. е. от жесткого УФ излучения, до ~ 1200 нм, т. е. теплового излучения ближней ИК области; это соответствует волновым числам от см -1 до 8000 см -1. Основные узлы спектрофотометра представлены на блок-схеме (рис. 1). Рис. 1. Блок-схема УФ спектрофотометра: 1- блок сменных источников излучения с осветительным устройством; 2 - монохроматор с входной и выходной щелями и диспергирующим устройством (кварцевая призма или дифракционная решетка); 3 - кюветное отделение (кювета с образом, кювета сравнения); 4 - сменные приемники; 5 - усилитель; 6 - регистрирующее устройство или блок связи с ПК. Источники излучения. Для УФ области спектра в качестве источника излучения используется водородная лампа с дуговым разрядом или в 3 5 раз более мощная дейтериевая лампа, дающая сплошной спектр излучения в области нм при мощности Вт Монохроматоры. Монохроматор или двойной монохроматор имеет входную и выходную щели и призмы или дифракционные решетки, плоские или вогнутые, в качестве диспергирующих элементов. Для уменьшения паразитного (рассеянного) излучения могут использоваться различные фильтры, этому же способствует двойная монохроматизация. Кюветы. Нормальные жидкостные кюветы имеют объем 2 мл и толщину слоя 10 мм. Обычно они прямоугольной формы, хотя бывают и цилиндрические, изготавливаются из стекла или кварца, а иногда из прозрачного в области до 300 нм органического стекла. Кювета закрывается притертой крышкой или притертой пробкой. Используются также полумикро- и микрокюветы: к первым относятся кюветы с объемом раствора от 0,5 мл и выше (до нормального, см. выше) и толщиной слоя около 4 мм, а ко вторым с объемом меньше 0,2 мл и толщиной слоя меньше 2 мм. При работе с газами или очень разбавленными растворами на некоторых спектрофотометрах предусмотрено использование кювет с толщиной слоя 100 мм. Приемники. В качестве приемников в УФ и видимой областях используют вакуумные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители (ФЭУ), а также твердотельные фотоэлементы и фотопластинки. Спектральная чувствительность фотокатода вакуумных элементов определяется его покрытием, в качестве которого используется тонкий слой щелочного металла, чаще всего цезия. Для УФ области ( нм) 22

23 приемником служит фотоэлемент с сурьмяно-цезиевым фотокатодом, иногда с включением серебра или его оксида, в видимой и близкой ПК областях (до 1200 нм) применяют элементы с кислородно-цезиевым катодом. ПОДГОТОВКА ОБРАЗЦОВ При исследовании газов и жидкостей требуется лишь выбрать соответствующую кювету с нужной толщиной слоя, а для газа также подобрать необходимое давление. Приготовление растворов. Растворитель для приготовления растворов выбирается с учетом свойств как растворяемого вещества, так и самого растворителя. Хорошо известно, что полярные вещества легче растворяются в полярных растворителях, а неполярные в неполярных. Для подавляющего большинства низкомолекулярных соединений практически всегда можно найти подходящий растворитель, тогда как высокомолекулярные соединения в любом растворителе растворяются с большим трудом и не образуют истинных растворов. При выборе растворителя необходимо учитывать также возможность взаимодействия его с растворяемым веществом, область прозрачности и вызываемые неспецифическими межмолекулярными взаимодействиями смещения максимумов полос поглощения. Твердые образцы. Абсорбционные спектры монокристаллов, стекол, полимерных образцов, если они имеют плоскопараллельные грани, измеряют просто, помещая образец в пучок излучения, если необходимо, то с диафрагмированием. Если образец имеет неправильную форму, то его можно погрузить в иммерсионную жидкость с близким показателем преломления, которая не поглощает в исследуемой области спектра. Используют также технику прессования таблеток из смеси исследуемого вещества с галогенидами щелочных металлов или технику приготовления взвесей, как для ИК спектроскопии. Спектроскопия с дифференцированием. Для увеличения «контрастности» спектров, т. е. лучшего выявления всех характерных особенностей спектральных кривых, может проводиться их преобразование дифференцированием. Тогда спектр представляет собой не функцию оптической плотности от длины волны: A = f(λ), а кривую зависимости от λ первой или второй и т. д. производной оптической плотности по длине волны: da/dλ =f'(λ), d 2 A/dλ 2 =f"(λ). Для первой и вообще нечетных производных вместо обычной полосы поглощения получаются кривые вида дисперсионной функции. Эти производные позволяют легче выявить и определить положение точек перегиба и замаскированных пиков (в максимумах поглощения da/dλ =0). Лекция 13. Электронная Оже-спектроскопия (ЭОС). Электронная Оже-спектроскопия (ЭОС) основана на регистрации Ожеэлектронов и Оже-эффекта, названных так в честь первооткрывателя Пьера Оже 23

Основы сканирующей зондовой микроскопии

Основы сканирующей зондовой микроскопии Московский физико-технический институт (государственный университет) Основы сканирующей зондовой микроскопии Выполнила студентка 855 группы Кузнецова Елена Алефтиновна г. Долгопрудный 2011 Содержание:

Подробнее

«Фундаментальные основы нанотехнологий»

«Фундаментальные основы нанотехнологий» Московский Государственный Университет имени М. В. Ломоносова Научно-Образовательный Центр по нанотехнологиям Межфакультетский курс лекций «Фундаментальные основы нанотехнологий» Лекция 3. Методы исследования

Подробнее

Виды электронной эмиссии

Виды электронной эмиссии Виды электронной эмиссии Физические процессы, протекающие в вакуумных электронных приборах и устройствах: эмиссия электронов из накаливаемых, холодных и плазменных катодов; формирование (фокусировка) и

Подробнее

9. РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ, МАСС- СПЕКТРОМЕТРИЯ, РАССЕЯНИЕ СВЕТА

9. РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ, МАСС- СПЕКТРОМЕТРИЯ, РАССЕЯНИЕ СВЕТА 9. РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ, МАСС- СПЕКТРОМЕТРИЯ, РАССЕЯНИЕ СВЕТА Самый прямой способ определения размеров наночастиц это исследование на просвечивающем электронном микроскопе. Другой способ определения

Подробнее

Исследование свойств поверхности методами СЗМ

Исследование свойств поверхности методами СЗМ Исследование свойств поверхности методами СЗМ Исследование топографии в широком диапазоне разрешений это только небольшая часть того потенциала, который дает сканирующая зондовая микроскопия. В рамках

Подробнее

наименьшей постоянной решетки

наименьшей постоянной решетки Оптика и квантовая физика 59) Имеются 4 решетки с различными постоянными d, освещаемые одним и тем же монохроматическим излучением различной интенсивности. Какой рисунок иллюстрирует положение главных

Подробнее

ФОТОЭФФЕКТ. ЭФФЕКТ КОМПТОНА. ВОЛНОВЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ. 1. Определить энергию ε, импульс р и массу m фотона, длина волны которого λ = 500 нм.

ФОТОЭФФЕКТ. ЭФФЕКТ КОМПТОНА. ВОЛНОВЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ. 1. Определить энергию ε, импульс р и массу m фотона, длина волны которого λ = 500 нм. ФОТОЭФФЕКТ. ЭФФЕКТ КОМПТОНА. ВОЛНОВЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ 1. Определить энергию ε, импульс р и массу m фотона, длина волны которого λ = 500 нм. 2. Какую длину волны λ должен иметь фотон, чтобы его масса была

Подробнее

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА 5 ВАРИАНТ 1.

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА 5 ВАРИАНТ 1. КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА 5 ВАРИАНТ 1. 1. Во сколько раз увеличится расстояние между соседними интерференционными полосами на экране в опыте Юнга, если зеленый светофильтр (λ 1 = 500 нм) заменить красным (λ 2

Подробнее

Внешний фотоэффект Фотоны Эффект Комптона Рентгеновское излучение Давление света

Внешний фотоэффект Фотоны Эффект Комптона Рентгеновское излучение Давление света Сегодня: воскресенье, 8 декабря 2013 г. Лекция 16 Квантовая природа излучения Содержание лекции: Внешний фотоэффект Фотоны Эффект Комптона Рентгеновское излучение Давление света 1. Внешний фотоэффект Внешний

Подробнее

Вариант 2 1. Найти напряженность E электрического поля в точке, лежащей посередине между точечными зарядами q 1 = 8нКл и q 2 = 6нКл. Расстояние между

Вариант 2 1. Найти напряженность E электрического поля в точке, лежащей посередине между точечными зарядами q 1 = 8нКл и q 2 = 6нКл. Расстояние между Вариант 1 1. Расстояние между двумя точечными зарядами 10 нкл и 10 нкл равно 10 см. Определить силу, действующую на точечный заряд 10 нкл, удаленный на 6 см от первого и на 8 см от второго заряда. 2. Элемент

Подробнее

= 0 0 y 2. 2) Для света длиной волны см показатели преломления в кварце n =1, 0

= 0 0 y 2. 2) Для света длиной волны см показатели преломления в кварце n =1, 0 ) Под каким углом должен падать пучок света из воздуха на поверхность жидкости, чтобы при отражении от дна стеклянного сосуда (n =,5) наполненного водой (n 2 =,33) свет был полностью поляризован. 2) Какова

Подробнее

СПЕЦКУРС «ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ» Лекция 1

СПЕЦКУРС «ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ» Лекция 1 СПЕЦКУРС «ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ» ВВЕДЕНИЕ Лекция 1 Важнейшей способностью современной органической химии (и других областей химии) является использование физико-химических

Подробнее

Работа 5.2 Изучение фотоэффекта

Работа 5.2 Изучение фотоэффекта Работа 5. Изучение фотоэффекта Оборудование: фотоэлементы, блок питания, регулятор напряжения, источники света, монохроматор, вольтметр, гальванометр. Введение Среди различных явлений, в которых проявляется

Подробнее

ПРОГРАММА. учебного курса повышения квалификации УНЦ «Международная школа микроскопии»

ПРОГРАММА. учебного курса повышения квалификации УНЦ «Международная школа микроскопии» Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» Утверждаю 2011 г. ПРОГРАММА учебного

Подробнее

Оптика. Волновая оптика. Спектральные приборы. Дифракционная решетка

Оптика. Волновая оптика. Спектральные приборы. Дифракционная решетка Оптика Волновая оптика Спектральные приборы. Дифракционная решетка В состав видимого света входят монохроматические волны с различными значениями длин. В излучении нагретых тел (нить лампы накаливания)

Подробнее

Индивидуальное задание N 6. «Волновая оптика»

Индивидуальное задание N 6. «Волновая оптика» Индивидуальное задание N 6 «Волновая оптика» 1.1. Экран освещается двумя когерентными источниками света, находящимися на расстоянии 1 мм друг от друга. Расстояние от плоскости источников света до экрана

Подробнее

Цель работы: изучение спектра поглощения раствора органического красителя с помощью монохроматора.

Цель работы: изучение спектра поглощения раствора органического красителя с помощью монохроматора. 3 Цель работы: изучение спектра поглощения раствора органического красителя с помощью монохроматора. Задача: измерить коэффициент поглощения органического красителя родамина 6G для некоторых длин волн.

Подробнее

Государственный экзамен по физике Физический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова Специальность "Физика" (бакалавриат)

Государственный экзамен по физике Физический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова Специальность Физика (бакалавриат) Билет 1. 1. Материальное уравнение нелинейной среды. Нелинейная поляризация. Нелинейная восприимчивость. 2. Эффект Черенкова. Циклотронное и синхротронное излучение. 3. Определить доплеровское смещение

Подробнее

Работа 5.9 Изучение газового лазера

Работа 5.9 Изучение газового лазера Работа 5.9 Изучение газового лазера Оборудование: газовый лазер, набор по дифракции и интерференции, измерительная линейка, экран. Введение Явление взаимодействия света с веществом при нормальных термодинамических

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИССЛЕДОВАНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА. Введение

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИССЛЕДОВАНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА. Введение ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3.09. ИССЛЕДОВАНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА Введение Внешним фотоэлектрическим эффектом называется явление испускания (эмиссии) электронов поверхностью вещества под действием света, (поэтому

Подробнее

Работа А-08 ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ. Введение

Работа А-08 ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ. Введение Работа А-08 ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ ЦЕЛЬ РАБОТЫ: изучить спектры поглощения твердых тел и освоить технику измерения и обработки этих спектров на спектрофотометре. Введение В твердом теле

Подробнее

Все профессиональные рамановские приборы компании HORIBA Scientific (T64000, LabRAM HR, XploRA Plus/Inv) являются конфокальными микроспектрометрами.

Все профессиональные рамановские приборы компании HORIBA Scientific (T64000, LabRAM HR, XploRA Plus/Inv) являются конфокальными микроспектрометрами. Рамановская микроскопия, связанные с ней понятия и определения В настоящей статье мы рассмотрим совокупность терминов и понятий, возникающих при объединении в одном оптическом инструменте возможностей

Подробнее

Измерение показателя преломления стеклянной пластинки.

Измерение показателя преломления стеклянной пластинки. Министерство образования и науки российской федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тихоокеанский государственный университет»

Подробнее

ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ ПО ФИЗИКЕ ДЛЯ СТУДЕНТОВ II КУРСА IV СЕМЕСТРА ВСЕХ ФАКУЛЬТЕТОВ. для студентов II курса IV семестра всех факультетов

ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ ПО ФИЗИКЕ ДЛЯ СТУДЕНТОВ II КУРСА IV СЕМЕСТРА ВСЕХ ФАКУЛЬТЕТОВ. для студентов II курса IV семестра всех факультетов 1 ДОМАШНЕЕ ЗАДАНИЕ ПО ФИЗИКЕ ДЛЯ СТУДЕНТОВ II КУРСА IV СЕМЕСТРА ВСЕХ ФАКУЛЬТЕТОВ Варианты домашнего задания по физике для студентов II курса IV семестра всех факультетов Вариант Номера задач 1 1 13 5 37

Подробнее

Тема: Оптическая и электронная микроскопия

Тема: Оптическая и электронная микроскопия Тема: Оптическая и электронная микроскопия Авторы: А.А. Кягова, А.Я. Потапенко Способность глаза различать мелкие детали предмета зависит от размеров изображения предмета на сетчатке или от угла зрения

Подробнее

Лекция 8 Простейшие одномерные задачи квантовой механики: прямоугольный потенциальный барьер

Лекция 8 Простейшие одномерные задачи квантовой механики: прямоугольный потенциальный барьер Лекция 8 Простейшие одномерные задачи квантовой механики: прямоугольный потенциальный барьер Прохождение частицы через одномерный потенциальный барьер: постановка задачи. Определение коэффициентов отражения

Подробнее

ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ

ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ ФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ В ХИМИИ Лекции для студентов 3-го курса дневного отделения химического факультета ННГУ им. Н.И. Лобачевского Лекция 20. Сканирующая зондовая микроскопия Лектор: д.х.н., профессор

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение

ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Собственное поглощение 1 ИЗУЧЕНИЕ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Цель работы: ознакомление с явлением поглощения оптического излучения полупроводником, измерение спектров поглощения кристаллов CdS и GaAs при комнатной

Подробнее

3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники.

3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники. 3 3. Гармонический осциллятор, пружинный, физический и математический маятники. Физический маятник. Физическим маятником называется твёрдое тело, совершающее под действием силы тяжести колебания вокруг

Подробнее

РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННОГО СПЕКТРОМЕТРА

РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННОГО СПЕКТРОМЕТРА ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при ФТИ им. А.Ф. Иоффе РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНЫЙ МИКРОАНАЛИЗ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННОГО СПЕКТРОМЕТРА Оглавление: Принцип детектирования

Подробнее

Атомная физика (наименование дисциплины) Направление подготовки физика

Атомная физика (наименование дисциплины) Направление подготовки физика Аннотация рабочей программы дисциплины Атомная физика (наименование дисциплины) Направление подготовки 03.03.02 физика Профиль подготовки «Фундаментальная физика», «Физика атомного ядра и частиц» Квалификация

Подробнее

Лабораторная работа 3.3

Лабораторная работа 3.3 Лабораторная работа 3.3 ИЗУЧЕНИЕ ВНЕШНЕГО ФОТОЭФФЕКТА И.Л. Дорошевич Цели работы: 1. Изучить основные закономерности внешнего фотоэффекта. 2. Построить вольт-амперные характеристики фотоэлемента при различных

Подробнее

Контрольные работы по физике 29 группа 4 семестр Решаем один из предложенных вариантов в каждой контрольной работе.

Контрольные работы по физике 29 группа 4 семестр Решаем один из предложенных вариантов в каждой контрольной работе. Контрольные работы по физике 29 группа 4 семестр Решаем один из предложенных вариантов в каждой контрольной работе. Контрольная работа 11 Механические колебания. Упругие волны. Вариант 1 1. Материальная

Подробнее

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения

Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Работа 5.10 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения Оборудование: призменный монохроматор УМ-2, лампа накаливания, гальванометр, сернисто-кадмиевое фотосопротивление,

Подробнее

21. Расстояния от бипризмы Френеля до узкой щели и экрана равны соответственно

21. Расстояния от бипризмы Френеля до узкой щели и экрана равны соответственно ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ СВЕТА 1. Какой частоте колебаний соответствует длина волны излучения в инфракрасной области (λ 1 = 2,5 мкм) и в ультрафиолетовой (λ 2 = 200 нм) области спектра? 2. Сколько длин волн монохроматического

Подробнее

Определение длин волн H α, H β и H γ Бальмеровской серии водорода

Определение длин волн H α, H β и H γ Бальмеровской серии водорода Работа Определение длин волн H α, H β и H γ Бальмеровской серии водорода Цель работы: Наблюдение спектральных линий атомарного водорода на решетке с высоким разрешением, измерение длин волн H α, H β и

Подробнее

Микроскопия, концепция разрешающей способности

Микроскопия, концепция разрешающей способности Микроскопия, концепция разрешающей способности Зависимость разрешающей способности от длины волны Зависимость энергии излучения от дины волны (без учета релятивистских эффектов) Взаимодействие высокоэнергетического

Подробнее

Лабораторная работа 3 04 ИЗМЕРЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРА ИЗ ОПЫТОВ ПО ИНТЕРФЕРЕНЦИИ. Краткое теоретическое введение

Лабораторная работа 3 04 ИЗМЕРЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРА ИЗ ОПЫТОВ ПО ИНТЕРФЕРЕНЦИИ. Краткое теоретическое введение 1 Лабораторная работа 3 04 ИЗМЕРЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРА ИЗ ОПЫТОВ ПО ИНТЕРФЕРЕНЦИИ Часть 1. Исследование интерференции света с помощью бипризмы Френеля Цель работы: сформулировать гипотезу исследования,

Подробнее

Контрольная работа 3, заочный факультет. 1. Два параллельных световых пучка падают нормально на грань кварцевой призмы (n =

Контрольная работа 3, заочный факультет. 1. Два параллельных световых пучка падают нормально на грань кварцевой призмы (n = Контрольная работа 3, заочный факультет Вариант 0 1. Два параллельных световых пучка падают нормально на грань кварцевой призмы (n = α 1,49) на расстоянии d = 3 см друг от друга. Э Преломляющий угол призмы

Подробнее

ОПТИЧЕСКИЕ МОДУЛЯТОРЫ

ОПТИЧЕСКИЕ МОДУЛЯТОРЫ ОПТИЧЕСКИЕ МОДУЛЯТОРЫ Модуляция света это изменение его параметров в зависимости от управляющего (модулирующего) сигнала. С ее помощью производят наложение информации на световую волну или световой поток,

Подробнее

19. Типы фотоэффекта Внешний фотоэффект. Законы Столетова

19. Типы фотоэффекта Внешний фотоэффект. Законы Столетова 19. Типы фотоэффекта Гипотеза М. Планка о квантах света получила свое подтверждение и дальнейшее развитие при объяснении явления фотоэффекта. Как известно, в зависимости от способности проводить электрический

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 87

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 87 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 87 ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕПЛОВОГО ЭФФЕКТА

Подробнее

ОБЩАЯ ФАРМАКОПЕЙНАЯ СТАТЬЯ

ОБЩАЯ ФАРМАКОПЕЙНАЯ СТАТЬЯ МИНИСТЕРСТВО ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ОБЩАЯ ФАРМАКОПЕЙНАЯ СТАТЬЯ Спектрофотометрия в ОФС.1.2.1.1.0003.15 ультрафиолетовой и Взамен ОФС ГФ X, ОФС ГФ XI, видимой областях ОФС 42-0042-07 ГФ XII,

Подробнее

Лабораторная работа 20. Определение длин волн линий спектра излучения с помощью дифракционной решетки

Лабораторная работа 20. Определение длин волн линий спектра излучения с помощью дифракционной решетки Лабораторная работа 20 Определение длин волн линий спектра излучения с помощью дифракционной решетки Цель работы: ознакомление с прозрачной дифракционной решеткой; определение длин волн спектра источника

Подробнее

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при ФТИ им. А.Ф. Иоффе ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ОБРАЗЦОМ Оглавление: Введение 3 Взаимодействие электронного пучка с твердым телом

Подробнее

Курс лекций ФИЗИКА НАНОСТРУКТУР. Лабораторная работа: ИССЛЕДОВАНИЕ ТОПОГРАФИИ ПОВЕРХНОСТИ КОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ

Курс лекций ФИЗИКА НАНОСТРУКТУР. Лабораторная работа: ИССЛЕДОВАНИЕ ТОПОГРАФИИ ПОВЕРХНОСТИ КОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ Курс лекций ФИЗИКА НАНОСТРУКТУР Лабораторная работа: ИССЛЕДОВАНИЕ ТОПОГРАФИИ ПОВЕРХНОСТИ КОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ Цели работы Изучение физических основ атомно-силовой микроскопии

Подробнее

Дисперсия света. Тепловое излучение. Лекция 7. Постникова Екатерина Ивановна, доцент кафедры экспериментальной физики

Дисперсия света. Тепловое излучение. Лекция 7. Постникова Екатерина Ивановна, доцент кафедры экспериментальной физики Дисперсия света. Тепловое излучение Лекция 7 Постникова Екатерина Ивановна доцент кафедры экспериментальной физики Дисперсия света Дисперсия света зависимость фазовой скорости света c (показателя преломления

Подробнее

Раздел физики: Ионизирующие излучения. Дозиметрия. Тема: Рентгеновское излучение (РИ)

Раздел физики: Ионизирующие излучения. Дозиметрия. Тема: Рентгеновское излучение (РИ) Раздел физики: Ионизирующие излучения. Дозиметрия Тема: Рентгеновское излучение (РИ) Авторы: А.А. Кягова, А.Я. Потапенко I. Понятие ионизирующего излучения. Определение РИ. Устройство рентгеновской трубки

Подробнее

Волны де Бройля. Соотношение неопределенностей. Лекция 5.1.

Волны де Бройля. Соотношение неопределенностей. Лекция 5.1. Волны де Бройля. Соотношение неопределенностей Лекция 5.1. Гипотеза де Бройля В 1924 г. Луи де Бройль выдвинул гипотезу, что дуализм не является особенностью только оптических явлений, а имеет универсальный

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 6 (8) ИЗУЧЕНИЕ ПРОЗРАЧНОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЁТКИ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 6 (8) ИЗУЧЕНИЕ ПРОЗРАЧНОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЁТКИ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 6 (8) ИЗУЧЕНИЕ ПРОЗРАЧНОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЁТКИ Цель работы: Ознакомление с прозрачной дифракционной решёткой определение длин волн красного и зелёного цветов определение дисперсии

Подробнее

Физика. Простые задачи. Задача 1. Задача 2

Физика. Простые задачи. Задача 1. Задача 2 Физика Простые задачи Задача 1 Для элементного анализа пробу наночастиц подготавливают следующим образом: сперва её испаряют, а затем ионизируют электронным пучком. Температура кипения серебра T = 2485

Подробнее

«Фундаментальные основы нанотехнологий»

«Фундаментальные основы нанотехнологий» Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Научно-образовательный центр по нанотехнологиям межфакультетский курс лекций «Фундаментальные основы нанотехнологий» Лекция 2: Методы исследования

Подробнее

7. Планетарная модель атома

7. Планетарная модель атома 7. Планетарная модель атома В 1911 г. Резерфорд изучал рассеяние α частиц (ядра атомов гелия, состав р+, заряд + е ) тонкими металлическими пленками (~1 мкм). α частицы возникают при радиоактивном распаде

Подробнее

Неконтактная и полуконтактная атомно-силовая микроскопия

Неконтактная и полуконтактная атомно-силовая микроскопия Неконтактная и полуконтактная атомно-силовая микроскопия Контактный режим АСМ, представление о котором вы получили в предыдущей главе, широко применяется в достаточно большом числе задач. Тем не менее

Подробнее

Гуржий В.В., Кривовичев С.В. Введение в КРИСТАЛЛОХИМИЮ и РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ. Лекция 4

Гуржий В.В., Кривовичев С.В. Введение в КРИСТАЛЛОХИМИЮ и РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ. Лекция 4 Гуржий В.В., Кривовичев С.В. Введение в КРИСТАЛЛОХИМИЮ и РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ Лекция 4 электроном Фотоны электромагнитного излучения обладают свойствами как волны, так и частицы. как частицы Фотоны

Подробнее

Исследование дифракции Френеля на круглом отверстии и круглом диске

Исследование дифракции Френеля на круглом отверстии и круглом диске РАБОТА 6 Исследование дифракции Френеля на круглом отверстии и круглом диске Цель работы: изучение явления дифракции света на простейших объектах и измерение их основных параметров. Введение Дифракцией

Подробнее

4.4. Исходя из того, что энергия ионизации атома водорода Е = 13,6 эв, определить первый потенциал возбуждения ϕ 1 этого атома.

4.4. Исходя из того, что энергия ионизации атома водорода Е = 13,6 эв, определить первый потенциал возбуждения ϕ 1 этого атома. КВАНТОВАЯ ФИЗИКА 1.1. Вычислить лучистый поток, испускаемый кратером дуги с простыми углями, имеющим температуру 4200 К. Диаметр кратера 7 мм. Излучение угольной дуги составляет приблизительно 80 % излучения

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Подробнее

Лабораторная работа ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ СВЕТА. БИПРИЗМА ФРЕНЕЛЯ.

Лабораторная работа ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ СВЕТА. БИПРИЗМА ФРЕНЕЛЯ. Лабораторная работа ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ СВЕТА. БИПРИЗМА ФРЕНЕЛЯ. Цель работы: изучить интерференцию света на примере опыта с бипризмой Френеля, определить преломляющий угол бипризмы по отклонению луча лазера

Подробнее

1.Тормозное рентгеновское излучение

1.Тормозное рентгеновское излучение 1.Тормозное рентгеновское излучение Квантовая природа излучения подтверждается также существованием коротковолновой границы тормозного рентгеновского спектра. Рентгеновские лучи возникают при бомбардировке

Подробнее

за курс 11 класса Учебник: «Физика-11», Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев,2014 год

за курс 11 класса Учебник: «Физика-11», Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев,2014 год Вопросы к промежуточной аттестации по физике за курс 11 класса Учебник: «Физика-11», Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев,2014 год 1.Магнитное поле и его свойства. Сила Ампера, сила Лоренца. 2. Электромагнитная индукция,

Подробнее

Лабораторная работа 3 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ С ПОМОЩЬЮ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ

Лабораторная работа 3 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ С ПОМОЩЬЮ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ Лабораторная работа 3 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ С ПОМОЩЬЮ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ Цели работы: Изучение дифракционной решетки как спектрального прибора. В процессе работы необходимо: 1) найти длины волн спектральных

Подробнее

Определение длины световой волны при помощи дифракционной решетки

Определение длины световой волны при помощи дифракционной решетки Лабораторная работа 3 Определение длины световой волны при помощи дифракционной решетки ЦЕЛЬ РАБОТЫ Ознакомление с прозрачной дифракционной решеткой, определение длин волн спектра источника света (лампы

Подробнее

Оптика (наименование дисциплины) Направление подготовки физика. Профиль подготовки «Фундаментальная физика», «Физика атомного ядра и частиц»

Оптика (наименование дисциплины) Направление подготовки физика. Профиль подготовки «Фундаментальная физика», «Физика атомного ядра и частиц» 1 Аннотация рабочей программы дисциплины Оптика (наименование дисциплины) Направление подготовки 03.03.02 физика Профиль подготовки «Фундаментальная физика», «Физика атомного ядра и частиц» Квалификация

Подробнее

РАЗДЕЛ 4 СПЕКТРАЛЬНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ

РАЗДЕЛ 4 СПЕКТРАЛЬНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ РАЗДЕЛ 4 СПЕКТРАЛЬНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ Теоретические основы Теоретические основы Спектры испускания Спектры поглощения Спектры пропускания Спектры отражения определяют видимые свойства объекта (яркость, цветовой

Подробнее

ОФС ВзаменГФХ. Взамен ст. ГФ XI, вып.1. Взамен ГФ XII, ч.1, ОФС Инфракрасные спектры (колебательные спектры) (ИК-спектры)

ОФС ВзаменГФХ. Взамен ст. ГФ XI, вып.1. Взамен ГФ XII, ч.1, ОФС Инфракрасные спектры (колебательные спектры) (ИК-спектры) Спектрометрия в инфракрасной области ОФС.1.2.1.1.0002.15 ВзаменГФХ Взамен ст. ГФ XI, вып.1 Взамен ГФ XII, ч.1, ОФС 42-0043-07 Инфракрасные спектры (колебательные спектры) (ИК-спектры) возникают вследствие

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 54 ИЗУЧЕНИЕ СПЕКТРА ИЗЛУЧЕНИЯ АТОМА ВОДОРОДА

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 54 ИЗУЧЕНИЕ СПЕКТРА ИЗЛУЧЕНИЯ АТОМА ВОДОРОДА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 54 ИЗУЧЕНИЕ СПЕКТРА ИЗЛУЧЕНИЯ АТОМА ВОДОРОДА Цель работы измерение длин волн спектральных линий атомарного водорода в видимой части спектра, экспериментальное определение значения постоянной

Подробнее

Санкт-Петербургский государственный университет Физический факультет Кафедра нейтронной и синхротронной физики Сыромятников Владислав Генрихович

Санкт-Петербургский государственный университет Физический факультет Кафедра нейтронной и синхротронной физики Сыромятников Владислав Генрихович Санкт-Петербургский государственный университет Физический факультет Кафедра нейтронной и синхротронной физики Сыромятников Владислав Генрихович Лекция 9. Рентгеновская и синхротронная оптика. 1. Синхротронное

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ В ОПЫТЕ С БИПРИЗМОЙ

ИЗУЧЕНИЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ В ОПЫТЕ С БИПРИЗМОЙ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 42 ИЗУЧЕНИЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ В ОПЫТЕ С БИПРИЗМОЙ ФРЕНЕЛЯ Цель работы изучение интерференции света в опыте с бипризмой Френеля. Оценка длины волны лазерного излучения и преломляющего угла

Подробнее

Министерство образования и науки Российской Федерации. Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Кафедра физики

Министерство образования и науки Российской Федерации. Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Кафедра физики Министерство образования и науки Российской Федерации Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) Кафедра физики ИЗУЧЕНИЕ ДИФРАКЦИИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ДВУМЕРНОЙ

Подробнее

Дифракция отклонение распространения волн от законов геометрической оптики вблизи препятствий (огибание волнами препятствий).

Дифракция отклонение распространения волн от законов геометрической оптики вблизи препятствий (огибание волнами препятствий). Дифракция света Дифракция отклонение распространения волн от законов геометрической оптики вблизи препятствий (огибание волнами препятствий). О б л а с т ь г е о м е т р и ч е с к о й т е н и Дифракция

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Лабораторная работа 18 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОЭЛЕМЕНТА С ВНЕШНИМ ФОТОЭФФЕКТОМ Цель работы: Экспериментальная проверка законов внешнего фотоэффекта. По спектральной характеристике фотоэлемента определить

Подробнее

ФИЗИКА. Контрольные материалы, 3 семестр

ФИЗИКА. Контрольные материалы, 3 семестр ФИЗИКА Контрольные материалы, 3 семестр Модуль 1 Тема 1. Волны 1.1. Плоская продольная волна с амплитудой A = 0,1 мм и длиной волны λ = 10 см распространяется в упругой среде с плотностью ρ = 4 г/см 3

Подробнее

«Сканирующая зондовая микроскопия»

«Сканирующая зондовая микроскопия» Программа краткосрочного повышения квалификации преподавателей и научных работников высшей школы по направлению «Методы диагностики и исследования наноструктур» на базе учебного курса «Сканирующая зондовая

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 52. Спектральная плотность энергетической светимости тела r λ,t. изл.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 52. Спектральная плотность энергетической светимости тела r λ,t. изл. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5 ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТЕПЛОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ВОЛЬФРАМА Цель работы экспериментальное исследование зависимости спектральной плотности энергетической светимости вольфрама от длины волны

Подробнее

Отчет по НИР «Исследование влияния импульсного магнитного поля на магнитный контраст над поверхностью магнитных материалов».

Отчет по НИР «Исследование влияния импульсного магнитного поля на магнитный контраст над поверхностью магнитных материалов». РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА 142432, Черноголовка, Московской обл. Факс: (096) 524-97-01 Отчет по НИР «Исследование влияния импульсного магнитного

Подробнее

Дисперсия света. (Рисунок) Величина называется дисперсией вещества. Если < 0, дисперсия называется нормальной.

Дисперсия света. (Рисунок) Величина называется дисперсией вещества. Если < 0, дисперсия называется нормальной. Дисперсия света 1. Дисперсия света 2. Фазовая и групповая скорость волн 3. Электронная теория дисперсии 4. Излучение Вавилова Черенкова 1) Дисперсией света называют явления, обусловленные зависимостью

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 48 ИЗУЧЕНИЕ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКЕ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 48 ИЗУЧЕНИЕ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКЕ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 48 ИЗУЧЕНИЕ ДИФРАКЦИИ СВЕТА НА ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКЕ Цель работы изучение дифракции света на одномерной дифракционной решетке, определение длины волны излучения полупроводникового лазера.

Подробнее

Занятие 27 Кванты. Атом. Излучение и поглощение ДВА

Занятие 27 Кванты. Атом. Излучение и поглощение ДВА Занятие 27 Кванты. Атом. Излучение и поглощение Задача 1 От чего зависит максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов, выбиваемых из металла при фотоэффекте? Выберите ДВА верных ответа: 1) От частоты

Подробнее

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИЗУЧЕНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИЗУЧЕНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2 ИЗУЧЕНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛА МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ 1. Цель работы 1.1. Освоить методику определения плотности дислокаций по точкам выхода и методом секущих.

Подробнее

Лабораторная работа 32 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. Элементарная теория проводимости металлов

Лабораторная работа 32 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. Элементарная теория проводимости металлов Лабораторная работа 32 ИЗУЧЕНИЕ ЗАВИСИМОСТИ СОПРОТИВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ Цель работы - определение температурного коэффициента сопротивления меди. Приборы и принадлежности: исследуемый медный

Подробнее

Вариант 1. Дифракция, поляризация Интерференция Вариант 2. Дифракция, поляризация

Вариант 1. Дифракция, поляризация Интерференция Вариант 2. Дифракция, поляризация Вариант 1. 1. Монохроматический свет длиной волны 0,6мкм падает нормально на диафрагму с отверстием диаметром 6мм. Сколько зон Френеля укладывается в отверстии, если экран расположен в 3м за диафрагмой

Подробнее

«КОЛЕБАНИЯ И ВОЛНЫ» ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ 3. Вариант 1.

«КОЛЕБАНИЯ И ВОЛНЫ» ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ 3. Вариант 1. «КОЛЕБАНИЯ И ВОЛНЫ» ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ 3. Вариант 1. 1. В опыте Юнга на пути одного из лучей поставили трубку, заполненную хлором. При этом вся картина сместилась на 20 полос. Чему равен показатель

Подробнее

Восточно-Сибирский государственный университет технологий и управления. Кафедра «Физика» Дифракция света. Лекция 4.2

Восточно-Сибирский государственный университет технологий и управления. Кафедра «Физика» Дифракция света. Лекция 4.2 Восточно-Сибирский государственный университет технологий и управления Кафедра «Физика» Дифракция света Лекция 4.2 Дифракция света совокупность явлений, наблюдаемых при распространении света в среде с

Подробнее

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 95

Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» ОТЧЁТ по лабораторной работе 95 Государственное высшее учебное заведение «ДОНЕЦКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра физики ОТЧЁТ по лабораторной работе 95 ЗНАКОМСТВО С РАБОТОЙ ГЕЛИЙ-НЕОНОВОГО ЛАЗЕРА И ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ ЛАЗЕРНОГО

Подробнее

РАБОТА 3. Дифракция на двойной щели и на нескольких щелях

РАБОТА 3. Дифракция на двойной щели и на нескольких щелях РАБОТА 3 Дифракция на двойной щели и на нескольких щелях Цель работы: При изучении дифракции на двух щелях исследовать зависимость распределения интенсивности вторичных волн на экране от ширины щелей и

Подробнее

Качественные соображения.

Качественные соображения. Поглощение света оптическими фононами. ИК-спектроскопия. Оглавление Качественные соображения...1 Соотношение Лиддейна-Сакса-Теллера...2 Постановка эксперимента и примеры экспериментальных данных...6 Список

Подробнее

17.1. Основные понятия и соотношения.

17.1. Основные понятия и соотношения. Тема 7. Волны де Бройля. Соотношения неопределенностей. 7.. Основные понятия и соотношения. Гипотеза Луи де Бройля. Де Бройль выдвинул предложение, что корпускулярно волновая двойственность свойств характерна

Подробнее

Интерференция световых волн

Интерференция световых волн Интерференция световых волн Интерференция возникает при наложении волн, создаваемых двумя или несколькими источниками, колеблющимися с одинаковыми частотами и некоторой постоянной разностью фаз Такие источники

Подробнее

Интерференция Скорость света в среде c n. Оптическая длина пути световой волны. Оптическая разность хода двух световых волн L L.

Интерференция Скорость света в среде c n. Оптическая длина пути световой волны. Оптическая разность хода двух световых волн L L. Интерференция Скорость света в среде c v, n где с скорость света в вакууме; п показатель преломления среды. Оптическая длина пути световой волны L nl, где l геометрическая длина пути световой волны в среде

Подробнее

Цель работы: Задача: Техника безопасности: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ

Цель работы: Задача: Техника безопасности: Приборы и принадлежности: ВВЕДЕНИЕ 3 Цель работы: изучение влияния ширины узкой щели на вид дифракционной картины при наблюдении в свете лазера. Задача: проградуировать щель регулируемой ширины, используя положение минимумов дифракционной

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ СВЕТА ПРИ НАБЛЮДЕНИИ КОЛЕЦ НЬЮТОНА

ИССЛЕДОВАНИЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ СВЕТА ПРИ НАБЛЮДЕНИИ КОЛЕЦ НЬЮТОНА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» УТВЕРЖДАЮ:

Подробнее

Лабораторная работа 4

Лабораторная работа 4 Лабораторная работа 4 ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ЛИНЗЫ И ДЛИНЫ СВЕТОВОЙ ВОЛНЫ ПО КОЛЬЦАМ НЬЮТОНА Цель работы: 1. определить радиус кривизны линзы, используя в качестве эталона зеленую линию спектра ртути

Подробнее

Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами

Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами Работа 4.20 Изучение поглощения света твердыми и жидкими телами Оборудование: фотоэлектрический колориметр-нефелометр ФЭК-60, набор образцов твердого тела, набор кювет с растворами разной концентрации.

Подробнее

Вариант 1. s 2 s 1 f f. б) Продолжить ход луча, показанного на рисунке, для двух случаев: 1) если линза Л рассеивающая и 2) если линза Л собирающая.

Вариант 1. s 2 s 1 f f. б) Продолжить ход луча, показанного на рисунке, для двух случаев: 1) если линза Л рассеивающая и 2) если линза Л собирающая. Вариант 1. 1. a) Источник света с яркостью L = 200 кд/м 2 находится на расстоянии s 1 = 20 см от тонкой линзы с фокусным расстоянием = 10 см. Построить ход лучей, найти, на каком расстоянии s 2 расположено

Подробнее

Институт ядерной энергетики и технической физики. ОЦЕНОЧНЫЕ СРЕДСТВА для промежуточной аттестации по дисциплине. «Физика специальная (атомная)

Институт ядерной энергетики и технической физики. ОЦЕНОЧНЫЕ СРЕДСТВА для промежуточной аттестации по дисциплине. «Физика специальная (атомная) Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Подробнее

12. В точке А (рис.1) находится точечный источник монохроматического света (λ = 500 нм). Диафрагма

12. В точке А (рис.1) находится точечный источник монохроматического света (λ = 500 нм). Диафрагма ДИФРАКЦИЯ СВЕТА 1. Вычислить радиус r шестой зоны Френеля для плоской монохроматической волны (λ = 546 нм), если точка наблюдения находится на расстоянии b = 4,4 м от фронта волны. 2. Вычислить радиус

Подробнее

Дисперсия света Поляризация. Волновая оптика

Дисперсия света Поляризация. Волновая оптика Дисперсия света Поляризация Волновая оптика Дисперсия света зависимость показателя преломления n вещества от частоты ν (длины волны λ) света, или зависимость фазовой скорости v световых волн от его частоты

Подробнее

ДИДАКТИЧЕСКАЯ ЕДИНИЦА 5: Волновая и квантовая оптика

ДИДАКТИЧЕСКАЯ ЕДИНИЦА 5: Волновая и квантовая оптика ДИДАКТИЧЕСКАЯ ЕДИНИЦА 5: Волновая и квантовая оптика Задание На расстоянии м от лампы энергетическая освещенность небольшого листа бумаги, расположенном перпендикулярно световым лучам, равнялась Вт/м.

Подробнее

Занятие 24 Волновая оптика https://www.youtube.com/watch?v=0u4jaasz9f4 учебное видео

Занятие 24 Волновая оптика https://www.youtube.com/watch?v=0u4jaasz9f4 учебное видео Занятие 24 Волновая оптика https://www.youtube.com/watch?v=0u4jaasz9f4 учебное видео Задача 1 Разложение пучка солнечного света в спектр при прохождении его через призму объясняется тем, что свет состоит

Подробнее