ЭЛЕКТРОНИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ЭЛЕКТРОНИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ КУРСОВОЙ РАБОТЫ"

Транскрипт

1 МИНИСТЕРСТВО СЕЛЬСКОГО ХОЗЯЙСТВА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ УДК 6.38 (075) ФГОУ ВПО МГАУ ФГОУ ВПО РГАЗУ Рецензенты: профессор В. И. Загинайлов (МГАУ); ст. преподаватель В. А. Шанцин (Волгоградская СХА) Составители: профессор Л. П. Шичков, доценты В. М. Богоявленский, В. Б. Людин. Электроника. Методические указания по изучению дисциплины. Сост. Л.П. Шичков, В.М. Богоявленский, В.Б. Людин. М., 004., 49 с. ЭЛЕКТРОНИКА МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ И ЗАДАНИЯ ДЛЯ КУРСОВОЙ РАБОТЫ Предназначены для студентов курса ФЗО Табл.. Ил. 7 Утверждены методической комиссией инженерного факультета студентам-заочникам сельскохозяйственных вузов специальности «Электрификация и автоматизация сельского хозяйства» ОГЛАВЛЕНИЕ: Раздел. Общие методические рекомендация по изучению дисциплины.. Цель дисциплины и задачи курса.. Распределение учебного времени Раздел. Методические указания по изучению содержания тем курса Тема. Элементная база электроники Тема. Электронные устройства Тема 3. Микропроцессорные средства Тема 4. Технические средства связи в сельском хозяйстве Раздел 3. Задания и методические указания по выполнению курсовой работы Приложения Москва 004

2 Раздел. ОБЩИЕ МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ИЗУЧЕНИЮ ДИСЦИПЛИНЫ... ЦЕЛЬ ДИСЦИПЛИНЫ И ЗАДАЧИ КУРСА. Цель дисциплины изучение элементной базы электроники, электронных устройств аналоговых и цифровых сигналов, включая средства вычислительной и микропроцессорной техники, а также обобщенное изучение средств связи в сельском хозяйстве. В результате изучения курса студент должен знать: - устройство, принцип действия, параметры и характеристики полупроводниковых приборов и интегральных микросхем; - принцип построения, принцип действия и методы проектирования электронных устройств, построенных на базе полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, микропроцессоров и устройств связи; параметры и характеристики электронных устройств; принцип расчета основных электронных схем и устройств; - принцип построения, действия и использования технических средств связи в сельском хозяйстве. Должен уметь: - понимать электронные схемы, определять по условным обозначениям и справочникам параметры электронных элементов, уметь строить и рассчитывать устройства, выполненные на этих элементах; - квалифицированно решать инженерные задачи по обслуживанию электронной аппаратуры сельскохозяйственного производства; - грамотно производить выбор стандартной электронной аппаратуры в зависимости от конкретных требований. Применение микропроцессорных средств открывает большие возможности для нахождения оптимальных решений при планировании, обработке информации, проектировании, создании эффективных систем автоматического управления, технологических процессов в научных и инженерных исследованиях. Применение современных средств связи существенно облегчает процесс организации и управления сельскохозяйственного производства. Прежде чем приступить к изучению дисциплины, следует повторить изучение раздела курсов «Теоретические основы электротехники» и «Вычислительная техника и программирование». При изучении настоящей дисциплины необходимо стремиться к освоению основных понятий и явлений, положенных в основу принципа работы радиоэлектронных приборов и микропроцессорных средств. Студентам-заочникам сельскохозяйственных вузов по специальности «Электрификация и автоматизация сельского хозяйства» учебным планом предусмотрено выполнение курсовой работы. 3 п/п 3.. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ УЧЕБНОГО ВРЕМЕНИ. Название темы 4 Всего часов самост оятель но Таблица. в том числе лекции лаборат орнопракти ческие занятия Введение. Элементная база электроники Электропроводность полупроводниковых материалов. Полупроводниковые диоды Биполярные и полевые транзисторы, принцип действия, схемы включения, эквивалентные схемы и режимы работы Тиристоры. Электровакуумные фотоэлектрические и оптоэлектронные приборы. Их характеристики и параметры Электронные устройства. Электронные усилители. Понятие обратной связи Многокаскадные усилители, их характеристики и параметры. Операционные усилители Генераторы гармонических и импульсных колебаний. Средства электропитания электронной аппаратуры Импульсные устройства. Цифровые логические приборы Микропроцессорные средства. Архитектура микропроцессорных систем. Команды микропроцессоров. Сопряжение 0,5, ,5,

3 микропроцессорных систем с внешними устройствами Раздел. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИЗУЧЕНИЮ СОДЕРЖАНИЯ ТЕМ КУРСА. 4 Технические средства связи в сельском хозяйстве. Телефонная и радиосвязь. Принципы построения радиопередающих и приёмных устройств Тема. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ. Целью и задачей темы является изучение пассивных и активных элементов применяемых в электронных устройствах. Общие методические рекомендации. Установочные занятия часа. Итого: Библиографический список Основной.. Забродин Ю. С. Промышленная электроника: Учебник для вузов, М.: Высшая школа, 98.. Основы промышленной электроники: Учебник для неэлектротехн. спец. вузов /В. Г. Герасимов и др., / Под ред. В. Г. Герасимова. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника: Учеб. пособие для вузов: - изд. перераб. и доп. М.: Высш. шк., 99. Дополнительный. 4. Арестов К.А. Основы электроники и микропроцессорной техники: учебник для средних специальных учебных заведений. М.: Колосс, Балашов Е. П. и др. Микро- и мини-эвм: Учеб. пособие для вузов. Л.: Энергоиздат. Ленингр. отд-ние Жеребцов И. П. Основы электроники. 5-е изд., перераб. и доп. Л.: Энергоиздат, Токхайм Роджер Л. Основы цифровой электроники. М.: Мир, Бойко В.И. и др. Схемотехника электронных систем. Т Т3. учебник для студентов ВУЗов. С.-Петербург, К пассивным элементам электроники относятся конденсаторы, резисторы, катушки индуктивности, трансформаторы. Следует изучить их параметры и способы маркировки. Большой класс пассивных элементов электроники представляют собой примесные полупроводники терморезисторы, фоторезисторы, приборы с одним р-n переходом: выпрямительные диоды, стабилизаторы, туннельные диоды, вариканы, фото- и светодиоды. Обратите внимание на принцип их действия, электропроводность полупроводниковых материалов, параметры и характеристики. Вопросы для самопроверки... Объясните явление «собственной», «дырочной», «электронной» проводимостей, свойства и характеристики электронно-дырочного перехода.. В чем заключается различия основных и неосновных носителей заряда в полупроводниках? 3. Приведите формулу теоретической вольт-амперной характеристики диода. 4. Перечислите виды пробоя в полупроводниковых диодах. 5. Объясните принцип работы полупроводниковых светоизлучателей и приемников излучения. 6. Назовите области применения фотоэлектрических и оптоэлектронных приборов. 7. Перечислите пассивные элементы электроники и приведите единицы измерения их параметров. Литература:,.,.;,.,.,.3..4, 3.4, 4., К активным элементам электроники относятся биполярные, полевые транзисторы. Изучите принцип их действия, представление эквивалентными схемами с использованием физических параметров транзисторов, h-параметров и Т-образной эквивалентной схемы. Рассмотрите связь h-параметров с физическими параметрами транзистора. Сравните статические характеристики и схемы включения биполярных транзисторов (схема с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором) с характеристиками и схемами включения полевого транзистора 6

4 (схема с общим затвором (ОЗ), общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС). Вопросы для самопроверки... Объясните принцип действия биполярного транзистора, приведите его основные параметры.. Укажите тип носителей заряда, проходящих через базу в приборах р- и n- типа. 3. Охарактеризуйте элементы, входящие в Т-образную эквивалентную схему транзистора (r Э, r б, ai Э, bi б, r к, с к б ). 4. В чем отличие полевого транзистора с изолированным затвором от транзистора с р-n переходом? 5. Какими параметрами характеризуются полевые транзисторы? 6. Приведите схемы включения транзисторов. Литература:,.3,.4;,.5, Силовыми элементами электроники являются тиристоры диодный, триодный и симметричный. Установите сходство в физических процессах, протекающих в них при переключении, и сравните их вольт-амперные характеристики. Найдите примеры использования данных приборов в силовых коммутационных устройствах. Вопросы для самопроверки... Приведите вольт-амперную характеристику триодного тиристора.. Приведите вольт-амперную характеристику симметричного тиристора. 3. В чем отличия вольт-амперной характеристики триодного тиристора от вольт-амперной характеристики симметричного тиристора? 4. Что такое напряжение переключения тиристора? 5. Назовите области применения тиристоров. Литература:,.5,.6;, Широкое применение в электронике находят и электронно-вакуумные приборы электровакуумные лампы, электроннолучевые трубки (осциллографические, трубки знаковой индикации, дисплейные). Сравните их принцип действия и выделите области применения. Вопросы для самопроверки... Объясните явление термоэлектронной эмиссии?. Объясните назначение электродов в электровакуумном триоде? 3. Дайте классификацию электровакуумных ламп в зависимости от 7 количества электродов в лампе. 4. В чем отличие ЭЛТ с электростатическим отклонением луча, от ЭЛТ с электромагнитным отклонением? Литература:, 4., 4.3;, 4.5, Развитие микроэлектроники позволило создать на базе элементарных пассивных и активных полупроводниковых элементов функциональные структуры в одном кристалле полупроводника интегральные микросхемы. По функциональному назначению интегральные микросхемы подразделяются на аналоговые (для обработки непрерывных сигналов) и цифровые (для обработки импульсных сигналов). Вопросы для самопроверки... Дайте определение понятия микроэлектроники.. Приведите классификацию ИС по функциональному назначению. 3. Что такое степень интеграции ИС? 4. Как классифицируются ИС по степени интеграции? Литература:,.6;,..6. Тема. ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА. Цель и задачи. Целью и задачей темы является изучение принципов построения действия проектирования электронных устройств, построенных на базе полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Общие методические рекомендации... Электронные устройства можно разделить на несколько видов: усилительные, генераторные, импульсные, логические. Усилительные устройства применяются в измерительной технике, техники связи для усиления слабых электрических сигналов. Генераторные для формирования электрических сигналов разнообразной формы. Импульсные и логические устройства используются в системах автоматического управления, вычислительной технике, силовой преобразовательной технике. Фундаментальным понятием в проектировании электронных устройств является понятие обратной связи. Обратная связь может носить дерегенеративный характер отрицательная обратная связь и генеративный 8

5 характер положительная обратная связь. Отрицательная обратная связь (ООС) применяется в усилительных устройствах. ООС изменяет их параметры и характеристики (входные и выходные, коэффициент усиления, амплитудно-частотную и фазо-частотную характеристики). Усилительные устройства могут обеспечивать усиление по: току, напряжению и мощности. Разновидностями усилителей мощности являются двухтактные усилители мощности (трансформаторные и безтрансформаторные). Электронные усилители, параметры которых преимущественно определяются свойствами цепи обратной связи, получили название операционных усилителей. Операционные усилители (ОУ) в основном выполняются в интегральном исполнении. ОУ широко применяются в усилителях постоянного тока (УПТ), сумматорах, интеграторах, дифференциаторах, компараторах и других электронных устройствах обработки аналоговых сигналов. Вопросы для самопроверки... Дайте определение усилителя и приведите его основные параметры.. Назовите классификацию усилителей с линейным режимом работы по полосе пропускания. 3. По какому признаку обратная связь классифицируется как отрицательная или положительная? 4. В чем состоит назначение отрицательной обратной связи в электронных усилителях и какие их параметры она изменяет? 5. Какие виды обратных связей вы знаете? 6. С какой целью в усилительных каскадах применяется местная обратная связь по постоянному току либо по напряжению? 7. В чем состоит принцип согласования нагрузок в усилителях мощности? 8. Какие классы усиления вам известны и в чем их смысл? 9. Назовите преимущества двухтактных усилителей мощности перед однотактными. 0. Дайте определение термина «операционный усилитель».. Приведите параметры и характеристики современных операционных усилителей.. Какой каскад усиления применяется в качестве входного в операционном усилителе? 3. Приведите примеры применения операционных усилителей в интегральном исполнении. Литература:...8;, Генераторы. Положительная (генеративная) обратная связь используется в генераторных устройствах. Условиями самовозбуждения генераторных 9 устройств являются баланс амплитуд и баланс фаз каналов прямой передачи и обратной связи. Вопросы для самопроверки.. Какой вид обратной связи используется в генераторах?. Каковы условия самовозбуждения в генераторах? 3. Как формируется условие баланса фаз в каналах прямой передачи и обратной связи генератора? 4. Каково условие баланса амплитуд? Литература:,.;, К источникам вторичного питания относят параметрические и компенсационные стабилизаторы напряжения тока. В последнее время для обеспечения качества, напряжения питания и высокого КПД применяются импульсные стабилизаторы (преобразователи) напряжения, автономные инверторы тока и напряжения. Вопросы для самопроверки.. Назовите источники электропитания электронных устройств и причины применения преобразователей тока и напряжения.. Какие полупроводниковые приборы применяются в неуправляемых и управляемых выпрямительных устройствах? 3. Назовите назначение и типы опорных элементов, применяемых в стабилизаторах напряжения. 4. Назовите типы сглаживающих фильтров, применяемых в выпрямительных устройствах. 5. Объясните принцип работы параметрического и компенсационного стабилизаторов напряжения. 6. Перечислите требования предъявляемые к источникам питания. Литература: , 6.4;, Тема 3. МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ СРЕДСТВА. Целью и задачей изучения темы является ознакомление с архитектурой микропроцессорных систем, типовыми структурами и областями применения микропроцессорных средств в сельскохозяйственном производстве. Общие методические рекомендации. Изучение микропроцессорных средств следует начать с понятия 0

6 микропроцессора и его месте в архитектуре микропроцессорных систем. Следует рассмотреть типовую структуру микропроцессорной системы, включающую в себя арифметическо-логическое устройство (ЛЛУ), устройство управления (УУ) (данные устройства и представляют собой процессор), шину управления, регистры микропроцессора, постоянное запоминающее устройство, оперативную память и системы ввода-вывода. Работа микропроцессорной системы заключается в выполнении последовательности команд. Совокупность команд составляет конструкцию языка и включает в себя команды: пересылки, выполнения арифметических и логических операций, сдвигов, управления, ввода-вывода. Особое внимание следует уделить изучению вопросов сопряжения микропроцессорных систем с внешними устройствами с использованием аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей сигналов при использовании микропроцессорных систем в качестве управляющего органа автоматических систем. Вопросы для самопроверки.. Дайте определение понятия микропроцессор.. В какой системе счисления работают микропроцессорные системы? 3. Приведите единицы измерения информации, которую обрабатывает микропроцессор. 4. Укажите назначение блоков микропроцессорной системы (ЛЛУ, ЗУП, ЗУД. УВВ). 5. По каким трактам осуществляемся передача информации в МПС? 6. Приведите классификацию команд микро-эвм. 7. Объясните порядок прохождения и выполнения команд в микро-эвм. 8. Чем отличается команда от машинного кода? 9. Что такое интерфейс микро-эвм, в чем отличие параллельного интерфейса от последовательного? 0. Какими электронными устройствами осуществляется сопряжение микропроцессоров с датчиками и исполнительными устройствами? Литература: ;,.-.9. Тема 4. ТЕХНИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА СВЯЗИ В СЕЛЬСКОМ ХОЗЯЙСТВЕ. Целью и задачей темы является ознакомление и изучение современных средств связи применяемых при организации сельскохозяйственного производства. Общие методические рекомендации. Современные средства связи можно подразделить на телефонную и радиосвязь. При изучении средств телефонной связи необходимо ознакомиться с принципом действия устройств телефонного аппарата и структурой телефонных станций. Радиосвязь основана на передаче и применении электрических сигналов с различным видом модуляции (ЧМ, AM, ФМ и др.). Вид модуляции определяет функциональные схемы приемопередающих устройств. Следует ознакомиться с типами радиостанций применяемых в сельском хозяйстве. Вопросы для самопроверки.. Объясните принцип телефонной связи по проводам.. Поясните принцип модуляции электрических сигналов. 3. Из каких основных электронных устройств состоят радиопередающие и принимающие устройства? 4. Какие полупроводниковые приборы используются в схемах амплитудного детектирования? 5. Приведите примеры применения телефонной и радиосвязи в сельском хозяйстве. Раздел 3. ЗАДАНИЯ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ КУРСОВОЙ РАБОТЫ ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ. Учебным планом для студентов-заочников по курсу «Электроника, микропроцессорные средства и техника связи» предусмотрено выполнение курсовой работы. Для выполнения курсовой работы студенту необходимо изучить соответствующую литературу, решить задачи и упражнения, приводимые в рекомендованных учебниках, с тем, чтобы получить полное представление по рассматриваемому вопросу. Решения поставленных в курсовой работе задач даются в общем виде с краткими пояснениями. В формулу подставляются числовые значения величин с указанием единиц измерения в системе СИ. Вычисления следует производить с помощью логарифмической линейки длиной 5 см или на электронной клавишной вычислительной машине (ЭКВМ) с точностью до третьей значащей цифры. Работа выполняется чернилами, на листах формата А4 () размером 97x0 мм, аккуратным почерком с оставлением полей для замечаний рецензента. Схемы и графический материал должны выполняться на миллиметровой бумаге формата А4 () размером 97x0 мм. Условные графические обозначения в электрических схемах должны отвечать

7 действующим требованиям ЕСКД. В конце работы указываются использованные учебники и учебные пособия и примерное время (в часах), затраченное на выполнение курсовой работы. Работа должна быть подписана с указанием даты ее окончания. ЗАДАНИЕ ДЛЯ КУРСОВОЙ РАБОТЫ.. Для усилительного транзисторного каскада (рис. ):.. Выбрать транзистор по приложению, определить напряжение источника питания U П, рассчитать сопротивление резисторов и выбрать их номиналы по приложению... Определить h-параметры, h Э, h Э в рабочей точке транзисторного каскада, его входное и выходное сопротивления R ВХ и R ВЫХ..3. Найти амплитуды напряжения и тока базы U бт, I бт, коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности K I, K V, K P и амплитуду напряжения источника сигнала U Gm..4. Рассчитать емкости конденсаторов, выбрать их номинал по приложениям,3.. Задана схема на операционном усилителе, необходимо:.. Рассчитать сопротивления резисторов и емкости конденсаторов, выбрать их номиналы по приложениям, 3... Выбрать операционный усилитель (ОУ)..3. Определить максимальные амплитуды источников сигнала. 3. Для логической функции необходимо: 3.. Упростить функцию, пользуясь алгеброй логики. 3.. Составить таблицу истинности Разработать функциональную электрическую схему на базовых элементах (И, ИЛИ, НЕ). Выберите исходные данные для всех пунктов задания по двум последним цифрам вашего шифра. К пункту задания К пункту задания К пункту 3 задания По последней цифре: Последняя цифра шифра Сопротивление нагрузки R П, Ом Амплитуда напряжения в нагрузке U НМ, В Схема на ОУ, рисунок Коэффициент усиления по напряжению для источника сигнала K U Нижняя граничная частота F Н, Гц Внутреннее сопротивление источника сигнала R G, ком Логическая функция F * Таблица ,5.5,5,5,75,5 0,75,0 4а 4б 4в 4г 4д 4а 4б 4г 4г 4д X((Y+ZX)+A)A* (XZ+Y)Z+A+A X(Y+XYZ)+AA X(YZ+X) (A+A) XY(Z+X)+A+A XY(Z+X)+A+A X(Y+Z+X)+AA XYZ+ZXY+A+A XY(Z+XY)+A+A X(YZ+XY)A+A *Примечание. Здесь и далее черту снизу нужно читать, как знак инверсии, т.е. черта сверху. A, A из таблиц,3. 3 4

8 По предпоследней цифре: Таблица. Методические советы. Предпоследняя цифра Внутреннее сопротивление источника сигнала R G, Ом К пункту задания К пункту задания Внутреннее сопротивление источника сигнала R G, ком К пункту.. Вычертить принципиальную электрическую схему транзисторного усилительного каскада (рис. ). C p R Б R к C p + U Г - К пункту 3 задани я Логическая функция А По последней цифре: XYZ XYZ XYZ X YZ XYZ XYZ X Y Z XYZ XYZ XYZ Таблица 3. R G U G R Б R э R м Последняя цифра К пункту задания К пункту задания К пункту 3 задания Нижняя граничная частота F Н, Гц Коэффициент усиления по напряжению для источника сигнала K U Логическая функция А Прочие данные: XY(ZX+ZY) XY(XZ+Z) XZ(XY+X) Допустимые частотные искажения на граничной частоте М Н, 4 К пункту задания Y(Z+ZX) 5 ZY(XZ+X) Динамический диапазон выходного напряжения D, дб Максимальная температура окружающей среды Т М, 0 С 40 X(XYZ+ZY) Z(XYZ+ZY) (XY+ZX)ZY 6 (ZY+ZX)YZ XY Таблица 4. Рис. Принципиальная электрическая схема усилительного каскада. Рассчитать сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора: R K = (+K R ) R H где K R коэффициент соотношения сопротивлений R H и R K. K R =..5 при R H ком; K R = при R H > ком. Номинал резистора R K выбирается по приложению. Определить эквивалентное сопротивление нагрузки каскада: R K R H R H = R K + R H Найти амплитуду коллекторного тока транзистора: U Hm I KM = R`H Определить ток покоя (ток в рабочей точке) транзистора: I Кm I КП = 6

9 где: k З - коэффициент запаса. k З = 0,7 0,95, k З = 0,7 максимальные нелинейные искажения, k З = 0,95 максимальный КПД. Рассчитать минимальное напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке транзистора: k З U КЭП min = U Hm + U 0, где U 0 напряжение коллектор-эмиттер, соответствующее началу прямолинейного участка выходных характеристик транзистора, В; U 0 = В для транзисторов малой мощности (P K 50 мвт); U 0 = В для транзисторов большой и средней мощности (P K > 50 мвт). Если U КЭП min меньше типового значения U КЭП = 5 В, то следует выбрать U КЭП = 5 В, в противном случае, U КЭП = U КЭ min. Рассчитать напряжение источника питания: U КЭП + I КП R K U П =, 0,7 0,9 P K max > I КП U КП, P K max находится по формуле: T П max T m P K max = P К ДОП, T П max T 0 где P К ДОП максимально допустимая мощность рассеивания на коллекторе при температуре окружающей среды Т 0, Вт; T П max максимальная температура перехода, 0 С; Т 0 температура окружающей среды, при которой нормируется P К ДОП, 5 0 С; P К ДОП, T П max справочные величины. Вычертить входные и выходные характеристики выбранного транзистора. На выходных характеристиках транзистора построить нагрузочную прямую постоянного тока по точкам А, В с координатами (рис б) U П точка А U КЭ = 0, I K =, R K + R Э точка В U КЭ = U П, I K = 0. На пересечение нагрузочной прямой и прямой I K = I КП нанести рабочую точку С. Уточнить напряжение U КЭ в рабочей точке (U КЭП = U КЭ в точке С). значение расчётного напряжения U П округлить до ближайшего целого числа. Определить и выбрать номинал сопротивления резистора эмиттерной цепи транзистора: U П R Э = (0, 0, 3) I КП Выбрать транзистор из приложения по параметрам: а) максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: U КЭ ДОП U П ; б) максимальный допустимый средний ток коллектора: I К ДОП > I КП ; в) максимальная мощность рассеивания на коллекторе P K max при наибольшей температуре окружающей среды Т m : 7 8

10 Рис. а. Входные и выходные характеристики транзистора (к пункту ). Рис б. На входную характеристику (рис а) нанести рабочую точку С пересечение входной характеристики (при U КЭП ) и прямой I б = I бп. Определить U бэп. Выбрать ток, протекающий через базовый делитель: Определить ток базы I бп транзистора в точке С (рабочей точке). I Д = (5 0) I бп. Рассчитать сопротивления и выбрать номиналы резисторов базового делителя 9 0

11 R б, R б : R U + I R бэп КП Э П б = ; Rб = б I R Д U бэп + I КП R Э Найти эквивалентное сопротивление базового делителя: R б R б R Д =. R б + R б К пункту.. Определить по входным характеристикам транзистора входное сопротивление транзистора h Э в рабочей точке; задать приращение D U бэ около рабочей точки С, найти соответствующее ему приращение базового тока D I б. Вычислить h Э : U бэ h Э =. I б По выходным характеристикам транзистора определить коэффициент передачи тока транзистора h Э. Найти приращение коллекторного тока и соответствующее ему приращение базового тока при пересечении прямой U КЭП = U КЭ соседних от рабочей точки С выходных характеристик (точки Д, Е рис. б): I К h Э = I б Определить входное сопротивление каскада: h Э R Д R ВХ =. h Э + R Д Найти выходное сопротивление каскада: R ВЫХ R K. U К пункту.3. Построить на выходных характеристиках транзистора нагрузочную прямую по переменному току, которая проходит через рабочую точку С и имеет наклон (рис. б): I К = / R`H. U КЭ Нанести на выходные характеристики транзистора амплитуды коллекторного тока I Km и напряжения U Hm (рис. б), определить амплитуду базового тока: I б I бm =. На входных характеристиках (рис. а) показать амплитуды базового тока и входного напряжения транзистора: U бэ U ВХТ =. Определить коэффициенты усиления каскада по току, напряжению и мощности К I, K U, K P : R H R H K I h Э ; K U = K I ; K P = K I K U. R H R G + R ВХ Рассчитать амплитуду напряжения источника сигнала: U Hm U Gm =. K V К пункту.4. Частотные искажения в области нижних частот вносятся разделительными конденсаторами С Р, С Р и блокировочным конденсатором С б. Рекомендуется частотные искажения в области нижних частот равномерно распределить между конденсаторами С Р, С Р, С б : M НС = 3 M H.

12 Рассчитать ёмкость конденсатора: С Р, p F H (R G + R ВХ ) M выбрать номинал ёмкости конденсатора С Р из приложения (при ёмкости менее 0 мкф) или приложения 3 (при ёмкости 0 мкф и более). Определить ёмкость конденсатора С Р и выбрать её номинал: HC С Р. p F H (R ВЫХ + R H ) M Рассчитать ёмкость блокировочного конденсатора С б и выбрать её номинал: HC Определим ток покоя (ток в рабочей точке) транзистора: I Кm 0, I КП = = = A. k З 0,7 Определим минимальное напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке транзистора: U КЭП min = U Hm + U 0 = + = 3 В, т.к. U КЭП min меньше типового значения U КЭП = 5 В, принимаем U КЭП = 5 В. Рассчитаем напряжение источника питания: U КЭП + I КП R K U П = = = 0,4 В 0,7 0,9 0,7 Входные и выходные характеристики транзистора КТ35Г. С б. p F H R`H M HC Пример к пункту. Исходные данные: R H = 70 Ом; U Hm = В; R G = 550 Ом; F H = 0 Гц; М Н = М В =,4. Рассчитаем сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора: R K = ( + K R ) R H = ( +,)*70 = 594 Ом. Выберем номинал сопротивления резистора R K = 60 Ом. Определим эквивалентное сопротивление нагрузки каскада: R H R K 70*60 R`H = = = 88 Ом. R H + R K Найдём амплитуду коллекторного тока транзистора: U Hm I KM = = = 0, А. R`H 88 3 Рис 3а. 4

13 Выбираем напряжение питания U П = 0 В. Определим сопротивление резистора: U П 0 R Э = (0, 0, 3) = 0, 3 = 399 Ом, I КП 5*0-3 Номинал резистора R Э = 390 Ом. Выбираем транзистор КТ35Г: U КЭ ДОП = 5 В > U П = 0 В; I К ДОП = 00 ма > I КП = 5 ма. Вычертим выходные и входные характеристики транзистора КТ35Г (рис.3). На выходных характеристиках транзистора КТ35Г построим нагрузочную прямую постоянного тока по точкам А, В. U П 0 Точка А: U КЭ = 0, I K = = = 9,8 0-3 А; R K + R Э точка В: U КЭ = U П, I K = 0. Нанесём рабочую точку С на нагрузочную прямую с координатой I K = I КП = А, уточним напряжение U КЭ в точке покоя: U КЭП = 5 В. Рассчитаем мощность в точке покоя транзистора: Р КП = I КП U КЭП = = Вт. Определим наибольшую мощность рассеивания транзистора при максимальной рабочей температуре: T П max T m 0 40 P K max = P К ДОП = T П max T = Вт, Р КП < P K max, следовательно, транзистор КТ35Г выбран правильно. Находим координаты рабочей точки С на входной характеристике транзистора U бэп + I КП R Э 0, R б = = = 6, Ом, I Д 0-3 номинал сопротивления резистора R б = 6, ком. Определим сопротивление резистора базового делителя: R U 3 0 = 6, 0 0, = 3, П б = Rб 3 U бэп + I КП номинал резистора R б = 3 ком. Найдём эквивалентное сопротивление базового делителя: R б R б , 0 3 R Д = = = 4, 0 3 Ом. R б + R б , Ом Рис 3б. 5 По выходным характеристикам транзистора (рис. б) определим h Э в рабочей точка транзистора: 6

14 I К 0,6 0-3 h Э = = = 06. I б 0, 0-3 По входным характеристикам (рис. а) найдём h Э в рабочей точке: D U бэ 0,5 h Э = = = 65 Ом. D I В 0, 0-3 Найдём входное сопротивление каскада: h Э R Д 65 4, 0 3 R ВХ = = = 540 Ом. h Э + R Д , 0 3 Рассчитаем выходное сопротивление каскада: R ВЫХ R K = 60 Ом. Построим на выходных характеристиках транзистора нагрузочную прямую по переменному току, проходящую через рабочую точку С и имеющую наклон: I К = /R`H = 5,3 0-3 А/В. U КЭ Находим амплитуду тока базы по выходным характеристикам: I б 0, 0-3 I бm = = = 0, 0-3 А. Определим по входным характеристикам амплитуду входного напряжения транзистора: U бэ 0,5 U бm = = = 6,5 0-3 В. Определим коэффициент усиления каскада по току: R`H 88 K I h Э = 06 = 73,8. R H 70 Найдём коэффициент усиления каскада по напряжению: 7 R H 70 K U = K I = 73,8 = 8,. R G + R ВХ Рассчитаем коэффициент усиления по мощности: K P = K I K U = 8, 73,8 = 349. Определим амплитуду напряжения источника сигнала: U Hm U Gm = = = 0, В. K U 8, Распределим частотные искажения в области нижних частот, вносимые ёмкостями конденсаторов С Р, С Р, С б, равномерно между ними: M НС = 3 M = 3, 4 =,. Рассчитаем ёмкость разделительного конденсатора: H С Р = = p F H (R G + R ВХ ) M 6,8*0( ), HC =, Ф. выбираем номинал электролитического конденсатора С Р = 0 мкф. Определим ёмкость разделительного конденсатора: С Р = = p F H (R ВЫХ + R H ) M 6,8 0(60+70), HC =, Ф. выбираем номинал ёмкости электролитического конденсатора С Р = 0 мкф. Найдём ёмкость блокировочного конденсатора: С б = = 8,4 0-5 Ф. p F H R`H M 5,8 0 88, HC 8

15 выбираем ёмкость электролитического конденсатора С б = 00 мкф. Принципиальные электрические схемы устройств на операционных усилителях: Рис. 4: а) Инвертирующий усилитель постоянного тока, б) неинвертирующий усилитель постоянного тока Рис. 4: в) суммирующий усилитель постоянного тока, г) инвертирующий усилитель переменного тока. 9 30

16 К пункту.. Вычертить заданную принципиальную электрическую схему. Расчет значений величин элементов схемы производить в порядке, приведенном в таблице 5, для усилителей переменного и постоянного тока (рис. 4, а, 4,6, 4, г, 4, д) или в таблице 6, для сумматора (рис. 4,в). После расчета каждого значения величины следует выбирать номинал по приложениям, 3. Номиналы сопротивлений резисторов и ёмкостей конденсаторов (до 0 мкф) выбирают из приложения. Если ёмкость конденсатора выше 0 мкф применять электролитические конденсаторы, номиналы которых указаны в приложении 3. К пункту.. Выбирать ОУ по приложению 4 следует исходя из коэффициента усиления по напряжению K UОУ >> K U + K U (для схем рис. 4 а, б, г, д; K U = 0) и сопротивления источника сигнала: R G 0 ком, 40 УД7, 40 УД6 0 ком < R G 75 ком 40 УД6, 40 УД4 75 ком < R G 600 ком 40 УД4, 40 УД8, КР544 УД 600 ком < R G 40 УД8, КР544 УД. Необходимо проверить выбранный ОУ. Операционный усилитель должен обеспечить требуемый динамический диапазон выходных напряжений: U ВЫХ max D = 0 lg ; U ВЫХ min где D динамический диапазон, дб; U ВЫХ max максимальное выходное напряжение, В; U ВЫХ min минимальное выходное напряжение, В. Минимальное выходное напряжение ОУ ограничено напряжением смещения нуля, вызванное разностью входных токов, внутренним смещением ОУ и их тепловыми дрейфами. Порядок проверки ОУ по напряжению смещения нуля приведен в таблице 7. В формулах таблицы 7 использованы обозначения: D i ВХ разность входных токов ОУ, А; DD i ВХ тепловой дрейф разности входных токов, А/ С; Рис. 4: д) неинвертирующий усилитель переменного тока. Сопротивления резисторов на входе ОУ выбираются в 5 0 раз выше сопротивления источника сигнала, чтобы избежать значительного шунтирования источника. Для компенсации смещения нулевого напряжения на выходе ОУ вызванное входными токами ОУ, общие сопротивления резисторов, подключенных к различным дифференциальным входам, равны (R =R ; рис. 4,а; 4,б; 4,г; 4,д; R 3 = R R ; рис. 4, в). DТ Т m наибольшая температура окружающей среды, СС: T 0 температура, при которой измеряются параметры ОУ, 5 С; U ВЫХ max ОУ максимальное выходное напряжение ОУ при номинальном питании, В; D динамический диапазон выходного напряжения, дб; U СМВ внутреннее смещение на входе ОУ, В; D U СМВ тепловой дрейф внутреннего смещения на входе ОУ, В/ 0 С. DТ Если U СМ ДОП U СМ S, то ОУ выбран правильно. В противном случае, необходимо выбрать другой ОУ из приложения 4 и выполнить вновь пункт. задания. Напряжение питания схемы типовое для ОУ. 3 3

17 К пункту.3. Максимальная амплитуда входного сигнала для усилителей постоянного и переменного токов (рис. 4,а; 4,б; 4,г; 4,д): U ВЫХ max ОУ U Gm i = ; K U 3 Сопротивле ние резистора цепи обратной связи R 3 R 3 = K U R R 3 = (K U ) R R 3 = K U R R 3 = (K U ) R В суммирующем усилителе (рис. 4,в) предполагается одинаковое влияние входных напряжений на выходное: U ВЫХ max ОУ U Gm = ; K U U ВЫХ max ОУ U Gm =. K U 4 Ёмкость разделитель ного конденсато ра С - - С = = / (p F H (R G + +R ВХ ) M ) H С = = / (p F H (R G + +R ВХ ) M ) H Таблица 5. п/п Таблица 6. Расчётная величина K U R G K U R G K U R G < K U R G п/п Расчётные величины Инвертирую щий усилитель постоянного тока (рис. 4,а) Неинвертирующи й усилитель постоянного тока (рис. 4,б) Инвертирующий усилитель переменного тока (рис. 4,г) Неинвертирующий усилитель переменного тока (рис. 4,д) Сопротивление резистора R R = (5 0) R G Сопротивление резистора R R = R R = (5 0) R G K U K U K U K U Сопротивле ние резистора R R = (5 0) R G R = (5 0) R G R = (5 0) R G R = (5 0) R G 3 Сопротивление резистора R 3 4 Сопротивление резистора цепи обратной связи R 4 R 3 = R R R + R R 4 = K U R Сопротивле ние резистора R R = R R = R R = R R = R п/п Расчётная величина схема Таблица 7. рис. 4,а рис. 4,б рис. 4,в рис. 4,г рис. 4,д Сопротивление по постоянному току подключённое между входом ОУ и нулевой точкой R ВХО R ВХО = R R ВХО = R R ВХО = R 3 R ВХО = R R ВХО = R 33 34

18 3 4 5 Допустимое напряжение смещения приведённое к входу ОУ U СМ ДОП Напряжение смещения ОУ вызванное разностью входных токов и её тепловым дрейфом U СМ I Напряжение смещения вызванное внутренним смещением ОУ и его тепловым дрейфом U СМ U Суммарное напряжение смещения приложенное между входами ОУ U СМ S Если U СМ ДОП U СМ S, то ОУ выбран верно. U ВЫХ max ОУ U СМ ДОП = 0 K U + K U -D / 0 DD i ВХ U СМ I = D i ВХ R ВХО + ( )R ВХО (T m T 0 ) DТ D U СМВ U СМ U = U СМВ + (T m T 0 ) DТ Пример к пункту. U СМ S = U СМ i + U СМ U Требуется рассчитать схему сумматора (рис. 4,в), исходные данные: R G = ком, R G = 47 ком, K U = 5, K U =, D = 30 дб. Определяем произведение сопротивления источника сигнала на коэффициент усиления: R G K U = = Ом, R G K U = = 5, Ом, так как R G K U < R G K U, рассчитываем сопротивление входного резистора R по формуле: K U R = (5 0) R G = = Ом. K U 5 выбираем по приложению номинал резистора R = 0 ком. Находим сопротивление резистора: K U 5 R = R = = Ом. K U Выбираем номинал резистора R = 0 ком. Рассчитываем сопротивление резистора R 3, из условия одинаковых сопротивлений постоянному току во входных цепях ОУ: R R R 3 = = = Ом. Выбираем номинал резистора R 3 = 75 ком. Определяем сопротивление цепи обратной связи: R 4 = K U R = =, Ом, выбираем номинал резистора R 4 =,7 Мом. Так как сопротивление источника сигнала R G = 47 ком (R G > R G ) и коэффициент усиления K U = K U + K U = 37, выберем ОУ К 40 УД6 из приложения 4. К 40 УД6 имеет следующие параметры. Коэффициент усиления по напряжению K UОУ = Разность входных токов ОУ D i ВХ А; внутреннее напряжение смещения U СМВ = В; тепловой дрейф разности входных токов i nx = 9 0, 0 A/ C тепловой дрейф T внутреннего напряжения смещения U СМВ = В / 0 С; DТ максимальное напряжение на выходе ОУ U ВЫХ max ОУ = В; типовое напряжение питания U П = ± 5 В. Принимаем напряжение питания ОУ сумматора U П = + 5 В, U П = 5 В и проверяем правильность выбора ОУ. Рассчитаем допустимое напряжение смещения ОУ: U ВЫХ max ОУ U СМ ДОП = 0 -D / 0 = 0-30 / 0 = 9,4 0-3 В. K U + K U 5 + Найдём напряжение смещения ОУ от разности входных токов: iux 4 UСМi = i Rвхд + ( T m T0 ) = 8, 4 0 T Определим напряжение смещения ОУ, вызванное внутренним смещением ОУ: UСМB UСМU = UСМB + ( Тm Т0 ) = ( 40 5) = 5, 3 0 T Суммарное напряжение смещения: U СМ Σ = U СМ i + U СМ U = 0, ,3 0-3 = 6,4 0-3 В, что меньше U СМ ДОП, следовательно, ОУ К 40 УД6 обеспечивает заданный динамический диапазон выходного напряжения во всём интервале рабочих температур. ОУ К 40 УД6 выбран правильно. Определим максимальную амплитуду источника сигнала: U ВЫХ max ОУ U Gm = = = 0, В. K U 5 Найдём максимальную амплитуду источника сигнала: U ВЫХ max ОУ R + R

19 U Gm = = = 0,458 В. K U и) Теорема де Моргана: XY = X + Y, X + Y = XY К пункту 3.. К пункту 3.. Упрощают заданную логическую функцию, пользуясь правилами и законами алгебры логики: а) Инверсия: если Х = 0, то X =, если Х =, то X = 0. б) Логическое сложение (дизъюнкция): Х + 0 = Х, Х + =, Х + Х = Х, Х + X =, = 0, + 0 =, + =. в) Логическое умножение (конъюнкция): 0 0 = 0, 0 = 0, =, Х 0 = 0, Х = Х, Х X = 0. г) Переместительный закон: Х + Y = Y + X, XY = YX. д) Сочетательный закон: (X + Y) + Z = X + (Y + Z), (XY)Z = X(YZ). е) Распределительный закон: X(Y + Z) = XY + XZ. ж) Правило склеивания: X(X + Y) = X ; X + XY = X. з) Правило двойного отрицания: ( X ) = X. 37 Таблица истинности логической функции F составляется из всех комбинаций логических переменных (X,Y,Z, ), входящих в функцию и соответствующих этим комбинациям значений логической функции F. К пункту 3.3. Вычертить функциональную электрическую схему, реализующую логическую функцию F, используя базовые элементы: (И, ИЛИ, НЕ). Условные графические обозначения базовых элементов даны в приложении 5. Задана логическая функция: Пример к пункту 3. F = XYZ + X YZ + X YZ. Упростим данную функцию, пользуясь законами алгебры логики: F = XY(Z + Z ) + XYZ + X YZ = XY + YZ(X + X ) = = XY + YZ = Y(X + Z). Составим таблицу истинности: X Y Z F На рис. 5 функциональная электрическая схема, реализующая функцию F = Y(X + Z): 38

20 ПРИЛОЖЕНИЯ Приложение. Таблица 8. Рис. 5 Реализация функции F = Y(X+Z). Параметры и характеристики некоторых широко применяемых транзисторов. Транзистор Параметр КТ35Б КТ35Г КТ375А КТ375Б КТ30А КТ30Б Предельно допустимое напряжение коллекторэмиттер, U КЭ ДОП, В Максимальный постоянный ток коллектора I К ДОП, ма Допустимая мощность рассеивания на коллектор P К ДОП, мв Статический коэффициент усиления тока базы в схеме с ОЭ Максимальная температура перехода Т П max, 0 C Входная характеристика рис. 6 Выходная характеристика рис а а в в д д б б г г е е 39 40

21 Входные и выходные характеристики транзисторов. Рис. 6. а) входная КТ35 Б, Г. Рис. 6: б) выходная КТ35 Б,Г. 4 4

22 Рис. 6: в) входная КТ375 А, Б. Рис. 6 г) выходная КТ375 А, Б

23 Рис. 6 е) выходная КТ30 А, Б. Приложение. Рис.6: д) входная КТ30 А, Б; Номиналы сопротивлений резисторов и ёмкостей конденсаторов (не электролитических). Номинальное сопротивление резистора выбирается по расчётному из номиналов ряда Е4: R = K*0 n Ом, где К множитель ряда Е4 (см. табл. 9); n степенной множитель

24 Номинал ёмкости конденсатора выбирается по расчётной из номиналов ряда Е4: С = К*0 n Ф. Таблица 9.,0,3,8,4 3,3 4,3 5,6 7,5 6; ; ,,5,0,7 3,6 4,7 6, 8,,,6, 3,0 3,9 5, 6,8 9, Приложение 4. Номиналы ёмкостей электролитических Конденсаторов К50-6, К Приложение 3. Номиналы электролитических конденсаторов К50-6, К50-6 и их рабочие напряжения в таблице 0. Рабочее напряжение, В 6,3 0 Номинальная ёмкость, мкф Рабочее напряжение, В 6; 5 50 Таблица 0. Номинальная ёмкость, мкф Параметры операционных усилителей широкого применения. 48 Таблица. 70*0 3 Параметр К40УД6 К40УД7 К40УД8 К40УД4 КР544УД Коэффициент усиления по 50*0 3 50*0 3 50*0 3 50*0 3 напряжению К ОУ Разность входных токов D i ВХ, на ,5 0, 0,5 Внутреннее напряжение смещения U СМВ, В Тепловой дрейф внутреннего напряжения смещения мкв / 0 С D U СМВ DТ Тепловой дрейф разности входных токов на / 0 С 0, 0, DD i ВХ DТ Максимальное напряжение на выходе, ОУ U ВЫХ max ОУ, В Номинальное напряжение питания U П, В ± 5 ± 5 ± 5 ± 5 ± 5

25 Приложение 5. Условные графические обозначения (УГО) базовых логических элементов. УГО базовых логических элементов представлены на рис

Функциональная электроника рабочая программа дисциплины

Функциональная электроника рабочая программа дисциплины МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" (ФГБОУ ВПО «АлтГУ») УТВЕРЖДАЮ Декан Поляков

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Сибирская Государственная Геодезическая Академия»

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Компьютерные системы и комплексы

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Компьютерные системы и комплексы Рыльский авиационный технический колледж филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный технический университет

Подробнее

УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ БИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ

УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ БИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ МИНИСТЕРСТВО ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОЛГОГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МЕДИЦИНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КАФЕДРА БИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ И ТЕХНОЛОГИИ УЗЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ БИОТЕХНИЧЕСКИХ СИСТЕМ УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ

Подробнее

РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ

РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Министерство образования Российской Федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. А.Н.ТУПОЛЕВА Филиал "Восток" РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ Учебно-методическое

Подробнее

Рис. 1. А - основное символьное обозначение ОУ, Б - зависимость коэффициента усиления ОУ от частоты

Рис. 1. А - основное символьное обозначение ОУ, Б - зависимость коэффициента усиления ОУ от частоты УСИЛИТЕЛИ Большинство пассивных датчиков обладают очень слабыми выходными сигналами. Их величина часто не превышает нескольких микровольт или пикоампер. С другой стороны входные сигналы стандартных электронных

Подробнее

РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ

РАСЧЕТ ВЫХОДНОГО КАСКАДА УСИЛИТЕЛЯ Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ И ПИЩЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

Подробнее

Министерство образования и науки Республики Беларусь БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра электротехники и электроники

Министерство образования и науки Республики Беларусь БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ. Кафедра электротехники и электроники Министерство образования и науки Республики Беларусь БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра электротехники и электроники ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ (ПРАКТИКУМ) по дисциплине «Электротехника

Подробнее

РАСЧЕТ И АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ НА ТРАНЗИСТОРАХ

РАСЧЕТ И АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ НА ТРАНЗИСТОРАХ РАСЧЕТ И АНАЛИЗ УСИЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ НА ТРАНЗИСТОРАХ УДК 621.375.4 ББК з846 С 291 Издательство ТГТУ Утверждено Редакционно-издательским советом университета Рецензент Доктор технических наук, профессор

Подробнее

8. Генераторы импульсных сигналов

8. Генераторы импульсных сигналов 8. Генераторы импульсных сигналов Импульсными генераторами называются устройства, преобразующие энергию постоянного источника напряжения в энергию электрических импульсов. Наибольшее применение в импульсной

Подробнее

МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor»)

МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor») МИКРОСХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМИ ИСТОЧНИКАМИ ПИТАНИЯ (функциональный аналог KA7500B ф. «Fairchild Semiconductor») Микросхема IL7500B устройство, управляющее широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и предназначено

Подробнее

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ

Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ Анализ работы усилительного каскада с помощью ВАХ В статическом режиме связь между токами и напряжениями на электродах транзистора описывается системой нелинейных алгебраических уравнений. Графически эта

Подробнее

Компьютерный курс по общей электротехнике и электронике

Компьютерный курс по общей электротехнике и электронике Карлащук В. И. Компьютерный курс по общей электротехнике и электронике Учебное пособие Изд. 3-е Москва 2016 Карлащук В. И. Компьютерный курс по общей электротехнике и электронике / Учебное пособие. Изд.

Подробнее

Генераторы LС ГЕНЕРАТОРЫ

Генераторы LС ГЕНЕРАТОРЫ Генераторы Среди генераторных устройств следует различать генераторы синусоидальных (гармонических) колебаний и генераторы прямоугольных колебаний, или сигналов прямоугольной формы (генераторы импульсов).

Подробнее

Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ

Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ Раздел 2. НАДЁЖНОСТЬ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРИБОРОСТРОЕНИЯ СОДЕРЖАНИЕ 2.1.Интенсивность отказов как основная характеристика надежности элементов...30 2.2. Коэффициенты электрической нагрузки

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Бийский технологический институт (филиал) государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Алтайский государственный технический

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Московский технический университет связи и информатики. Кафедра телевидения. Лабораторная работа 5

МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ. Московский технический университет связи и информатики. Кафедра телевидения. Лабораторная работа 5 МИНИСТЕРСТВО СВЯЗИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Московский технический университет связи и информатики Кафедра телевидения Лабораторная работа 5 ИССЛЕДОВАНИЕ БЕСТРАНСФОРМАТОРНОГО ГЕНЕРАТОРА КАДРОВОЙ РАЗВЕРТКИ

Подробнее

10. Измерения импульсных сигналов.

10. Измерения импульсных сигналов. 0. Измерения импульсных сигналов. Необходимость измерения параметров импульсных сигналов возникает, когда требуется получить визуальную оценку сигнала в виде осциллограмм или показаний измерительных приборов,

Подробнее

Приложение 1 ИНТЕРФЕЙС ПРОГРАММЫ ELECTRONICS WORKBENCH

Приложение 1 ИНТЕРФЕЙС ПРОГРАММЫ ELECTRONICS WORKBENCH Приложение 1 ИНТЕРФЕЙС ПРОГРАММЫ ELECTRONICS WORKBENCH П1.1. Общие сведения Программа Electronics Workbench (EWB) относится к системам схемотехнического моделирования аналоговых и цифровых электронных

Подробнее

Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation)

Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation) Микросхема повышающего DC/DC конвертера (Функциональный аналог LT1937 ф. Linear Technology Corporation) Микросхема IZ1937 представляет собой повышающий DC/DC конвертер, разработанный специально для управления

Подробнее

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ. 1. Разработан и внесен Техническим комитетом ТК 233 "Измерительная аппаратура для основных электрических величин".

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ. 1. Разработан и внесен Техническим комитетом ТК 233 Измерительная аппаратура для основных электрических величин. Утвержден и введен в действие Постановлением Госстандарта СССР от 29 декабря 1991 г. N 2308 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР УСИЛИТЕЛИ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА ОБЩИЕ

Подробнее

1. Общие положения Курсовая работа предназначена для более глубокого усвоения теоретического материала курса и приобретения практических навыков

1. Общие положения Курсовая работа предназначена для более глубокого усвоения теоретического материала курса и приобретения практических навыков Общие положения Курсовая работа предназначена для более глубокого усвоения теоретического материала курса и приобретения практических навыков анализа и расчета аналоговых и дискретных электронных устройств

Подробнее

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ ПО ТЕОРЕТИЧЕСКИМ ОСНОВАМ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ Оглавление: ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ И ОФОРМЛЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ... 2 ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ... 2 РАБОТА 1. ЗАКОНЫ

Подробнее

Технологический институт филиал ФГОУ ВПО «Ульяновская ГСХА»

Технологический институт филиал ФГОУ ВПО «Ульяновская ГСХА» УДК 1(091) ББК 87.3(0) Ш 72 Общая электроника и электротехника: Рабочая программа (для специальности 190601 «Автомобили и автомобильное хозяйство»)/, Шмигирилов Ю.Г. Димитровград: Технологический институт

Подробнее

À.Ð. Ìàìèé, Â.Á. Òëÿ åâ

À.Ð. Ìàìèé, Â.Á. Òëÿ åâ À.Ð. Ìàìèé, Â.Á. Òëÿ åâ ÎÏÅÐÀÖÈÎÍÍÛÅ - + ÓÑÈËÈÒÅËÈ А.Р.Мамий, В.Б.Тлячев ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ Майкоп 005 ББК 3.85 М 8 УДК 6.375 Мамий А.Р., Тлячев В.Б. М 8 Операционные усилители. Майкоп: АГУ, 005. 9

Подробнее

ПРИМЕРНАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.04. ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

ПРИМЕРНАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.04. ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА Федеральное агентство железнодорожного транспорта Управление учебных заведений и правового обеспечения Федеральное государственное образовательное учреждение «Учебно-методический центр по образованию на

Подробнее

«ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд. Техническое описание и инструкция по эксплуатации

«ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд. Техническое описание и инструкция по эксплуатации «ИМПУЛЬС-М» Учебно-лабораторный стенд Техническое описание и инструкция по эксплуатации Содержание стр. 1. Назначение... 2 2. Технические характеристики... 2 3. Конструкция стенда... 3 4. Лабораторная

Подробнее

Стандарт распространяется на усилители, предназначенные для нужд народного хозяйства и экспорта.

Стандарт распространяется на усилители, предназначенные для нужд народного хозяйства и экспорта. Государственный стандарт Союза ССР ГОСТ 26033-91"Усилители измерительные постоянного тока и напряжения постоянного тока. Общие технические требования и методы испытаний"(введен в действие постановлением

Подробнее

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1

Цифровые устройства И ИЛИ НЕ F 1 Цифровые устройства Цифровые устройства это электронные функциональные узлы, которые обрабатывают цифровые сигналы. Цифровые сигналы представляются двумя дискретными уровнями напряжений: высоким и низким

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.04 ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.04 ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА Новосибирский техникум железнодорожного транспорта структурное подразделение федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Сибирский государственный

Подробнее

Лабораторная работа 1. Генератор импульсов

Лабораторная работа 1. Генератор импульсов Лабораторная работа 1. Генератор импульсов Кафедра ВС СибГУТИ 2012 год Содержание 1. Цель работы... 3 2. Генераторы периодических сигналов.... 3 3. Описание элементной базы, используемой в работе.... 4

Подробнее

КОМПОНЕНТНАЯ БАЗА РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

КОМПОНЕНТНАЯ БАЗА РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины Одесская национальная академия связи им. А.С. Попова Кафедра компьютерно-интегрированных технологических процессов и производств И.П. Панфилов,

Подробнее

VD2 VD1. смещения Динамический диапазон: 6 декад. Источник. тока I2

VD2 VD1. смещения Динамический диапазон: 6 декад. Источник. тока I2 Источник тока I1 Источник тока I2 Устрво бланкирования Выходной каскад AS АLFA RPAR ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЕЧАСТОТА, ЧАСТОТАНАПРЯЖЕНИЕ ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРНАЯ СХЕМА Работа на частоте до 00 кгц UOUT INC

Подробнее

Логические основы работы ЭВМ

Логические основы работы ЭВМ Министерство образования и науки Российской Федерации Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тихоокеанский государственный университет» Логические основы работы

Подробнее

Операционные усилители

Операционные усилители Операционные усилители Лабораторные работы посвящены изучению операционных усилителей и схем их включения. В методическом пособии разъясняется принцип работы операционного усилителя, приводятся основные

Подробнее

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 147 Лекция 6 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Класфикация полевых трансторов. 2. Полевые трасторы с управляющим p n-переходом. 3. МОП-трасторы с индуцированным каналом. 4. МОП-трасторы с встроенным каналом.

Подробнее

3. Анализ и синтез электрических структурной и функциональной схем Анализ и синтез электрической структурной схемы вольтметра

3. Анализ и синтез электрических структурной и функциональной схем Анализ и синтез электрической структурной схемы вольтметра Содержание Введение... 5 1. Обзор методов и средств измерения постоянного и переменного напряжения... 7 1.1 Обзор методов измерения постоянного и переменного напряжений... 7 1.1.1. Метод непосредственной

Подробнее

Матвеев Д.А., Мускатиньев А.В. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск

Матвеев Д.А., Мускатиньев А.В. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск 1 УДК 681.58:681.32 ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ С ПИТАНИЕМ ОТ НИЗКОВОЛЬТНОГО ИСТОЧНИКА Матвеев Д.А., Мускатиньев А.В. ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарева», г. Саранск E-mail:

Подробнее

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ DC-DC КОНВЕРТЕР ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ - интегральная микросхема управления, содержащая основные функции, требуемые для DC-

Подробнее

1. Исходные данные. Структурная схема электропривода:

1. Исходные данные. Структурная схема электропривода: СОДЕРЖАНИЕ Исходные данные Синтез последовательного корректирующего устройства Расчет частотных характеристик неизменяемой части САУ5 Построение желаемой ЛАЧХ и синтез последовательного корректирующего

Подробнее

«Индивидуальное» зарядное устройство-автомат без микроконтроллера

«Индивидуальное» зарядное устройство-автомат без микроконтроллера «Индивидуальное» зарядное устройство-автомат без микроконтроллера Задорожный С.М., г.киев, 008г. Простое автоматическое зарядное устройство, о котором пойдет речь, собрано из доступных деталей, суммарная

Подробнее

Датчики на основе эффекта Холла

Датчики на основе эффекта Холла - 1 - Датчики на основе эффекта Холла 1. Введение Применение датчиков на основе эффекта Холла включает в себя выбор магнитной системы и сенсора Холла с соответствующими рабочими характеристиками. Эти два

Подробнее

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА. учебной дисциплины. ОП.03 Основы электроники и цифровой схемотехники Мастер по обработке цифровой информации

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА. учебной дисциплины. ОП.03 Основы электроники и цифровой схемотехники Мастер по обработке цифровой информации ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ ГОРОДА МОСКВЫ Государственное бюджетное образовательное учреждение среднего профессионального образования города Москвы КОЛЛЕДЖ СВЯЗИ 54 РАБОЧАЯ ПРОГРАММА учебной дисциплины ОП.03

Подробнее

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА СОДЕРЖАНИЕ МАТЕРИАЛА

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА СОДЕРЖАНИЕ МАТЕРИАЛА Учреждение образования «Могилевский государственный университет продовольствия» ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ по микропроцессорной технике для абитуриентов, на основе среднего специального образования

Подробнее

КОНТОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ДИСЦИПЛИНЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ ДЛЯ СПЕЦИАЛЬНОСТИ

КОНТОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ДИСЦИПЛИНЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ ДЛЯ СПЕЦИАЛЬНОСТИ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РЕСПУБЛИКИ ТАТАРСТАН ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ «НИЖНЕКАМСКИЙ НЕФТЕХИМИЧЕСКИЙ КОЛЛЕДЖ» КОНТОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ДИСЦИПЛИНЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ

Подробнее

МИКРОСХЕМА ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ

МИКРОСХЕМА ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского МИКРОСХЕМА ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ Практикум Рекомендовано методической комиссией физического

Подробнее

Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов

Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов Приставка к вольтметру для измерения параметров полевых транзисторов Определять параметры полевых транзисторов с p-n-переходом на затворе, как n-канальных, так и p-канальных, поможет описанная ниже простая

Подробнее

Элементы вычислительной техники

Элементы вычислительной техники Волгоградский государственный педагогический университет Элементы вычислительной техники Учебное пособие по курсу «Электронно-вычислительная техника» ВОЛГОГРАД «ПЕРЕМЕНА» 2002 2 ББК 32.965 Марков Б.Г Элементы

Подробнее

Институт радиоэлектроники и информационных технологий. Кафедра информатики и систем управления

Институт радиоэлектроники и информационных технологий. Кафедра информатики и систем управления Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «НИЖЕГОРОДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Р.

Подробнее

В. Н. МАСЛЕННИКОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ

В. Н. МАСЛЕННИКОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ УД 61.391.8:61.375,11 В. Н. МАСЛЕННИОВ СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНЫХ И ЛАМПОВЫХ ВИДЕОУСИЛИТЕЛЕЙ Рассматриваются шумовые характеристики ламп и транзисторов в видеоусилителях, работающих

Подробнее

IGBT транзисторы в системе электронного зажигания

IGBT транзисторы в системе электронного зажигания IGBT транзисторы в системе электронного зажигания Введение Невозможно представить себе современный автомобиль без электроники. Электронных устройств становится все больше, они внедряются во все системы

Подробнее

IL235Z. Интегральная микросхема температурного датчика

IL235Z. Интегральная микросхема температурного датчика Интегральная микросхема температурного датчика (аналог LM235Z, ф. SGSThomson) Микросхема представляет собой точный датчик контроля температуры с возможностью калибровки. Микросхема функционирует как диод

Подробнее

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах.

010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. 010812. Исследование ВАХ диода при различных температурах. Цель работы: Исследовать ВАХ диода при различных температурах. Требуемое оборудование, входящее в состав модульного учебного комплекса МУК-ТТ2:

Подробнее

Методическое пособие по изучению блока «Типовые логические элементы» по курсу «Вычислительная техника» (для специальностей технического профиля)

Методическое пособие по изучению блока «Типовые логические элементы» по курсу «Вычислительная техника» (для специальностей технического профиля) Министерство образования и науки Российской федерации Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение среднего профессионального образования «Нижнекамский нефтехимический

Подробнее

Усилитель напряжения на полевом транзисторе Практические применения МОП-транзисторов Усилитель с большим входным сопрот

Усилитель напряжения на полевом транзисторе Практические применения МОП-транзисторов Усилитель с большим входным сопрот Предисловие издательства Cambridge University Press... 17 Предисловие к третьему изданию... 18 Глава 1. УСИЛЕНИЕ И ТРАНЗИСТОРЫ... 19 1.1. Усиление... 19 1.2. Транзистор как усиливающее устройство... 20

Подробнее

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет УПИ» В.Г. Важенин, Ю.В. Марков ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ

Подробнее

Информатика и ИКТ Лекция 6 1 курс

Информатика и ИКТ Лекция 6 1 курс Информатика и ИКТ Лекция 6 1 курс ФГОУ СПО "УМТК" Кондаратцева Т.П. 1 Принципы обработки информации компьютером. Арифметические и логические основы работы компьютера ФГОУ СПО "УМТК" Кондаратцева Т.П. 2

Подробнее

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1)

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1) МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ (УВ-1) Утверждено на заседании каф. 405 31.08.06 (Протокол 1) как учебно-методическое

Подробнее

9. Импульсные источники питания. Широтно-импульсная модуляция.

9. Импульсные источники питания. Широтно-импульсная модуляция. 9. Импульсные источники питания. Широтно-импульсная модуляция. В современном мире техники с ее тенденцией к миниатюризации и экономичности импульсные источники питания получили широкое распространение

Подробнее

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах.

Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных устройств на полевых транзисторах. Министерство образования Российской Федерации Саратовский ордена Трудового красного знамени государственный университет имени Н. Г. Чернышевского. кафедра прикладной физики Реферат на тему: Шумы приемно-усилительных

Подробнее

Цифровая и микропроцессорная техника. Часть 1

Цифровая и микропроцессорная техника. Часть 1 МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" (ФГБОУ ВПО «АлтГУ») УТВЕРЖДАЮ Декан Поляков

Подробнее

ОГЛАВЛЕНИЕ ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ... 9 ВВЕДЕНИЕ...11

ОГЛАВЛЕНИЕ ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ... 9 ВВЕДЕНИЕ...11 ОГЛАВЛЕНИЕ ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ... 9 ВВЕДЕНИЕ...11 Глава 1. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ...13 1.1. Общие сведения...13 1.2. Идеальный операционный усилитель...15 1.3. Основные схемы включения операционного

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА. Лабораторный практикум по дисциплинам «Электротехника и электроника» и «Общая электротехника и электроника»

ЭЛЕКТРОНИКА. Лабораторный практикум по дисциплинам «Электротехника и электроника» и «Общая электротехника и электроника» Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Уфимский государственный авиационный технический

Подробнее

АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет УПИ имени первого Президента России Б. Н. Ельцина» С.Н. Киреев, А.В. Никитин АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

Подробнее

Изучение работы полевого транзистора

Изучение работы полевого транзистора ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Изучение работы полевого транзистора Цель работы: ознакомиться с принципами работы полевого транзистора, построить стоковые характеристики транзистора. Краткие теоретические сведения

Подробнее

Бать С.Д. Токовый усилитель глазами инженера

Бать С.Д. Токовый усилитель глазами инженера Бать С.Д. Токовый усилитель глазами инженера Начнем с определения. Под токовым усилителем мы будем понимать устройство, которое создает в нагрузке изменения тока, строго соответствующие изменениям сигнала

Подробнее

Информатика и ИКТ Лекция 7 1 курс

Информатика и ИКТ Лекция 7 1 курс Информатика и ИКТ Лекция 7 курс ГБОУ СПО "УМТК" Кондаратцева Т.П. Принципы обработки информации компьютером. Арифметические и логические основы работы компьютера ГБОУ СПО "УМТК" Кондаратцева Т.П. 2 Принципы

Подробнее

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов.

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Новая технология РТ IGBT против мощных полевых МОП транзисторов. Инна Щукина, Михаил Некрасов mik@icquest.ru Последнее время пристальное внимание разработчиков, в области силовой электроники, сконцентрировано

Подробнее

Р А Д И О Э Л Е К Т Р О Н И К А И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА

Р А Д И О Э Л Е К Т Р О Н И К А И МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ ТЕХНИКА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ УЧРЕЖДЕНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ «МИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ВЫСШИЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ КОЛЛЕДЖ» ПОДЛЕЖИТ ВОЗВРАТУ УТВЕРЖДАЮ Проректор по учебной работе В. И. Федосенко «05»

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Физический факультет. Кафедра радиофизики

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Физический факультет. Кафедра радиофизики ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Практикум по радиоэлектронике Источники питания Методические указания к лабораторной

Подробнее

Комплект методических указаний по выполнению практических работ по дисциплине ОП.13 Конструирование радиоэлектронного оборудования

Комплект методических указаний по выполнению практических работ по дисциплине ОП.13 Конструирование радиоэлектронного оборудования Областное государственное бюджетное образовательное учреждение среднего профессионального образования «Иркутский авиационный техникум» УТВЕРЖДАЮ Директор ОГБОУ СПО «ИАТ» В.Г. Семенов Комплект методических

Подробнее

СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ

СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ Министерство образования Российской Федерации Ульяновский государственный технический университет СИСТЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ Методические указания по курсовому проектированию Ульяновск Министерство

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

Питание светодиодов с помощью ZXSC300.

Питание светодиодов с помощью ZXSC300. Питание светодиодов с помощью ZXSC300. Давиденко Юрий. г. Луганск e-mail david_ukr@list.ru Целесообразность использования светодиодов в фонарях, велофарах, в устройствах местного и дежурного освещениям

Подробнее

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров.

Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. Лабораторная работа 4 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ЦЕЛЬ РАБОТЫ Снятие и анализ входных и выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ

Подробнее

Контрольные вопросы и комментарии к их правильным ответам

Контрольные вопросы и комментарии к их правильным ответам МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Ухтинский государственный технический университет» (УГТУ) Контрольные вопросы

Подробнее

Разработка автоматического зарядного устройства

Разработка автоматического зарядного устройства Разработка автоматического зарядного устройства Рунец Ю.А. Московский Государственный Технический Университет Гражданской Авиации Москва, Россия Development of automatic charger Runec Y.A. Moscow State

Подробнее

RU (11) (13) C1

RU (11) (13) C1 РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) 2016484 (13) C1 (51) МПК 5 H02M5/257 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ (12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Статус: по данным

Подробнее

Синтез системы управления шаговым двигателем

Синтез системы управления шаговым двигателем Синтез системы управления шаговым двигателем # 10, октябрь 2014 Ситников А. В. УДК: 62.1.31 Россия, МГТУ им. Н.Э. Баумана sin_irina@mail.ru Введение и постановка задачи Уже более ста лет шаговые двигатели

Подробнее

АННОТАЦИЯ ПРИМЕРНОЙ ОСНОВНОЙ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПО ПРОФЕССИИ ( ) Наладчик компьютерных сетей

АННОТАЦИЯ ПРИМЕРНОЙ ОСНОВНОЙ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПО ПРОФЕССИИ ( ) Наладчик компьютерных сетей АННОТАЦИЯ ПРИМЕРНОЙ ОСНОВНОЙ ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПО ПРОФЕССИИ 09.01.02 (230103.03) Наладчик компьютерных сетей Правообладатель: Федеральное государственное автономное учреждение

Подробнее

AS АLFA RPAR Рижский завод полупроводниковых приборов Рига, Латвия

AS АLFA RPAR Рижский завод полупроводниковых приборов Рига, Латвия Рига, Латвия wwwalfarzpplv; alfa@alfarzpplv 12-разрядный быстродействующий цифро-аналоговый преобразователь двоичного параллельного цифрового кода в постоянный ток ОСОБЕННОСТИ Число разрядов 12 Время установления

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ЛОГАРИФМИЧЕСКОГО ДЕКРЕМЕНТА И ДОБРОТНОСТИ КОЛЕБАТЕЛЬНОГО КОНТУРА

ИЗМЕРЕНИЕ ЛОГАРИФМИЧЕСКОГО ДЕКРЕМЕНТА И ДОБРОТНОСТИ КОЛЕБАТЕЛЬНОГО КОНТУРА ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» УТВЕРЖДАЮ Проректор-директор

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ.

Подробнее

Исследование полевых транзисторов

Исследование полевых транзисторов Министерство общего и профессионального образования Российской федерации КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им А.Н.ТУПОЛЕВА Кафедра радиоэлектроники и информационно-измерительной техники

Подробнее

РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ И МОДЕЛИРОВАНИЕ СХЕМ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ И МОДЕЛИРОВАНИЕ СХЕМ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ МИНИСТЕРСТВО ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ ГОУ ВПО «Дальневосточный государственный университет путей сообщения МПС России» Кафедра «Электроснабжение транспорта» М.И. Клочков РАСЧЕТ ЭЛЕМЕНТОВ И

Подробнее

Основные типономиналы

Основные типономиналы Одноканальные DC/DC ИВЭП Серия МП Вт, 10 Вт, 1 Вт, 2 Вт, 0 Вт Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения наземного и морского базирования, авиационной, ракетной и космической техники

Подробнее

ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. В.Н. Ашанин, С.Г. Исаев, В.В. Ермаков. Схемотехника. Аналоговая схемотехника.

ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. В.Н. Ашанин, С.Г. Исаев, В.В. Ермаков. Схемотехника. Аналоговая схемотехника. ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ В.Н. Ашанин, С.Г. Исаев, В.В. Ермаков Схемотехника. Аналоговая схемотехника Учебное пособие Рекомендовано в качестве учебного пособия УМО вузов РФ по образованию

Подробнее

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА ДЛЯ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ И ЗАЩИТЫ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА ДЛЯ СИСТЕМ КОНТРОЛЯ И ЗАЩИТЫ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ РАО "ЕС РОССИИ" Главный вычислительный Центр Энергетики Северо-Западный филиал Кафедра «Релейная защита и автоматика» А.В.Булычев, В.К.Ванин, Т.И.Кривчеко, Г.В.Меркурьев, А.Л.Соловьев, А.В.Терешкин МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ

Подробнее

Список производителей, выпускающих таймер 555 и их обозначения: Texas Instruments SN52555/SN72555 Fairchild

Список производителей, выпускающих таймер 555 и их обозначения: Texas Instruments SN52555/SN72555 Fairchild 555 универсальный таймер устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Микросхема чаще всего выпускается в пластиковом корпусе

Подробнее

? Fm. АЦП м ЦАП

? Fm.  АЦП м ЦАП АЦП м ЦАП http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/doc/adc/index.htm Общие сведения Параллельные АЦП Последовательно-параллельные АЦП Многоступенчатые АЦП Многотактные последовательно-параллельные АЦП Конвеерные

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ (МАМИ)»

Подробнее

Частотный критерий устойчивости Найквиста Данный критерий применяется при анализе устойчивости систем, структурная схема которых показана на рис. 2.1.

Частотный критерий устойчивости Найквиста Данный критерий применяется при анализе устойчивости систем, структурная схема которых показана на рис. 2.1. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ИССЛЕДОВАНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ И ТОЧНОСТИ ЛИНЕЙНЫХ САУ. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучение особенностей практического использования алгебраических и частотных критериев устойчивости для анализа динамики

Подробнее

КР512ПС10. Схема электрическая структурная и графическое обозначение.

КР512ПС10. Схема электрическая структурная и графическое обозначение. КР512ПС10 Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие. КР512ПС10 времязадающая микросхема с переменным

Подробнее

Министерство образования и науки РФ Пензенский государственный университет Политехнический институт

Министерство образования и науки РФ Пензенский государственный университет Политехнический институт Министерство образования и науки РФ Пензенский государственный университет Политехнический институт ПРОГРАММА вступительных испытаний в магистратуру на направление подготовки 27.04.04 - Управление в технических

Подробнее

Материалы VII Международной научно-технической конференции, ноября 2010 г.

Материалы VII Международной научно-технической конференции, ноября 2010 г. Материалы VII Международной научно-технической конференции, 23 27 ноября 2010 г. МОСКВА INTERMATIC 2 0 1 0, часть 3 МИРЭА СОВРЕМЕННЫЙ ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ ПО ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ ДЛЯ СТУДЕНТОВ

Подробнее

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Конспект лекций ПЕНЗА 004 УДК 6.38 Предложен конспект лекций, рассчитанный как на самостоятельное

Подробнее