ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора"

Транскрипт

1 М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи частоты источники бесперебойного питания сварочное оборудование ПСН подвижного состава железных дорог ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ V CES = 600 В V CEsat = 1.95 В (тип.) I C = 32 А (T C = 25 C) I C = 20 А (T C = 80 C) МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ Наименование Условное обозначение Значение Напряжение коллекторэмиттер V CE 600 Напряжение затворэмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора при T C = 25 C I C 32 при T C = 80 C 20 Повторяющийся импульсный ток коллектора (t p =1 мс, T C = 80 C) I Cpuls 40 Постоянный прямой ток диода обратного тока I F 20 Повторяющийся импульсный прямой ток диода обратного тока I FRM 40 Единица измерения Параметр I 2 t для диода обратного тока (t p = 10 мс, T j = 125 C) I 2 t 0.13 ка 2 с Суммарная мощность рассеивания, IGBT (на один ключ, T C = 25 C) P tot 125 Вт Максимальная температура перехода T j Температура хранения T stg Напряжение изоляции (t = 1 мин.) V isol 2500 В (эфф) В А C М6ТКИ.doc стр. 1

2 М6ТКИ ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ Наименование Условное обозначение Значение Тепловое сопротивление переходкорпус, IGBT (на один ключ) R thjc 1.0 Тепловое сопротивление переходкорпус, диод обратного тока (на один ключ) Тепловое сопротивление корпусохладитель, λ paste = 1 Вт/м С, на модуль (типовое значение) R thjcd 1.5 R thck 0.02 Единица измерения C/Вт ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (при 25 C, если не указано иное значение) Наименование Значение Условное Единица обозначение мин. тип. макс. измерения Статические характеристики Пороговое напряжение затворэмиттер (V GE = V CE, I C = 0.5 ма) V GE(th) Напряжение насыщения коллекторэмиттер (V GE = 15 В, I C = 20 А) Ток утечки коллекторэмиттер (V CE = 600 В, V GE = 0 В) V CEsat I CES Ток утечки затворэмиттер (V GE = 20 В, V CE = 0 В) I GES 400 на Характеристики на переменном токе Входная емкость (V CE = 25 В, V GE = 0 В, f = 1 МГц) C ies 1.1 Обратная переходная емкость нф C res 0.07 (V CE = 25 В, V GE = 0 В, f = 1 МГц) Характеристики переключения (индуктивная нагрузка, ) Время задержки включения (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Время нарастания (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) t d(on) t r В ма мкс М6ТКИ.doc стр. 2

3 М6ТКИ Время задержки выключения (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Время спада (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Энергия потерь при включении (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом, T j = 125 C, L S = 15 нгн, за один импульс) Энергия потерь при выключении (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом, T j = 125 C, L S = 15 нгн, за один импульс) Ток короткого замыкания (tp 10 мкс, V CC = 360 В, V GE = ±15 В, V CEmax = V CES L σ(ce) di/dt, T j = 125 C) Внутренняя индуктивность модуля по цепи коллекторэмиттер Характеристики диода обратного тока Прямое падение напряжения (I F = 20 А, V GE = 0 В) Ток обратного восстановления (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) Заряд обратного восстановления (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) Энергия потерь при обратном восстановлении (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) t d(off) t f мкс E on 0.68 мдж E off 0.38 I SC 80 А L σ(ce) 60 нгн V F В 1.2 I RM Q rr E rec А 1.4 мккл 2.4 мдж 0.43 М6ТКИ.doc стр. 3

4 М6ТКИ Типовые выходные характеристики I C = f(v CE ) Режим измерения: V GE = +15 В, T j = 25, 125 C Типовые выходные характеристики I C = f(v CE ) Режим измерения: T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 4

5 М6ТКИ Типовые передаточные характеристики I C = f(v GE ) Режим измерения: V CE = 20 B, T j = 25, 125 C Типовые прямые характеристики диода обратного тока I F = f(v F ) Режим измерения: T j = 25, 125 C М6ТКИ.doc стр. 5

6 М6ТКИ Типовые зависимости коммутационных потерь E = f(i C ), индуктивная нагрузка Режим измерения: V CE = 300 B, V GE = ± 15 B, R G = 27 Ом, T j = 125 C Типовые зависимости коммутационных потерь E = f(r G ), индуктивная нагрузка Режим измерения: I C = 20 А, V CE = 300 В, V GE = ± 15 В, T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 6

7 М6ТКИ Переходное тепловое сопротивление Z thjc = f(t p ) Обратная область безопасной работы I C puls = f(v CE ) Режим измерения: R G = 27 Ом, T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 7

8 М6ТКИ СХЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ГАБАРИТНЫЕ И УСТАНОВОЧНЫЕ РАЗМЕРЫ Масса 0.18 кг М6ТКИ.doc стр. 8

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ М2ТКИ220017 СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30017К одиночный ключ, на основе IGBTкристаллов с вертикальным каналом (Trench Gate технология) встроенный быстродействующий диод обратного тока корпус с изолированным основанием

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ МДТКИ60017 одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин) встроенный быстродействующий

Подробнее

МДТКИ / МТКИД

МДТКИ / МТКИД МДТКИ220017 / МТКИД220017 I IGBTT моодуулии СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ с диодом чоппера в цепи коллектора (МДТКИ220017) или эмиттера (МТКИД220017) встроенный быстродействующий диод обратного тока

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin эффективное значение напряжения пробоя

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм IGB модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB17FA-75N 17 В 75 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ мкс при 15 C o

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-1N 12 В 1 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji -го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-15N 12 В 15 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при

Подробнее

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-1N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля MI-HB12F-3N Информационный лист IGB модуля Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGB модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-2N 12 В 2 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15 C o

Подробнее

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-2N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 80 А (T C = 87 C) I TSM = 1,6 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание прижимная

Подробнее

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250 М О Д У Л И Т И Р И С Т О Р Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 250 А (T C = 85 C) I TSM = 8 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 300-1800 В I T(AV) = 100 А (T C = 85 C) I TSM = 2 кa (T j = 140 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ герметичный металлокерамический корпус низкие потери в открытом состоянии МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс V DRM /V RRM = 400-1000 В I T(AV) = 165 А (T C = 85 C) I TSM = 3,5 кa (T j = 125 C) фланцевая конструкция корпуса ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ допускают эксплуатацию в условиях центробежных и тангенциальных ускорений

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 600 А (T C = 85 C) I T(AV) = 750 А (T C = 70 C) I TSM = 11 кa (T j = 125 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ внутреннее усиление сигнала управления минимальные потери в открытом

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-00, ÒÑ5-5, ÒÑ5-60 Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ m, m - êîíòðîëüíûå òî êè èçìåðåíèÿ èìïóëüñíîãî íàïðÿæåíèÿ â îòêðûòîì ñîñòîÿíèè; m - â îäíîé èç äâóõ òî åê; L =,0 ìì - ìèíèìàëüíîå

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности:

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности: Микросхема мощного стабилизатора напряжения В/0мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE470G ф. Siemens) ILE470G (аналог TLE470G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения

Подробнее

Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В. Таблица 1 - Отличие микросхем по схеме электрической

Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В. Таблица 1 - Отличие микросхем по схеме электрической Восьмиканальный токовый драйвер по схеме Дарлингтона (Функциональный аналог TD62083AFN, TD62084AFN ф. Toshiba) Микросхемы ILN62083D, ILN62083N, ILN62084D, ILN62084N представляют собой восьмиканальный токовый

Подробнее

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА 1 ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА Мартыненко В.А., Мускатиньев В.Г., Наумов Д.А., Бормотов А.Т., Чибиркин В.В. ОАО "Электровыпрямитель" Россия,

Подробнее

IL33063AN, IL33063AD IL34063AN, IL34063AD

IL33063AN, IL33063AD IL34063AN, IL34063AD ИМПУЛЬСНЫЙ РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ IL33063AD/N, IL34063AD/N интегральная микросхема импульсного регулятора напряжения, реализующая основные функции DC-DC конвертеров. Содержит внутренний температурно-компенсированный

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ773-2000-25

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 1800 А и блокирующее

Подробнее

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50,

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1К-1

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1К-1 ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 Драйвер двухканальный ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления двумя IGBT (одиночными или входящими в модуль) на ток

Подробнее

зависящая от нагрузки.

зависящая от нагрузки. Микросхема маломощного стабилизатора напряжения 5 В/150мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4268G ф. Siemens) ILE4268G (аналог TLE4268G ф. Siemens) - однокристальная интегральная микросхема маломощного

Подробнее

Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик

Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 1554ИЕ6ТБМ Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик CT10 15 D1 Q0 03 01 D1 Q1 02 10 D2 Q2 06 09 D3 Q3 07 11 ED C0 13 04-1 B0 12 05 +1 14 R GND Vcc 08 16 Условное графическое

Подробнее

Микросхема стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon)

Микросхема стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) Микросхема стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) ILE4275G, ILE4275S Микросхемы ILE4275G, ILE4275S - интегральные микросхемы стабилизатора

Подробнее

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ DC-DC КОНВЕРТЕР ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ - интегральная микросхема управления, содержащая основные функции, требуемые для DC-

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

СЕТЕВОЙ АДАПТЕР. Назначение вывода вывода 1 Не используется 5 Вывод для подключения нагрузки NT1 2 Вывод для подключения

СЕТЕВОЙ АДАПТЕР. Назначение вывода вывода 1 Не используется 5 Вывод для подключения нагрузки NT1 2 Вывод для подключения НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК НТЦ СИТ СЕТЕВОЙ АДАПТЕР ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ Микросхема представляет собой сетевой импульсный преобразователь напряжения для питания

Подробнее

Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon)

Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) ILE4275G ОПИСАНИЕ Микросхема ILE4275G - интегральная микросхема мощного

Подробнее

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением ILE426G (аналог TLE426G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения 5В/400 ма с низким

Подробнее

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением ILE426G (аналог TLE426G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения 5В/400 ма с низким

Подробнее

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР НА 120 ма СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET КЛЮЧОМ

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР НА 120 ма СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET КЛЮЧОМ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР НА 120 ма СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET КЛЮЧОМ Микросхема IL33120D, IZ33120 микросхема высоковольтного LED драйвера со встроенным MOSFET ключом, предназначена для управления цепочками

Подробнее

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ МОП РЕЛЕ ВОПРОСЫ ПО ПРИМЕНЕНИЮ. Вопросы по применению

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ МОП РЕЛЕ ВОПРОСЫ ПО ПРИМЕНЕНИЮ. Вопросы по применению Вопросы по применению Оптоэлектронные МОП - реле Как работает оптоэлектронное МОП - реле Входной ток срабатывания реле Почему реле срабатывает при выключенном светодиоде Повышение помехоустойчивости реле

Подробнее

IZ9261-ХХХ СЕРИЯ МИКРОСХЕМ ПОВЫШАЮЩИХ ИНТЕГР АЛ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ

IZ9261-ХХХ СЕРИЯ МИКРОСХЕМ ПОВЫШАЮЩИХ ИНТЕГР АЛ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ СЕРИЯ МИКРОСХЕМ ПОВЫШАЮЩИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ Микросхемы, являются повышающими преобразователями напряжения (импульсными стабилизаторами) с выходными напряжениями 1,5; 2,5; 3,3; 5,0 В соответственно.

Подробнее

Модули серий МПС60 изготовлены с использованием технологии поверхностного монтажа на импортной элементной базе.

Модули серий МПС60 изготовлены с использованием технологии поверхностного монтажа на импортной элементной базе. ММП-ИРБИС ход ~220 ; ыход 60 т Модули серий МПС60 изготовлены с использованием технологии поверхностного монтажа на импортной элементной базе. Функциональные особенности нешнее выключение Регулировка выходного

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее:

П416, П416А, П416Б. Электрические параметры Предельная частота усиления по току в схеме с ОБ при Uкб = 5 В, Iэ = 5 ма не менее: П416, П416А, Транзисторы германиевые диффузионные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в импульсных схемах и радиотехнических устройствах в диапазоне коротких и ультракоротких

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË5350, ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53, ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-60-17-3ФП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-60-17-3ФП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 3600 А и блокирующее

Подробнее

Понижающий преобразователь напряжения (функциональный аналог MP 1583 фирмы Monolithic Power Systems)

Понижающий преобразователь напряжения (функциональный аналог MP 1583 фирмы Monolithic Power Systems) Понижающий преобразователь напряжения (функциональный аналог MP 1583 фирмы Monolithic Power Systems) Микросхема IZ1583 понижающий преобразователь напряжения. Микросхема управляет мощным встроенным силовым

Подробнее

Модули серий МПВ100 и МПЕ100 изготовлены по технологии поверхностного монтажа с применением зарубежной элементной базы.

Модули серий МПВ100 и МПЕ100 изготовлены по технологии поверхностного монтажа с применением зарубежной элементной базы. ММП-ИРБИС Модули питания серии МП100, МПЕ100: ход 18 36, 36 72 ; ыход 100 т Модули серий МП100 и МПЕ100 изготовлены по технологии поверхностного монтажа с применением зарубежной элементной базы. Функциональные

Подробнее

Модули питания серий MС15 и МС15 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 15 Вт

Модули питания серий MС15 и МС15 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 15 Вт Декабрь 26 ММП-ИРБИС Модули питания серий MС15 и МС15 4С (1 и 2 канала): ход ~22 ; ыход 15 т Модули питания серий МС15 и МС15 4С изготовлены с использованием технологии комбинированного монтажа на импортной

Подробнее

2М410А,Б,Б1,В,В1,Г МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ МОДУЛИ В ГИБРИДНОМ ИСПОЛНЕНИИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, СО ВСТРОЕННЫМИ

2М410А,Б,Б1,В,В1,Г МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ МОДУЛИ В ГИБРИДНОМ ИСПОЛНЕНИИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, СО ВСТРОЕННЫМИ 2М410А,Б,Б1,,1,Г Примение: Электропривод, преобразовательная техника, системы электроснабжения, вторичные источники питания Описание: Мощные кремниевые модули в гибридном исполнии на биполярных транзисторах

Подробнее

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ Микросхема IZ9921, IZ9922, IZ9923 микросхема высоковольтного LED - драйвера со встроенным MOSFET-ключом, предназначена для управления светодиодными

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802А Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802А в металлостеклянном корпусе

Подробнее

DC-DC КОНВЕРТЕР. Номер вывода

DC-DC КОНВЕРТЕР. Номер вывода НТЦ СИТ НАУЧНОТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ интегральная микросхема управления, содержащая основные функции, требуемые для DCDC конвертеров. Она

Подробнее

к т в ш и п ) 2Т819М-В2). КТ819(А-Г)

к т в ш и п ) 2Т819М-В2). КТ819(А-Г) 2Т89А, 2Т89Б, 2Т89В, 2Т89А2, 2Т89Б2, 2Т89В2, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г, КТ89АМ, КТ89БМ, КТ89ВМ, КТ89ГМ, КТ89А, КТ89Б, КТ89В, КТ89Г Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные.

Подробнее

П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309

П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309 П307, П307А, П307Б, П307В, П307Г, П308, П309 Транзисторы кремниевые планарные высоковольтные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах широкополосных и высоковольтных

Подробнее

Таблица 1.2 Каналы ввода-вывода Под Сигнатура Канал Клеммы Назначение канала

Таблица 1.2 Каналы ввода-вывода Под Сигнатура Канал Клеммы Назначение канала Структура каналов вво/выво Измерение, контроль и генерация аналоговых и дискретных сигналов осуществляется посредством 10-ти аналоговых и 17-ти дискретных каналов вво-выво организованных в подгруппы (Таблица

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ33-50, ТБ33-30, ТБ33-400, ТБ43-400, ТБ43-500, ТБ43-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических

Подробнее

КП7173А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном

КП7173А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном КП773А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором,

Подробнее

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1К-3

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1К-3 ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-3ФП1К-3 Драйвер двухканальный ДРИ21-10-17-3ФП1К-3 (далее - драйвер) предназначен для управления двумя IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

Модули питания серий MС5 и МС5 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 5 Вт

Модули питания серий MС5 и МС5 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 5 Вт Май 8 ММП-ИРБИС Модули питания серий MС5 и МС5 40С (1 и 2 канала): ход ~220 ; ыход 5 т Модули питания серий МС5 и МС5 40С изготовлены с использованием технологии комбинированного монтажа на импортной элементной

Подробнее

2T9105АС, К Т 9105А С

2T9105АС, К Т 9105А С 2Т9105АС, КТ9105АС Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях в диапазоне частот 100...500

Подробнее

Транзисторные элементы серии «Логика-Т»

Транзисторные элементы серии «Логика-Т» Транзисторные элементы серии «Логика-Т» В соответствии с ГОСТ.2177 74 установлена следующая структура условного обозначения транзисторных элементов серии «Логика-Т»: Пример условного обозначения транзисторного

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь ПРИБОРЫ, ПОСТАВЛЯЕМЫЕ ОАО «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» Д Л Я Н У Ж Д В П К Основные особенности силовых полупроводниковых приборов с приемкой «5»: ٠расширенный диапазон температур окружающей среды (от минус 60

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802Б Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802Б в металлостеклянном корпусе

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå (ÌÒÎÒÎ) ñîñòîÿò èç äâóõ îïòîòèðèñòîðíûõ ýëåìåíòîâ ñî âñòðå íî-ïàðàëëåëüíîé ñõåìîé ñîåäèíåíèÿ â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì

Подробнее

СИЛОВЫЕ МОДУЛИ ТЕХНОЛОГИИ БУДУЩЕГО СЕГОДНЯ

СИЛОВЫЕ МОДУЛИ ТЕХНОЛОГИИ БУДУЩЕГО СЕГОДНЯ СИЛОВЫЕ МОДУЛИ ТЕХНОЛОГИИ БУДУЩЕГО СЕГОДНЯ 5-е поколение IGBT Окисел затвора Металлический слой Р+ диффузия N+ эмиттер Поликремниевый затвор N барьерный слой О П И С А Н И Е Разрез CSTBT 5-го поколения

Подробнее

Понижающий импульсный регулятор напряжения

Понижающий импульсный регулятор напряжения Понижающий импульсный регулятор напряжения Микросхемы IL2596SG3.3, IL2596SG5.0, IL2596SG12, IL2596SGADJ, IZ2596S3.3, IZ2596S5.0, IZ2596S12, IZ2596SADJ представляют собой ряд понижающих импульсных регуляторов

Подробнее

ИЛТ Драйвер управления тиристором

ИЛТ Драйвер управления тиристором ИЛТ Драйвер управления тиристором Схемы преобразователей на тиристорах требуют изолированного управления. Логические изоляторы потенциала типа ИЛТ совместно с диодным распределителем допускают простое

Подробнее

1393ЕУ014. Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом БЛОК СХЕМА ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ

1393ЕУ014. Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом БЛОК СХЕМА ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 ОСНОВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ Радиационная стойкость; Диапазон входных напряжений 8,5 36В; Ток потребления

Подробнее

Блоки питания серии БПС100 изготовлены с использованием технологии комбинированного монтажа на импортной элементной базе.

Блоки питания серии БПС100 изготовлены с использованием технологии комбинированного монтажа на импортной элементной базе. Июнь 27 ММП-ИРБИС Блоки питания серии БПС (1 канал): ход ~22 ; ыход т Блоки питания серии БПС изготовлены с использованием технологии комбинированного монтажа на импортной элементной базе. Функциональные

Подробнее

Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ

Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ Кастров М.Ю., Лукин А.В., Малышков Г.М. ТРАНЗИТ ЭНЕРГИИ КОММУТАЦИОННЫХ ПОТЕРЬ В НАГРУЗКУ Схемы, состоящие из пассивных и нелинейных элементов (LD) и позволяющие уменьшить коммутационные потери, часто называют

Подробнее

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений ГОСТ 27264-87(СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые. Методы измерений Группа Е69 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДAPT СОЮЗА ССР Дата введения 01.01.1988 ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической

Подробнее

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Тиристор ысокая стойкость к электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Разработан для промышленного применения Средний прямой ток Повторяющееся

Подробнее

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ

КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С P-N ПЕРЕХОДОМ И N-КАНАЛОМ КП82А КП82Б аа. 336. 82 ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные N-канальные полевые транзисторы КП82А, КП82Б в металлостеклянном корпусе КТ-9 предназначены для работы в схемах преобразователей постоянного

Подробнее

Постоянное ужесточение требований к удельной мощности

Постоянное ужесточение требований к удельной мощности Александр Русу (г. Одесса) Как выбрать оптимальные полевые транзисторы для синхронных выпрямителей Применение синхронных выпрямителей лучший способ снижения потерь во вторичных цепях преобразователей энергии.

Подробнее

Драйверы 1ДР-Х-12(17)-Н2. Драйвер 1ДР-Х-12(17)-Н2 имеет конструктивное исполнение, указанное на рис.1.

Драйверы 1ДР-Х-12(17)-Н2. Драйвер 1ДР-Х-12(17)-Н2 имеет конструктивное исполнение, указанное на рис.1. О Т К Р Ы Т О Е А К Ц И О Н Е Р Н О Е О Б Щ Е С Т В О "НПО "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" 142190, Московская обл., г. Троицк, Сиреневый бульвар, д. 15 Тел.: (495) 220-62-83 Филиал: 428024, Чувашская республика, г. Чебоксары,

Подробнее

1ЕП2 ЭП Краткие основные характеристики:

1ЕП2 ЭП Краткие основные характеристики: OAO «ОКБ «Экситон» 142500 г. Павловский Посад Московской обл., ул. Интернациональная, д.34а Тел. 8-(49643)-2-31-07, 8-(49643)-7-04-07 www.okbexiton.ru E-mail: okbexiton@mail.ru 1ЕП2 ЭП Ближайший функциональный

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б1 в металлокерамическом корпусе КТ-19А-3 с планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры,

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË6-00, ÄË6-50, ÄË7-30, ÄË7-400 Äèîäû ëàâèííûå íèçêî àñòîòíûå ñ ãèáêèì âûâîäîì ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â âûïðÿìèòåëüíûõ óñòðîéñòâàõ, èñòî íèêàõ ïèòàíèÿ è óñòðîéñòâàõ çàùèòû îò ïåðåíàïðÿæåíèé.

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Ä3500, Ä33600, Ä43000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3500, Ä33600, Ä43000 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

СЕМИРАЗРЯДНЫЙ ТОКОВЫЙ ДРАЙВЕР ПО СХЕМЕ ДАРЛИНГТОНА (функциональный аналог ULN2003A, ULN2004A ф. «Texas Instruments»)

СЕМИРАЗРЯДНЫЙ ТОКОВЫЙ ДРАЙВЕР ПО СХЕМЕ ДАРЛИНГТОНА (функциональный аналог ULN2003A, ULN2004A ф. «Texas Instruments») СЕМИРАЗРЯДНЫЙ ТОКОВЫЙ ДРАЙВЕР ПО СХЕМЕ ДАРЛИНГТОНА (функциональный аналог ULN2003A, ULN2004A ф. «Texas Instruments») Микросхемы ILN2003BN, ILN2003BD, ILN2004BN, ILN2004BD семиразрядный токовый драйвер

Подробнее

Транзисторы предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 230МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Транзисторы предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 230МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации П8А Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор Описание Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83 Золотая

Подробнее

IL1501, IL , IL , IL

IL1501, IL , IL , IL СЕРИЯ МИКРОСХЕМ ПОНИЖАЮЩЕГО DC/DC КОНЕРТЕРА (Функциональный аналог AP1501 ф. Anachip) Микросхемы IL1501, IL1501-33, IL1501-50, IL1501-12 - являются понижающими DC/DC конвертерами. Назначение микросхем

Подробнее

Понижающий импульсный регулятор напряжения

Понижающий импульсный регулятор напряжения Понижающий импульсный регулятор напряжения IL2576SG-XX Микросхемы IL2576SG-3.3, IL2576SG-5.0, IL2576SG-12, IL2576SG-ADJ представляют собой ряд понижающих импульсных регуляторов напряжения с частотой преобразования

Подробнее

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс»

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Типы серийно выпускаемых твердотельных реле Реле переменного тока: с контролем перехода

Подробнее

Модули питания серии МПА10, МПВ10, МПЕ10: Вход 9 18 В, В, В; Выход 10 Вт

Модули питания серии МПА10, МПВ10, МПЕ10: Вход 9 18 В, В, В; Выход 10 Вт правочные данные ентябрь 2001 ММП-ИРБИ Модули питания серии МП10, МП10, МПЕ10: ход 9 18, 18 36, 36 72 ; ыход 10 т Функциональные особенности нешнее выключение Регулировка выходного напряжения от 95 до

Подробнее

Искробезопасные разделительные преобразователи и устройства защиты

Искробезопасные разделительные преобразователи и устройства защиты 5 Искробезопасные разделительные преобразователи и устройства защиты Искробезопасные разделительные преобразователи серии ET 5- ET 00 Преобразователи разделительные дискретных сигналов 5-3 ET 400 Преобразователи

Подробнее

Мощный кремниевый n-p-n транзистор

Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б Мощный кремниевый n-p-n транзистор Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б в металлостеклянном корпусе КТ-97В с неизолированным фланцем и планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных

Подробнее

ИНТЕГРАЛ IL6562. КОРРЕКТР ФАКТОРА МОЩНОСТИ (функциональный аналог L6562D, ф.stmicroelectronics)

ИНТЕГРАЛ IL6562. КОРРЕКТР ФАКТОРА МОЩНОСТИ (функциональный аналог L6562D, ф.stmicroelectronics) КОРРЕКТР ФАКТОРА МОЩНОСТИ (функциональный аналог L6562D, ф.stmicroelectronics) Микросхема корректора фактора мощности проектируется для использования в качестве первичного преобразователя в системах электронного

Подробнее

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ

Микросборка 2609КП1П АЯЕР ТУ Микросборка 269КПП АЯЕР.436.84 ТУ Код ОКП 63332973. Код ЕКПС 963 Нормально разомкнутый полупроводниковый твердотельный коммутатор в гибридном исполнении с гальванической оптоэлектронной развязкой для коммутации

Подробнее

TRENCH 4 ПЕРВАЯ УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ IGBT

TRENCH 4 ПЕРВАЯ УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ IGBT силовая электроника материал на сайте: 48.32 Андрей Колпаков TRENCH 4 ПЕРВАЯ УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ IGBT Особенностью непрерывно растущего рынка частотных преобразователей является широкая номенклатура

Подробнее

ограничительных и выпрямительно-ограничительных

ограничительных и выпрямительно-ограничительных Анатолий Нефедов (г. Москва) Новые ограничительные и выпрямительноограничительные диоды Радиоэлектронное и электротехническое оборудование должно содержать элементы защиты, гарантирующие безопасную и надежную

Подробнее

Микросхема понижающего преобразователя напряжения 1310ПН1У, К1310ПН1У, К1310ПН1Н4

Микросхема понижающего преобразователя напряжения 1310ПН1У, К1310ПН1У, К1310ПН1Н4 Микросхема понижающего преобразователя напряжения 1310ПН1У, К1310ПН1У, К1310ПН1Н4 Спецификация Основные характеристики микросхемы: Входное напряжение от 3,0 В до 5,5 В Ток нагрузки до 1,5 А Фиксированные

Подробнее