ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора"

Транскрипт

1 М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи частоты источники бесперебойного питания сварочное оборудование ПСН подвижного состава железных дорог ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ V CES = 600 В V CEsat = 1.95 В (тип.) I C = 32 А (T C = 25 C) I C = 20 А (T C = 80 C) МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ Наименование Условное обозначение Значение Напряжение коллекторэмиттер V CE 600 Напряжение затворэмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора при T C = 25 C I C 32 при T C = 80 C 20 Повторяющийся импульсный ток коллектора (t p =1 мс, T C = 80 C) I Cpuls 40 Постоянный прямой ток диода обратного тока I F 20 Повторяющийся импульсный прямой ток диода обратного тока I FRM 40 Единица измерения Параметр I 2 t для диода обратного тока (t p = 10 мс, T j = 125 C) I 2 t 0.13 ка 2 с Суммарная мощность рассеивания, IGBT (на один ключ, T C = 25 C) P tot 125 Вт Максимальная температура перехода T j Температура хранения T stg Напряжение изоляции (t = 1 мин.) V isol 2500 В (эфф) В А C М6ТКИ.doc стр. 1

2 М6ТКИ ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ Наименование Условное обозначение Значение Тепловое сопротивление переходкорпус, IGBT (на один ключ) R thjc 1.0 Тепловое сопротивление переходкорпус, диод обратного тока (на один ключ) Тепловое сопротивление корпусохладитель, λ paste = 1 Вт/м С, на модуль (типовое значение) R thjcd 1.5 R thck 0.02 Единица измерения C/Вт ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (при 25 C, если не указано иное значение) Наименование Значение Условное Единица обозначение мин. тип. макс. измерения Статические характеристики Пороговое напряжение затворэмиттер (V GE = V CE, I C = 0.5 ма) V GE(th) Напряжение насыщения коллекторэмиттер (V GE = 15 В, I C = 20 А) Ток утечки коллекторэмиттер (V CE = 600 В, V GE = 0 В) V CEsat I CES Ток утечки затворэмиттер (V GE = 20 В, V CE = 0 В) I GES 400 на Характеристики на переменном токе Входная емкость (V CE = 25 В, V GE = 0 В, f = 1 МГц) C ies 1.1 Обратная переходная емкость нф C res 0.07 (V CE = 25 В, V GE = 0 В, f = 1 МГц) Характеристики переключения (индуктивная нагрузка, ) Время задержки включения (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Время нарастания (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) t d(on) t r В ма мкс М6ТКИ.doc стр. 2

3 М6ТКИ Время задержки выключения (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Время спада (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Энергия потерь при включении (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом, T j = 125 C, L S = 15 нгн, за один импульс) Энергия потерь при выключении (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом, T j = 125 C, L S = 15 нгн, за один импульс) Ток короткого замыкания (tp 10 мкс, V CC = 360 В, V GE = ±15 В, V CEmax = V CES L σ(ce) di/dt, T j = 125 C) Внутренняя индуктивность модуля по цепи коллекторэмиттер Характеристики диода обратного тока Прямое падение напряжения (I F = 20 А, V GE = 0 В) Ток обратного восстановления (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) Заряд обратного восстановления (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) Энергия потерь при обратном восстановлении (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) t d(off) t f мкс E on 0.68 мдж E off 0.38 I SC 80 А L σ(ce) 60 нгн V F В 1.2 I RM Q rr E rec А 1.4 мккл 2.4 мдж 0.43 М6ТКИ.doc стр. 3

4 М6ТКИ Типовые выходные характеристики I C = f(v CE ) Режим измерения: V GE = +15 В, T j = 25, 125 C Типовые выходные характеристики I C = f(v CE ) Режим измерения: T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 4

5 М6ТКИ Типовые передаточные характеристики I C = f(v GE ) Режим измерения: V CE = 20 B, T j = 25, 125 C Типовые прямые характеристики диода обратного тока I F = f(v F ) Режим измерения: T j = 25, 125 C М6ТКИ.doc стр. 5

6 М6ТКИ Типовые зависимости коммутационных потерь E = f(i C ), индуктивная нагрузка Режим измерения: V CE = 300 B, V GE = ± 15 B, R G = 27 Ом, T j = 125 C Типовые зависимости коммутационных потерь E = f(r G ), индуктивная нагрузка Режим измерения: I C = 20 А, V CE = 300 В, V GE = ± 15 В, T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 6

7 М6ТКИ Переходное тепловое сопротивление Z thjc = f(t p ) Обратная область безопасной работы I C puls = f(v CE ) Режим измерения: R G = 27 Ом, T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 7

8 М6ТКИ СХЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ГАБАРИТНЫЕ И УСТАНОВОЧНЫЕ РАЗМЕРЫ Масса 0.18 кг М6ТКИ.doc стр. 8


Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ5006 С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin О С Н О В Н Ы Е

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ М2ТКИ220017 СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12Ч

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12Ч С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь М2ТКИ5012Ч I IGBT модуули www.elvpr.ru полумост корпус с изолированным основанием низкое значение энергий коммутационных потерь при включении E on и выключении E off оптимальные

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30017К одиночный ключ, на основе IGBTкристаллов с вертикальным каналом (Trench Gate технология) встроенный быстродействующий диод обратного тока корпус с изолированным основанием

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ МДТКИ60017 одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин) встроенный быстродействующий

Подробнее

МДТКИ / МТКИД

МДТКИ / МТКИД МДТКИ220017 / МТКИД220017 I IGBTT моодуулии СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ с диодом чоппера в цепи коллектора (МДТКИ220017) или эмиттера (МТКИД220017) встроенный быстродействующий диод обратного тока

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 600 А (T C = 80 C) I Cpuls = 1200 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 600 А (T C = 80 C) I Cpuls = 1200 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ60012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12К

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12К С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь I IGBT модуули www.elvpr.ru полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes)

Подробнее

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin эффективное значение напряжения пробоя

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ Т. транспорт мощные высоковольтные электропривода, работающие в циклическом режиме

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ Т. транспорт мощные высоковольтные электропривода, работающие в циклическом режиме СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенный быстродействующий диод обратного тока повышенная устойчивость к температурным циклам (не менее 100 000 циклов при T j = 70 C) корпус повышенной прочности с изолированным

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

«ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ»

«ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» М2ТКИ150122КН / МДТКИ150122КН / МТКИД150122КН О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ КT

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ КT СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм IGB модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB17FA-75N 17 В 75 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ мкс при 15 C o

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-1N 12 В 1 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji -го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-15N 12 В 15 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при

Подробнее

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-100N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-1N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля MI-HB12F-3N Информационный лист IGB модуля Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGB модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-2N 12 В 2 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15 C o

Подробнее

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля MIF-HB12F-2N Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора Максимальный повторяющийся

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 80 А (T C = 87 C) I TSM = 1,6 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание прижимная

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-4N 12 В 4 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение UCE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) ТБИ V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 2,5 ка

ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) ТБИ V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 2,5 ка ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) V DRM /V RRM = 600-1200 В I T(AV) = 105 А (T C = 85 C) I T(AV) = 130 А (T C = 70 C) I TSM = 2,5 кa (T j = 125 C) внутреннее усиление сигнала управления

Подробнее

MIAA-HB17FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB17FA-300N Информационный лист IGBT модуля IGBTмодуль модульмодуль вмодуль стандартноммодуль корпусемодуль 62мм 17модульВмодульмодульмодульA Особенностимодульчипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение

Подробнее

MIAA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-200N Информационный лист IGBT модуля IGBTмодуль модульмодуль вмодуль стандартноммодуль корпусемодуль 62мм 1модульВмодульмодульмодульA Особенностимодульчипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение UCE(sat)

Подробнее

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250 М О Д У Л И Т И Р И С Т О Р Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 250 А (T C = 85 C) I TSM = 8 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное

Подробнее

В 400 Максимально допустимый постоянный 6,0 А

В 400 Максимально допустимый постоянный 6,0 А N-канальный MOSFET Краткая характеристика Сопротивление сток-исток в открытом состоянии не более 0.95 Ом при U ЗИ = 10 В Заряд затвора (номинальная 25 нкл) Максимально допустимая температура перехода 150

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 300-1800 В I T(AV) = 100 А (T C = 85 C) I TSM = 2 кa (T j = 140 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ герметичный металлокерамический корпус низкие потери в открытом состоянии МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80 Предлагаем ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ РАЗЪЕМЫ (радиодетали) МТТ80 МТД80 МДТ80 СО СКЛАДА И ПОД ЗАКАЗ Беларусь г.минск тел./факс 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by Техническая информация

Подробнее

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс V DRM /V RRM = 400-1000 В I T(AV) = 165 А (T C = 85 C) I TSM = 3,5 кa (T j = 125 C) фланцевая конструкция корпуса ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ допускают эксплуатацию в условиях центробежных и тангенциальных ускорений

Подробнее

400 В сток-исток Максимально допустимый постоянный 10,0 А

400 В сток-исток Максимально допустимый постоянный 10,0 А N-канальный MOSFET Краткая характеристика Сопротивление сток-исток в открытом состоянии не более 0.55 Ом при U ЗИ = 10 В Заряд затвора (номинальная 38 нкл) Максимально допустимая температура перехода 150

Подробнее

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80 М О Д У Л И Д И О Д Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V RRM = 400-1600 В I F(AV) = 80 А (T C = 100 C) I FSM = 2 кa (T j = 140 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание

Подробнее

MIFA-HB17FA-150N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB17FA-150N Информационный лист IGBT модуля IGBTмодуль модульмодуль вмодуль стандартноммодуль корпусемодуль 34мм Особенностимодульчипов IGBT чип 17модуль Вмодуль модуль модуль A o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение

Подробнее

MIFA-HB12FA-150N Информационный лист IGBT модуля

MIFA-HB12FA-150N Информационный лист IGBT модуля IGBTмодуль модульмодуль вмодуль стандартноммодуль корпусемодуль 34мм Особенностимодульчипов IGBT чип 1модуль Вмодуль модуль 15модуль A o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 600 А (T C = 85 C) I T(AV) = 750 А (T C = 70 C) I TSM = 11 кa (T j = 125 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ внутреннее усиление сигнала управления минимальные потери в открытом

Подробнее

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ V DRM = 2400-3400 В I T(AV) = 815 А (T C = 85 C) I T(AV) = 1030 А (T C = 70 C) I TSM = 16 кa (T j = 125 C) АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР низкие времена выключения разветвлённый управляющий электрод с усилением

Подробнее

ДЛ ЛАВИННЫЙ ДИОД МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ. V RRM = В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C)

ДЛ ЛАВИННЫЙ ДИОД МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ. V RRM = В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C) ЛАВИННЫЙ ДИОД V RRM = 1600-2000 В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C) минимальные потери пригодны для последовательного и параллельного соединения (малый разброс Q rr, V FM, I RRM

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ273-2000-20

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT12/3500, МДT12/3500, МTД12/3500, МТТ12/4500, МТТ12/5500, МTT12/3630, МДT12/3630, МTД12/3630, МТТ12/4630, МТТ12/5630, МTT12/3800, МДT12/3800, МTД12/3800, МТТ12/4800,

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÒÒ6/3-60, ÌÒÄ6/3-60, ÌÄÒ6/3-60,

Подробнее

Модули тиристорные и комбинированные

Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/3-1, МДT13/3-1, МTД13/3-1, МТТ13/4-1,, МT17/1-1 (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) состоят из силовых полупроводниковых элементов: тиристоров,

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß

ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß Ìîäóëè äèîäíûå áûñòðîâîññòàíàâëèâàþùèåñÿ (ÌÄ Ä ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè àñòîòíûõ äèîäîâ. Ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÄ Ä 8/300, ÌÄ Ä 8/35,

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25

Силовые транзисторы типов ТК135-16, ТК135-25 Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для применения в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-00, ÒÑ5-5, ÒÑ5-60 Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ m, m - êîíòðîëüíûå òî êè èçìåðåíèÿ èìïóëüñíîãî íàïðÿæåíèÿ â îòêðûòîì ñîñòîÿíèè; m - â îäíîé èç äâóõ òî åê; L =,0 ìì - ìèíèìàëüíîå

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T383 T683 T83300 T583300 Ò830 Òèðèñòîðû òàáëåòî íîé êîíñòðóêöèè Êîíñòðóêöèÿ òèðèñòîðîâ Вывод анода 3.5 х min отв. Вывод управляющего электрода Дополнительный вывод катода L= ìì ðàññòîÿíèå ïî

Подробнее

Два J-K триггера с управлением отрицательным фронтом по тактовому входу

Два J-K триггера с управлением отрицательным фронтом по тактовому входу ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 1554ТВ9ТБМ Два J-K триггера с управлением отрицательным фронтом по тактовому входу 4, 1 3, 11 1, 13 2, 12 15, 14 S J C K R T GND Vcc 5, 9 6, 7 8 16 Условное графическое обозначение

Подробнее

MOSFET-инверторы. Светодиодная подсветка и светильники. Мощные звуковые усилители класса «D» Низковольтные источники и преобразователи Автотранспорт

MOSFET-инверторы. Светодиодная подсветка и светильники. Мощные звуковые усилители класса «D» Низковольтные источники и преобразователи Автотранспорт Электрум АВ Светодиодная подсветка и светильники Мощные звуковые усилители класса «D» Низковольтные источники и преобразователи Автотранспорт Промышленное оборудование MOSFET-инверторы 2 Управление электродвигателями

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25 ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-6,3, ÒÑ5-0, ÒÑ5-6, ÒÑ5-5 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òðèàêè ÒÑ5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

ТД320А, ТД320Б. Ударный ток при tимп = 10 мс при температуре структуры +125 С. i 2 dt при tимп = 10 мс. ТД320А А 2 *с ТД320Б А 2 *с

ТД320А, ТД320Б. Ударный ток при tимп = 10 мс при температуре структуры +125 С. i 2 dt при tимп = 10 мс. ТД320А А 2 *с ТД320Б А 2 *с , Тиристоры серии ТД (ТУ 1.6.529.420-71, информационный материал 05.04.15-73) предназначены для работы на частоте до 500 Гц и характеризуются как тиристоры с повышенными динамическими параметрами, т.е.

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» тиристорные тиристорные и МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363, МTД13/363, МТТ13/463, МТТ13/563, МT17/163, МTT13/38, МДT13/38, МTД13/38, МТТ13/48, МТТ13/58, МT17/18 тиристорные и (в

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-6 ДЧ-6Х, ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-5, ДЧ-5Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются

Подробнее

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности:

ILE4270G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/550мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4270G ф. Siemens) Особенности: Микросхема мощного стабилизатора напряжения В/0мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE470G ф. Siemens) ILE470G (аналог TLE470G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения

Подробнее

Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå. Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé:

Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå. Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé: Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé: ÌÄÄ6/3-60, ÌÄÄ6/3-00, ÌÄÄ6/3-50 ÌÄÄ8/3-5, ÌÄÄ8/3-60, ÌÄÄ8/3-00

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-10-12-1ОМ1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

Два J-K триггера с управлением положительным фронтом по тактовому входу

Два J-K триггера с управлением положительным фронтом по тактовому входу ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 1554ТВ15ТБМ Два J-K триггера с управлением положительным фронтом по тактовому входу T 05, 11 06, 10 S Q 02, 14 J 04, 12 07, 09 C Q 03, 13 K 01, 15 08 R GND 16 Vcc Условное графическое

Подробнее

Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В. Таблица 1 - Отличие микросхем по схеме электрической

Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В. Таблица 1 - Отличие микросхем по схеме электрической Восьмиканальный токовый драйвер по схеме Дарлингтона (Функциональный аналог TD62083AFN, TD62084AFN ф. Toshiba) Микросхемы ILN62083D, ILN62083N, ILN62084D, ILN62084N представляют собой восьмиканальный токовый

Подробнее

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь»

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь» МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT2/30, МДT2/30, МTД2/30, МТТ2/40, МТТ2/50, МTT2/3630, МДT2/3630, МTД2/3630, МТТ2/4630, МТТ2/5630, МTT2/3800, МДT2/3800, МTД2/3800, МТТ2/4800, МТТ2/5800 (в пластмассовом

Подробнее

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДЧЛ , ДЧЛ , ДЧЛ

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДЧЛ , ДЧЛ , ДЧЛ ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока и применяются в различных преобразователях электроэнергии.

Подробнее

IL33063AN, IL33063AD IL34063AN, IL34063AD

IL33063AN, IL33063AD IL34063AN, IL34063AD ИМПУЛЬСНЫЙ РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ IL33063AD/N, IL34063AD/N интегральная микросхема импульсного регулятора напряжения, реализующая основные функции DC-DC конвертеров. Содержит внутренний температурно-компенсированный

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» Модули Модули тиристорные тиристорные и Беларусь г.минск тел./факс 8(17)25646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363,

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò65-50, Ò65-63, Ò65-80, Ò65-00 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò65 âûïóñêàþò íà òîêè 50, 63, 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 00 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ.

Подробнее

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ3350, ДЧ3330,, ДЧ43500, ДЧ43800 Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока и применяются в различных

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ773-2000-25

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» Беларусь г.минск тел./факс 8(017)5646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT14/3400, МДT14/3400, МTД14/3400, МTT14/30, МДT14/30,

Подробнее

Двухпозиционный Диодный Модуль МДx F

Двухпозиционный Диодный Модуль МДx F Все размеры в миллиметрах (дюймах) ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Изолированное основание Корпус промышленного стандарта Упрощенная механическая конструкция, быстрая сборка Прижимная конструкция Двухпозиционный Диодный

Подробнее

ДРАЙВЕР СЕМИКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1

ДРАЙВЕР СЕМИКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОМ1К-1 ДРАЙВЕР СЕМИКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ71-10-12-1ОМ1К-1 Драйвер семиканальный ДРИ71-10-12-1ОМ1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления семью IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

SiC-диоды Шоттки. Введение

SiC-диоды Шоттки. Введение SiC-диоды Шоттки: снижение потерь в режиме жесткой коммутации Замена кремниевых сверхбыстрых (Ultrafast) Si-диодов с плавной характеристикой восстановления, используемых в качестве оппозитных IGBT в режиме

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х,

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х, ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД13/3-1000, МДД13/4-1000, МДД13/5-1000, МДД13/3-1250, МДД13/4-1250, МДД13/5-1250, МД17/1-1000, МД17/1-1250

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД13/3-1000, МДД13/4-1000, МДД13/5-1000, МДД13/3-1250, МДД13/4-1250, МДД13/5-1250, МД17/1-1000, МД17/1-1250 МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД3/3, МДД3/4, МДД3/5, МДД3/325, МДД3/425, МДД3/525, МД7/, МД7/25 Модули диодные (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) собраны по схемам, указанным ниже. Модули предназначены

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-30-17-2ОП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 1800 А и блокирующее

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00 МДT0/3-00 МTД0/3-00 МТТ0/4-00 МТТ0/5-00 МTT0/3-50 МДT0/3-50 МTД0/3-50 МТТ0/4-50 МТТ0/5-50 МTT0/3-30 МДT0/3-30 МTД0/3-30

Подробнее

СИЛОВЫЕ МОДУЛИ Сборка кристаллов в модули производилась на действующей ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ

СИЛОВЫЕ МОДУЛИ Сборка кристаллов в модули производилась на действующей ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ СОВРЕМЕННЫЕ IGBT-МОДУЛИ НА НАПРЯЖЕНИЕ 12 17 В ДЛЯ ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИХ ЭЛЕКТРОПРИВОДОВ П.Машевич, к. т.н. mashevich@angstrem.ru; В.Мартыненко martin@moris.ru; Т.Крицкая kritskaya@angstrem.ru; В.Мускатиньев

Подробнее

2 Т909(А,Б), КТ909(А-Г)

2 Т909(А,Б), КТ909(А-Г) 2Т909А, 2Т909Б, КТ909А, КТ909Б, КТ909В, КТ909Г Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах

Подробнее

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50,

Подробнее

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА

ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА 1 ПРИЖИМНЫЕ IGBT МОДУЛИ ТАБЛЕТОЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННОСТИ, ЭНЕРГЕТИКИ И ТРАНСПОРТА Мартыненко В.А., Мускатиньев В.Г., Наумов Д.А., Бормотов А.Т., Чибиркин В.В. ОАО "Электровыпрямитель" Россия,

Подробнее

Восьмиканальный высоковольтный токовый драйвер (Функциональный аналог TD62783AFN, TD62784AFN ф. Toshiba)

Восьмиканальный высоковольтный токовый драйвер (Функциональный аналог TD62783AFN, TD62784AFN ф. Toshiba) Восьмиканальный высоковольтный токовый драйвер (Функциональный аналог TD62783AFN, TD62784AFN ф. Toshiba) Микросхемы ILN62783D, ILN62783N, ILN62784D, ILN62784N представляет собой восемь токовых драйверов

Подробнее

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1К-1

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ОП1К-1 ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 Драйвер двухканальный ДРИ21-10-17-2ОП1К-1 (далее - драйвер) предназначен для управления двумя IGBT (одиночными или входящими в модуль) на ток

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

П605, П605А, П606, П606А

П605, П605А, П606, П606А П605, П605А, П606, П606А Германиевые конверсионные высокочастотные p-n-p транзисторы. Предназначены для работы в высокочастотных и быстродействующих импульсных схемах. Выпускаются в металлическом герметичном

Подробнее

Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик

Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ Четырехразрядный двоичный реверсивный счетчик 15 01 10 09 11 04 05 14 D0 D1 D2 D3 ED -1 +1 R CT2 Q0 Q1 Q2 Q3 03 02 06 07 C0 13 B0 12 GND Vcc 08 16 Условное графическое обозначение Назначение

Подробнее

Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В. Таблица 1 - Отличие микросхем по схеме электрической

Допустимое значение потенциала статического электричества 2000 В. Таблица 1 - Отличие микросхем по схеме электрической Восьмиканальный токовый драйвер по схеме Дарлингтона (Функциональный аналог TD62083AFN, TD62084AFN ф. Toshiba) Микросхема ILN62083D, ILN62083N, ILN62084D, ILN62084N представляет собой восьмиканальный токовый

Подробнее

зависящая от нагрузки.

зависящая от нагрузки. Микросхема маломощного стабилизатора напряжения 5 В/150мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4268G ф. Siemens) ILE4268G (аналог TLE4268G ф. Siemens) - однокристальная интегральная микросхема маломощного

Подробнее

Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик

Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 1554ИЕ6ТБМ Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик CT10 15 D1 Q0 03 01 D1 Q1 02 10 D2 Q2 06 09 D3 Q3 07 11 ED C0 13 04-1 B0 12 05 +1 14 R GND Vcc 08 16 Условное графическое

Подробнее

Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия»

Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия» Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия» Обозначения: б базовая (относительно простая) задача; у усложненная Раздел 1. Статические режимы

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00, МДT0/3-00, МTД0/3-00, МТТ0/4-00, МТТ0/5-00, МTT0/3-50, МДT0/3-50, МTД0/3-50, МТТ0/4-50, МТТ0/5-50, МTT0/3-30, МДT0/3-30,

Подробнее

М9-75-6;12-Е2_изм.3 Изв МОДУЛИ 5М9-75-6, 5М ПАСПОРТ 1 ОПИСАНИЕ МОДУЛЯ

М9-75-6;12-Е2_изм.3 Изв МОДУЛИ 5М9-75-6, 5М ПАСПОРТ 1 ОПИСАНИЕ МОДУЛЯ 4 5 8,5 12,5 34 34 28 6max 30±0,5 11.01.2017 ;12-Е2_изм.3 Изв.155-16 АО "ЭЛЕКТРУМ АВ" МОДУЛИ, 5М9-75-12 ПАСПОРТ 1 ОПИСАНИЕ МОДУЛЯ 1.1 Силовой транзисторный БТИЗ модуль одиночного ключа типа 5М9 (далее

Подробнее

Микросхема стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon)

Микросхема стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) Микросхема стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) ILE4275G, ILE4275S Микросхемы ILE4275G, ILE4275S - интегральные микросхемы стабилизатора

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16 ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò5-6,3, Ò5-0, Ò5-6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее