ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора"

Транскрипт

1 М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи частоты источники бесперебойного питания сварочное оборудование ПСН подвижного состава железных дорог ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ V CES = 600 В V CEsat = 1.95 В (тип.) I C = 32 А (T C = 25 C) I C = 20 А (T C = 80 C) МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ Наименование Условное обозначение Значение Напряжение коллекторэмиттер V CE 600 Напряжение затворэмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора при T C = 25 C I C 32 при T C = 80 C 20 Повторяющийся импульсный ток коллектора (t p =1 мс, T C = 80 C) I Cpuls 40 Постоянный прямой ток диода обратного тока I F 20 Повторяющийся импульсный прямой ток диода обратного тока I FRM 40 Единица измерения Параметр I 2 t для диода обратного тока (t p = 10 мс, T j = 125 C) I 2 t 0.13 ка 2 с Суммарная мощность рассеивания, IGBT (на один ключ, T C = 25 C) P tot 125 Вт Максимальная температура перехода T j Температура хранения T stg Напряжение изоляции (t = 1 мин.) V isol 2500 В (эфф) В А C М6ТКИ.doc стр. 1

2 М6ТКИ ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ Наименование Условное обозначение Значение Тепловое сопротивление переходкорпус, IGBT (на один ключ) R thjc 1.0 Тепловое сопротивление переходкорпус, диод обратного тока (на один ключ) Тепловое сопротивление корпусохладитель, λ paste = 1 Вт/м С, на модуль (типовое значение) R thjcd 1.5 R thck 0.02 Единица измерения C/Вт ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (при 25 C, если не указано иное значение) Наименование Значение Условное Единица обозначение мин. тип. макс. измерения Статические характеристики Пороговое напряжение затворэмиттер (V GE = V CE, I C = 0.5 ма) V GE(th) Напряжение насыщения коллекторэмиттер (V GE = 15 В, I C = 20 А) Ток утечки коллекторэмиттер (V CE = 600 В, V GE = 0 В) V CEsat I CES Ток утечки затворэмиттер (V GE = 20 В, V CE = 0 В) I GES 400 на Характеристики на переменном токе Входная емкость (V CE = 25 В, V GE = 0 В, f = 1 МГц) C ies 1.1 Обратная переходная емкость нф C res 0.07 (V CE = 25 В, V GE = 0 В, f = 1 МГц) Характеристики переключения (индуктивная нагрузка, ) Время задержки включения (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Время нарастания (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) t d(on) t r В ма мкс М6ТКИ.doc стр. 2

3 М6ТКИ Время задержки выключения (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Время спада (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом) Энергия потерь при включении (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом, T j = 125 C, L S = 15 нгн, за один импульс) Энергия потерь при выключении (V CC = 300 В, V GE = ± 15 В, I C = 20 А, R G = 27 Ом, T j = 125 C, L S = 15 нгн, за один импульс) Ток короткого замыкания (tp 10 мкс, V CC = 360 В, V GE = ±15 В, V CEmax = V CES L σ(ce) di/dt, T j = 125 C) Внутренняя индуктивность модуля по цепи коллекторэмиттер Характеристики диода обратного тока Прямое падение напряжения (I F = 20 А, V GE = 0 В) Ток обратного восстановления (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) Заряд обратного восстановления (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) Энергия потерь при обратном восстановлении (I F = 20 А, V GE = 10 В, V R = 300 В, di F /dt = 900 А/мкс) t d(off) t f мкс E on 0.68 мдж E off 0.38 I SC 80 А L σ(ce) 60 нгн V F В 1.2 I RM Q rr E rec А 1.4 мккл 2.4 мдж 0.43 М6ТКИ.doc стр. 3

4 М6ТКИ Типовые выходные характеристики I C = f(v CE ) Режим измерения: V GE = +15 В, T j = 25, 125 C Типовые выходные характеристики I C = f(v CE ) Режим измерения: T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 4

5 М6ТКИ Типовые передаточные характеристики I C = f(v GE ) Режим измерения: V CE = 20 B, T j = 25, 125 C Типовые прямые характеристики диода обратного тока I F = f(v F ) Режим измерения: T j = 25, 125 C М6ТКИ.doc стр. 5

6 М6ТКИ Типовые зависимости коммутационных потерь E = f(i C ), индуктивная нагрузка Режим измерения: V CE = 300 B, V GE = ± 15 B, R G = 27 Ом, T j = 125 C Типовые зависимости коммутационных потерь E = f(r G ), индуктивная нагрузка Режим измерения: I C = 20 А, V CE = 300 В, V GE = ± 15 В, T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 6

7 М6ТКИ Переходное тепловое сопротивление Z thjc = f(t p ) Обратная область безопасной работы I C puls = f(v CE ) Режим измерения: R G = 27 Ом, T j = 125 C М6ТКИ.doc стр. 7

8 М6ТКИ СХЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ГАБАРИТНЫЕ И УСТАНОВОЧНЫЕ РАЗМЕРЫ Масса 0.18 кг М6ТКИ.doc стр. 8

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм IGB модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB17FA-75N 17 В 75 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ мкс при 15 C o

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-1N 12 В 1 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji -го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм. IGBT чип IGBT модуль в стандартном корпусе 34мм MIFA-HB12FA-15N 12 В 15 A Особенности чипов IGBT чип o Trench FS V-Series IGBT (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при

Подробнее

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля

MIAA-HB12FA-300N Информационный лист IGBT модуля MI-HB12F-3N Информационный лист IGB модуля Предельно допустимые значения параметров Параметр Обозн. Условия Знач. Ед. В IGB Напряжение коллектор-эмиттер Номинальный ток коллектора Постоянный ток коллектора

Подробнее

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип

IGBT модуль в стандартном корпусе 62мм. IGBT чип IGB модуль в стандартном корпусе 62мм MIAA-HB12FA-2N 12 В 2 A Особенности чипов IGB чип o rench FS V-Series IGB (чипы Fuji 6-го поколения) o низкое значение U CE(sat) o длительность КЗ 1 мкс при 15 C o

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 300-1800 В I T(AV) = 100 А (T C = 85 C) I TSM = 2 кa (T j = 140 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ герметичный металлокерамический корпус низкие потери в открытом состоянии МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК

Силовые транзисторы типов ТК152-80, ТК Силовые транзисторы типов, Транзисторы силовые кремниевые эпитаксиально-мезапланарные (ТУ 16-729.911-81, ТУ 16-729.308-81) предназначены для примене ния в преобразователях, переключающих и усилительных

Подробнее

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами

ИЛТ1-1-12, ИЛТ модули управления тиристорами ИЛТ, ИЛТ модули управления тиристорами Схемы преобразователей на тиристорах требуют управления мощным сигналом, изолированным от схемы управления. Модули ИЛТ и ИЛТ с выходом на высоковольтном транзисторе

Подробнее

Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик

Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 1554ИЕ6ТБМ Четырехразрядный двоично-десятичный реверсивный счетчик CT10 15 D1 Q0 03 01 D1 Q1 02 10 D2 Q2 06 09 D3 Q3 07 11 ED C0 13 04-1 B0 12 05 +1 14 R GND Vcc 08 16 Условное графическое

Подробнее

зависящая от нагрузки.

зависящая от нагрузки. Микросхема маломощного стабилизатора напряжения 5 В/150мАс низким остаточным напряжением (аналог TLE4268G ф. Siemens) ILE4268G (аналог TLE4268G ф. Siemens) - однокристальная интегральная микросхема маломощного

Подробнее

Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon)

Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400мА с низким остаточным напряжением (Функциональный аналог TLE4275 ф. Infineon) ILE4275G ОПИСАНИЕ Микросхема ILE4275G - интегральная микросхема мощного

Подробнее

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР НА 120 ма СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET КЛЮЧОМ

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР НА 120 ма СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET КЛЮЧОМ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР НА 120 ма СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET КЛЮЧОМ Микросхема IL33120D, IZ33120 микросхема высоковольтного LED драйвера со встроенным MOSFET ключом, предназначена для управления цепочками

Подробнее

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением

ILE4267G Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением Микросхема мощного стабилизатора напряжения 5 В/400 ма с низким остаточным напряжением ILE426G (аналог TLE426G ф. Siemens) - интегральная микросхема мощного стабилизатора напряжения 5В/400 ма с низким

Подробнее

Модули питания серий MС15 и МС15 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 15 Вт

Модули питания серий MС15 и МС15 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 15 Вт Декабрь 26 ММП-ИРБИС Модули питания серий MС15 и МС15 4С (1 и 2 канала): ход ~22 ; ыход 15 т Модули питания серий МС15 и МС15 4С изготовлены с использованием технологии комбинированного монтажа на импортной

Подробнее

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1Н-1

ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1Н-1 ДРАЙВЕР ОДНОКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ11-60-17-3ФП1Н-1 Драйвер одноканальный ДРИ11-60-17-3ФП1Н-1 (далее - драйвер) предназначен для управления одним IGBT на ток коллектора до 3600 А и блокирующее

Подробнее

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ Микросхема IZ9921, IZ9922, IZ9923 микросхема высоковольтного LED - драйвера со встроенным MOSFET-ключом, предназначена для управления светодиодными

Подробнее

Модули серий МПВ100 и МПЕ100 изготовлены по технологии поверхностного монтажа с применением зарубежной элементной базы.

Модули серий МПВ100 и МПЕ100 изготовлены по технологии поверхностного монтажа с применением зарубежной элементной базы. ММП-ИРБИС Модули питания серии МП100, МПЕ100: ход 18 36, 36 72 ; ыход 100 т Модули серий МП100 и МПЕ100 изготовлены по технологии поверхностного монтажа с применением зарубежной элементной базы. Функциональные

Подробнее

КП7173А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном

КП7173А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном КП773А полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным двухсторонним стабилитроном Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором,

Подробнее

Модули питания серий MС5 и МС5 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 5 Вт

Модули питания серий MС5 и МС5 40С (1 и 2 канала): Вход ~220 В; Выход 5 Вт Май 8 ММП-ИРБИС Модули питания серий MС5 и МС5 40С (1 и 2 канала): ход ~220 ; ыход 5 т Модули питания серий МС5 и МС5 40С изготовлены с использованием технологии комбинированного монтажа на импортной элементной

Подробнее

2М410А,Б,Б1,В,В1,Г МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ МОДУЛИ В ГИБРИДНОМ ИСПОЛНЕНИИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, СО ВСТРОЕННЫМИ

2М410А,Б,Б1,В,В1,Г МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ МОДУЛИ В ГИБРИДНОМ ИСПОЛНЕНИИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, СО ВСТРОЕННЫМИ 2М410А,Б,Б1,,1,Г Примение: Электропривод, преобразовательная техника, системы электроснабжения, вторичные источники питания Описание: Мощные кремниевые модули в гибридном исполнии на биполярных транзисторах

Подробнее

Транзисторные элементы серии «Логика-Т»

Транзисторные элементы серии «Логика-Т» Транзисторные элементы серии «Логика-Т» В соответствии с ГОСТ.2177 74 установлена следующая структура условного обозначения транзисторных элементов серии «Логика-Т»: Пример условного обозначения транзисторного

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1К-3

ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ ФП1К-3 ДРАЙВЕР ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ IGBT ДРИ21-10-17-3ФП1К-3 Драйвер двухканальный ДРИ21-10-17-3ФП1К-3 (далее - драйвер) предназначен для управления двумя IGBT на ток коллектора до 600 А и блокирующее

Подробнее

2T9105АС, К Т 9105А С

2T9105АС, К Т 9105А С 2Т9105АС, КТ9105АС Сборки из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры п-р-п генераторных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях в диапазоне частот 100...500

Подробнее

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений

ГОСТ (СТ СЭВ ) Транзисторы силовые. Методы измерений ГОСТ 27264-87(СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые. Методы измерений Группа Е69 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДAPT СОЮЗА ССР Дата введения 01.01.1988 ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электротехнической

Подробнее

ИЛТ Драйвер управления тиристором

ИЛТ Драйвер управления тиристором ИЛТ Драйвер управления тиристором Схемы преобразователей на тиристорах требуют изолированного управления. Логические изоляторы потенциала типа ИЛТ совместно с диодным распределителем допускают простое

Подробнее

СИЛОВЫЕ МОДУЛИ ТЕХНОЛОГИИ БУДУЩЕГО СЕГОДНЯ

СИЛОВЫЕ МОДУЛИ ТЕХНОЛОГИИ БУДУЩЕГО СЕГОДНЯ СИЛОВЫЕ МОДУЛИ ТЕХНОЛОГИИ БУДУЩЕГО СЕГОДНЯ 5-е поколение IGBT Окисел затвора Металлический слой Р+ диффузия N+ эмиттер Поликремниевый затвор N барьерный слой О П И С А Н И Е Разрез CSTBT 5-го поколения

Подробнее

1ЕП2 ЭП Краткие основные характеристики:

1ЕП2 ЭП Краткие основные характеристики: OAO «ОКБ «Экситон» 142500 г. Павловский Посад Московской обл., ул. Интернациональная, д.34а Тел. 8-(49643)-2-31-07, 8-(49643)-7-04-07 www.okbexiton.ru E-mail: okbexiton@mail.ru 1ЕП2 ЭП Ближайший функциональный

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË5350, ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53, ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802А Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802А в металлостеклянном корпусе

Подробнее

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс»

ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Основные направления новых и перспективных разработок ЗАО «Протон-Импульс» ЗАО «Протон-Импульс» Типы серийно выпускаемых твердотельных реле Реле переменного тока: с контролем перехода

Подробнее

Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014

Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 Основные особенности Диапазон входных напряжений 9 20 В; Ток потребления в режиме ожидания 250 мка;

Подробнее

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT)

Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) 2Е802Б Мощный высоковольтный кремниевый транзистор (IGBT) Мощный высоковольтный кремниевый биполярный переключательный транзистор с изолированным затвором и nканалом (IGBT) 2Е802Б в металлостеклянном корпусе

Подробнее

П4А(Э), П4Б(Э), П4В(Э), П4Г(Э), П4Д(Э)

П4А(Э), П4Б(Э), П4В(Э), П4Г(Э), П4Д(Э) (Э), (Э), (Э), П4Г(Э), П4Д(Э) Германиевые плоскостные p-n-p транзисторы типа П4 предназначены для усиления мощности электрических сигналов звуковой частоты. Транзисторы (Э) и (Э) также предназначены для

Подробнее

Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014

Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 1393ЕУ014 Контроллер понижающего импульсного преобразователя напряжения с интегрированным силовым ключом 393ЕУ04 Основные особенности Радиационная стойкость; Диапазон входных напряжений 9 20 В; Ток потребления в

Подробнее

1211ЕУ1/1А ДВУХТАKТНЫЙ KОНТРОЛЛЕР ЭПРА

1211ЕУ1/1А ДВУХТАKТНЫЙ KОНТРОЛЛЕР ЭПРА ЕУ/А ОСОБЕННОСТИ w Двухтактный выход с паузой между импульсами w Вход переключения частоты w Kомпактный корпус w Минимальное количество навесных элементов w Малая потребляемая мощность w Возможность применения

Подробнее

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш

П209, П209А, П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш П209, П209А, П210, П210А,, П210Ш Транзисторы большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в аппаратуре в режимах усиления и переключения мощности. Транзисторы конструктивно

Подробнее

IND IND16305 Высоковольтный драйвер строк плазменных панелей (PDP)

IND IND16305 Высоковольтный драйвер строк плазменных панелей (PDP) IND16305 Высоковольтный драйвер строк плазменных панелей (PDP) Описание IND16305 является драйвером строк плазменных панелей с питанием по постоянному току. Микросхема реализована на базе высоковольтной

Подробнее

ИНТЕГРАЛ IL6562. КОРРЕКТР ФАКТОРА МОЩНОСТИ (функциональный аналог L6562D, ф.stmicroelectronics)

ИНТЕГРАЛ IL6562. КОРРЕКТР ФАКТОРА МОЩНОСТИ (функциональный аналог L6562D, ф.stmicroelectronics) КОРРЕКТР ФАКТОРА МОЩНОСТИ (функциональный аналог L6562D, ф.stmicroelectronics) Микросхема корректора фактора мощности проектируется для использования в качестве первичного преобразователя в системах электронного

Подробнее

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э

П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э П201, П201Э, П201А, П201АЭ, П202, П202Э, П203, П203Э Общие данные Германиевые плоскостные (сплавные) p-n-p транзисторы. Основные области применения - усилители мощности низкой частоты (0,5 10 вт), преобразователи

Подробнее

1307ПН1Т - РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ МИКРОСХЕМА ДВУХПОЛЯРНОГО DC-DC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ. Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации: Аналога нет

1307ПН1Т - РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ МИКРОСХЕМА ДВУХПОЛЯРНОГО DC-DC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ. Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации: Аналога нет 1307ПН1Т - РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ МИКРОСХЕМА ДВУХПОЛЯРНОГО DC-DC ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ Аналога т Корпус 4118.24-2 ГОСТ 17467-88 Условное графическое изображение: Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации:

Подробнее

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ (функциональные аналоги HV9921, HV9922, HV9923 ф. «Supertex inc.»)

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ (функциональные аналоги HV9921, HV9922, HV9923 ф. «Supertex inc.») ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ LED ДРАЙВЕР СО ВСТРОЕННЫМ MOSFET-КЛЮЧОМ (функциональные аналоги HV9921, HV9922, HV9923 ф. «Supertex inc.») Микросхема IZ9921, IZ9922, IZ9923 микросхема высоковольтного LED - драйвера со

Подробнее

Zelio Control- модульные реле измерения и контроля 0

Zelio Control- модульные реле измерения и контроля 0 Введение, описание 106439 RM35 TM MW Введение Реле контроля и измерения температуры 50MW и RM35 TM250MW обеспечивают следующие функции контроля для трехфазных сетей питания: правильность чередования фаз

Подробнее

МЕЖВЕДОМСТВЕННЫЙ ЦЕНТР по разработке и производству радиационно-стойкой электронной компонентной базы. Силовая электроника г.

МЕЖВЕДОМСТВЕННЫЙ ЦЕНТР по разработке и производству радиационно-стойкой электронной компонентной базы. Силовая электроника г. МЕЖВЕДОМСТВЕННЫЙ ЦЕНТР по разработке и производству радиационно-стойкой электронной компонентной базы Силовая электроника 2017 г. 1359ЕУ034/1359ЕУ03Н4 ШИМ-контроллер с обратной связью по напряжению и току

Подробнее

IND IND16337Высоковольтный драйвер столбцов плазменной панели (PDP)

IND IND16337Высоковольтный драйвер столбцов плазменной панели (PDP) IND16337Высоковольтный драйвер столбцов плазменной панели (PDP) IND16337 является высоковольтным КМОП драйвером разработанным для плоских дисплейных панелей таких как плазменные панели, вакуумно-флюоресцентные

Подробнее

ИНТЕГРАЛ IL33290D. МИКРОСХЕМА ISO K Line ИНТЕРФЕЙСА

ИНТЕГРАЛ IL33290D. МИКРОСХЕМА ISO K Line ИНТЕРФЕЙСА МИКРОСХЕМА ISO K Line ИНТЕРФЕЙСА ОПИСАНИЕ IL33290D - микросхема последовательного интерфейса, предназначенная для обеспечения двунаправленного полудуплексного соединения в автомобильных диагностических

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Ä3500, Ä33600, Ä43000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3500, Ä33600, Ä43000 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. ТРЕХВЫВОДНОЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ С НИЗКИМ ПРОХОДНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. ТРЕХВЫВОДНОЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ С НИЗКИМ ПРОХОДНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК ТРЕХВЫВОДНОЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ С НИЗКИМ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ микросхема, предназначенная для использования в качестве

Подробнее

Продается электролаборатория ППУ-1 на ГАЗ (4х4). год выпуска 2012 Контактный телефон: 8 (915)

Продается электролаборатория ППУ-1 на ГАЗ (4х4). год выпуска 2012 Контактный телефон: 8 (915) Продается электролаборатория ППУ- на ГАЗ-27057 (4х4). год выпуска 202 Контактный телефон: 8 (95) 993-8-94 2 Базовый автомобиль: ГАЗ-27057 «Газель», колёсная формула 4х4, двигатель бензиновый, инжектор

Подробнее

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( )

RU (11) (51) МПК H03K 17/00 ( ) РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ (19) RU (11) (51) МПК H03K 17/00 (2006.01) 168 443 (13) U1 R U 1 6 8 4 4 3 U 1 ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ (12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ (21)(22)

Подробнее

СЕМИРАЗРЯДНЫЙ ТОКОВЫЙ ДРАЙВЕР ПО СХЕМЕ ДАРЛИНГТОНА (функциональный аналог ULN2003A, ULN2004A ф. «Texas Instruments»)

СЕМИРАЗРЯДНЫЙ ТОКОВЫЙ ДРАЙВЕР ПО СХЕМЕ ДАРЛИНГТОНА (функциональный аналог ULN2003A, ULN2004A ф. «Texas Instruments») СЕМИРАЗРЯДНЫЙ ТОКОВЫЙ ДРАЙВЕР ПО СХЕМЕ ДАРЛИНГТОНА (функциональный аналог ULN2003A, ULN2004A ф. «Texas Instruments») Микросхемы ILN2003BN, ILN2003BD, ILN2004BN, ILN2004BD семиразрядный токовый драйвер

Подробнее

IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON

IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON IGBT-транзисторы семейства SEMITRANS компании SEMIKRON Компания SEMIKRON является единственным предприятием в мире, которое, начиная с 1975 года, производит изолированные модули для силовой электроники

Подробнее

AC/DC преобразователи Серия МАА-П 160 Вт

AC/DC преобразователи Серия МАА-П 160 Вт Расширенный диапазон входных напряжений: ~94 132 В (~58 180 В) по ГОСТ Р 54073 ~120 242 В (~110 264 В) Новинка в корпусе 129 61 22 мм Диапазон рабочих температур минус 60 С +85 С Компактные размеры и низкопрофильная

Подробнее

AC/DC преобразователи Серия МАА-П 80 Вт

AC/DC преобразователи Серия МАА-П 80 Вт Расширенный диапазон входных напряжений: ~94 132 В (~58 180 В) по ГОСТ Р 54073 ~120 242 В (~110 264 В) Новинка в корпусе 107 56 17 мм Диапазон рабочих температур минус 60 С +85 С Компактные размеры и низкопрофильная

Подробнее

5.3 Определить, как будет меняться во времени сила тока I(t) через катушку

5.3 Определить, как будет меняться во времени сила тока I(t) через катушку 5.1 Через некоторое время τ после замыкания ключа К напряжение на конденсаторе С 2 стало максимальным и равным / n, где ЭДС батареи. Пренебрегая индуктивностью элементов схемы и внутренним сопротивлением

Подробнее

Установочная аппаратура/аппаратура контроля Реле повышенного и пониженного тока IL 9277, IP 9277, SL 9277, SP 9277

Установочная аппаратура/аппаратура контроля Реле повышенного и пониженного тока IL 9277, IP 9277, SL 9277, SP 9277 Установочная аппаратура/аппаратура контроля Реле повышенного и пониженного а IL 9277, IP 9277, SL 9277, SP 9277 VARIMETER В соответствии с требованиями стандартов IEC/EN 60 255 IP 9277, SP 9277, SP 9277CT:

Подробнее

Комплект интегральных микросхем для управления силовыми транзисторными ключами

Комплект интегральных микросхем для управления силовыми транзисторными ключами Комплект интегральных микросхем для управления силовыми транзисторными ключами И.Н. Волков 1, А.И. Гольдшер 1, П.А. Дик 1, 2, В.Р. Кучерский 1, В.С. Машкова 1 1 ФГУП «НПП «Пульсар» 2 Московский инженерно-физический

Подробнее

Открытое акционерное общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ»

Открытое акционерное общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» Силовые полупроводниковые приборы ОАО «Электровыпрямитель» для транспорта и транспортной инфраструктуры ы ОАО «Электровыпрямитель» (г. Саранск) - современное холдинговое предприятие, в состав которого

Подробнее

ТОКОИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ КЛЕЩИ С ФУНКЦИЯМИ МУЛЬТИМЕТРА 1000A DC/AC МОДЕЛИ DT-3343

ТОКОИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ КЛЕЩИ С ФУНКЦИЯМИ МУЛЬТИМЕТРА 1000A DC/AC МОДЕЛИ DT-3343 ТОКОИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ КЛЕЩИ С ФУНКЦИЯМИ МУЛЬТИМЕТРА 1000A DC/AC МОДЕЛИ DT-3343 Безопасность Международные символы безопасности Данный символ (рядом с другой маркировкой или возле контакта) указывает на необходимость

Подробнее

2Е802А-5 биполярный транзистор с изолированным затвором

2Е802А-5 биполярный транзистор с изолированным затвором 2Е802А5 биполярный транзистор с изолированным затвором Назначение Бескорпусные кремниевые планарные биполярные с изолированным затвором, поставляемые на общей пласти (разделенными). Предназначены для внутренго

Подробнее

TRENCH 4 ПЕРВАЯ УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ IGBT

TRENCH 4 ПЕРВАЯ УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ IGBT силовая электроника материал на сайте: 48.32 Андрей Колпаков TRENCH 4 ПЕРВАЯ УНИВЕРСАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ IGBT Особенностью непрерывно растущего рынка частотных преобразователей является широкая номенклатура

Подробнее

Твердотельные реле и Тиристорные регуляторы мощности

Твердотельные реле и Тиристорные регуляторы мощности Трехфазные твердотельные реле. Серия TS. Твердотельные реле и Тиристорные регуляторы мощности Модель TS-25DA TS-40DA TS-75DA TS-25AA TS-40AA TS-75AA (-H) (-H) (-H) (-H) (-H) (-H) Тип (DC-AC) (AC-AC) Ном.

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ ÄÈÎÄÛ Ä730, Ä7400, Ä7400Õ, Ä7500, Ä7500Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

Модули удаленного ввода/вывода и устройства связи с объектом 4

Модули удаленного ввода/вывода и устройства связи с объектом 4 Модули удаленного ввода/вывода и устройства связи с объектом 4 Модули удаленного ввода/вывода 4-1 ТМА-2 Модуль удаленного аналогового вывода 4- ТМА-01, ТМА-01.1 Модули удаленного аналогового ввода/вывода

Подробнее

Устройство измерительное параметров релейной защиты РЕТОМ -21

Устройство измерительное параметров релейной защиты РЕТОМ -21 Устройство измерительное параметров релейной защиты РЕТОМ -21 Источник 1. ВЫХОД «=U1». Регулируемое напряжение постоянного тока Диапазон регулирования напряжения, В 176 264 Номинальная выходная мощность,

Подробнее

ILE4250G, ILE4250S Микросхема маломощного повторителя напряжения с точностью ±0,5 % (Функциональный аналог TLE4250 ф. Infineon )

ILE4250G, ILE4250S Микросхема маломощного повторителя напряжения с точностью ±0,5 % (Функциональный аналог TLE4250 ф. Infineon ) Микросхема маломощного повторителя напряжения с точностью ±0,5 % (Функциональный аналог TLE4250 ф. Infineon ) Микросхемы ILE4250G, ILE4250S - интегральнаые микросхемы маломощного повторителя напряжения

Подробнее

IL393 МАЛОМОЩНЫЙ СДВОЕННЫЙ КОМПАРАТОР С МАЛЫМ СМЕЩЕНИЕМ НАПРЯЖЕНИЯ

IL393 МАЛОМОЩНЫЙ СДВОЕННЫЙ КОМПАРАТОР С МАЛЫМ СМЕЩЕНИЕМ НАПРЯЖЕНИЯ МАЛОМОЩНЫЙ СДВОЕННЫЙ КОМПАРАТОР С МАЛЫМ СМЕЩЕНИЕМ НАПРЯЖЕНИЯ IL393 состоит из двух независимых компараторов напряжения с входным напряжением смещения нуля по 2. мв (тип). Компараторы работают в широком

Подробнее

AC/DC преобразователи Серия МАА-СГ(СД) МАА75-СГ(СД), 75 Вт

AC/DC преобразователи Серия МАА-СГ(СД) МАА75-СГ(СД), 75 Вт Серия МАА-СГ(СД), 75 Вт Описание серии Серия МАА-СГ(СД) многоканальные низкопрофильные AC/DC преобразователи. Отличаются готовностью к эксплуатации в экстремальных условиях. Множество одно- и трехфазных

Подробнее

МДМ3-Н, 3 Вт. DC/DC преобразователи. Преимущества. Описание. Информация для заказа

МДМ3-Н, 3 Вт. DC/DC преобразователи. Преимущества. Описание. Информация для заказа АНЖЕ.436630.001ТУ Преимущества Категория качества «ВП» (приемка 5) Компактный размер (форм-фактор SIP-8) Расширенный диапазон входного напряжения (2:1) Рабочая температура окружающей среды 60 +105 С Дистанционное

Подробнее

IW4040BD. Двенадцатиразрядный двоичный счетчик. hmšecp`k 1 ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ УСЛОВНОЕ ГРАФИЧЕСКОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ ТАБЛИЦА ИСТИННОСТИ

IW4040BD. Двенадцатиразрядный двоичный счетчик. hmšecp`k 1 ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ УСЛОВНОЕ ГРАФИЧЕСКОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ ТАБЛИЦА ИСТИННОСТИ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ IW4040B Двенадцатиразрядный двоичный счетчик Микросхема IW4040B двенадцатиразрядный двоичный счетчик. Микросхема срабатывает по заднему фронту импульса по входу. При высоком уровне входного

Подробнее

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора

Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Лекция 12. Устройство и принцип работы тиристора, симистора и фототиристора Запираемые тиристоры, в отличие от тринисторов, которые были рассмотрены ранее, - это полностью управляемые приборы, и под воздействием

Подробнее

ПОЛУМОСТОВОЙ АВТОГЕНЕРАТОР ВИП

ПОЛУМОСТОВОЙ АВТОГЕНЕРАТОР ВИП НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК ПОЛУМОСТОВОЙ АВТОГЕНЕРАТОР ВИП ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ Микросхема является интегральной схемой высоковольтного полумостового

Подробнее

Предохранители серии ПКТ, ПТ

Предохранители серии ПКТ, ПТ Предохранители серии ПКТ, ПТ Производим и поставляем Товар сертифицирован ГОСТ 17242-86 1. Назначение. Высоковольтные токоограничивающие предохранители серии ПКТ предназначены для использования в трехфазных

Подробнее

А.К. Малиновский, П.В. Ткаченко. ри математическом описании асинхронной машины, работающей

А.К. Малиновский, П.В. Ткаченко. ри математическом описании асинхронной машины, работающей А.К. Малиновский, П.В. Ткаченко, 2006 УДК 528:621.34 А.К. Малиновский, П.В. Ткаченко ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ АСИНХРОННОГО ДВИГАТЕЛЯ, РАБОТАЮЩЕГО В РЕЖИМЕ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО ТОРМОЖЕНИЯ С ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИМ

Подробнее

ТБ , ТБ

ТБ , ТБ ТБ153-630, ТБ153-800 Тиристоры кремниевые диффузионные р

Подробнее

Стабилизатор напряжения регулируемый отрицательной полярности 1349ЕГ1У

Стабилизатор напряжения регулируемый отрицательной полярности 1349ЕГ1У Стабилизатор напряжения регулируемый отрицательной полярности Микросхема предназначена для применения в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Микросхемы изготавливаются

Подробнее

Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ" ДРАЙВЕР ТИРИСТОРОВ ДТТМ-Т3

Сделано в России ЗАО ЭЛЕКТРУМ АВ ДРАЙВЕР ТИРИСТОРОВ ДТТМ-Т3 01.01.2013 Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ" ДРАЙВЕР ТИРИСТОРОВ ДТТМ-Т3 302020 г. Орел, Наугорское шоссе, 5 тел. (4862) 44-03-44, факс (4862) 47-02-12, e-mail: mail@electrum-av.com, www.electrum-av.com

Подробнее

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор Назначение Тиристоры КУ405А (8А, 600В) и КУ405Б (8А, 800В) кремниевые триодные, не проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду. Предназначены

Подробнее

Элемент ограничения напряжения Модуль «ЭОН»

Элемент ограничения напряжения Модуль «ЭОН» Элемент ограничения напряжения Модуль «ЭОН» Описание Модули ЭОН высокоэнергетические варисторные элементы ограничения импульсов перенапряжения в сетях электроснабжения. Модули ЭОН обладают высокой взрыво-

Подробнее

Усиленный корпус. Рабочая температура корпуса Л минус С М минус С Т минус С

Усиленный корпус. Рабочая температура корпуса Л минус С М минус С Т минус С Серия Мираж-П, Вт Входные напряжения: В (, В) 7 В (7 6 В) 6 В (6 7 В) Диапазон рабочих температур: минус С +8 С минус 6 С +8 С минус 6 С + С Гальваническая развязка выходов Дистанционное вкл/выкл Выравнивание

Подробнее

AC/DC преобразователи Серия МАА-П 40 Вт

AC/DC преобразователи Серия МАА-П 40 Вт Расширенный диапазон входных напряжений: ~94 132 В (~8 18 В) по ГОСТ Р 473 ~12 264 В (~11 242 В) Новинка в корпусе 73 3 13 мм Диапазон рабочих температур минус 6 С +8 С Компактные размеры и низкопрофильная

Подробнее

2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки

2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки 2ДШ142Ахх диод с барьером Шоттки сборка диодная с барьером Шоттки Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные диод 2ДШ142А9 и сборка диодная 2ДШ142АС9 (состоит из двух соединенных последовательно диодов)

Подробнее

Каталог LED драйверов LED драйвер An9961 с режимом регулирования по среднему току

Каталог LED драйверов LED драйвер An9961 с режимом регулирования по среднему току LED драйвер An9961 с режимом регулирования по среднему току Описание Драйвер An9961 представляет собой микросхему для питания светодиодов с импульсным преобразованием, обеспечивающую регулирование по среднему

Подробнее

Задания для индивидуальной работы

Задания для индивидуальной работы Министерство науки и образования РФ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА Кафедра "Радиотехнические устройства" Задания для индивидуальной работы Методические

Подробнее

DC/DC преобразователи Серия Мираж-М 60, 80 Вт

DC/DC преобразователи Серия Мираж-М 60, 80 Вт Серия Мираж-М 6, 8 Вт Высоковольтная входная сеть В (8 В) 6 В ( 8 В) В (7 В) Диапазон рабочих температур минус 6 С +8 С минус 6 С + С Гальваническая развязка выходов Дистанционное вкл/выкл Защита от перегрузки

Подробнее

AS АLFA RPAR Рижский завод полупроводниковых приборов Рига, Латвия

AS АLFA RPAR Рижский завод полупроводниковых приборов Рига, Латвия Рига, Латвия wwwalfarzpplv; alfa@alfarzpplv ОСОБЕННОСТИ Формирование временных интервалов от микросекунд до часов Работа в режиме мультивибратора или триггера Регулируемый рабочий цикл Напряжение питания

Подробнее

1108ПА1АРНН рма 1108ПА1БРНН

1108ПА1АРНН рма 1108ПА1БРНН АРНН БРНН Условное графическое изображение Аналог А, г. Рига Цифроаналоговый преобразователь (12 и 10разрядный) Таблица назначения выводов Корпус 210Б.243 ГОСТ 1746788 Таблица зависимости выходного тока

Подробнее

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КОНТРОЛЛЕР СЕТЕВОГО ПИТАНИЯ

НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КОНТРОЛЛЕР СЕТЕВОГО ПИТАНИЯ НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КОНТРОЛЛЕР СЕТЕВОГО ПИТАНИЯ ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ Микросхема двухфазный контроллер сетевого питания. Автоматическое прерывание

Подробнее

IL1776С МИКРОСХЕМА МИКРОМОЩНОГО ПРОГРАММИРУЕМОГО

IL1776С МИКРОСХЕМА МИКРОМОЩНОГО ПРОГРАММИРУЕМОГО МИКРОСХЕМА МИКРОМОЩНОГО ПРОГРАММИРУЕМОГО ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ IL1776C. (аналог MC1776C, ф.motorola) Микросхема IL1776С представляет собой программируемый по току потребления операционный усилитель с

Подробнее

DC/DC преобразователи Серия Мираж-П 7,5 Вт

DC/DC преобразователи Серия Мираж-П 7,5 Вт Серия Мираж-П, Вт Входные напряжения: В (, В) В ( В) В ( В) Диапазон рабочих температур: минус С +8 С минус С +8 С минус С + С Гальваническая развязка выходов Дистанционное вкл/выкл Защита от перегрузки

Подробнее

Блок приборный АСД-3А/78. Технические характеристики.

Блок приборный АСД-3А/78. Технические характеристики. Блок приборный АСД-3А/78. Технические характеристики. Группы выходных и входных Воспроизводимые аналоговые Сопротивление Измеряемые аналоговые питания объекта контроля Сила постоянного тока, потребляемого

Подробнее

Прочие компоненты системы питания

Прочие компоненты системы питания Прочие компоненты системы питания МИК-ЭН 300-С4Д28-8 электронная нагрузка с управлением от ПК Измеряемое входное напряжение, В до 350 В Количество каналов нагрузки 11 Количество каналов с 3-мя уровня нагрузки

Подробнее

Материал корпуса защиты. Пакетные выключатели ПВ 1-16 М3 исп.1 IP ,048 14,5 ПВ 1-16 М3 исп.3 IP ,048 13,2 ударопрочный негорючий пластик

Материал корпуса защиты. Пакетные выключатели ПВ 1-16 М3 исп.1 IP ,048 14,5 ПВ 1-16 М3 исп.3 IP ,048 13,2 ударопрочный негорючий пластик Пакетные выключатели, переключатели серии ПВ, ПП. ТУ344-00-598684-005 ГОСТ Р 50030.3-99 Товар сертифицирован Гарантийный срок - года со дня введения в эксплуатацию. Основные преимущества: - простота и

Подробнее

Блок управления шаговым двигателем (драйвер шагового двигателя) А15

Блок управления шаговым двигателем (драйвер шагового двигателя) А15 ООО «АТОМ» Блок управления шаговым двигателем (драйвер шагового двигателя) А15 РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ Введение Настоящее руководство по эксплуатации предназначено для ознакомления с устройством блока

Подробнее

Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71

Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71 Реле времени серии ВЛ-70, ВЛ-71 (495) 995-58-75, (812) 448-08-75 www.elektromark.ru, elektromark@elektromark.ru Реле времени ВЛ-70, ВЛ-71 предназначены для коммутации электрических цепей с определенными,

Подробнее

Модульные драйверы IGBT серии МД решение всех проблем управления мощными транзисторами

Модульные драйверы IGBT серии МД решение всех проблем управления мощными транзисторами Модульные драйверы IGBT серии МД решение всех проблем управления мощными транзисторами Российская компания «Электрум АВ» разработала и освоила производство серии модульных приборов для управления мощными

Подробнее