ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ165-50, ÒÑ165-63, ÒÑ165-80, ÒÑ , ÒÑ

Save this PDF as:

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ165-50, ÒÑ165-63, ÒÑ165-80, ÒÑ , ÒÑ"

Транскрипт

1 ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ65-50, ÒÑ65-63, ÒÑ65-80, ÒÑ65-00, ÒÑ65-5 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òðèàêè ÒÑ65 èçãîòàâëèâàþò â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Òðèàêè ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö è ïðèìåíÿþòñÿ â ðàçëè íûõ ïðåîáðàçîâàòåëÿõ ýëåêòðîýíåðãèè, â áåñêîíòàêòíîé êîììóòàöèîííîé è ðåãóëèðóþùåé àïïàðàòóðå Óñëîâèÿ ýêñïëóàòàöèè Êëèìàòè åñêîå èñïîëíåíèå è êàòåãîðèÿ ðàçìåùåíèÿ Ó äëÿ ýêñïëóàòàöèè â àòìîñôåðå òèïà I è II ïî ÃÎÑÒ Òðèàêè ïðåäíàçíà åíû äëÿ ýêñïëóàòàöèè âî âçðûâîáåçîïàñíûõ è õèìè åñêè íåàêòèâíûõ ñðåäàõ, â óñëîâèÿõ èñêëþ àþùèõ âîçäåéñòâèå ðàçëè íûõ èçëó åíèé (íåéòðîííîãî, ýëåêòðîííîãî, ãàììà-èçëó åíèÿ). Òðèàêè äîïóñêàþò âîçäåéñòâèå âèáðàöèîííûõ íàãðóçîê â äèàïàçîíå àñòîò îò 0 äî 00 Ãö ñ óñêîðåíèåì 50 ì/ñ è îäèíî íûõ óäàðîâ äëèòåëüíîñòüþ èìïóëüñà 50 ìñ è óñêîðåíèåì 0 ì/ñ. Ãðóïïà Ì7 óñëîâèé ýêñïëóàòàöèè ïî ÃÎÑÒ Òðèàêè ïî ñâîèì ïàðàìåòðàì è õàðàêòåðèñòèêàì ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó Êîìïëåêòíîñòü ïîñòàâêè è ôîðìóëèðîâàíèå çàêàçà Òðèàêè ïîñòàâëÿþòñÿ áåç îõëàäèòåëåé, íî ïî ñîãëàñîâàíèþ ñ ïðåäïðèÿòèåì-èçãîòîâèòåëåì ìîãóò ïîñòàâëÿòüñÿ ñ îõëàäèòåëåì è êîìïëåêòîì êðåïåæíûõ äåòàëåé. Ê êàæäîé ïàðòèè òðèàêîâ, òðàíñïîðòèðóåìûõ â îäèí àäðåñ, ïðèëàãàåòñÿ ýòèêåòêà. Ïðè çàêàçå òðèàêîâ íåîáõîäèìî óêàçàòü: òèï, êëàññ, ãðóïïó ïî êðèòè åñêîé ñêîðîñòè íàðàñòàíèÿ êîììóòàöèîííîãî íàïðÿæåíèÿ, êîìïëåêòíîñòü ïîñòàâêè, êîëè åñòâî, íîìåð òåõíè åñêèõ óñëîâèé. Ïðèìåð çàêàçà 50 øòóê òðèàêîâ òèïà ÒÑ65-5 äâåíàäöàòîãî êëàññà, ñ êðèòè åñêîé ñêîðîñòüþ íàðàñòàíèÿ êîììóòàöèîííîãî íàïðÿæåíèÿ ïî ñåäüìîé ãðóïïå. ÒÑ ÒÓ Ó øò, áåç îõëàäèòåëåé.

2 Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ 6±0,,8х0,8 шт. Б В Lmax 6,6±0,3 8,5max 3±0, 0,±0, 3,3±0, 5±0,5 3 А Б 0, Вогнутость более 0,03 не допускается основной вывод основной вывод m m 3±0,3 М5-6Н отв.,5±0,3,3min отв. В L L 3 5,5±0,5 дополнительный основной вывод вывод управляющего электрода А - область контроля температуры корпуса триака; m,m - контрольные точки импульсного напряжения в открытом состоянии; L - минимальное расстояние по воздуху между основным выводом и выводом управляющего электрода 5, мм; L - минимальная длина пути для тока утечки между основным выводом и выводом управляющего электрода 7,7 мм; Lmax - максимальная глубина ввинчивания 0 мм. Масса не более 0,06 кг Êðóòÿùèé ìîìåíò äëÿ âèíòà ïðè ïîäêëþ åíèè îñíîâíîãî âûâîäà, îñíîâíîãî âûâîäà - ±0, Íì. Ðàñòÿãèâàþùàÿ ñèëà äëÿ âûâîäà óïðàâëÿþùåãî ýëåêòðîäà è äîïîëíèòåëüíîãî îñíîâíîãî âûâîäà - 0± Í.

3 ы закрытого состояния Значение параметра Наименование, единица ТС65-50 ТС65-63 ТС65-80 ТС65-00 ТС65-5 Условия установления U DSМ Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов: Т jm =5 C. Импульс напряжения синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 0 мс в каждом направлении. Цепь управления разомкнута. U DRМ Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов: Т jm =5 C. Напряжение синусоидальное, частотой 50 Гц. Цепь управления разомкнута. U DWМ Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии, В 0,8U DRМ U D Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В 0,6U DRМ Т с =80 C (du D /dt) com Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, не менее для группы: Не нормируется, но не менее В/мкс,5 6, di T /dt, А/мкс, не более для: ТС ,06; TC ,00; TC ,05; TC ,03; TC ,039; t u min =50 мкс, t G = мс, длительность фронта импульса управления не более 5 мкс, сопротивление цепи управления не более 50 Ом. I DRM Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, ма, не более 3 7 Т jm =5 C Цепь управления разомкнута. Т jm =5 C Цепь управления разомкнута.

4 Наименование, единица ы открытого состояния Значение параметра ТС65-50 ТС65-63 ТС65-80 ТС65-00 ТС65-5 Условия установления I TRMSM Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии, А Т с =80 C Импульсы тока синусоидальные частотой 50 Гц, угол проводимости 360 град. эл Т j =5 C Т jm =5 C I TSM Ударный ток в открытом состоянии, А Импульс тока синусоидальный одиночный длительностью не более 0 мс, U R =0, I G =I GT при Т jmin. U TM Импульсное напряжение в открытом состоянии, B, не более Т j =5 C, I T =.I TRMSM U T(TO) r T I TRMS Пороговое напряжение в открытом состоянии, B, не более Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мом, не более Максимально допустимый действующий ток в открытом состоянии при T а =0 C, А Т jm =5 C Т jm =5 C естественное охлаждение охладитель OP охладитель OP3-60 принудительное охлаждение v=6 м/с охладитель OP3-80 ы переключения Значение параметра Наименование, единица TC65-50 TC65-63 TC65-80 TC65-00 TC65-5 Условия установления (di T /dt) crit Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс Т jm =5 C, U D =0,67U DRM, I T =I TVM 3I TVM. Импульсы тока частотой (-5) Гц. Количество импульсов тока - 0. Режим цепи управления: форма - трапецеидальная; I G =500 ма; di G /dt= /мкс; t UG =(00-00) мкс

5 U GT ы управления Значение параметра Условия Наименование, единица Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более ТС65-50, ТС65-63, ТС65-80, ТС65-00, ТС65-5 установления 3 Т j =5 C, U D = В 5 Т jmin =-0 C, U D = В I GT U GD Отпирающий постоянный ток управления, ма, не более Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не менее 50 Т j =5 C, U D = В 300 Т jmin =-0 C, U D = В 0.5 Т jm =5 C, U D =0,67U DRM T jm T jmin T stgm T stgmin R thjc R thch R thjа Наименование, единица Максимально допустимая температура перехода, C Минимально допустимая температура перехода, C Максимально допустимая температура хранения, C Минимально допустимая температура хранения, C Тепловое сопротивление переход-корпус, C/, не более Тепловое сопротивление корпусохладитель, C/, не более Тепловое сопротивление переход-среда, C/, не более Тепловые параметры Значение параметра ТС65-50 ТС65-63 ТС65-80 ТС65-00 ТС минус 0 50 минус 0 Условия установления Постоянный ток 0.63 естественное охлаждение охладитель OP охладитель OP3-60 принудительное охлаждение, v=6 м/с охладитель OP3-80

6 ы гальванической развязки Значение параметра Наименование, единица Класс прибора ТС65-50 ТС65-63 ТС65-80 ТС65-00 ТС65-5 Условия установления U isol Электрическая прочность изоляции между беспотенциальным основанием и выводами, В (действующее значение) Нормальные климатические условия. Частота испытательного напряжения 50 Гц, время испытания мин. R isol Сопротивление изоляции между беспотенциальным основанием и выводами, МОм, не менее Нормальные климатические условия. Напряжение 000 В, время испытания не менее 0 с. Повышенная влажность (93%). Напряжение 000 В, время испытания не менее 0 с. ТС65-50 ТС65-63 ТС65-80 ТС65-00 ТС65-5 Рисунок : Предельные вольтамперные характеристики при максимально допустимой температуре перехода Т jm () и температуре Т j =5 C (), I T =, I TRMSM.

7 ТС65-50 ТС65-63 ТС º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º T c, ºC T c, ºC T c, ºC ТС65-00 ТС º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º T c, ºC T c, ºC Рисунок : Зависимость допустимого действующего тока в открытом состоянии I TRMS синусоидальной формы частотой 50 Гц при различных углах проводимости от температуры корпуса Т c. ТС65-50 ТС65-63 ТС º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º ТС65-00 ТС º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º Рисунок 3: Зависимость допустимого действующего тока в открытом состоянии I TRMS синусоидальной формы частотой 50 Гц при различных углах проводимости от температуры окружающей среды Т a при естественном охлаждении на OP3-80

8 P T(V), ТС65-50 P T(V), ТС65-63 P T(V), ТС º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º I T(V), I T(V), I T(V), P T(V), ТС65-00 P T(V), ТС º 60º 90º 0º 80º 30º 60º 90º 0º 80º I T(V), I T(V), Рисунок : Зависимость средней мощности потерь P T(V) от действующего значения тока I TRMS в открытом состоянии синусоидальной формы частотой 50 Гц при различных углах проводимости. ТС65-50 ТС65-63 ТС65-80 ТС65-00 ТС65-5 Рисунок 5: Зависимость допустимой амплитуды ударного тока в открытом состоянии I TSM от длительности импульса тока t i при исходной температуре структуры T j =5 C () и максимально допустимой температуре перехода T jm ().

9 ²c ТС65-50 ²c ТС65-63 ²c ТС65-80 ²c ТС65-00 ²c ТС65-5 Рисунок 6: Зависимость защитного показателя I²t от длительности импульса тока t i при исходной температуре структуры T j =5 C () и максимально допустимой температуре перехода T jm ().


ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ115-6,3, ÒÑ115-10, ÒÑ115-16, ÒÑ115-25 ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-6,3, ÒÑ5-0, ÒÑ5-6, ÒÑ5-5 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òðèàêè ÒÑ5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò165-50, Ò165-63, Ò165-80, Ò ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò65-50, Ò65-63, Ò65-80, Ò65-00 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò65 âûïóñêàþò íà òîêè 50, 63, 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 00 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ.

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ

ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ3-500, ÒÑ3-630, ÒÑ3-800, ÒÑ3-000 Òðèàêè ñîîòâåòñòâóþò ÒÓ Ó 3.-30077685-07:005. Âèäû êëèìàòè åñêèõ èñïîëíåíèé ÓÕË, Ò3. Ãàáàðèòíî-ïðèñîåäèíèòåëüíûå ðàçìåðû è ìàññà òðèàêîâ 0,± 0,min 0,min 0,0 38±

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò115-6,3, Ò115-10, Ò115-16 ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ Ò5-6,3, Ò5-0, Ò5-6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Òèðèñòîðû Ò5 âûïóñêàþò â êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÒÒ6/3-60, ÌÒÄ6/3-60, ÌÄÒ6/3-60,

Подробнее

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ

ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÑ , ÒÑ , ÒÑ Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ ÒÐÈÀÊÈ ØÒÛÐÅÂÎÉ ÊÎÍÑÒÐÓÊÖÈÈ ÒÐÈÀÊÈ ÒÑ5-00, ÒÑ5-5, ÒÑ5-60 Êîíñòðóêöèÿ òðèàêîâ m, m - êîíòðîëüíûå òî êè èçìåðåíèÿ èìïóëüñíîãî íàïðÿæåíèÿ â îòêðûòîì ñîñòîÿíèè; m - â îäíîé èç äâóõ òî åê; L =,0 ìì - ìèíèìàëüíîå

Подробнее

ТРИАКИ ТС , ТС , ТС , ТС

ТРИАКИ ТС , ТС , ТС , ТС ТРИАКИ ТС6-60, ТС6-00, ТС7-50, ТС7-30 Триаки предназначены для работы в бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуре в цепях переменного тока частотой до 500 Гц. Конструкция триаков штыревая

Подробнее

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò

ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T , T , T , T , Ò ÒÈÐÈÑÒÎÐÛ T383 T683 T83300 T583300 Ò830 Òèðèñòîðû òàáëåòî íîé êîíñòðóêöèè Êîíñòðóêöèÿ òèðèñòîðîâ Вывод анода 3.5 х min отв. Вывод управляющего электрода Дополнительный вывод катода L= ìì ðàññòîÿíèå ïî

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ33-50, ТБ33-30, ТБ33-400, ТБ43-400, ТБ43-500, ТБ43-630 Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ , ТБ , ТБ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ , ТБ , ТБ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ,, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk7@tut.by Беларусь г.минск тел./факс 8(07)00-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk7@tut.by ТИРИСТОРЫ

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00 МДT0/3-00 МTД0/3-00 МТТ0/4-00 МТТ0/5-00 МTT0/3-50 МДT0/3-50 МTД0/3-50 МТТ0/4-50 МТТ0/5-50 МTT0/3-30 МДT0/3-30 МTД0/3-30

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое время

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT0/3-00, МДT0/3-00, МTД0/3-00, МТТ0/4-00, МТТ0/5-00, МTT0/3-50, МДT0/3-50, МTД0/3-50, МТТ0/4-50, МТТ0/5-50, МTT0/3-30, МДT0/3-30,

Подробнее

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ

МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МОДУЛИ ГИБРИДНЫЕ ОПТОСИМИСТОРНЫЕ МГТСО4/6-00, МГТСО4/6-5, МГТСО4/6-60, МГТСО4/8-00, МГТСО4/8-5, МГТСО4/8-60, МГТСО8/6-00, МГТСО8/6-50, МГТСО8/6-30, МГТСО8/8-00, МГТСО8/8-50, МГТСО8/8-30, МГТСО8/-00, МГТСО8/-50,

Подробнее

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ142-50, ТБ142-63, ТБ152-80, ТБ

ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ТБ142-50, ТБ142-63, ТБ152-80, ТБ ТИРИСТОРЫ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ,,, Тиристоры быстродействующие предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок, в которых требуется небольшое

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß

ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ ÁÛÑÒÐÎÂÎÑÑÒÀÍÀÂËÈÂÀÞÙÈÅÑß Ìîäóëè äèîäíûå áûñòðîâîññòàíàâëèâàþùèåñÿ (ÌÄ Ä ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè àñòîòíûõ äèîäîâ. Ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: ÌÄ Ä 8/300, ÌÄ Ä 8/35,

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT12/3500, МДT12/3500, МTД12/3500, МТТ12/4500, МТТ12/5500, МTT12/3630, МДT12/3630, МTД12/3630, МТТ12/4630, МТТ12/5630, МTT12/3800, МДT12/3800, МTД12/3800, МТТ12/4800,

Подробнее

Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå. Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé:

Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå. Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé: Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå è êîìáèíèðîâàííûå ÌÎÄÓËÈ ÄÈÎÄÍÛÅ Ìîäóëè äèîäíûå (ÌÄÄ) ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé êîìáèíàöèè äèîäîâ ñëåäóþùèõ òèïîèñïîëíåíèé: ÌÄÄ6/3-60, ÌÄÄ6/3-00, ÌÄÄ6/3-50 ÌÄÄ8/3-5, ÌÄÄ8/3-60, ÌÄÄ8/3-00

Подробнее

Модули тиристорные и комбинированные

Модули тиристорные и комбинированные МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/3-1, МДT13/3-1, МTД13/3-1, МТТ13/4-1,, МT17/1-1 (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) состоят из силовых полупроводниковых элементов: тиристоров,

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä165-80, Ä , ÄË165-80, ÄË

ÄÈÎÄÛ Ä165-80, Ä , ÄË165-80, ÄË ÄÈÎÄÛ Ä6580, Ä6500, ÄË6580, ÄË6500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä65, ÄË65 âûïóñêàþò íà òîêè 80 è 00 À íàïðÿæåíèåì îò 400 äî 600 Â â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì îñíîâàíèåì ôëàíöåâîãî èñïîëíåíèÿ. Äèîäû

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» тиристорные тиристорные и МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363, МTД13/363, МТТ13/463, МТТ13/563, МT17/163, МTT13/38, МДT13/38, МTД13/38, МТТ13/48, МТТ13/58, МT17/18 тиристорные и (в

Подробнее

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь»

МТД12/ К2-1,38/1,3 ТУ У : шт. ООО «Элемент-Преобразователь» МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT2/30, МДT2/30, МTД2/30, МТТ2/40, МТТ2/50, МTT2/3630, МДT2/3630, МTД2/3630, МТТ2/4630, МТТ2/5630, МTT2/3800, МДT2/3800, МTД2/3800, МТТ2/4800, МТТ2/5800 (в пластмассовом

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6

ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 ÌÎÄÓËÈ ÎÏÒÎÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ ÌÒÎÒÎ4/6 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ìîäóëè îïòîòèðèñòîðíûå (ÌÒÎÒÎ) ñîñòîÿò èç äâóõ îïòîòèðèñòîðíûõ ýëåìåíòîâ ñî âñòðå íî-ïàðàëëåëüíîé ñõåìîé ñîåäèíåíèÿ â ïëàñòìàññîâîì êîðïóñå ñ áåñïîòåíöèàëüíûì

Подробнее

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ

ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ ÌÎÄÓËÈ ÒÈÐÈÑÒÎÐÍÛÅ È ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÅ Ìîäóëè òèðèñòîðíûå (ÌÒÒ) è êîìáèíèðîâàííûå: òèðèñòîðíî-äèîäíûå (ÌÒÄ) è äèîäíî-òèðèñòîðíûå (ÌÄÒ) ïðåäñòàâëåíû ñëåäóþùèìè òèïîèñïîëíåíèÿìè: Ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» Модули Модули тиристорные тиристорные и Беларусь г.минск тел./факс 8(17)25646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT13/363, МДT13/363,

Подробнее

ООО «Элемент-Преобразователь»

ООО «Элемент-Преобразователь» Беларусь г.минск тел./факс 8(017)5646 электронные компоненты радиодетали www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ МTT14/3400, МДT14/3400, МTД14/3400, МTT14/30, МДT14/30,

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25 ФОТОТИРИСТОРЫ Фототиристор, содержащий полупроводниковый элемент ТО3-5, предназначен для работы в схемах дуговой защиты контактно - распределительных устройств (КРУ) и других устройствах электротехнического

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä ÄÈÎÄÛ Ä350, Ä330 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê. Óñëîâèÿ ýêñïëóàòàöèè

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä ÄÈÎÄÛ Ä33630, Ä33800, Ä33000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä33 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê. Óñëîâèÿ

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË5350, ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53, ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ132-32, ДЧ132-32Х, ДЧ132-40, ДЧ132-40Х, ДЧ132-50, ДЧ132-50Х ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ÄË53600, ÄË53000, ÄË53500 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË53 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé äî 500 Ãö ðàçëè íûõ ñèëîâûõ óñòàíîâîê.

Подробнее

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ , ДЧ ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДЧ3350, ДЧ3330,, ДЧ43500, ДЧ43800 Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока и применяются в различных

Подробнее

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ

ÄÈÎÄÛ Ä , Ä , Ä Õ, Ä , Ä Õ ÄÈÎÄÛ Ä730, Ä7400, Ä7400Õ, Ä7500, Ä7500Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Ä3500, Ä33600, Ä43000 Îáùèå ñâåäåíèÿ Äèîäû Ä3500, Ä33600, Ä43000 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà àñòîòîé

Подробнее

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции

Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции Диоды таблеточной ÄÈÎÄÛ конструкции ÄË330, ÄË33500, ÄË43800 Îáùèå ñâåäåíèÿ Ëàâèííûå äèîäû ÄË330, ÄË33500, ÄË43800 òàáëåòî íîãî èñïîëíåíèÿ ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî

Подробнее

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДЧЛ , ДЧЛ , ДЧЛ

ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДЧЛ , ДЧЛ , ДЧЛ ДИОДЫ БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока и применяются в различных преобразователях электроэнергии.

Подробнее

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ

АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР ТАИ V DRM = 2400-3400 В I T(AV) = 815 А (T C = 85 C) I T(AV) = 1030 А (T C = 70 C) I TSM = 16 кa (T j = 125 C) АСИММЕТРИЧНЫЙ ТИРИСТОР низкие времена выключения разветвлённый управляющий электрод с усилением

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х,

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ142-63, ДЧ142-63Х, ДЧ142-80, ДЧ142-80Х, ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ, Х,, Х,, Х,, Х,, Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются в различных преобразователях

Подробнее

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25

ФОТОТИРИСТОРЫ ТФ132-25 модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk7@tut.by tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х

ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ112-10, ДЧ112-10Х, ДЧ ДЧ112-16Х, ДЧ122-20, ДЧ122-20Х, ДЧ122-25, ДЧ122-25Х ДИОДЫ ЧАСТОТНЫЕ ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-6 ДЧ-6Х, ДЧ-0, ДЧ-0Х, ДЧ-5, ДЧ-5Х Диоды предназначены для работы в устройствах с высокочастотной коммутацией цепей постоянного и переменного тока частотой до 0000 Гц и применяются

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË6-00, ÄË6-50, ÄË7-30, ÄË7-400 Äèîäû ëàâèííûå íèçêî àñòîòíûå ñ ãèáêèì âûâîäîì ïðåäíàçíà åíû äëÿ ïðèìåíåíèÿ â âûïðÿìèòåëüíûõ óñòðîéñòâàõ, èñòî íèêàõ ïèòàíèÿ è óñòðîéñòâàõ çàùèòû îò ïåðåíàïðÿæåíèé.

Подробнее

ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) ТБИ V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 2,5 ка

ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) ТБИ V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 2,5 ка ТИРИСТОР БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ (ЧАСТОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ) V DRM /V RRM = 600-1200 В I T(AV) = 105 А (T C = 85 C) I T(AV) = 130 А (T C = 70 C) I TSM = 2,5 кa (T j = 125 C) внутреннее усиление сигнала управления

Подробнее

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО2/10

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО2/10 МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ÑИЛОВЫЕ Ñ ОДНОФАЗНОЙ МОÑТОВОЙ ÑХЕМОЙ МО/0 Общèå ñâåäåíèÿ Модули полупроводниковые силовые с мостовой схемой МО/0 с беспотенциальным основанием, состоят из силовых полупроводниковых

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 300-1800 В I T(AV) = 100 А (T C = 85 C) I TSM = 2 кa (T j = 140 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ герметичный металлокерамический корпус низкие потери в открытом состоянии МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ

Подробнее

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М02/13

МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М02/13 МОДУЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИЛОВЫЕ С ТРЁХФАЗНОЙ МОСТОВОЙ СХЕМОЙ М0/3 Общие сведения Модули полупроводниковые силовые с мостовой схемой М0/3 с беспотенциальным основанием, состоят из силовых полупроводниковых

Подробнее

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс

Т V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM ка. (di T /dt) crit A/мкс. (dv D /dt) crit В/мкс V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 600 А (T C = 85 C) I T(AV) = 750 А (T C = 70 C) I TSM = 11 кa (T j = 125 C) ТИРИСТОР НИЗКОЧАСТОТНЫЙ внутреннее усиление сигнала управления минимальные потери в открытом

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ МОДУЛИ ТИРИСТОРНО-ДИОДНЫЕ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 80 А (T C = 87 C) I TSM = 1,6 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание прижимная

Подробнее

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС4/4, МТСТС4/5, МПТСТС4/5

МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС4/4, МТСТС4/5, МПТСТС4/5 МОДУЛИ СИМИСТОРНЫЕ МТСТС/, МТСТС/5, МПТСТС/5 Общие сведения Модули симисторные состоят из двух силовых полупроводниковых элементов тиристорных симметричных (триаков) в пластмассовом корпусе с беспотенциальным

Подробнее

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс

ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ Т2-160 V DRM / V RRM V DSM / V RSM I T(AV) - - I TSM - - 3,5 ка. (di T /dt) crit A/мкс V DRM /V RRM = 400-1000 В I T(AV) = 165 А (T C = 85 C) I TSM = 3,5 кa (T j = 125 C) фланцевая конструкция корпуса ТИРИСТОР РОТОРНЫЙ допускают эксплуатацию в условиях центробежных и тангенциальных ускорений

Подробнее

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД13/3-1000, МДД13/4-1000, МДД13/5-1000, МДД13/3-1250, МДД13/4-1250, МДД13/5-1250, МД17/1-1000, МД17/1-1250

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД13/3-1000, МДД13/4-1000, МДД13/5-1000, МДД13/3-1250, МДД13/4-1250, МДД13/5-1250, МД17/1-1000, МД17/1-1250 МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД3/3, МДД3/4, МДД3/5, МДД3/325, МДД3/425, МДД3/525, МД7/, МД7/25 Модули диодные (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) собраны по схемам, указанным ниже. Модули предназначены

Подробнее

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250

МТТ-250, МТТА-250, МТД-250, МТДА-250, МДТ-250, МДТА-250 М О Д У Л И Т И Р И С Т О Р Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V DRM /V RRM = 400-1600 В I T(AV) = 250 А (T C = 85 C) I TSM = 8 кa (T j = 125 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное

Подробнее

ДИОДЫ ДЛ ДЛ

ДИОДЫ ДЛ ДЛ ДИОДЫ ДЛ563300 ДЛ573300 ДЛ5734000 ДЛ5735000 Общие сведения Назначение и область применения Диоды ДЛ563, ДЛ573 выпускают на токи от 300 до 5000 А таблеточного исполнения с повышенной термодинамической устойчивостью.

Подробнее

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80

МТТ- 80, МТД- 80, МДТ- 80 Предлагаем ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ РАЗЪЕМЫ (радиодетали) МТТ80 МТД80 МДТ80 СО СКЛАДА И ПОД ЗАКАЗ Беларусь г.минск тел./факс 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by Техническая информация

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ273-2000-20

Подробнее

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË

ÄÈÎÄÛ ËÀÂÈÍÍÛÅ ÄË , ÄË , ÄË , ÄË модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали, электронные компоненты email minsk7@tut.by tel.+375 9 758 47 80 мтс каталог, описание, технические, характеристики,

Подробнее

ÄÈÎÄÛ. Ðåêîìåíäóåìûå îõëàäèòåëè. Охладители по ТУ У ОР

ÄÈÎÄÛ. Ðåêîìåíäóåìûå îõëàäèòåëè. Охладители по ТУ У ОР ÄÈÎÄÛ Ä6-00, Ä6-00Õ, Ä6-50, Ä6-50Õ, Ä6-30, Ä6-30Õ Äèîäû ïðåäíàçíà åíû äëÿ ðàáîòû â öåïÿõ ïîñòîÿííîãî è ïåðåìåííîãî òîêà ðàçëè íûõ ñèëîâûõ ýëåêòðîòåõíè åñêèõ óñòàíîâîê àñòîòîé äî 500 Ãö, à òàêæå â ïîëóïðîâîäíèêîâûõ

Подробнее

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД14/3-500, МДД14/3-630, МД16/1-500, МД16/1-630

Модули диодные МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД14/3-500, МДД14/3-630, МД16/1-500, МД16/1-630 МОДУЛИ ДИОДНЫЕ МДД4/35, МДД4/363, МД6/5, МД6/63 (в пластмассовом корпусе с беспотенциальным основанием) собраны по схемам, указанным ниже. Модули предназначены для работы в цепях постоянного и переменного

Подробнее

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ

Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкие динамические потери Малый заряд обратного восстановления Разветвленный управляющий электрод для высоких скоростей нарастания тока Быстродействующий Импульсный Тиристор Тип ТБИ773-2000-25

Подробнее

ТД320А, ТД320Б. Ударный ток при tимп = 10 мс при температуре структуры +125 С. i 2 dt при tимп = 10 мс. ТД320А А 2 *с ТД320Б А 2 *с

ТД320А, ТД320Б. Ударный ток при tимп = 10 мс при температуре структуры +125 С. i 2 dt при tимп = 10 мс. ТД320А А 2 *с ТД320Б А 2 *с , Тиристоры серии ТД (ТУ 1.6.529.420-71, информационный материал 05.04.15-73) предназначены для работы на частоте до 500 Гц и характеризуются как тиристоры с повышенными динамическими параметрами, т.е.

Подробнее

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80

МДД-80, МДДК-80, МДДА-80 М О Д У Л И Д И О Д Н Ы Е Н И З К О Ч А С Т О Т Н Ы Е V RRM = 400-1600 В I F(AV) = 80 А (T C = 100 C) I FSM = 2 кa (T j = 140 C) отвод тепла через алюмонитридную керамику, изолирующую медное основание

Подробнее

Двухпозиционный Диодный Модуль МДx F

Двухпозиционный Диодный Модуль МДx F Все размеры в миллиметрах (дюймах) ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Изолированное основание Корпус промышленного стандарта Упрощенная механическая конструкция, быстрая сборка Прижимная конструкция Двухпозиционный Диодный

Подробнее

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ

МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ И КОМБИНИРОВАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ 2. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ Технические данные СПМ включают сведения о выпускаемых предприятием модулях и схемах их соединений. Технические данные модулей распределены по следующим основным группам:

Подробнее

ДЛ ЛАВИННЫЙ ДИОД МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ. V RRM = В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C)

ДЛ ЛАВИННЫЙ ДИОД МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ. V RRM = В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C) ЛАВИННЫЙ ДИОД V RRM = 1600-2000 В I F(AV) = 2000 А (T C = 100 C) I FSM = 30 кa (T j = 175 C) минимальные потери пригодны для последовательного и параллельного соединения (малый разброс Q rr, V FM, I RRM

Подробнее

WZDT131N12-16KOF МОДУЛИДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ

WZDT131N12-16KOF МОДУЛИДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ WZDT131N12-16KOF МОДУЛИДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ Особенности Высокая энерготермоциклостойкость Увеличение возможностей циркулирующего мощности Экономить пространство и вес Применения Электрический привод Разные

Подробнее

WZTT85N18-20KOF МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ

WZTT85N18-20KOF МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ WZTT85N18-20KOF МОДУЛИ ТИРИСТОРНЫЕ Особенности Высокая энерготермоциклостойкость Увеличение возможностей циркулирующего мощности Экономить пространство и вес Применения Электрический привод Разные выпрямители

Подробнее

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС Низкочастотный Тиристор ысокая стойкость к электротермоциклированию Низкие статические и динамические потери Разработан для промышленного применения Средний прямой ток Повторяющееся

Подробнее

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В

Открытое Акционерное Общество «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» МТКИ КН. T j max = 175 С V isol = 4000 В С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь одиночный ключ МТКИ360012КН кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

ЭЛЕКТРУМ АВ. Паспорт

ЭЛЕКТРУМ АВ. Паспорт ЭЛЕКТРУМ А Паспорт стречно-параллельные тиристоры По вопросам продаж и поддержки обращайтесь: Архангельск (882)-90-2 Астана +(2)2-2 Белгород (22)0-2- Брянск (82)9-0-2 ладивосток (2)29-28- олгоград (8)28-0-8

Подробнее

Полупроводниковый тиристор (симистор). triatron.ru. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации.

Полупроводниковый тиристор (симистор). triatron.ru. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации. ОСОБЕННОСТИ: BTA8-6B Полупроводниковый тиристор (симистор). Q технологии для повышения помехоустойчивости. Высокая возможность коммутации с максимальной защитой ложных срабатываний. Высокая устойчивость

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 300 А (T C = 80 C) I C Puls = 600 А СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30017К одиночный ключ, на основе IGBTкристаллов с вертикальным каналом (Trench Gate технология) встроенный быстродействующий диод обратного тока корпус с изолированным основанием

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ5006 С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin О С Н О В Н Ы Е

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ30012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12Ч

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12Ч С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь М2ТКИ5012Ч I IGBT модуули www.elvpr.ru полумост корпус с изолированным основанием низкое значение энергий коммутационных потерь при включении E on и выключении E off оптимальные

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ Т. транспорт мощные высоковольтные электропривода, работающие в циклическом режиме

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ Т. транспорт мощные высоковольтные электропривода, работающие в циклическом режиме СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенный быстродействующий диод обратного тока повышенная устойчивость к температурным циклам (не менее 100 000 циклов при T j = 70 C) корпус повышенной прочности с изолированным

Подробнее

«ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ»

«ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» М2ТКИ150122КН / МДТКИ150122КН / МТКИД150122КН О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

М2ТКИ В ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBT модуули www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin эффективное значение напряжения пробоя

Подробнее

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ

IGBT МОДУЛИ М2ТКИ-75-12КЧ / МДТКИ-75-12КЧ / МТКИД-75-12КЧ М2ТКИ7512КЧ / МДТКИ7512КЧ / МТКИД7512КЧ О С О Б Е Н Н О С Т И кристаллы IGBT Fast Trench Fieldstop 4го поколения кристаллы диодов Emitter Controlled 4го поколения низкие суммарные динамические потери частоты

Подробнее

Мощные тиристоры с самозащитой и PressPack IGBT производства АО "Протон - Электротекс" для комплектации оборудования электроэнергетики

Мощные тиристоры с самозащитой и PressPack IGBT производства АО Протон - Электротекс для комплектации оборудования электроэнергетики Мощные тиристоры с самозащитой и PressPack IGBT производства АО "Протон - Электротекс" для комплектации оборудования электроэнергетики М.В. Майоров, А.М. Сурма, Д.А. Титушкин АО «Протон-Электротекс» III

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ М2ТКИ220017 СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МДТКИ I C = 1200 А (T C = 25 C) I C = 600 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ МДТКИ60017 одиночный ключ с диодом чоппера (диод может быть подключен как со стороны эмиттера, так и со стороны коллектора с помощью внешних силовых шин) встроенный быстродействующий

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ КT

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ КT СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

МДТКИ / МТКИД

МДТКИ / МТКИД МДТКИ220017 / МТКИД220017 I IGBTT моодуулии СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ с диодом чоппера в цепи коллектора (МДТКИ220017) или эмиттера (МТКИД220017) встроенный быстродействующий диод обратного тока

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ К

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ МТКИ К СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ одиночный ключ кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом состоянии

Подробнее

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор

КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор КУ405 (8А, 600В и 800В) кремниевый тиристор Назначение Тиристоры КУ405А (8А, 600В) и КУ405Б (8А, 800В) кремниевые триодные, не проводящие в обратном направлении, с управлением по катоду. Предназначены

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь ПРИБОРЫ, ПОСТАВЛЯЕМЫЕ ОАО «ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ» Д Л Я Н У Ж Д В П К Основные особенности силовых полупроводниковых приборов с приемкой «5»: ٠расширенный диапазон температур окружающей среды (от минус 60

Подробнее

модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ"

модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО ЭЛЕКТРУМ АВ 01.01.01 модули_изм1. doc Сделано в России ЗАО "ЭЛЕКТРУМ АВ" ДИОДНЫЕ, ТИРИСТОРНЫЕ И ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЕ МОДУЛИ М1, М1.1, М1., М, М, М4, М4.1, М4., М4. 000 г. Орел, Наугорское шоссе, тел. (486) 44-0-44,

Подробнее

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12К

Э Л Е К Т Р О В Ы П Р Я М И Т Е Л Ь М2ТКИ-50-12К С И Л О В О Й I G B T М О Д У Л Ь I IGBT модуули www.elvpr.ru полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes)

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 600 А (T C = 80 C) I Cpuls = 1200 А (T C = 80 C)

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ К. I C = 600 А (T C = 80 C) I Cpuls = 1200 А (T C = 80 C) СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ М2ТКИ60012К полумост кристаллы IGBT IV поколения с вертикальным каналом (trench gate) встроенные быстродействующие диоды обратного тока (EmCon Fast diodes) сверхнизкие потери в открытом

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М2ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ полумост встроенные быстродействующие диоды обратного тока корпус с изолированным основанием I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin ОСНОВНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ преобразователи

Подробнее

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора

ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ М6ТКИ-20-06. Значение параметра Напряжение коллектор-эмиттер V CE 600 Напряжение затвор-эмиттер V GE ± 20 Постоянный ток коллектора М6ТКИ СИЛОВОЙ IGBT МОДУЛЬ трехфазный мост корпус Econopack 2 с короткими выводами под пайку встроенные быстродействующие диоды обратного тока изолированное основание I IGBTT моодуулии www.elvpr.ru www.moris.ru/~martin

Подробнее

ТБ , ТБ

ТБ , ТБ ТБ153-630, ТБ153-800 Тиристоры кремниевые диффузионные р

Подробнее

U T(TO) (T c ), A( C), B ABB 5STP 06T (70) 0,99 0,5 0, ,5

U T(TO) (T c ), A( C), B ABB 5STP 06T (70) 0,99 0,5 0, ,5 модуль тиристорный Минск т.80447584780 www.fotorele.net www.tiristor.by радиодетали электронные компоненты email minsk17@tut.by tel.+375 29 758 47 80 мтс каталог описание технические характеристики datasheet

Подробнее

Электрум АВ Интеллектуальные модули. Тиристорное управление нагрузкой

Электрум АВ Интеллектуальные модули. Тиристорное управление нагрузкой Электрум АВ Интеллектуальные модули Тиристорное управление нагрузкой Тиристорный регулятор мощности 1 2 3 4 6 5 7 8 Для построения типового тиристорного регулятора мощности требуются узлы: 1 интерфейс

Подробнее

КУ613 симметричный триодный тиристор (триак)

КУ613 симметричный триодный тиристор (триак) КУ613 симметричный триодный тиристор (триак) Назначение Тиристоры КУ613А, КУ613Б кремниевые планарные симметричные триодные, в пластмассовом корпусе, функционирующие в трех квадрантах полярности напряжения

Подробнее