Вопросы и контрольные задания (задачи) по дисциплине «Электроника» 1. Вопросы, подлежащие изучению

Размер: px
Начинать показ со страницы:

Download "Вопросы и контрольные задания (задачи) по дисциплине «Электроника» 1. Вопросы, подлежащие изучению"

Транскрипт

1 Вопросы и контрольные задания (задачи) по дисциплине «Электроника» 1. Вопросы, подлежащие изучению 1. Собственные полупроводники. Зонная диаграмма, условия термодинамического равновесия и эклектической нейтральности и основные процессы. 2. Примесные полупроводники р-типа. Зонная диаграмма, условия термодинамического равновесия и эклектической нейтральности и основные процессы. 3. Примесные полупроводники n-типа. Зонная диаграмма, условия термодинамического равновесия и эклектической нейтральности и основные процессы. 4. Образование контактной разности потенциалов. Р-n переход в состоянии равновесия. 5. р-n переход при прямом смещении. Токи, зонная диаграмма и ширина перехода. 6. р-n переход при обратном смещении. Токи, зонная диаграмма и ширина перехода. 7. Модель р-n перехода. Барьерная и диффузионная емкости. 8. ВАХ диода и ее зависимость от температуры, материала и концентрации примеси. Уравнение Шокли. 9. Пробои р-n перехода. 10. Диод Шоттки. ВАХ и принцип работы. 11. Виды полупроводниковых диодов: выпрямительный, стабилитрон, варикап. ВАХ, УГО, принцип работы. 12. Биполярный транзистор. Принцип действия, УГО, режимы работы. 13. Работа БТ в схеме включения с общей базой. Входные и выходные характеристики. 14. Работа БТ в схеме включения с общим эмиттером. Входные и выходные характеристики. 15. Параметры БТ. Модель Эберса-Молла. 16. Структура Металл-Диэлектрик-Полупроводник. Эффект поля. 17. Принцип действия МДП транзистора, эффект модуляции длины канала, УГО и параметры. 18. МДП-транзистор со встроенным каналом. УГО, статические характеристики. 19. МДП-транзистор с индуцированным каналом. УГО, статические характеристики. 20. Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом. УГО, принцип действия и статические характеристики. 21. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Фоторезистор, фотодиод и фототранзистор. ВАХ, УГО, принцип работы. 22. Оптоэлектронные пары. ВАХ, УГО, принцип работы. 23. Основные технологические операции при формировании интегральных схем. Фотолитография, легирование, эпитаксия, окисление, металлизация. 24. Методы изоляции элементов интегральных схем. 25. Пассивные интегральные элементы: резистор, конденсатор и диод. Особенности конструкции изготовления и параметры. 26. Активные интегральные элементы: полевые и биполярные транзисторы. Особенности изготовления и параметры. 27. Частотные свойства БТ в схемах с общей базой и общим эмиттером. 28. Импульсные свойства и переходные процессы в БТ. Переходные процессы в БТ. 29. Импульсные свойства полевых транзисторов. Переходные процессы в ПТ. 30. Принцип работы простейшего ключа на основе БТ. Нагрузочная прямая. 31. Принцип работы простейшего ключа на основе ПТ. Нагрузочная прямая. 32. Логические элементы интегральных микросхем. Параметры логических элементов. 33. Инвертор на основе МДП транзистора с резистивной нагрузкой. Схема, нагрузочная характеристика, принцип работы. 1

2 34. Инвертор на основе МДП транзистора с динамической нагрузкой. Схема, нагрузочная характеристика, принцип работы. 35. Ключ на комплементарных МДП-транзисторах. Схема, нагрузочная характеристика, принцип работы. 36. Простейший элемент на основе транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Схема, принцип работы. 37. ТТЛ элемент с повышенной помехоустойчивостью. Схема, принцип работы. 38. ТТЛ элемент со сложным инвертором. Схема, принцип работы. 39. Дифференциальный каскад на БТ. Схема, принцип работы. 40. Операционный усилитель на БТ. Структурная схема, УГО, принцип работы, параметры. 41. Работа операционного усилителя в инвертирующем включении. Схема, параметры. 42. Работа операционного усилителя в неинвертирующем включении. Схема, параметры. 2. Основные вопросы курса «электроника» 1.p-n переход. Работа и характеристики. Использование в качестве диода и варикапа. 2.Работа биполярного транзистора для схемы с общей базой и с общим эмиттером. Характеристики и основные параметры. Определение h-параметров. Работа биполярного транзистора с активным сопротивлением в цепи коллектора. Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах. Ключевой режим. 3.Полевые транзисторы и их характеристики. Транзисторы с p-n переходом и МДП с индуцированным каналом. 4.Различие гибридных и полупроводниковых интегральных схем. Пассивные элементы в гибридных схемах. Структура и изоляция элементов в полупроводниковых интегральных схемах. 5.УПТ и дифференциальные усилители. 6.Схема ТТЛ. 7. МДП и КМДП элементы и схемы Основные задания 3. Контрольные задания и задачи 2

3 3

4 4

5 Вариант U 1 U 2 U 3 Фазы сигналов U 1, U 2, U Схемы для решения задач а) б) Рис. 1. Схемы логических элементов к задаче 1 ОБРАТИТЕ ВНИМАНИЕ на исправления красным (красное это верно) рис. 1,б. Эту неточность можно обнаружить в старых методических указаниях к решению такого вида задач. 5

6 Рис. 2. Схема логического элемента ТТЛ к задаче 2 6

7 Рис. 3. Варианты схем к задаче Методика решения задач Методика решения вышеуказанных задач рассматривается в учебном пособие [2], указанном в списке дополнительной литературы, и в конспекте лекций [4], название которого приводится в списке основной литературы. Список литературы приводится ниже Дополнительные контрольные задания и методические указания к их выполнению Общие указания Контрольные задания охватывают наиболее важные вопросы курса «Электроники». В задаче I необходимо провести расчет основных параметров 7

8 электронного прибора по его вольт-амперной характеристике, в задаче 2 - определить основные параметры транзистора для схемы включения с общим эмиттером или общим истоком в активном и ключевых режимах. Задача 3 посвящена анализу и синтезу цифровых схем, построенных на интегральных логических элементах. Студенту предстоит защита контрольной работы, на которой он должен быть готов дать разъяснения по решению всех задач и по работе над ошибками, проделанной им по замечаниям рецензента. Выбор варианта Исходные данные к заданиям для контрольной работы 2 определяются двумя последними цифрами студенческого билета и таблицами с исходными данными в соответствующей задаче. Требования к оформлению работ 1.На титульном листе работы указывается ФИО студента и номер студенческого билета 2. Для замечаний преподавателя на каждой написанной странице оставляют поля шириной 3-4 см. Все страницы нумеруются. 3.Графики и чертежи выполняются с соблюдением правил черчения и ГОСТа, желательно на миллиметровой бумаге. Рисунки могут быть выполнены карандашом. Все чертежи, рисунки, таблицы должны быть пронумерованы 4.Расчетные формулы должны сопровождаться объяснением буквенных обозначений. Все числовые данные необходимо подставить только в основных единицах (вольт, ампер и т.д.). Окончательный результат может быть выражен в производных единицах (килоом, миллиампер). 5.В конце работы указывается использованная литература, список которой составляется в соответствии с ГОСТом. 6.Работа должна быть подписана с указанием даты. 8

9 Задача I. 1. Найти среди рис вольт-амперную характеристику (ВАХ) заданного типа электронного прибора (ЭП). 2. Определить в обеих заданных точках ВАХ: а)ток или напряжение на ЭП, если заданы соответственно напряжение или ток; б)сопротивление ЭП постоянному току - R o ; в)дифференциальное сопротивление ЭП -. Кратко описать типовые применения данного ЭП. Условия для расчета определяются табл. I и табл. 2. Задача 2 1. Найти среди рис статические характеристики заданного типа транзистора (схема включения - общий эмиттер для биполярного транзистора, общий исток для полевого). 2. На выходных характеристиках транзистора построить нагрузочную прямую и при заданном положении рабочей точки определить выходной ток 1 0, выходное напряжение U o и падение напряжения U R на нагрузочном сопротивлении R. 3. Определить в рабочей точке малосигнальные дифференциальные параметры транзистора. В вариантах с биполярным транзистором рассчитываются, h 11, h 21,h 22, с полевым - S ; R i ;. 4. В случае использования транзистора в низкочастотном усили тельном каскаде найти его основные малосигнальные параметры в рабочей точке при сопротивлении источника сигнала R r = IOКOM. В вариантах с биполярным транзистором определяется R вх, R вых, К u, с полевым транзистором определяется R вых, К u и характеризуется величина R вх. 5. В случае использования транзистора в качестве ключа найти условия получения в нем состояний отсечки и насыщения, выходные напряжение и ток в состоянии отсечки U omc, I omc, выходные напряжение и ток в состоянии насыщения U нас, I нас Условия для построений и расчетов определяются данными табл.3 и табл. 4. 9

10 10

11 11

12 12

13 Таблица 1 Задание Последняя цифра номера студенческого билета 0 I Тип электронного прибора Точечный ДИОД Мощный выпрямительный Стабилитрон диод Динистор Окружающая температура Положение на ВАХ расчетных точек Заданные электрические величины (см. табл. 2) Прямая ветвь 2.Обратная ветвь Прямое напряжение U пр, обратное напряжение U обр Прямое напряжение U пр, обратный ток I обр 1. Прямая ветвь, включенное состояние 2.Обратная ветвь Прям.ток I пр.вкл, обр.напр. U обр 1.Прямая ветвь, включенное состояние 2.Прямая ветвь, включенное состояние Прямой ток I пр.вкл, прям.напряжение U пр.вкл Таблица 2 Задание Последняя цифра номера студенческого билета 0 I U пр, В 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,4 0,45 0,5 0,55. 0,6 U обр, В I обр, ма I пр.вкл, ма U пр.вкл, В

14 Таблица 3 Задание Тип транзистора Напряжение источника питания Е, В Предпоследняя цифра номера студенческого билета биполярный полевой с управляющим р-п переходом Нагрузочное сопротивление R, ком 1 1,25 1,5 1, ,25 1,5 1,75 2 Чем определяется рабочая точка (см. табл. 4) I б U зи Таблица 4 Задание Последняя цифра номера студенческого билета 0 I Ток базы I б, мка Напряжение затвор-исток U зи, В -0, ,25-1,5-2 -0, ,25-1,5-2 14

15 Методические указания к выполнению задач Задача 1 Для решения задачи I необходимо ознакомиться с основными свойствами и применением двухполюсных полупроводниковых ЭП - разновидностями диодов, стабилитроном, динистором (неуправляемым тиристором). Необходимая вольт-амперная характеристика (ВАХ) должна быть аккуратно перенесена на кальку или скопирована другим способом. На ВАХ выполняются построения, обозначаются величины токов и напряжений, а также указывается, какой температуре эта ВАХ соответствует. Этапы решения должны быть пояснены. Пусть ВАХ заданного ЭП при заданной температуре имеет вид рис. 9 (триодный тиристор при постоянном токе управляемого электрода), а остальная часть задания определяется из табл. 1 и 2 по двум последним цифрам номера студенческого билета В этом случае задано: I пр.вкл = 36 ма U пр.вкл =110 В 15

16 Для расчета дифференциального сопротивления построим около заданных точек прямоугольные треугольники, катеты которых будут равны приращениям напряжения U и тока I Треугольники должны быть достаточно малыми для того, чтобы их гипотенузы, являющиеся участками ВАХ, можно было считать отрезками прямых линий. Выполнив построения, найдем: В качестве указания на типовые применения тиристора можно назвать выпрямление переменного тока и коммутацию в электрических цепях. Выпрямление возможно благодаря его вентильным свойствам, видным из приведенного расчета. Коммутация возможна благодаря тому, что тиристор при прямом напряжении может находиться как во включенном, так и в выключенном состояниях, при которых его сопротивления также значительно отличаются. Следует иметь в виду, что в обозначениях токов и напряжении тиристора индексы "вкл", "выкл" в литературе обычно используются в ином значении. Например, U вкл обозначает то прямое напряжение, при котором происходит отпирание тиристора. Задача 2 Для решения задачи 2 необходимо изучить принцип работы и способы описания электрических, свойств биполярного и полевого транзисторов, ознакомиться с принципами использования биполярных и полевых транзисторов в усилительных каскадах и в качестве ключей. 16

17 Указания п.п, 1, 2, 3 задания Пусть необходимые статические характеристики имеют вид рис. 10 и рис. II (МДП-транзистор с индуцированным каналом р-типа). 17

18 На рис. 10 на примере варианта 88 построены нагрузочная прямая и рабочая точка А, что позволяет графически найти требуемые в п. 2 величины: Построив в рабочей точке на выходных характеристиках треугольник, можно определить внутреннее сопротивление: В С D Необходимо понимать, что использование имеющейся -стокозатворной (а в случае биполярного транзистора - входной) характеристики вполне допустимо, даже если указанное на ней напряжение U CИ (U КЭ ) отличается от необходимой величины ( U 0 ). Возникающая при этом погрешность очень невелика из-за слабого влияния выходного напряжения на величину выходного тока в усилитель ном режиме. Поскольку дифференциальные параметры полевого транзистора взаимно связаны, коэффициент усиления может быть рассчитан, исходя из величин R i и S: Указания к п.п. 4.5 задания Вполне достаточную в большинстве случаев точность дают следующие приближенные выражения. 18

19 В состоянии отсечки транзисторный ключ с биполярным транзистором находится при =0. В этом случае: где тепловой ток коллекторного перехода. Ключ с полевым транзистором с р-п переходом находится в состоянии отсечки, если Состояние насыщения в биполярном ключе достигается, при увеличении базового тока до величины, а в ключе на полевом транзисторе с р-п переходом - при уменьшении абсолютной величины напряжения на затворе до напряжения U зи нас. В обоих случаях рабочая точка смещается по нагрузочной прямой до линии, разделяющей области активного режима и область включенного состояния ключа (пунктирная линия на выходных характеристиках). В рассмотренном выше примере полевого МДП транзистора (рис. 10) искомые параметры составляют величины: Недостающая выходная характеристика, в данном случае при Uзи = 4,5 В, может быть построена исходя из того, что близлежащие выходные характеристики практически параллельны, а расстояния между ними пропорциональны, выходному току. 19

20 Задача 3 Дана цифровая схема рис. 12, построенная на трехвходовых логических элементах И-НЕ (для студентов с четными номерами студенческих билетов) или ИЛИ-HE (с нечетными номерами). На входы схемы поданы сигналы уровня 0 и I, которые образуют 7-разрядное двоичное число X 6 X 5...Х 0, соответствующее десятичному числу, составленному из двух последних цифр номера студенческого билета. Требуется: -записать аналитическое выражение у = f (X 0,X 1...X 6 ) для выходного сигнала схемы; -реализовать полученное аналитическое выражение для выходного сигнала на логических элементах ИЛИ-HE (для студентов с четными номерами студ.билетов) либо И-НЕ (с нечетными номерами); определить уровни сигналов на выходах всех логических элементов схем. Методические указания к выполнению задачи 3 Перед решением задачи необходимо познакомиться с разделом курса "Логические элементы". Начать решение следует с перевода в двоичную систему счисления десятичного числа, составленного из двух последних цифр студенческого билета (если это 00, то считать, что число равно 100). Процедуру перевода покажем на примере 3-разрядного десятичного числа, например 123: 20,

21 где 10 - основание системы счисления, а коэффициенты ( i =0,1,2) могут принимать значения от 0 до 9. В двоичной системе счисления трехзначное десятичное число 123 запишется следующим образом: где 2 - основание системы счисления, а коэффициенты (i =0 6) могут принимать только два значения 0 или 1. Коэффициенты можно найти, воспользовавшись следующей несложной процедурой деления десятичного числа на 2;, Проверим: Таким образом, Полученный результат следует записать в виде табл. 5. Если при преобразовании получится двоичное число с числом разрядов меньше 7, то недостающие старшие разряды в табл. 5 (X 6,X 5 и т.д.) надо заполнить нулями. Анализ цифровой схемы проведем на примере схемы рис. 13 для нечетного номера студенческого билета. Схема составлена из двухвходовых логических элементов ИЛИ-НЕ (элементы Пирса). Логическую функцию, которую реализует эта схема, необходимо будет получить на элементах И-НЕ (элементы Шеффера). 21

22 На рис. 14 приведены условные обозначения 2-входовых элементов И-НЕ и ИЛИ-HE, а также их таблицы истинности, в которых указаны все возможные комбинации сигналов на входах и соответствующие им сигналы на выходе. С помощью таблицы истинности определяют сигналы на выходе каждого логического элемента последовательно слева направо, обязательно записывая их, как это показано на рис. 13. Следует обратить внимание на то, как на элементах ИЛИ-НЕ можно реализовать логическую функцию ИЛИ (см. соединение элементов 1 и 3 или 2 и 4) и логическую функцию НЕ-инверсию (см. элементы 3 или 4). Логическую функцию y, соответствующую схеме рис. 13, можно реализовать на одном 4-входовом логическом элементе ИЛИ-HE (рис. 15). Для перевода схемы из базиса ИЛИ-HE в базис И-НЕ или наоборот необходимо воспользоваться соотношениями алгебры логики. 22

23 Из этой записи видно, что функцию у можно реализовать в базисе И-НЕ или на 2-входовых элементах (рис. 16) или на 4-входовых элементах (рис. 17). 23

24 3. Литература по курсу «Электроника» Основная литература: 1. Игумнов Д.В., Костюнина Г.П., Основы полупроводниковой электроники М.: Горячая линия Телеком, Режим доступа: ЭБС МТУСИ 2. Николотов В.И. Методические указания и контрольные задания по дисциплине «Физические основы электроники» / МТУСИ. М., с. Режим доступа: ЭБС МТУСИ. 3. Власов В.П., Каравашкина В.Н., Аринин О.В., Практикум по курсу «Электроника» / МТУСИ. М., ЭБС МТУСИ. 4. Туляков Ю.М.Конспект лекций по курсу «Электроника». ВВФ МТУСИ. Н.Новгород г. Дополнительная литература: 1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Учебное пособие для вузов. Под ред. Н.Д. Федорова. М.: Радио и связь, с. 2. Николотов В. И. Электроника: Учебное Пособие. М.: Информсвязьиздат, 2004 Режим доступа: ЭБС МТУСИ 3. Методические указания «Электроника в вопросах и ответах» авторов Аристархов Г.М., Берендеева Г.С., Власов В.П. и др. М.: Инсвязьиздат, с. Режим доступа: ЭБС МТУСИ. 4. Власов В.П., Каравашкина В.Н. Физические основы электроники: учебное пособие/ МТУСИ. М.; Режим доступа: ЭБС МТУСИ 24 Составил Туляков Ю.М.


Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

Контрольные вопросы и задания к лабораторным работам по дисциплине "Электроника 1.2"

Контрольные вопросы и задания к лабораторным работам по дисциплине Электроника 1.2 Контрольные вопросы и задания к лабораторным работам по дисциплине "Электроника 1.2" Лабораторная работа 1 «Осциллографирование электрических сигналов» 1. Поясните физический смысл параметров, входящих

Подробнее

Кафедра приема, передачи и

Кафедра приема, передачи и Лекция 1 ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ ТЕОРИИ И ТЕХНИКИ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Логические функции Математический аппарат, описывающий действия дискретных и цифровых устройств, базируется на алгебре логики, или

Подробнее

Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники

Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники Кафедра «Телекоммуникации» Доцент Нахалов В.А. Физические основы электроники Рабочая программа, контрольные задания и методические указания для студентов заочного отделения направления 210700 инфокоммуникационные

Подробнее

Экзаменационный билет 1

Экзаменационный билет 1 Теоретические вопросы к контролю знаний по дисциплине «Электроника» Вопросы в виде билетов (билеты 1-27 для ЗФО; билеты 1-30 для ОФО) Экзаменационный билет 1 1. Схемы ТЛЭС (транзисторной логики с эмиттерными

Подробнее

На этом рисунке U 1, U 2, I 1 и I 2 комплексные амплитуды напряжений и токов, соответственно. Рис Условное изображение четырехполюсника.

На этом рисунке U 1, U 2, I 1 и I 2 комплексные амплитуды напряжений и токов, соответственно. Рис Условное изображение четырехполюсника. 2. ПРИЦИПЫ ПОСТРОЕИЯ УСИЛИТЕЛЬЫХ ЗВЕЬЕВ ААЛИЗ РАБОТЫ ТИПОВЫХ УСИЛИТЕЛЬЫХ ЗВЕЬЕВ В РЕЖИМЕ МАЛОГО СИГАЛА 2.. Усилительное звено и его обобщенная схема. Малосигнальные параметры биполярных и полевых транзисторов,

Подробнее

ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ...3

ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ...3 ОГЛАВЛЕНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ...3 Глава 1 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ...5 1.1. Электрический заряд и электрическое поле... 5 1.2. Электрический потенциал, напряжение, электрический ток... б 1.3. Взаимодействие

Подробнее

Утверждаю: Директор НОУ «Центр инновационного развития человеческого потенциала и управления знаниями» В.Г. Былинкина 20 г.

Утверждаю: Директор НОУ «Центр инновационного развития человеческого потенциала и управления знаниями» В.Г. Былинкина 20 г. ЧОУ ДПО «Центр инновационного развития человеческого потенциала и управления знаниями» Лицензия на образовательную деятельность: 59Л01 0000396 от 12.04.2013 года р/н 2724 614002 г. Пермь, ул. Чернышевского,

Подробнее

У выпрямительного диода анодом называется электрод,

У выпрямительного диода анодом называется электрод, Вывод диода, помеченный цифрой "1" называется база эмиттер катод анод коллектор 1 2 Вывод диода, помеченный цифрой "2" 1 2 называется база эмиттер катод анод коллектор У выпрямительного диода анодом называется

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

8. Интегральные логические элементы

8. Интегральные логические элементы 8. Интегральные логические элементы Введение В логических элементах биполярные транзисторы могут использоваться в трёх режимах: режим отсечки оба p-n перехода транзистора закрыты, режим насыщения оба p-n

Подробнее

СЕВЕРО-КАВКАЗСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ГУМАНИТАРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ

СЕВЕРО-КАВКАЗСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ГУМАНИТАРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ СЕВЕРО-КАВКАЗСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ГУМАНИТАРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ

Подробнее

ПРЕДИСЛОВИЕ... 3 Введение ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ Полупроводниковые диоды Краткое описание полупроводниковых

ПРЕДИСЛОВИЕ... 3 Введение ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ Полупроводниковые диоды Краткое описание полупроводниковых ПРЕДИСЛОВИЕ... 3 Введение... 6 1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ... 11 1.1. Полупроводниковые диоды... 11 1.1.1. Краткое описание полупроводниковых материал о к... 11 1.1.2. Устройство и основные физические

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. Б «Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

Порядок выполнения задания

Порядок выполнения задания Лабораторная работа 7 Измерение и исследование ВАХ и параметров полевых транзисторов 1. Цель лабораторной работы Целью лабораторной работы является закрепление теоретических знаний о физических принципах

Подробнее

Инвертирующий усилитель на основе ОУ

Инвертирующий усилитель на основе ОУ СОДЕРЖАНИЕ ПРЕДИСЛОВИЕ... 3 Введение... 6 1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ.........:.. 41 1.1. Полупроводниковые диоды... И 1.1.1. Краткое описание полупроводниковых материалов... 11 1.1.2. Устройство и основные

Подробнее

ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ ГОРОДА МОСКВЫ ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ. 1.Основные параметры полупроводниковых диодов: напряжение, ток, мощность.

ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ ГОРОДА МОСКВЫ ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ. 1.Основные параметры полупроводниковых диодов: напряжение, ток, мощность. 1 1.Основные параметры полупроводниковых диодов: напряжение, ток, мощность. 2.Цифровые сигнальные процессоры, применение..(ок 2,ОК4,ОК5,ОК6,ПК 1.1-1.3,ПК2.3, ПК 3.1, ПК3.2). 3. Х1 Ֆ Y Написать таблицу

Подробнее

Лекция. P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов.

Лекция. P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов. Лекция P-N переход Полупроводниковые диоды. Типы диодов. 1 На основе специальных технологий соединения примесных полупроводников n и p типов можно создать p-n переход, являющийся основой многих электронных

Подробнее

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1.

ДВНЗ «Маріупольський будівельний коледж» «Електротехніка та електроніка» Контрольна робота 3 «Основи електроніки» Вариант 1. Вариант 1. 1. Назначение, устройство, принцип действия, условное графическое обозначение и вольт-амперная характеристика электровакуумного диода. 2. Назначение и структурная схема выпрямителей. Основные

Подробнее

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. «Б Электроника»

Кафедра «Электронные приборы и устройства» РАБОЧАЯ ПРОГРАММА по дисциплине. «Б Электроника» Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.» Кафедра «Электронные приборы и устройства»

Подробнее

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж

КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ. Ведущий лектор: Воронеж ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ» Кафедра ИНФОРМАТИКИ И МЕТОДИКИ

Подробнее

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы ПРИЛОЖЕНИЕ Б Перечень тестов для контрольной работы Модуль 1 1. Полупроводниковые материалы имеют удельное сопротивление 1) больше, чем проводники 2) меньше, чем проводники 3) больше, чем диэлектрики 4)

Подробнее

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ

10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ 10.2. ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ Общие сведения. Электронный ключ это устройство, которое может находиться в одном из двух устойчивых состояний: замкнутом или разомкнутом. Переход из одного состояния в другое в

Подробнее

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика

7. Базовые элементы цифровых интегральных схем Диодно-транзисторная логика 7. Базовые элементы цифровых интегральных схем. 7.1. Диодно-транзисторная логика Транзисторный каскад, работающий в ключевом режиме, можно рассматривать, как элемент с двумя состояниями, или логический

Подробнее

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155

Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 1 Лабораторная работа 20 Исследование работы базового логического элемента серии 155 Интегральная микросхема (ИМС), или, короче, микросхема, представляет собой изделие на активных и пассивных элементов

Подробнее

Лекция 10 Тема 10 Операционные усилители

Лекция 10 Тема 10 Операционные усилители Лекция 10 Тема 10 Операционные усилители Операционным усилителем (ОУ) называют усилитель электрических сигналов, предназначенный для выполнения различных операций над аналоговыми и импульсными величинами

Подробнее

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ

АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ Г. МОСКВЫ ГБОУ СПО КИГМ 23 АККРЕДИТАЦИОННЫЕ ПЕДАГОГИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ (для проведения внутренней экспертизы) по учебной дисциплине ОП 04 «Основы радиоэлектроники» Для

Подробнее

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ Лекция 8 Тема 8 Специальные усилители Усилители постоянного тока Усилителями постоянного тока (УПТ) или усилителями медленно изменяющихся сигналов называются усилители, которые способны усиливать электрические

Подробнее

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ

Рисунок 1 Частотная характеристика УПТ Лекция 8 Тема: Интегральные усилители 1 Усилители постоянного тока Усилителями постоянного тока (УПТ) или усилителями медленно изменяющихся сигналов называются усилители, которые способны усиливать электрические

Подробнее

СОДЕРЖАНИЕ. Список сокращений...3 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

СОДЕРЖАНИЕ. Список сокращений...3 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ СОДЕРЖАНИЕ Список сокращений...3 308 РАЗДЕЛ VI ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА СОВРЕМЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ Глава 26. Теоретические основы электроники.контактные явления...5 26.1.

Подробнее

Методические указания и контрольные задания для студентов-заочников по специальности «Электрификация и автоматизация сельского хозяйства»

Методические указания и контрольные задания для студентов-заочников по специальности «Электрификация и автоматизация сельского хозяйства» Управление образования и науки тамбовской области ТОГАПОУ «Аграрно-промышленный колледж» ПМ 3 «Техническое обслуживание, диагностирование неисправностей и ремонт электрооборудования и автоматизированных

Подробнее

Федеральное агентство связи. Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Федеральное агентство связи. Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Федеральное агентство связи Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных А.В. Борисов

Подробнее

Цифровые и импульсные устройства

Цифровые и импульсные устройства Электроника и МПТ Цифровые и импульсные устройства Импульсные устройства устройства, предназначенные для генерирования, формирования, преобразования и неискаженной передачи импульсных сигналов (импульсов).

Подробнее

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ РЭЛ 3 НОВОСИБИРСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра радиофизики Полевые

Подробнее

ОГЛАВЛЕНИЕ ТЕМА 1 ТЕМА 2 ТЕМА 3 ТЕМА 4

ОГЛАВЛЕНИЕ ТЕМА 1 ТЕМА 2 ТЕМА 3 ТЕМА 4 427 ОГЛАВЛЕНИЕ Введение... 3 Перечень сокращений и условных обозначений... 5 ТЕМА 1 ОСНОВЫ ТЕОРИИ ИНФОРМАЦИИ И ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ... 6 1.1 Формы представления детерминированных сигналов... 8 1.2 Спектральный

Подробнее

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Лекция 29. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ 97 Лекция 9. БАЗОВЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ План. Элементы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).. Элементы КМОП-логики. 3. Основные параметры логических элементов. 4. Выводы.. Элементы транзисторно-транзисторной

Подробнее

ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ С.Г. Камзолова ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Пособие по выполнению контрольных домашних заданий для студентов II курса специальности

Подробнее

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Лекция 7. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. СОГЛАСУЮЩИЕ СВОЙСТВА УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА БИ- ПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ План 1. Введение. 2. Усилительные каскады на полевых транзисторах.

Подробнее

ЭЛЕКТРОНИКА. Контрольное задание и методические указания к его выполнению для студентов заочной формы обучения

ЭЛЕКТРОНИКА. Контрольное задание и методические указания к его выполнению для студентов заочной формы обучения ЭЛЕКТРОНИКА Бочаров Е.И., Павлов В.М., Першин Ю.М. Контрольное задание и методические указания к его выполнению для студентов заочной формы обучения Основная профессиональная образовательная программа

Подробнее

Пример решения задачи 1.

Пример решения задачи 1. Введение Методические указания предназначены для студентов-заочников электрических и неэлектрических специальностей при изучении электроники по курсу «ЭОЭиМПТ», часть 2. Требования к контрольной работе:

Подробнее

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ФИЗИКЕ В МАГИСТРАТУРУ. (Специализация: Физика полупроводников. Микроэлектроника) в 2019 г. Правила проведения

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ФИЗИКЕ В МАГИСТРАТУРУ. (Специализация: Физика полупроводников. Микроэлектроника) в 2019 г. Правила проведения ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПО ФИЗИКЕ В МАГИСТРАТУРУ (Специализация: Физика полупроводников. Микроэлектроника) в 2019 г. Правила проведения Настоящая программа составлена на основе федерального государственного

Подробнее

Оглавление. Дшпература... 44

Оглавление. Дшпература... 44 Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова...11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников... 13 1.1. Элементы зонной теории... 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники... 18 1.3.

Подробнее

2.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

2.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевой транзистор (ПТ) это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал,

Подробнее

Лекция 12 Тема: Цифровые интегральные микросхемы ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

Лекция 12 Тема: Цифровые интегральные микросхемы ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Лекция 12 Тема: Цифровые интегральные микросхемы 1) Цифровые интегральные микросхемы. 2) Диодно-транзисторная логика. 3) Транзисторно-транзисторная логика ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Цифровые интегральные

Подробнее

Полевые транзисторы (ПТ)

Полевые транзисторы (ПТ) Полевые транзисторы (ПТ) Электроника и МПТ Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок) униполярные транзисторы. 1 Полевые

Подробнее

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Глава 5. УСИЛИТЕЛИ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ 5.1. ПРИНЦИП УСИЛЕНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ Назначение и классификация усилителей. Усилители переменного напряжения являются наиболее распространенным типом электронных

Подробнее

4. Усилительные схемы, выполненные на основе микросхем операционных усилителей (ОУ)

4. Усилительные схемы, выполненные на основе микросхем операционных усилителей (ОУ) Усилительные схемы, выполненные на основе микросхем операционных усилителей (ОУ) Введение При расчете усилителей на микросхемах ОУ целесообразно использовать известные при расчете линейных электрических

Подробнее

1. Цели освоения дисциплины

1. Цели освоения дисциплины 1. Цели освоения дисциплины Целью изучения дисциплины является формирование у обучающихся теоретических знаний принципов работы современных электронных и полупроводниковых приборов, их основных свойств

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к выполнению лабораторной работы

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к выполнению лабораторной работы ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УЧЕБНО- НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ КОМПЛЕКС» УЧЕБНО-НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ

Подробнее

Аналитический расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе

Аналитический расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование элементов следующих компетенций в соответствии с ФГОС ВО по данному направлению:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование элементов следующих компетенций в соответствии с ФГОС ВО по данному направлению: 1. ЦЕЛИ ОСВОЕНИЯ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ Целью изучения дисциплины "Электроника" является формирование у студентов концептуального представления о номенклатуре, основных параметрах и характеристиках полупроводниковых

Подробнее

Рис. 2 Модуль "Транзисторы"

Рис. 2 Модуль Транзисторы Глава 2 Исследование полевого и биполярного транзисторов Цель проведения работ Знание устройств, изучение характеристик и параметров электронных полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов.

Подробнее

2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 2.2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область эмиттером (Э), а другая коллектором (К). Обычно концентрация примесей в эмиттере больше, чем в коллекторе.

Подробнее

Схемы преобразователей частоты

Схемы преобразователей частоты Лекция номер 10 Схемы преобразователей Никитин Н.П. Классификация схем По типу гетеродина: с отдельным и с совмещённым гетеродином По типу прибора, на котором выполняется смеситель: транзисторные и диодные

Подробнее

Полевые транзисторы. Лекция 10. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А.

Полевые транзисторы. Лекция 10. Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 10 Полевые транзисторы 1. Устройство, принцип работы и ВАХ транзистора с управляемым р-n-переходом. 2. Устройство, принцип

Подробнее

МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ. «Электронная техника»

МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ. «Электронная техника» ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНОГО ТРАНСПОРТА Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Петербургский государственный университет путей сообщения Императора

Подробнее

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора

ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора ЛЕКЦИЯ 13 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Динамический и ключевой режимы работы биполярного транзистора План занятия: 1. Динамический режим работы транзистора 2. Ключевой режим работы транзистор 3. Динамические

Подробнее

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер.

1. Основные понятия. транзисторы p-n-p типа и транзисторы n-p-n типа. Где, электроды Б база, К коллектор, Э эмиттер. 1 Биполярные транзисторы 1. Основные понятия Лекции профессора Полевского В.И. Лекция 1 Биполярным транзистором называют трѐхэлектродный полупроводниковый прибор, с двумя взаимодействующими между собой

Подробнее

Электроника и электронные средства управления

Электроника и электронные средства управления Министерство аграрной политики и продовольствия Украины Государственное агентство рыбного хозяйства Украины Керченский государственный морской технологический университет Кафедра "Электрооборудование судов

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ 29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1:

1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: Тест 2: Вариант 1: 1. Оценочные средства текущего контроля. Образцы вопросов теста по вариантам: Тест 1: 1й вариант Закон Ома для активного участка цепи Активное сопротивление Вольтамперная характеристика Линейные сопротивления

Подробнее

ОП. 03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

ОП. 03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Тюменский государственный нефтегазовый университет» Институт кибернетики,

Подробнее

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» Заместитель директора по учебной работе

ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» Заместитель директора по учебной работе ФГОУ СПО «Уральский радиотехнический колледж им. А.С. Попова» ОДОБРЕНЫ ЦМК «РТД» Протокол от «23» ноября 2009 г. 5 Председатель ЦМК УТВЕРЖДАЮ Заместитель директора по учебной работе Д.В. Колесников 20

Подробнее

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ

ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Национальный исследовательский Томский политехнический университет Энергетический институт Кафедра: ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРЕДПРИЯТИЙ Тема: СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Преподаватель: доцент

Подробнее

Лекция 12. Тема: Элементы цифровых устройств

Лекция 12. Тема: Элементы цифровых устройств Лекция Тема: Элементы цифровых устройств В радиотехнических системах, технике связи, телевидении и т. д. широко используют импульсные и цифровые устройства. импульсным относят устройства, работающие в

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 21 Лекция 3 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора 3. Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов 3. Мощные биполярные транзисторы 4. Выводы 1. Устройство

Подробнее

ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ

ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ИНСТИТУТ СФЕРЫ ОБСЛУЖИВАНИЯ И ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬСТВА (ФИЛИАЛ) ФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО БЮДЖЕТНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО

Подробнее

Глава 5. Дифференциальные усилители

Глава 5. Дифференциальные усилители Глава 5. Дифференциальные усилители 5. Дифференциальные усилители Дифференциальный усилитель это симметричный усилитель с двумя входами и двумя выходами, использующийся для усиления разности напряжений

Подробнее

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ

ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ Утверждаю Председатель приемной комиссии проф. В.С. Башметов «24» апреля 2015 г. ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ИСПЫТАНИЯ по предмету «ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКИ» при поступлении на специальность

Подробнее

Задания для индивидуальной работы

Задания для индивидуальной работы Министерство науки и образования РФ САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА Кафедра "Радиотехнические устройства" Задания для индивидуальной работы Методические

Подробнее

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М. В. ЛОМОНОСОВА.

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М. В. ЛОМОНОСОВА. МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М. В. ЛОМОНОСОВА Электроника Г. Г. Шишкин, А. Г. Шишкин б а з о в ы й к у р с А УМО

Подробнее

Раздел «Электроника» содержит: 1. Полупроводниковые приборы. 2. Цифровые устройства и

Раздел «Электроника» содержит: 1. Полупроводниковые приборы. 2. Цифровые устройства и Раздел «Электроника» содержит: 1. Полупроводниковые приборы и аналоговые устройства 2. Цифровые устройства и микропроцессорные системы 1 Лекция 1 Элементная база электронных уст- ройств: : диоды и транзисторы.

Подробнее

Вопросы вступительного экзамена в магистратуру по специальности «6М Радиотехника, электроника и телекоммуникации»

Вопросы вступительного экзамена в магистратуру по специальности «6М Радиотехника, электроника и телекоммуникации» Вопросы вступительного экзамена в магистратуру по специальности «6М071900-Радиотехника, электроника и телекоммуникации» 1. Теория электрической связи 1 Динамическое представление сигналов. 2 Математические

Подробнее

Руководство к лабораторной работе. "Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов"

Руководство к лабораторной работе. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов Федеральное агентство по образованию ТОМСКИЙ ГОСУАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра телевидения и управления (ТУ) Утверждаю: Зав. кафедрой ТУ И.Н. Пустынский 2008

Подробнее

t 1 ). В этом режиме : u вых.д = u вых2 - u вых1 = 0, так как u вых1 = u вых2.

t 1 ). В этом режиме : u вых.д = u вых2 - u вых1 = 0, так как u вых1 = u вых2. ТЕМА 8 ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ. УСИЛИТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА В усилителях постоянного тока (УПТ) (частота сигнала единицы и доли герц) применяют непосредственную омическую (гальваническую) связь. Лучшими

Подробнее

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ВОЗДУШНОГО ТРАНСПОРТА ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ

Подробнее

УЛЬЯНОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ КОЛЛЕДЖ РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

УЛЬЯНОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ КОЛЛЕДЖ РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА УЛЬЯНОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ КОЛЛЕДЖ РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ ОП.03 ПРИКЛАДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Специальность 09.0.01 Компьютерные системы и комплексы Базовая подготовка Ульяновск 015 СОДЕРЖАНИЕ ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ

Подробнее

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе.

Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Лабораторная работа # 2 (19) Исследование характеристик биполярного транзистора и усилителя на биполярном транзисторе. Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик биполярного транзистора и усилителя

Подробнее

1.1 Усилители мощности (выходные каскады)

1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Лекция 9 Тема 9 Выходные каскады 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены

Подробнее

Студент гр. Преподаватель. Министерство образования Российской Федерации Т Е Т Р А Д Ь

Студент гр. Преподаватель. Министерство образования Российской Федерации Т Е Т Р А Д Ь Министерство образования Российской Федерации УРАЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ - УПИ Т Е Т Р А Д Ь для практических и лабораторных работ по дисциплине Автоматизация проектирования РЭУ

Подробнее

R = U пр I где U пр прямое напряжение на диоде, В; I прямой ток диода, А. Прямой ток диода определим по формуле: I = I 0 (exp ( U пр φ T

R = U пр I где U пр прямое напряжение на диоде, В; I прямой ток диода, А. Прямой ток диода определим по формуле: I = I 0 (exp ( U пр φ T Задача 1 Задан обратный ток I 0, мка, полупроводникового диода при Т, K. Определить сопротивление диода постоянному току и его дифференциальное сопротивление при известном прямом напряжении U пр, мв (табл.

Подробнее

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение...

Содержание. Содержание. Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию Предисловие к первому изданию Введение... Содержание 3 Содержание Предисловие к третьему изданию...11 Предисловие ко второму изданию... 12 Предисловие к первому изданию... 13 Введение... 15 Глава 1 Необходимые сведения из физики твердого тела

Подробнее

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 "ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ" на 2007/2008 учебный год

Кафедра НТР ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 2 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ на 2007/2008 учебный год ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ 1 1. Зонные диаграммы металла, полупроводника и диэлектрика. Образование энергетических зон. 2. Что такое область пространственного заряда (ОПЗ). Какие заряды её образуют? 3. Изобразите

Подробнее

ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПОВ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПОВ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ САМАРСКИЙ ордена ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П.КОРОЛЕВА ИЗУЧЕНИЕ ПРИНЦИПОВ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА САМАРА

Подробнее

ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОМЕЖУТОЧНОЙ АТТЕСТАЦИИ ОБУЧАЮЩИХСЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ (МОДУЛЮ).

ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОМЕЖУТОЧНОЙ АТТЕСТАЦИИ ОБУЧАЮЩИХСЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ (МОДУЛЮ). ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОМЕЖУТОЧНОЙ АТТЕСТАЦИИ ОБУЧАЮЩИХСЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ (МОДУЛЮ). Общие сведения 1. Кафедра физики, биологии и инженерных технологий 2. Направление подготовки 16.03.01

Подробнее

ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОМЕЖУТОЧНОЙ АТТЕСТАЦИИ ОБУЧАЮЩИХСЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ (МОДУЛЮ). Общие сведения

ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОМЕЖУТОЧНОЙ АТТЕСТАЦИИ ОБУЧАЮЩИХСЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ (МОДУЛЮ). Общие сведения ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОМЕЖУТОЧНОЙ АТТЕСТАЦИИ ОБУЧАЮЩИХСЯ ПО ДИСЦИПЛИНЕ (МОДУЛЮ). Общие сведения 1. Кафедра физики, биологии и инженерных технологий 2. Направление подготовки 13.03.02

Подробнее

Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Электроника и наноэлектроника

Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Электроника и наноэлектроника Институт Направление подготовки Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова 11.04.04 Электроника и наноэлектроника Банк заданий по специальной части вступительного испытания в магистратуру Задание

Подробнее

Основы схемотехники. 1. Основные положения

Основы схемотехники. 1. Основные положения Основы схемотехники ОСНОВЫ СХЕМОТЕХНИКИ...1 1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ...1 2. УСИЛЕНИЕ СЛАБЫХ СИГНАЛОВ...6 3. УСИЛЕНИЕ СИЛЬНЫХ СИГНАЛОВ...14 4. ОСНОВЫ МИКРОСХЕМОТЕХНИКИ УСИЛИТЕЛЕЙ...18 1. Основные положения

Подробнее

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора

2. Параллельное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Уменьшения заряда конденсатора Электротехника и электроника Инструкция к тесту: Выберете правильный вариант ответа 1. Последовательное соединение конденсаторов применяют для Увеличения общей емкости Уменьшения общей емкости Увеличения

Подробнее

1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ

1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ 1 1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ Цель курса ознакомление студентов с современным состоянием и перспективами развития электроники, включая элементную базу, типовые аналоговые электронные устройства преобразования

Подробнее

5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 5.3. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ КАСКАДЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ В усилителе на БТ транзистор должен работать в активном режиме, при котором эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный в обратном.

Подробнее

Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия»

Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия» Задачи для подготовки к контрольным работам и зачету по курсу «Электрические цепи непрерывного действия» Обозначения: б базовая (относительно простая) задача; у усложненная Раздел 1. Статические режимы

Подробнее

1.1 Усилители мощности (выходные каскады)

1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Лекция 7 Тема: Специальные усилители 1.1 Усилители мощности (выходные каскады) Каскады усиления мощности обычно являются выходными (оконечными) каскадами, к которым подключается внешняя нагрузка, и предназначены

Подробнее

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНЖЕНЕРНЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКА. Методические указания для самостоятельной и контрольной работы

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНЖЕНЕРНЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКА. Методические указания для самостоятельной и контрольной работы НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНЖЕНЕРНЫЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКА Методические указания для самостоятельной и контрольной работы Новосибирск 2017 УДК Кафедра техносферной безопасности

Подробнее

Индивидуальное домашнее задание. Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе

Индивидуальное домашнее задание. Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе Индивидуальное домашнее задание Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе Задание Рассчитать усилительный каскад, работающий в классе усиления А, в соответствии с техническим заданием (табл.

Подробнее

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе

Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Лабораторная работа #3 Исследование характеристик полевого транзистора и усилителя на полевом транзисторе Цель работы: Исследование вольтамперных характеристик полевого транзистора и усилителя на его основе.

Подробнее

Наиболее простой логический элемент получается при помощи диодов (рис.1, а)

Наиболее простой логический элемент получается при помощи диодов (рис.1, а) Лекция 20 Раздел 2. ЦИФРОВАЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ УСТРОЙСТВА Тема 2.2: ЭЛЕМЕНТЫ И УЗЛЫ ЦИФРОВЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ План лекции: 1. Базовые схемы логических элементов. 2. Диодно-транзисторная

Подробнее